JP2007035733A - 薬液処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 リソグラフィー工程などで使用する薬液処理装置を、パターン欠陥などの不良を引き起こす薬液中の気泡を確実に除去できるようにする。
【解決手段】 薬液供給タンク1内の薬液Lを薬液圧送ポンプ4によりパーティクルフィルター5に圧送し、パーティクルフィルター5を透過した薬液Lを薬液吐出ポンプ6により処理部2のウェハーWに供給する薬液処理装置において、薬液タンク1と薬液圧送ポンプ4との間に複数の気泡除去装置3A,3Bを配設する。複数の気泡除去装置3A,3Bによって気泡の除去がより確実なものとなる。
【選択図】 図1
【解決手段】 薬液供給タンク1内の薬液Lを薬液圧送ポンプ4によりパーティクルフィルター5に圧送し、パーティクルフィルター5を透過した薬液Lを薬液吐出ポンプ6により処理部2のウェハーWに供給する薬液処理装置において、薬液タンク1と薬液圧送ポンプ4との間に複数の気泡除去装置3A,3Bを配設する。複数の気泡除去装置3A,3Bによって気泡の除去がより確実なものとなる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、薬液処理装置に関し、特に半導体製造工程のリソグラフィー工程で半導体ウェハーにフォトレジスト膜・反射防止膜の塗布処理、現像処理を行う薬液処理装置に関するものである。
半導体製造におけるリソグラフィー工程の主な役割は、ウェハー上へのレジストパターンの形成であり、ウェハーの受入→レジスト塗布→露光→現像→評価工程といった流れでウェハーが処理される。この際のレジスト塗布・現像処理が薬液処理装置にて賄われており、フォトレジスト・反射防止膜薬液・現像液やその他の薬液が使用されている。薬液処理装置は特許文献1などに開示されている。
従来の薬液処理装置の概略構成を図2に示す。フォトリソ工程に使用される薬液Lを貯蔵した薬液供給タンク1とウェハーWが設置される処理部2との間に、気泡除去装置3と薬液圧送ポンプ4とパーティクルフィルター5と薬液吐出ポンプ6とをこの順に送液配管7で接続した送液系が設けられるとともに、薬液吐出ポンプ6から薬液圧送ポンプ4への戻り配管8が設けられている。各装置間、および気泡除去装置3、パーティクルフィルター5、薬液吐出ポンプ6に接続した排出用または吐出用の配管3a,5a,6aにはそれぞれ、バルブ11〜17が介装されている。薬液圧送ポンプ4および薬液吐出ポンプ6は、処理部2に順次に設置されるウェハーWへの薬液供給時や、定期的な薬液排出時に駆動される。
上記構成において、薬液供給タンク1内の薬液Lは、薬液圧送ポンプ4によって送液配管7内に吸引され、その際の流動で発生した気泡や、薬液内に溶存していた気泡が気泡除去装置3で自動的に分離された後、薬液圧送ポンプ4内を通ってパーティクルフィルター5へと圧送され、そのフィルター部を通過した薬液Lが、薬液吐出ポンプ6によって再び送液配管7内に吸引され、薬液吐出ポンプ6内を通って、吐出用配管6aの端部のノズルからウェハーWの表面に一定量のみ吐出され、スピンコートされる。
薬液吐出ポンプ6からウェハーW側へ送られなかった薬液Lは、戻り配管8により薬液圧送ポンプ4へ循環返送される。パーティクルフィルター5の流入側スペースに残留した薬液Lは、除去し切れなかった気泡や異物などを含むため、一定の薬液吐出回数を経るごとに排出用配管5aを通じて外部へ排出される。気泡除去装置3に徐々に蓄積された気泡は、メンテナンス時などに排出用配管3aを通じて排出される。
特公平6−1756号公報
上述した従来の薬液処理装置は、薬液使用量の削減を主目的としたもので、送液されながら吐出されない薬液Lを薬液吐出ポンプ6から薬液圧送ポンプ4へ循環返送することでその目的を達成している。
しかしこの薬液処理装置では、薬液中に含まれる気泡を気泡除去装置3で除去し、さらにパーティクルフィルター5でも除去しているものの、ウェハーW上に吐出された薬液、たとえばレジスト、によって形成されたパターンを詳細に検査すると、気泡による欠陥が見られる。これは、パーティクルフィルター5を通過してしまった微小気泡や、戻り配管8内での薬液溶存物質の気化による微小気泡が、薬液圧送ポンプ4を経て再び送液系に入り、薬液Lに含まれてウェハーW上に吐出されるためと推測される。
本発明は、上記問題に鑑み、パターン欠陥などの不良を引き起こす薬液中の気泡を確実に除去できる薬液処理装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために本発明は、薬液タンク内の薬液を第1のポンプによりフィルターに圧送し、フィルターを透過した薬液を第2のポンプにより処理部に供給する薬液処理装置において、前記薬液タンクと第1のポンプとの間に複数の気泡除去装置を配設したことを特徴とする。
また第2のポンプからの戻り配管をいずれかの気泡除去装置の流入側に接続したことを特徴とする。
本発明の薬液処理装置は、複数の気泡除去装置を有しているため、薬液中に含まれている気泡の除去がより確実なものとなり、気泡に起因する不良の発生を低減できる。
戻り配管によって循環された薬液は、再び気泡除去装置を通ることになり、微小気泡が含まれていてもここで除去できるので、気泡に起因する不良をさらに低減できる。
戻り配管によって循環された薬液は、再び気泡除去装置を通ることになり、微小気泡が含まれていてもここで除去できるので、気泡に起因する不良をさらに低減できる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は本発明の一実施形態における薬液処理装置の概略構成を示す。フォトリソ工程に使用される薬液Lを貯蔵した薬液供給タンク1とウェハーWが設置される処理部2との間に、気泡除去装置3(3A,3B)と薬液圧送ポンプ4とパーティクルフィルター5と薬液吐出ポンプ6とをこの順に送液配管7で接続した送液系が設けられるとともに、薬液吐出ポンプ6から薬液圧送ポンプ4への戻り配管8が設けられている。各装置間、および気泡除去装置3、パーティクルフィルター5、薬液吐出ポンプ6に接続した排出用または吐出用の配管3a,5a,6aにはそれぞれ、バルブ11〜17が介装されている。薬液圧送ポンプ4および薬液吐出ポンプ6は、処理部2に順次に設置されるウェハーWへの薬液供給時のみ駆動される。
図1は本発明の一実施形態における薬液処理装置の概略構成を示す。フォトリソ工程に使用される薬液Lを貯蔵した薬液供給タンク1とウェハーWが設置される処理部2との間に、気泡除去装置3(3A,3B)と薬液圧送ポンプ4とパーティクルフィルター5と薬液吐出ポンプ6とをこの順に送液配管7で接続した送液系が設けられるとともに、薬液吐出ポンプ6から薬液圧送ポンプ4への戻り配管8が設けられている。各装置間、および気泡除去装置3、パーティクルフィルター5、薬液吐出ポンプ6に接続した排出用または吐出用の配管3a,5a,6aにはそれぞれ、バルブ11〜17が介装されている。薬液圧送ポンプ4および薬液吐出ポンプ6は、処理部2に順次に設置されるウェハーWへの薬液供給時のみ駆動される。
この薬液処理装置が従来のものと相違するのは、第1の気泡除去装置3Aと第2の気泡除去装置3Bとが直列に配設されている点である。これら第1および第2の気泡除去装置3A,3Bは、液中の気泡は浮き上がることを利用した同一形式の気泡除去システムを有するもので、薬液を容器内を下向きに通過させて、その間に容器上部へと浮き上がる気泡を薬液から分離する構造である。第1および第2の気泡除去装置3A,3Bとも排出用の配管3aA,3aBを備え、それぞれにバルブ15A,15Bが介装されている。薬液吐出ポンプ6からの戻り配管8は第2の気泡除去装置3Bの流入側に接続されている。
上記構成において、薬液供給タンク1内の薬液Lは、薬液圧送ポンプ4によって送液配管7内に吸引され、その際の流動で発生した気泡が気泡除去装置3A,3Bで自動的に分離された後、薬液圧送ポンプ4内を通ってパーティクルフィルター5へと圧送され、そのフィルター部を通過した薬液Lが、薬液吐出ポンプ6によって再び送液配管7内に吸引され、薬液吐出ポンプ6内を通って、吐出用配管6aの端部のノズルからウェハーWの表面に一定量のみ吐出され、スピンコートされる。
薬液吐出ポンプ6からウェハーW側へ送られなかった薬液Lは、戻り配管8により薬液圧送ポンプ4へ循環返送される。パーティクルフィルター5の流入側スペースに残留した薬液Lは、除去し切れなかった気泡や異物などを含むため、一定の薬液吐出回数を経るごとに排出用配管5aを通じて外部へ排出される。気泡除去装置3A,3Bに徐々に蓄積された気泡は、メンテナンス時などに排出用配管3aA,3aBを通じて排出される。
その際に、この薬液処理装置では、上述したように複数の気泡除去装置3A,3Bが直列に配設され、薬液Lは気泡除去装置3A,3Bを順次に通過するので、薬液L内の気泡除去が従来装置よりも確実なものとなる。
パーティクルフィルター5で除去しきれなかった微小気泡は、戻り配管8(設備内を上下縦横に張り巡らされている)の途中で、特にその高い箇所で、合体成長して滞留し、処理部でのパターン形成に影響するサイズまで成長してしまう恐れがあるが、この薬液処理装置では、戻り配管8を経た薬液Lは気泡除去装置3B内を通過するので、成長した気泡を薬液から分離できるだけでなく、成長していない微小気泡も気泡除去装置3B内で薬液から分離可能なサイズに成長させて分離することが可能である。気泡除去装置3B内に一定量の気泡が蓄積された後にバルブ15Bを開放して排出させる際には、薬液圧送ポンプ4,薬液吐出ポンプ6を駆動し、バルブ15Aは閉、バルブ17は閉、バルブ14は開として、薬液Lを薬液供給タンク1より吸引しながら循環させる。
このようにすることにより、薬液Lが戻り配管8を循環されることで起こりがちな気泡の増幅を効果的に抑えることができ、ウェハーW上に形成される膜、それより形成されるパターンの不良を低減することが可能となる。
具体例を挙げると、8インチウエハー上にKrF用フォトレジスト+上層反射防止膜薬液を塗布して、寸法0.1μm以上1μm以下、平均0.2μm程度のパターンを形成した場合の欠陥数は、この実施形態の装置を採用することによって上述した従来装置に較べて半減した。
なおこの実施形態では2つの気泡除去装置3A,3Bを用いているが、3つ以上であれば更に良好な結果を得ることが可能になる。また戻り配管8を第2の気泡除去装置3Bの流入側に接続しているが、より上流に位置する第1の気泡除去装置3Aの流入側に接続してもよい。
本発明の薬液処理装置は薬液中に含まれている気泡を十分に除去できるので、気泡に起因する不良が発生するような、薬液中の気泡除去を必要とする処理全般に有用である。
1 薬液供給タンク
2 処理部
3A,3B 気泡除去装置
4 薬液圧送ポンプ
5 パーティクルフィルター
6 薬液吐出ポンプ
7 送液配管
8 戻り配管
W ウェハー
L 薬液
2 処理部
3A,3B 気泡除去装置
4 薬液圧送ポンプ
5 パーティクルフィルター
6 薬液吐出ポンプ
7 送液配管
8 戻り配管
W ウェハー
L 薬液
Claims (2)
- 薬液タンク内の薬液を第1のポンプによりフィルターに圧送し、フィルターを透過した薬液を第2のポンプにより処理部に供給する薬液処理装置において、前記薬液タンクと第1のポンプとの間に複数の気泡除去装置を配設した薬液処理装置。
- 第2のポンプからの戻り配管をいずれかの気泡除去装置の流入側に接続した請求項1記載の薬液処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005213551A JP2007035733A (ja) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | 薬液処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2005213551A JP2007035733A (ja) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | 薬液処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=37794657
Family Applications (1)
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JP2005213551A Withdrawn JP2007035733A (ja) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | 薬液処理装置 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013077640A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Sokudo Co Ltd | 処理液供給装置、基板処理装置、気泡の除去方法および基板処理方法 |
JP5409957B1 (ja) * | 2012-12-20 | 2014-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体 |
KR20150039565A (ko) * | 2013-10-02 | 2015-04-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법 |
JP2015088702A (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
KR102666399B1 (ko) * | 2021-12-31 | 2024-05-17 | 세메스 주식회사 | 액체 트랩 탱크 및 액체 트랩 탱크용 액체 공급 유닛 |
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2005
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013077640A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Sokudo Co Ltd | 処理液供給装置、基板処理装置、気泡の除去方法および基板処理方法 |
JP5409957B1 (ja) * | 2012-12-20 | 2014-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体 |
JP5453561B1 (ja) * | 2012-12-20 | 2014-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体 |
JP5453567B1 (ja) * | 2012-12-20 | 2014-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体 |
CN103887209A (zh) * | 2012-12-20 | 2014-06-25 | 东京毅力科创株式会社 | 液处理装置和液处理方法 |
JP2014140030A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体 |
JP2014140029A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体 |
US10734251B2 (en) | 2012-12-20 | 2020-08-04 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium for liquid process |
CN104511408A (zh) * | 2013-10-02 | 2015-04-15 | 东京毅力科创株式会社 | 处理液供给装置和处理液供给方法 |
JP2015072985A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
CN104511408B (zh) * | 2013-10-02 | 2018-11-13 | 东京毅力科创株式会社 | 处理液供给装置和处理液供给方法 |
KR20150039565A (ko) * | 2013-10-02 | 2015-04-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법 |
KR102319897B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2021-11-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법 |
JP2015088702A (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
KR20150051157A (ko) * | 2013-11-01 | 2015-05-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법 |
KR102270003B1 (ko) * | 2013-11-01 | 2021-06-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법 |
KR102666399B1 (ko) * | 2021-12-31 | 2024-05-17 | 세메스 주식회사 | 액체 트랩 탱크 및 액체 트랩 탱크용 액체 공급 유닛 |
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