JP6484601B2 - 処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

処理装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6484601B2
JP6484601B2 JP2016227995A JP2016227995A JP6484601B2 JP 6484601 B2 JP6484601 B2 JP 6484601B2 JP 2016227995 A JP2016227995 A JP 2016227995A JP 2016227995 A JP2016227995 A JP 2016227995A JP 6484601 B2 JP6484601 B2 JP 6484601B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exhaust
gas
processing apparatus
processing
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016227995A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018085451A (ja
Inventor
利彦 米島
利彦 米島
奥野　正則
正則 奥野
坂田　雅和
雅和 坂田
弘樹 岡宮
弘樹 岡宮
健 葛西
健 葛西
克明 野上
克明 野上
尾崎　貴志
貴志 尾崎
健司 金山
健司 金山
小川　雲龍
雲龍 小川
中嶋　誠世
誠世 中嶋
朋之 山田
朋之 山田
山田　正行
正行 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Priority to JP2016227995A priority Critical patent/JP6484601B2/ja
Priority to CN201711140466.1A priority patent/CN108109939B/zh
Priority to US15/820,793 priority patent/US10163663B2/en
Priority to KR1020170156165A priority patent/KR102079017B1/ko
Publication of JP2018085451A publication Critical patent/JP2018085451A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6484601B2 publication Critical patent/JP6484601B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

本発明は、処理ガスを用いて基板を処理する処理室を備えた処理装置、排気システム、及び半導体装置の製造方法に関する。
本発明に関連する半導体製造分野において、縦型の半導体製造装置(以下、装置ともいう)と該置に付随して設けられるポンプシステムは、それぞれ半導体製造工場内で装置は３階、ポンプシステムは１階(或いは２階)というように離されて設置されている。排気配管は、コンダクタンスの影響を避けるため、大型化、最短化された配管で、且つ、エルボ等の曲げが少ない配管が望ましい。但し、上述のように、工場内の３階の装置と１階のポンプ間をつなぐ必要があり、排気配管の大型化、最短化は、実現できていなかった。
従来のプロセスでは、排気配管のコンダクタンスによる影響は、さほど大きくなかったが、近年の大面積３Ｄ化デバイスに関するプロセスでは、排気の性能向上が重要視されてきている。つまり、枚葉の半導体製造装置と同様に、ポンプを処理室近傍に配置することが今後求められる。例えば、先行技術文献１には、処理室と開口を介して気密に連設する気密室(ロードロック室)と、該ロードロック室に直接取付けられる排気装置(ポンプ)とを具備し、処理室の雰囲気をポンプにより排気する構成が開示されている。
しかしながら、基板処理中にロードロック室に取り付けられたポンプで処理室の雰囲気を排気する先行技術文献１に記載されているような方法は現実的ではない。また、装置近傍にポンプを配置したときの装置運用上の種々(フットプリント、振動等)の影響が全く考慮されていない。
特開２００６−１９０８１２号
本発明の目的は、装置の排気性能を向上させつつ装置運用の妨げにならないような構成を提供することにある。
本発明の一態様によれば、
処理炉内に構成される処理室からガスを排気する排気ユニットと、振動を吸収する部材を介して排気ユニットに接続される排気装置と、を少なくとも備えた構成であって、排気装置は、処理炉と排気ユニットとそれぞれ同じフロアに、排気ユニットを介して処理炉近傍に立置きに設置される構成が提供される。
本発明によれば、装置の排気性能が格段に向上すると共に装置の運用効率が向上する。
本発明の一実施形態に好適に用いられる処理装置を示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係る処理装置の処理炉を示す縦断面図である。 本発明の一実施形態に好適に用いられるコントローラ構成の図示例である。 本発明の一実施形態に好適に用いられる基板処理装置の制御システムを示す図である。 本発明の一実施形態に係る処理装置のシステム構成を示す上面図である。 本発明の一実施形態に係る処理装置のシステムの配置を示す図である。 (ａ)本発明の一実施形態に係る処理装置のシステム構成を示す上面図である。(ｂ) 本発明の一実施形態に係る処理装置のシステム構成を示す側面図である。 本発明の一実施形態に好適に用いられる基板処理装置のシステム構成を示す図である。 (ａ)本発明の一実施形態に係る処理装置の排気配管構成を示す図である。(ｂ) 本発明の一実施形態に係る処理装置の排気配管構成を示す図である。 本発明の一実施形態に好適に用いられる排気装置を示す図である。 本発明の一実施形態に好適に用いられるシステム構成で省エネルギー化を説明するフロー図である。 本発明の一実施形態に好適に用いられるシステム構成でエラー処理制御を説明するフロー図である。 本発明の一実施形態に好適に用いられるシステム構成でポンプメンテナンス情報の監視を説明する図である。 本発明の一実施形態に好適に用いられる基板処理工程を示すフロー図である。 図１４に示す基板処理工程で実行されるプロセスレシピに占める排気工程の割合を示す図である。 (ａ)本発明の一実施形態に好適に用いられる処理装置のシステム構成の変形例を示す図である。(ｂ)本発明の一実施形態に好適に用いられる処理装置のシステム構成の変形例を示す図である。(ｃ)本発明の一実施形態に好適に用いられる処理装置のシステム構成の変形例を示す図である。 (ａ)本発明の一実施形態に好適に用いられる処理装置のシステム構成の変形例を示す上面図である。(ｂ)本発明の一実施形態に好適に用いられる処理装置のシステム構成の変形例を示す側面図である。 (ａ)本発明の一実施形態に好適に用いられる処理装置のシステム構成の変形例を示す上面図である。(ｂ)本発明の一実施形態に好適に用いられる処理装置のシステム構成の変形例を示す側面図である。(ｃ)本発明の一実施形態に好適に用いられる処理装置のシステム構成の変形例を示す側面図である。
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態について説明する。
（１）処理装置の構成
続いて、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１００の構成について、図１、図２を参照しながら説明する。
図１に示すように、基板処理装置１００は、耐圧容器として構成された筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁には、メンテナンス可能なように設けられた開口部が開設され、この開口部には、開口部を開閉する立ち入り機構として一対の正面メンテナンス扉１０４が設けられている。シリコン等のウエハ（基板）２００を収納したポッド（基板収容器）１１０が、筐体１１１内外へウエハ２００を搬送するキャリアとして使用される。
筐体１１１の正面壁には、ポッド搬入搬出口が、筐体１１１内外を連通するように開設されている。ポッド搬入搬出口には、ロードポート１１４が設置されている。ロードポート１１４上にはポッド１１０を載置されると共に、該ポッド１１０の位置合わせが行われるように構成されている。
筐体１１１内の略中央部における上部には、回転式ポッド棚１０５が設置されている。回転式ポッド棚１０５上には、複数個のポッド１１０が保管されるように構成されている。回転式ポッド棚１０５は、垂直に立設されて水平面内で回転される支柱と、支柱に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板と、を備えている。
筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置１１８が設置されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ１２１との間で、ポッド１１０を相互に搬送するように構成されている。
筐体１１１内の下部には、サブ筐体１１９が筐体１１１内の略中央部から後端にわたって設けられている。サブ筐体１１９の正面壁には、ウエハ２００をサブ筐体１１９内外に搬送する一対のポッドオープナ１２１がそれぞれ設置されている。
各ポッドオープナ１２１は、ポッド１１０を載置する載置台と、ポッド１１０のキャップを着脱するキャップ着脱機構１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は、載置台上に載置されたポッド１１０の蓋をキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
サブ筐体１１９内には、ポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５等が設置された空間から流体的に隔絶された移載室１２４が構成されている。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されている。基板移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと、基板移載装置１２５ａを昇降させるウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとで構成されている。基板移載装置エレベータ１２５ｂは、サブ筐体１１９の移載室１２４の前方領域右端部と筐体１１１右側の端部との間に設置されている。基板移載装置１２５ａは、ウエハ２００の保持部としてのツイーザを備えている。これら基板移載装置エレベータ１２５ｂ及び基板移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ２００を基板保持具としてのボート２１７に対して装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）することが可能に構成されている。
図１及び図２に示すように、サブ筐体１１９(移載室１２４)内には、ボート２１７を昇降させるボートエレベータ１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台には、アームが連結されている。アームには、蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられている。蓋体２１９は、ボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
主に、回転式ポッド棚１０５，ボートエレベータ１１５，ポッド搬送装置１１８，基板移載機構１２５，ボート２１７及び回転機構２５４により、本実施形態に係る搬送機構が構成されている。これら回転式ポッド棚１０５，ボートエレベータ１１５，ポッド搬送装置１１８，基板移載機構１２５，ボート２１７及び回転機構２５４は、それぞれ搬送コントローラ１１に電気的に接続されている。
図１に示すように、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６の上方には、処理炉２０２が設けられている。
図１に示すように、移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、クリーンユニット１３４が設置されている。クリーンユニット１３４は、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう構成されている。
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体１１１の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環されてクリーンユニット１３４によって移載室１２４内に再び吹き出されるように構成されている。
なお、筐体１１１，サブ筐体１１９の外周には基板処理装置１００内への立ち入り機構として図示しない複数の装置カバーが取り付けられている。これら装置カバーは、メンテナンス作業時に取り外して保守員が基板処理装置１００内に立ち入り可能となっている。これら装置カバーと相対する筐体１１１，サブ筐体１１９の端部には、立ち入りセンサとしてのドアスイッチ１３０が設けられている。また、ロードポート１１４上には、ポッド１１０の載置を検知する基板検知センサ１４０が設けられている。これらドアスイッチ１３０及び基板検知センサ１４０等のスイッチ，センサ類は、後述の基板処理装置用コントローラ２４０に電気的に接続されている。
図２に示すように、基板処理装置１００は、筐体１１１と、ガスボックスとしてのガス供給ユニット３００と、排気ボックスとしての排気ユニット３１０とを少なくとも含む構成である。排気管２３１、圧力検知部としての圧力センサ２４５、例えばＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｏｒｏｌｌｅｒ）バルブとして構成された圧力調整部２４２により構成されるガス排気機構が、排気ボックス３００内に格納されている。
また、処理ガス供給源（図示しない）、開閉バルブ（図示しない）、ガス流量制御器としてのマスフローコントローラ（以下、ＭＦＣと略する）２４１ａ、処理ガス供給管２３２ａを含む処理ガス供給系、パージガス供給源（図示しない）、開閉バルブ（図示しない）、ＭＦＣ２４１ｂ、パージガス供給管２３２ｂを含むパージガス供給系が、本実施形態に係るガスボックス内に格納されている。
図２に示すように、排気ボックス３１０に排気装置としての補助ポンプ２４６が接続されるよう構成されている。また、基板処理装置１００の構成に補助ポンプ２４６を含めるようにしてもよい。尚、補助ポンプ２４６については後述する。
図２に示すように、制御部としての基板処理装置用コントローラ２４０は、搬送コントローラ１１、温度コントローラ１２、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４にそれぞれ接続されている。
（２）処理炉の構成
図２に示すように、処理炉２０２は、反応管としてのプロセスチューブ２０３を備えている。反応管２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５と、を備えている。内部反応管２０４は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。内部反応管２０４内の筒中空部には、ウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。処理室２０１は、ボート２１７を収容可能なように構成されている。
反応管２０３の外側には、反応管２０３の側壁面を囲うように、ヒータ２０６が設けられている。ヒータ２０６は円筒形状に構成されている。ヒータ２０６は、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
外部反応管２０５の下方には、外部反応管２０５と同心円状になるように、炉口部としてのマニホールド２０９が配設されている。また、炉口部２０９は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。炉口部２０９は、内部反応管２０４の下端部と外部反応管２０５の下端部とを支持するように設けられ、内部反応管２０４の下端部と外部反応管２０５の下端部とにそれぞれ係合している。なお、炉口部２０９と外部反応管２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。炉口部２０９が保持板２５１に支持されることにより、反応管２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。反応管２０３と炉口部２０９とにより反応容器が形成される。
炉口部２０９には、処理ガスノズル２３０ａ及びパージガスノズル２３０ｂが処理室２０１内に連通するように接続されている。処理ガスノズル２３０ａには、処理ガス供給管２３２ａが接続されている。処理ガス供給管２３２の上流側には、ＭＦＣ２４１ａを介して、図示しない処理ガス供給源等が接続されている。また、パージガスノズル２３０ｂには、パージガス供給管２３２ｂが接続されている。パージガス供給管２３２ｂの上流側には、ＭＦＣ２４１ｂを介して、図示しないパージガス供給源等が接続されている。
主に、処理ガス供給源（図示しない）、開閉バルブ（図示しない）、ＭＦＣ２４１ａ、処理ガス供給管２３２ａ及び処理ガスノズル２３０ａにより、本実施形態に係る処理ガス供給系が構成されている。主に、パージガス供給源（図示しない）、開閉バルブ（図示しない）、ＭＦＣ２４１ｂ、パージガス供給管２３２ｂ及びパージガスノズル２３０ｂにより、本実施形態に係るパージガス供給系が構成されている。主に、処理ガス供給系及びパージガス供給系により、本実施形態に係るガス供給系が構成されている。ＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂには、ガス供給コントローラ１４が電気的に接続されている。
炉口部２０９には、処理室２０１の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、内部反応管２０４と外部反応管２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されている。排気管２３１は、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１の下流側には、圧力センサ２４５、圧力調整部２４２、排気装置２４６が上流側から順に接続されている。また、圧力調整部２４２及び圧力センサ２４５には、圧力コントローラ１３が電気的に接続されている。
炉口部２０９の下方には、炉口部２０９の下端開口を気密に閉塞可能な蓋体２１９が円盤状に設けられている。蓋体２１９の上面には、炉口部２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。
蓋体２１９の中心部付近であって処理室２０１と反対側には、ボート２１７を回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、蓋体２１９を貫通してボート２１７を下方から支持している。回転機構２５４は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。
蓋体２１９は、反応管２０３の外部に設けられたボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。蓋体２１９を昇降させることにより、ボート２１７を処理室２０１内外へ搬送することが可能に構成されている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、搬送コントローラ１１が電気的に接続されている。
ボート２１７は、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料により構成されている。ボート２１７の下部には、断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板２１６は、円板形状に形成され、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料により構成されている。断熱板２１６は、ヒータ２０６からの熱を炉口部２０９側に伝えにくくするために設けられている。
反応管２０３内には、温度検知器としての温度センサ２６３が設置されている。主に、ヒータ２０６及び温度センサ２６３により、本実施形態に係る加熱機構が構成されている。これらヒータ２０６と温度センサ２６３とには、温度コントローラ１２が電気的に接続されている。
次に、図１０を用いて排気装置２４６について説明する。本実施形態における補助ポンプとしての排気装置２４６は、立置きに設置するよう構成されている。例えば、排気装置２４６は、処理室２０１を高真空に排気するメカニカルブースターポンプである。ここで、立置きとは、一般的な横置きポンプをベースに、設置方法を立てたポンプ形状としたものである。これにより、フットプリントを小さくすることができる。
排気装置２４６は、回転軸２が上下方向に延伸した状態となっていることもあり、縦長形状である。更に、この回転軸２を動作させるモータ８及び監視部９をポンプの上側に設置させている。よって、安定して排気装置２４６を設置させるため、重心を極力低くするように構成されている。また、排気装置２４６下部は床面に対して垂直に設置できるよう調整されていると共に、防振ゴム等の防振対策が施されている。また、回転軸２とロータ４を有する本体と、モータ８と、監視部９の上断面図が、それぞれ略同じ断面となるように構成されており、フットプリントを小さくすることができる。
排気装置２４６は、排気配管を有する接続部３３０と接続され、ガスを吸引する吸気管１と、ガスが排気される排気管３と、本体と、回転軸２を回転するモータ８と、モータ８を制御する監視部９で構成される。また、吸気管１と本体との間、排気管３と本体との間、回転軸２とロータ４の端にはガスの流路１１が構成されている。そして、吸気管１から導入されたガスが流路１１を辿って排気管３から排出されるように構成されている。
回転軸２に軸支された複数のロータ４が設けられる。モータ８により駆動される回転軸２によりこれらのロータ４が回転される。上側に設けられた吸気管１から吸引されるガスは、このロータ４の回転と共に流路１１を回転しながら下側に設けられた排気管３に導入される。ここで、吸気管１を排気装置２４６上側に設けることで接続部３３０の距離を小さくすることができるので、排気装置２４６の排気能力を最大限に活かすことができる。一方、排気管３を排気装置２４６下側に設けることで異なるフロアに設置されているメインポンプ２４７までの配管の引き回しを短くできる。
また、吸気管１にゲートバルブ(ＧＶ)を設けるようにしてもよい。これにより、メンテナンス時に 排気管３の雰囲気が大気に開放され、膜種によっては大気、水分と反応ＨＣｌ等の危険性の高いガスが出てしまう場合であっても、吸気管１を閉じることができるので、メンテナンス時の危険性を防止することができる。
（２）基板処理装置の動作
続いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ウエハ２００上に薄膜を形成する方法について、図１及び図２を参照しながら説明する。以下、基板処理装置１００を構成する各部の動作は基板処理装置用コントローラ２４０により制御される。
図１に示すように、ポッド１１０が工程内搬送装置（図示せず）によってロードポート１１４に供給されると、基板検知センサ１４０によりポッド１１０が検知され、ポッド搬入搬出口がフロントシャッタによって開放される。そして、ロードポート１１４の上のポッド１１０が、ポッド搬送装置１１８によってポッド搬入搬出口から筐体１１１内部へと搬入される。
筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって回転式ポッド棚１０５の棚板上へ自動的に搬送されて一時的に保管される。その後、ポッド１１０は、棚板上から一方のポッドオープナ１２１の載置台上に移載される。なお、筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって直接ポッドオープナ１２１の載置台上に移載されてもよい。
載置台上に載置されたポッド１１０は、その蓋がキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。その後、ウエハ２００は、基板移載装置１２５ａのツイーザによってウエハ出し入れ口を通じてポッド１１０内からピックアップされ、図示しないノッチ合わせ装置にて方位が整合された後、移載室１２４の後方にある待機部１２６内へ搬入され、ボート２１７内に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を装填した基板移載装置１２５ａは、ポッド１１０が載置された載置台に戻り、ポッド１１０内から次のウエハ２００を取り出して、ボート２１７内に装填する。
この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１における基板移載機構１２５によるウエハ２００のボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１の載置台上には、別のポッド１１０が回転式ポッド棚１０５上からポッド搬送装置１１８によって搬送されて、載置台に移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７内に装填されると、処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタによって開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７は、蓋体２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されていく。
上述のように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７が処理室２０１内に搬入（ローディング）されると、蓋体２１９は、Ｏリング２２０ｂを介して炉口部２０９の下端をシールした状態となる。
処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように、排気装置２４６によって真空排気される。この際、圧力センサ２４５が測定した圧力値に基づき、圧力調整装置２４２（の弁の開度）がフィードバック制御される。また、処理室２０１が所望の温度となるように、ヒータ２０６によって加熱される。この際、温度センサ２６３が検知した温度値に基づき、ヒータ２０６への通電量がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７及びウエハ２００が回転させられる。
次いで、処理ガス供給源から供給されてＭＦＣ２４１ａにて所望の流量となるように制御された処理ガスは、ガス供給管２３２ａ内を流通してノズル２３０ａから処理室２０１内に導入される。導入された処理ガスは処理室２０１を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出して排気管２３１から排気される。処理ガスは、処理室２０１を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、この際に熱反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積される。
予め設定された処理時間が経過すると、パージガス供給源から供給されてＭＦＣ２４１ｂにて所望の流量となるように制御されたパージガスが処理室２０１に供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１の圧力が常圧に復帰される。
その後、ボートエレベータ１１５により蓋体２１９が下降されて炉口部２０９の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ２００を保持するボート２１７が炉口部２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部へと搬出（アンローディング）される。その後、処理済のウエハ２００はボート２１７より取り出され、ポッド１１０内へ格納される（ディスチャージ）。
ディスチャージ後は、ノッチ合わせ装置での整合工程を除き、上述の手順とほぼ反対の手順で、処理後のウエハ２００を格納したポッド１１０が筐体１１１外へと搬出される。
（５）基板処理装置用コントローラの構成
図３を参照して、基板処理装置用コントローラとしての制御装置(以後、制御部ともいう)２４０について説明する。
該制御部２４０は、主にＣＰＵ等の演算制御部２５と、メモリ(ＲＡＭ)やＨＤＤ等からなる(ＲＯＭ)３５を備える記憶部２８と、マウスやキーボード等の入力部２９及びモニタ等の表示部３１とから構成されている。尚、演算制御部２５と、記憶部２８と、入力部２９と、表示部３１とで各データを設定可能な操作部が構成される。
ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ)２５は、制御部２４０の中枢を構成し、ＲＯＭ３５に記憶された制御プログラムを実行し、表示部３１からの指示に従って、レシピ記憶部も構成する記憶部２８に記憶されているレシピ（例えば、基板処理レシピとしてのプロセス用レシピ等）を実行する。ＲＯＭ３５は、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵ２５の動作プログラム等を記憶する記録媒体である。メモリ(ＲＡＭ)は、ＣＰＵ２５のワークエリア(一時記憶部)として機能する。
ここで、基板処理レシピは、ウエハ２００を処理する処理条件や処理手順等が定義されたレシピである。また、レシピファイルには、搬送コントローラ１１、温度コントローラ１２、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４等に送信する設定値（制御値）や送信タイミング等が、基板処理のステップ毎に設定されている。
ＣＰＵ２５は、処理炉２０１内にローディングされたウエハ２００に対し、所定の処理がなされる様、処理炉２０１内の温度や圧力、該処理炉２０１内に導入される処理ガスの流量等を制御する機能を有している。
搬送コントローラ１１は、基板を搬送する搬送機構を構成する回転式ポッド棚１０５、ボートエレベータ１１５、ポッド搬送装置１１８、基板移載機構１２５、ボート２１７及び回転機構２５４の搬送動作をそれぞれ制御するように構成されている。また、回転式ポッド棚１０５、ボートエレベータ１１５、ポッド搬送装置１１８、基板移載機構１２５、ボート２１７及び回転機構２５４には、それぞれセンサが内蔵されている。搬送コントローラ１１は、これらのセンサがそれぞれ所定の値や異常な値等を示した際に、制御部２４０にその旨の通知を行うように構成されている。
記憶部２８には、各種データ等が格納されるデータ格納領域３２と、基板処理レシピを含む各種プログラムが格納されるプログラム格納領域３３が形成されている。
データ格納領域３２は、レシピファイルに関連する各種パラメータが格納される。また、プログラム格納領域３３には、上述の基板処理レシピを含む装置を制御するのに必要な各種プログラムが格納されている。
制御部２４０の表示部３１には、タッチパネルが設けられている。タッチパネルは、上述の基板搬送系、基板処理系への操作コマンドの入力を受け付ける操作画面を表示するように構成されている。なお、操作部は、パソコンやモバイル等の操作端末(端末装置)のように、少なくとも表示部３１と入力部２９を含む構成であればよい。
温度コントローラ１２は、処理炉２０２のヒータ２０６の温度を制御することで処理炉２０２内の温度を調節すると共に、温度センサ２６３が所定の値や異常な値等を示した際、制御部２４０にその旨の通知を行うように構成されている。
圧力コントローラ１３は、圧力センサ２４５により検知された圧力値に基づいて、処理室２０１内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力調整装置２４２を制御すると共に、圧力センサ２４５が所定の値や異常な値等を示した際、制御部２４０にその旨の通知を行うように構成されている。
ガス供給コントローラ１４は、ガス供給コントローラ１４は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ＭＦＣ２４１を制御するように構成されている。ガス供給コントローラ１４は、ＭＦＣ２４１等の備えるセンサ（図示せず）が所定の値や異常な値等を示した際、制御部２４０にその旨の通知を行うように構成されている。
（６）基板処理装置のシステム構成
図５乃至図９を参照して、本実施形態における基板処理装置１００のシステム構成について説明する。
図５に示すように、排気装置２４６は接続部３３０を介して排気ボックス３１０に接続される。接続部３３０は、排気装置２４６の機械的振動を吸収する吸収部材としてのベローズ３２１を備えており、また、その他防振対策を行っており、筐体１１１内に収納されている処理炉２０２へ振動が伝達することを抑えている。更に、排気装置２４６と排気ボックス３００間の中心はずらした状態で接続されるため、接続部３３０は、例えば、ベローズ等のフレキシブルな配管３２１を含む構成となっている。このように、排気装置２４６が、筐体１１１と、ガスボックス３００と、排気ボックス３１０のそれぞれと同じフロアに配置され、排気装置２４６が排気ボックスを介して処理炉２０２の近傍に設置されるので排気性能が向上する。また、排気装置２４６を立置きにすることでフットプリントを縮小することができる。更に、ガスボックス３００と排気ボックス３１０との間のメンテナンススペースが確保できる。
また、図５及び図７に示すように、排気装置２４６下部も同様に、この排気装置２４６からの振動や地震などの振動を吸収する対策(防振対策)が施されている。一方で、接続部３３０と排気装置２４６との長さは、排気効率を考慮すると短くすることや曲げ箇所を少なくすることが望ましい。
図６は、図５に示す装置を多連に設置したときを示す図である。本実施の形態では、排気装置２４６の吸引口の中心と接続部３３０の排気ユニット３１０側の配管の中心が、排気ボックス３１０の外側にずれた状態で接続されるよう構成されている。これにより、排気装置２４６の側面が排気ボックス３１０の内側面からはみ出さないようにしている。また、排気装置２４６は、隣接した基板処理装置１００のガスボックス３００の側面からはみ出さないように配置される。これにより、メンテナンス作業のための空間を確保している。尚、本実施形態では、排気装置２４６の側面が、接続部３３０の配管の内側端を超えないように配置される。例えば、排気装置２４６の吸引口の中心と接続部３３０の排気ユニット３１０側の配管の中心のずれが、図６に示す一例として、１９５ｍｍである。
図６に、筐体１１１、排気ユニット３１０、ガス供給ユニット３００、排気装置２４６の配置に関して、具体的な一例を示す。要するに、図６に示す数値は、参考値であるため括弧付けで表示されている。また、装置(筐体１１１)間のクリアランスは、非常に狭く、例えば、２０ｍｍである。接続部３３０の寸法(長さ)は、３９５ｍｍで、接続部３３０と排気装置２４６を合せた寸法(長さ)は、８７５ｍｍである。また、排気装置２４６は、排気ユニット３１０とガス供給ユニット３００の幅内に収まるように配置しなければならない。従い、排気装置２４６の外側側面はみだし可能寸法は、３２０ｍｍ(クリアランス２０ｍｍ含む)であり、排気ユニット３１０の外側端から接続部３３０の配管の内側端までの幅は２２８ｍｍであるため、排気装置２４６はこの合計５４８ｍｍの幅で収まるように構成される。排気装置２４６は、その一端側の側面が排気ボックスの内側面からはみ出さないようにし、また、もう一端側の側面が隣接した基板処理装置１００のガスボックスからはみ出さないように配置されるように構成されればよい。
図１６に変形例を示す。図１６(ａ)は、排気装置２４６を所定の角度(本実施形態では４５度)に傾斜させて、接続部３３０に接続させたものである。このように、接続部３３０内の排気配管の長さを短くすることができるので、排気効率の向上が見込まれる。また、この場合も隣接する基板処理装置１００のガスボックス３００を超えないように排気装置２４６が配置されるので、メンテナンス作業の場所を確保できる。図１６(ｂ)は、排気装置２４６の吸引口を排気装置２４６の中心からずらした（オフセットした）ものである。この場合も、接続部３３０内の排気配管の長さを短くすることができるので、排気効率の向上が見込まれる。また、この場合も、排気ボックス３１０の幅と隣接する基板処理装置１００のガスボックス３００の幅の間に収まるように排気装置２４６が設置されるので、メンテナンス作業の場所を確保できる。図１６(ｃ)は、装置多連の端の装置で排気装置２４６が置けない場合に構成されうる形態である。また、装置２台で排気装置２４６を共用する場合などに、このような構成が考えられる。
図１７及び図１８にまた別の変形例を示す。各々接続部３３０のみにカバー２７６若しくは接続部３３０と排気装置２４６全体にカバー２７５を設けるように構成したものである。このように構成すると、メカニカルブースター装置２４６の騒音対策としての効果が期待できる。
また、図８に示すように、排気装置２４６は、更に下流側でメインポンプ２４７に接続される。そして、排気装置２４６が、筐体１１１と、ガスボックス３００と、排気ボックスのそれぞれと同じフロアに配置されるのに対して、メインポンプ２４７は、別のフロアに配置されている。また、基板処理装置１００と補助ポンプ２４６間の排気配管の径を縮小することができ、例えば、排気配管の材料コストや排気配管加熱(ジャケットヒータ)のコストダウンが見込まれる。
図９(ａ)(ｂ)に示す排気装置２４６とメインポンプ２４７の間の配管構成が異なる。具体的には、図９(ａ)の配管の長さは１．２ｍで、曲げ配管もない。一方、図９（ｂ）の配管の長さは１１ｍで、曲げ配管が１１か所もある。このように、異なる配管構成(ａ)と(ｂ)において、処理室２０１内の排気特性を比較したところ、配管構成(ａ)と(ｂ)で排気特性に違いが無かった。よって、処理室２０１内の排気特性が、筐体１１１とポンプの間の配管構成に依存することが無い為、半導体工場に設置される基板処理装置１００間で、処理室２０１内の排気特性に機差が生じないことが容易に推察される。
（７）基板処理装置の制御システム
図４を参照して、本実施形態における基板処理装置１００の制御システムについて説明する。本実施形態における制御システムは、顧客ホストコンピュータを含む上位コンピュータ２９０とデータのやり取りが可能な操作部２６０と、ガス、圧力、温度等のモニタデータやウエハ２００等の搬送を制御するコントローラ(制御部)２４０と、メインポンプ及び補助ポンプの制御を行うポンプ制御部２８０と、を少なくとも含む構成されている。また、この場合の接続形態は、ＬＡＮまたはセンサバスなど様々である。
本実施形態における制御システムの動作について説明する。
制御部２４０は、ポンプ制御部２８０から種々のデータ(例えば、ポンプモータ電流値等)を所定の周期(例えば、１００ｍｓｅｃ周期)で取得し、制御部２４０は、取得したデータを操作部に送信する。
操作部は、所定の条件に一致すると、所定の警報表示を表示部３１に出力し、さらに上位コント、または顧客ホストに対して所定のフォーマットで警報メッセージを送信するよう構成されている。警報表示により操作員が判断し、警報メッセージは顧客担当者が判断し、装置停止などの処置を実施する。
また、装置運用状態(炉内クリーニング中、アイドル中など)に応じて、制御部は、ポンプ制御部２８０に対して、補助ポンプ２４６またはメインポンプ２４７の運転停止、または回転速度原則を指示することで、不要な電力を削減できる。例えば、図１１に示すように、制御部２４０は、装置アイドル状態にあるとアイドル状態を通知する信号をポンプ制御部２８０に送信するよう構成されている。このとき、制御部２４０は、補助ポンプ２４６を停止する(ＯＦＦにする)指示をポンプ制御部２８０に通知する(Ｔ２)。また、メンテナンス実行通知(例えば、クリーニング処理)を行う指示をポンプ制御部２８０に通知する(Ｔ３)。装置アイドル状態から成膜処理状態に移行する際、補助ポンプ２４６などの復旧時間などを考慮し、例えば、目標到達圧待ちで生産が待たされない等、成膜処理に影響を与えないようなタイミング（Ｔ１）で補助ポンプ２４６を運転しなければならない。
また、成膜処理運転中にポンプに異常をきたし、インターロックによりポンプが停止してしまうと処理中ウエハ２００が不良となり、多大な損害を及ぼしてしまう。これを回避するために、中度、軽度の異常に対しては、可能な限り当該成膜処理の運用を継続し、完了した時点で、次の成膜処理ロットを着工せず待機状態とするよう構成されている。異常個所のメンテナンス後、次ロットを再開する。重度の異常の場合はポンプ制御部２８０が安全方向に緊急停止するよう構成されている。中度、軽度の異常の場合は制御部２４０が判断するように構成されている。
図１２に示すように、制御部２４０は、補助ポンプ２４６、メインポンプ２４７に中度、軽度の異常が発生(Ｔ１)し、成膜処理時間が遅延したり、圧力変動などにより成膜処理精度が低下したりする可能性があるが、即時停止とするよりもロット不良の確立を下げることができる。さらに本警報をトリガとし、次ロットを着工待機状態(Ｔ２)とすることで、操作員やオンライン担当者等のユーザの判断が入り、連続的に不良ロットを生産し、被害を拡大することを回避することができる。そして、制御部２４０は、ユーザからの指示等により、着工待ち状態を解除し、成膜処理の再開や次ロットの予約を行う(Ｔ３)。
本実施形態では、装置起動、スタンバイ状態、成膜処理中、自動メンテナンス中、装置搬送テスト中など様々な装置運用状態で、１００ｍｓｅｃ間隔で、ポンプモータの電流値(以後、ポンプ電流値ともいう)を常時モニタリングし、ピーク値を制御部２４０(プログラム)で検出する。その際、制御部２４０が基板処理装置１００内にガスを投入した際の負荷変動を、制御部２４０が監視し、電流のピーク値がガス投入に起因するものと判断すると、異常ではないので警報を通知しない。一方、制御部２４０は、ポンプに付着する生成物に起因すると推定されるポンプモータの電流のピーク値をカウントし、警報を表示部３１、或いは上位コントローラに通知する。これにより、突発的なポンプ異常を検出することができ、停止前にポンプメンテナンス作業が可能となる。
図１３に示すように、制御部２４０は、Ｔ１またはＴ２において、ポンプ電流値はピーク電流を検出しているが、ガス積算値が閾値を超えていないので警報を発しないよう構成されるが、Ｔ３において、制御部２４０は、ポンプ電流値はピーク電流を検出し、且つ、ガス積算値が閾値を超えているので警報を発し、異常を通知するように構成されている。
本実施形態によれば、ポンプシステムにおいても、駆動部電力、水、Ｎ２など各種エネルギーを使用している。例えば、装置スタンバイ状態の際にはポンプ駆動電力を低下させるなど、装置状態とポンプ使用エネルギーを最適に組合せ、且つ、成膜処理開始に間に合うよう(生産率低下とならぬよう)復帰時間を加味して詳細に制御することで省エネに貢献することができる。
本実施形態によれば、ポンプシステムの障害の発生を検知した際、即時緊急停止要因の重度障害の他に、中度、軽度など障害を段階的に分け、中度、軽度障害では装置側の運用状態に合わせ、装置システム側からの指示があるまで、一定時間ポンプ運用を継続する。これによって、装置成膜処理中での中断を極力回避し、ロット不良を減少させることができる。
本実施形態によれば、ポンプ駆動部のスパイク電流値の傾向による寿命予測や、装置が使用する特定ガス流量の積算流量値による副生成物の詰まりから、ポンプの故障を予知し、操作員に対して表示部３１を使って通知、或いはホスト操作員に対してアラームメッセージを使って通知することで事前に計画的にポンプをメンテナンスすることができる。また、非計画的なメンテナンスによる稼働率低下や、成膜中のポンプ停止による基板の損失での経済的損失についても防止できる。さらに、ポンプメンテナンス後、異なるシリアルNo.のポンプ部品をポンプシステムが検知した場合、関連する装置蓄積データをクリアする信号を装置システムに通知することで、積算値が作業員の介在なしで自動的クリアされるため、クリア忘れを防止することができる。
（７）本実施形態における基板処理工程
次に、半導体製造装置としての処理装置を使用して、基板を処理する基板処理工程の概略について説明する。この基板処理工程は、例えば、半導体装置を製造するための一工程である。なお、以下の説明において、処理装置を構成する各部の動作や処理は、制御部２４０により制御される。以下、基板処理工程について図１４を用いて説明する。
ここでは、ウエハ２００に対して、第１の処理ガス（原料ガス）と第２の処理ガス（反応ガス）とを交互に供給することで、ウエハ２００上に膜を形成する例について説明する。以下、原料ガスとしてヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６、略称：ＨＣＤＳ）ガスを用い、反応ガスとしてＮＨ３（アンモニア）を用いてウエハ２００上に薄膜としてＳｉＮ（シリコン窒化）膜を形成する例について説明する。なお、例えば、ウエハ２００上には、予め所定の膜が形成されていてもよく、また、ウエハ２００又は所定の膜には予め所定のパターンが形成されていてもよい。
（基板搬入工程Ｓ１０２）
まず、ウエハ２００をボート２１７に装填し、処理室２０１内へ搬入し、基板搬入工程Ｓ１０２を行う。
（成膜工程Ｓ１０４）
次に、ウエハ２００の表面上に薄膜を形成する成膜工程Ｓ１０４を行う。成膜工程は次
の４つのステップを順次実行する。なお、ステップ１〜４の間は、ヒータ２０６により、ウエハ２００を所定の温度に加熱しておく。
［ステップ１］
ステップ１では、ＨＣＤＳガスを流す。まず、ガス配管２３２ａに設けた図示しないバルブと排気配管２３１に設けたＡＰＣバルブ２４２を共に開けて、図示しないガス供給器から流量制御器２４１により流量調節されたＨＣＤＳガスをガス配管２３２ａに通し、ノズル２３０のガス供給孔から処理室２０１内に供給しつつ、排気配管２４１から排気する。この際、処理室２０１内の圧力を所定の圧力に保つ。
これにより、ウエハ２００の表面にシリコン薄膜を形成する。
［ステップ２］
ステップ２では、ガス配管２３２ａのバルブを閉めてＨＣＤＳガスの供給を止める。排気配管２３１のＡＰＣバルブ２４２は開いたままにし、排気装置２４６、メインポンプ２４７により処理室２０１内を排気し、残留ガスを処理室２０１内から排除する。また、Ｎ２等の不活性ガスを処理室２０１内に供給し処理室２０１内のパージを行い、処理室２０１内の残留ガスを処理室２０１外に排出する。さらに、ＨＣＤＳガスラインのガス配管２３２ａに設けられたバルブ３６を開けて、ＭＦＣ２４１ａにより流量調節されたＮ２等の不活性ガスを処理室２０１内に供給する。
［ステップ３］
ステップ３では、ＮＨ３ガスを流す。ガス配管２３２ｂに設けられた、図示しないバルブと排気配管２３１に設けられたＡＰＣバルブ２４２を共に開け、図示しないガス供給器からＭＦＣ２４１ｂにより流量調節されたＮＨ３ガスをガス配管２３２ｂに通し、ノズル２３０ｂのガス供給孔から処理室２０１内に供給しつつ、排気配管２３１から排気する。また、処理室２０１内の圧力を所定の圧力に調整する。ＮＨ３ガスの供給により、ＨＣＤＳガスがウエハ２００の表面に形成したシリコン薄膜とＮＨ３ガスが表面反応して、ウエハ２００上にＳｉＮ膜が形成される。
［ステップ４］
ステップ４では、再び不活性ガスによる処理室２０１内のパージを行う。ガス配管２３２ｂのバルブを閉めて、ＮＨ３ガスの供給を止める。排気配管２３１のＡＰＣバルブ２４２は開いたままにし、排気装置２４６、メインポンプ２４７により処理室２０１内を排気し、残留ガスを処理室２０１内から排除する。また、ガス配管２３２ａに設けられたバルブ３６を開けて、ＭＦＣ２４１ａにより流量調節されたＮ２等の不活性ガスをガス配管２３２ａより処理室２０１内に供給して処理室２０１内のパージを行う。さらに、ＮＨ３ガスラインのガス配管２３２ｂに設けられたバルブを開けて、ガス配管２３２ｂからもＮ２等の不活性ガスを処理室２０１に供給する。
上記ステップ１〜４を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことによりウエ
ハ２００上に所定膜厚のＳｉＮ膜を形成する。
（基板搬出工程Ｓ１０６）
次に、ＳｉＮ膜が形成されたウエハ２００が載置されたボート２１７を、処理室２０１から搬出する。
図１５は、図１４に示す基板処理工程で実行された従来のプロセスレシピの一例を表示するものであり、ステップ毎に各処理工程の占める割合を表したものである。尚、原料ガスはプロセスガスＡとして、反応ガスはプロアセスガスＢとして記載している。
図１５に示す従来のプロセスレシピでは、プロセスレシピの全行程に占める排気工程(図では、排気パージ１と排気パージ２と示される工程)の割合が７４％にも達している。本実施形態によれば、排気装置２４６を処理炉２０２の近傍に配置しているので、従来と比較して排気能力の向上が図れるため、排気工程にかかる時間を短縮することができる。従い、スループット向上が見込まれる。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
また、上述の実施形態では、ウエハ２００上に膜を堆積させる例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、ウエハ２００上に形成された膜等に対して、酸化処理、拡散処理、アニール処理、エッチング処理等の処理を行う場合にも、好適に適用可能である。
また、上述の実施の形態では、一度に複数枚の基板を処理するバッチ式の縦型装置である処理装置を用いて成膜する例について説明したが、本発明はこれに限定されない。また、上述の実施形態では、ホットウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて薄膜を成膜する例について説明したが、本発明はこれに限定されず、コールドウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて薄膜を成膜する場合にも、好適に適用できる。
また、本実施例に係る基板処理装置のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置などに限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Liquid Crystal Display）製造装置にも適用することができる。
１００…基板処理装置
２００…ウエハ(基板)
２１７…ボート(基板保持具)
２４６…排気装置(補助ポンプ)

Claims (11)

  1. 処理炉内に構成される処理室を有する筐体と、該筐体の一端側に接続され、前記処理室からガスを排気する排気ユニットと、前記排気ユニットに接続される排気装置と、前記筐体の他端側に接続され、前記ガスを前記処理室に供給するガス供給ユニットと、を少なくとも備え、
    前記排気装置は、
    前記筐体に対して前記排気装置の一端側の側面が前記筐体に対する前記排気ユニットの横幅から外れるように設置されつつ、隣に設置される処理装置の筐体に対するガス供給ユニットの横幅内に収まるように設置され、
    前記筐体に対して前記排気装置の他端側の側面が前記筐体に対する前記排気ユニットの横幅内に収まるように設置される処理装置。
  2. 前記排気装置は、前記ガス供給ユニット、前記処理炉と前記排気ユニットとそれぞれ同じフロアに配置されると共に、前記排気ユニットを介して前記処理炉近傍に設置される請求項１記載の処理装置。
  3. 前記排気装置の吸気口の中心位置と前記筐体に対して前記排気装置の外側の側面との幅よりも、前記吸気口の中心位置と前記筐体に対して前記排気装置の内側の側面との幅のほうが短くなるように構成されている請求項１記載の処理装置。
  4. 前記排気装置と前記排気ユニットとを接続する排気配管をカバーで覆うよう構成されている請求項１記載の処理装置。
  5. 前記排気装置と前記排気配管の両方をカバーで覆うよう構成されている請求項４記載の処理装置。
  6. 前記排気ユニットは、前記ガスの流れる流路を構成する配管と、前記処理室の圧力を検出する部品と、前記流路の開度を調整して前記処理室の圧力を制御する制御部品とを含むよう構成されている請求項１記載の処理装置。
  7. 前記ガス供給ユニットは、前記ガスの流れる流路を構成する配管と、前記流路を開閉して前記ガスを流通する部品と、前記ガスの流量を制御する制御部品とを含むよう構成されている請求項１記載の処理装置。
  8. 前記排気装置は、振動を吸収する部材を有する接続部を更に備え、
    前記排気装置は、前記排気配管の長さが短くなるように、前記接続部を介して前記排気ユニットに接続される請求項４記載の処理装置。
  9. 前記接続部は、フレキシブルな配管を含むように構成される請求項８記載の処理装置。
  10. 前記筐体に対する前記排気装置の横幅が、前記筐体に対する前記排気ユニットの内側の側面と隣に設置される処理装置の筐体に対するガス供給ユニットの内側の側面との幅内に収まるように配置される請求項１記載の処理装置。
  11. 原料ガスを供給する工程と、反応ガスを供給する工程と、前記原料ガス及び前記反応ガスを排気する工程と、を少なくとも有する半導体装置の製造方法であって、
    前記原料ガス及び前記反応ガスを排気する工程では、
    処理炉内に構成される処理室からガスを排気する排気ユニットに接続されると共に、筐体に対して一端側の側面が前記筐体に対する前記排気ユニットの横幅から外れるように設置されつつ、隣に設置される処理装置の筐体に対するガス供給ユニットの横幅内に収まるように設置され、前記筐体に対して他端側の側面が前記筐体に対する前記排気ユニットの横幅内に収まるように設置される排気装置により、前記原料ガス及び前記反応ガスを排気する半導体装置の製造方法。


JP2016227995A 2016-11-24 2016-11-24 処理装置及び半導体装置の製造方法 Active JP6484601B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016227995A JP6484601B2 (ja) 2016-11-24 2016-11-24 処理装置及び半導体装置の製造方法
CN201711140466.1A CN108109939B (zh) 2016-11-24 2017-11-16 处理装置、排气系统及半导体器件的制造方法
US15/820,793 US10163663B2 (en) 2016-11-24 2017-11-22 Substrate processing apparatus, exhaust system and method of manufacturing semiconductor device
KR1020170156165A KR102079017B1 (ko) 2016-11-24 2017-11-22 기판 처리 장치, 배기 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016227995A JP6484601B2 (ja) 2016-11-24 2016-11-24 処理装置及び半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018085451A JP2018085451A (ja) 2018-05-31
JP6484601B2 true JP6484601B2 (ja) 2019-03-13

Family

ID=62147199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016227995A Active JP6484601B2 (ja) 2016-11-24 2016-11-24 処理装置及び半導体装置の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10163663B2 (ja)
JP (1) JP6484601B2 (ja)
KR (1) KR102079017B1 (ja)
CN (1) CN108109939B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210120901A (ko) 2020-03-27 2021-10-07 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019172274A1 (ja) * 2018-03-06 2019-09-12 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 処理装置、排気システム、半導体装置の製造方法
JP6900412B2 (ja) * 2019-03-20 2021-07-07 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及びプログラム
JP7377892B2 (ja) * 2019-12-09 2023-11-10 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP2023159478A (ja) * 2020-09-25 2023-11-01 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP7341200B2 (ja) 2021-09-24 2023-09-08 株式会社Kokusai Electric システム、処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS595179B2 (ja) * 1979-05-18 1984-02-03 富士通株式会社 真空機器の防振構造
JPH04294766A (ja) * 1991-03-26 1992-10-19 Ebara Corp キャリヤボックスの真空引き方法及びキャリヤボッ　クス
JPH07240382A (ja) * 1994-02-25 1995-09-12 Tokyo Electron Ltd 真空排気システム直結型真空処理装置
JPH11204449A (ja) * 1998-01-14 1999-07-30 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
KR20000015572A (ko) * 1998-08-31 2000-03-15 이동훈 부식방지막이 구비된 벨로우즈 및 그 제조방법
JP4294766B2 (ja) * 1998-10-08 2009-07-15 徳武産業株式会社 患足、健足それぞれ片足ずつ選べる靴
US7077159B1 (en) 1998-12-23 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Processing apparatus having integrated pumping system
JP3515767B2 (ja) * 2001-06-13 2004-04-05 本田技研工業株式会社 エンジンの排気系における振動吸収装置
JP2003049772A (ja) * 2001-08-08 2003-02-21 Boc Edwards Technologies Ltd 真空ポンプの接続構造
JP3965167B2 (ja) * 2003-07-04 2007-08-29 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法及び熱処理装置
JP2006190812A (ja) 2005-01-06 2006-07-20 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2007231938A (ja) 2006-02-06 2007-09-13 Boc Edwards Kk 真空装置、真空装置における水蒸気分圧の急速低減方法、ロードロックチャンバー内の水蒸気分圧の上昇防止方法、および、真空装置用真空ポンプ
JP4438850B2 (ja) * 2006-10-19 2010-03-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置、このクリーニング方法及び記憶媒体
US20090311419A1 (en) * 2008-06-12 2009-12-17 Anita Foerster Method and apparatus for resist development
JP5364462B2 (ja) * 2009-06-19 2013-12-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
CN201804848U (zh) * 2010-09-08 2011-04-20 北京七星华创电子股份有限公司 一种用于制造半导体器件的氧化装置
JP2012099763A (ja) * 2010-11-05 2012-05-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板処理装置の保守点検方法
JP5549552B2 (ja) * 2010-11-12 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置の組み立て方法及び真空処理装置
JP5439579B2 (ja) * 2012-02-27 2014-03-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
CN102938389B (zh) * 2012-11-20 2016-09-07 上海华虹宏力半导体制造有限公司 沉积装置
WO2014157071A1 (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
JP6271852B2 (ja) * 2013-03-29 2018-01-31 株式会社荏原製作所 電子線応用装置の鏡筒部へ真空ポンプを接続する真空ポンプ用接続装置、及び該接続装置の設置方法
US9581510B1 (en) * 2013-12-16 2017-02-28 Western Digital Technologies, Inc. Sputter chamber pressure gauge with vibration absorber
JP6522892B2 (ja) 2014-05-30 2019-05-29 株式会社荏原製作所 真空排気システム
JP2016043453A (ja) * 2014-08-25 2016-04-04 株式会社ディスコ 加工装置
JP6001131B1 (ja) * 2015-04-28 2016-10-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム
JP6023854B1 (ja) * 2015-06-09 2016-11-09 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210120901A (ko) 2020-03-27 2021-10-07 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US11450536B2 (en) 2020-03-27 2022-09-20 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US11935762B2 (en) 2020-03-27 2024-03-19 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
CN108109939B (zh) 2022-02-11
JP2018085451A (ja) 2018-05-31
KR102079017B1 (ko) 2020-02-19
KR20180058639A (ko) 2018-06-01
US20180144953A1 (en) 2018-05-24
CN108109939A (zh) 2018-06-01
US10163663B2 (en) 2018-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6484601B2 (ja) 処理装置及び半導体装置の製造方法
JP6403431B2 (ja) 基板処理装置、流量監視方法及び半導体装置の製造方法並びに流量監視プログラム
US20220136497A1 (en) Substrate processing apparatus and recording medium
JP6545396B2 (ja) 基板処理装置、振動検出システム及びプログラム
JP4917660B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、半導体デバイスの製造方法、装置状態遷移方法、基板処理装置の保守方法及び状態遷移プログラム
JP7000393B2 (ja) 基板処理装置、ガスボックス及び半導体装置の製造方法
US10825697B2 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
KR102512456B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
WO2011021635A1 (ja) 基板処理システム、群管理装置及び基板処理システムにおける表示方法
JP5123485B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法
CN111712904B (zh) 处理装置、排气系统、半导体器件的制造方法
JP2008130925A (ja) 基板処理装置
JP5531003B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置のメンテナンス方法および半導体装置の製造方法
JP4928368B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US20230326771A1 (en) Substrate processing apparatus, apparatus start-up method, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
JP2007258630A (ja) 基板処理装置
JP2012216703A (ja) 基板処理装置
JP2011181665A (ja) 基板処理システム
JP2008078218A (ja) 基板処理装置
JP2009123777A (ja) 基板移載方法
JP2009094342A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20180727

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180820

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180918

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180926

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181205

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190111

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190123

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190218

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6484601

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250