JP5364462B2 - 荷電粒子線装置 - Google Patents

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Description

本発明は荷電粒子線装置に係わり、より詳細には、イオンポンプを備える荷電粒子線装置に関する。
走査型電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡、半導体検査装置等の荷電粒子線装置では、電子光学鏡筒の内部で、超高真空環境下で発生させた荷電粒子線(電子線)を試料に照射し、試料から放出された二次電子、反射電子、または透過電子を検出することによって試料の観察画像を取得している。電子光学鏡筒が振動すると、試料に対する電子線の照射位置が変動し、観察画像に歪が生じたり、パターンのエッジが振動して見えたり、複数の観察画像を加算する場合には加算後の画像のエッジが不鮮明になったりする。このため、電子光学鏡筒の振動は、観察画像の画質の低下を招き、さらには荷電粒子線装置の分解能の低下を引き起こす一因である。
半導体検査装置は、ウェハに露光された半導体デバイスのパターン欠陥を観察し、欠陥の種類ごとに分類する装置であり、近年、半導体デバイスの微細化、試料の大口径化、高スループット化が進んでいる。試料を載置するステージの移動が停止した後に、電子光学鏡筒にとっては付加質量ともいえるイオンポンプの振動により電子光学鏡筒が振動し、画質を低下させる可能性がある。したがって、さらなるスループットの向上には、ステージをある観察位置へと移動させた直後のイオンポンプの固有振動を、速やかに減衰させる必要がある。
一方で、近年の高分子制振材料に着目すると、損失係数や損失せん断弾性率が大きい粘弾性材料が開発されている。
特許文献1及び特許文献2には、粘弾性材料からなるダンパーを用いて電子光学鏡筒への振動を減衰させて遮断する技術が開示されている。特許文献1に記載の技術では、イオンポンプを構成するヨークとケースとの間及びケースとマグネットとの間にダンパーを介在させる。このため、イオンポンプの構造が複雑になるとともに、加熱により硬化する粘弾性ダンパーをイオンポンプ内部に配置するために、ベーキングが困難になるという課題がある。特許文献2に記載の技術では、ビーム応用装置(透過型電子顕微鏡)の架台と床との間にダンパーを介在させる。このため、床からの振動を遮断することはできるが、ステージの移動により発生する振動など、装置自体から発生する振動には効果を期待できないという課題がある。
特開2008−52947号公報 特開2008−52946号公報
電子光学鏡筒内部を超高真空にするために、イオンポンプが電子光学鏡筒にフランジで締結されている。ステージが移動すると、駆動時や停止時の反力が試料室に作用し、電子光学鏡筒に片持ち支持されているイオンポンプの固有振動が励起される。さらに、イオンポンプと電子光学鏡筒とのフランジ締結部には減衰要素がほとんどないため、振動の減衰時間が長い。
図2に、従来技術による荷電粒子線装置のイオンポンプの取り付け例を示す。イオンポンプ2a、2bは、一方が電子光学鏡筒1にフランジ29で締結され、反対側がフレーム16にボルト締結されている。フレーム16は、試料室4に固定されている。図2には、イオンポンプの振動の測定結果も示す。これは、ステージの動作停止後のイオンポンプの振動(加速度)の変化を、時間経過に対して求めたものである。フレーム16が試料室4に固定されているため、イオンポンプ2a、2bの振動は、振幅が抑えられている。しかし、イオンポンプの振動測定結果に示したように、異なる振動モードの固有振動数の差でうねりが発生し、減衰は遅い。
以上説明したイオンポンプの固有振動により、電子光学鏡筒が振動して観察画像の画質や荷電粒子線装置の分解能を低下させる。振動の減衰を待つことも考えられるが、画質に影響を及ぼさない程度に振動が減衰するのには時間がかかるため、スループットの低下を招く。
さらに、試料室、電子光学鏡筒、フレームが異種材料で構成されると、試料室とフレームとイオンポンプと電子光学鏡筒とで力のループを形成してしまう。温度変化によって、これらの各部材に熱応力が発生すると、この力のループにより電子光学鏡筒にフレームからの力が作用し、電子線(荷電粒子線)の照射位置が変化するので好ましくない。
また、試料室、電子光学鏡筒、フレームが導電性の材料で構成されると、試料室とフレームとイオンポンプと電子光学鏡筒とで電流のループ回路も形成されてしまう。この電流のループが発生すると、アース電位が変化してしまうので、電子線(荷電粒子線)の照射位置が変化する要因となる。
図3に、荷電粒子線装置に生じる力のループと電流のループを示す。力のループと電流のループは、イオンポンプ2a、2b、電子光学鏡筒1、試料室4、フレーム16により形成され、電子線(荷電粒子線)の照射位置を変化させる原因となる。この照射位置の変化により、観察画像の画質が低下し、さらには荷電粒子線装置の分解能が低下する。
本発明が解決しようとする課題は、ステージ駆動時の反力で励起されるイオンポンプの固有振動を短時間で減衰させるとともに、上記の力のループと電流のループの発生を防ぐことである。本発明は、この課題を解決し、高分解能かつ高スループットの荷電粒子線装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明による荷電粒子線装置は、次のような構成をとる。
試料を内部に配置する試料室と、荷電粒子線を前記試料に照射するための荷電粒子線光学鏡筒と、前記荷電粒子線光学鏡筒の内部を排気するイオンポンプとを備える荷電粒子線装置において、前記試料室を形成する部材に、前記イオンポンプの一端に対向してフレームが固定され、前記フレームと前記イオンポンプの一端との間に振動吸収体が設けられ、この振動吸収体は、粘弾性体シートを金属板で挟んだ積層構造体によって構成される。
また、上記の荷電粒子線装置において、前記イオンポンプを複数備え、前記フレームは、複数の前記イオンポンプの数に合わせて分割され、分割された前記フレームのそれぞれは、前記試料室を形成する部材または他のフレーム(当該フレーム以外のフレーム)に固定され、複数の前記イオンポンプのそれぞれとの間に前記積層構造体を備える構成にしてもよい。
さらに、本発明による荷電粒子線装置は、次のような構成をとることもできる。
試料を内部に配置する試料室と、前記試料室を支持する荷重板と、荷電粒子線を前記試料に照射するための荷電粒子線光学鏡筒と、前記荷電粒子線光学鏡筒の内部を排気するイオンポンプとを備える荷電粒子線装置において、前記荷重板に、前記イオンポンプの一端に対向してフレームが固定され、前記フレームと前記イオンポンプの一端との間に振動吸収体が設けられ、この振動吸収体は、粘弾性体シートを金属板で挟んだ積層構造体によって構成される。
また、上記の荷電粒子線装置において、前記イオンポンプを複数備え、前記フレームは、複数の前記イオンポンプの数に合わせて分割され、分割された前記フレームのそれぞれは、前記荷重板または他のフレーム(当該フレーム以外のフレーム)に固定され、複数の前記イオンポンプのそれぞれとの間に前記積層構造体を備える構成にしてもよい。
荷電粒子線装置において、ステージ動作後のイオンポンプの固有振動を短時間で減衰させ、電子光学鏡筒を通る力のループや電流のループの形成を防止することにより、高分解能の観察画像を高速に取得できる。
本発明の第1の実施例による半導体検査装置の概略図である。 従来技術による荷電粒子線装置のイオンポンプの取り付け例を示す図である。 荷電粒子線装置に生じる力のループと電流のループを示す図である。 イオンポンプの固有振動モードを示す図である。 粘弾性体シートのせん断歪と変位、せん断応力とせん断力との関係を示す図である。 粘弾性体のせん断歪とせん断応力との関係を示す図である。 粘弾性体の変位とせん断力との関係を示す図である。 ステージの構造例を示す図である。 本発明の第1の実施例における粘弾性体シートの実装図である。 半導体検査装置の構造体が熱膨張する方向を示す図である。 本発明の第2の実施例による走査型電子顕微鏡装置の概略図である。 本発明の第3の実施例による半導体検査装置の概略図である。
本発明による荷電粒子線装置において、試料に照射する荷電粒子線は、電子線やイオンビームである。以下の実施例では、電子線を試料に照射する荷電粒子線装置を例にとって説明するが、イオンビームを試料に照射する荷電粒子線装置に対しても、本発明は適用可能である。
本発明に先立ち、荷電粒子線装置におけるイオンポンプの固有振動モードを測定した。図4に、この測定により得られたイオンポンプの固有振動モードを示す。図4では、図2に示した荷電粒子線装置のイオンポンプの取り付け例と同様に、イオンポンプ2a、2bが電子光学鏡筒1にフランジ29で締結されている。図4では、説明を分かりやすくするために、フレーム16の図示を省略している。
以下の説明では、イオンポンプ2a、2bと電子光学鏡筒1とを接続する配管30及び電子光学鏡筒1に垂直な方向をx方向、イオンポンプ2a、2bと電子光学鏡筒1とを接続する配管30に平行な方向(フランジ29に垂直な方向)をy方向、電子光学鏡筒1と平行な方向(鉛直方向)をz方向と定義する。また、x、y、z軸の周りの回転方向を、それぞれθx、θy、θzで表す。さらに、イオンポンプ2a、2bを6面体として扱い、フランジ29と締結されている面とは反対の面を、取付面17a、17b(図4の斜線部)と定義する。取付面17a、17bは、x−z面と平行である。
固有振動モードの測定結果によると、固有振動は、イオンポンプ2a、2bのフランジ29側を回転中心としたθx、θy、θz方向の回転振動が支配的であった。θxとθz方向の振動の角度が微小であるので、イオンポンプの固有振動モードは、取付面がx−z面内を移動するモードであることがわかった。すなわち、イオンポンプは、イオンポンプ2a、2bと電子光学鏡筒1とを接続する配管30に垂直なx−z面内で振動するということがわかった。
そこで、イオンポンプと試料室に固定したフレームとの間に、振動吸収体、すなわち粘弾性体シートを金属板で挟んだ積層構造体を配置することによって、イオンポンプの振動エネルギーを粘弾性体で吸収すると、イオンポンプの振動を速やかに減衰させることができる。すなわち、振動を吸収する積層構造体は、イオンポンプの振動方向と平行に、x−z面内に配置する。
以上説明したように、本発明は、イオンポンプの固有振動モードの測定結果から得られた知見を基に、振動を吸収する積層構造体をイオンポンプの一面のみ(x−z面内)に配置するものである。粘弾性体シートは、振動方向と平行に配置するので、振動エネルギーを効果的に吸収し、大きな歪(振動の変位)と歪速度(振動速度)を急速に小さくすることが可能である。
ここからは、イオンポンプの振動と、粘弾性体による振動エネルギーの吸収メカニズムについて説明する。
イオンポンプの振動エネルギーEは、イオンポンプの質量Mと振動速度Vとから、またはイオンポンプの取付剛性に相当するバネ定数Kとイオンポンプの振動の変位Xとから、次式のようにして求めることができる。
E=1/2・M・V=1/2・K・X
速度Vや変位Xは、イオンポンプの固有角振動数ωnと加速度の絶対値Aから求めても良い。バネ定数Kは、イオンポンプの固有角振動数ωnと質量Mから算出可能である。
V=A/ωn
X=A/ωn
K=ωn・M
図5(a)〜(c)に、粘弾性体による振動エネルギーの吸収メカニズムを示す。
図5(a)は、粘弾性体シートと金属板とからなる積層構造体について、せん断歪と変位、せん断応力とせん断力との関係を示す図である。積層構造体は、厚さTで面積Sの粘弾性体シート20を、2枚の金属板18、21で挟んだものである。
図5(a)に示すように、金属板18に、金属板18と粘弾性体シート20との接触面に平行な方向に力(せん断力)Fが加わった場合を考える。このとき、粘弾性体シート20の上面が時間tとともにXだけ変位すると、せん断歪γとせん断歪速度(dγ/dt)が変化し、せん断応力τが発生する。粘弾性体シート20のせん断弾性係数Gは、歪に応じたせん断応力G’(実数部)と、歪速度に応じたせん断応力G”(虚数部)の和で表される(複素せん断係数G=G’+G”・j、jは虚数単位)。つまり、粘弾性体シート20の材料自体がばね要素と減衰要素とを備えていると考えることもできる。
せん断応力τは、複素せん断弾性係数Gにせん断歪γを掛けた大きさになる。したがって、せん断応力τは次式のように表される。なお、G”/G’は損失係数ηといわれる。
τ=G・γ
=(G’+G”・j)・γ
=G’・(1+η・j)・γ
τ:せん断応力
:複素せん断弾性係数
G’:複素せん断弾性係数の実数部(貯蔵せん断弾性率)
G”:複素せん断弾性係数の虚数部(損失せん断弾性率)
γ:せん断歪
η:損失係数(=G”/G’)
j:虚数単位
図5(b)は、粘弾性体のせん断歪γとせん断応力τとの関係を示す図である。せん断歪γとせん断応力τとの関係は、τ=G・γと表されるが、複素せん断弾性係数Gに虚数項があるために、直線ではなく楕円で表される。
図5(c)は、粘弾性体の変位Xとせん断力Fとの関係を示す図である。せん断歪γに粘弾性体の厚さTを掛けることにより変位Xを求め、せん断応力τに粘弾性体の面積Sを掛けてせん断力Fを求めている。楕円の面積は、粘弾性体に強制変位を1周期与えたときの、粘弾性体に吸収されるエネルギーを示している。すなわち、振動の1周期間で、振動エネルギーEのうち楕円の面積に相当する量が粘弾性体に吸収され、熱エネルギーWに変換される。これが粘弾性体による振動エネルギーの吸収メカニズムである。
粘弾性体の素材は、温度特性や周波数特性を考慮しながら、損失係数ηの大きなものを選択する。具体的には、損失係数ηは、0.5〜1.0の範囲であればよいが、1.0程度と大きいのが望ましい。
粘弾性体の形状は、イオンポンプの振動振幅が微小なら、せん断歪γが大きくとれるように粘弾性体シートの厚さTを薄くし、制振力を増やしたいときは、面積Sを広くとれば良い。したがって、微小振動の制振を目的とした粘弾性体の形状は、薄くて面積の広いシート状や短冊のような形状になる。粘弾性体の厚さTと面積Sの値は、イオンポンプの振動エネルギーEより、粘弾性体の吸収エネルギーが大きくなるように決めると良い。
本発明による荷電粒子線装置の第1の実施例を、半導体検査装置を例に挙げて説明する。図1は、本発明の第1の実施例による半導体検査装置の概略図である。
半導体検査装置の電子光学鏡筒1の内部は、2個のイオンポンプ2a、2bで排気され、超高真空の状態が維持されている。試料3を搭載したステージ13は、試料室4の内部を移動する。試料室4の内部は、ターボ分子ポンプ6aと粗引きポンプ7aで排気されている。試料3を装置の外部へ受渡しするロードロック室5も、ターボ分子ポンプ6bと粗引きポンプ7bで排気されている。
半導体検査装置に対する床からの振動は、除振マウント8で減衰される。
電子銃9から放射された電子線10は、対物レンズ11で収束され、偏向レンズ12で走査されて、試料3を照射する。このときの二次電子や反射電子を検出することによって、試料3の観察画像を取得する。
ステージ13は、Xステージ14とYステージ15という可動体から構成されている。図6は、ステージ13の構造例を示す図である。図6に示すように、Xステージ14はx方向に、Yステージ15はy方向に可動である。このように、ステージ13は、試料3の全面が観察できるように、二次元駆動ができる構造となっている。
イオンポンプ2a、2b、フレーム16、及び粘弾性体シートを金属板で挟んだ積層構造体の実装については、図7を用いて説明する。
図7は、粘弾性体シートの実装図である。電子光学鏡筒1に取り付けられているイオンポンプ2a、2bの取付面17a、17bに、金属板18a、18bをボルト19でそれぞれ固定する。金属板18a、18bのイオンポンプ2a、2bと反対側の面に、粘弾性体シート20a、20bをそれぞれ貼り付ける。粘弾性体シート20a、20bの金属板18a、18bと反対側の面に、金属板21a、21bをそれぞれ貼り合わせる。金属板21a、21bは、フレーム16に固定されており、フレーム16は、試料室4にボルト22で固定される。このようにして取り付けられた積層構造体は、ベーキング時には取り外すことができる。
イオンポンプ2a、2bは電子光学鏡筒1にフランジ29で締結されて配管30により接続しているが、この配管30は、電子光学鏡筒1に溶接で取り付けられている。このため、イオンポンプ2a、2bの電子光学鏡筒1に対する取付位置の誤差は、1mm程度ある。しかし、次のようにして、この誤差を打ち消すように積層構造体を実装することができる。ボルト19が通る穴をネジ径より大きなキリ穴や長円穴とすることで、イオンポンプ側の金属板18a、18bの取り付け位置をx、y、z方向に微調整することができる。また、フレーム側の金属板21a、21bの取り付け角度を調整することにより、x軸とy軸周りの角度調整ができる。z軸周りの角度ずれは、粘弾性体シート20で吸収する。
粘弾性体シート20a、20bの弾性率(200kPa)は、イオンポンプ側の金属板18a、18bやフレーム側の金属板21a、21bの材料であるステンレス鋼の弾性率(200GPa)に比べて、100万分の1程度である。したがって、図8に示した矢印の方向に構造体が熱膨張しても、粘弾性体シート20a、20bの反発力は小さいので、試料室4とフレーム16とイオンポンプ2a、2bと電子光学鏡筒1とで形成される力のループは殆ど発生しないと考えられる。すなわち、熱膨張による構造体の変形の影響を低減でき、電子線の照射位置が変化するのを防止できる。
また、粘弾性体シート20a、20bが絶縁性であれば、試料室4とフレーム16とイオンポンプ2a、2bと電子光学鏡筒1とで形成されるループに電流は流れず、電流のループは発生しない。このため、アース電位の変化など電源に同期して発生する電子線の揺れを低減できる。
粘弾性体シート20a、20bは、イオンポンプ2a、2bのベーキング温度には耐えられないので、ベーキング時には積層構造体を取り外しておく必要がある。粘弾性体シート20a、20bは、安全のために難燃性の材料を選択しても良い。
本発明による荷電粒子線装置の第2の実施例を、走査型電子顕微鏡装置を例に挙げて説明する。図9は、本発明の第2の実施例による走査型電子顕微鏡装置の概略図である。
実施例1で図1に示した半導体検査装置が大口径試料を観察する装置であるのに対し、図9に示した走査型電子顕微鏡装置は、小さな試料を観察する装置である。このため、試料室24は小さく、荷重板23上に搭載されている。荷重板23は、試料室24を支持する板状部材であり、床からの振動を除振する除振マウント(図示せず)上に設置されている。
電子光学鏡筒1に対するイオンポンプ2a、2bの取り付け方や、金属板18a、18b、粘弾性体シート20a、20b、金属板21a、21bの取り付け方は、実施例1と同様である。金属板21a、21bがフレーム25に固定されているのも実施例1と同様であるが、フレーム25が荷重板23にボルト26で固定される点が異なる。
このような構成において、イオンポンプ2a、2bに対する振動源としては、ステージ駆動反力、床から減衰されずに荷重板23に伝達される床振動、粗引きポンプの回転振動等が考えられる。
本実施例でも、実施例1と同様に、イオンポンプ2a、2bの振動エネルギーを粘弾性体シート20a、20bで吸収し、イオンポンプ2a、2bの振動を速やかに減衰させることができる。また、実施例1と同様に、力のループや電流のループの発生を防ぐこともできる。
本発明による荷電粒子線装置の第3の実施例を、実施例1と同様の半導体検査装置を例に挙げて説明する。図10は、本発明の第3の実施例による半導体検査装置の概略図である。
実施例1で説明した半導体検査装置の構成でも、x、y、zそれぞれの軸周りの角度調整が可能である。しかし、2個のイオンポンプ2a、2bは、取付面17a、17bがx−z面と平行であるのが理想的であるが、前述したように電子光学鏡筒1に溶接で取り付けられているため、位置や向きが正確にそろっているわけではなく、互いに異なる方向を向いている場合もある。すなわち、取付面17a、17bが互いに平行になっていない場合もある。このような場合には、粘弾性体シート20a、20bも互いに平行にはならない。
互いに平行ではない2個の粘弾性体シート20a、20bを、1つのフレーム16に取り付けられた金属板21a、21b(図7参照)により固定すると、金属板21a、21bは同一面内にあり互いに平行であるため、粘弾性体シート20a、20bの厚さが不均一になってしまう。特に、粘弾性体シート20a、20bの厚さが1mm程度と薄い場合には、フレーム16からの振動が粘弾性体シート20a、20bを介さないでイオンポンプ2a、2bへ伝達される場合もありうるなど、期待した制振効果が得られなくなる。
したがって、金属板21aと粘弾性体シート20aとが平行になり、同時に金属板21bと粘弾性体シート20bも平行になるような構成が望ましい。すなわち、金属板21a、21bが互いに異なる方向を向くことができ、それぞれが個別にイオンポンプ2a、2bの向きに合わせることが可能であるのが望ましい。
そこで、本実施例では、実施例1の半導体検査装置において、図10に示すように、フレームを上部フレーム27と下部フレーム28の2個に分割し、上部フレーム27と下部フレーム28とが互いに異なる方向を向くことができるようにした。上部フレーム27は、金属板21aを固定し、下部フレーム28は金属板21bを固定する。上部フレーム27は、ボルト22で下部フレーム28に固定され、下部フレーム28は、ボルト22で試料室4に固定される。ボルト22が通る穴をネジ径より大きなキリ穴や長円穴とすることで、上部フレーム27と下部フレーム28との取り付け角度を独立に調整できる。
上部フレーム27は、イオンポンプ2aの取付面17aと金属板21aとが平行になるように、角度θx1、θy1、θz1を調整して固定する。下部フレーム28は、イオンポンプ2bの取付面17bと金属板21bとが平行になるように、角度θx2、θy2、θz2を調整して固定する。ここで、角度θx1、θx2はx軸周りの角度、θy1、θy2はy軸周りの角度、θz1、θz2はz軸周りの角度である。
このような構成により、2個のイオンポンプ2a、2bの向きが不一致であり、取付面17a、17bが互いに平行でなくても、粘弾性体シート20a、20bを、イオンポンプ2a、2bの向きに合わせて、それぞれが取付面17a、17bに平行になるように取り付けることができる。したがって、イオンポンプ2a、2bの振動エネルギーを粘弾性体シート20a、20bで吸収し、イオンポンプ2a、2bの振動を速やかに、かつ確実に減衰させることができる。
なお、本実施例では、実施例1と同様に半導体検査装置を例に挙げて説明したため、下部フレーム28は試料室4に固定されている。本実施例を、実施例2と同様に走査型電子顕微鏡装置に適用する場合は、下部フレーム28は荷重板23に固定される。
以上の実施例で説明したように、本発明によれば、イオンポンプの固有振動を短時間で減衰させるとともに、力のループと電流のループの発生を防ぎ、高分解能かつ高スループットの荷電粒子線装置を提供することができる。
以上の実施例では、荷電粒子線装置にイオンポンプが2個取り付けられている例について説明したが、イオンポンプの数はこれに限定されるものではない。イオンポンプの数に応じて粘弾性体シートを金属板で挟んだ積層構造体を用意し、それぞれのイオンポンプに実装すればよい。実施例3の場合でイオンポンプが3個以上のときも、イオンポンプの数に合わせてフレームを分割し、分割したフレームのそれぞれに積層構造体を取り付けて、それぞれのイオンポンプに実装する。
1…電子光学鏡筒、2a,2b…イオンポンプ、3…試料、4…試料室、5…ロードロック室、6a,6b…ターボ分子ポンプ、7a,7b…粗引きポンプ、8…除振マウント、9…電子銃、10…電子線、11…対物レンズ、12…偏向レンズ、13…ステージ、14…Xステージ、15…Yステージ、16…フレーム、17a,17b…(イオンポンプの)取付面、18,18a,18b,21,21a,21b…金属板、19,22,26…ボルト、20,20a,20b…粘弾性体シート、23…荷重板、24…試料室、25…フレーム、27…上部フレーム、28…下部フレーム、29…フランジ、30…配管。

Claims (6)

  1. 試料を内部に配置する試料室と、荷電粒子線を前記試料に照射するための荷電粒子線光学鏡筒と、前記荷電粒子線光学鏡筒の内部を排気するイオンポンプとを備える荷電粒子線装置において、
    前記試料室を形成する部材に、前記イオンポンプの外面の一端に対向してフレームが固定され、
    前記フレームと前記イオンポンプの外面の前記一端との間に振動吸収体が設けられ、この振動吸収体は、粘弾性体シートを金属板で挟んだ積層構造体によって構成され、前記積層構造体は、前記イオンポンプの外面から取り外すことができることを特徴とする荷電粒子線装置。
  2. 試料を内部に配置する試料室と、前記試料室を支持する荷重板と、荷電粒子線を前記試料に照射するための荷電粒子線光学鏡筒と、前記荷電粒子線光学鏡筒の内部を排気するイオンポンプとを備える荷電粒子線装置において、
    前記荷重板に、前記イオンポンプの外面の一端に対向してフレームが固定され、
    前記フレームと前記イオンポンプの外面の前記一端との間に振動吸収体が設けられ、この振動吸収体は、粘弾性体シートを金属板で挟んだ積層構造体によって構成され、前記積層構造体は、前記イオンポンプの外面から取り外すことができることを特徴とする荷電粒子線装置。
  3. 請求項1記載の荷電粒子線装置において、
    前記イオンポンプを複数備え、
    前記フレームは、複数の前記イオンポンプの数に合わせて分割され、
    分割された前記フレームのそれぞれは、前記試料室を形成する部材または他のフレームに固定され、複数の前記イオンポンプのそれぞれとの間に前記積層構造体を備える荷電粒子線装置。
  4. 請求項2記載の荷電粒子線装置において、
    前記イオンポンプを複数備え、
    前記フレームは、複数の前記イオンポンプの数に合わせて分割され、
    分割された前記フレームのそれぞれは、前記荷重板または他のフレームに固定され、複数の前記イオンポンプのそれぞれとの間に前記積層構造体を備える荷電粒子線装置。
  5. 請求項1または2記載の荷電粒子線装置において、
    前記振動吸収体は、前記イオンポンプの一面のみに配置される荷電粒子線装置。
  6. 請求項5記載の荷電粒子線装置において、
    前記振動吸収体は、前記イオンポンプの前記荷電粒子線光学鏡筒とは反対の面に配置される荷電粒子線装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10056226B2 (en) 2016-02-26 2018-08-21 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam apparatus and vibration damper for charged particle beam apparatus

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5537386B2 (ja) * 2010-11-09 2014-07-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP6118169B2 (ja) * 2013-04-25 2017-04-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
KR101882824B1 (ko) 2014-01-31 2018-07-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 스테이지 위치설정 시스템 및 리소그래피 장치
JP6633986B2 (ja) * 2016-07-20 2020-01-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP6484601B2 (ja) * 2016-11-24 2019-03-13 株式会社Kokusai Electric 処理装置及び半導体装置の製造方法
JP6872429B2 (ja) * 2017-06-07 2021-05-19 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
TW202145297A (zh) * 2020-02-06 2021-12-01 荷蘭商Asml荷蘭公司 用於離子泵的振動阻尼和共振減小

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2796305B2 (ja) * 1988-06-17 1998-09-10 株式会社日立製作所 電界放射電子銃
US5140164A (en) * 1991-01-14 1992-08-18 Schlumberger Technologies, Inc. Ic modification with focused ion beam system
IT1256824B (it) * 1992-05-14 1995-12-21 Varian Spa Unita' rivelatrice di elio perfezionata.
JPH09190791A (ja) * 1996-01-09 1997-07-22 Jeol Ltd イオンポンプを備えた荷電粒子線装置
US6252412B1 (en) * 1999-01-08 2001-06-26 Schlumberger Technologies, Inc. Method of detecting defects in patterned substrates
JP2001076660A (ja) * 1999-09-07 2001-03-23 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム装置
WO2002037526A1 (fr) * 2000-11-02 2002-05-10 Ebara Corporation Appareil a faisceau electronique et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur comprenant ledit appareil
US6809323B2 (en) * 2002-04-03 2004-10-26 Nikon Corporation Isolated frame caster
JP2005268268A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Canon Inc 電子ビーム露光装置
JP4751635B2 (ja) * 2005-04-13 2011-08-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 磁界重畳型電子銃
JP4977399B2 (ja) * 2005-11-10 2012-07-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP2008052947A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム装置
JP4851263B2 (ja) * 2006-08-23 2012-01-11 日本電子株式会社 ビーム応用装置
JP5016988B2 (ja) 2007-06-19 2012-09-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置およびその真空立上げ方法
JP5086105B2 (ja) * 2008-01-07 2012-11-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ ガス電界電離イオン源
JP5476087B2 (ja) * 2008-12-03 2014-04-23 日本電子株式会社 荷電粒子線装置の物体位置決め装置
JP5524229B2 (ja) * 2009-10-07 2014-06-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10056226B2 (en) 2016-02-26 2018-08-21 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam apparatus and vibration damper for charged particle beam apparatus

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