JPH0945615A - 半導体素子の製造装置及びこれを利用した製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造装置及びこれを利用した製造方法Info
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- JPH0945615A JPH0945615A JP8097769A JP9776996A JPH0945615A JP H0945615 A JPH0945615 A JP H0945615A JP 8097769 A JP8097769 A JP 8097769A JP 9776996 A JP9776996 A JP 9776996A JP H0945615 A JPH0945615 A JP H0945615A
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- Japan
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- semiconductor device
- manufacturing
- developer
- developing solution
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D19/00—Degasification of liquids
- B01D19/0031—Degasification of liquids by filtration
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Degasification And Air Bubble Elimination (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハ上のマイクロバブルを除去しうる半
導体素子の製造装置を提供する。 【解決手段】 液体化学剤を使用し半導体素子の製造工
程を行う半導体素子の製造装置において、前記液体化学
剤の中に含まれている気体を除去するために気体分圧を
低下させ脱気させる真空ポンプを有する脱気設備１０を
具備する。現像液のような液体の中に含まれているマイ
クロバブルを除去することにより、パターン不良の発生
を防止しうる。
導体素子の製造装置を提供する。 【解決手段】 液体化学剤を使用し半導体素子の製造工
程を行う半導体素子の製造装置において、前記液体化学
剤の中に含まれている気体を除去するために気体分圧を
低下させ脱気させる真空ポンプを有する脱気設備１０を
具備する。現像液のような液体の中に含まれているマイ
クロバブルを除去することにより、パターン不良の発生
を防止しうる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の製造装
置及びこれを利用した製造方法に係り、特に液体の中に
含まれている気体を除去してパターン不良を防止しうる
半導体素子製造用の現像装置及びこれを利用した製造方
法に関する。
置及びこれを利用した製造方法に係り、特に液体の中に
含まれている気体を除去してパターン不良を防止しうる
半導体素子製造用の現像装置及びこれを利用した製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウェーハが大口径化され素子等が高密
度、高集積化されることにより、半導体基板上に存在す
る微粒子や金属不純物等で代表される微細汚染が製品の
収率と信頼性に大きな影響を与えることになった。特
に、有機溶剤の中に気体成分N2、O2が溶解された状態で
化学反応が起こる時マイクロバブルが誘発されることに
より工程不良が発生されている。
度、高集積化されることにより、半導体基板上に存在す
る微粒子や金属不純物等で代表される微細汚染が製品の
収率と信頼性に大きな影響を与えることになった。特
に、有機溶剤の中に気体成分N2、O2が溶解された状態で
化学反応が起こる時マイクロバブルが誘発されることに
より工程不良が発生されている。
【０００３】一方、半導体装置の各種パターンがフォト
リソグラフィ技術によって形成されることは広く知らせ
ている。前記フォトリソグラフィ技術を説明すればま
ず、半導体ウェーハ上の絶縁膜や導電膜等、パターンを
形成すべき膜上にX 線や紫外線等のような光線の照射に
より溶解度が変化するフォトレジスト膜を形成する。そ
して、このフォトレジスト膜の所定部分を光線に露光さ
せた後、現像によって溶解度の大きい部分を除去しフォ
トレジストパターンを形成する。その後前記フォトレジ
ストパターンをマスクとして使用して前記パターンを形
成する膜の露出された部分を除去することにより配線や
電極等の各種パターンを形成する。
リソグラフィ技術によって形成されることは広く知らせ
ている。前記フォトリソグラフィ技術を説明すればま
ず、半導体ウェーハ上の絶縁膜や導電膜等、パターンを
形成すべき膜上にX 線や紫外線等のような光線の照射に
より溶解度が変化するフォトレジスト膜を形成する。そ
して、このフォトレジスト膜の所定部分を光線に露光さ
せた後、現像によって溶解度の大きい部分を除去しフォ
トレジストパターンを形成する。その後前記フォトレジ
ストパターンをマスクとして使用して前記パターンを形
成する膜の露出された部分を除去することにより配線や
電極等の各種パターンを形成する。
【０００４】図１は現像が行われる従来の現像装置の配
管図を示す。図１を参照すれば、部材番号１は地下にあ
る主タンク（図示せず）から現像液が供給される配管を
示し、２ａ及び２ｂは現像液の流れやN2供給を開閉する
エアの動作バルブを示し、３は中間タンク４からノズル
７まで現像液が供給されるように現像液を加圧させるN2
供給部を示す。部材番号４は前記主タンクから現像液を
供給され一定量を貯蔵する中間タンクを示し、５は現像
液の噴射量を確認する流量計を示し、６は現像液に存在
する０．１μm 以上の埃をフィルタリングするためのフ
ィルタを示す。部材番号７は現像液をウェーハの上に正
確に噴射させるノズルを示し、８は半導体の製造工程に
使用される原副資材、即ちウェーハを示し、９はウェー
ハを真空状態で保たせるスピンチャックを示す。
管図を示す。図１を参照すれば、部材番号１は地下にあ
る主タンク（図示せず）から現像液が供給される配管を
示し、２ａ及び２ｂは現像液の流れやN2供給を開閉する
エアの動作バルブを示し、３は中間タンク４からノズル
７まで現像液が供給されるように現像液を加圧させるN2
供給部を示す。部材番号４は前記主タンクから現像液を
供給され一定量を貯蔵する中間タンクを示し、５は現像
液の噴射量を確認する流量計を示し、６は現像液に存在
する０．１μm 以上の埃をフィルタリングするためのフ
ィルタを示す。部材番号７は現像液をウェーハの上に正
確に噴射させるノズルを示し、８は半導体の製造工程に
使用される原副資材、即ちウェーハを示し、９はウェー
ハを真空状態で保たせるスピンチャックを示す。
【０００５】図１に示されたような従来の現像装置を使
用して現像工程を実施する場合、現像液をウェーハ８の
上に噴射させるために中間タンク４に貯蔵されている現
像液をN2に加圧させることになる。この際、N2加圧によ
り現像液にマイクロバブルが発生しそのバブル発生部位
が現像されない不良が誘発される。図２は現像液に含ま
れたマイクロバブルにより発生される不良現像を示す概
略図である。
用して現像工程を実施する場合、現像液をウェーハ８の
上に噴射させるために中間タンク４に貯蔵されている現
像液をN2に加圧させることになる。この際、N2加圧によ
り現像液にマイクロバブルが発生しそのバブル発生部位
が現像されない不良が誘発される。図２は現像液に含ま
れたマイクロバブルにより発生される不良現像を示す概
略図である。
【０００６】図２を参照すれば、目に見える大きなバブ
ルが存在する場合肉眼で現像不良が確認されうるが、目
に見えないマイクロバブルが存在したままで現像液がウ
ェーハ上に噴射される場合インーラインSEM （Scanning
Electron Microscopy）で不良発生を確認しうる。即
ち、マイクロバブルが存在する部位は現像されなく図２
に示されたSEM 写真のようにパターン不良が発生するこ
とがわかる。
ルが存在する場合肉眼で現像不良が確認されうるが、目
に見えないマイクロバブルが存在したままで現像液がウ
ェーハ上に噴射される場合インーラインSEM （Scanning
Electron Microscopy）で不良発生を確認しうる。即
ち、マイクロバブルが存在する部位は現像されなく図２
に示されたSEM 写真のようにパターン不良が発生するこ
とがわかる。
【０００７】図３乃至図５はマイクロバブルにより発生
される各種不良を示す写真であって、現像液を加圧させ
るためのN2供給によりマイクロバブルが発生し様々のパ
ターン不良が起こることを示している。特に、このよう
なマイクロバブルによりウェーハのセンター部位が他の
部位に比べて１５〜２０％ほど収率が落ちる。
される各種不良を示す写真であって、現像液を加圧させ
るためのN2供給によりマイクロバブルが発生し様々のパ
ターン不良が起こることを示している。特に、このよう
なマイクロバブルによりウェーハのセンター部位が他の
部位に比べて１５〜２０％ほど収率が落ちる。
【０００８】
【発明が解決しょうとする課題】従って、本発明の目的
は液体の中に含まれている気体を除去しパターン不良を
防止しうる半導体素子の製造装置を提供することであ
る。本発明の他の目的は前記半導体素子の製造装置を利
用した適切な製造方法を提供することである。
は液体の中に含まれている気体を除去しパターン不良を
防止しうる半導体素子の製造装置を提供することであ
る。本発明の他の目的は前記半導体素子の製造装置を利
用した適切な製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、液体化学剤を使用して半導体素子の製造工
程を行う半導体素子の製造装置において、前記液体化学
剤の中に含まれている気体を除去するために気体分圧を
低下させ脱気させる真空ポンプを有する脱気設備を具備
することを特徴とする半導体素子の製造装置を提供す
る。
に本発明は、液体化学剤を使用して半導体素子の製造工
程を行う半導体素子の製造装置において、前記液体化学
剤の中に含まれている気体を除去するために気体分圧を
低下させ脱気させる真空ポンプを有する脱気設備を具備
することを特徴とする半導体素子の製造装置を提供す
る。
【００１０】また、前記目的を達成するために本発明
は、主タンクから現像液を供給され一定量を貯蔵する中
間タンクと、前記現像液に存在する埃をフィルタリング
するためのフィルタと、前記中間タンクとフィルタの間
に位置し、前記現像液の中に含まれた気体を除去するた
めの真空ポンプを有する脱気設備を具備することを特徴
とする半導体素子の製造装置を提供する。
は、主タンクから現像液を供給され一定量を貯蔵する中
間タンクと、前記現像液に存在する埃をフィルタリング
するためのフィルタと、前記中間タンクとフィルタの間
に位置し、前記現像液の中に含まれた気体を除去するた
めの真空ポンプを有する脱気設備を具備することを特徴
とする半導体素子の製造装置を提供する。
【００１１】前記脱気フィルタの直径は約９９mm、長さ
は約２６０mmであることが望ましい。前記他の目的を達
成するために本発明は、液体化学剤を使用した半導体素
子の製造方法において、パターン不良の原因となるマイ
クロバブルの発生を抑制するために、ウェーハ上に噴射
される前、その内部に含まれた気体を除去した液体化学
剤を利用することを特徴とする半導体素子の製造方法を
提供する。
は約２６０mmであることが望ましい。前記他の目的を達
成するために本発明は、液体化学剤を使用した半導体素
子の製造方法において、パターン不良の原因となるマイ
クロバブルの発生を抑制するために、ウェーハ上に噴射
される前、その内部に含まれた気体を除去した液体化学
剤を利用することを特徴とする半導体素子の製造方法を
提供する。
【００１２】ここで、前記バブルを除去した液体化学剤
としては現像液を挙げ、前記現像液はコンタクト形成等
の工程に適用しうる。本発明によれば、現像液の中に含
まれた気体、即ちマイクロバブルを除去するために気体
分圧を低下させる真空ポンプよりなる脱気設備を現像装
備内に設置することにより、パターン不良の発生を防止
しうる。
としては現像液を挙げ、前記現像液はコンタクト形成等
の工程に適用しうる。本発明によれば、現像液の中に含
まれた気体、即ちマイクロバブルを除去するために気体
分圧を低下させる真空ポンプよりなる脱気設備を現像装
備内に設置することにより、パターン不良の発生を防止
しうる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の望ましい実施例を
添付の図面に基づき本発明を詳しく説明する。図６は本
発明による脱気設備を有する現像装置の配管図である。
ここで、部材番号１は地下にある主タンク（図示せず）
から現像液が供給される配管を示し、２ａ及び２ｂは現
像液の流れやN2供給を開閉するエアの動作バルブを、３
は中間タンク４からノズル７まで現像液が供給されるよ
うに現像液を加圧させるN2供給部を、４は前記主タンク
から現像液を供給され一定量を貯蔵する中間タンクを、
５は現像液の噴射量を確認する流量計を、６は現像液に
存在する０．１μm 以上の埃をフィルタリングするため
のフィルタを、７は現像液がウェーハの上に正確に噴射
されるようにするノズルを、８はウェーハを、９はウェ
ーハを真空状態で保たせるスピンチャックを、１０は脱
気設備を示す。
添付の図面に基づき本発明を詳しく説明する。図６は本
発明による脱気設備を有する現像装置の配管図である。
ここで、部材番号１は地下にある主タンク（図示せず）
から現像液が供給される配管を示し、２ａ及び２ｂは現
像液の流れやN2供給を開閉するエアの動作バルブを、３
は中間タンク４からノズル７まで現像液が供給されるよ
うに現像液を加圧させるN2供給部を、４は前記主タンク
から現像液を供給され一定量を貯蔵する中間タンクを、
５は現像液の噴射量を確認する流量計を、６は現像液に
存在する０．１μm 以上の埃をフィルタリングするため
のフィルタを、７は現像液がウェーハの上に正確に噴射
されるようにするノズルを、８はウェーハを、９はウェ
ーハを真空状態で保たせるスピンチャックを、１０は脱
気設備を示す。
【００１４】図４を参照すれば、本発明による現像装置
では中間タンク４とフィルタ６、さらに正確には中間タ
ンク４と流量計５の間に、現像液の中に含まれているマ
イクロバブルを除去するための脱気設備１０が具備され
る。図５は本発明の半導体素子の製造装置に使用される
脱気設備の基本システムを示す構成図である。
では中間タンク４とフィルタ６、さらに正確には中間タ
ンク４と流量計５の間に、現像液の中に含まれているマ
イクロバブルを除去するための脱気設備１０が具備され
る。図５は本発明の半導体素子の製造装置に使用される
脱気設備の基本システムを示す構成図である。
【００１５】図５を参照すれば、脱気設備は熱交換器、
脱気フィルタ、及び真空ポンプで構成される。ここで、
前記脱気フィルタは空洞繊維よりなる疎水性の中空系微
細管（直径約２００μm ）約７０００〜１００００個を
一束にして形成し、これは必要流量に応じてグループユ
ニットをモジュール化し形成する。本実施例では、前記
脱気フィルタの直径を約９９mm、長さは約２６０mmにし
た。
脱気フィルタ、及び真空ポンプで構成される。ここで、
前記脱気フィルタは空洞繊維よりなる疎水性の中空系微
細管（直径約２００μm ）約７０００〜１００００個を
一束にして形成し、これは必要流量に応じてグループユ
ニットをモジュール化し形成する。本実施例では、前記
脱気フィルタの直径を約９９mm、長さは約２６０mmにし
た。
【００１６】前記脱気設備の原理は次のようである。熱
交換器を通過した現像液や水等の液体を前記脱気フィル
タの中空系微細管を構成する気体分離膜の内側に通過さ
せ、真空ポンプを利用し前記気体分離膜の外側を真空状
態（約７００〜５５０mmHg）にする。このようにすれ
ば、前記微細管内の液体の溶存気体分圧と中空系膜の外
側の気体分圧との圧力差により溶存気体（酸素、窒素
等）が気体分離膜を透過し排出される。また、前記気体
分離膜の表面は疎水性なので液体分子は膜を通過できな
く気体分子のみ膜を透過することにより、気体分子と液
体分子とを分離しうる。前記脱気設備に使用される真空
ポンプは水封式真空ポンプで、本実施例では前記真空ポ
ンプの異常有無を現像装置のホストコンピューターで受
け取ってエラーを処理するようにした。
交換器を通過した現像液や水等の液体を前記脱気フィル
タの中空系微細管を構成する気体分離膜の内側に通過さ
せ、真空ポンプを利用し前記気体分離膜の外側を真空状
態（約７００〜５５０mmHg）にする。このようにすれ
ば、前記微細管内の液体の溶存気体分圧と中空系膜の外
側の気体分圧との圧力差により溶存気体（酸素、窒素
等）が気体分離膜を透過し排出される。また、前記気体
分離膜の表面は疎水性なので液体分子は膜を通過できな
く気体分子のみ膜を透過することにより、気体分子と液
体分子とを分離しうる。前記脱気設備に使用される真空
ポンプは水封式真空ポンプで、本実施例では前記真空ポ
ンプの異常有無を現像装置のホストコンピューターで受
け取ってエラーを処理するようにした。
【００１７】参考的に、脱気設備の脱気原理はダルトン
（Dalton）の分圧法則（何れかの気体の混合物が示す分
圧は各気体の分圧の合計と同じである。）及びヘンリの
法則（気体の水中溶解度はその水に接触した気体の分圧
に比例する。但しその溶解度は水温に変化する。）に支
配される。
（Dalton）の分圧法則（何れかの気体の混合物が示す分
圧は各気体の分圧の合計と同じである。）及びヘンリの
法則（気体の水中溶解度はその水に接触した気体の分圧
に比例する。但しその溶解度は水温に変化する。）に支
配される。
【００１８】
【発明の効果】前述のような脱気設備をコンタクト形成
工程に適用した時、脱気設備を装着しない従来の方法に
比べて収率が５％ほど上昇した。（６８．５９％より７
３．３８％に）。前記収率はマイクロバブルが一番多く
発生されるウェーハの中心の八つのチップに対した平均
収率である。
工程に適用した時、脱気設備を装着しない従来の方法に
比べて収率が５％ほど上昇した。（６８．５９％より７
３．３８％に）。前記収率はマイクロバブルが一番多く
発生されるウェーハの中心の八つのチップに対した平均
収率である。
【００１９】また、本発明の脱気設備を半導体の全工程
に適用する場合１５〜２０％ほど収率が上昇すると予想
される。本発明は前記実施例に限定されなく、半導体製
造工程において液体の中に含まれている気体を除去すべ
きの全てのシステムに適用しうることは明白である。
に適用する場合１５〜２０％ほど収率が上昇すると予想
される。本発明は前記実施例に限定されなく、半導体製
造工程において液体の中に含まれている気体を除去すべ
きの全てのシステムに適用しうることは明白である。
【図１】従来の現像装置の配管図である。
【図２】現像液に含まれたマイクロバブルにより発生さ
れる不良現像を示す概略図とＳＥＭ写真である。
れる不良現像を示す概略図とＳＥＭ写真である。
【図３】マイクロバブルにより発生される各種不良を示
すＳＥＭ写真である。
すＳＥＭ写真である。
【図４】マイクロバブルにより発生される各種不良を示
すＳＥＭ写真である。
すＳＥＭ写真である。
【図５】マイクロバブルにより発生される各種不良を示
すＳＥＭ写真である。
すＳＥＭ写真である。
【図６】本発明による脱気設備を有する現像装置の配管
図である。
図である。
【図７】本発明の半導体素子の製造装置に使用される脱
気設備の基本システムを示す構成図である。
気設備の基本システムを示す構成図である。
２ａ 動作バルブ ２ｂ 動作バルブ ３ N2供給部 ４ 中間タンク ５ 流量計 ６ フィルタ ７ ノズル ８ ウェーハ ９ スピンチャック １０ 脱気設備
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金 鉦烈 大韓民国京畿道水原市八達区梅灘２洞196 −50番地
Claims (7)
- 【請求項１】 液体化学剤を使用して半導体素子の製造
工程を行う半導体素子の製造装置において、 前記液体化学剤の中に含まれている気体を除去するため
に気体分圧を低下させ脱気させる真空ポンプを有する脱
気設備を具備することを特徴とする半導体素子の製造装
置。 - 【請求項２】 主タンクから現像液を供給され一定量を
貯蔵する中間タンクと、 前記現像液に存在する埃をフィルタリングするためのフ
ィルタと、 前記中間タンクとフィルタの間に位置し、前記現像液の
中に含まれた気体を除去するための真空ポンプを有する
脱気設備を具備することを特徴とする半導体素子の製造
装置。 - 【請求項３】 前記脱気設備は熱交換器、脱気フィルタ
をさらに具備することを特徴とする請求項２に記載の半
導体素子の製造装置。 - 【請求項４】 前記脱気フィルタは直径が９９mm、長さ
が２６０mmであることを特徴とする請求項３に記載の半
導体素子の製造装置。 - 【請求項５】 液体化学剤を使用した半導体素子の製造
方法において、 パターン不良の原因となるマイクロバブルの発生を抑制
するために、ウェーハ上に噴射される前、その内部に含
まれた気体を除去した液体化学剤を利用することを特徴
とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記液体化学剤は現像液であることを特
徴とする請求項５に記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記現像液はコンタクトの形成工程に適
用することを特徴とする請求項６に記載の半導体素子の
製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1995P22313 | 1995-07-26 | ||
| KR1019950022313A KR970008315A (ko) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 반도체장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945615A true JPH0945615A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=19421660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8097769A Pending JPH0945615A (ja) | 1995-07-26 | 1996-03-26 | 半導体素子の製造装置及びこれを利用した製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945615A (ja) |
| KR (1) | KR970008315A (ja) |
| DE (1) | DE19540010A1 (ja) |
| GB (1) | GB2303564B (ja) |
| TW (1) | TW376528B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015073007A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW535216B (en) * | 1996-09-13 | 2003-06-01 | Tokyo Electron Ltd | Photoresist processing method and photoresist processing system |
| DE10345379B3 (de) * | 2003-09-30 | 2005-06-02 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Vorratstank für Prozessflüssigkeiten mit einer reduzierten Menge an Blasen und Verfahren zum Betreiben desselben |
| DE102005004361B4 (de) | 2005-01-31 | 2006-12-07 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Vorrichtung und Verfahren zum Entfernen von Blasen aus einer Prozessflüssigkeit |
| EP1874446A1 (en) | 2005-04-25 | 2008-01-09 | Entegris, Inc. | Method and apparatus for treating fluids to reduce microbubbles |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0252005A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-21 | Japan Gore Tex Inc | 脱気機構 |
| JPH0745001B2 (ja) * | 1990-09-11 | 1995-05-17 | シーケーディ株式会社 | 液体供給装置及び脱泡方法 |
| JP2652301B2 (ja) * | 1992-05-28 | 1997-09-10 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄水製造装置 |
| WO1994003397A1 (en) * | 1992-08-07 | 1994-02-17 | Miura Co., Ltd. | Improvement to membrane type deaerator |
| EP0598424A3 (en) * | 1992-11-16 | 1996-05-15 | Novellus Systems Inc | Apparatus for removing dissolved gases from a liquid. |
| EP0622475A1 (en) * | 1993-04-29 | 1994-11-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for degassing semiconductor processing liquids |
-
1995
- 1995-07-26 KR KR1019950022313A patent/KR970008315A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-10-27 DE DE19540010A patent/DE19540010A1/de not_active Withdrawn
- 1995-11-03 TW TW084111659A patent/TW376528B/zh active
- 1995-11-03 GB GB9522520A patent/GB2303564B/en not_active Expired - Fee Related
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1996
- 1996-03-26 JP JP8097769A patent/JPH0945615A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015073007A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW376528B (en) | 1999-12-11 |
| GB2303564B (en) | 1998-12-30 |
| GB9522520D0 (en) | 1996-01-03 |
| KR970008315A (ko) | 1997-02-24 |
| DE19540010A1 (de) | 1997-01-30 |
| GB2303564A (en) | 1997-02-26 |
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