CN115769152A - 液处理装置、液供给机构、液处理方法和计算机存储介质 - Google Patents
液处理装置、液供给机构、液处理方法和计算机存储介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115769152A CN115769152A CN202180047390.6A CN202180047390A CN115769152A CN 115769152 A CN115769152 A CN 115769152A CN 202180047390 A CN202180047390 A CN 202180047390A CN 115769152 A CN115769152 A CN 115769152A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- liquid
- valve
- state
- treatment
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
Abstract
本发明提供液处理装置、液供给机构、液处理方法和计算机存储介质。对基片上供给处理液来对基片进行液处理的液处理装置包括:保持基片的基片保持部;对被上述基片保持部保持的基片释放处理液的释放嘴;供给处理液的处理液供给源;处理液供给管,其连接于上述处理液供给源,形成有供要被供给到上述释放嘴的处理液流通的供给通路;设置在上述处理液供给管的、进行上述供给通路的开闭动作的调节阀;和控制上述调节阀的控制部,上述调节阀具有隔膜和阀体,控制对上述隔膜的空气的供给,并经由上述隔膜使上述阀体动作,进行上述供给通路的开状态和全闭状态的开闭动作。
Description
技术领域
本发明涉及液处理装置、液供给机构、液处理方法和计算机存储介质。
背景技术
专利文献1中公开有一种液处理装置,其包括对基片实施液处理的基片处理部和对基片处理部供给处理液的处理液供给机构。处理液供给机构具有控制对基片处理部供给的处理液的流量的流量控制器。另外,流量控制器具有:使处理液的通流截面积变化的可变孔;使可变孔的截面积变化来调节流量的流量调节部件;和使流量调节部件上下移动的致动器。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-212598号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明涉及的技术,在调节对基片供给的处理液的流量或者压力的调节阀中抑制颗粒滞留。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式是一种对基片上供给处理液来对基片进行液处理的液处理装置,其包括:保持基片的基片保持部;对被上述基片保持部保持的基片释放处理液的释放嘴;供给处理液的处理液供给源;处理液供给管,其连接于上述处理液供给源,形成有供要被供给到上述释放嘴的处理液流通的供给通路;设置在上述处理液供给管的、进行上述供给通路的开闭动作的调节阀;和控制上述调节阀的控制部,上述调节阀具有隔膜和阀体,控制对上述隔膜的空气的供给,并经由上述隔膜使上述阀体动作,进行上述供给通路的开状态和全闭状态的开闭动作。
发明效果
依照本发明,能够在调节对基片供给的处理液的流量或者压力的调节阀中抑制颗粒滞留。
附图说明
图1是表示本实施方式的液处理装置的概要结构的纵截面图。
图2是表示本实施方式的液处理装置的概要结构的横截面图。
图3是表示本实施方式的液供给机构的概要结构的说明图。
图4是表示第二调节器的概要结构的纵截面图。
图5是表示第二调节器为闭状态的说明图。
图6是表示第二调节器中的隔膜与阀的接合部的纵截面图。
图7是表示用于说明本实施方式的效果的实验结果的说明图。
图8是表示其它实施方式的液供给机构的概要结构的说明图。
具体实施方式
半导体器件的制造工艺中的光刻步骤中,例如依次地进行在半导体晶片(以下称为“晶片”。)的表面涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、将抗蚀剂膜曝光为所希望的图案的曝光处理、将曝光后的抗蚀剂膜显影的显影处理等一连串处理,在晶片上形成所希望的抗蚀剂图案。
在将抗蚀剂液、显影液等的处理液供给到晶片进行液处理的装置中,例如使用专利文献1中公开的液处理装置。并且,在该液处理装置的流量控制器(调节阀)中,使用能够利用致动器对处理液的通流截面积进行可变控制的、所谓直动式的调节器。
另外,在流量控制器中,除了直动式的调节器以外,有时也使用先导式的调节器。先导式的调节器具有利用驱动空气的压力而进行上下移动的隔膜(diaphram)和使处理液的供给通路截面积变化的阀体。并且,通过经由隔膜使阀体动作,使得处理液的供给通路截面积变化,由此来控制处理液的流量。
在此,作为流量控制器使用先导式调节器的情况下,在其构造上,尤其是在隔膜与阀的接合部容易滞留颗粒(异物)。而且该构造对调节器的可动性能造成影响,因此难以进行变更。另外,在液处理装置中,调节器为抑制流量变动而设置于除去颗粒的过滤器的下游侧的处理液供给通路,调节器的清洁度直接影响晶片的可能性高。
此外,颗粒的产生原因有多种,例如如果在调节器的初始状态已经存在颗粒的情况下,则存在在处理液中也含有颗粒的情况。
但是,一直以来,在除去先导式调节器的内部的颗粒时,仅进行反复实施通常的处理液的分配(释放)的方法,在该情况下,不能达到将颗粒完全除去。并且,当颗粒在调节器的内部滞留时,在某一时机颗粒从调节器流出到处理液中,可能被供给到晶片。因此,在现有技术的调节器的清洗方法中,调节器清洁度不稳定,存在改善的余地。
本发明的技术,在调节对基片供给的处理液的流量或者压力的调节阀中抑制颗粒滞留。以下,参照附图,对本实施方式的液处理装置和液供给方法进行说明。此外,在本说明书和附图中,在具有实质上相同的功能结构的要素,通过标注相同的附图标记而省略重复说明。
<液处理装置>
首先,对本实施方式的液处理装置1进行说明。在液处理装置1中,对作为基片的晶片W供给处理液,对该晶片W进行液处理。图1是表示液处理装置1的概要结构的纵截面图。图2是表示液处理装置1的概要结构的横截面图。
液处理装置1具有能够将内部封闭的处理容器10。在处理容器10的侧面,形成有晶片W的送入送出口11,在送入送出口11设置有开闭件12。
在处理容器10内的中央部,设置有保持晶片W并使其旋转的作为基片保持部的旋转卡盘20。旋转卡盘20具有水平的上表面,在该上表面设置有例如吸引晶片W的吸引口(未图示)。利用来自该吸引口的吸引,能够将晶片W吸附保持在旋转卡盘20上。
旋转卡盘20具有例如包括电动机等的卡盘驱动机构21,通过该卡盘驱动机构21能够以所希望的速度旋转。另外,在卡盘驱动机构21设置有气缸等升降驱动源,旋转卡盘20能够上下移动。
在旋转卡盘20的周围,设置有承接从晶片W飞散或者落下的液体并加以回收的杯状体22。在杯状体22的下表面连接有将所回收的液体排出的排出管23和将杯状体22内的气氛排出的排气管24。
在杯状体22的Y轴方向负方向侧,形成有沿着X轴方向延伸的导轨30。导轨30例如从杯状体22的X轴方向负方向侧的外方形成至X轴方向正方向侧的外方。在导轨30安装有臂31。
在臂31支承有释放处理液的释放嘴32。臂31通过喷嘴驱动部33在导轨30上自由移动。由此,释放嘴32能够从设置于杯状体22的X轴方向正方向侧的外方的待机部34移动至杯状体22内的晶片W的中心部上方,并且能够在该晶片W的表面上在晶片W的径向上移动。另外,臂31通过喷嘴驱动部33自由升降,能够调节释放嘴32的高度。释放嘴32连接于供给处理液的液供给机构40。此外,关于液供给机构40的详细结构在后文说明。
在以上的液处理装置1中,如图1所示设置有控制部50。控制部50例如是具有CPU和存储器等的计算机,具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中,保存有控制液处理装置1中的晶片W的液处理的程序。此外,上述程序也可以记录在计算机可读取的存储介质H中,从该存储介质H被安装到控制部50。
<液处理方法>
接着,对使用如以上那样构成的液处理装置1进行的晶片W的液处理方法,进行说明。在液处理装置1中,在送入晶片W前,释放嘴32在待机部34待机。
当晶片W被送入到液处理装置1中时,将晶片W吸附保持在旋转卡盘20的上面。接着,使释放嘴32移动到晶片W的中心部的上方后,一边使晶片W旋转,一边将处理液从释放嘴32释放到晶片W的中心部。这时,处理液从液供给机构40被供给到释放嘴32。并且,晶片W上的处理液在晶片整个面扩散,该晶片W被液处理。进行了液处理后的晶片W从液处理装置1被送出。
<液供给机构>
接着,对液供给机构40的结构进行说明。图3是表示液供给机构40的概要结构的说明图。
液供给机构40包括:在内部贮存处理液,并将处理液供给到释放嘴32的处理液供给源100;和将处理液供给源100与释放嘴32连接的处理液供给管101。在处理液供给管101的内部,形成有供处理液流通的供给通路。
此外,在本实施方式中,在多个液处理装置1的液供给机构40中,共同地设置有一个处理液供给源100。并且,在一个处理液供给源100连接多个处理液供给管101,各处理液供给管101连接于各释放嘴32。
在处理液供给管101,从上游侧起依次设置有第一调节器102、压力计103、过滤器104、作为调节阀的第二调节器105、流量检测部106、第一开闭阀107。
第一调节器102调节在处理液供给管101的内部流通的处理液的压力。第一调节器102的种类没有特别的限定,例如能够使用公知的调节器。
压力计103测量由第一调节器102调压后的处理液的压力。
过滤器104收集并除去处理液中的颗粒。在过滤器104的上部,也可以设置有将处理液中产生的气体(气泡)排气的排放管(未图示)。
第二调节器105调节在处理液供给管101的内部流通的处理液的流量。关于第二调节器105的详细结构在后文说明。
在第二调节器105,如后文说明的那样连接有对第二调节器105的空气供给部133供给空气的空气供给管110。空气供给管110连接于在内部贮存空气的空气供给源111。另外,在空气供给管110设置有控制空气的供给的阀112。阀112对空气供给管110的内部的空气的供给通路进行开闭。
流量检测部106测量由第二调节器105调节了流量后的处理液的该流量。
第一开闭阀107对处理液供给管101的内部的处理液的供给通路进行开闭。第一开闭阀107例如使用气动阀(Air Operated Valve)。
在第二调节器105与流量检测部106之间的处理液供给管101连接有处理液排出管120,该处理液排出管120形成有排出处理液的排出通路。各液供给机构40的处理液排出管120合流,连接于排液罐(未图示)。
在处理液排出管120,在合流前设置有第二开闭阀121。第二开闭阀121对处理液排出管120的内部的处理液的排出通路进行开闭。第二开闭阀121例如使用气动阀。
<第二调节器>
接着,对第二调节器105的结构进行说明。图4是表示第二调节器105的概要结构的纵截面。
第二调节器105具有主体部130、2个连接口(socket)131、132、空气供给部133、隔膜134、作为阀体的阀135和弹簧136。
主体部130经由第一连接口131连接于上游侧的处理液供给管101。另外,主体部130经由第二连接口132连接于下游侧的处理液供给管101。即,从上游侧起依次连接有处理液供给管101、第一连接口131、主体部130、第二连接口132和处理液供给管101。另外,这些处理液供给管101、第一连接口131、主体部130、第二连接口132、处理液供给管101的内部连通,形成了处理液的供给通路140。
此外,主体部130的内部的供给通路140通过形成于该主体部130的内部的开口部141。在以下的说明中,存在将主体部130的内部的供给通路140中,将开口部141的上游侧称为供给通路140a,将下游侧称为供给通路140b的情况。
空气供给部133设置于主体部130的上方。在空气供给部133连接有上述的空气供给管110,使得空气供给源111的内部的空气被供给到空气供给部133。空气供给部133构成为对于隔膜134能够以所希望的压力供给空气(以下称为“驱动空气”。)。此外,空气供给部133的结构是任意的,设计者能够适当地进行构成。
隔膜134在主体部130的内部设置于开口部141的上方且空气供给部133侧。在隔膜134的下表面侧形成有处理液的供给通路140、更详细而言形成有供给通路140b。并且,隔膜134构成为利用从空气供给部133供给的驱动空气能够上下自由移动。
阀135在主体部130的内部设置于隔膜134的下方。阀135以插通开口部141的方式在上下方向上延伸。即,阀135经由开口部141跨上游侧的供给通路140a和下游侧的供给通路140b地设置。
在阀135的下部内部设置有多个弹簧136。弹簧136将阀135向上方施力。
在阀135的侧面形成有从阀主体突出的突出部135a。突出部135a设置于开口部141的下方,即供给通路140a侧。另外,突出部135a的上表面在侧面观察时以随着从上方去往下方而宽度变大的方式倾斜。
阀135通过弹簧136被向上方施力。另外,隔膜134利用驱动空气而上下移动,阀135也随之上下移动。并且,例如如图4所示,突出部135a位于开口部141的下方,在该开口部141与阀135之间产生了间隙的情况下,供给通路140成为开状态,处理液流通。另一方面,例如如图5所示,在开口部141与阀135之间没有间隙的情况下,供给通路140成为闭状态,处理液的流通被阻断。像这样,阀135进行供给通路140的开闭动作。
对利用阀135进行的供给通路140的开闭动作,更详细地进行说明。开口部141中的供给通路140的开闭状态,通过由驱动空气产生的隔膜134的下按压力P1、由弹簧136产生的阀135的上推压力P2、在供给通路140中流通的处理液的压力P3而被控制。驱动空气的下按压力P1是向下方作用的压力,是弹簧136的上推压力P2和处理液的压力P3分别向上方作用的压力。并且,获得这些驱动空气的下按压力P1、弹簧136的上推压力P2和处理液的压力P3的平衡,来控制供给通路140的开闭状态。
如图4所示,在隔膜134的下表面形成有凹部134a,在阀135的上端形成有凸部135b。如图6所示,凹部134a和凸部135b分别具有合适的形状,凸部135b能够嵌入到凹部134a中,由此形成隔膜134和阀135的接合部142。通过像这样隔膜134和阀135在接合部142接合,能够抑制在阀135进行上下移动时相对于隔膜134在水平方向上轴偏移。
<第二调节器的清洗方法>
接着,对第二调节器105的清洗方法进行说明。
在第二调节器105中,隔膜134和阀135在凹部134a与凸部135b的接合部142接合。这些凹部134a和凸部135b不是被紧贴,而稍微存在间隙。在该情况下,颗粒容易滞留在接合部142中的间隙,一旦颗粒滞留就不容易被除去。此外,颗粒的产生原因如上所述有多种。
但是,现有技术中,在除去该第二调节器105的内部的颗粒、特别是接合部142的颗粒时,仅进行反复实施通常的处理液的分配(以下称为“通常分配”。)的方法,在该情况下,不能达到完全除去颗粒。并且,当颗粒滞留在第二调节器105的内部时,在某一时机颗粒从第二调节器105流出到处理液中,有可能被供给到晶片W。因此,在现有技术的清洗方法中,第二调节器105的清洁度是不稳定的。另外,在现有技术的清洗方法中,使清洁度已恶化的第二调节器105恢复到正常状态需要花费时间。
在此,所谓通常分配是指,利用第二调节器105的阀135调节处理液的供给通路140的开度,并且使第一开闭阀107为开状态,从释放嘴32释放处理液的状态。具体而言,由空气供给部133对隔膜134以一定的下按压力供给驱动空气,经由隔膜134使阀135动作,由此调节供给通路140的开度。并且,当从释放嘴32释放处理液时,由于处理液的压力变小,将隔膜134下按的压力变大。如此一来,供给通路140的开状态变大。但是,通常分配中的处理液的压力变动的范围小,隔膜134与阀135的上下移动的行程(可动范围)也是微小的。因此,滞留在接合部142中的颗粒难以被排出,不能达到将该颗粒完全除去。
这一点在本实施方式的第二调节器105的清洗(以下也称为“调节器清洗”。)中,控制阀112的开闭,进行利用空气供给部133的驱动空气的供给和停止。这时,供给驱动空气时的压力根据处理液的流量的规格来设定,例如是0.15MPa。
在该情况下,因为隔膜134和阀135利用驱动空气而上下移动,所以能够使其行程增大。如此一来,在接合部142中隔膜134与阀135靠近和离开的移动变大,所以能够将滞留在接合部142的颗粒适当地排出而除去。其结果是,能够使第二调节器105的清洁度稳定。另外,能够在短时间内进行使清洁度已恶化的第二调节器105恢复正常状态。
此外,在调节器清洗中,优选反复进行驱动空气的供给和停止,其反复次数没有限定。另外,驱动空气的供给和停止也可以仅进行一次。
接着,对实施了本实施方式的第二调节器105的清洗方法的情况下的效果进行说明。本发明人们为了验证该效果,进行了实验。图7是表示实验结果的说明图。
在本实验中,作为实施例进行本实施方式的调节器清洗,作为比较例进行了通常分配。并且,在分别进行了调节器清洗和通常分配后,测量了从释放嘴32释放的处理液中的颗粒的数量、具体而言是直径为20nm以上的颗粒的数量。图7的横轴表示阀135的驱动次数,纵轴表示颗粒的数量。调节器清洗(阀135的全行程驱动)中的阀135的驱动次数,是由空气供给部133进行的驱动空气的供给和停止的次数。通常分配(通常的阀135的驱动)中的阀135的驱动次数是第一开闭阀107的开闭动作的次数。
参照图7,在通常分配的情况下,即使提高阀135的驱动次数,颗粒的数量也为大约3600个左右,没有改变。
另一方面,在调节器清洗的情况下,第一次的颗粒的数量骤增。这表示,通过第一次的驱动空气的供给和停止,隔膜134和阀135的行程变大,滞留在第二调节器105中的颗粒被一口气排出。换言之,表示消除了第二调节器105的清洁度的不稳定原因。并且,通过反复进行驱动空气的供给和停止,颗粒的数量接近零。
因此,根据该实验结果,依照本实施方式的第二调节器105的清洗方法,得到了能够使第二调节器105的清洁度稳定的效果。
接着,关于第二调节器105的定期的清洗方法更具体地进行说明。该定期清洗在对晶片W不进行液处理的期间、即在不从释放嘴32对晶片W供给处理液的状态下进行。
(步骤S1:第一状态)
步骤S1为释放嘴32在待机部34中待机的状态。在步骤S1中,使第一开闭阀107和第二开闭阀121分别为闭状态,并且使第二调节器105为开状态。
(步骤S2:第二状态)
步骤S2进行第二调节器105的清洗、上述的调节器清洗。步骤S2中,使第一开闭阀107为闭状态,使第二开闭阀121为开状态。并且,如上述那样反复进行驱动空气的供给和停止,进行使第二调节器105为开状态和全闭状态的开闭动作。如此一来,能够增大隔膜134和阀135的行程,其结果是,能够将滞留在接合部142的颗粒适当地排出而除去。因此,能够使第二调节器105的清洁度稳定。
另外,在步骤S2中,进行了调节器清洗后的、含有颗粒的处理液从处理液排出管120被排出。在该情况下,颗粒不流出到比第一开闭阀107靠下游侧处,因此能够省略该下游侧的清洗。
如以上所述,进行步骤S1和步骤S2,完成第二调节器105的定期清洗。
此外,在第二调节器105的定期清洗中的步骤S2,也可以在基于晶片W的处理个数而设定的时机进行。例如,也可以在按批次单位对多个晶片W进行了液处理后,进行步骤S2的调节器清洗。或者,也可以在每次对一个晶片W进行液处理后,进行步骤S2的调节器清洗。
另外,步骤S2也可以在基于从晶片W的液处理结束起的经过时间而设定的时机进行。例如,也可以从进行了第一个晶片W的液处理起,经过了预先设定的时间后,进行步骤S2的调节器清洗。
<液供给机构的其它实施方式>
接着,对其它实施方式的液供给机构200进行说明。图8是表示液供给机构200的概要结构的说明图。
液供给机构200在上述实施方式的液供给机构40中,省略了处理液排出管120和第二开闭阀121。液供给机构200的其它结构与液供给机构40的结构相同。
接着,对液供给机构200中的第二调节器105的定期的清洗方法进行说明。
(步骤T1:第一状态)
步骤T1是释放嘴32在待机部34中待机的状态。步骤T1中,使第一开闭阀107为闭状态,并且使第二调节器105为开状态。
(步骤T2:第二状态)
步骤T2进行第二调节器105的清洗、上述的调节器清洗。在步骤T2中,使第一开闭阀107为开状态。并且,如上述那样反复进行驱动空气的供给和停止,进行使第二调节器105为开状态和全闭状态的开闭动作。在该情况下,与上述实施方式的步骤S2同样地,能够使隔膜134和阀135的行程增大,其结果是,能够将滞留在接合部142的颗粒适当地排出而除去。
另外,在步骤T2中,进行了调节器清洗后的、含有颗粒的处理液被从释放嘴32排出。释放嘴32在待机部34中待机,进行所谓的处理液的仿真分配(dummy dispense)。并且,在待机部34中,含有颗粒的处理液被回收并废弃。
如以上那样,进行步骤T1和步骤T2,第二调节器105的定期清洗完成。
此外,本实施方式的步骤T2可以在释放嘴32在待机部34待机的期间进行,也可以在释放嘴32位于被旋转卡盘20保持的晶片W的上方的状态下进行。具体而言,例如在从释放嘴32开始向晶片W释放处理液时,进行步骤T2。在步骤T2完成后,在第二调节器105中对隔膜134以所希望的下按压力供给驱动空气,并且使该第二调节器105为所希望的开状态。于是,从释放嘴32对晶片W供给处理液,对该晶片W进行液处理。
在该情况下,由于每次晶片W的液处理中以单片进行步骤T2的调节器清洗,因此能够总是维持第二调节器105的清洁度。
此外,在本实施方式中,将第二调节器105用于调节处理液的流量,但不限于此,也可以将第二调节器105用于调节处理液的压力(例如压力变动的抑制)。
本次公开的实施方式的全部内容均为例示,而不应该理解为是限制性的内容。上述的实施方式只要不脱离所附的权利要求书(发明范围)及其主旨,就能够以各种方式进行省略、替换、变更。
附图标记说明
1液处理装置
20 旋转卡盘
32 释放嘴
50 控制部
100 处理液供给源
101 处理液供给管
105 第二调节器
134 隔膜
135 阀
140 供给通路
W晶片。
Claims (20)
1.一种对基片上供给处理液来对基片进行液处理的液处理装置,其特征在于,包括:
保持基片的基片保持部;
对被所述基片保持部保持的基片释放处理液的释放嘴;
供给处理液的处理液供给源;
连接于所述处理液供给源的处理液供给管,其形成有供要被供给到所述释放嘴的处理液流通的供给通路;
设置在所述处理液供给管的、进行所述供给通路的开闭动作的调节阀;和
控制所述调节阀的控制部,
所述调节阀具有隔膜和阀体,控制对所述隔膜的空气的供给,并经由所述隔膜使所述阀体动作,进行所述供给通路的开状态和全闭状态的开闭动作。
2.如权利要求1所述的液处理装置,其特征在于:
第一开闭阀,其设置在比所述调节阀靠下游侧的所述处理液供给管,进行所述供给通路的开闭动作;
处理液排出管,其连接于所述调节阀与第一开闭阀之间的所述处理液供给管,形成有排出处理液的排出通路;和
设置在所述处理液排出管的、进行所述排出通路的开闭动作的第二开闭阀,
所述控制部以切换第一状态与第二状态的方式控制所述调节阀、所述第一开闭阀和第二开闭阀,其中,
所述第一状态是所述第一开闭阀和所述第二开闭阀为闭状态,且所述调节阀为开状态,
所述第二状态是所述第一开闭阀为闭状态,所述第二开闭阀为开状态,且所述调节阀进行开状态和全闭状态的开闭动作。
3.如权利要求2所述的液处理装置,其特征在于:
所述处理液排出管与设置于和所述液处理装置不同的其它装置的排液管合流。
4.如权利要求1所述的液处理装置,其特征在于:
包括开闭阀,所述开闭阀设置在比所述调节阀靠下游侧的所述处理液供给管,进行所述供给通路的开闭动作,
所述控制部以切换第一状态与第二状态的方式控制所述调节阀和所述开闭阀,其中,
所述第一状态是所述开闭阀为闭状态,且所述调节阀为开状态,
所述第二状态是所述开闭阀为开状态,且所述调节阀进行开状态和全闭状态的开闭动作。
5.如权利要求4所述的液处理装置,其特征在于:
所述控制部控制所述释放嘴,以使得所述第二状态在从所述释放嘴向基片供给处理液的过程中进行。
6.如权利要求2~4中任一项所述的液处理装置,其特征在于:
所述控制部控制所述释放嘴,以使得所述第二状态在所述释放嘴处于比所述基片保持部靠侧方的待机位置待机的状态下进行。
7.如权利要求2~6中任一项所述的液处理装置,其特征在于:
所述控制部控制所述调节阀,以使得在所述第二状态中进行多次所述调节阀的开闭动作。
8.如权利要求2~7中任一项所述的液处理装置,其特征在于:
所述控制部进行控制,以使得所述第二状态在基于基片的处理个数、或者从基片的处理结束起的经过时间而设定的时机进行。
9.如权利要求1~8中任一项所述的液处理装置,其特征在于:
包括过滤器,其设置于比所述调节阀靠上游侧的所述处理液供给管,除去处理液中的异物。
10.如权利要求1~9中任一项所述的液处理装置,其特征在于:
在所述隔膜形成有凹部,
在所述阀体形成有具有适合所述凹部的形状的凸部。
11.一种液供给机构,其对向基片释放处理液的释放嘴供给该处理液,所述液供给机构的特征在于,包括:
供给处理液的处理液供给源;
处理液供给管,其连接于所述处理液供给源,形成有供要被供给到所述释放嘴的处理液流通的供给通路;
设置于所述处理液供给管的、进行所述供给通路的开闭动作的调节阀;和
控制所述调节阀的控制部,
所述调节阀具有隔膜和阀体,控制对所述隔膜的空气的供给,并经由所述隔膜使所述阀体动作,进行所述供给通路的开状态和全闭状态的开闭动作。
12.如权利要求11所述的液供给机构,其特征在于,包括:
第一开闭阀,其设置在比所述调节阀靠下游侧的所述处理液供给管,进行所述供给通路的开闭动作;
处理液排出管,其连接于所述调节阀与第一开闭阀之间的所述处理液供给管,形成有排出处理液的排出通路;和
设置在所述处理液排出管的、进行所述排出通路的开闭动作的第二开闭阀,
所述控制部以切换第一状态与第二状态的方式控制所述调节阀、所述第一开闭阀和第二开闭阀,其中,
所述第一状态是所述第一开闭阀和所述第二开闭阀为闭状态,且所述调节阀为开状态,
所述第二状态是所述第一开闭阀为闭状态,所述第二开闭阀为开状态,且所述调节阀进行开状态和全闭状态的开闭动作。
13.如权利要求11所述的液供给机构,其特征在于:
包括开闭阀,其设置在比所述调节阀靠下游侧的所述处理液供给管,进行所述供给通路的开闭动作,
所述控制部以切换第一状态与第二状态的方式控制所述调节阀和所述开闭阀,其中,
所述第一状态是所述开闭阀为闭状态,且所述调节阀为开状态,
所述第二状态是所述开闭阀为开状态,且所述调节阀进行开状态和全闭状态的开闭动作。
14.一种液处理方法,其使用液处理装置向基片上供给处理液,来对基片进行液处理,所述液处理方法的特征在于:
所述液处理装置包括:
保持基片的基片保持部;
对被所述基片保持部保持的基片释放处理液的释放嘴;
供给处理液的处理液供给源;
处理液供给管,其连接于所述处理液供给源,形成有供要被供给到所述释放嘴的处理液流通的供给通路;和
调节阀,其设置在所述处理液供给管,具有隔膜和阀体,进行所述供给通路的开闭动作,
在所述液处理方法中,
控制对所述隔膜的空气的供给,并经由所述隔膜使所述阀体动作,进行所述供给通路的开状态和全闭状态的开闭动作,清洗调节阀。
15.如权利要求14所述的液处理方法,其特征在于:
所述液处理装置包括:
第一开闭阀,其设置在比所述调节阀靠下游侧的所述处理液供给管,进行所述供给通路的开闭动作;
处理液排出管,其连接于所述调节阀与第一开闭阀之间,形成有排出处理液的排出通路;和
设置在所述处理液排出管的、进行所述排出通路的开闭动作的第二开闭阀,
所述液处理方法包括:
(a)所述第一开闭阀和所述第二开闭阀为闭状态,且所述调节阀为开状态的步骤;
(b)所述第一开闭阀为闭状态,所述第二开闭阀为开状态,且所述调节阀进行开状态和全闭状态的开闭动作的步骤。
16.如权利要求14所述的液处理方法,其特征在于:
所述液处理装置具有开闭阀,所述开闭阀设置在比所述调节阀靠下游侧的所述处理液供给管,进行所述供给通路的开闭动作,
所述液处理方法包括:
(a)所述开闭阀为闭状态,且所述调节阀为开状态的步骤;
(b)所述开闭阀为开状态,且所述调节阀进行开状态和全闭状态的开闭动作的步骤。
17.如权利要求16所述的液处理方法,其特征在于:
所述(b)步骤在从所述释放嘴向基片供给处理液的过程中进行。
18.如权利要求15~17中任一项所述的液处理方法,其特征在于:
所述(b)步骤在所述释放嘴处于比所述基片保持部靠侧方的待机位置待机的状态下进行。
19.如权利要求15~18中任一项所述的液处理方法,其特征在于:
在所述(b)步骤中,进行多次所述调节阀的开闭动作。
20.一种计算机存储介质,其特征在于:
所述计算机存储介质保存有程序,所述程序在控制液处理装置的控制部的计算机上运行,以使所述液处理装置实施向基片上供给处理液来对基片进行液处理的液处理方法,
所述液处理装置包括:
保持基片的基片保持部;
对被所述基片保持部保持的基片释放处理液的释放嘴;
供给处理液的处理液供给源;
处理液供给管,其连接于所述处理液供给源,形成有供要被供给到所述释放嘴的处理液流通的供给通路;和
调节阀,其设置在所述处理液供给管,具有隔膜和阀体,进行所述供给通路的开闭动作,
在所述液处理方法中,控制对所述隔膜的空气的供给,并经由所述隔膜使所述阀体动作,进行所述供给通路的开状态和全闭状态的开闭动作,清洗调节阀。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020119743 | 2020-07-13 | ||
JP2020-119743 | 2020-07-13 | ||
PCT/JP2021/024724 WO2022014329A1 (ja) | 2020-07-13 | 2021-06-30 | 液処理装置、液供給機構、液処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115769152A true CN115769152A (zh) | 2023-03-07 |
Family
ID=79555470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202180047390.6A Pending CN115769152A (zh) | 2020-07-13 | 2021-06-30 | 液处理装置、液供给机构、液处理方法和计算机存储介质 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7434564B2 (zh) |
KR (1) | KR20230038232A (zh) |
CN (1) | CN115769152A (zh) |
WO (1) | WO2022014329A1 (zh) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007102754A (ja) | 2005-09-09 | 2007-04-19 | Advance Denki Kogyo Kk | 流量制御装置 |
JP5337541B2 (ja) | 2009-03-12 | 2013-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給機構、処理液供給方法、液処理装置、および記憶媒体 |
JP5045741B2 (ja) | 2009-12-25 | 2012-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液供給ノズル及び薬液供給方法 |
JP6932626B2 (ja) * | 2017-09-15 | 2021-09-08 | 株式会社マンダム | ノズルユニット、ならびにそれを備える二液吐出器 |
JP6995547B2 (ja) | 2017-09-22 | 2022-01-14 | 株式会社Screenホールディングス | 薬液生成方法、薬液生成装置および基板処理装置 |
-
2021
- 2021-06-30 JP JP2022536236A patent/JP7434564B2/ja active Active
- 2021-06-30 WO PCT/JP2021/024724 patent/WO2022014329A1/ja active Application Filing
- 2021-06-30 CN CN202180047390.6A patent/CN115769152A/zh active Pending
- 2021-06-30 KR KR1020237004496A patent/KR20230038232A/ko active Search and Examination
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7434564B2 (ja) | 2024-02-20 |
KR20230038232A (ko) | 2023-03-17 |
WO2022014329A1 (ja) | 2022-01-20 |
JPWO2022014329A1 (zh) | 2022-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10035173B2 (en) | Chemical supply system, substrate treatment apparatus incorporating the same, and coating and developing system incorporating the same apparatus | |
TWI754525B (zh) | 基板處理裝置 | |
JP6512894B2 (ja) | 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法 | |
JP6740098B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
US10128132B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus | |
US7767026B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
TWI645450B (zh) | 處理液供給裝置、處理液供給方法及記錄媒體 | |
CN108987309B (zh) | 基片液处理装置、处理液供给方法和存储介质 | |
JP2018081966A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP6942497B2 (ja) | 処理液供給装置 | |
JP6320805B2 (ja) | 処理液供給装置 | |
JP2009224653A (ja) | フォトレジスト塗布装置 | |
CN115769152A (zh) | 液处理装置、液供给机构、液处理方法和计算机存储介质 | |
US20220208566A1 (en) | Substrate drying method and substrate drying apparatus | |
US20220392784A1 (en) | Apparatus for treating substrate using liquid and method for controlling liquid | |
KR102254187B1 (ko) | 기판 건조 장치 | |
KR20210028787A (ko) | 액 공급 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 액 공급 방법 | |
US20220130690A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US20230022814A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2022109794A (ja) | 処理液供給装置及び処理液排出方法 | |
KR20230084041A (ko) | 처리액 공급 장치 및 처리액 배출 방법 | |
CN117747487A (zh) | 基片处理装置和基片处理方法 | |
KR20220084537A (ko) | 액 공급 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR20060057113A (ko) | 반도체 제조장비의 코팅액 노즐구조 | |
KR20070014526A (ko) | 반도체 제조장비의 코팅액 노즐 아암 구조 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |