JP2013225628A - 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 146
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 61
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 27
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 238000007670 refining Methods 0.000 claims description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 60
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 108010004350 tyrosine-rich amelogenin polypeptide Proteins 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000004083 survival effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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Abstract
【解決手段】液処理モジュール2に載置されたウエハWに対して、ノズル部1から溶剤を供給するにあたって、未精製の清浄度の低い第1の溶剤をウエハWに供給した後、精製された清浄度の高い第2の溶剤を供給する。そのため清浄度の高い第2の溶剤の使用量を抑えながら、ウエハWに残る異物の量を少なく抑えることができる。そしてこの手法によれば、清浄度の高い溶剤を多量に精製しなくとも良いうえ、精製工程の時間間隔が長くなるため、液処理装置のスループットの低下が抑えられる。
【選択図】図1
Description
前記ノズルに第1の有機溶剤を供給する第1の有機溶剤供給機構と、
前記第1の有機溶剤よりも清浄度の高い、第2の有機溶剤を前記ノズルに供給する第2の有機溶剤供給機構と、
前記基板に前記第1の有機溶剤を供給し、次いで当該基板に前記第2の有機溶剤を供給するように制御を行う制御部と、を備えたことを特徴とする。
第1の有機溶剤を基板に供給する工程と、
次いで当該基板に対して、前記第1の有機溶剤よりも清浄度の高い、第2の有機溶剤を供給する工程とを含むこととを、特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上述の液処理方法を実行するようにステップ群が組み込まれていることを特徴とする。
本発明の液処理装置をレジスト塗布装置に適用した実施形態について説明する。まずレジスト塗布装置の全体構成について簡単に説明すると、レジスト塗布装置は、図1に示すように、有機溶剤(以下「溶剤」という)を吐出する2本の溶剤ノズル3、4及びレジスト液ノズル5を含むノズル部1と、これら溶剤ノズル3、4及びレジスト液ノズル5毎に設けられた処理液の供給源31、41、51及び処理液の供給機構30、40、50と、一連の処理工程を含むレジスト塗布装置の動作を制御する制御部9と、を備えている。
ノズル部1に含まれる溶剤ノズル3、4はウエハWにレジスト液を吐出する前に溶剤を供給して、ウエハW上でレジストを広がり易くするためのプリウェット処理を行うためのものである。
フィルタ部34は、内部にパーティクル除去用の例えばナイロンやポリエチレン等からなるフィルタが設けられ、50nm程度の大きさのパーティクルを除去することができる。なお中間タンク32、ポンプ33及びフィルタ部34には、図示していないが、ベントバルブが設けられ、ベントバルブを開くことにより、溶剤中に溶存する気体を脱気できるようになっている。
レジスト供給機構50は、ポンプ、バルブ、フィルタなどの機器が配管に設けられ、ノズル5からレジスト液を所定量吐出するように構成されている。
第2の溶剤供給機構40では、工場内の用力室内から溶剤が配管39を介して中間タンク41に送られ、更に循環タンク47に送られる。なお装置の立ち上げ時には、循環路48も含めて溶剤が満たされている。そして図5に示すようにバルブV1,V3を閉じ、バルブV2、V4を開き、ポンプ36を駆動することにより、溶剤は、循環路48を介して循環する。即ち溶剤は循環タンク47→フィルタ部37→トラップ43→ポンプ36→トラップ44→流量調整バルブ46→循環タンク47からなるループ(循環経路)を流れ、例えば50周循環させる。
また本発明の液処理装置は、現像装置に適用しても良い。ネガ型システムの現像装置では、露光されたレジスト膜の領域のうち、光照射強度の弱い領域を選択的に溶解、除去を行い、パターン形成を行う。このネガ型システムの現像装置の現像処理工程としては、溶剤を含有する現像液を、例えば一定速度で回転している基板に供給してウエハW上に液膜を形成する液膜形成工程と、現像液の液膜によって、レジスト膜を溶解してパターン形成を行う現像工程があり、液膜形成工程と現像工程が交互に繰り返されることにより現像を行う。
1 ノズル部
3 第1の溶剤ノズル
4 第2の溶剤ノズル
30 第1の溶剤供給機構
31 第1の溶剤タンク
33、36 ポンプ
34、37 フィルタ部
40 第2の溶剤供給機構
41 第2の溶剤タンク
42 溶剤精製機構
48 循環路
9 制御部
W ウエハ
Claims (15)
- 基板保持部に水平に保持された基板に対して、ノズルを介して有機溶剤を供給して液処理を行う液処理装置において、
前記ノズルに第1の有機溶剤を供給する第1の有機溶剤供給機構と、
前記第1の有機溶剤よりも清浄度の高い、第2の有機溶剤を前記ノズルに供給する第2の有機溶剤供給機構と、
前記基板に前記第1の有機溶剤を供給し、次いで当該基板に前記第2の有機溶剤を供給するように制御を行う制御部と、を備えたことを特徴とする液処理装置。 - 1枚の基板に対する有機溶剤の吐出量については、第2の有機溶剤の吐出量が前記第1の有機溶剤の吐出量よりも少ないことを特徴とする請求項1記載の液処理装置。
- 前記第1の有機溶剤のノズルと第2の有機溶剤のノズルとは、互いに異なることを特徴とする請求項1または2記載の液処理装置。
- 前記第2の溶剤供給機構は、有機溶剤を精製するための溶剤精製機構を備えていることを特徴とする1ないし3のいずれか一項に記載の液処理装置。
- 前記溶剤精製機構は、ポンプとフィルタとを含む溶剤の循環経路を備え、この循環経路を複数回循環させることにより溶剤に含まれている異物を除去するものであることを特徴とする請求項4記載の液処理装置。
- 有機溶剤を供給して行われる液処理は、基板にレジスト液を供給する前に、基板の中央部に有機溶剤を吐出すると共に基板を回転させて、当該基板の表面を有機溶剤により濡らす処理であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の液処理装置。
- 有機溶剤を供給して行われる液処理は、露光された後の基板に対して行われるネガ現像処理であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の液処理装置。
- 基板保持部に水平に保持された基板に対して、ノズルを介して有機溶剤を供給して液処理を行う液処理方法において、
第1の有機溶剤を基板に供給する工程と、
次いで当該基板に対して、前記第1の有機溶剤よりも清浄度の高い、第2の有機溶剤を供給する工程とを含むことを、特徴とする液処理方法。 - 1枚の基板に対する有機溶剤の吐出量については、第2の有機溶剤の吐出量が前記第1の有機溶剤の吐出量よりも少ないことを特徴とする請求項8記載の液処理方法。
- 前記第2の有機溶剤は、第1の有機溶剤を吐出するノズルとは、異なるノズルから吐出することを特徴とする請求項8または9記載の液処理方法。
- 有機溶剤を溶剤精製機構により精製して第2の有機溶剤を得る工程を含むことを特徴とする請求項8ないし10のいずれか一項に記載の液処理方法。
- 溶剤精製機構により精製する工程は、ポンプとフィルタとを含む溶剤の循環経路を複数回循環させることにより溶剤に含まれている異物を除去する工程であることを特徴とする請求項11記載の液処理方法。
- 有機溶剤を供給して行われる液処理は、基板にレジスト液を供給する前に、基板の中央部に有機溶剤を吐出すると共に基板を回転させて、当該基板の表面を有機溶剤により濡らす処理であることを特徴とする請求項8ないし12のいずれか一項に記載の液処理方法。
- 有機溶剤を供給して行われる液処理は、露光された後の基板に対して行われるネガ現像処理であることを特徴とする請求項8ないし12のいずれか一項に記載の液処理方法。
- 基板保持部に水平に保持された基板に対して、ノズルを介して有機溶剤を供給して液処理を行う液処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項8ないし14のいずれか一項に記載された液処理方法を実行するようにステップ群が組み込まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012098079A JP5857864B2 (ja) | 2012-04-23 | 2012-04-23 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
TW102104204A TWI540629B (zh) | 2012-04-23 | 2013-02-04 | Liquid treatment device, liquid treatment method and memory medium |
KR1020130019262A KR101771276B1 (ko) | 2012-04-23 | 2013-02-22 | 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 |
US13/865,311 US9293320B2 (en) | 2012-04-23 | 2013-04-18 | Liquid treatment apparatus and method and non-transitory storage medium |
US15/040,362 US9817323B2 (en) | 2012-04-23 | 2016-02-10 | Liquid treatment apparatus and method and non-transitory storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012098079A JP5857864B2 (ja) | 2012-04-23 | 2012-04-23 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013225628A true JP2013225628A (ja) | 2013-10-31 |
JP5857864B2 JP5857864B2 (ja) | 2016-02-10 |
Family
ID=49380362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012098079A Active JP5857864B2 (ja) | 2012-04-23 | 2012-04-23 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9293320B2 (ja) |
JP (1) | JP5857864B2 (ja) |
KR (1) | KR101771276B1 (ja) |
TW (1) | TWI540629B (ja) |
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US9293320B2 (en) | 2016-03-22 |
TW201349328A (zh) | 2013-12-01 |
TWI540629B (zh) | 2016-07-01 |
US9817323B2 (en) | 2017-11-14 |
KR20130119341A (ko) | 2013-10-31 |
JP5857864B2 (ja) | 2016-02-10 |
US20130280425A1 (en) | 2013-10-24 |
US20160161867A1 (en) | 2016-06-09 |
KR101771276B1 (ko) | 2017-08-24 |
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