JP7530861B2 - 処理液供給装置、液体置換方法、および記憶媒体 - Google Patents

処理液供給装置、液体置換方法、および記憶媒体 Download PDF

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Description

本開示は、処理液供給装置、液体置換方法、および記憶媒体に関する。
特許文献１には、ダイヤフラムポンプが設けられている流路に対して洗浄液を供給して、流路を洗浄する構成が開示されている。
特開２０１６－８７５４６号公報
本開示は、ダイヤフラムポンプの流路内の液体の他の流体への置換を適切に行う技術を提供する。
本開示の一態様による処理液供給装置は、処理液供給源から処理液流路およびノズルを介して被処理体に処理液を供給する処理液供給装置であって、前記処理液流路内に設けられたダイヤフラムポンプと、前記処理液流路内に気体を供給するガス供給部と、前記ダイヤフラムポンプおよび前記ガス供給部の動作を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記ダイヤフラムポンプ内の液体を排出する際に、前記ダイヤフラムポンプにおけるフラム部を、拡大した状態と比べて収縮した状態にすることと、前記フラム部が収縮した状態を維持しながら、前記ガス供給部によって前記気体を前記ダイヤフラムポンプ内に供給することと、を実行させる。
本開示によれば、ダイヤフラムポンプの流路内の液体の他の流体への置換を適切に行う技術が提供される。
図１は、基板処理システムの概略構成の一例を示す模式図である。 図２は、塗布・現像装置の内部構成の一例を示す模式図である。 図３は、液処理ユニットの構成の一例を示す模式図である。 図４は、処理液供給部の一例を示す模式図である。 図５は、制御装置のハードウェア上の構成の一例を示すブロック図である。 図６は、液体から気体に置換する際の動作方法の一例を示すフロー図である。 図７（ａ）、図７（ｂ）は、ダイヤフラムポンプの形状と内部の置換状態との関係の一例を説明する図である。 図８は、液体から別に液体に置換する際の動作方法の一例を示すフロー図である。 図９（ａ）、図９（ｂ）は、ダイヤフラムポンプの形状と内部の置換状態との関係の一例を説明する図である。
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
一つの例示的実施形態において、処理液供給装置が提供される。処理液供給装置は、処理液供給源から処理液流路およびノズルを介して被処理体に処理液を供給する処理液供給装置であって、前記処理液流路内に設けられたダイヤフラムポンプと、前記処理液流路内に気体を供給するガス供給部と、前記ダイヤフラムポンプおよび前記ガス供給部の動作を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記ダイヤフラムポンプ内の液体を気体に置換する際に、前記ダイヤフラムポンプにおけるフラム部を、拡大した状態と比べて収縮した状態にすることと、前記フラム部が収縮した状態を維持しながら、前記ガス供給部によって前記気体を前記ダイヤフラムポンプ内に供給することと、を実行させる。
上記の処理液供給装置では、ダイヤフラムポンプ内の液体を排出して気体に置換する際に、ダイヤフラムポンプにおけるフラム部が、拡大した状態と比べて収縮した状態にされ、さらにその状態を維持しながら、気体がダイヤフラムポンプ内に供給される。このような構成とすることで、ダイヤフラムポンプ内の液体を気体に置換する際に、液体がポンプ内に残留することが防がれる。そのため、ダイヤフラムポンプの流路内の液体から気体への置換が適切に行われる。
前記制御部は、前記ダイヤフラムポンプ内の液体を別の種類の液体に置換する際に、前記フラム部が拡大可能な状態を維持しながら、前記別の種類の液体を前記ダイヤフラムポンプ内に供給することを実行させる態様とすることができる。上記の構成とすることで、ダイヤフラムポンプ内の液体を別の種類の液体に置換する際に、置換前の液体と、別の種類の液体とのポンプ内での混合が促進される。そのため、ダイヤフラムポンプの流路内の液体から別の種類の液体への置換が適切に行われる。
前記制御部は、前記ダイヤフラムポンプにおいて加圧部による前記フラム部を加圧する圧力を制御することによって、前記フラム部の形状を制御させる態様とすることができる。上記の構成とすることで、加圧部による加圧を利用して、フラム部の形状の制御を柔軟に行うことができる。
前記制御部は、前記ダイヤフラムポンプ内の液体を排出する際に、前記加圧部による前記フラム部を加圧する圧力を大きくすることによって、前記ガス供給部による前記気体を供給した際に前記フラム部が収縮した状態を維持する態様とすることができる。上記の構成とすることで、ポンプ内へ供給する気体の流速を大きくした場合でも、フラム部が収縮した状態を維持することができ、ダイヤフラムポンプの流路内の液体から気体への置換が適切に行われる。
前記ガス供給部は、前記処理液供給源から前記処理液流路へ向けて前記処理液を供給するために使用されるガス供給系とは別に設けられ、前記ダイヤフラムポンプよりも上流において前記処理液流路内に前記気体を供給する態様とすることができる。上記の構成とすることで、処理液供給源まわりのガス供給系とは独立して、ダイヤフラムポンプ内の液体の置換を行うことができる。また、上記の構成によれば、ガス供給部の動作が、ガス供給系に影響を与えることが防がれる。
別の例示的実施形態において、液体置換方法が提供される。液体置換方法は、処理液供給源から処理液流路およびノズルを介して被処理体に処理液を供給する処理液供給装置における液体置換方法であって、前記処理液供給装置は、前記処理液流路内に設けられたダイヤフラムポンプと、前記処理液流路内に不活性ガスを供給するガス供給部と、前記ダイヤフラムポンプおよび前記ガス供給部の動作を制御する制御部と、を有し、前記ダイヤフラムポンプ内の液体を気体に置換する際に、前記制御部によって、前記ダイヤフラムポンプにおけるフラム部を、拡大した状態と比べて収縮した状態にすることと、前記制御部によって、前記フラム部が収縮した状態を維持しながら、前記ガス供給部によって前記不活性ガスを前記ダイヤフラムポンプ内に供給することによって、前記ダイヤフラムポンプ内の前記液体を排出することと、を含む。
上記の液体置換方法では、ダイヤフラムポンプ内の液体を排出して気体に置換する際に、ダイヤフラムポンプにおけるフラム部が、拡大した状態と比べて収縮した状態にされ、さらにその状態を維持しながら、気体がダイヤフラムポンプ内に供給される。このような構成とすることで、ダイヤフラムポンプ内の液体を気体に置換する際に、液体がポンプ内に残留することが防がれる。そのため、ダイヤフラムポンプの流路内の液体から気体への置換が適切に行われる。
前記ダイヤフラムポンプ内の液体を別の種類の液体に置換する際に、前記制御部によって、前記フラム部が拡大可能な状態を維持しながら、前記別の種類の液体を前記ダイヤフラムポンプ内に供給することをさらに含む態様とすることができる。上記の構成とすることで、ダイヤフラムポンプ内の液体を別の種類の液体に置換する際に、置換前の液体と、別の種類の液体とのポンプ内での混合が促進される。そのため、ダイヤフラムポンプの流路内の液体から別の種類の液体への置換が適切に行われる。
前記フラム部の形状の制御は、前記ダイヤフラムポンプにおいて加圧部による前記フラム部を加圧する圧力を制御することによって行われる態様とすることができる。上記の構成とすることで、加圧部による加圧を利用して、フラム部の形状の制御を柔軟に行うことができる。
前記ダイヤフラムポンプ内の液体を排出する際に、前記加圧部による前記フラム部を加圧する圧力を大きくすることによって、前記ガス供給部による前記不活性ガスを供給した際に前記フラム部が収縮した状態を維持する態様とすることができる。上記の構成とすることで、ポンプ内へ供給する気体の流速を大きくした場合でも、フラム部が収縮した状態を維持することができ、ダイヤフラムポンプの流路内の液体から気体への置換が適切に行われる。
前記ガス供給部は、前記処理液供給源から前記処理液流路へ向けて前記処理液を供給するために使用されるガス供給系とは別に設けられ、前記ダイヤフラムポンプよりも上流において前記処理液流路内に不活性ガスを供給する態様とすることができる。上記の構成とすることで、処理液供給源まわりのガス供給系とは独立して、ダイヤフラムポンプ内の液体の置換を行うことができる。また、上記の構成によれば、ガス供給部の動作が、ガス供給系に影響を与えることが防がれる。
一つの例示的実施形態において、上記の液体置換方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体が提供される。上記の記憶媒体は、上記の液体置換方法と同様の効果を奏する。
［例示的実施形態］
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
［基板処理システム］
まず、図１～図５を参照して一実施形態に係る基板処理システムを説明する。図１に示される基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、および当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷ（基板）は、例えば半導体用の基板である。基板としては、一例として、シリコンウェハである。ワークＷは円形に形成されてもよい。また、処理対象のワークＷは、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよい。ワークＷは、一部が切り欠かれた切欠部を有していてもよい。切欠部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。また、感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ワークＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ワークＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
［基板処理装置］
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１および図２に示されるように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００とを備える。
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのワークＷの導入および塗布・現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。
処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１，１２，１３，１４は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送アームを含む搬送装置Ａ３とを内蔵している。
処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１１の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２により、レジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。液処理ユニットＵ１は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を塗布する。また、液処理ユニットＵ１は、塗布された現像液をリンス液により洗い流す。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。
処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後制御装置１００は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７および搬送装置Ａ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、ワークＷに処理液を吐出して液処理を行う液処理ユニットと、これを制御可能な制御装置とを備えていればどのようなものであってもよい。
（液処理ユニット）
続いて、図３および図４を参照して、処理モジュール１２における液処理ユニットＵ１の一例について詳細に説明する。液処理ユニットＵ１は、回転保持部２０と、処理液供給部３０と、を備える。液処理ユニットＵ１および液処理ユニットＵ１を制御する制御装置１００（制御部）が本実施形態における処理液供給装置に対応する構成を有している。
回転保持部２０は、制御装置１００の動作指示に基づき、ワークＷを保持して回転させる。回転保持部２０は、保持部２１と、駆動部２２とを備える。保持部２１は、表面Ｗａを上方に向けて水平に配置されたワークＷの中心部を支持し、当該ワークＷを吸着（例えば真空吸着）等により保持する。駆動部２２は、例えば電動モータ等を動力源とした回転アクチュエータであり、鉛直な回転軸周りに保持部２１を回転させる。これにより、鉛直な回転軸周りにワークＷが回転する。
処理液供給部３０は、回転保持部２０に回転保持されたワークＷに処理液を供給する。処理液供給部３０は、図３および図４に示されるように、吐出部４０と、処理液供給源５０と、送液系６０と、を備える。送液系６０は、処理液を供給する流路および流路中の送液のためのポンプ、バルブ等を含んで構成される。さらに、送液系６０は、送液の調整等に使用され得る不活性ガスを供給するガス供給系８０も含んで構成される。
吐出部４０は、ワークＷの表面Ｗａに向けて処理液を吐出する。吐出部４０は、ノズル４１と、送液管４２とを備える。ノズル４１は、ワークＷに処理液を吐出する。ノズル４１は、図３に示されるように、例えば、ワークＷの上方に配置され、処理液を下方に吐出する。送液管４２は、ノズル４１まで処理液を導く。ノズル４１からワークＷに向けて処理液が吐出されることで、ワークＷに処理液が塗布（供給）される。
図４に示すように、処理液は処理液供給源５０から供給され得る。処理液供給源５０は処理液を貯留するタンクであり、送液系６０に対して着脱可能とされている。なお、送液系６０を洗浄する際には、処理液供給源５０に代えて洗浄液を貯留する洗浄液供給源が同じ場所に設置され得る。
処理液供給源５０は、バルブＶ８１が設けられたガス供給路Ｒ８１を介して、例えば窒素（Ｎ２）等の不活性ガスを供給するガス供給源８１に接続されている。ガス供給源８１およびガス供給路Ｒ８１は、処理液供給源５０内の液面を加圧して処理液供給源５０から処理液を移動させる加圧機構を構成している。また、ガス供給路Ｒ８１には、不活性ガスを排気するための経路が別途設けられていてもよい。ガス供給源８１およびガス供給路Ｒ８１は、ガス供給系８０の一部である。なお、ガス供給源８１およびガス供給路Ｒ８１は、処理液供給源５０（もしくは代わりに接続される供給源）から下流の流路Ｌに対して処理液を移動させるためのガス供給系統としての機能を有している。
処理液供給源５０に接続される流路Ｌ１には、送液系６０として、上流側から順にバルブＶ１、中間タンク６１、アシストポンプ６２、ポンプ流路系７０、ディスペンスバルブ（液吐出用バルブ）Ｖ２、および、バルブＶ３が設けられている。ディスペンスバルブＶ２は、予め設定された液量の処理液を吐出する機能を有する。
中間タンク６１は、その上流の流路Ｌ１に対して接続する、バルブＶ８２が設けられたガス供給路Ｒ８２を介して、例えば窒素（Ｎ２）等の不活性ガスを供給するガス供給源８２に接続されている。また、アシストポンプ６２についても、その上流の流路Ｌ１に対して接続する、バルブＶ８３が設けられたガス供給路Ｒ８３を介して、ガス供給源８２に接続されている。これらのガス供給源８２およびガス供給路Ｒ８２，Ｒ８３は、中間タンク６１およびアシストポンプ６２を含む送液系６０内の液体を気体に置換する場合に使用される。この点は後述する。ガス供給源８２およびガス供給路Ｒ８２，Ｒ８３は、ガス供給系８０の一部である。また、ガス供給源８２およびガス供給路Ｒ８２，Ｒ８３は、アシストポンプ６２内の液体を排出し気体へ置換するためのガス供給部としての機能を有している。この点について、ガス供給源８２およびガス供給路Ｒ８２，Ｒ８３は、ガス供給源８１およびガス供給路Ｒ８１と機能が相違する。
中間タンク６１は、処理液供給源５０内の処理液を貯留し、吸い込み、吸い込んだ処理液を下流へ向けて送り出す。中間タンク６１の上面に処理液供給源５０からの流路が接続され、下面には下流のアシストポンプ６２への流路が接続されてもよい。中間タンク６１は、例えば、処理液を収容する収容室を有し、収容室を収縮させる収縮部を有するポンプとしての機能を有していてもよい。その場合、中間タンク６１は、例えば、チューブフラムポンプ、ダイヤフラムポンプ、または、ベローズポンプが用いられてもよい。なお、中間タンク６１には、内部の気体を排出するための排出管６１ａが設けられていてもよい。排出管６１ａは、例えば、収容室において処理液中から分離された気体を排出するために使用されてもよい。
アシストポンプ６２は、ポンプ流路系７０の上流において、ポンプ流路系７０への送液を行う機能を有する。アシストポンプ６２は、例えば、ダイヤフラムポンプからなる。アシストポンプ６２は、加圧部６２１およびポンプ内流路６２２を含む。加圧部６２１は、例えば、圧縮空気Ｇ１を用いてポンプ内流路６２２を加圧する。また、ポンプ内流路６２２はフラム部６２２ａを有し、加圧部６２１の加圧によってその形状を強制的に変更し得る。圧縮空気Ｇ１を調整することで、ポンプ内流路６２２のフラム部６２２ａが変形する。このように、アシストポンプ６２は、加圧部６２１によるポンプ内流路６２２に対する加圧の程度を変化させてポンプ内流路６２２の大きさ（容積）を変更する。つまり、加圧部６２１による加圧を小さくした状態で、ポンプ内流路６２２のフラムを拡大させることで処理液を受け入れ、加圧部６２１による加圧を大きくし、ポンプ内流路６２２のフラムを収縮させて処理液を送り出す。アシストポンプ６２には、液供給用のバルブＶ６１および液排出用のバルブＶ６２が設けられる。
ポンプ流路系７０は、下流側から順に、ポンプ７１と、トラップ部７２と、フィルタ部７３と、バルブＶ７０を含んでいる。フィルタ部７３には、処理液中のパーティクルを除去するためのフィルタが装着される。
ポンプ７１は処理液をノズル４１に吐出するためのものであり、例えばダイヤフラムポンプからなる。ポンプ７１は、加圧部７１１およびポンプ内流路７１２を含む。加圧部７１１は、例えば、圧縮空気Ｇ１を用いてポンプ内流路７１２を加圧する。また、ポンプ内流路７１２はフラム部７１２ａを有し、加圧部７１１の加圧によってその形状を強制的に変更し得る。圧縮空気Ｇ２を調整することで、ポンプ内流路７１２のフラム部７１２ａが変形する。加圧部７１１による加圧を小さくした状態で、ポンプ内流路７１２のフラムを拡大させることで処理液を受け入れ、加圧部７１１による加圧を大きくし、ポンプ内流路７１２のフラムを収縮させて処理液を送り出す。
また、ポンプ７１には、液供給用のバルブＶ７１、液排出用のバルブＶ７２、及びベント用のバルブＶ７３が設けられる。ベント用のバルブＶ７３とトラップ部７２との間は流路Ｌ７１により接続されている。また、流路Ｌ１におけるバルブＶ７０の上流側とポンプ７１との間にはトラップ部７２を介して、フィルタ部７３をバイパスすると共にバルブＶ７５を備えたバイパス路Ｌ７２が設けられている。フィルタ部７３およびトラップ部７２は、それぞれベント用のバルブ（図示せず）を有する排出路Ｌ７３に接続されている。なお、以下の実施形態では、メインの流路である流路Ｌ１と、流路Ｌ７１と、バイパス路Ｌ７２と、を含んで「流路Ｌ」という場合がある。
上記の送液系６０に設けられるバルブのうち、ディスペンスバルブＶ２以外のバルブは、例えば、エアオペレーションバルブを用いることができる。ただし、バルブの構成はこれに限定されるものではない。
次に、図４および図５を参照して、制御装置１００について詳細に説明する。制御装置１００は、処理液供給部３０を用いて、処理液供給源５０から後段の吐出部４０（ノズル４１）へ処理液を送出する機能を有する。また、処理液供給源５０の交換、送液系６０の洗浄等を行う場合に、送液系６０の各部を制御するように構成されている。
図４に示されるように、制御装置１００は、機能上のモジュール（以下、「機能モジュール」という。）として、ポンプ制御部１０１と、ガス供給制御部１０２と、液体供給制御部１０３と、動作指令保持部１０４と、を含む。
ポンプ制御部１０１は、送液系６０における「液体に関する置換動作」を行う場合に、アシストポンプ６２を動作させるように処理液供給部３０を制御する。具体的な動作は、動作指令保持部１０４において保持される動作指令において指定されている。ポンプ制御部１０１は、動作指令に基づいて、アシストポンプ６２を制御する。液体に関する置換動作とは、送液系６０中の液体を、気体、または別の種類の液体に置換する動作をいう。送液系６０内の洗浄、メンテナンス等の場合には、送液系６０の流路Ｌ内の処理液を排出し、気体、または別の種類の液体に置換する作業が発生し得る。なお、気体に置換する場合、置換対象となる気体は、ガス供給系８０において使用される気体となる。具体的には、例えば、不活性ガス（例えば、窒素）が用いられる。また、別の液体に置換する場合の対象となる液体は、例えば、処理液供給源５０に代えて液源が接続される液体（例えば、洗浄液として用いられるシンナー等）となる。また、置換前の液体も洗浄液として用いられるシンナーが用いられ、例えば、互いに異なる種類のシンナーＡからシンナーＢへ置換する場合も想定される。ポンプ制御部１０１はこのような動作の場合の制御を行う。
ガス供給制御部１０２は、送液系６０の「液体に関する置換動作」を行う場合に、ガス供給系８０を動作させるように処理液供給部３０を制御する。具体的な動作は、動作指令保持部１０４において保持される動作指令において指定されている。ガス供給制御部１０２は、動作指令に基づいて、ガス供給系８０の各部を制御する。
液体供給制御部１０３は、主に、ノズル４１から処理液を吐出させるように処理液供給部３０を制御する。つまり、液体供給制御部１０３は、ワークＷに対して処理液を供給する際の動作である、通常動作の制御を行う。また、液体供給制御部１０３は、処理液供給源５０を交換する際の処理液供給部３０を制御する機能も有する。これらの動作時の各部の動作については動作指令保持部１０４において保持される動作指令において指定されている。液体供給制御部１０３は、動作指令に基づいて、処理液供給部３０の各部を制御する。
動作指令保持部１０４は、液処理ユニットＵ１において実行される液処理手順を規定する動作指令を保持する。この動作指令には、ノズル４１からワークＷに対して処理液を吐出する際の各部の動作を規定する情報、処理液供給源５０を交換する際の各部の動作を規定する情報、送液系６０の洗浄動作を行う場合の各部の動作を規定する情報等が含まれていてもよい。
制御装置１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば、制御装置１００は、図５に示される回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマ１２５と、を備える。
ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の液処理手順を塗布・現像装置２に実行させるためのプログラムを記録している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスクおよび光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラムおよびプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記録する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、処理液供給部３０の各部との間で電気信号の入出力を行う。
なお、制御装置１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。
［液体置換方法］
上記の基板処理装置の制御方法の一例として、送液系６０中の液体を置換する方法（液体置換方法）について説明する。
ワークＷへの処理液供給動作を行う通常動作の場合、送液系６０の流路Ｌ（流路Ｌ１、流路Ｌ７１、バイパス路Ｌ７２）には、処理液供給源５０から供給される処理液が存在している。一方、上述のように、「液体に関する置換動作」を行う場合には、送液系６０内液体を気体、または、別の種類の液体に置換する。
まず、図６に示すフローチャートを参照しながら、流路Ｌ中の液体を気体に置換する場合のアシストポンプ６２周囲の動作の手順の一例を説明する。この作業は、所謂液抜き作業に対応する。
まず、ステップＳ０１では、制御装置１００は、流路Ｌ中の液体（例えば、処理液）を気体（ガス）に置換する動作を開始する。具体的には、制御装置１００は、例えば、動作指令保持部１０４において保持されている、液体からガスへの置換に対応する動作指令を読み込む。
次に、ステップＳ０２およびステップＳ０３では、制御装置１００のポンプ制御部１０１は、アシストポンプ６２の加圧部６２１を加圧し（ステップＳ０２）、ポンプ内流路６２２の形状変化を規制する（ステップＳ０３）。具体的には、加圧部６２１に対して供給する圧縮空気Ｇ１の量を増やし、加圧部６２１の内圧を大きくする。この結果、ポンプ内流路６２２はやや収縮された状態で、フラム部６２２ａの変形によるポンプ内流路６２２の断面積の増大が規制され、ポンプ内流路６２２全体の容量の増大も規制される。そのため、内部を流れる流体が増加した場合でも、ポンプ内流路６２２が自由に変化する状態ではなく、内部の流体の圧力の変化または下流への流体の移動が起こり得る。
加圧部６２１に対する加圧の程度としては、例えば、通常使用時（ワークＷへの処理液の吐出時）と比べて、ポンプ内流路６２２の形状が規制される程度である。また、ポンプ内流路６２２の容積が最大となる場合の容積と比較して、ポンプ内流路６２２内の容積が１５％～２５％程度となるように調整され得る。容積がこの範囲となるように加圧部６２１によって加圧することで、例えばフラム部６２２ａが周囲のポンプ内流路６２２と密着して簡単に剥離できない状態となることが防がれる。
通常使用時は、アシストポンプ６２では、アシストポンプ６２への処理液の導入時には、圧縮空気Ｇ１の導入量を小さくして加圧部６２１によるポンプ内流路６２２の加圧を行わない（もしくはほぼ加圧しない）状態とする。この場合の加圧部６２１による加圧の大きさを例えば第１の圧力とする。一方、アシストポンプ６２から下流側へ処理液を排出する際には、圧縮空気Ｇ１の導入量を大きくして加圧部６２１によってポンプ内流路６２２を加圧して収縮させる。この場合の加圧部６２１による加圧の大きさを例えば第２の圧力とする。つまり、通常使用時は、加圧部６２１による加圧の大きさは、第１の圧力と第２の圧力との間で調整され得る。第１の圧力は例えば、０ｋＰａであり、第２の圧力は、例えば、３５ｋＰａである。
一方、上述のステップＳ０２，Ｓ０３における加圧の大きさは、第１の圧力よりも大きくされるが、第２の圧力よりは小さい程度で設定され得る。ただし、上述のようにポンプ内流路６２２の形状が規制される程度とされ、ポンプ内流路６２２へ供給される流体の流量が増加しても、ポンプ内流路６２２の変形が規制される状態とされる。一例としては、ステップＳ０２，Ｓ０３における加圧の大きさは、第２の圧力に対して５０％～８０％程度とされ得る。ステップＳ０２，Ｓ０３における加圧の大きさが第２の圧力に近い値になると、ポンプ内流路６２２の容積が０に近い状態で維持されてしまう可能性がある。この場合、上述のように、例えばフラム部６２２ａが周囲のポンプ内流路６２２と密着して簡単に剥離できない状況が発生し得る。この状況が発生すると、後段で実施されるポンプ内流路６２２内の気体の流通自体が困難になる可能性がある。一方、加圧の程度がある程度より大きくしておくことで、後段で実施される気体を導入した際に、気体の流通が問題なく行われることに加えて、ポンプ内流路６２２の変形がある程度抑制され得る。
次に、ステップＳ０４では、制御装置１００のガス供給制御部１０２は、アシストポンプ６２を上記の状態に維持したまま、不活性ガスを供給する。具体的には、ガス供給源８２からガス供給路Ｒ８２またはガス供給路Ｒ８３を経由して、流路Ｌ内に不活性ガスを導入し、アシストポンプ６２内へ不活性ガスを供給する。ガス供給路Ｒ８２およびガス供給路Ｒ８３のどちらを使用するかは、送液系６０のうちどの領域を気体に置換するか等に基づいて変更され得る。
アシストポンプ６２内へ不活性ガスを導入することで、内部に滞留していた液体が下流側へ排出される。このとき、不活性ガスの流速を大きくする（パージ圧を大きくする）と、アシストポンプ６２のポンプ内流路６２２内への不活性ガスの供給速度が変化する。不活性ガスの流速をある程度大きくしながらポンプ内流路６２２内へ導入すると、ポンプ内流路６２２内の液体を不活性ガスに置換する際にポンプ内流路６２２内に置換前の液体が残留することが防がれる。また、上述のように加圧部６２１によってポンプ内流路６２２の変形が規制された状態で不活性ガスを導入した場合、ポンプ内流路６２２内では不活性ガスの圧力が高められるため、下流側への液体の移動がさらに促進される。一方、不活性ガスの流速が小さすぎると、ポンプ内流路６２２内での液体との置換が行われず不活性ガスが下流側へ移動してしまう可能性がある。
図７（ａ）および図７（ｂ）は、ポンプ内流路６２２の変形の有無による液体の残留量の変化を模式的に示した図である。実際には、フラム部６２２ａのみが変形するが、図７では、フラム部６２２ａの変形によるポンプ内流路６２２の容積の変化を模式的に示している。図７（ａ）は、上述のように加圧部６２１によってポンプ内流路６２２の変形を規制した状態（フラム部の拡大を抑制した状態）で、不活性ガスを導入した状態の例を示している。図７（ａ）の左図に示すように、ポンプ内流路６２２内には当初は置換前の液体Ｆが滞留している。この状態で、ポンプ内流路６２２の形状の変化を抑制しながら不活性ガスを導入すると、中央図に示すようにポンプ内流路６２２内の液体Ｆが下流側へ移動し、右図に示すように液体Ｆの残留が抑制された状態で内部が不活性ガスに置換される。一方、ポンプ内流路６２２の変形を許容する状態の場合、導入される不活性ガスの圧力によってポンプ内流路６２２が変形し得る。具体的には、図７（ｂ）の左図に示すように、ポンプ内流路６２２内には当初は置換前の液体Ｆが滞留している。この状態で、ポンプ内流路６２２の形状の変化を抑制せずに不活性ガスを導入すると、中央図に示すようにポンプ内流路６２２内の液体Ｆが下流側へ移動するものの、不活性ガスの圧力が十分に高くない場合は液体Ｆの一部がポンプ内流路６２２内に残留し得る。その結果、右図に示すようにポンプ内流路６２２内に液体Ｆの一部が残留した状態で不活性ガスに置換される。
このように、ポンプ内流路６２２の変形を規制（抑制）した状態で液体から気体（例えば、不活性ガス）への置換を行うと、気体の導入に伴う液体Ｆの下流側への移動が促進される。そのため、ポンプ内流路６２２内での液体の残留を防ぎやすくなる。そのため、置換前の液体の残留量を小さくしながら気体への置換を行うことができる。
次に、図８に示すフローチャートを参照しながら、流路Ｌ中の液体を別の種類の液体に置換する場合のアシストポンプ６２周囲の動作の手順の一例を説明する。この作業は、例えば、流路Ｌを洗浄する際に発生し得る。
まず、ステップＳ１１では、制御装置１００は、流路Ｌ中の液体（例えば、第１の洗浄液）を別の液体（例えば、第２の洗浄液）に置換する動作を開始する。具体的には、制御装置１００は、例えば、動作指令保持部１０４において保持されている、液体間での置換に対応する動作指令を読み込む。
次に、ステップＳ１２およびステップＳ１３では、制御装置１００のポンプ制御部１０１は、アシストポンプ６２の加圧部６２１を加圧し（ステップＳ１２）、ポンプ内流路６２２に対する加圧を小さくし、形状変化がしやすい状態とする（ステップＳ１３）。具体的には、加圧部６２１に対して供給する圧縮空気Ｇ１の量を減らし、加圧部６２１がポンプ内流路６２２を加圧しない程度の状態を形成する。この結果、ポンプ内流路６２２に液体が導入された場合には、ポンプ内流路６２２は自由に変形できる状態となる。実際には、ポンプ内流路６２２内に置換前の液体が存在する状態であるため、ポンプ内流路６２２は容積が大きな状態となる。ステップＳ１２，Ｓ１３における加圧の大きさは、上述の第１の圧力程度とされ得る。具体的には、ポンプ内流路６２２内の液体の量に応じてポンプ内流路６２２が自由に変形できる程度である。
次に、ステップＳ１４では、制御装置１００のポンプ制御部１０１は、アシストポンプ６２を上記の状態に維持したまま、置換後の液体を供給する。具体的には、処理液供給源５０に対応する位置に、置換後の液体の供給源を設置し、流路Ｌに置換後の液体を導入する。これにより、アシストポンプ６２内にも置換後の液体が供給される。
アシストポンプ６２内へ置換後の液体を供給すると、ポンプ内流路６２２内では、まず置換前の液体と置換後の液体とが混合される。さらに、置換後の液体が導入されると、ポンプ内流路６２２内での置換後の液体の割合が徐々に高くなり、最終的に置換後の液体に置換される。このとき、ポンプ内流路６２２が自由に変形できる程度に、加圧部６２１による加圧を小さくしておくことで、ポンプ内流路６２２内の容積が大きく確保された状態で液体の置換が進むため、ポンプ内流路６２２内での液体の置換が効率的に行われ得る。
図９（ａ）および図９（ｂ）は、ポンプ内流路６２２の変形の有無による液体置換の状態として、液体の移動の状態を模式的に示した図である。図９においても、フラム部６２２ａの変形によるポンプ内流路６２２の容積の変化を模式的に示している。図９（ａ）は、上述のように加圧部６２１によってポンプ内流路６２２が加圧されていない状態を示している。この場合、ポンプ内流路６２２内に置換前の液体Ｆが存在していると、ポンプ内流路６２２は容積が大きな状態が形成される。この状態で、別の種類の液体（置換後の液体）を導入すると、図中に示す矢印のように、ポンプ内流路６２２の中心部および外周部において液体の混合しやすいような乱流が発生し得る。その結果、ポンプ内流路６２２内での液体の混合および置換が進行しやすくなる。一方、図９（ｂ）は、加圧部６２１によってポンプ内流路６２２の変形を規制した状態で、液体の置換を行う場合の例を示している。この場合、ポンプ内流路６２２内に置換前の液体Ｆが存在している段階から、ポンプ内流路６２２の容積が小さな状態である。この状態で、別の種類の液体（置換後の液体）を導入すると、図中に示す矢印のように、ポンプ内流路６２２の中心部および外周部において、導入された液体が下流側に速やかに流れていきやすくなる。つまり、ポンプ内流路６２２内での液体の混合が発生しづらい状況となるため、液体の置換が進行しづらい状態となる。このように、液体同士の置換の場合には、ポンプ内流路６２２内で液体の流れに乱れが生じるような状態を形成しておくことで、内部の液体の置換がより適切に進行すると考えられる。
［作用］
上記の処理液供給装置および液置換方法では、制御部としての制御装置１００による制御によって、ダイヤフラムポンプであるアシストポンプ６２内の液体を排出して気体に置換する。このときに、制御部としての制御装置１００は、アシストポンプ６２におけるフラム部６２２ａを、拡大した状態と比べて収縮した状態となるように制御する。そして、制御装置１００による制御によって、上記の状態を維持しながら、気体がアシストポンプ６２内に供給される。このような構成とすることで、ダイヤフラムポンプであるアシストポンプ６２内の液体を気体に置換する際に、液体がポンプ内に残留することが防がれる。そのため、ダイヤフラムポンプの流路内の液体から気体への置換が適切に行われる。
ここで、制御部としての制御装置１００は、ダイヤフラムポンプであるアシストポンプ６２内の液体を別の種類の液体に置換する際に、フラム部６２２ａが拡大可能な状態を維持しながら、別の種類の液体をアシストポンプ６２内に供給することを実行させる。上記の構成とすることで、アシストポンプ６２内の液体を別の種類の液体に置換する際に、置換前の液体と、別の種類の液体とのポンプ内での混合が促進される。そのため、ダイヤフラムポンプであるアシストポンプ６２の流路内の液体から別の種類の液体への置換が適切に行われる。
また、制御部としての制御装置１００は、ダイヤフラムポンプであるアシストポンプ６２において加圧部６２１によってフラム部６２２ａを加圧する圧力を制御することによって、フラム部６２２ａの形状を制御させる態様とすることができる。この場合、加圧部６２１による加圧を利用して、フラム部６２２ａの形状の制御を柔軟に行うことができる。
また、制御部としての制御装置１００は、ダイヤフラムポンプであるアシストポンプ６２内の液体を排出する際に、加圧部６２１によるフラム部６２２ａを加圧する圧力を大きくしてもよい。また、このような動作によって、気体を供給した際にフラム部６２２ａが収縮した状態を維持してもよい。上記の構成とすることで、ポンプ内へ供給する気体の流速を大きくした場合でも、フラム部６２２ａが収縮した状態を維持することができ、ダイヤフラムポンプであるアシストポンプ６２の流路内の液体から気体への置換が適切に行われる。
なお、ガス供給部として機能するガス供給源８２およびガス供給路Ｒ８２，Ｒ８３は、処理液供給源５０からのガス供給系として用いられるガス供給源８１およびガス供給路Ｒ８１は別に設けられてもよい。また、ガス供給源８２およびガス供給路Ｒ８２，Ｒ８３は、ダイヤフラムポンプとしてのアシストポンプ６２よりも上流において流路Ｌ内に気体を供給してもよい。ガス供給部を処理液供給源からのガス供給系とは別に設け、ダイヤフラムポンプよりも上流の流路Ｌに対して気体を供給する構成とすることで、処理液供給源まわりのガス供給系とは独立して、ダイヤフラムポンプ内の液体の置換を行うことができる。また、上記の構成によれば、ガス供給部の動作が、ガス供給系に影響を与えることが防がれる。
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、および変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
例えば、処理液供給源５０とノズル４１との間の流路Ｌの構成は適宜変更され得る。一例として、上記の実施形態では、処理液供給源５０から１つのノズル４１に対して処理液を供給し、ワークＷに対して供給する構成について説明した。しかしながら、実際には、１つの処理液供給源５０に対して複数のノズル４１が接続していて、流路Ｌが途中で分岐して各ノズル４１に対して処理液が供給され得る。したがって、流路Ｌの構成は処理液供給源５０から処理液を供給するノズル４１の数に応じて変更され得る。また、ポンプ流路系７０を含む送液系６０の構成についても適宜変更され得る。送液系６０の構成が変更された場合であっても、その流路Ｌ上にダイヤフラムポンプが設けられている場合には、上記の構成を適用することができる。
また、上記実施形態では、ダイヤフラムポンプとしてのアシストポンプ６２において、圧縮空気Ｇ１を用いてポンプ内流路６２２を加圧する構成について説明した。しかしながら、ダイヤフラムポンプは、圧縮空気を用いた所謂エア駆動とは異なる方式でダイヤフラムを動作させてもよい。例えば、油圧式駆動、モータ直動式駆動等の公知の手法を用いることができる。
以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲および主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
１…基板処理システム、２０…回転保持部、２１…保持部、２２…駆動部、３０…処理液供給部、４０…吐出部、４１…ノズル、４２…送液管、５０…処理液供給源、６０…送液系、６１…中間タンク、６２…アシストポンプ、７０…ポンプ流路系、８０…ガス供給系、８１，８２…ガス供給源、１００…制御装置、６２１…加圧部、６２２…ポンプ内流路、６２２ａ…フラム部、Ｒ８１～８３…ガス供給路。

Claims (11)

  1. 処理液供給源から処理液流路およびノズルを介して被処理体に処理液を供給する処理液供給装置であって、
    前記処理液流路内に設けられたダイヤフラムポンプと、
    前記処理液流路内に気体を供給するガス供給部と、
    前記ダイヤフラムポンプおよび前記ガス供給部の動作を制御する制御部と、
    を有し、
    前記制御部は、前記ダイヤフラムポンプ内の液体を気体に置換する際に、前記ダイヤフラムポンプにおけるフラム部を、拡大した状態と比べて収縮した状態にすることと、前記フラム部が収縮した状態を維持しながら、前記ガス供給部によって前記気体を前記ダイヤフラムポンプ内に供給することと、を実行させる、処理液供給装置。
  2. 前記制御部は、前記ダイヤフラムポンプ内の液体を別の種類の液体に置換する際に、前記フラム部が拡大可能な状態を維持しながら、前記別の種類の液体を前記ダイヤフラムポンプ内に供給することを実行させる、請求項１に記載の処理液供給装置。
  3. 前記制御部は、前記ダイヤフラムポンプにおいて加圧部による前記フラム部を加圧する圧力を制御することによって、前記フラム部の形状を制御させる、請求項１または２に記載の処理液供給装置。
  4. 前記制御部は、前記ダイヤフラムポンプ内の液体を排出する際に、前記加圧部による前記フラム部を加圧する圧力を大きくすることによって、前記ガス供給部による前記気体を供給した際に前記フラム部が収縮した状態を維持する、請求項３に記載の処理液供給装置。
  5. 前記ガス供給部は、前記処理液供給源から前記処理液流路へ向けて前記処理液を供給するために使用されるガス供給系とは別に設けられ、
    前記ダイヤフラムポンプよりも上流において前記処理液流路内に前記気体を供給する、
    請求項１～４のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
  6. 処理液供給源から処理液流路およびノズルを介して被処理体に処理液を供給する処理液供給装置における液体置換方法であって、
    前記処理液供給装置は、前記処理液流路内に設けられたダイヤフラムポンプと、前記処理液流路内に気体を供給するガス供給部と、前記ダイヤフラムポンプおよび前記ガス供給部の動作を制御する制御部と、を有し、
    前記ダイヤフラムポンプ内の液体を気体に置換する際に、
    前記制御部によって、前記ダイヤフラムポンプにおけるフラム部を、拡大した状態と比べて収縮した状態にすることと、
    前記制御部によって、前記フラム部が収縮した状態を維持しながら、前記ガス供給部によって前記気体を前記ダイヤフラムポンプ内に供給することによって、前記ダイヤフラムポンプ内の前記液体を排出することと、を含む、液体置換方法。
  7. 前記ダイヤフラムポンプ内の液体を別の種類の液体に置換する際に、
    前記制御部によって、前記フラム部が拡大可能な状態を維持しながら、前記別の種類の液体を前記ダイヤフラムポンプ内に供給することをさらに含む、請求項６に記載の液体置換方法。
  8. 前記フラム部の形状の制御は、前記ダイヤフラムポンプにおいて加圧部による前記フラム部を加圧する圧力を制御することによって行われる、請求項６または７に記載の液体置換方法。
  9. 前記ダイヤフラムポンプ内の液体を排出する際に、前記加圧部による前記フラム部を加圧する圧力を大きくすることによって、前記ガス供給部による前記気体を供給した際に前記フラム部が収縮した状態を維持する、請求項８に記載の液体置換方法。
  10. 前記ガス供給部は、前記処理液供給源から前記処理液流路へ向けて前記処理液を供給するために使用されるガス供給系とは別に設けられ、
    前記ダイヤフラムポンプよりも上流において前記処理液流路内に前記気体を供給する、
    請求項６～９のいずれか一項に記載の液体置換方法。
  11. 請求項６～１０のいずれか一項に記載の液体置換方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013211525A (ja) 2012-02-27 2013-10-10 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
US20140109763A1 (en) 2004-11-17 2014-04-24 Proportion-Air, Inc. Control system for an air operated diaphragm pump
CN106662083A (zh) 2014-05-28 2017-05-10 恩特格里斯公司 用于操作具有进给与施配传感器、过滤与施配确认及过滤器的减压注给的泵的系统及方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6330624B2 (ja) 2014-11-04 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給装置の洗浄方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140109763A1 (en) 2004-11-17 2014-04-24 Proportion-Air, Inc. Control system for an air operated diaphragm pump
JP2013211525A (ja) 2012-02-27 2013-10-10 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
CN106662083A (zh) 2014-05-28 2017-05-10 恩特格里斯公司 用于操作具有进给与施配传感器、过滤与施配确认及过滤器的减压注给的泵的系统及方法

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