JP2013211525A - 液処理装置及び液処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】供給管路51と、供給管路に介設され、レジスト液L(処理液)を濾過すると共に、レジスト液L中に混入している気泡を除去するフィルタ装置52aと、フィルタ装置の二次側の供給管路51(51b)に介設されるポンプPと、ポンプの二次側とフィルタ装置の一次側とを接続する循環管路55と、ポンプPの二次側に介設される供給制御弁57と、循環管路55に介設される循環制御弁56と、他の処理液供給ノズル7b〜7dからウエハWにレジスト液Lを供給する際に、供給制御弁57を閉じると共に循環制御弁56を開き、ポンプPを駆動するコントローラ200と、を具備し、このコントローラによる制御を行うことで、供給管路51と循環管路55との間でレジスト液を循環させる。
【選択図】図3
Description
この発明に係る液処理装置5は、図3に示すように、処理液であるレジスト液Lを貯留する処理液貯留容器60(以下にレジスト容器60という。)とウエハWにレジスト液Lを吐出(供給)する後述する処理液供給ノズル7の1つの処理液供給ノズル7aとを接続する供給管路51と、供給管路51に介設され、レジスト液Lを濾過してパーティクルを除去すると共に、レジスト液L中に混入している異物(気泡)を除去するフィルタ装置52aと、フィルタ装置52aの二次側の供給管路51に介設される第1のトラップタンク53と、第1のトラップタンク53の二次側の供給管路51に介設されるポンプPと、ポンプPの二次側の供給管路51に介設される第2のトラップタンク54と、ポンプPの吐出側とフィルタ装置52aの吸入側とを接続する循環管路55と、循環管路55に介設される循環制御弁56と、第2のトラップタンク54の二次側の供給管路51に介設される供給制御弁57を具備する。
まず、レジスト容器60をセット(インストール)した後、コントローラ200からの制御信号に基づいて、第1の気体供給管路8aに介設された切換弁V1と第1の処理液供給管路51aに介設された切換弁V2が開放し、N2ガス供給源62からレジスト容器60内に供給されるN2ガスの加圧によってレジスト液Lをバッファタンク61内に供給する。このとき、切換弁V3は大気部63側に切り換えられており、バッファタンク61内は大気に連通されている。
図5に示すように、バッファタンク61内に所定量のレジスト液Lが供給(補充)されると、上限液面センサ61aからの検知信号を受けた図示しないコントローラからの制御信号に基づいて、切換弁V1と切換弁V2が閉じると共に、切換弁V3がN2ガス供給源62側に切り換わる。これにより、N2ガス供給源62からN2ガスがバッファタンク61内に供給される一方、第2の処理液供給管路51bの供給制御弁57が開放し、ポンプPが駆動することで、レジスト液Lが処理液供給ノズル7aからウエハWに吐出(供給)されて処理が施される(処理液供給工程)。このとき、切換弁V4a,V5a,V5bは図示しないコントローラからの信号によって開かれており、フィルタ装置52a、トラップタンク53,54中に溶存する気泡はドレイン管51c,51d,51hを介して外部に排出される。
次に、供給管路51と循環管路55とを介して行われるレジスト液Lの循環について説明する。図6に示すように、処理液供給ノズル7dからウエハWにレジスト液を供給する際には、図示しないコントローラからの信号によって供給制御弁57が閉じられることで、処理液供給ノズル7aからウエハWへのレジスト液Lの供給が停止される(アイドル状態)。このアイドル状態で、図示しないコントローラからの信号によって循環制御弁56が開かれる。
図7に基づいて、この発明に係る液処理装置の第2実施形態を説明する。なお、第2実施形態において、第1実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
図8に基づいて、この発明に係る液処理装置の第3実施形態を説明する。なお、第3実施形態において、第1実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
図9に基づいて、この発明に係る液処理装置の第4実施形態を説明する。なお、第4実施形態において、第3実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
図10,図11(a),図11(b)に基づいて、この発明に係る液処理装置の第5実施形態を説明する。なお、第5実施形態において、第1実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
図12,図13に基づいて、この発明に係る液処理装置の第6実施形態を説明する。なお、第6実施形態において、第1実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
図14,図15に基づいて、この発明に係る液処理装置の第7実施形態を説明する。なお、第7実施形態において、第1実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
図16に基づいて、この発明に係る液処理装置の第8実施形態を説明する。なお、第8実施形態において、第1実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
図17に基づいて、この発明に係る液処理装置の第9実施形態を説明する。なお、第9実施形態において、第1実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
図18〜図21に基づいて、この発明に係る液処理装置の第10実施形態を説明する。
図22に基づいて、この発明に係る液処理装置に接続される液処理ユニットを説明する。液処理装置5に接続される液処理ユニット100は、図22に示すように、不活性ガス例えば窒素(N2)ガスの供給源101と、レジスト液Lを貯留するレジスト容器102と、レジスト容器102から導かれた処理液を一時貯留するバッファタンク103と、バッファタンク103に貯留されているレジスト液Lを吐出する2個のポンプP1,P2と、ポンプP1,P2の二次側に設けられている4個のフィルタ装置104a〜104d(以下、フィルタ装置104で代表する)と、を具備する。この実施形態ではポンプP1,P2にダイヤフラムポンプが用いられている。
まず、レジスト容器102をセットした後、図示しないコントローラからの制御信号に基づいて、第3の気体供給管路110aに介設された開閉弁V9と第3の処理液供給管路111aに介設された切換弁V15が開放し、N2ガス供給源101からレジスト容器102内に供給されるN2ガスの加圧によってレジスト液Lをバッファタンク103内に供給する。このとき、切換弁V12は大気部106側に切り換えられており、バッファタンク103内は大気に連通されている。レジスト容器102から供給されたレジスト液Lが第3の処理液供給管路111aを介してバッファタンク103に供給(補充)される際、レジスト液Lはバッファタンク103内の気体(大気)と接触することで、レジスト液Lの大気接触面積の増大によりレジスト液L中に溶存するガスを顕在化して気泡が発生又は発生しやすくする。
次に、第4の処理液供給管路111bと戻り管路111cとを介して行われるレジスト液Lの循環について説明する。バッファタンク103内に所定量のレジスト液Lが供給(補充)されると、上限液面センサ103aからの検知信号を受けた図示しないコントローラからの制御信号に基づいて、切換弁V15が閉じると共に切換弁V16が開く。
バッファタンク103からレジスト容器60へのレジスト液Lへの供給について説明する。バッファタンク103からレジスト容器60にレジスト液Lを供給する場合には、図示しないコントローラからの制御信号に基づいて、開閉弁V9,V15が閉じると共に切換弁V13が開き、切換弁V12がN2ガス供給源101側に切り換わる。これにより、N2ガス供給源101からN2ガスがバッファタンク103内に供給される一方、第4の処理液供給管路111bの開閉弁V8,V16が開かれ、ポンプP1,P2が駆動することで、レジスト液Lがフィルタ装置104、レジスト容器60に供給される。このとき、フィルタ装置104中に溶存する気泡はドレイン管路112a〜112dを介して大気部107に排出される。また、レジスト容器60に供給されたレジスト液Lは、第1の実施形態で上述したように、レジスト液Lが処理液供給ノズル7aからウエハWに吐出(供給)され、又はレジスト液Lが供給管路51と循環管路55との間を循環する。
なお、上記実施形態では、この発明に係る処理液供給装置をレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明したが、レジスト以外の処理液例えば現像液等の供給装置や洗浄処理の供給装置にも適用可能である。
7、7a〜7d 処理液供給ノズル
51 供給管路
51a 第1の処理液供給管路
51b 第2の処理液供給管路
52a フィルタ装置
53 第1のトラップタンク
54 第2のトラップタンク
55 循環管路
56 循環制御弁
57 供給制御弁
58 振動体
59a 温度センサ
59b 温調器(温度制御手段)
60 レジスト容器(処理液貯留容器)
61 バッファタンク(処理液一時貯留容器)
71 ダイヤフラム
72 ポンプ室72(ポンプ部分)
73 作動室73(駆動部分)
80 脱気機構
81 容器
82 半透膜チューブ
83 流入用ポート
84 流出用ポート
85 排気用ポート
86 排出管
200 コントローラ(制御手段)
L レジスト液(処理液)
P ポンプ
V6 第3の開閉弁
V31,V32,V36 開閉弁
V33 吸入側の開閉弁
V34 第1の開閉弁
V35 第2の開閉弁
V4a,V5a 切換弁
W ウエハ(被処理基板)
Claims (16)
- 被処理基板に処理液を供給する複数の処理液供給ノズルのうち一つの処理液供給ノズルに接続される液処理装置であって、
上記処理液を貯留する処理液貯留容器と上記処理液供給ノズルとを接続する供給管路と、
上記供給管路に介設され、上記処理液を濾過すると共に、上記処理液中に混入している異物を除去するフィルタ装置と、
上記フィルタ装置の二次側の上記供給管路に介設されるポンプと、
上記ポンプの吐出側と上記フィルタ装置の吸入側とを接続する循環管路と、
上記ポンプの二次側の上記供給管路に介設される供給制御弁と、
上記循環管路に介設される循環制御弁と、
上記ポンプ、供給制御弁及び循環制御弁を制御する制御手段と、を具備し、
上記供給制御弁を閉じることで上記処理液供給ノズルから上記被処理基板への処理液の供給が停止している際に、上記循環制御弁を開き、上記ポンプを駆動して、上記フィルタ装置を介設する上記供給管路と上記循環管路との間で上記処理液を循環させることを特徴とする液処理装置。 - 請求項1記載の液処理装置において、
上記循環管路は上記ポンプの二次側の上記供給管路と上記フィルタ装置の一次側の上記供給管路とを接続することを特徴とする液処理装置。 - 請求項1記載の液処理装置において、
上記フィルタ装置の一次側の上記供給管路に介設され、上記処理液の一部を貯留する処理液一時貯留容器を具備し、
上記循環管路は上記ポンプの二次側の上記供給管路と上記処理液一時貯留容器とを接続することを特徴とする液処理装置。 - 請求項1記載の液処理装置において、
上記フィルタ装置と上記ポンプとの間の上記供給管路に介設され、上記処理液中に存在する気泡を分離する機能を有するトラップタンクを具備し、
上記循環管路は上記ポンプの吐出口と上記フィルタ装置の一次側の上記供給管路とを接続することを特徴とする液処理装置。 - 請求項1記載の液処理装置において、
上記フィルタ装置と上記ポンプとの間の上記供給管路に介設され、上記処理液中に存在する気泡を分離する機能を有するトラップタンクを具備し、
上記循環管路は、上記トラップタンクと上記ポンプを接続する第1循環管路と、上記トラップタンクと上記フィルタ装置の一次側の供給管路とを接続する第2循環管路とからなることを特徴とする液処理装置。 - 請求項5記載の液処理装置において、
上記ポンプをポンプ部分と駆動部分を区画するダイヤフラムを駆動手段の駆動により往復駆動するダイヤフラムポンプにて形成し、
上記ダイヤフラムポンプの吸入側に上記ポンプ部分への上記処理液の流入を選択的に可能にする吸入側の開閉弁、上記ダイヤフラムポンプの吐出側に上記処理液供給ノズルへの上記処理液の供給を選択的に可能にする第1の開閉弁及び上記循環管路への上記処理液の供給を選択的に可能にする第2の開閉弁を設けると共に上記トラップタンクで分離された気泡をドレイン管を介して外部に排出することを選択的に可能にする切換弁を設け、
上記第2循環管路に上記循環制御弁を設けると共に上記フィルタ装置の一次側であって上記第2循環管路と上記供給管路との接続部の二次側の上記供給管路に第3の開閉弁を設け、
上記第1の開閉弁、第2の開閉弁、吸入側の開閉弁及び循環制御弁を閉じた状態で、上記駆動手段の駆動により上記ポンプ部分を負圧にすることで、上記処理液中に存在する微細な気泡を顕在化し、
上記吸入側の開閉弁、第1の開閉弁、第3の開閉弁及び切換弁を閉じ、上記第2の開閉弁、循環制御弁を開くことで、顕在化された気泡を上記トラップタンクに移動させ、
上記第1の開閉弁、第2の開閉弁及び循環制御弁を閉じ、上記吸入側の開閉弁、第3の開閉弁及び切換弁を開くことで上記トラップタンク内の気泡をドレイン管を介して外部に排出することを特徴とする液処理装置。 - 請求項6記載の液処理装置において、
上記第1の開閉弁、第2の開閉弁、第3の開閉弁、切換弁及び循環制御弁を閉じ、上記吸入側の開閉弁を開いた状態で、上記駆動手段の駆動により上記ポンプ部分を負圧にすることで、上記処理液中に存在する微細な気泡を顕在化することを特徴とする液処理装置。 - 請求項1ないし7のいずれかに記載の液処理装置において、
上記制御手段による上記処理液の循環を所定の間隔で行うことを特徴とする液処理装置。 - 請求項1ないし8のいずれかに記載の液処理装置において、
上記処理液を循環させる上記供給管路又は上記循環管路の少なくとも一の管路に上記処理液中の気体を脱気する脱気機構を介設することを特徴とする液処理装置。 - 請求項1又は8に記載の液処理装置において、
上記フィルタ装置内の処理液に振動を与える振動体を更に具備してなることを特徴とする液処理装置。 - 請求項1,8又は10のいずれかに記載の液処理装置において、
上記フィルタ装置内の処理液の温度を検出する温度センサと、
上記温度センサからの信号に基づいて上記フィルタ装置内の処理液の温度を制御する温度制御手段と、を更に具備してなることを特徴とする液処理装置。 - 請求項1,8,10又は11のいずれかに記載の液処理装置において、
上記フィルタ装置は上記供給管路に複数設けられていることを特徴とする液処理装置。 - 処理液を貯留する処理液貯留容器と被処理基板に上記処理液を供給する処理液供給ノズルとを接続する供給管路と、
上記供給管路に介設され、上記処理液を濾過すると共に、上記処理液中に混入している異物を除去するフィルタ装置と、
上記フィルタ装置の二次側の上記供給管路に介設されるポンプと、
上記ポンプの吐出側と上記フィルタ装置の吸入側とを接続する循環管路と、
上記ポンプの二次側の上記供給管路に介設される供給制御弁と、
上記循環管路に介設される循環制御弁と、
上記ポンプ、供給制御弁及び循環制御弁を制御する制御手段とを具備する液処理装置に用いられる液処理方法であって、
上記供給制御弁を開くと共に上記循環制御弁を閉じ、上記ポンプを駆動させることで上記被処理基板に上記処理液を供給する処理液供給工程と、
上記処理液供給工程を行わない時に上記供給制御弁を閉じると共に上記循環制御弁を開き、上記ポンプを駆動させることで上記循環管路と上記供給管路との間で上記処理液を循環させる循環工程と、を備えることを特徴とする液処理方法。 - 請求項13に記載の液処理方法において、
上記循環工程で処理液を循環する上記循環管路若しくは上記供給管路に上記処理液中の気体を脱気する脱気機構が介設され、
上記循環工程は上記脱気機構による処理液中の気体の脱気を行う脱気工程を含むことを特徴とする液処理方法。 - 請求項13に記載の液処理方法において、
上記ポンプをポンプ部分と駆動部分を区画するダイヤフラムを駆動手段の駆動により往復駆動するダイヤフラムポンプにて形成し、
上記循環管路は、上記トラップタンクと上記ポンプを接続する第1循環管路と、上記トラップタンクと上記フィルタ装置の一次側の供給管路とを接続する第2循環管路とからなり、
上記ダイヤフラムポンプの吸入側に上記ダイヤフラムポンプへの上記処理液の供給を選択的に可能にする吸入側の開閉弁、上記ダイヤフラムポンプの吐出側に上記処理液供給ノズルへの上記処理液の供給を選択的に可能にする第1の開閉弁及び上記循環管路への上記処理液の供給を選択的に可能にする第2の開閉弁を設けると共に上記トラップタンクで分離された気泡をドレイン管を介して外部に排出することを選択的に可能にする切換弁を設け、
上記第2循環管路に上記循環制御弁を設けると共に上記フィルタ装置の一次側であって上記第2循環管路と上記供給管路との接続部の二次側の上記供給管路に第3の開閉弁を設け、
上記第1の開閉弁、第2の開閉弁、吸入側の開閉弁、切換弁及び循環制御弁を閉じた状態で、上記駆動手段の駆動により上記ポンプ部分を負圧にすることで、上記処理液中に存在する微細な気泡を顕在化する気泡顕在化工程と、
該気体顕在化工程の後、吸入側の開閉弁、上記第1の開閉弁、第3の開閉弁を閉じ、上記第2の開閉弁、循環制御弁を開いた状態で、顕在化された気泡を上記トラップタンクに移動させる気泡移動工程と、
上記第1の開閉弁、第2の開閉弁及び循環制御弁を閉じ、上記吸入側の開閉弁、第3の開閉弁及び切換弁を開くことで上記トラップタンク内の気泡をドレイン管を介して外部に排出する脱気工程と、を備え、
上記気泡顕在化工程、気泡移動工程及び上記脱気工程は、上記処理液供給工程の終了後上記循環工程の開始前に行われることを特徴とする液処理方法。 - 請求項15に記載の液処理方法において、
上記気泡顕在化工程は、上記第1の開閉弁、第2の開閉弁、第3の開閉弁、切換弁及び循環制御弁を閉じ、上記吸入側の開閉弁を開いた状態で、上記駆動手段の駆動により上記ポンプ部分を負圧にすることで、上記処理液中に存在する微細な気泡を顕在化する工程であることを特徴とする液処理方法。
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---|---|---|---|
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Related Child Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2013259068A Division JP5956975B2 (ja) | 2012-02-27 | 2013-12-16 | 液処理装置及び液処理方法 |
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---|---|
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---|---|---|---|
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WO (1) | WO2013129252A1 (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014078562A (ja) * | 2012-10-09 | 2014-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給方法、処理液供給装置及び記憶媒体 |
JP2015072985A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
JP2015073007A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
CN104562165A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-29 | 广东威迪科技股份有限公司 | 一种智能过滤控制系统 |
JP2015106656A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルター装置 |
KR20150065590A (ko) * | 2013-12-05 | 2015-06-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리액 공급 장치, 처리액 공급 방법 및 기억 매체 |
JP2015144318A (ja) * | 2015-04-21 | 2015-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタウエッティング方法、フィルタウエッティング装置及び記憶媒体 |
WO2016042806A1 (ja) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
KR200480178Y1 (ko) | 2014-03-25 | 2016-04-20 | 이정란 | 포토레지스트 내의 기포를 제거할 수 있는 포토레지스트 도포 장치 |
KR20160086280A (ko) | 2015-01-09 | 2016-07-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리액 여과 장치, 약액 공급 장치 및 처리액 여과 방법과 기억 매체 |
JP2016181577A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2017196557A (ja) * | 2016-04-26 | 2017-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタ装置及び液処理装置 |
KR20180028383A (ko) | 2016-09-08 | 2018-03-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리액 공급 장치 |
KR20190019007A (ko) | 2017-08-16 | 2019-02-26 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 약액 공급 장치, 기판 처리 장치, 약액 공급 방법, 및 기판 처리 방법 |
WO2019117043A1 (ja) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 液供給装置及び液供給方法 |
KR20190124641A (ko) | 2018-04-26 | 2019-11-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법 |
US10518199B2 (en) | 2016-09-08 | 2019-12-31 | Tokyo Electron Limited | Treatment solution supply apparatus |
JP7530861B2 (ja) | 2021-04-27 | 2024-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置、液体置換方法、および記憶媒体 |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5956975B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2016-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
JP6107690B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2017-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタユニットの前処理方法、処理液供給装置、フィルタユニットの加熱装置 |
JP6013302B2 (ja) | 2013-10-04 | 2016-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 気泡除去方法、気泡除去装置、脱気装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
CN104570625A (zh) * | 2013-10-17 | 2015-04-29 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种带有液体去泡功能的供给装置 |
TWI572403B (zh) * | 2014-01-27 | 2017-03-01 | 東京威力科創股份有限公司 | 用於光阻配送系統之主動過濾器技術 |
JP6370567B2 (ja) * | 2014-03-13 | 2018-08-08 | エイブリック株式会社 | 現像装置 |
KR102343634B1 (ko) * | 2014-12-30 | 2021-12-29 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 |
JP6626322B2 (ja) * | 2015-11-27 | 2019-12-25 | Ckd株式会社 | 気体圧駆動機器、及びその制御方法 |
JP6803701B2 (ja) * | 2016-08-23 | 2020-12-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
JP6484601B2 (ja) * | 2016-11-24 | 2019-03-13 | 株式会社Kokusai Electric | 処理装置及び半導体装置の製造方法 |
CN106881219B (zh) * | 2017-02-27 | 2019-06-04 | 安徽江淮汽车集团股份有限公司 | 一种汽车工厂用供胶系统 |
JP6817860B2 (ja) * | 2017-03-21 | 2021-01-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN110520965B (zh) * | 2017-04-06 | 2023-06-02 | 东京毅力科创株式会社 | 供液装置和供液方法 |
US11465074B2 (en) * | 2017-10-20 | 2022-10-11 | Shimadzu Corporation | Degassing device |
TWI800623B (zh) * | 2018-03-23 | 2023-05-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 液處理裝置及液處理方法 |
KR102099114B1 (ko) * | 2018-04-16 | 2020-04-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
JP7112884B2 (ja) * | 2018-05-24 | 2022-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
CN108565235B (zh) * | 2018-05-31 | 2024-03-01 | 亚智系统科技(苏州)有限公司 | 用于扇出型晶圆级芯片的表面处理、封装系统及操作方法 |
JP7113671B2 (ja) * | 2018-06-12 | 2022-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 脱泡装置および脱泡方法 |
US10663865B2 (en) * | 2018-06-29 | 2020-05-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photoresist recycling apparatus |
CN110875212B (zh) * | 2018-08-31 | 2022-07-01 | 辛耘企业股份有限公司 | 基板处理装置 |
US11273396B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Liquid supply system with improved bubble venting capacity |
JP6837037B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2021-03-03 | 株式会社Screenホールディングス | 処理装置、処理システム、および処理方法 |
KR102221258B1 (ko) | 2018-09-27 | 2021-03-02 | 세메스 주식회사 | 약액 토출 장치 |
CN109445254A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-03-08 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种减少显影管路气泡的装置 |
CN109569081B (zh) * | 2018-12-04 | 2021-02-26 | 惠科股份有限公司 | 过滤装置和光阻涂布系统 |
JP7163199B2 (ja) * | 2019-01-08 | 2022-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP7161955B2 (ja) * | 2019-02-20 | 2022-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタウェッティング方法及び処理液供給装置 |
KR20200126552A (ko) * | 2019-04-30 | 2020-11-09 | 삼성전자주식회사 | 다중 필터들을 가진 레지스트 필터링 시스템 및 레지스트 코팅 설비 |
CN110197801A (zh) * | 2019-05-14 | 2019-09-03 | 清华大学 | 一种基板处理液的存储装置和基板后处理设备 |
JP7339049B2 (ja) * | 2019-07-26 | 2023-09-05 | 株式会社ディスコ | 廃液処理装置 |
CN113341654B (zh) | 2020-02-18 | 2023-02-28 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种光刻胶供给装置 |
CN111451061B (zh) * | 2020-04-07 | 2021-12-31 | 芯米(厦门)半导体设备有限公司 | 双缓冲型光阻液喷涂系统 |
KR102585284B1 (ko) * | 2020-12-28 | 2023-10-05 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛 및 액 공급 방법 |
KR102654320B1 (ko) * | 2022-05-09 | 2024-04-04 | 넥스콘테크놀러지 주식회사 | 기포 발생이 방지되는 pcb 코팅 시스템 |
CN116573603A (zh) * | 2023-07-15 | 2023-08-11 | 太原众特电气技术有限公司 | 制动液加注系统的液体脱气装置、加注系统及脱气方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02281727A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト塗布装置 |
JPH10180173A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-07-07 | Sony Corp | レジスト塗布装置 |
JPH11147078A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-02 | Casio Comput Co Ltd | 分類別処理装置およびそのプログラム記録媒体 |
JP2000120530A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-25 | Koganei Corp | 薬液供給方法および薬液供給装置 |
JP2003197513A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Koganei Corp | 薬液供給装置 |
JP2010135535A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05267149A (ja) | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Fujitsu Ltd | レジスト送液装置 |
JP3280880B2 (ja) | 1997-02-07 | 2002-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 脱気機構およびそれを用いた処理装置 |
JPH11147068A (ja) * | 1997-06-03 | 1999-06-02 | Sony Corp | 処理装置及び処理方法 |
JP3461725B2 (ja) * | 1998-06-26 | 2003-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
TW504749B (en) * | 1999-06-29 | 2002-10-01 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing method and apparatus for processing object in treatment liquid |
JP3706294B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2005-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
JP3686822B2 (ja) | 2000-05-19 | 2005-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置および現像処理方法 |
JP4723218B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2011-07-13 | シーケーディ株式会社 | 薬液供給用ポンプユニット |
JP4694377B2 (ja) * | 2006-01-27 | 2011-06-08 | シーケーディ株式会社 | 薬液供給システム |
JP4969965B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2012-07-04 | 日東電工株式会社 | 脱気装置 |
JP4975790B2 (ja) * | 2009-08-20 | 2012-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト液供給装置、レジスト液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011088026A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Shimadzu Corp | 脱気装置 |
JP5857864B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2016-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
-
2012
- 2012-12-28 JP JP2012288515A patent/JP5439579B2/ja active Active
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2013
- 2013-02-04 TW TW102104190A patent/TWI491432B/zh active
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- 2013-02-22 CN CN201511001407.7A patent/CN105413247B/zh active Active
- 2013-02-22 CN CN201380011195.3A patent/CN104137225B/zh active Active
- 2013-02-22 KR KR1020187012327A patent/KR102030945B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-06-30 US US15/639,010 patent/US9878267B2/en active Active
- 2017-11-21 US US15/818,855 patent/US10022652B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02281727A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト塗布装置 |
JPH10180173A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-07-07 | Sony Corp | レジスト塗布装置 |
JPH11147078A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-02 | Casio Comput Co Ltd | 分類別処理装置およびそのプログラム記録媒体 |
JP2000120530A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-25 | Koganei Corp | 薬液供給方法および薬液供給装置 |
JP2003197513A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Koganei Corp | 薬液供給装置 |
JP2010135535A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給装置 |
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014078562A (ja) * | 2012-10-09 | 2014-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給方法、処理液供給装置及び記憶媒体 |
JP2015072985A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
JP2015073007A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
JP2015106656A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルター装置 |
KR102360003B1 (ko) | 2013-12-05 | 2022-02-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리액 공급 장치, 처리액 공급 방법 및 기억 매체 |
KR20150065590A (ko) * | 2013-12-05 | 2015-06-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리액 공급 장치, 처리액 공급 방법 및 기억 매체 |
KR200480178Y1 (ko) | 2014-03-25 | 2016-04-20 | 이정란 | 포토레지스트 내의 기포를 제거할 수 있는 포토레지스트 도포 장치 |
WO2016042806A1 (ja) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US11043398B2 (en) | 2014-09-18 | 2021-06-22 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device |
JP2016063074A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US11935763B2 (en) | 2014-09-18 | 2024-03-19 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device |
KR101932869B1 (ko) * | 2014-09-18 | 2018-12-26 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 |
CN104562165B (zh) * | 2014-12-31 | 2017-04-26 | 广东威迪科技股份有限公司 | 一种智能过滤控制系统 |
CN104562165A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-29 | 广东威迪科技股份有限公司 | 一种智能过滤控制系统 |
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