WO2022014329A1 - 液処理装置、液供給機構、液処理方法及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

液処理装置、液供給機構、液処理方法及びコンピュータ記憶媒体 Download PDF

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WO2022014329A1
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treatment liquid
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尚徳 杉町
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東京エレクトロン株式会社
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Definitions

  • the present disclosure relates to a liquid treatment apparatus, a liquid supply mechanism, a liquid treatment method, and a computer storage medium.
  • Patent Document 1 discloses a liquid treatment apparatus including a substrate processing unit that performs liquid treatment on a substrate and a processing liquid supply mechanism that supplies the processing liquid to the substrate processing unit.
  • the processing liquid supply mechanism has a flow rate controller that controls the flow rate of the processing liquid supplied to the substrate processing unit. Further, the flow rate controller has a variable orifice that changes the flow cross-sectional area of the processing liquid, a flow rate adjusting member that adjusts the flow rate by changing the cross-sectional area of the variable orifice, and an actuator that moves the flow rate adjusting member up and down. ing.
  • the technique according to the present disclosure suppresses the retention of particles in the adjusting valve that adjusts the flow rate or pressure of the processing liquid supplied to the substrate.
  • One aspect of the present disclosure is a liquid treatment apparatus that supplies a treatment liquid onto a substrate to treat the substrate, and the treatment liquid is applied to a substrate holding portion that holds the substrate and a substrate that is held by the substrate holding portion.
  • the adjustment valve is provided in the processing liquid supply pipe and includes an adjustment valve for opening and closing the supply path and a control unit for controlling the adjustment valve.
  • the adjustment valve has a diaphragm and a valve body, and the diaphragm has a diaphragm and a valve body.
  • a resist coating process in which a resist liquid is applied to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) to form a resist film, and the resist film is exposed to a desired pattern.
  • a series of processes such as an exposure process and a development process for developing an exposed resist film are sequentially performed, and a desired resist pattern is formed on the wafer.
  • the liquid treatment apparatus disclosed in Patent Document 1 is used as an apparatus for supplying a treatment liquid such as a resist liquid or a developing liquid to a wafer for liquid treatment.
  • the flow rate controller (adjustment valve) of this liquid treatment device uses a so-called direct acting regulator that can variably control the flow cross-sectional area of the treatment liquid by an actuator.
  • a pilot type regulator may be used for the flow rate controller.
  • the pilot type regulator has a diaphragm that moves up and down by the pressure of the driving air, and a valve body that changes the cross-sectional area of the processing liquid supply path. Then, the valve body is operated via the diaphragm to change the cross-sectional area of the supply path of the treatment liquid, thereby controlling the flow rate of the treatment liquid.
  • the regulator is provided in the processing liquid supply path on the downstream side of the filter for removing particles in order to suppress the flow rate fluctuation, and the cleanliness of the regulator has a high possibility of directly affecting the wafer.
  • particles may already exist in the initial state of the regulator, or particles may be contained in the processing liquid.
  • FIG. 1 is a vertical sectional view showing an outline of the configuration of the liquid treatment apparatus 1.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an outline of the configuration of the liquid treatment apparatus 1.
  • the liquid treatment device 1 has a treatment container 10 whose inside can be closed.
  • a wafer W loading / unloading outlet 11 is formed on the side surface of the processing container 10, and an opening / closing shutter 12 is provided at the loading / unloading port 11.
  • a spin chuck 20 as a substrate holding portion for holding and rotating the wafer W is provided in the central portion of the processing container 10.
  • the spin chuck 20 has a horizontal upper surface, and for example, a suction port (not shown) for sucking the wafer W is provided on the upper surface. By suction from this suction port, the wafer W can be sucked and held on the spin chuck 20.
  • the spin chuck 20 has a chuck drive mechanism 21 provided with, for example, a motor, and can be rotated to a desired speed by the chuck drive mechanism 21. Further, the chuck drive mechanism 21 is provided with an elevating drive source such as a cylinder, and the spin chuck 20 can move up and down.
  • a chuck drive mechanism 21 provided with, for example, a motor, and can be rotated to a desired speed by the chuck drive mechanism 21. Further, the chuck drive mechanism 21 is provided with an elevating drive source such as a cylinder, and the spin chuck 20 can move up and down.
  • a cup 22 for receiving and collecting the liquid scattered or falling from the wafer W is provided.
  • An exhaust pipe 23 for discharging the collected liquid and an exhaust pipe 24 for exhausting the atmosphere in the cup 22 are connected to the lower surface of the cup 22.
  • a rail 30 extending along the X-axis direction is formed on the negative side of the cup 22 in the Y-axis direction.
  • the rail 30 is formed, for example, from the outer side of the cup 22 on the negative direction side in the X-axis direction to the outer side on the positive direction side in the X-axis direction.
  • An arm 31 is attached to the rail 30.
  • the arm 31 is supported by a discharge nozzle 32 that discharges the processing liquid.
  • the arm 31 is movable on the rail 30 by the nozzle drive unit 33.
  • the discharge nozzle 32 can move from the standby portion 34 installed on the outer side of the cup 22 on the positive side in the X-axis direction to above the center of the wafer W in the cup 22, and further on the surface of the wafer W. It can move in the radial direction of the wafer W.
  • the arm 31 can be raised and lowered by the nozzle driving unit 33, and the height of the discharge nozzle 32 can be adjusted.
  • the discharge nozzle 32 is connected to a liquid supply mechanism 40 that supplies the processing liquid. The details of the configuration of the liquid supply mechanism 40 will be described later.
  • the liquid processing apparatus 1 described above is provided with a control unit 50.
  • the control unit 50 is, for example, a computer equipped with a CPU, a memory, or the like, and has a program storage unit (not shown).
  • the program storage unit stores a program for controlling the liquid processing of the wafer W in the liquid processing apparatus 1.
  • the program may be recorded on a storage medium H readable by a computer and may be installed on the control unit 50 from the storage medium H.
  • the wafer W When the wafer W is carried into the liquid processing apparatus 1, the wafer W is adsorbed and held on the upper surface of the spin chuck 20. Next, after the ejection nozzle 32 is moved above the central portion of the wafer W, the processing liquid is ejected from the ejection nozzle 32 to the central portion of the wafer W while rotating the wafer W. At this time, the processing liquid is supplied from the liquid supply mechanism 40 to the discharge nozzle 32. Then, the processing liquid on the wafer W is diffused over the entire surface of the wafer, and the wafer W is liquid-treated. The liquid-treated wafer W is carried out from the liquid treatment apparatus 1.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram showing an outline of the configuration of the liquid supply mechanism 40.
  • the liquid supply mechanism 40 has a treatment liquid supply source 100 that stores the treatment liquid inside and supplies the treatment liquid to the discharge nozzle 32, and a treatment liquid supply pipe 101 that connects the treatment liquid supply source 100 and the discharge nozzle 32. Be prepared. A supply path through which the treatment liquid flows is formed inside the treatment liquid supply pipe 101.
  • one treatment liquid supply source 100 is commonly provided in the liquid supply mechanisms 40 of the plurality of liquid treatment devices 1.
  • a plurality of treatment liquid supply pipes 101 are connected to one treatment liquid supply source 100, and each treatment liquid supply pipe 101 is connected to each discharge nozzle 32.
  • the treatment liquid supply pipe 101 is provided with a first regulator 102, a pressure gauge 103, a filter 104, a second regulator 105 as a regulating valve, a flow rate detection unit 106, and a first on-off valve 107 in this order from the upstream side. Has been done.
  • the first regulator 102 adjusts the pressure of the processing liquid flowing inside the processing liquid supply pipe 101.
  • the type of the first regulator 102 is not particularly limited, but for example, a known regulator is used.
  • the pressure gauge 103 measures the pressure of the processing liquid adjusted by the first regulator 102.
  • the filter 104 collects and removes particles in the treatment liquid.
  • a drain pipe (not shown) for exhausting the gas (air bubbles) generated in the treatment liquid may be provided on the upper part of the filter 104.
  • the second regulator 105 adjusts the flow rate of the processing liquid flowing inside the processing liquid supply pipe 101. The details of the configuration of the second regulator 105 will be described later.
  • An air supply pipe 110 that supplies air to the air supply unit 133 of the second regulator 105 is connected to the second regulator 105, as will be described later.
  • the air supply pipe 110 communicates with an air supply source 111 that stores air inside. Further, the air supply pipe 110 is provided with a valve 112 for controlling the supply of air. The valve 112 opens and closes the air supply path inside the air supply pipe 110.
  • the flow rate detection unit 106 measures the flow rate of the processing liquid whose flow rate has been adjusted by the second regulator 105.
  • the first on-off valve 107 opens and closes the processing liquid supply path inside the processing liquid supply pipe 101.
  • an air operated valve Air Operated Valve
  • a treatment liquid discharge pipe 120 having a discharge path for discharging the treatment liquid is connected to the treatment liquid supply pipe 101 between the second regulator 105 and the flow rate detection unit 106.
  • the treatment liquid discharge pipe 120 of each liquid supply mechanism 40 merges and is connected to a liquid drain tank (not shown).
  • the processing liquid discharge pipe 120 is provided with a second on-off valve 121 before merging.
  • the second on-off valve 121 opens and closes the processing liquid discharge path inside the processing liquid discharge pipe 120.
  • an air operated valve is used for the second on-off valve 121.
  • FIG. 4 is a vertical cross section showing an outline of the configuration of the second regulator 105.
  • the second regulator 105 has a main body 130, two sockets 131 and 132, an air supply unit 133, a diaphragm 134, a valve 135 as a valve body, and a spring 136.
  • the main body 130 is connected to the processing liquid supply pipe 101 on the upstream side via the first socket 131. Further, the main body 130 is connected to the processing liquid supply pipe 101 on the downstream side via the second socket 132. That is, the treatment liquid supply pipe 101, the first socket 131, the main body 130, the second socket 132, and the treatment liquid supply pipe 101 are connected in this order from the upstream side. Further, the insides of the treatment liquid supply pipe 101, the first socket 131, the main body 130, the second socket 132, and the treatment liquid supply pipe 101 communicate with each other to form a treatment liquid supply path 140.
  • the supply path 140 inside the main body 130 passes through the opening 141 formed inside the main body 130.
  • the upstream side of the opening 141 may be referred to as a supply path 140a, and the downstream side may be referred to as a supply path 140b.
  • the air supply unit 133 is provided above the main body unit 130.
  • the above-mentioned air supply pipe 110 is connected to the air supply unit 133, and the air inside the air supply source 111 is supplied to the air supply unit 133.
  • the air supply unit 133 is configured to be able to supply air (hereinafter, referred to as “driving air”) to the diaphragm 134 at a desired pressure.
  • driving air air
  • the configuration of the air supply unit 133 is arbitrary and can be appropriately configured by the designer.
  • the diaphragm 134 is provided inside the main body 130, above the opening 141 and on the air supply unit 133 side.
  • a supply path 140 for the treatment liquid more specifically, a supply path 140b is formed on the lower surface side of the diaphragm 134.
  • the diaphragm 134 is configured to be vertically movable by the drive air supplied from the air supply unit 133.
  • the valve 135 is provided below the diaphragm 134 inside the main body 130.
  • the valve 135 extends in the vertical direction so as to pass through the opening 141. That is, the valve 135 is provided through the opening 141 over the supply path 140a on the upstream side and the supply path 140b on the downstream side.
  • a plurality of springs 136 are provided inside the lower part of the valve 135.
  • the spring 136 urges the valve 135 upward.
  • a protruding portion 135a protruding from the valve body is formed on the side surface of the valve 135.
  • the protrusion 135a is provided below the opening 141, that is, on the supply path 140a side. Further, the upper surface of the protruding portion 135a is inclined so that the width increases from the upper side to the lower side in the side view.
  • the valve 135 is urged upward by the spring 136. Further, as the diaphragm 134 moves up and down due to the drive air, the valve 135 also moves up and down. Then, for example, as shown in FIG. 4, when the protrusion 135a is located below the opening 141 and a gap is formed between the opening 141 and the valve 135, the supply path 140 is opened and processed. The liquid circulates. On the other hand, for example, as shown in FIG. 5, when the gap between the opening 141 and the valve 135 disappears, the supply path 140 is closed and the flow of the processing liquid is cut off. In this way, the valve 135 opens and closes the supply path 140.
  • the opening / closing operation of the supply path 140 by the valve 135 will be described in more detail.
  • the open / closed state of the supply path 140 at the opening 141 is controlled by the pressing pressure P1 of the diaphragm 134 by the drive air, the pushing pressure P2 of the valve 135 by the spring 136, and the pressure P3 of the processing liquid flowing through the supply path 140.
  • the pushing pressure P1 of the driving air is a pressure acting downward
  • the pushing pressure P2 of the spring 136 and the pressure P3 of the processing liquid are pressures acting upward, respectively.
  • the open / closed state of the supply path 140 is controlled by balancing the pressing pressure P1 of the driving air, the pressing pressure P2 of the spring 136, and the pressure P3 of the processing liquid.
  • a concave portion 134a is formed on the lower surface of the diaphragm 134, and a convex portion 135b is formed on the upper end of the valve 135.
  • the concave portion 134a and the convex portion 135b have matching shapes, and the convex portion 135b is fitted into the concave portion 134a to form a joint portion 142 between the diaphragm 134 and the valve 135.
  • the diaphragm 134 and the valve 135 are joined by the joint portion 142 of the concave portion 134a and the convex portion 135b.
  • the concave portion 134a and the convex portion 135b are not adhered to each other, and there is a slight gap. In such a case, particles tend to stay in the gaps in the joint portion 142, and once the particles stay, they are difficult to remove. As described above, there are various factors for generating particles.
  • normal dispensing the method of repeating the normal dispensing of the treatment liquid.
  • the particles cannot be completely removed.
  • the particles may flow out from the second regulator 105 into the processing liquid at a certain timing and be supplied to the wafer W. Therefore, in the conventional cleaning method, the cleanliness of the second regulator 105 is unstable. Further, in the conventional cleaning method, it takes time to return the second regulator 105, whose cleanliness has deteriorated, to a normal state.
  • the normal dispense means that the opening degree of the processing liquid supply path 140 is adjusted by the valve 135 of the second regulator 105, the first opening / closing valve 107 is opened, and the processing liquid is discharged from the discharge nozzle 32.
  • the state of ejection Specifically, the drive air is supplied to the diaphragm 134 by the air supply unit 133 at a constant pressing pressure, and the valve 135 is operated via the diaphragm 134 to adjust the opening degree of the supply path 140. Then, when the processing liquid is discharged from the discharge nozzle 32, the pressure of the processing liquid becomes small, so that the pressure for pushing down the diaphragm 134 becomes large. Then, the open state of the supply path 140 becomes large.
  • the range of pressure fluctuation of the processing liquid in normal discharge is small, and the stroke (movable range) of the vertical movement of the diaphragm 134 and the valve 135 is also small. Therefore, the particles staying in the joint portion 142 are difficult to be discharged, and the particles cannot be completely removed.
  • the opening and closing of the valve 112 is controlled to supply and stop the drive air by the air supply unit 133.
  • the pressure for supplying the driving air is set by the specifications of the flow rate of the processing liquid, and is, for example, 0.15 MPa.
  • the diaphragm 134 and the valve 135 move up and down due to the drive air, so the stroke can be increased. Then, since the movement of the diaphragm 134 and the valve 135 in the joint portion 142 to be close to each other and to be separated from each other becomes large, the particles staying in the joint portion 142 can be appropriately discharged and removed. As a result, the cleanliness of the second regulator 105 can be stabilized. Further, it is possible to return the second regulator 105, whose cleanliness has deteriorated, to a normal state in a short time.
  • the drive air it is preferable to repeatedly supply and stop the drive air, but the number of repetitions is not limited. Further, the drive air may be supplied and stopped only once.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram showing the experimental results.
  • the regulator of this embodiment was washed as an example, and normal discharge was performed as a comparative example. Then, after cleaning the regulator and performing normal dispensing, the number of particles in the processing liquid discharged from the discharge nozzle 32, specifically, the number of particles having a diameter of 20 nm or more was measured.
  • the horizontal axis of FIG. 7 shows the number of times the valve 135 is driven, and the vertical axis shows the number of particles.
  • the number of times the valve 135 is driven in the regulator cleaning (full stroke drive of the valve 135) is the number of times the drive air is supplied and stopped by the air supply unit 133.
  • the number of times the valve 135 is driven in the normal discharge (driving the normal valve 135) is the number of times the opening / closing operation of the first opening / closing valve 107 is performed.
  • the number of particles increases sharply at the first time. This indicates that the strokes of the diaphragm 134 and the valve 135 were increased by the first supply and stop of the drive air, and the particles staying in the second regulator 105 were discharged at once. In other words, it indicates that the instability factor of the cleanliness of the second regulator 105 has been eliminated. Then, by repeatedly supplying and stopping the driving air, the number of particles approaches zero.
  • the effect that the cleanliness of the second regulator 105 can be stabilized is obtained by the cleaning method of the second regulator 105 in the present embodiment.
  • Such periodic cleaning is performed while the liquid treatment is not performed on the wafer W, that is, in a state where the processing liquid is not supplied to the wafer W from the ejection nozzle 32.
  • Step S1 is a state in which the discharge nozzle 32 is waiting on the standby unit 34.
  • step S1 the first on-off valve 107 and the second on-off valve 121 are closed, and the second regulator 105 is opened.
  • Step S2 Second state
  • the second regulator 105 is cleaned and the regulator cleaning described above is performed.
  • the first on-off valve 107 is closed and the second on-off valve 121 is opened.
  • the drive air is repeatedly supplied and stopped so that the second regulator 105 opens and closes in the open state and the fully closed state. Then, the strokes of the diaphragm 134 and the valve 135 can be increased, and as a result, the particles staying in the joint portion 142 can be appropriately discharged and removed. Therefore, the cleanliness of the second regulator 105 can be stabilized.
  • step S2 the treatment liquid containing particles after the regulator cleaning is performed is discharged from the treatment liquid discharge pipe 120.
  • the particles do not flow out to the downstream side of the first on-off valve 107, cleaning on the downstream side can be omitted.
  • step S1 and step S2 are performed to complete the periodic cleaning of the second regulator 105.
  • step S2 in the periodic cleaning of the second regulator 105 may be performed at a timing set based on the number of processed wafers W. For example, after liquid treatment is performed on a plurality of wafers W in lot units, regulator cleaning in step S2 may be performed. Alternatively, the regulator cleaning in step S2 may be performed every time the liquid treatment is performed on one wafer W.
  • step S2 may be performed at a timing set based on the elapsed time from the completion of the liquid treatment of the wafer W.
  • the regulator cleaning in step S2 may be performed after a predetermined time has elapsed after the liquid treatment of the first wafer W is performed.
  • FIG. 8 is an explanatory diagram showing an outline of the configuration of the liquid supply mechanism 200.
  • the liquid supply mechanism 200 omits the processing liquid discharge pipe 120 and the second on-off valve 121 in the liquid supply mechanism 40 of the above embodiment. Other configurations of the liquid supply mechanism 200 are the same as those of the liquid supply mechanism 40.
  • Step T1 is a state in which the discharge nozzle 32 is waiting on the standby unit 34.
  • the first on-off valve 107 is closed and the second regulator 105 is open.
  • Step T2 cleans the second regulator 105 and the regulator cleaning described above.
  • the first open / close valve 107 is opened.
  • the drive air is repeatedly supplied and stopped so that the second regulator 105 opens and closes in the open state and the fully closed state.
  • the strokes of the diaphragm 134 and the valve 135 can be increased as in step S2 of the above embodiment, and as a result, the particles staying in the joint portion 142 can be appropriately discharged and removed.
  • step T2 the processing liquid containing particles after the regulator cleaning is performed is discharged from the discharge nozzle 32.
  • the discharge nozzle 32 is on standby at the standby unit 34, and so-called dummy discharge of the processing liquid is performed. Then, in the standby unit 34, the processing liquid containing the particles is collected and discarded.
  • step T1 and step T2 are performed to complete the periodic cleaning of the second regulator 105.
  • the step T2 of the present embodiment is performed while the discharge nozzle 32 is waiting on the standby unit 34, but the discharge nozzle 32 is located above the wafer W held by the spin chuck 20. May be done at. Specifically, for example, when the processing liquid is started to be discharged from the discharge nozzle 32 to the wafer W, step T2 is performed. After the step T2 is completed, the second regulator 105 supplies the driving air to the diaphragm 134 at a desired pressing pressure to bring the second regulator 105 into a desired open state. Then, the processing liquid is supplied from the discharge nozzle 32 to the wafer W, and the liquid treatment is performed on the wafer W.
  • step T2 since the regulator cleaning in step T2 is performed on a single sheet for each liquid treatment of the wafer W, the cleanliness of the second regulator 105 can always be maintained.
  • the second regulator 105 is used to adjust the flow rate of the processing liquid, but the present invention is not limited to this, and the second regulator 105 adjusts the pressure of the processing liquid (for example, pressure). It may be used for suppressing fluctuations).
  • Liquid processing device 20 Spin chuck 32 Discharge nozzle 50 Control unit 100 Processing liquid supply source 101 Processing liquid supply pipe 105 Second regulator 134 Diaphragm 135 Valve 140 Supply path W wafer

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Abstract

基板上に処理液を供給して、基板を液処理する液処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する吐出ノズルと、処理液を供給する処理液供給源と、前記処理液供給源に接続され、前記吐出ノズルに供給される処理液が流通する供給路が形成された処理液供給管と、前記処理液供給管に設けられ、前記供給路の開閉動作を行う調整バルブと、前記調整バルブを制御する制御部と、を備え、前記調整バルブは、ダイヤフラムと弁体を有し、前記ダイヤフラムに対するエアの供給を制御し、前記ダイヤフラムを介して前記弁体を動作させて、前記供給路の開状態と全閉状態の開閉動作を行う。

Description

液処理装置、液供給機構、液処理方法及びコンピュータ記憶媒体
 本開示は、液処理装置、液供給機構、液処理方法及びコンピュータ記憶媒体に関する。
 特許文献1には、基板に液処理を施す基板処理部と、基板処理部に処理液を供給する処理液供給機構とを具備する液処理装置が開示されている。処理液供給機構は、基板処理部に供給する処理液の流量を制御する流量制御器を有している。また流量制御器は、処理液の通流断面積を変化させる可変オリフィスと、可変オリフィスの断面積を変化させて流量を調節する流量調節部材と、流量調節部材を上下動させるアクチュエータとを有している。
特開2010-212598号公報
 本開示にかかる技術は、基板に供給する処理液の流量または圧力を調整する調整バルブにおいてパーティクルが滞留するのを抑制する。
 本開示の一態様は、基板上に処理液を供給して、基板を液処理する液処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する吐出ノズルと、処理液を供給する処理液供給源と、前記処理液供給源に接続され、前記吐出ノズルに供給される処理液が流通する供給路が形成された処理液供給管と、前記処理液供給管に設けられ、前記供給路の開閉動作を行う調整バルブと、前記調整バルブを制御する制御部と、を備え、前記調整バルブは、ダイヤフラムと弁体を有し、前記ダイヤフラムに対するエアの供給を制御し、前記ダイヤフラムを介して前記弁体を動作させて、前記供給路の開状態と全閉状態の開閉動作を行う。
 本開示によれば、基板に供給する処理液の流量または圧力を調整する調整バルブにおいてパーティクルが滞留するのを抑制することができる。
本実施形態にかかる液処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 本実施形態にかかる液処理装置の構成の概略を示す横断面図である。 本実施形態にかかる液供給機構の構成の概略を示す説明図である。 第2のレギュレータの構成の概略を示す縦断面図である。 第2のレギュレータが閉状態であることを示す説明図である。 第2のレギュレータにおけるダイヤフラムとバルブの接合部を示す縦断面図である。 本実施形態の効果を説明するための実験結果を示す説明図である。 他の実施形態にかかる液供給機構の構成の概略を示す説明図である。
 半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所望のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等の一連の処理が順次行われ、ウェハ上に所望のレジストパターンが形成される。
 レジスト液や現像液等の処理液をウェハに供給して液処理を行う装置には、例えば特許文献1に開示された液処理装置が用いられる。そして、この液処理装置の流量制御器(調整バルブ)には、アクチュエータによって処理液の通流断面積を可変制御可能な、いわゆる直動式のレギュレータが用いられている。
 また、流量制御器には、直動式のレギュレータの他、パイロット式のレギュレータが用いられることもある。パイロット式のレギュレータは、駆動エアの圧力によって上下動するダイヤフラムと、処理液の供給路断面積を変化させる弁体とを有している。そして、ダイヤフラムを介して弁体を動作させ、処理液の供給路断面積を変化させることにより、処理液の流量を制御する。
 ここで、流量制御器としてパイロット式レギュレータを用いる場合、その構造上、特にダイヤフラムとバルブの接合部にパーティクル(異物)が滞留しやすい。しかもこの構造は、レギュレータの可動性能に影響するため、変更するのは困難である。また、液処理装置においてレギュレータは、流量変動を抑制するため、パーティクルを除去するフィルタの下流側の処理液供給路に設けられており、レギュレータの清浄度がウェハに直接影響する可能性が高い。
 なお、パーティクルの発生要因は種々あるが、例えばレギュレータの初期状態ですでにパーティクルが存在している場合もあれば、処理液中にパーティクルが含まれている場合もある。
 しかしながら、従来、パイロット式レギュレータの内部のパーティクルを除去するには、通常の処理液のディスペンス(吐出)を繰り返す方法のみが行われ、かかる場合、パーティクルを完全に除去するには至らない。そして、レギュレータの内部にパーティクルが滞留すると、あるタイミングでパーティクルがレギュレータから処理液中に流出し、ウェハに供給されるおそれがある。したがって、従来のレギュレータの洗浄方法では、レギュレータの清浄度が不安定となり、改善の余地がある。
 本開示にかかる技術は、基板に供給する処理液の流量または圧力を調整する調整バルブにおいてパーティクルが滞留するのを抑制する。以下、本実施形態にかかる液処理装置及び液供給方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
<液処理装置>
 先ず、本実施形態にかかる液処理装置1について説明する。液処理装置1では、基板としてのウェハWに処理液を供給して、当該ウェハWに対して液処理を行う。図1は、液処理装置1の構成の概略を示す縦断面図である。図2は、液処理装置1の構成の概略を示す横断面図である。
 液処理装置1は、内部を閉鎖可能な処理容器10を有している。処理容器10の側面には、ウェハWの搬入出口11が形成され、搬入出口11には、開閉シャッタ12が設けられている。
 処理容器10内の中央部には、ウェハWを保持して回転させる基板保持部としてのスピンチャック20が設けられている。スピンチャック20は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWをスピンチャック20上に吸着保持できる。
 スピンチャック20は、例えばモータなどを備えたチャック駆動機構21を有し、そのチャック駆動機構21により所望の速度に回転できる。また、チャック駆動機構21には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック20は上下動可能である。
 スピンチャック20の周囲には、ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ22が設けられている。カップ22の下面には、回収した液体を排出する排出管23と、カップ22内の雰囲気を排気する排気管24が接続されている。
 カップ22のY軸方向負方向側には、X軸方向に沿って延伸するレール30が形成されている。レール30は、例えばカップ22のX軸方向負方向側の外方からX軸方向正方向側の外方まで形成されている。レール30には、アーム31が取り付けられている。
 アーム31には、処理液を吐出する吐出ノズル32が支持されている。アーム31はノズル駆動部33により、レール30上を移動自在である。これにより、吐出ノズル32は、カップ22のX軸方向正方向側の外方に設置された待機部34からカップ22内のウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハWの表面上をウェハWの径方向に移動できる。また、アーム31は、ノズル駆動部33によって昇降自在であり、吐出ノズル32の高さを調節できる。吐出ノズル32は、処理液を供給する液供給機構40に接続されている。なお、液供給機構40の構成の詳細については後述する。
 以上の液処理装置1には、図1に示すように制御部50が設けられている。制御部50は、例えばCPUやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、液処理装置1におけるウェハWの液処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、当該記憶媒体Hから制御部50にインストールされたものであってもよい。
<液処理方法>
 次に、以上のように構成された液処理装置1を用いて行われるウェハWの液処理方法について説明する。液処理装置1では、ウェハWが搬入される前、吐出ノズル32は待機部34で待機している。
 液処理装置1にウェハWが搬入されると、スピンチャック20の上面でウェハWを吸着保持する。次に、吐出ノズル32をウェハWの中心部の上方に移動させた後、ウェハWを回転させながら、吐出ノズル32からウェハWの中心部に処理液を吐出する。この際、液供給機構40から吐出ノズル32に処理液が供給される。そして、ウェハW上の処理液はウェハ全面に拡散して、当該ウェハWが液処理される。液処理が行われたウェハWは、液処理装置1から搬出される。
<液供給機構>
 次に、液供給機構40の構成について説明する。図3は、液供給機構40の構成の概略を示す説明図である。
 液供給機構40は、処理液を内部に貯留し、吐出ノズル32に処理液を供給する処理液供給源100と、処理液供給源100と吐出ノズル32とを接続する処理液供給管101とを備える。処理液供給管101の内部には、処理液が流通する供給路が形成されている。
 なお、本実施形態では、複数の液処理装置1の液供給機構40において、1つの処理液供給源100が共通に設けられている。そして、1つの処理液供給源100に複数の処理液供給管101が接続され、各処理液供給管101が各吐出ノズル32に接続されている。
 処理液供給管101には、上流側から順に、第1のレギュレータ102、圧力計103、フィルタ104、調整バルブとしての第2のレギュレータ105、流量検出部106、第1の開閉バルブ107が配設されている。
 第1のレギュレータ102は、処理液供給管101の内部を流通する処理液の圧力を調整する。第1のレギュレータ102の種類は特に限定されないが、例えば公知のレギュレータが用いられる。
 圧力計103は、第1のレギュレータ102で調圧された処理液の圧力を計測する。
 フィルタ104は、処理液中のパーティクルを捕集して除去する。フィルタ104の上部には、処理液中に発生した気体(気泡)を排気するドレイン管(図示せず)が設けられていてもよい。
 第2のレギュレータ105は、処理液供給管101の内部を流通する処理液の流量を調整する。第2のレギュレータ105の構成の詳細については後述する。
 第2のレギュレータ105には、後述するように第2のレギュレータ105のエア供給部133にエアを供給するエア供給管110が接続されている。エア供給管110は、エアを内部に貯留するエア供給源111に連通している。また、エア供給管110には、エアの供給を制御するバルブ112が設けられている。バルブ112は、エア供給管110の内部におけるエアの供給路を開閉する。
 流量検出部106は、第2のレギュレータ105で流量が調整された処理液の当該流量を測定する。
 第1の開閉バルブ107は、処理液供給管101の内部における処理液の供給路を開閉する。第1の開閉バルブ107には、例えばエアオペレートバルブ(Air Operated Valve)が用いられる。
 第2のレギュレータ105と流量検出部106との間の処理液供給管101には、処理液を排出する排出路が形成された処理液排出管120が接続されている。各液供給機構40の処理液排出管120は合流し、排液タンク(図示せず)に接続される。
 処理液排出管120には、合流前において、第2の開閉バルブ121が設けられている。第2の開閉バルブ121は、処理液排出管120の内部における処理液の排出路を開閉する。第2の開閉バルブ121には、例えばエアオペレートバルブが用いられる。
<第2のレギュレータ>
 次に、第2のレギュレータ105の構成について説明する。図4は、第2のレギュレータ105の構成の概略を示す縦断面である。
 第2のレギュレータ105は、本体部130、2つのソケット131、132、エア供給部133、ダイヤフラム134、弁体としてのバルブ135、及びバネ136を有している。
 本体部130は、第1のソケット131を介して、上流側の処理液供給管101に接続されている。また本体部130は、第2のソケット132を介して、下流側の処理液供給管101に接続されている。すなわち、上流側から順に、処理液供給管101、第1のソケット131、本体部130、第2のソケット132、処理液供給管101が接続されている。また、これら処理液供給管101、第1のソケット131、本体部130、第2のソケット132、処理液供給管101の内部は連通し、処理液の供給路140が形成されている。
 なお、本体部130の内部の供給路140は、当該本体部130の内部に形成された開口部141を通る。以下の説明においては、本体部130の内部の供給路140において、開口部141の上流側を供給路140aといい、下流側を供給路140bという場合がある。
 エア供給部133は、本体部130の上方に設けられている。エア供給部133には上述したエア供給管110が接続され、エア供給源111の内部のエアがエア供給部133に供給されるようになっている。エア供給部133は、ダイヤフラム134に対して、所望の圧力でエア(以下、「駆動エア」という。)を供給可能に構成されている。なお、エア供給部133の構成は任意であり、設計者が適宜構成することができる。
 ダイヤフラム134は、本体部130の内部において、開口部141の上方であってエア供給部133側に設けられている。ダイヤフラム134の下面側には、処理液の供給路140、より詳細には供給路140bが形成される。そして、ダイヤフラム134は、エア供給部133から供給された駆動エアによって、上下動自在に構成されている。
 バルブ135は、本体部130の内部において、ダイヤフラム134の下方に設けられている。バルブ135は、開口部141を挿通するように上下方向に延伸している。すなわち、バルブ135は、開口部141を介して、上流側の供給路140aと下流側の供給路140bに亘って設けられている。
 バルブ135の下部内部には、複数のバネ136が設けられている。バネ136は、バルブ135を上方に付勢する。
 バルブ135の側面には、バルブ本体から突出した突出部135aが形成されている。突出部135aは、開口部141の下方、すなわち供給路140a側に設けられている。また、突出部135aの上面は、側面視において、上方から下方に向けて幅が大きくなるように傾斜している。
 バルブ135は、バネ136によって上方に付勢されている。また、駆動エアによってダイヤフラム134が上下動するに伴い、バルブ135も上下動する。そして、例えば図4に示すように、突出部135aが開口部141の下方に位置し、当該開口部141とバルブ135との間に隙間が生じている場合、供給路140が開状態となり、処理液が流通する。一方、例えば図5に示すように、開口部141とバルブ135との間の隙間が無くなる場合、供給路140が閉状態となり、処理液の流通が遮断される。このように、バルブ135は供給路140の開閉動作を行う。
 バルブ135による供給路140の開閉動作について、より詳細に説明する。開口部141における供給路140の開閉状態は、駆動エアによるダイヤフラム134の押下圧力P1、バネ136によるバルブ135の押上圧力P2、供給路140を流通する処理液の圧力P3によって制御される。駆動エアの押下圧力P1は下方に作用する圧力であり、バネ136の押上圧力P2と処理液の圧力P3はそれぞれ上方に作用する圧力である。そして、これら駆動エアの押下圧力P1、バネ136の押上圧力P2、及び処理液の圧力P3のバランスをとって、供給路140の開閉状態を制御する。
 図4に示すように、ダイヤフラム134の下面には凹部134aが形成され、バルブ135の上端には凸部135bが形成されている。図6に示すように、凹部134aと凸部135bはそれぞれ適合する形状を有し、凹部134aに凸部135bが嵌め込まれることで、ダイヤフラム134とバルブ135の接合部142が形成される。このようにダイヤフラム134とバルブ135が接合部142で接合されることで、バルブ135が上下動する際に、ダイヤフラム134に対して水平方向に軸ずれすることが抑制される。
<第2のレギュレータの洗浄方法>
 次に、第2のレギュレータ105の洗浄方法について説明する。
 第2のレギュレータ105において、ダイヤフラム134とバルブ135は、凹部134aと凸部135bの接合部142で接合されている。これら凹部134aと凸部135bは接着されているわけではなく、僅かな隙間が存在する。かかる場合、接合部142における隙間にパーティクルが滞留しやすく、一旦パーティクルが滞留すると除去しにくい。なお、パーティクルの発生要因は、上述したとおり種々ある。
 しかしながら、従来、この第2のレギュレータ105の内部のパーティクル、特に接合部142のパーティクルを除去するには、通常の処理液のディスペンス(以下、「通常ディスペンス」という。)を繰り返す方法のみが行われ、かかる場合、パーティクルを完全に除去するには至らない。そして、第2のレギュレータ105の内部にパーティクルが滞留すると、あるタイミングでパーティクルが第2のレギュレータ105から処理液中に流出し、ウェハWに供給されるおそれがある。したがって、従来の洗浄方法では、第2のレギュレータ105の清浄度が不安定であった。また、従来の洗浄方法では、清浄度が悪化した第2のレギュレータ105を正常状態に戻すには、時間がかかる。
 ここで、通常ディスペンスとは、第2のレギュレータ105のバルブ135によって処理液の供給路140の開度を調整し、さらに第1の開閉バルブ107を開状態にして、吐出ノズル32から処理液を吐出する状態をいう。具体的には、エア供給部133によってダイヤフラム134に駆動エアを一定の押下圧力で供給し、ダイヤフラム134を介してバルブ135を動作させることで、供給路140の開度を調整する。そして、吐出ノズル32から処理液を吐出すると、処理液の圧力が小さくなるため、ダイヤフラム134を押し下げる圧力が大きくなる。そうすると、供給路140の開状態が大きくなる。但し、通常ディスペンスにおける処理液の圧力変動の範囲は小さく、ダイヤフラム134とバルブ135の上下動のストローク(可動範囲)も微小である。このため、接合部142に滞留するパーティクルが排出され難く、当該パーティクルを完全に除去するには至らない。
 この点、本実施形態における第2のレギュレータ105の洗浄(以下、「レギュレータ洗浄」という。)では、バルブ112の開閉を制御して、エア供給部133による駆動エアの供給及び停止を行う。この際、駆動エアを供給する際の圧力は、処理液の流量の仕様によって設定されるが、例えば0.15MPaである。
 かかる場合、駆動エアによってダイヤフラム134とバルブ135が上下動するので、そのストロークを大きくすることができる。そうすると、接合部142においてダイヤフラム134とバルブ135が近接及び離間する動きが大きくなるので、接合部142に滞留するパーティクルを適切に排出して除去することができる。その結果、第2のレギュレータ105の清浄度を安定させることができる。また、清浄度が悪化した第2のレギュレータ105を正常状態に戻すのを、短時間で行うことも可能となる。
 なお、レギュレータ洗浄において、駆動エアの供給及び停止は繰り返し行うのが好ましいが、その繰り返し回数は限定されるものではない。また、駆動エアの供給及び停止は、1回のみ行ってもよい。
 次に、本実施形態における第2のレギュレータ105の洗浄方法を行った場合の効果について説明する。本発明者らは、この効果を検証するため、実験を行った。図7は、実験結果を示す説明図である。
 本実験では、実施例として本実施形態のレギュレータ洗浄を行い、比較例として通常ディスペンスを行った。そして、レギュレータ洗浄と通常ディスペンスをそれぞれ行った後、吐出ノズル32から吐出される処理液中のパーティクルの数、具体的には径20nm以上のパーティクルの数を測定した。図7の横軸はバルブ135の駆動回数を示し、縦軸はパーティクルの数を示す。レギュレータ洗浄(バルブ135のフルストローク駆動)におけるバルブ135の駆動回数は、エア供給部133による駆動エアの供給及び停止の回数である。通常ディスペンス(通常のバルブ135の駆動)におけるバルブ135の駆動回数は、第1の開閉バルブ107の開閉動作の回数である。
 図7を参照すると、通常ディスペンスの場合、バルブ135の駆動回数を上げても、パーティクルの数は約3600個程度で変わらない。
 一方、レギュレータ洗浄の場合、1回目でパーティクルの数が急増する。これは、1回目の駆動エアの供給及び停止によって、ダイヤフラム134とバルブ135のストロークが大きくなり、第2のレギュレータ105に滞留するパーティクルが一気に排出されたことを示している。換言すれば、第2のレギュレータ105の清浄度の不安定要因が解消されたことを示している。そして、駆動エアの供給及び停止を繰り返すことによって、パーティクルの数はゼロに近づく。
 したがって、かかる実験結果からも、本実施形態における第2のレギュレータ105の洗浄方法によれば、第2のレギュレータ105の清浄度を安定させることができるという効果が得られた。
 次に、第2のレギュレータ105の定期的な洗浄方法について、より具体的に説明する。かかる定期洗浄は、ウェハWに液処理が行われていない間、すなわち吐出ノズル32からウェハWに処理液が供給されていない状態で行われる。
(ステップS1:第1の状態)
 ステップS1は、吐出ノズル32が待機部34に待機している状態である。ステップS1では、第1の開閉バルブ107及び第2の開閉バルブ121をそれぞれ閉状態とし、かつ第2のレギュレータ105を開状態とする。
(ステップS2:第2の状態)
 ステップS2は、第2のレギュレータ105の洗浄、上述したレギュレータ洗浄を行う。ステップS2では、第1の開閉バルブ107を閉状態とし、第2の開閉バルブ121を開状態とする。さらに、上述したように駆動エアの供給及び停止を繰り返し行い、第2のレギュレータ105が開状態と全閉状態の開閉動作を行うようにする。そうすると、ダイヤフラム134とバルブ135のストロークを大きくすることができ、その結果、接合部142に滞留するパーティクルを適切に排出して除去することができる。したがって、第2のレギュレータ105の清浄度を安定させることができる。
 また、ステップS2では、レギュレータ洗浄が行われた後の、パーティクルを含む処理液は、処理液排出管120から排出される。かかる場合、第1の開閉バルブ107より下流側にパーティクルが流出しないので、当該下流側の洗浄を省略することができる。
 以上のように、ステップS1とステップS2を行って、第2のレギュレータ105の定期洗浄が完了する。
 なお、第2のレギュレータ105の定期洗浄におけるステップS2は、ウェハWの処理枚数に基づいて設定されるタイミングで行われてもよい。例えば、ロット単位で複数のウェハWに液処理を行った後、ステップS2のレギュレータ洗浄を行ってもよい。あるいは、1枚のウェハWに液処理を行うごとに、ステップS2のレギュレータ洗浄を行ってもよい。
 また、ステップS2は、ウェハWの液処理が終了してからの経過時間に基づいて設定されるタイミングで行われてもよい。例えば、1枚目のウェハWの液処理が行われてから、予め定められた時間が経過した後、ステップS2のレギュレータ洗浄を行ってもよい。
<液供給機構の他の実施形態>
 次に、他の実施形態にかかる液供給機構200について説明する。図8は、液供給機構200の構成の概略を示す説明図である。
 液供給機構200は、上記実施形態の液供給機構40において、処理液排出管120及び第2の開閉バルブ121を省略したものである。液供給機構200の他の構成は、液供給機構40の構成と同様である。
 次に、液供給機構200における第2のレギュレータ105の定期的な洗浄方法について説明する。
(ステップT1:第1の状態)
 ステップT1は、吐出ノズル32が待機部34に待機している状態である。ステップT1では、第1の開閉バルブ107を閉状態とし、かつ第2のレギュレータ105を開状態とする。
(ステップT2:第2の状態)
 ステップT2は、第2のレギュレータ105の洗浄、上述したレギュレータ洗浄を行う。ステップT2では、第1の開閉バルブ107を開状態とする。さらに、上述したように駆動エアの供給及び停止を繰り返し行い、第2のレギュレータ105が開状態と全閉状態の開閉動作を行うようにする。かかる場合、上記実施形態のステップS2と同様に、ダイヤフラム134とバルブ135のストロークを大きくすることができ、その結果、接合部142に滞留するパーティクルを適切に排出して除去することができる。
 また、ステップT2では、レギュレータ洗浄が行われた後の、パーティクルを含む処理液は、吐出ノズル32から排出される。吐出ノズル32は待機部34に待機しており、いわゆる処理液のダミーディスペンスが行われる。そして、待機部34において、パーティクルを含む処理液が回収され廃棄される。
 以上のように、ステップT1とステップT2を行って、第2のレギュレータ105の定期洗浄が完了する。
 なお、本実施形態のステップT2は、吐出ノズル32が待機部34に待機している間に行われたが、スピンチャック20に保持されたウェハWの上方に吐出ノズル32が位置している状態で行われてもよい。具体的には、例えば吐出ノズル32からウェハWに処理液を吐出し始めた際に、ステップT2を行う。ステップT2が完了した後、第2のレギュレータ105ではダイヤフラム134に対して駆動エアを所望の押下圧力で供給し、当該第2のレギュレータ105を所望の開状態にする。そして、吐出ノズル32からウェハWに処理液が供給され、当該ウェハWに液処理が行われる。
 かかる場合、ウェハWの液処理ごとに枚葉でステップT2のレギュレータ洗浄が行われるため、常に第2のレギュレータ105の清浄度を維持することができる。
 なお、本実施形態では、第2のレギュレータ105を処理液の流量を調整するために用いたが、これに限ることはなく、第2のレギュレータ105を処理液の圧力を調整する(例えば、圧力変動の抑制)ために用いてもよい。
 今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
  1   液処理装置
  20  スピンチャック
  32  吐出ノズル
  50  制御部
  100 処理液供給源
  101 処理液供給管
  105 第2のレギュレータ
  134 ダイヤフラム
  135 バルブ
  140 供給路
  W   ウェハ

Claims (20)

  1. 基板上に処理液を供給して、基板を液処理する液処理装置であって、
    基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する吐出ノズルと、
    処理液を供給する処理液供給源と、
    前記処理液供給源に接続され、前記吐出ノズルに供給される処理液が流通する供給路が形成された処理液供給管と、
    前記処理液供給管に設けられ、前記供給路の開閉動作を行う調整バルブと、
    前記調整バルブを制御する制御部と、を備え、
    前記調整バルブは、ダイヤフラムと弁体を有し、前記ダイヤフラムに対するエアの供給を制御し、前記ダイヤフラムを介して前記弁体を動作させて、前記供給路の開状態と全閉状態の開閉動作を行う、液処理装置。
  2. 前記調整バルブよりも下流側の前記処理液供給管に設けられ、前記供給路の開閉動作を行う第1の開閉バルブと、
    前記調整バルブと第1の開閉バルブとの間の前記処理液供給管に接続され、処理液を排出する排出路が形成された処理液排出管と、
    前記処理液排出管に設けられ、前記排出路の開閉動作を行う第2の開閉バルブと、を備え、
    前記制御部は、
    前記第1の開閉バルブ及び前記第2の開閉バルブが閉状態であって、前記調整バルブが開状態である第1の状態と、
    前記第1の開閉バルブが閉状態であり、前記第2の開閉バルブが開状態であって、前記調整バルブが開状態と全閉状態の開閉動作を行う第2の状態と、を切り替えるように、前記調整バルブ、前記第1の開閉バルブ及び第2の開閉バルブを制御する、請求項1に記載の液処理装置。
  3. 前記処理液排出管は、前記液処理装置とは異なる他の装置に設けられた排液管と合流する、請求項2に記載の液処理装置。
  4. 前記調整バルブよりも下流側の前記処理液供給管に設けられ、前記供給路の開閉動作を行う開閉バルブを備え、
    前記制御部は、
    前記開閉バルブが閉状態であって、前記調整バルブが開状態である第1の状態と、
    前記開閉バルブが開状態であって、前記調整バルブが開状態と全閉状態の開閉動作を行う第2の状態と、を切り替えるように、前記調整バルブ及び前記開閉バルブを制御する、請求項1に記載の液処理装置。
  5. 前記制御部は、前記第2の状態が、前記吐出ノズルから基板に処理液を供給中に行われるように、前記吐出ノズルを制御する、請求項4に記載の液処理装置。
  6. 前記制御部は、前記第2の状態が、前記基板保持部より側方にある待機位置に前記吐出ノズルが待機している状態で行われるように、前記吐出ノズルを制御する、請求項2~4のいずれか一項に記載の液処理装置。
  7. 前記制御部は、前記第2の状態において、前記調整バルブの開閉動作が複数回行われるように、前記調整バルブを制御する、請求項2~6のいずれか一項に記載の液処理装置。
  8. 前記制御部は、前記第2の状態が、基板の処理枚数又は基板の処理が終了してからの経過時間に基づいて設定されるタイミングで行われるように制御する、請求項2~7のいずれか一項に記載の液処理装置。
  9. 前記調整バルブよりも上流側の前記処理液供給管に設けられ、処理液中の異物を除去するフィルタを備える、請求項1~8のいずれか一項に記載の液処理装置。
  10. 前記ダイヤフラムには凹部が形成され、
    前記弁体には、前記凹部に適合する形状を有する凸部が形成されている、請求項1~9のいずれか一項に記載の液処理装置。
  11. 基板に処理液を吐出する吐出ノズルに対し、当該処理液を供給する液供給機構であって、
    処理液を供給する処理液供給源と、
    前記処理液供給源に接続され、前記吐出ノズルに供給される処理液が流通する供給路が形成された処理液供給管と、
    前記処理液供給管に設けられ、前記供給路の開閉動作を行う調整バルブと、
    前記調整バルブを制御する制御部と、を備え、
    前記調整バルブは、ダイヤフラムと弁体を有し、前記ダイヤフラムに対するエアの供給を制御し、前記ダイヤフラムを介して前記弁体を動作させて、前記供給路の開状態と全閉状態の開閉動作を行う、液供給機構。
  12. 前記調整バルブよりも下流側の前記処理液供給管に設けられ、前記供給路の開閉動作を行う第1の開閉バルブと、
    前記調整バルブと第1の開閉バルブとの間の前記処理液供給管に接続され、処理液を排出する排出路が形成された処理液排出管と、
    前記処理液排出管に設けられ、前記排出路の開閉動作を行う第2の開閉バルブと、を備え、
    前記制御部は、
    前記第1の開閉バルブ及び前記第2の開閉バルブが閉状態であって、前記調整バルブが開状態である第1の状態と、
    前記第1の開閉バルブが閉状態であり、前記第2の開閉バルブが開状態であって、前記調整バルブが開状態と全閉状態の開閉動作を行う第2の状態と、を切り替えるように、前記調整バルブ、前記第1の開閉バルブ及び第2の開閉バルブを制御する、請求項11に記載の液供給機構。
  13. 前記調整バルブよりも下流側の前記処理液供給管に設けられ、前記供給路の開閉動作を行う開閉バルブを備え、
    前記制御部は、
    前記開閉バルブが閉状態であって、前記調整バルブが開状態である第1の状態と、
    前記開閉バルブが開状態であって、前記調整バルブが開状態と全閉状態の開閉動作を行う第2の状態と、を切り替えるように、前記調整バルブ及び前記開閉バルブを制御する、請求項11に記載の液供給機構。
  14. 液処理装置を用いて、基板上に処理液を供給し、基板を液処理する液処理方法であって、
    前記液処理装置は、
    基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する吐出ノズルと、
    処理液を供給する処理液供給源と、
    前記処理液供給源に接続され、前記吐出ノズルに供給される処理液が流通する供給路が形成された処理液供給管と、
    前記処理液供給管に設けられ、ダイヤフラムと弁体を有し、前記供給路の開閉動作を行う調整バルブと、を備え、
    前記液処理方法では、
    前記ダイヤフラムに対するエアの供給を制御し、前記ダイヤフラムを介して前記弁体を動作させて、前記供給路の開状態と全閉状態の開閉動作を行い、調整バルブを洗浄する、液処理方法。
  15. 前記液処理装置は、
    前記調整バルブよりも下流側の前記処理液供給管に設けられ、前記供給路の開閉動作を行う第1の開閉バルブと、
    前記調整バルブと第1の開閉バルブとの間の前記処理液供給管に接続され、処理液を排出する排出路が形成された処理液排出管と、
    前記処理液排出管に設けられ、前記排出路の開閉動作を行う第2の開閉バルブと、を備え、
    前記液処理方法は、
    (a)前記第1の開閉バルブ及び前記第2の開閉バルブが閉状態であって、前記調整バルブが開状態である工程と、
    (b)前記第1の開閉バルブが閉状態であり、前記第2の開閉バルブが開状態であって、前記調整バルブが開状態と全閉状態の開閉動作を行う工程と、含む、請求項14に記載の液処理方法。
  16. 前記液処理装置は、
    前記調整バルブよりも下流側の前記処理液供給管に設けられ、前記供給路の開閉動作を行う開閉バルブを備え、
    前記液処理方法は、
    (a)前記開閉バルブが閉状態であって、前記調整バルブが開状態である工程と、
    (b)前記開閉バルブが開状態であって、前記調整バルブが開状態と全閉状態の開閉動作を行う工程と、を含む、請求項14に記載の液処理方法。
  17. 前記(b)工程は、前記吐出ノズルから基板に処理液を供給中に行われる、請求項16に記載の液処理方法。
  18. 前記(b)工程は、前記基板保持部より側方にある待機位置に前記吐出ノズルが待機している状態で行われる、請求項15~17のいずれか一項に記載の液処理方法。
  19. 前記(b)工程において、前記調整バルブの開閉動作が複数回行われる、請求項15~18のいずれか一項に記載の液処理方法。
  20. 基板上に処理液を供給して、基板を液処理する液処理方法を液処理装置によって実行させるように、当該液処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
    前記液処理装置は、
    基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する吐出ノズルと、
    処理液を供給する処理液供給源と、
    前記処理液供給源に接続され、前記吐出ノズルに供給される処理液が流通する供給路が形成された処理液供給管と、
    前記処理液供給管に設けられ、ダイヤフラムと弁体を有し、前記供給路の開閉動作を行う調整バルブと、を備え、
    前記液処理方法では、
    前記ダイヤフラムに対するエアの供給を制御し、前記ダイヤフラムを介して前記弁体を動作させて、前記供給路の開状態と全閉状態の開閉動作を行い、調整バルブを洗浄する、コンピュータ記憶媒体。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007102754A (ja) * 2005-09-09 2007-04-19 Advance Denki Kogyo Kk 流量制御装置
JP2010212598A (ja) * 2009-03-12 2010-09-24 Tokyo Electron Ltd 処理液供給機構、処理液供給方法、液処理装置、および記憶媒体
JP2011131188A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Tokyo Electron Ltd 薬液供給ノズル及び薬液供給方法
JP2019051988A (ja) * 2017-09-15 2019-04-04 株式会社マンダム ノズルユニット、ならびにそれを備える二液吐出器

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6995547B2 (ja) * 2017-09-22 2022-01-14 株式会社Screenホールディングス 薬液生成方法、薬液生成装置および基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007102754A (ja) * 2005-09-09 2007-04-19 Advance Denki Kogyo Kk 流量制御装置
JP2010212598A (ja) * 2009-03-12 2010-09-24 Tokyo Electron Ltd 処理液供給機構、処理液供給方法、液処理装置、および記憶媒体
JP2011131188A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Tokyo Electron Ltd 薬液供給ノズル及び薬液供給方法
JP2019051988A (ja) * 2017-09-15 2019-04-04 株式会社マンダム ノズルユニット、ならびにそれを備える二液吐出器

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