TW201526971A - 液體處理裝置及液體處理方法 - Google Patents

液體處理裝置及液體處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201526971A
TW201526971A TW104111353A TW104111353A TW201526971A TW 201526971 A TW201526971 A TW 201526971A TW 104111353 A TW104111353 A TW 104111353A TW 104111353 A TW104111353 A TW 104111353A TW 201526971 A TW201526971 A TW 201526971A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
pump
supply
valve
processing
Prior art date
Application number
TW104111353A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI587901B (zh
Inventor
Kousuke Yoshihara
Katsunori Ichino
Toshinobu Furusho
Takashi Sasa
Katsuhiro Tsuchiya
Yuichi Terashita
Hirofumi Takeguchi
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201526971A publication Critical patent/TW201526971A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI587901B publication Critical patent/TWI587901B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D19/00—Degasification of liquids
    • B01D19/0063—Regulation, control including valves and floats
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D19/00—Degasification of liquids
    • B01D19/0031—Degasification of liquids by filtration
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D19/00—Degasification of liquids
    • B01D19/0068—General arrangements, e.g. flowsheets
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Filtration Of Liquid (AREA)
  • Degasification And Air Bubble Elimination (AREA)

Abstract

本發明有效率地防止處理液體中的微粒之增加而不會無謂地消耗處理液體。本發明包含：供給管道51；過濾器裝置52a，插設於供給管道，過濾光阻液L(處理液體)，並且去除混入於光阻液L中的氣泡；泵P，插設於過濾器裝置的二次側之供給管道51(51b)；循環管道55，將泵的二次側與過濾器裝置的一次側加以連接；供給控制閥57，插設於泵P的二次側；循環控制閥56，插設於循環管道55；及控制器200，在從其他處理液體供給噴嘴7b～7d將光阻液L供給至晶圓Ｗ時，使供給控制閥57關閉並且使循環控制閥56開啟，對於泵P進行驅動；且藉由進行此控制器所致的控制，使光阻液在供給管道51與循環管道55之間進行循環。

Description

液體處理裝置及液體處理方法
本發明係關於液體處理裝置及液體處理方法，例如係將處理液體供給至半導體晶圓或LCD用玻璃基板等被處理基板表面來進行處理。
一般而言，在製造半導體元件的光微影技術中，係將光阻劑塗佈於半導體晶圓或FPD基板等(以下稱為晶圓等)，並將藉此形成的光阻膜因應於既定電路圖案予以曝光，對於此曝光圖案進行顯影處理，進而於光阻膜形成電路圖案。
此種光微影步驟中，供給至晶圓等的光阻液及顯影液等處理液體有可能因為各種原因而混入有氮氣等氣泡或微粒(異物)，若將混存有氣泡或微粒的處理液體供給至晶圓等，有可能產生塗佈不均或瑕疵。因此於處理液體的管道插設有一種裝置，用來去除混存於處理液體中的氣泡或微粒。
以往，就此種裝置而言，已知有一種處理液體供給裝置，係將暫時貯存容器、過濾器與泵插設於將供給噴嘴與處理液貯存容器加以連接的供給管道，並包含：循環管道，連接於處理液貯存容器與暫時貯存容器之間的供給管道及過濾器；及可變節流閥，設於循環管道(例如參照專利文獻1)。此處理液體供給裝置為了光微影步驟所進行的處理之效率及達成多樣化而具有多數之供給噴嘴，並因應於目的而選擇供給噴嘴來使用。
此處理液體供給裝置中，藉由可變節流閥使得利用過濾器脫泡的處理液體之液壓降低，以使溶存於處理液體的氣體氣泡化，並使此氣泡從循環途徑經由供給管道再度通過過濾器而去除。因此能有效率地去除溶存於處理液體中的氣體。 【先前技術文獻】 【專利文獻】
專利文獻1：日本特開2010－135535號公報(申請專利範圍、圖3、圖4)
[發明所欲解決之問題]
但是，在具有多數之供給管道的處理液體供給裝置中，在插設於與未使用中的供給噴嘴相連接之供給管道的過濾器，產生處理液體的滯留。在此，使處理液體長時間滯留於過濾器等容量大的場所時，尤其可見到滯留於過濾器的氣泡或凝膠在過濾器與處理液體之交界面成長、增加成微粒之傾向。因此考慮有一種方法，於晶圓等以外之場所，藉由定期地進行處理液體流出，使得處理液體不會長時間滯留於過濾器等容量較大之場所(模擬流出)，來作為防止混存於處理液體中的微粒之增加的方法。但是，模擬流出係將流出的處理液體予以拋棄，所以有處理液體消耗量增大之問題。
本發明有鑑於上述問題，目的在於有效率地抑制處理液體中的微粒之增加而不會無謂地消耗處理液體。 [解決問題之方式]
為了解決上述問題，本發明之液體處理裝置，係連接於將處理液體供給至被處理基板的多數之處理液體供給噴嘴的其中一個處理液體供給噴嘴，其特徵在於，包含：供給管道，將貯存該處理液體的處理液貯存容器與該處理液體供給噴嘴加以連接；過濾器裝置，插設於該供給管道中，過濾該處理液體，並且去除混入於該處理液體中的異物；泵，插設於該過濾器裝置的二次側之該供給管道；循環管道，將該泵的流出側與該過濾器裝置的吸入側加以連接；供給控制閥，插設於該泵的二次側之該供給管道；循環控制閥，插設於該循環管道；及控制機構，控制該泵、該供給控制閥及該循環控制閥；在藉由使該供給控制閥關閉而停止從該處理液體供給噴嘴對於該被處理基板的處理液體之供給時，使該循環控制閥開啟，並對於該泵進行驅動，使該處理液體在插設有該過濾器裝置的該供給管道與該循環管道之間進行循環。
藉由如此方式構成，可在停止從一個處理液體供給噴嘴將處理液體供給至被處理基板的狀態(閒置狀態)下，使滯留於過濾器裝置的處理液體經由供給管道與循環管道而進行循環。
另，本發明中，閒置狀態，在停止從一個處理液體供給噴嘴將處理液體供給至被處理基板的狀態之外，還包含從一安裝處理液貯存容器之後起直到處理液體往被處理基板之供給開始為止的狀態。
本發明中，亦可使該循環管道係將該泵的二次側之該供給管道與該過濾器裝置的一次側之該供給管道加以連接。又，亦可為，具有：處理液暫時貯存容器，插設於該過濾器裝置的一次側之該供給管道，貯存該處理液體的一部分；且該循環管道係將該泵的二次側之該供給管道與該處理液暫時貯存容器加以連接。又，亦可為，具有：分離槽，插設於該過濾器裝置與該泵之間的該供給管道，具有分離存在於該處理液體中的氣泡之功能；且該循環管道係將該泵的流出口與該過濾器裝置的一次側之該供給管道加以連接。又，亦可為，具有：分離槽，插設於該過濾器裝置與該泵之間的該供給管道，具有分離存在於該處理液體中的氣泡之功能；且該循環管道係由下列者所構成：第1循環管道，將該分離槽與該泵加以連接；及第2循環管道，將該分離槽與該過濾器裝置的一次側之供給管道加以連接。
此時，宜使其中該泵係藉由膜泵所形成，該膜泵利用驅動機構之驅動對於將泵部分與驅動部分加以區分的膜進行往復驅動，於該膜泵之吸入側設置吸入側之開關閥，可選擇性使該處理液體流入往該泵部分，於該膜泵的流出側設置第1開關閥，可選擇性使該處理液體供給往該處理液體供給噴嘴，及設置第2開關閥，可選擇性使該處理液體供給往該循環管道，並且設置切換閥，可選擇性使該分離槽所分離的氣泡經由排放管而排出至外部，於該第2循環管道設置該循環控制閥，並且於該過濾器裝置的一次側且為該第2循環管道與該供給管道之間連接部的二次側之該供給管道設置第3開關閥，於使該第1開關閥、第2開關閥、吸入側的開關閥及循環控制閥關閉的狀態下，利用該驅動機構之驅動使該泵部分成為負壓，藉以使存在於該處理液體中的微小氣泡顯現，使該吸入側之開關閥、第1開關閥、第3開關閥及切換閥關閉，並使該第2開關閥、循環控制閥開啟，藉以使已顯現的氣泡移動至該分離槽，使該第1開關閥、第2開關閥及循環控制閥關閉，並使該吸入側的開關閥、第3開關閥及切換閥開啟，藉以將該分離槽內的氣泡經由排放管排出至外部。
藉由如此方式構成，因為可藉由對於膜泵進行驅動，使存在於處理液體中的氣泡顯現，並將已顯現的氣泡排出至外部，所以能有效率地對於處理液體中的氣體進行脫氣。
又，宜在上述液體處理裝置中，於使該第1開關閥、第2開關閥、第3開關閥、切換閥及循環控制閥關閉，並使該吸入側之開關閥開啟的狀態下，利用該驅動機構之驅動使該泵部分成為負壓，藉以使存在於該處理液體中的微小氣泡顯現。藉由如此方式構成，能使用排氣量小膜泵來使存在於處理液體中的氣泡顯現，並將已顯現的氣泡排出至外部。
又，宜在上述發明中，以既定間隔來進行該控制機構所致的該處理液體之循環。藉由如此方式構成，能經常抑制處理液體對於過濾器裝置之滯留。
又，宜在上述發明中，於使該處理液體進行循環的該供給管道或該循環管道之中至少一個管道插設有：脫氣機構，對於該處理液體中的氣體進行脫氣。
藉由如此方式構成，能對於在供給管道或循環管道進行循環的處理液體中之氣體進行脫氣。
又，宜在上述發明中，更包含：振動體，將振動給予該過濾器裝置內的處理液體。
藉由如此方式構成，因為將振動給予過濾器裝置內的處理液體，所以能防止處理液體在過濾器裝置內的滯留。
又，宜在上述液體處理裝置中，更包含：溫度感測器，偵測該過濾器裝置內的處理液體之溫度；及溫度控制機構，依據來自該溫度感測器的信號而控制該過濾器裝置內的處理液體之溫度。
藉由如此方式構成，可偵測相接於過濾器裝置的處理液體之溫度，並藉由溫度控制機構來控制處理液體之溫度，所以能抑制例如成為凝膠之微粒的原因之要素的增加。
又，宜使上述發明中，該過濾器裝置係於該供給管道設置多數個。
藉由此種方式構成，能去除更多異物(微粒及氣泡)，比在供給管道設置1個過濾器裝置之情形更多。
又，為解決上述問題，本發明之液體處理方法，其係用於液體處理裝置，該液體處理裝置包含：供給管道，將貯存處理液體的處理液貯存容器與將該處理液體供給至被處理基板的處理液體供給噴嘴加以連接；過濾器裝置，插設於該供給管道中，過濾該處理液體，並且去除混入於該處理液體中的異物；泵，插設於該過濾器裝置的二次側之該供給管道；循環管道，將該泵的流出側與該過濾器裝置的吸入側加以連接；供給控制閥，插設於該泵的二次側之該供給管道；循環控制閥，插設於該循環管道；及控制機構，控制該泵、該供給控制閥及該循環控制閥；且該液體處理方法之特徵在於包含以下步驟：處理液體供給步驟，使該供給控制閥開啟並且使該循環控制閥關閉，對於該泵進行驅動藉以將該處理液體供給至該被處理基板；循環步驟，在不進行該處理液體供給步驟時使該供給控制閥關閉並且使該循環控制閥開啟，對於該泵進行驅動藉以使該處理液體在該循環管道與該供給管道之間進行循環。
藉由使用如此方法，因為可在不進行處理液體對於被處理基板之供給時於上述循環管道與上述供給管道間使上述處理液體進行循環，所以可在閒置狀態下，使滯留於過濾器裝置的處理液體經由供給管道與循環管道而進行循環。
又，本發明中，宜於該循環步驟中使處理液體進行循環的該循環管道或該供給管道插設有：脫氣機構，對於該處理液體中之氣體進行脫氣；且該循環步驟包含：脫氣步驟，進行該脫氣機構所致的處理液體中之氣體的脫氣。
藉由使用如此方法，可在循環步驟中進行處理液體中的氣體之脫氣，能藉由使該處理液體進行循環而容易地去除附著於過濾器的氣泡。
又，宜在上述發明中，該泵係藉由膜泵所形成，該膜泵利用驅動機構之驅動對於將泵部分與驅動部分加以區分的膜進行往復驅動，該循環管道係由下列者構成：第1循環管道，將該分離槽與該泵加以連接；及第2循環管道，將該分離槽與該過濾器裝置的一次側之供給管道加以連接；於該膜泵的吸入側設置吸入側之開關閥，可選擇性使該處理液體供給至該膜泵，於該膜泵的流出側設置第1開關閥，可選擇性使該處理液體供給至該處理液體供給噴嘴，及第2開關閥，可選擇性使處理液體供給至該循環管道，並且設置切換閥，可選擇性使該分離槽所分離的氣泡經由排放管而排出至外部；且於該第2循環管道設置該循環控制閥，並且於該過濾器裝置的一次側且為該第2循環管道與該供給管道之間連接部的二次側之該供給管道設置第3開關閥，且包含以下步驟：氣泡顯現步驟，於使該第1開關閥、第2開關閥、吸入側之開關閥、切換閥及循環控制閥關閉的狀態下，利用該驅動機構之驅動使該泵部分成為負壓，藉以使存在於該處理液體中的微小氣泡顯現；氣泡移動步驟，該氣體顯現步驟之後，於使吸入側之開關閥、該第1開關閥、第3開關閥關閉，並使該第2開關閥、循環控制閥開啟的狀態下，使已顯現的氣泡移動至該分離槽；及脫氣步驟，使該第1開關閥、第2開關閥及循環控制閥關閉，並使該吸入側之開關閥、第3開關閥及切換閥開啟，藉以將該分離槽內的氣泡經由排放管而排出至外部；且該氣泡顯現步驟、氣泡移動步驟及該脫氣步驟係於該處理液體供給步驟結束之後、該循環步驟開始之前進行。
藉由使用如此方法，因為藉由脫氣步驟，將氣泡顯現步驟中藉由使泵所吸入的處理液體成為負壓而顯現的處理液體中之氣體流出至外部，所以能確實地去除處理液體中的氣體，而能藉由使該處理液體進行循環而容易地去除附著於過濾器的氣泡。
又，宜在上述液體處理方法中，該氣泡顯現步驟係於使該第1開關閥、第2開關閥、第3開關閥、切換閥及循環控制閥關閉，並使該吸入側之開關閥開啟的狀態下，利用該驅動機構的驅動使該泵部分成為負壓，藉以使存在於該處理液體中的微小氣泡顯現。藉由如此方式構成，能使用排氣量小的膜泵使存在於處理液體中的氣泡顯現，並將已顯現的氣泡排出至外部。 [發明之效果]
本發明係如上述方式構成，所以獲得以下之顯著效果。
(1)依據上述發明，可在不使用狀態下，使滯留於過濾器裝置的處理液體經由供給管道與循環管道而進行循環，所以在使用時不進行模擬流出即可抑制處理液體中的微粒增加。因此能有效率地防止處理液體中的微粒之增加而不會無謂地消耗處理液體。
(2)依據上述發明，可經常抑制處理液體往過濾器裝置之滯留，所以可在將處理液體從與液體處理裝置相連接的處理液體供給噴嘴供給至被處理基板時，不進行液體處理裝置所致處理液體之循環而將處理液體供給至被處理基板。因此，在上述(1)之外，還加上能縮短將處理液體供給至被處理基板之步驟所須的時間，能藉由使該處理液體進行循環而容易地去除附著於過濾器的氣泡。
(3)依據上述發明，可對於在供給管道或循環管道循環的處理液體中之氣體進行脫氣。因此在上述(1)、(2)之外，還加上能抑制氣體對於供給至被處理基板的處理液體之混入。
(4)依據上述發明，因為藉由使泵所吸入的處理液體成為負壓而使處理液體中的氣體顯現，在上述(1)～(3)之外，還加上能有效率地進行脫氣機構之處理液體中的氣體之去除。
(5)依據上述發明，藉由將振動給予至過濾器裝置，能防止處理液體在過濾器裝置之滯留，所以在上述(1)、(2)之外，還加上能抑制處理液體中的微粒發生。
(6)依據上述發明，偵測滯留於過濾器裝置的處理液體之溫度，並利用溫度控制機構來控制處理液體之溫度，藉以使溫度降低所致的處理液體之黏性保持在既定値以下，而能抑制處理液體滯留於過濾器裝置。因此，在上述(1)、(2)、(5)之外，還加上能更加有效率地防止滯留過濾器裝置之處理液中的微粒之增加。
(7)依據上述發明，能比起供給管道設置一個過濾器裝置之情況去除更多異物(微粒及氣泡)。因此在上述(1)、(2)、(5)、(6)之外，還加上能抑制供給至被處理基板的處理液體中之微粒與氣泡。
[實施發明之較佳形態]
以下依據附加圖式說明本發明之實施形態。在此說明將本發明之液體處理裝置(光阻液體處理裝置)應用於塗佈、顯影處理裝置之情況。
上述塗佈、顯影處理裝置如圖1及圖2所示，包含：載體站1，用來搬入搬出密閉收納有多數片被處理基板的載體10，例如為25片晶圓Ｗ；處理部2，對於從該載體站1取出的晶圓Ｗ施加光阻塗佈、顯影處理等；曝光部4，在晶圓Ｗ表面形成有透光液層的狀態下，對於晶圓Ｗ之表面進行浸潤曝光；介面部3，連接於處理部2與曝光部4之間，進行晶圓Ｗ之傳遞。
載體站1設有：載置部11，可排列載置多數個載體10；開閉部12，設於從該載置部11觀察之前方壁面；傳遞機構A1，用於經由開閉部12而從載體10取出晶圓Ｗ。
介面部3藉由在處理部2與曝光部4之間設成前後的第1搬運室3A及第2搬運室3B所構成，分別設有第1晶圓搬運部30A及第2晶圓搬運部30B。
又，載體站1的深處側連接有以框體20圍繞周圍的處理部2，該處理部2從近側起依序交互排列設有：將加熱、冷卻類單元予以多層化的棚架單元U1、U2、U3、液體處理單元Ｕ4、Ｕ5、及用來在各單元間進行晶圓Ｗ之傳遞的主要搬運機構A2、A3。 又，主要搬運機構A2、A3配置在分隔壁21所圍繞的空間內，該分隔壁21藉由下列者構成：棚架單元U1、U2、U3側的一面部，從載體站1觀察而言配置成前後方向；後述例如右側液體處理單元U4、U5側的一面部；及背面部，形成左側的一面。又，載體站1與處理部2之間、處理部2與介面部3之間配置有溫度濕度調節單元22，其具有各單元所用的處理液體之溫度調節裝置或溫度濕度調節用之導管等。
棚架單元U1、U2、U3構成為疊層有多層用於進行在液體處理單元U4、U5所進行的處理之前處理及後處理的各種單元，例如有10層，其組合包含加熱(烘烤)晶圓Ｗ的加熱單元(未圖示)，冷卻晶圓Ｗ的冷卻單元(未圖示)等。又，將既定處理液體供給至晶圓Ｗ進行處理的液體處理單元U4、U5例如圖1所示，構成為疊層有多層下述者，例如5層：光阻或顯影液等化學液收納部14之上塗佈抗反射膜的抗反射膜塗佈單元(BCT)23、將光阻液塗佈至晶圓Ｗ的塗佈單元(COT)24、將顯影液供給至晶圓Ｗ並進行顯影處理的顯影單元(DEV)25等。塗佈單元(COT)24具有本發明之液體處理裝置5及液體處理單元100。
以下參照圖1及圖2簡單說明上述構成的塗佈、顯影處理裝置中的晶圓流動之一例。首先，將例如收納有25片晶圓Ｗ的載體10載置於載置部11，將載體10的蓋體與開閉部12共同開啟，並藉由傳遞機構A1取出晶圓Ｗ。並且，晶圓Ｗ經由形成棚架單元Ｕ1之一段的傳遞單元(未圖示)傳遞往主要搬運機構A2，進行例如抗反射膜形成處理、冷卻處理作為塗佈處理的前處理之後，在塗佈單元(COT)24塗佈光阻液。其次，利用主要搬運機構A2將晶圓Ｗ在形成棚架單元Ｕ1、Ｕ2之一個棚架的加熱單元予以加熱(烘烤處理)再予以冷卻之後，經由棚架單元Ｕ3的傳遞單元而搬入往介面部3。在該介面部3中，藉由第1搬運室3A及第2搬運室3B的第1晶圓搬運部30A及第2晶圓搬運部30B來搬運至曝光部4，並配置有曝光機構(未圖示)相向於晶圓Ｗ表面來進行曝光。曝光後，晶圓Ｗ以相反途徑搬運至主要搬運機構A3為止，在顯影單元(DEV)25顯影，藉以形成圖案。然後晶圓Ｗ退回到載置於載置部11上之原來的載體10。
其次說明本發明之液體處理裝置的第1實施形態。
＜第1實施形態＞ 本發明之液體處理裝置5如圖3所示包含：供給管道51，其連接處理液貯存容器60(以下稱光阻容器60。)與後述的處理液體供給噴嘴7之1個處理液體供給噴嘴7a，處理液貯存容器60貯存光阻液L，即處理液體，處理液體供給噴嘴7之1個處理液體供給噴嘴7a使光阻液L流出(供給)至晶圓Ｗ；過濾器裝置52a，插設於供給管道51，過濾光阻液L來去除微粒，並且去除混入於光阻液L中的異物(氣泡)；第1分離槽53，插設於過濾器裝置52a的二次側之供給管道51；泵P，插設於第1分離槽53的二次側之供給管道51；第2分離槽54，插設於泵P的二次側之供給管道51；循環管道55，將泵P的流出側與過濾器裝置52a的吸入側加以連接；循環控制閥56，插設於循環管道55；及供給控制閥57，插設於第2分離槽54的二次側之供給管道51。
供給管道51係由第1處理液體供給管道51a與第2處理液體供給管道51b所構成，第1處理液體供給管道51a將光阻容器60與暫時貯存從光阻容器60導出的處理液體之緩衝槽61加以連接，第2處理液體供給管道51b將緩衝槽61與處理液體供給噴嘴7加以連接。所以，過濾器裝置52a、第1分離槽53、泵P、第2分離槽54、供給控制閥57插設於第2處理液體供給管道51b。
循環管道55經由第2分離槽54將泵P的二次側之第2處理液體供給管道51b與過濾器裝置52a的一次側之第2處理液體供給管道51b加以連接。另，第2分離槽54設於將供給管道51與循環管道55加以連接的連接部。
如圖3(b)所示，泵P係使用將第2處理液體供給管道51b內之處理液體予以吸入、流出的膜泵。泵(膜泵)P在膜71即可撓性構件分隔成相當於泵部分的泵室72與相當於驅動部分的運作室73。又，膜泵P的吸入口設有使得光阻液L可從第2處理液體供給管道51b往泵P流入的電磁式開關閥V31，流出口設有電磁式開關閥V32。開關閥V31、V32與泵室72相連通。
運作室73連接有：驅動機構74，包含依據來自控制器200的信號而控制運作室73內的氣體之減壓及加壓的電動氣動調整器。開關閥V31、V32係依據來自控制器200的信號所控制。
又，供給控制閥57的二次側之第2處理液體供給管道51b連接有設於噴嘴單元70的處理液體供給噴嘴7。就供給控制閥57而言，例如使用具有配送閥的流量控制閥。
噴嘴單元70設有多數根(圖式中顯示4根之情形)之處理液體供給噴嘴7a～7d，其中的處理液體供給噴嘴7a與本實施形態之液體處理裝置5相連接。又，其他處理液體供給噴嘴7b～7d連接有與上述光阻容器60、過濾器裝置52a、泵P同樣的光阻容器、過濾器裝置、泵。
光阻容器60的頂部設有：第1氣體供給管道8a，與惰性氣體例如氮氣(N2)之供給源62相連接。又，該第1氣體供給管道8a插設有電動氣動調整器R，即能可變調整壓力之調整機構。該電動氣動調整器R具有：操作部，例如為比例電磁線圈，依據來自控制器200之控制信號而運作，該控制器200以後述作為控制機構的中央演算處理裝置(CPU)為主體構成；閥機構，藉由該比例電磁線圈的運作來開閉；且藉由閥機構的開閉來調整壓力。
上述第1氣體供給管道8a的電動氣動調整器R與光阻容器60之間插設有電磁式切換閥V1。又，第1處理液體供給管道51a的光阻容器60與緩衝槽61之間插設有電磁式開關閥V2。
又，第1氣體供給管道8a連接有：第2氣體供給管道8b，一端從第1氣體供給管道8a分歧，另一端連接於緩衝槽61的頂部。該第2氣體供給管道8b插設有可於緩衝槽61內、向大氣開啟的大氣部63或Ｎ2氣體供給源62切換連通的切換閥V3。切換閥V3係藉由可在緩衝槽61側的1個埠口、及Ｎ2氣體供給源62側與大氣部63側2個埠口切換的3埠口2位置切換電磁切換閥所形成，並形成為可藉由此切換閥V3之切換操作使緩衝槽61內連通大氣側或Ｎ2氣體供給源62側。
另一方面，過濾器裝置52a的頂部設有用來對於過濾器裝置52a內之環境蒙氣進行排氣的排放管51c，排放管51c插設有電磁式開關閥V4a。又，第1分離槽53及第2分離槽54的頂部亦設有用來對於第1分離槽53、第2分離槽54內之環境蒙氣進行排氣的排放管51d、51h，排放管51d、51h插設有電磁式開關閥V5a、V5b。
開關閥V4a、V5a、V5b、循環控制閥56、供給控制閥57係與控制器200電性連接，依據來自此控制器200的控制信號而進行切換動作或開閉動作。另，緩衝槽61設有偵測緩衝槽61內的光阻液L之上限液面與下限液面的上限液面感測器61a及下限液面感測器61b，並形成將藉由此等上限液面感測器61a及下限液面感測器61b所偵測的信號傳達至控制器200。又，電動氣動調整器R、切換閥V1、開關閥V2、切換閥V3電性連接至控制器200，依據來自此控制器200的控制信號而進行運作。另，電動氣動調整器R、上限液面感測器61a、下限液面感測器61b、切換閥V1、V3、開關閥V2，V4a～V7，開關閥V31～V33，循環控制閥56，供給控制閥57與控制器200之連接未圖示於圖4～圖17中。
其次依據圖4說明上述液體處理裝置之過濾器裝置52a的構成。過濾器裝置52a主要係由下列者構成：過濾器52f，形成圓筒狀；保持部52i，以圍繞過濾器52f的方式予以保持；外壁部52o。又，過濾器52f的內周側設有由循環之光阻液L所充滿的空間部52s。過濾器裝置52a的外壁部52o與保持部52i之間設有光阻液通道52p。又，光阻液通道52p的二次側經由過濾器52f而與空間部52s連通。又，空間部52s的一次側及二次側係與第2處理液體供給管道51b連通，光阻液通道52p的二次側係與排放管51c連通。
其次參照圖3(a)至圖6說明上述液體處理裝置的動作態樣。另，圖5、圖6中有省略控制器200等控制系統。
‧對於緩衝槽之光阻液供給 首先，設置(安裝)光阻容器60之後，插設於第1氣體供給管道8a的切換閥V1與插設於第1處理液體供給管道51a的開關閥V2依據來自控制器200的控制信號而開啟，藉由從Ｎ2氣體供給源62供給至光阻容器60內的Ｎ2氣體之加壓，將光阻液L供給至緩衝槽61內。此時，切換閥V3切換至大氣部63側，緩衝槽61內係連通於大氣。
‧光阻液之Ｎ2加壓-光阻液流出 如圖5所示，於緩衝槽61內供給(補充)既定量之光阻液L時，依據來自接收有來自上限液面感測器61a偵測信號的未圖示之控制器的控制信號，使切換閥V1與開關閥V2關閉，並且使切換閥V3切換至Ｎ2氣體供給源62側。藉此，從Ｎ2氣體供給源62將Ｎ2氣體供給至緩衝槽61內，另一方面，第2處理液體供給管道51b之供給控制閥57開啟，對於泵P進行驅動，藉以將光阻液L從處理液體供給噴嘴7a流出(供給)至晶圓Ｗ並施加處理(處理液體供給步驟)。此時，開關閥V4a、V5a、V5b依據來自未圖示的控制器之信號而開啟，使得溶存於過濾器裝置52a、第1分離槽53、第2分離槽54中的氣泡經由排放管51c、51d、51h而排出至外部。
‧光阻液之循環 其次說明經由供給管道51與循環管道55來進行的光阻液L之循環。如圖6所示，從處理液體供給噴嘴7d將光阻液供給至晶圓Ｗ時，藉由來自未圖示的控制器之信號使供給控制閥57關閉，以停止從處理液體供給噴嘴7a對於晶圓Ｗ的光阻液L之供給(閒置狀態)。在此閒置狀態下，藉由來自未圖示的控制器之信號使循環控制閥56開啟。
在使插設於第2處理液體供給管道51b的供給控制閥57關閉，並使插設於循環管道55的循環控制閥56開啟的狀態下對於泵P進行驅動時，滯留於過濾器裝置52a的光阻液L經由第1分離槽53、第2分離槽54流入至循環管道55，流入至循環管道55的光阻液L流入至過濾器裝置52a的一次側之第2處理液體供給管道51b。所以，從處理液體供給噴嘴7d將處理液體供給至晶圓Ｗ時，使供給控制閥57關閉並且使循環控制閥56開啟，對於泵P進行驅動，藉以在第2處理液體供給管道51b與循環管道55之間使光阻液L(循環步驟)進行循環。並且，於循環步驟完成之後進行處理液體供給步驟。
藉由如此方式構成，可在從處理液體供給噴嘴7d將光阻供給至晶圓Ｗ，並停止從處理液體供給噴嘴7a對於晶圓Ｗ的光阻液L之供給的狀態(閒置狀態)下，使得滯留於過濾器裝置52a的光阻液L經由第2處理液體供給管道51b與循環管道55而進行循環。所以，即使在停止從處理液體供給噴嘴7a對於晶圓Ｗ進行光阻液L之供給的閒置狀態下，也能在處理液體之供給時不進行模擬流出而抑制光阻液L中的微粒之增加。因此能有效率地抑制光阻液L的微粒之增加而不會無謂地消耗光阻液L。
另，在安裝光阻容器60之後到處理液體供給步驟開始為止之閒置狀態的時間較長之情形，亦宜在處理液體供給步驟開始之前進行循環步驟。藉由如此在處理液體供給步驟開始之前進行循環步驟，因為可抑制處理液體供給步驟開始之前的光阻液L中之微粒的增加，所以能有效率地抑制光阻液L的微粒之增加而不會無謂地消耗光阻液L。
在此，在第2處理液體供給管道51b與循環管道55之間的光阻液L之循環宜以15分左右的間隔進行。藉由以既定間隔來進行此光阻液L之循環，因為能經常抑制光阻液L往過濾器裝置52a的滯留，所以在閒置狀態結束並從處理液體供給噴嘴7a將光阻液L流出(供給)至晶圓Ｗ時，能將光阻液L供給至晶圓Ｗ而不進行液體處理裝置5所致的光阻液L之循環。因此，能縮短將光阻液L供給至晶圓Ｗ之步驟所須的時間。
＜第2實施形態＞ 以下依據圖7說明本發明之液體處理裝置的第2實施形態。另，第2實施形態中，與第1實施形態相同的構成，於相同部分標註相同符號並省略說明。
第2實施形態之循環管道55，將泵P的二次側之第2處理液體供給管道51b與緩衝槽61經由第2分離槽54而加以連接。所以，在使供給控制閥57與切換閥V1關閉並使循環控制閥56開啟的狀態下對於泵P進行驅動，將泵P所吸入的光阻液L經由循環管道55而貯存至緩衝槽61。另，循環管道55亦可係將泵的流出口與緩衝槽61加以連接者。
藉由如此方式構成，與第1實施形態同樣地，即使在閒置狀態下，也能在處理液體之供給時不進行模擬流出而抑制光阻液L中的微粒之增加。所以能有效率地抑制光阻液L之微粒的增加而不會無謂地消耗光阻液L。又，與第1實施形態同樣地，可在閒置狀態結束而從處理液體供給噴嘴7a將光阻液L流出(供給)至晶圓Ｗ時，將光阻液L供給至晶圓Ｗ而不用進行液體處理裝置5所致的光阻液L之循環。因此，能縮短將光阻液L供給至晶圓Ｗ之步驟所須的時間。
＜第3實施形態＞ 以下依據圖8說明本發明之液體處理裝置的第3實施形態。另，在第3實施形態中與第1實施形態相同的構成，於相同部分標註相同符號並省略說明。
第3實施形態所用的膜泵P形成有1處吸入口，用來吸入一次側之第2處理液體供給管道51b內的處理液體，並形成有2處流出口，用來將處理液體流出至二次側之第2處理液體供給管道51b與循環管道55內。該吸入口設有：電磁式開關閥V33(吸入側之開關閥V33)，依據來自控制器200的信號而進行運作，藉以使光阻液L可從一次側之第2處理液體供給管道51b往膜泵P流入。又，此流出口設有：電磁式開關閥V34(第1開關閥V34)，依據來自控制器200的信號進行運作，藉以可選擇性使光阻液L從膜泵P往處理液體供給噴嘴7a流出；及電磁式開關閥V35(第2開關閥V35)，可選擇性使光阻液L供給往膜泵P的循環管道55與泵P內的氣體之排出。吸入側的開關閥V33、第1開關閥V34、第2開關閥V35係與泵室72連通。
運作室73連接有：驅動機構74，其具有依據來自控制器200的信號而控制運作室73內的氣體之減壓及加壓的電動氣動調整器。吸入側之開關閥V33、第1開關閥V34、第2開關閥V35係依據來自控制器200的信號所控制。
在第1實施形態及第2實施形態中，循環管道55設有循環控制閥56，但在第3實施形態中循環管道55並未設有循環控制閥56。又，在第1實施形態及第2實施形態中，第2分離槽54係插設於泵P的二次側之第2處理液體供給管道51b，但在第3實施形態並未插設有第2分離槽。又，在第3實施形態中，循環管道55係將經由第2開關閥V35而連通的泵P之流出口與過濾器裝置52a的一次側之第2處理液體供給管道51b加以連接。
其次說明第3實施形態中的光阻液L之循環。在閒置狀態中，依據來自控制器200的信號使第1開關閥V34及供給控制閥57關閉並使吸入側的開關閥V33及第2開關閥V35開啟。在此狀態下，對於膜泵P進行驅動時，滯留於過濾器裝置52a的光阻液L經由第1分離槽53流入至循環管道55，而流入至循環管道55的光阻液L流入至過濾器裝置52a的一次側之第2處理液體供給管道51b。
藉由如此方式構成，與第1實施形態同樣地，即使在閒置狀態下，也能在處理液體供給時不進行模擬流出而抑制光阻液L中的微粒之增加。所以能有效率地抑制光阻液L的微粒之增加而不會無謂地消耗光阻液L。又，與第1實施形態同樣地，可在閒置狀態結束並將光阻液L從處理液體供給噴嘴7a流出(供給)至晶圓Ｗ時，不進行液體處理裝置5所致的光阻液L之循環而將光阻液L供給至晶圓Ｗ。因此，能縮短將光阻液L供給至晶圓Ｗ之步驟所須的時間。
＜第4實施形態＞ 以下依據圖9說明本發明之液體處理裝置的第4實施形態。另，在第4實施形態中，與第3實施形態相同的構成，於相同部分標註相同符號並省略說明。
第4實施形態中的循環管道55係由第1循環管道55a與第2循環管道55b所構成，第1循環管道55a將第1分離槽53與泵P加以連接，第2循環管道55b將第1分離槽53與過濾器裝置52a的一次側之第2處理液體供給管道51b加以連接。又，第2循環管道55b設有：循環控制閥56，依據來自控制器200的信號而運作，藉以使從膜泵P往過濾器裝置52a之流通成為可能。
其次說明第4實施形態中的光阻液L之循環。在閒置狀態中，依據來自控制器200的信號使第1開關閥V34及供給控制閥57關閉，並使吸入側之開關閥V33及第2開關閥V35開啟。在此狀態下對於膜泵P進行驅動時，滯留於過濾器裝置52a的光阻液L經由第1分離槽53、泵P而流入至第1循環管道55a，流入至第1循環管道55a的光阻液L經由第1分離槽53、第2循環管道55b而流入至過濾器裝置52a的一次側之第2處理液體供給管道51b。
藉由如此方式構成，與第3實施形態同樣地，即使在閒置狀態下，也能在處理液體之供給時不進行模擬流出而抑制光阻液L中的微粒之增加。所以能有效率地抑制光阻液L的微粒之增加而不會無謂地消耗光阻液L。又，與第3實施形態同樣地，可在閒置狀態結束並從處理液體供給噴嘴7a將光阻液L流出(供給)至晶圓Ｗ時，不進行液體處理裝置5所致的光阻液L之循環而將光阻液L供給至晶圓Ｗ。因此，可縮短將光阻液L供給至晶圓Ｗ之步驟所須的時間。
＜第5實施形態＞ 以下依據圖10、圖11(a)、圖11(b)說明本發明之液體處理裝置的第5實施形態。另，在第5實施形態中，與第1實施形態相同的構成，於相同部分標註相同符號並省略說明。
第5實施形態的液體處理裝置5係於循環管道55與第2處理液體供給管道51b之連接點的二次側、且為過濾器裝置52a的一次側之第2處理液體供給管道51b插設有脫氣機構80。
脫氣機構80如圖11(a)、(b)所示，具有容器81及半透膜管82，並構成為去除存在於光阻液L中的氣體。又，容器81具有連接於第2處理液體供給管道51b的流入用埠口83及流出用埠口84。又，容器81具有：排氣用埠口85，連接有用來將存在於光阻液L中的氣體排出至外部的排出管86。另，排出管86連接於未圖示的排氣泵。
另一方面，半透膜管82配置於容器81內，且連接於兩埠口83、84。並且，全體藉由例如四氟化乙烯類或聚烯烴類的中空絲膜所形成。因此，在泵P的驅動時使光阻液L流入至半透膜管82內，對於未圖示的排氣泵進行驅動來對於容器81內的半透膜管82周邊之空氣進行排氣，藉以將半透膜管82周邊之空氣減壓，可使光阻液L中的氣體顯現。顯現的氣體藉由上述排氣泵之驅動經由排出管86而排出至外部。
藉由如此方式構成，因為可藉由脫氣機構80來將溶存於光阻液L中的氣體排出至外部，所以能對於在供給管道51或循環管道55循環之光阻液L中的氣體進行脫氣(脫氣步驟)。因此，能抑制氣體往供給至晶圓Ｗ的光阻液L之混入。
又，藉由如此方式構成，與第1實施形態同樣地，即使在閒置狀態下，也能在處理液體之供給時不進行模擬流出而抑制光阻液L中的微粒之增加。所以能有效率地抑制光阻液L的微粒之增加而不會無謂地消耗光阻液L。又，與第1實施形態同樣地，可在閒置狀態結束並從處理液體供給噴嘴7a將光阻液L流出(供給)至晶圓Ｗ時，不進行液體處理裝置5所致的光阻液L之循環，而將光阻液L供給至晶圓Ｗ。因此，能縮短將光阻液L供給至晶圓Ｗ之步驟所須的時間。
＜第6實施形態＞ 以下依據圖12、圖13說明本發明之液體處理裝置的第6實施形態。另，在第6實施形態中，與第1實施形態相同的構成，於相同部分標註相同符號並省略說明。
第6實施形態的液體處理裝置5包含使過濾器裝置52a內的處理液體進行超音波振動之振動體58。此時，振動體58如圖13所示，例如主要由下列者所構成：振動板58a，黏接於過濾器裝置52a的底面；及超音波產生器58b，對於振動板58a進行驅動，並包含超音波電源58c。超音波產生器58b係與控制器200電性連接，依據來自控制器200的控制信號而進行驅動控制。又，就振動體58而言，例如使用超音波振盪器。
過濾器裝置52a的內側設有用來去除異物的過濾器52f。依據來自控制器200的控制信號而將振動板58a之振動給予至此過濾器52f，藉以能防止光阻液L在過濾器52f的滯留，能有效率地防止滯留於過濾器52f之光阻液L的微粒之增加。
又，藉由此種方式構成，與第1實施形態同樣地，即使在閒置狀態下也能在處理液體供給時不進行模擬流出而抑制光阻液L中的微粒之增加。所以，能有效率地抑制光阻液L的微粒之增加而不會無謂地消耗光阻液L。又，與第1實施形態同樣地，可在閒置狀態結束並從處理液體供給噴嘴7a將光阻液L流出(供給)至晶圓Ｗ時，不進行液體處理裝置5所致的光阻液L之循環而將晶圓Ｗ供給至光阻液L。因此，能縮短將光阻液L供給至晶圓Ｗ之步驟所須要的時間。
＜第7實施形態＞ 以下依據圖14、圖15說明本發明之液體處理裝置的第7實施形態。另，在第7實施形態中，與第1實施形態相同的構成，於相同部分標註相同符號並省略說明。
第7實施形態之液體處理裝置5係在第1實施形態之液體處理裝置，配設加上以下者：溫度感測器59a，偵測過濾器裝置52a內的光阻液L之溫度；及調溫器59b，控制過濾器裝置52a內的光阻液L之溫度。溫度感測器59a係設於過濾器裝置52a的二次側之第2處理液體供給管道51b。又，調溫器59b安裝成包覆過濾器裝置52a。溫度感測器59a、調溫器59b、調溫電源59c係連接於控制器200。就溫度感測器59a而言，例如使用熱敏電阻。又，就調溫器59b而言，例如使用熱電對。
就調溫器59b之溫度控制而言，進行下述控制：在溫度感測器59a所偵測的過濾器裝置52a內的光阻液L之溫度係於既定溫度以下，例如22℃以下時，將控制信號從控制器200傳達至調溫器59b，藉以使過濾器裝置52a內的光阻液L之溫度上昇至40℃。
藉由如此方式構成，因為可偵測滯留於過濾器裝置52a的光阻液L之溫度，並藉由調溫器59b及控制器200來控制光阻液L之溫度，所以能將溫度所致的光阻液L之黏性保持在既定値以下，抑制光阻液L滯留於過濾器裝置52a。因此，能有效率地防止滯留於過濾器裝置52a之光阻液L中的微粒之增加。
又，藉由如此方式構成，與第1實施形態同樣地，即使在閒置狀態下，也能在處理液體之供給時不進行模擬流出而抑制光阻液L中的微粒之增加。所以能有效率地抑制光阻液L的微粒之增加而不會無謂地消耗光阻液L。又，與第1實施形態同樣地，可在閒置狀態結束並從處理液體供給噴嘴7a將光阻液L流出(供給)至晶圓Ｗ時，不進行液體處理裝置5所致的光阻液L之循環而將光阻液L供給至晶圓Ｗ。因此，能縮短將光阻液L供給至晶圓Ｗ之步驟所須的時間。
＜第8實施形態＞ 以下依據圖16說明本發明之液體處理裝置的第8實施形態。另，在第8實施形態中，與第1實施形態相同的構成，於相同部分標註相同符號並省略說明。
第8實施形態的液體處理裝置5係將設於第1實施形態之液體處理裝置5的過濾器裝置串聯設置多數個，例如連接有2個。各過濾器裝置52a、52b的頂部設有用來對於過濾器裝置52a、52b內的環境蒙氣進行排氣之排放管51c、51e，排放管51c、51e插設有電磁式開關閥V4a、V4b。在第8實施形態中串聯連接有2個過濾器裝置52a、52b，亦可串聯連接3個以上。另，在第8實施形態中，因為其他部分係與第1實施形態相同，所以於相同部分標註相同符號並省略說明。
相較於在第2處理液體供給管道51b設有一個過濾器裝置52a之情況而言，藉由如此方式構成，能去除更多異物(微粒及氣泡)。
又，藉由此種方式構成，與第1實施形態同樣地，即使在閒置狀態で下，也能在處理液體之供給時不進行模擬流出而抑制光阻液L中的微粒之增加。所以，能有效率地抑制光阻液L的微粒之增加而不會無謂地消耗光阻液L。又，與第1實施形態同樣地，可在閒置狀態結束並從處理液體供給噴嘴7a將光阻液L流出(供給)至晶圓Ｗ時，不進行液體處理裝置5所致的光阻液L之循環而將光阻液L供給至晶圓Ｗ。因此，能縮短將光阻液L供給至晶圓Ｗ之步驟所須的時間。
＜第9實施形態＞ 以下依據圖17說明本發明之液體處理裝置的第9實施形態。另，在第9實施形態中，與第1實施形態相同的構成，於相同部分標註相同符號並省略說明。
第9實施形態的液體處理裝置5係在第1實施形態的液體處理裝置5之外，還加上於供給控制閥57的二次側之第2處理液體供給管道51b插設有過濾器裝置52c。換言之，此過濾器裝置52c係插設於處理液體供給噴嘴7a附近的第2處理液體供給管道51b。又，過濾器裝置52c的頂部形成有使過濾器裝置52c所分離的氣泡回到緩衝槽61的回通管道51f，此回通管道51f連接於緩衝槽61的頂部。又，回通管道51f插設有電磁式開關閥V7，此開關閥V7依據來自控制器200的控制信號而開閉。另，在第9實施形態中，因為其他部分係與第1實施形態相同，所以於相同部分標註相同符號並省略說明。
藉由如此方式構成，因為將光阻液L供給(流出)至晶圓Ｗ時，光阻液L通過過濾器裝置52c，所以能去除在過濾器裝置52a或第1分離槽53、第2分離槽54未完全去除的光阻液L中之異物(微粒及氣泡)。
又，藉由如此方式構成，與第1實施形態同樣地，即使在閒置狀態下，也能在處理液體之供給時不進行模擬流出而抑制光阻液L中的微粒之增加。所以能有效率地抑制光阻液L的微粒之增加而不會無謂地消耗光阻液L。又，與第1實施形態同樣地，能在閒置狀態結束並從處理液體供給噴嘴7a將光阻液L流出(供給)至晶圓Ｗ時，不進行液體處理裝置5所致的光阻液L之循環而能將光阻液L供給至晶圓Ｗ。因此，能縮短將光阻液L供給至晶圓Ｗ之步驟所須的時間。
＜第10實施形態＞ 以下依據圖18～圖21說明本發明之液體處理裝置的第10實施形態。
圖18所示的液體處理裝置5，係將第3開關閥V6插設於過濾器裝置52a的一次側、且為與第2循環管道55b之連接部的二次側之第2處理液體供給管道51b。又，在第10實施形態中設有：未圖示之液位感測器，偵測貯存於第1分離槽53中的光阻液L之液面水準。
如圖19所示，上述膜泵P係藉由可撓性構件，即藉由膜71區分成：相當於泵部分的泵室72；及相當於驅動部分的運作室73；且泵室72設有：一次側連通道72a，連接於過濾器裝置52a側；二次側連通道72b，經由第1開關閥V34而連接於處理液體供給噴嘴7a側；循環兼排氣側連通道72c，經由第2開關閥V35而連接於第1循環管道55a。
又，運作室73連接有驅動機構。亦即設有連通至運作室73的給排道73a，該給排道73a連接有：管道76，經由給排切換閥V36而選擇性連通至空氣加壓源75a(以下稱為加壓源75a)與減壓源75b。此時，管道76藉由下列者所形成：主管道76a，連接至運作室73；排氣管道76b，從該主管道76a分歧，並連接至減壓源75b；及加壓管道76c，連接至加壓源75a。主管道76a插設有流量計77，即流量感測器，並以連成壓力調整機構78形成：插設於排氣管道76b的壓力調整機構，調整排氣壓；及插設於加壓管道76c的壓力調整機構，調整加壓，即空氣壓。此時，連成壓力調整機構78藉由電動氣動調整器所形成，其包含：共通連通區塊78a，選擇性連接至排氣管道76b與加壓管道76c；2個停止區塊78b、78c，將與排氣管道76b或加壓管道76c之連通予以阻斷；及電磁切換部78d，切換操作連通區塊78a、停止區塊78b、78c。又，連成壓力調整機構78(以下稱為電動氣動調整器78)設有壓力感測器79，並藉由壓力感測器79來偵測管道76所連接的運作室73內之壓力。
在如上述方式構成的連接於膜泵P之運作室73側的運作空氣之給排部中，構成驅動機構的上述流量計77、壓力感測器79及電動氣動調整器78係分別與控制器200電性連接。並且形成為，將流量計77所偵測的管道76內之排氣流量與壓力感測器79所偵測的管道76內之壓力傳達(輸入)至控制器200，並將來自控制器200的控制信號傳達(輸出)至電動氣動調整器78。
其次，依據圖20、21說明使膜泵內的光阻液L中之氣體顯現並使已顯現的氣體流出至外部之步驟。另，開關閥V4a、V5a、吸入側之開關閥V33、第1開關閥V34、第2開關閥V35、給排切換閥V36、循環控制閥56係連接於圖18所示的控制器200，並依據來自此控制器200的控制信號進行開閉動作。
如圖20(a)所示，第1分離槽53藉由未圖示的液位感測器而設有感測線I1，其設定光阻液L之貯存量的上限，光阻液L超過感測線I1時使第3開關閥V6關閉，藉以結束光阻液L對於泵室72及第1分離槽53之補充。此時，第1分離槽53的頂部形成有氣層，泵室72內充滿光阻液L。
其次，藉由在吸入側之開關閥V33、第1開關閥V34、第2開關閥V35、開關閥V4a、V5a、循環控制閥56關閉的狀態下對於運作室73內的空氣進行排氣，使泵室72成為負壓。藉由使泵室72成為負壓，使流入至泵室72的光阻液L中存在的微小氣泡顯現(氣泡顯現步驟)。
在此，上述氣泡顯現步驟亦可係在吸入側之開關閥V33開啟，第1開關閥V34、第2開關閥V35、開關閥V4a、V5a、循環控制閥56關閉的狀態下對於運作室73內的空氣進行排氣。藉由在吸入側之開關閥V33開啟的狀態下對於運作室73內的空氣進行排氣，能減少在使補充至泵室72及第1分離槽53內的光阻液L之氣泡顯現時所必須的膜泵P排氣量。
在此，說明可藉由在吸入側之開關閥V33開啟的狀態下對於運作室73內的空氣進行排氣來減少膜泵P排氣量之理由。若隨著運作室73內的空氣之排氣使泵室72的體積增加，則泵室72及第1分離槽53內的光阻液L之體積幾乎不改變，而第1分離槽53內的氣層之體積增加。因此，此氣層的壓力係隨著體積之增加而減少。又，因為與此氣層相接的光阻液L之壓力係與氣層之壓力均等，所以光阻液L之壓力亦減少。因為可溶入至光阻液L內的微小氣泡係隨著光阻液L之壓力減少而減少，所以藉由使光阻液L之壓力減少來使無法溶入的氣泡顯現。
所以，藉由在吸入側的開關閥V33開啟的狀態下對於運作室73內的空氣進行排氣，即使係排氣量小的膜泵亦能使存在於光阻液L的微小氣泡顯現。
其次，如圖20(b)所示，於使吸入側之開關閥V33關閉的狀態下使第2開關閥V35與循環控制閥56開啟，並於給排切換閥V36切換至加壓源75a側狀態下，將電動氣動調整器78連通至加壓側，將空氣供給至運作室73內。藉由將空氣供給至運作室73內使流入至泵室72的光阻液L中已顯現的氣泡移動至貯存於第1分離槽53的光阻液L(氣泡移動步驟)。在此，因為開關閥V5a係關閉，所以移動至第1分離槽53的氣泡成為第1分離槽53頂部的氣層，使第1分離槽53內的光阻液L受到加壓。因此，貯存於第1分離槽53的光阻液L有一部分流通至第2循環管道55b，貯存於第1分離槽53的光阻液L之貯存量減少。
藉由進行多數次氣泡顯現步驟及氣泡移動步驟，貯存於第1分離槽53的光阻液L之貯存量成為未圖示的液位感測器所偵測的感測線I2以下時，如圖21所示，在使循環控制閥56關閉的狀態下使開關閥V5a開啟，將第1分離槽53內的氣泡經由排放管51d而排出至外部(脫氣步驟)。此時，第3開關閥V6開啟，貯存於緩衝槽61的光阻液L之一部分經由第2處理液體供給管道51b而流入至第1分離槽53。第3開關閥V6在流入至第1分離槽53的光阻液L之液面到達感測線I1時關閉，使光阻液L往第1分離槽53之流入結束。
藉由如此方式構成，可使補充至膜泵P內的光阻液L中所溶存的氣體顯現再進行脫氣。因此，能抑制氣體往供給至晶圓W的光阻液L之混入。
又，因為重複進行如此氣泡顯現步驟及脫氣步驟，所以能有效地進行貯存於泵室72及第1分離槽53的光阻液L中所存在的氣泡之去除。
＜第11實施形態＞ 以下依據圖22說明本發明之液體處理裝置所連接的液體處理單元。液體處理裝置5所連接的液體處理單元100如圖22所示，包含：惰性氣體例如氮氣(N2)供給源101；光阻容器102，貯存光阻液L；緩衝槽103，暫時貯存從光阻容器102導引的處理液體；2個泵P1、P2，使貯存於緩衝槽103的光阻液L流出；及4個過濾器裝置104a～104d(以下以過濾器裝置104為代表)，設於泵P1、P2的二次側。在此實施形態中泵P1、P2係使用膜泵。
又，過濾器裝置104的二次側隔著電磁式開關閥V8而設有光阻容器60。此光阻容器60的二次側設有從第1實施形態至第10的實施形態中上述的第1處理液體供給管道51a、液體處理裝置5、處理液體供給噴嘴7等。
光阻容器102的一次側設有與Ｎ2氣體供給源101連接的第3氣體供給管道110a。此第3氣體供給管道110a的Ｎ2氣體供給源101與光阻容器102之間插設有電磁式切換閥V9。又，第3氣體供給管道110a的Ｎ2氣體供給源101與光阻容器102之間插設有壓力控制閥V10，並且設有壓力計105。又，第3氣體供給管道110a的壓力控制閥V10與切換閥V9之間連接有氣體排放管道110b，此氣體排放管道110b插設有洩壓閥V11。
又設有：第4氣體供給管道110c，一端從第3氣體供給管道110a分歧，另一端連接於緩衝槽103的頂部。此第4氣體供給管道110c插設有：開關閥V12，可將緩衝槽103內切換連通至向大氣開放的大氣部106或Ｎ2氣體供給源101。又，第4氣體供給管道110c插設有電磁式的開關閥V13及單向閥V14。
光阻容器102的二次側設有與緩衝槽103連接的第3處理液體供給管道111a。此第3處理液體供給管道111a插設電磁式開關閥V15。
緩衝槽103的二次側設有第4處理液體供給管道111b。第4處理液體供給管道111b插設有電磁式開關閥V8、V16、泵P1、P2、過濾器裝置104、光阻容器60。泵P1、P2係並聯地插設於過濾器裝置104的一次側之第4處理液體供給管道111b，並於泵的一次側及二次側分別設有單向閥V17～V20。另，開關閥V16與將泵P1、P2加以連接的第4處理液體供給管道111b之開關閥V16的二次側插設有開關閥V27並連接有排放管道111d。
又，過濾器裝置104a～104d係於泵P1、P2的二次側之第4處理液體供給管道111b串聯地插設有4個。各過濾器裝置104a～104d的頂部設有排放管道112a～112d，此等排放管道112a～112d插設有對應於各過濾器裝置104a～104d的電磁式開關閥V21～V24。
從過濾器裝置104的二次側之第4處理液體供給管道111b分歧出回通管道111c。此回通管道111c連接於緩衝槽103的頂部。又，回通管道111c連接有排放管道112。又，回通管道111c插設有電磁式開關閥V25、V26。
排放管道112插設有電磁式開關閥V28。此開關閥V28的一次側之排放管道112插設有：電磁式開關閥V29，可使經由過濾器裝置104而供給的光阻液L切換連通至經由大氣部107的排放口或至回通管道111c。
上述開關閥V12、V29，開關閥V13、V15、V16、V21～V28係與未圖示的控制器電性連接，並依據來自該控制器之控制信號而進行切換動作或開閉動作。另，緩衝槽103係與緩衝槽61同樣地設有上限液面感測器103a及下限液面感測器103b，並形成將此等上限液面感測器103a及下限液面感測器103b所偵測的信號傳達至未圖示的控制器。
其次說明液體處理單元之動作態樣。
‧對於緩衝槽之光阻液供給 首先，設置光阻容器102之後，依據來自未圖示之控制器的控制信號，使插設於第3氣體供給管道110a的切換閥V9與插設於第3處理液體供給管道111a的開關閥V15開啟，並藉由從Ｎ2氣體供給源101供給至光阻容器102內的Ｎ2氣體之加壓將光阻液L供給至緩衝槽103內。此時，開關閥V12係切換至大氣部106側，緩衝槽103內係連通於大氣。將從光阻容器102供給的光阻液L經由第3處理液體供給管道111a而供給(補充)至緩衝槽103時，光阻液L藉由與緩衝槽103內的氣體(大氣)接觸，使光阻液L之大氣接觸面積增大以使光阻液L中所溶存的氣體顯現而產生或容易產生氣泡。
‧光阻液之循環 其次說明經由第4處理液體供給管道111b與回通管道111c而進行的光阻液L之循環。將既定量之光阻液L供給(補充)至緩衝槽103內時，依據來自接受了來自上限液面感測器103a的偵測信號之未圖示的控制器之控制信號，使開關閥V15關閉並且使開關閥V16開啟。
光阻液L進行循環時，藉由對於泵P1、P2交互進行驅動，使貯存於緩衝槽103的光阻液L經由過濾器裝置104而流入至回通管道111c。又，流入至回通管道111c的光阻液L流入至緩衝槽103。所以，光阻液L在第4處理液體供給管道111b與回通管道111c之間進行循環，將藉由通過過濾器裝置104而去除微粒及氣泡的光阻液L貯存於緩衝槽103。
‧光阻液之Ｎ2加壓-光阻容器供給 以下說明從緩衝槽103往光阻容器60之對於光阻液L之供給。從緩衝槽103將光阻液L供給至光阻容器60時，依據來自未圖示的控制器之控制信號，使切換閥V9、開關閥V15關閉並且使開關閥V13開啟，開關閥V13切換至Ｎ2氣體供給源101側。藉此，從Ｎ2氣體供給源101將Ｎ2氣體供給至緩衝槽103內，另一方面使第4處理液體供給管道111b的開關閥V8、V16開啟，對於泵P1、P2進行驅動，藉以將光阻液L供給至過濾器裝置104、光阻容器60。此時，溶存於過濾器裝置104中的氣泡係經由排放管道112a～112d而排出至大氣部107。又，供給至光阻容器60的光阻液L如第1實施形態所述，使光阻液L從處理液體供給噴嘴7a流出(供給)至晶圓Ｗ，或使光阻液L在供給管道51之循環管道55之間進行循環。
如此，因為具有於第4處理液體供給管道111b插設4個過濾器裝置104a～104d之構成，所以過濾貯存於緩衝槽103的光阻液L的時間，成為僅使用1個過濾器裝置之情形的4分之1。因此，能縮短光阻液L之循環所致的光阻液L內之微粒或氣泡之去除所須的時間。
＜其他實施形態＞ 另，在上述實施形態中，係說明將本發明之處理液體供給裝置應用於光阻塗佈處理裝置之情形，但亦可應用於光阻以外之處理液體例如顯影液等的供給裝置，或清洗處理之供給裝置。
又，亦可係將第1實施形態與第2實施形態至第10實施形態的至少其中之一加以組合之形態。藉此，能重疊防止光阻液L中的微粒之增加而不會無謂地消耗光阻液L。
1‧‧‧載體站
2‧‧‧處理部
3‧‧‧介面部
3A‧‧‧第1搬運室
3B‧‧‧第2搬運室
4‧‧‧曝光部
5‧‧‧液體處理裝置
7、7a～7d‧‧‧處理液體供給噴嘴
8a‧‧‧第1氣體供給管道
8b‧‧‧第2氣體供給管道
10‧‧‧載體
11‧‧‧載置部
12‧‧‧開閉部
14‧‧‧收納部
20‧‧‧框體
21‧‧‧分隔壁
22‧‧‧溫度濕度調節單元
23‧‧‧抗反射膜塗佈單元
24‧‧‧塗佈單元
25‧‧‧顯影單元
30A‧‧‧第1晶圓搬運部
30B‧‧‧第2晶圓搬運部
51‧‧‧供給管道
51a‧‧‧第1處理液體供給管道
51b‧‧‧第2處理液體供給管道
51c~51e、51h‧‧‧排放管
52a~52c‧‧‧過濾器裝置
52f‧‧‧過濾器
52i‧‧‧保持部
52o‧‧‧外壁部
52p‧‧‧光阻液通道
52s‧‧‧空間部
53‧‧‧第1分離槽
54‧‧‧第2分離槽
55‧‧‧循環管道
55a‧‧‧第1循環管道
55b‧‧‧第2循環管道
56‧‧‧循環控制閥
57‧‧‧供給控制閥
58‧‧‧振動體
59a‧‧‧溫度感測器
59b‧‧‧調溫器(溫度控制機構)
60‧‧‧光阻容器(處理液貯存容器)
61‧‧‧緩衝槽(處理液暫時貯存容器)
61a‧‧‧上限液面感測器
61b‧‧‧下限液面感測器
62‧‧‧N2氣體供給源
63‧‧‧大氣部
70‧‧‧噴嘴單元
71‧‧‧膜
72‧‧‧泵室(泵部分)
72a‧‧‧一次側連通道
72b‧‧‧二次側連通道
72c‧‧‧循環兼排氣側連通道
73‧‧‧運作室(驅動部分)
73a‧‧‧給排道
74‧‧‧驅動機構
75a‧‧‧加壓源
75b‧‧‧減壓源
76‧‧‧管道
76a‧‧‧主管道
76b‧‧‧排氣管道
76c‧‧‧加壓管道
77‧‧‧流量計
78‧‧‧連成壓力調整機構
78a‧‧‧連通區塊
78b、78c‧‧‧停止區塊
78d‧‧‧電磁切換部
79‧‧‧壓力感測器
80‧‧‧脫氣機構
81‧‧‧容器
82‧‧‧半透膜管
83‧‧‧流入用埠口
84‧‧‧流出用埠口
85‧‧‧排氣用埠口
86‧‧‧排出管
100‧‧‧液體處理單元
101‧‧‧氮氣供給源
102‧‧‧光阻容器
103‧‧‧緩衝槽
103a‧‧‧上限液面感測器
103b‧‧‧下限液面感測器
104、104a~104d‧‧‧過濾器裝置
105‧‧‧壓力計
106、107‧‧‧大氣部
110a‧‧‧第3氣體供給管道
110b‧‧‧氣體排放管道
110c‧‧‧第4氣體供給管道
111a‧‧‧第3處理液體供給管道
111b‧‧‧第4處理液體供給管道
111c‧‧‧回通管道
111d、112、112a~112d‧‧‧排放管道
200‧‧‧控制器(控制機構)
A1‧‧‧傳遞機構
A2、A3‧‧‧主要搬運機構
L‧‧‧光阻液(處理液體)
P、P1、P2‧‧‧泵
R‧‧‧電動氣動調整器
V1、V3‧‧‧切換閥
V2、V4a、V4b、V5a、V5b、V7~V9、V12、V13、V15、V16、V21~V29、V31、V32‧‧‧開關閥
V6‧‧‧第3開關閥
V10‧‧‧壓力控制閥
V11‧‧‧洩壓閥
V14、V17~V20‧‧‧單向閥
V33‧‧‧吸入側之開關閥
V34‧‧‧第1開關閥
V35‧‧‧第2開關閥
V36‧‧‧給排切換閥
W‧‧‧晶圓(被處理基板)
U1~U3‧‧‧棚架單元
U4、U5‧‧‧液體處理單元
圖1係顯示應用有本發明之液體處理裝置的將曝光處理裝置連接至塗佈、顯影處理裝置而成的處理系統之全體的概略立體圖。 圖2係上述處理系統之概略俯視圖。 圖3係顯示本發明之液體處理裝置的第1實施形態之概略剖視圖(a)及(a)的A部分概略剖視圖(b)。 圖4係顯示本發明之液體處理裝置的第1實施形態之過濾器裝置附近的放大概略剖視圖。 圖5係顯示上述液體處理裝置中的通常處理動作之概略剖視圖。 圖6係顯示上述液體處理裝置中的循環處理動作之概略剖視圖。 圖7係顯示本發明之液體處理裝置的第2實施形態之概略剖視圖。 圖8係顯示本發明之液體處理裝置的第3實施形態之概略剖視圖。 圖9係顯示本發明之液體處理裝置的第4實施形態之概略剖視圖。 圖10係顯示本發明之液體處理裝置的第5實施形態之概略剖視圖。 圖11係顯示本發明之液體處理裝置的第5實施形態之脫氣機構的全體之剖視圖(a)及(a)的B部分放大剖視圖(b)。 圖12係顯示本發明之液體處理裝置的第6實施形態之概略剖視圖。 圖13係顯示本發明之液體處理裝置的第6實施形態之過濾器裝置附近的放大概略剖視圖。 圖14係顯示本發明之液體處理裝置的第7實施形態之概略剖視圖。 圖15係顯示本發明之液體處理裝置的第7實施形態之過濾器裝置附近的放大概略剖視圖。 圖16係顯示本發明之液體處理裝置的第8實施形態之概略剖視圖。 圖17係顯示本發明之液體處理裝置的第9實施形態之概略剖視圖。 圖18係顯示本發明之液體處理裝置的第10實施形態之概略剖視圖。 圖19係顯示本發明之液體處理裝置的第10實施形態之泵附近的放大概略剖視圖。 圖20係顯示本發明之液體處理裝置的第10實施形態之氣泡顯現步驟(a)及脫氣步驟(b)的概略圖。 圖21係顯示本發明之液體處理裝置的第10實施形態中將處理液體補充至分離槽的動作之概略圖。 圖22係顯示本發明之液體處理裝置所連接的液體處理單元之概略剖視圖。
5‧‧‧液體處理裝置
7、7a~7d‧‧‧處理液體供給噴嘴
8a‧‧‧第1氣體供給管道
8b‧‧‧第2氣體供給管道
51‧‧‧供給管道
51a‧‧‧第1處理液體供給管道
51b‧‧‧第2處理液體供給管道
51c、51d、51h‧‧‧排放管
52a‧‧‧過濾器裝置
53‧‧‧第1分離槽
54‧‧‧第2分離槽
55‧‧‧循環管道
56‧‧‧循環控制閥
57‧‧‧供給控制閥
60‧‧‧光阻容器(處理液貯存容器)
61‧‧‧緩衝槽(處理液暫時貯存容器)
61a‧‧‧上限液面感測器
61b‧‧‧下限液面感測器
62‧‧‧N2氣體供給源
63‧‧‧大氣部
70‧‧‧噴嘴單元
71‧‧‧膜
72‧‧‧泵室(泵部分)
73‧‧‧運作室(驅動部分)
74‧‧‧驅動機構
200‧‧‧控制器(控制機構)
L‧‧‧光阻液(處理液體)
P‧‧‧泵
R‧‧‧電動氣動調整器
V1、V3‧‧‧切換閥
V2、V4a、V5a、V5b、V31、V32‧‧‧開關閥
V14、V17~V20‧‧‧單向閥
W‧‧‧晶圓(被處理基板)

Claims (8)

  1. 一種液體處理裝置，係連接於將處理液供給至被處理基板之處理液供給噴嘴，其特徵在於， 包含： 供給管道，將貯存該處理液體的處理液貯存容器與該處理液體供給噴嘴加以連接； 過濾器裝置，插設於該供給管道中，以過濾該處理液體，並去除混入於該處理液體中的異物； 泵，插設於該過濾器裝置的二次側之該供給管道中； 供給控制閥，插設於該泵的二次側之該供給管道中； 切換閥，設置於該過濾器裝置的一次側且為該處理液貯存容器的二次側之該供給管路；及 控制機構，控制該泵，該供給控制閥及該切換閥； 在關閉該供給控制閥及該切換閥之狀態下，利用該泵之驅動機構加以驅動而使該泵部分成為負壓，藉以使存在該處理液中的微小氣泡顯現。
  2. 一種液體處理裝置，係連接於將處理液供給至被處理基板之處理液供給噴嘴，其特徵在於， 包含： 供給管道，將貯存該處理液體的處理液貯存容器與該處理液體供給噴嘴加以連接； 過濾器裝置，插設於該供給管道中，以過濾該處理液體，並去除混入於該處理液體中的異物； 泵，插設於該過濾器裝置的二次側之該供給管道中； 供給控制閥，插設於該泵的二次側之該供給管道中；及 脫氣機構，對該處理液中的氣體進行脫氣，該脫氣機構係插設於該過濾器裝置的一次側之該供給管路中。
  3. 如申請專利範圍第1項記載之液體處理裝置，其中，更包含： 循環管道，將該泵之流出側與該過濾器裝置之吸入側加以連接；及 開關閥，設置於該泵之流出側，可選擇性供給該處理液至該循環管道； 該控制機構，控制該開關閥，且 藉由關閉該供給控制閥，而停止從該處理液供給噴嘴向該被處理基板供給處理液時，在關閉該開關閥及該切換閥之狀態下，利用該泵之驅動機構加以驅動而使該泵部分成為負壓，藉以使存在該處理液中的微小氣泡顯現，其後，打開該開關閥，並驅動該泵，而使該處理液在插設有該過濾器裝置之該供給管路與該循環管道之間循環。
  4. 如申請專利範圍第3項記載之液體處理裝置，其中，更包含： 吸入側開關閥，設置於該泵的吸入側，且 藉由該控制機構，在關閉該供給控制閥、該開關閥、該切換閥及該吸入側開關閥之狀態下，使該泵部分成為負壓。
  5. 如申請專利範圍第2項記載之液體處理裝置，其中，更包含： 循環管道，連接該泵之流出側與該脫氣機構之一次側；及 開關閥，設置於該泵之流出側，可選擇性供給該處理液至該循環管道； 該控制機構，控制該開關閥，且 藉由關閉該供給控制閥，而停止從該處理液供給噴嘴向該被處理基板供給處理液時，在關閉該開關閥之狀態下，利用該泵之驅動機構加以驅動而使該泵部分成為負壓，藉以使存在該處理液中的微小氣泡顯現，其後，打開該開關閥，並驅動該泵，而使該處理液在插設有該過濾器裝置之該供給管路與該循環管道之間循環。
  6. 一種液體處理方法，使用於液體處理裝置，該液體處理裝置，包含： 供給管路，其將貯存處理液之處理液貯存容器、與供給該處理液至被處理基板之處理液供給噴嘴，加以連接； 過濾器裝置，插設於該供給管道中，以過濾該處理液體，並去除混入於該處理液體中的異物； 泵，插設於該過濾器裝置的二次側之該供給管道中； 供給控制閥，插設於該泵的二次側之該供給管道中； 切換閥，設置於該過濾器裝置的一次側且為該處理液貯存容器的二次側之該供給管路；及 控制機構，控制該泵，該供給控制閥及該切換閥； 該液體處理方法，包含以下步驟： 脫氣步驟，在關閉該供給控制閥及該切換閥之狀態下，利用該泵之驅動機構加以驅動而使該泵部分成為負壓，藉以使存在該處理液中的微小氣泡顯現，並將顯現之氣泡排出至該供給管路的外部。
  7. 一種液體處理方法，使用於液體處理裝置，該液體處理裝置，包含： 供給管路，其將貯存處理液之處理液貯存容器、與供給該處理液至被處理基板之處理液供給噴嘴，加以連接； 過濾器裝置，插設於該供給管道中，以過濾該處理液體，並去除混入於該處理液體中的異物； 泵，插設於該過濾器裝置的二次側之該供給管道中； 供給控制閥，插設於該泵的二次側之該供給管道中；及 脫氣機構，對於該處理液中的氣體進行脫氣，該脫氣機構插設於該過濾器裝置的一次側之該供給管路中； 該液體處理方法，包含以下步驟： 利用該泵之驅動，藉由該脫氣機構使該處理液中的氣體進行脫氣，並將此進行脫氣後之該處理液供給至該過濾器裝置。
  8. 如申請專利範圍第6項記載之液體處理方法，其中，該液體處理裝置，更包含： 循環管道，連接該泵的流出側與該過濾器裝置的吸入側；及 開關閥，設置於該泵之流出側，可選擇性供給該處理液至該循環管道； 該控制機構，控制該開關閥，且 該液體處理方法，更包含以下步驟： 處理液供給步驟，打開該供給控制閥並關閉該開關閥，藉由使該泵驅動以供給該處理液至該被處理基板，及 循環步驟，在未進行該處理液供給步驟時，關閉該供給控制閥並打開該開關閥，藉由使該泵驅動，以使該處理液在該循環管道與該供給管路之間循環； 其中，該脫氣步驟，包含於該循環步驟。
TW104111353A 2012-02-27 2013-02-04 液體處理裝置及液體處理方法 TWI587901B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012039538 2012-02-27
JP2012288515A JP5439579B2 (ja) 2012-02-27 2012-12-28 液処理装置及び液処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201526971A true TW201526971A (zh) 2015-07-16
TWI587901B TWI587901B (zh) 2017-06-21

Family

ID=49082452

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104111353A TWI587901B (zh) 2012-02-27 2013-02-04 液體處理裝置及液體處理方法
TW102104190A TWI491432B (zh) 2012-02-27 2013-02-04 液體處理裝置及液體處理方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102104190A TWI491432B (zh) 2012-02-27 2013-02-04 液體處理裝置及液體處理方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US9731226B2 (zh)
JP (1) JP5439579B2 (zh)
KR (2) KR102030945B1 (zh)
CN (2) CN105413247B (zh)
TW (2) TWI587901B (zh)
WO (1) WO2013129252A1 (zh)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5956975B2 (ja) * 2012-02-27 2016-07-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP5741549B2 (ja) * 2012-10-09 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 処理液供給方法、処理液供給装置及び記憶媒体
JP6107690B2 (ja) * 2013-09-27 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 フィルタユニットの前処理方法、処理液供給装置、フィルタユニットの加熱装置
JP6020405B2 (ja) * 2013-10-02 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP5967045B2 (ja) * 2013-10-02 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP6013302B2 (ja) 2013-10-04 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 気泡除去方法、気泡除去装置、脱気装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN104570625A (zh) * 2013-10-17 2015-04-29 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种带有液体去泡功能的供给装置
JP2015106656A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 東京エレクトロン株式会社 フィルター装置
JP6032190B2 (ja) * 2013-12-05 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体
US20150209707A1 (en) * 2014-01-27 2015-07-30 Tokyo Electron Limited Active Filter Technology for Photoresist Dispense System
JP6370567B2 (ja) * 2014-03-13 2018-08-08 エイブリック株式会社 現像装置
KR200480178Y1 (ko) 2014-03-25 2016-04-20 이정란 포토레지스트 내의 기포를 제거할 수 있는 포토레지스트 도포 장치
JP6359925B2 (ja) * 2014-09-18 2018-07-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102343634B1 (ko) * 2014-12-30 2021-12-29 세메스 주식회사 액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
CN104562165B (zh) * 2014-12-31 2017-04-26 广东威迪科技股份有限公司 一种智能过滤控制系统
JP6222118B2 (ja) 2015-01-09 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 処理液濾過装置、薬液供給装置及び処理液濾過方法並びに記憶媒体
JP6244324B2 (ja) * 2015-03-24 2017-12-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP5991403B2 (ja) * 2015-04-21 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 フィルタウエッティング方法、フィルタウエッティング装置及び記憶媒体
JP6626322B2 (ja) * 2015-11-27 2019-12-25 Ckd株式会社 気体圧駆動機器、及びその制御方法
JP6726515B2 (ja) * 2016-04-26 2020-07-22 東京エレクトロン株式会社 フィルタ装置及び液処理装置
JP6803701B2 (ja) * 2016-08-23 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体
JP6942497B2 (ja) * 2016-09-08 2021-09-29 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置
US10518199B2 (en) 2016-09-08 2019-12-31 Tokyo Electron Limited Treatment solution supply apparatus
JP6484601B2 (ja) * 2016-11-24 2019-03-13 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 処理装置及び半導体装置の製造方法
CN106881219B (zh) * 2017-02-27 2019-06-04 安徽江淮汽车集团股份有限公司 一种汽车工厂用供胶系统
JP6817860B2 (ja) * 2017-03-21 2021-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
WO2018186211A1 (ja) * 2017-04-06 2018-10-11 東京エレクトロン株式会社 液供給装置および液供給方法
JP6900274B2 (ja) 2017-08-16 2021-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 薬液供給装置、基板処理装置、薬液供給方法、および基板処理方法
WO2019077802A1 (ja) * 2017-10-20 2019-04-25 株式会社島津製作所 脱気装置
WO2019117043A1 (ja) * 2017-12-12 2019-06-20 東京エレクトロン株式会社 液供給装置及び液供給方法
TWI800623B (zh) * 2018-03-23 2023-05-01 日商東京威力科創股份有限公司 液處理裝置及液處理方法
KR102099114B1 (ko) * 2018-04-16 2020-04-10 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7101036B2 (ja) 2018-04-26 2022-07-14 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP7112884B2 (ja) * 2018-05-24 2022-08-04 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN108565235B (zh) * 2018-05-31 2024-03-01 亚智系统科技(苏州)有限公司 用于扇出型晶圆级芯片的表面处理、封装系统及操作方法
JP7113671B2 (ja) * 2018-06-12 2022-08-05 東京エレクトロン株式会社 脱泡装置および脱泡方法
US10663865B2 (en) * 2018-06-29 2020-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist recycling apparatus
CN110875212B (zh) * 2018-08-31 2022-07-01 辛耘企业股份有限公司 基板处理装置
US11273396B2 (en) 2018-08-31 2022-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Liquid supply system with improved bubble venting capacity
JP6837037B2 (ja) * 2018-09-14 2021-03-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理装置、処理システム、および処理方法
KR102221258B1 (ko) 2018-09-27 2021-03-02 세메스 주식회사 약액 토출 장치
CN109445254A (zh) * 2018-11-16 2019-03-08 福建省福联集成电路有限公司 一种减少显影管路气泡的装置
CN109569081B (zh) * 2018-12-04 2021-02-26 惠科股份有限公司 过滤装置和光阻涂布系统
JP7163199B2 (ja) * 2019-01-08 2022-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7161955B2 (ja) * 2019-02-20 2022-10-27 東京エレクトロン株式会社 フィルタウェッティング方法及び処理液供給装置
KR20200126552A (ko) * 2019-04-30 2020-11-09 삼성전자주식회사 다중 필터들을 가진 레지스트 필터링 시스템 및 레지스트 코팅 설비
CN110197801A (zh) * 2019-05-14 2019-09-03 清华大学 一种基板处理液的存储装置和基板后处理设备
JP7339049B2 (ja) * 2019-07-26 2023-09-05 株式会社ディスコ 廃液処理装置
CN113341654B (zh) * 2020-02-18 2023-02-28 长鑫存储技术有限公司 一种光刻胶供给装置
CN111451061B (zh) * 2020-04-07 2021-12-31 芯米(厦门)半导体设备有限公司 双缓冲型光阻液喷涂系统
KR102585284B1 (ko) * 2020-12-28 2023-10-05 세메스 주식회사 액 공급 유닛 및 액 공급 방법
KR102654320B1 (ko) * 2022-05-09 2024-04-04 넥스콘테크놀러지 주식회사 기포 발생이 방지되는 pcb 코팅 시스템
CN116573603A (zh) * 2023-07-15 2023-08-11 太原众特电气技术有限公司 制动液加注系统的液体脱气装置、加注系统及脱气方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02281727A (ja) * 1989-04-24 1990-11-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd レジスト塗布装置
JPH05267149A (ja) 1992-03-19 1993-10-15 Fujitsu Ltd レジスト送液装置
JPH10180173A (ja) * 1996-12-24 1998-07-07 Sony Corp レジスト塗布装置
JP3280880B2 (ja) 1997-02-07 2002-05-13 東京エレクトロン株式会社 脱気機構およびそれを用いた処理装置
JPH11147068A (ja) * 1997-06-03 1999-06-02 Sony Corp 処理装置及び処理方法
JPH11147078A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Casio Comput Co Ltd 分類別処理装置およびそのプログラム記録媒体
JP3461725B2 (ja) * 1998-06-26 2003-10-27 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP4011210B2 (ja) * 1998-10-13 2007-11-21 株式会社コガネイ 薬液供給方法および薬液供給装置
TW504749B (en) * 1999-06-29 2002-10-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing method and apparatus for processing object in treatment liquid
JP3706294B2 (ja) * 2000-03-27 2005-10-12 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP3686822B2 (ja) 2000-05-19 2005-08-24 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置および現像処理方法
JP3947398B2 (ja) * 2001-12-28 2007-07-18 株式会社コガネイ 薬液供給装置および薬液供給方法
JP4723218B2 (ja) * 2004-09-10 2011-07-13 シーケーディ株式会社 薬液供給用ポンプユニット
JP4694377B2 (ja) * 2006-01-27 2011-06-08 シーケーディ株式会社 薬液供給システム
JP4969965B2 (ja) * 2006-09-22 2012-07-04 日東電工株式会社 脱気装置
JP4879253B2 (ja) * 2008-12-04 2012-02-22 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置
JP4975790B2 (ja) * 2009-08-20 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 レジスト液供給装置、レジスト液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2011088026A (ja) * 2009-10-20 2011-05-06 Shimadzu Corp 脱気装置
JP5857864B2 (ja) * 2012-04-23 2016-02-10 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013129252A1 (ja) 2013-09-06
CN105413247B (zh) 2017-09-08
JP2013211525A (ja) 2013-10-10
US20150000517A1 (en) 2015-01-01
KR101856285B1 (ko) 2018-05-09
KR102030945B1 (ko) 2019-10-10
TW201402185A (zh) 2014-01-16
TWI491432B (zh) 2015-07-11
US9731226B2 (en) 2017-08-15
US20180093205A1 (en) 2018-04-05
KR20180049223A (ko) 2018-05-10
US10022652B2 (en) 2018-07-17
US20170296944A1 (en) 2017-10-19
US9878267B2 (en) 2018-01-30
TWI587901B (zh) 2017-06-21
KR20140129040A (ko) 2014-11-06
CN105413247A (zh) 2016-03-23
CN104137225A (zh) 2014-11-05
JP5439579B2 (ja) 2014-03-12
CN104137225B (zh) 2016-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI587901B (zh) 液體處理裝置及液體處理方法
US11342198B2 (en) Processing liquid supplying apparatus and processing liquid supplying method
KR102091984B1 (ko) 처리액 공급 방법, 처리액 공급 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
JP5409957B1 (ja) 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体
JP6607820B2 (ja) フィルタ立ち上げ装置、処理液供給装置、治具ユニット、フィルタの立ち上げ方法
JP5524154B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法
JP5956975B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法
JP2016189493A (ja) 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体
JP2014082513A5 (zh)
JP5991403B2 (ja) フィルタウエッティング方法、フィルタウエッティング装置及び記憶媒体
JP3778495B2 (ja) 現像処理装置