JP3778495B2 - 現像処理装置 - Google Patents

現像処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3778495B2
JP3778495B2 JP2001344324A JP2001344324A JP3778495B2 JP 3778495 B2 JP3778495 B2 JP 3778495B2 JP 2001344324 A JP2001344324 A JP 2001344324A JP 2001344324 A JP2001344324 A JP 2001344324A JP 3778495 B2 JP3778495 B2 JP 3778495B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
development processing
processing apparatus
gas
liquid
development
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001344324A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003149830A (ja
Inventor
和生 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2001344324A priority Critical patent/JP3778495B2/ja
Publication of JP2003149830A publication Critical patent/JP2003149830A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3778495B2 publication Critical patent/JP3778495B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスや液晶ディスプレイ等の製造プロセスで使用して好適な現像処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィ工程では、半導体ウエハ(以下「ウエハ」とする)の表面にレジスト液を塗布するレジスト塗布処理と、このレジスト塗布処理済みのウエハに対して露光処理を施した後に現像する現像処理とが行われている。そして、レジスト塗布処理にはレジスト塗布処理装置ユニットが、また現像処理には現像処理装置ユニットが用いられる。
【0003】
このうち現像処理装置ユニットは、ウエハに対し現像・洗浄処理を施すための処理室を有する現像処理装置と、この現像処理装置の処理室内において露光処理済みのウエハを吸着保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャック上のウエハに現像液を供給する現像液供給ノズルとを備えている。また、現像処理後にウエハ上の現像液を洗浄除去するためのリンス液(例えば水素水あるいはオゾン等の機能水)を吐出するリンス液供給ノズルも備えている。
【0004】
このような現像処理装置ユニットを用い、ウエハの現像・洗浄が行われる。この場合、ウエハ上に現像・洗浄液を供給するに際して現像液・リンス液供給ノズルから吐き出される現像・洗浄液の処理済み液は、現像処理装置の処理室から工場のドレインに廃液として排出される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記した現像処理装置においては、処理済み液をドレイン等にそのまま廃液として排出するものであるため、廃液によって配管やバルブ等の工場設備を腐食させることがある。これは、現像・洗浄液(処理済み液)中には現像・洗浄効果のある気体が溶存されているため、この気体を含んだまま処理済み液がドレイン等に排出されてしまうからである。
このため、前記処理済み液中に溶存する気体を除去するための設備(気体除去設備)等を工場内に設ける必要がある。
一方、前記した現像処理装置(現像処理装置ユニット)は、工場のレイアウト変更により移動させて設置可能に構成されている。
この結果、現像処理装置の移動に伴い、その都度工場内に気体除去設備等を新規に設ける必要が生じ、コストが嵩むという課題があった。
【0006】
本発明は、このような技術的課題を解決するためになされたもので、現像処理装置移動によって気体除去設備等を新規に設ける必要がなく、もってコストの低廉化を図ることができる現像処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記した目的を達成するためになされた本発明に係る現像処理装置は、基板に現像・洗浄処理を施すための処理室を有するカップを備え、前記処理室内において生じた処理済み液を廃液としてドレインに排出する現像処理装置であって、前記処理室と前記ドレインとの間の排出路途中に、前記処理済み液中に溶存する気体を除去するための脱気モジュールを配設し、この脱気モジュールは、前記処理室側に接続する流入用ポートおよびドレイン側に接続する流出用ポートと、前記気体を排気するための排気用ポートとを有する容器を備え、さらに、この容器内に位置する気体透過用の中空糸膜を備えたことを特徴とする。
【0008】
このように構成されているため、処理済み液が流入用ポートから容器内に流入する。そして、処理済み液中に溶存する気体が排気用ポートから容器外に排気され、この溶存気体を除く処理済み液が廃液として流出用ポートから容器外に流出する。
このように、処理済み液中に溶存する気体が脱気モジュールの中空糸膜によって除去され、この溶存気体を除く処理済み液が廃液として工場内のドレインに排出される。
したがって、廃液によって工場設備が腐食しないため、現像処理装置移動に伴い気体除去設備等を工場内に新規に設けることを必要とせず、コストの低廉化を図ることができる。
【0009】
ここで、前記中空糸膜が、前記流入用ポートと前記流出用ポートとに接続された管状体によって形成されていることが望ましい。
このように構成されているため、処理済み液が流入用ポートから管状体内に流動し、処理済み液中に溶存する気体が管状体を透過して容器内に流動する。
また、前記排気用ポートに排気管を介して真空ポンプが接続されていることが望ましい。
このように構成されているため、容器内の処理済み液中に溶存する気体が真空ポンプによって排気用ポートから排気管内に排気される。
【0010】
一方、本発明の別の発明に係る現像処理装置は、前記容器に設けられた各ポートを開閉するためにそれぞれのポートに設けられたバルブと、これらバルブのうち排気用ポートを開閉するバルブの下流側に配置された真空ポンプとを有し、この真空ポンプは、前記排気用ポートに排気管を介して接続されていることが望ましい。
このように構成されているため、容器内の処理済み液中に溶存する気体が脱気モジュールによって除去され、この溶存気体を除く処理済み液が廃液として工場内のドレインに排出される。
この場合、流入用ポートがバルブの開弁によって開放されると、処理済み液が流入用ポートから容器内に流入する。また、排気用ポートがバルブの開弁によって開放されると、容器内の処理済み液中に溶存する気体が真空ポンプによって排気用ポートから排気管内に排気される。そして、流出用ポートがバルブの開弁によって開放されると、溶存気体を除く処理済み液が廃液として流出用ポートから容器外に流出する。
したがって、廃液によって工場設備が腐食しないため、現像処理装置移動に伴い気体除去設備等を工場内に新規に設けることを必要とせず、コストの低廉化を図ることができる。
【0011】
ここで、前記容器の内容積が、前記基板に対する一回の現像・洗浄処理において生じる処理済み液量以上の内容積に設定されていることが望ましい。
このように構成されているため、一回の現像・洗浄処理に対して容器内に収容された処理済み液の上方に空間部が形成され、処理済み液中に溶存する気体が真空ポンプによって容器外に確実に排気される。
また、前記脱気モジュールの上流側に、前記処理済み液中に溶存する気体の濃度を検出する濃度センサが配置され、この濃度センサに、前記気体の検出濃度に応じて前記真空ポンプを駆動制御するコントローラが接続されていることが望ましい。
このように構成されているため、処理済み液中に溶存する気体の濃度が所定の濃度に達した場合にコントローラによって真空ポンプが駆動される。
【0012】
さらに、前記排気管内に、前記気体を分解するための触媒からなるフィルタが配設されていることが望ましい。
このように構成されているため、処理済み液中に溶存する気体がフィルタを通過する際に分解される。これにより、気体が真空ポンプに到達しても、その腐食発生が防止される。
さらにまた、前記脱気モジュールの上流側に、前記処理済み液を収容可能なタンクが配設されていることが望ましい。
このように構成されているため、気体の除去前にタンク内に処理済み液が一旦収容される。
【0013】
そして、前記脱気モジュールが前記ドレインに対して直列に複数個接続されていることが望ましい。
このように構成されているため、一回の液処理における気体の除去処理が複数回連続して行われる。これにより、気体の除去効果が高められる。
また、前記脱気モジュールが前記ドレインに対して並列に複数個配置されていることが望ましい。
このように構成されているため、複数回の液処理における気体の除去処理が同時に行われる。これにより、処理済み液中に溶存する気体の除去作業時間が短縮される。
さらに、前記カップ乃至前記脱気モジュールが塗布現像処理装置ユニット用筐体内に配置されていることが望ましい。
このように構成されているため、塗布現像処理装置ユニット(現像処理装置)を移動しても新たな廃液設備を必要とせず、通常のドレインに排出することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る現像処理装置につき、図に示す実施の形態に基づいて説明する。なお、現像処理装置の説明に先立ち、塗布現像処理装置ユニットにつき、図1〜図3を用いて説明する。図1〜図3は、本発明が適用された現像処理装置を備えた塗布現像処理装置ユニットの概略を示す平面図,正面図および背面図である。
図1に示すように、塗布現像処理装置ユニット1は、例えば25枚のウエハWをカセット単位で外部から搬入しかつカセットCにウエハWを搬出するカセットステーション2と、塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション3とを備えている。さらに、この処理ステーション3に隣接する露光装置(図示せず)との間でウエハWの受け渡しをするインターフェース部4を備えている。
【0015】
前記塗布現像処理装置ユニット1は第一処理装置群G1〜第四処理装置群G4から構成されている。第一処理装置群G1および第二処理装置群G2は前記塗布現像処理装置ユニット1の正面側に配置され、第三処理装置群G3は前記カセットステーション2に隣接して配置されている。また、第四処理装置群G4は前記インターフェース部4に隣接して配置されている。さらに、オプションとして破線で示す第五処理装置群G5を前記塗布現像処理装置ユニット1の背面側に別途配置可能となっている。
【0016】
前記カセットステーション2では、カセット載置部5上の所定位置に複数のカセットCを矢印X方向(図1の上下方向)に沿って一列に載置可能に構成されている。そして、カセット配列方向(X方向)およびウエハ配列方向(Z方向)に対して移送可能なウエハ搬送体7が搬送路8に沿って移動可能に配設され、各カセットCに対するアクセスを選択的にし得るように構成されている。
【0017】
前記ウエハ搬送体7は、ウエハWの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウエハ搬送体7は、後述するように、処理ステーション3の第三処理装置群G3に属するエクステンション装置32(図3に図示)に対してもアクセスし得るように構成されている。
【0018】
前記処理ステーション3では、その中心部に主搬送装置13が配設されている。
この主搬送装置13の周辺には、各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。前記主搬送装置13は、前記処理装置群G1〜G5に配置されている後述する各種処理装置に対してウエハWを搬入・搬出可能である。
なお、処理装置群の数や配置は、ウエハWに施される処理の種類によって異なる。処理装置群の数は複数であれば、任意に選択してもよい。
【0019】
前記第一処理装置群G1では、図2に示すように、ウエハWにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置17と、露光後のウエハWを現像処理する現像処理装置18とが下から順に二段に積み重ねられている。同様に、前記第二処理装置群G2では、レジスト塗布装置19と現像処理装置20とが下から順に二段に積み重ねられている。
【0020】
前記第三処理装置群G3では、図3に示すように、ウエハWを冷却処理するクーリング装置30と、レジスト液とウエハWとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置31と、ウエハWを待機させるエクステンション装置32と、加熱処理装置としてのプリベーキング装置33,34と、現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置35,36等が下から順に例えば七段に積み重ねられている。
【0021】
前記第四処理装置群G4では、クーリング装置40と、載置したウエハWを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置41と、エクステンション装置42と、クーリング装置43と、露光後の加熱処理を施すポストエクスポージャーベーキング装置44,45と、ポストベーキング装置46,47等とが下から順に八段に積み重ねられている。
【0022】
前記インターフェース部4の中央部にはウエハ搬送体50が配置されている。このウエハ搬送体50は、矢印X方向および矢印Z方向に移動し、かつθ方向(Z軸の回り)に回転し得るように構成されている。そして、前記第四処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置41およびエクステンション装置42と周辺露光装置51等とにアクセスを行い、各装置に対してウエハWを搬送し得るように構成されている。
【0023】
次に、前記した現像処理装置につき、図4および図5(a),(b)を用いて詳細に説明する。図4は、本発明の第一実施形態に係る現像処理装置を概略して示す断面図である。図5(a)および(b)は、本発明の第一実施形態に係る現像処理装置の脱気モジュールの全体とその要部(A部)を示す断面図である。
図4に示す現像処理装置18,20(図1,図2にも図示)は、カップ72および脱気モジュール73を有し、塗布現像処理装置ユニット用の筐体71内に配置されている。そして、前記カップ72内において生じた現像・洗浄液等の処理済み液中に溶存されている気体を前記脱気モジュール73によって除去し、この溶存気体の除去された処理済み液を廃液としてドレイン74に排出するように構成されている。
【0024】
また、前記現像処理装置18,20は、前記脱気モジュール73のカップ側において前記処理済み液を収容可能なタンク75を備えている。
なお、前記脱気モジュール73および前記タンク75は、前記カップ72と前記ドレイン74を接続する排出路79の途中に配置されている。
この排出路79は、前記カップ72と前記タンク75との間に介在する第一排出路79aと、前記タンク75と前記脱気モジュール73との間に介在する第二排出路79bと、前記脱気モジュール73と前記ドレイン74との間に介在する第三排出路79cとから構成されている。
【0025】
前記カップ72は、ウエハWに現像・洗浄処理等の液処理を施すための処理室Sを有している。このカップ72の内側にはスピンチャック76が配置されている。このスピンチャック76は、真空吸着によってウエハWを固定保持した状態で駆動モータ(図示せず)によって回転駆動される。また、前記スピンチャック76の上方には、ウエハWの表面に対し、現像液を供給する現像液供給ノズルおよび洗浄液を供給するリンス液供給ノズル(共に図示せず)が移動自在に配置されている。
【0026】
前記脱気モジュール73は、図5(a)に示すように容器77および半透膜チューブ78を有し、前記第二排出路79bと前記第三排出路79cとの間に配置されている。そして、処理済み液中に溶存した気体を除去するように構成されている。
前記容器77は、前記カップ72側(第二排出路79b)に接続する流入用ポート80および前記ドレイン74側(第三排出路79c)に接続する流出用ポート81を有している。また、前記容器77内の処理済み液中に溶存する気体を外部に排出するための排気用ポート82を有している。
【0027】
一方、前記半透膜チューブ78は、前記容器77内に配置され、かつ前記両ポート80,81に接続されている。そして、全体が例えば四弗化エチレン系あるいはポリオレフィン系の中空糸膜によって形成されている。これにより、後述する真空ポンプ(真空圧5kPa程度)の駆動時に半透膜チューブ78内に処理済み液が流入すると、この処理済み液中に溶存する気体が図5(b)に矢印で示すように半透膜チューブ78を透過して容器77から排出管83内に流動するように構成されている。
【0028】
前記排出管83は、前記容器77に前記排気用ポート82を介して接続されている。この排出管83の下流側には真空ポンプ84が接続されている。この真空ポンプ84は、処理済み液中に溶存する気体の濃度が濃度センサ85によって検出されると、コントローラ86によって駆動するように構成されている。これにより、常時真空ポンプ84を稼動させる必要がなく、消費電力を低減させることができる。
前記濃度センサ85は、前記脱気モジュール73の上流側に配置され、かつ前記コントローラ86に接続されている。また、前記排出管83内には、フィルタ87が配置されている。このフィルタ87は、例えば白金,パラジウム等の貴金属触媒あるいはFe−Cr−Al等のメタルハニカム触媒からなり、脱気モジュール73によって処理済み液から分離された気体を分解するように構成されている。
【0029】
前記タンク75は、図4に示すように、内部空間が仕切壁75aによって第一室75Aと第二室75Bに隔成されている。そして、気体の除去前にタンク75内にカップ72からの処理済み液を一旦収容し得るように構成されている。これにより、タンク75内において一時貯留された処理済み液中に溶存する酸,アルカリ成分を含有する気体が排出され、また触媒によって分解される。
前記第一室75Aは前記第一排気路79aに接続され、第二室75Bは排気路75Cおよび第二排出路79bに接続されている。また、前記排気路75C内には、処理済み液中に溶存する気体を分解するための触媒からなるフィルタ(図示せず)が配置されている。なお、カップ側への気体の逆流を防止するために、排気路75cからは常時排気されている。
【0030】
以上の構成により、ウエハWに対する液処理が開始されると、カップ72の処理室S内において生じた処理済み液が第一排出路79a内に流動し、さらにタンク75内に流動して収容される。
そして、タンク75の第一室75A内が処理済み液で溢れると、処理済み液が第一室75Aから第二室75B内に流動し、さらに第二室75Bから第二排出路79bに流動する。この際、タンク75内において処理済み液中に溶存する気体の一部が排気路75Cに流動して外部に排気される。
【0031】
前記処理済み液は第二排出路79bから流入用ポート80を経て半透膜チューブ78内に流動する。この場合、流入用ポート80の付近に到達した処理済み液中に溶存する気体の濃度が濃度センサ85によって検出される。この濃度が所定の濃度から外れた濃度であると、濃度センサ85から検出信号がコントローラ86に送出され、真空ポンプ84が駆動される。この真空ポンプ84は、予め複数の濃度域別に設定される所定の時間(濃度が目標値に下げられるまでの時間)だけ駆動され停止する。このため、半透膜チューブ78内の処理済み液中に溶存する気体が半透膜チューブ78を透過し、排気用ポート82から排気管83を介して外部に排気される。一方、気体の除去(排気)された処理済み液が半透膜チューブ78内を通過して流出用ポート81から第三排出路79cに流動し、さらにドレイン74に流動する。
【0032】
したがって、本実施形態においては、処理済み液中に溶存する気体が脱気モジュール73によって除去され、この溶存気体を除く処理済み液が廃液として工場内のドレイン74に排出される。
これにより、廃液によって工場設備が腐食しないため、現像処理装置移動に伴い気体除去設備等を工場内に新規に設けることを必要とせず、コストの低廉化を図ることができる。
【0033】
次に、第二実施形態の現像処理装置につき、図4および図6を用いて詳細に説明する。図6は、本発明の第二実施形態に係る現像処理装置の脱気モジュールの全体を示す断面図である。なお、本実施形態における現像処理装置の脱気モジュール以外の構成部品(カップおよびタンク等)は第一実施形態と同一であるため、その構成部品についての詳細な説明は省略する。
本実施形態における現像処理装置18,20(図1および図2に図示)の脱気モジュール73は、容器92およびバルブ93〜95を有し、前記第二排出路79bと前記第三排出路79cとの間に配置されている。そして、処理済み液中に溶存する気体を除去するように構成されている。
【0034】
前記容器92は、図6に示すように、前記カップ72側(第二排出路79b)に接続する流入用ポート96および前記ドレイン74側(第三排出路79c)に接続する流出用ポート97を有している。また、前記容器92内の処理済み液中に溶存する気体を外部に排出するための排気用ポート98を有している。この排気用ポート98は、前記排気管83を介して真空ポンプ84に接続されている。そして、前記容器92の内容積は、ウエハWに対する一回の現像・洗浄処理において生じる処理済み液量以上の内容積より大きい(二倍程度)の容積に設定されている。
【0035】
前記バルブ93〜95は、前記コントローラ86によって駆動される電磁バルブによって構成されている。前記バルブ93は前記第二排出路79bの途中部(濃度センサ85の上流側)に、前記バルブ94は前記第三排出路79cの途中部に配置されている。また、前記バルブ95は前記排出管83の途中部に配置されている。そして、前記バルブ93は前記流入用ポート96を、前記バルブ94は前記流出用ポート97を開閉するように構成されている。また、前記バルブ95は前記排気用ポート98を開閉するように構成されている。
すなわち、ウエハWに対する液処理前および液処理時にはバルブ93が開弁されるとともに、バルブ94,95が閉弁される。また、ウエハWに対する液処理終了時にはバルブ93,94が閉弁されるとともに、バルブ95が開弁される。そして、ドレイン74に対する廃液の排出時にはバルブ93,94が開弁されるとともに、前記バルブ95が閉弁される。
【0036】
以上の構成により、ウエハWに対する液処理が開始されると、カップ72の処理室S内において生じた処理済み液が第一排出路79a内に流動し、さらにタンク75内に流動して収容される。この場合、バルブ93が開弁され、かつバルブ94,95が閉弁されている。
そして、タンク75の第一室75A内が処理済み液で溢れると、処理済み液が第一室75Aから第二室75B内に流動し、さらに第二室75Bから第二排出路79bに流動する。この際、タンク75内において処理済み液中に溶存する気体の一部が排気路75Cに流動して外部に排気される。
前記処理済み液は第二排出路79bからバルブ93,流入用ポート96を経て容器92内に流動する。
【0037】
そして、ウエハWに対する液処理が終了すると、コントローラ86によってバルブ93が閉弁されるとともに、バルブ95が開弁される。なお、バルブ94は閉弁状態のままである。
この状態において、流入用ポート80の付近を通過した処理済み液中に溶存する気体の濃度が所定の濃度であると、この濃度が濃度センサ85によって検出され、コントローラ86によって真空ポンプ84が駆動される。このため、容器92内に流動した処理済み液中に溶存する気体が排気用ポート98から排気管83を介して外部に排気される。
【0038】
この後、前記した気体の排気が終了すると、コントローラ86によってバルブ93,94が開弁されるとともに、バルブ95が閉弁される。そして、前記気体の除去された処理済み液が、流出用ポート97から第三排出路79cに流動し、さらにドレイン74に流動する。
【0039】
したがって、本実施形態においては、第一実施形態と同様に、脱気モジュール73によって処理済み液中に溶存する気体が除去され、この溶存気体を除く処理済み液が廃液として工場内のドレイン74に排出される。
これにより、廃液によって工場設備が腐食しないため、現像処理装置移動に伴い気体除去設備等を工場内に新規に設けることを必要とせず、コストの低廉化を図ることができる。
また、一回の現像・洗浄処理に対して容器92内に収容された処理済み液の上方に空間部を形成し、容器92内の処理済み液中に溶存する気体を真空ポンプ84によって容器92外に確実に排気させることができる。
【0040】
なお、各実施形態においては、単数の脱気モジュールで液処理が行われる場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、図7および図8に示すように脱気モジュールが複数であってもよい。
図7においては、複数(二個)の脱気モジュール100がドレイン74に対して直列に接続されている。これにより、一回の液処理における気体の除去処理が二回連続して行われ、処理済み液中に溶存する気体の除去効果が高められる。この場合、単一の装置内で複数のデベロッパユニット(カップ72)が接続されると、処理済み液による廃液量も多くなるため、脱気モジュール100として比較的容量の大きい図6に示す脱気モジュールを用いてもよい。
また、上流側の脱気モジュール100として図6に示す脱気モジュールを用い、下流側の脱気モジュール100として図5に示す脱気モジュールを用いてもよい。
さらに、図7に示す濃度センサK1,K2は各脱気モジュール100の上流側に配置され、気体濃度の検出値がそれぞれ設定される。そして、気体濃度が設定目標値(設定検出値より低い値)に下がるまで真空ポンプ84が駆動される。
【0041】
図8においては、脱気モジュール101がドレイン74に対して並列に複数個(二個)配置されている。これにより、二回の液処理における気体の除去が同時に行われ、処理済み液中に溶存する気体の除去作業時間が短縮される。
【0042】
また、各実施形態においては、半導体デバイスの製造プロセス(フォトリソグラフィ工程)におけるウエハWの現像処理装置に適用する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば液晶ディスプレイの製造プロセスやマスク基板の製造プロセス等における基板の現像処理装置にも実施形態と同様に適用可能である。
【0043】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなとおり、本発明に係る現像処理装置によると、現像処理装置移動に伴い気体除去設備等を工場内に新規に設けることを必要とせず、コストの低廉化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用された現像処理装置を備えた塗布現像処理装置ユニットの概略を示す平面図である。
【図2】本発明が適用された現像処理装置を備えた塗布現像処理装置ユニットの概略を示す正面図である。
【図3】本発明が適用された現像処理装置を備えた塗布現像処理装置ユニットの概略を示す背面図である。
【図4】本発明の第一実施形態に係る現像処理装置を概略して示す断面図である。
【図5】(a)および(b)は、本発明の第一実施形態に係る現像処理装置の脱気モジュールの全体とその要部を示す断面図である。
【図6】本発明の第二実施形態に係る現像処理装置の脱気モジュールの全体を示す断面図である。
【図7】本発明の各実施形態に係る現像処理装置の変形例(1)を示す模式図である。
【図8】本発明の各実施形態に係る現像処理装置の変形例(2)を示す模式図である。
【符号の説明】
18,20 現像処理装置
71 筐体
72 カップ
73 脱気モジュール
74 ドレイン
75 タンク
76 スピンチャック
77 容器
78 半透膜チューブ
79 排出路
80 流入用ポート
81 流出用ポート
82 排気用ポート
83 排出管
84 真空ポンプ
85 濃度センサ
86 コントローラ
87 フィルタ
S 処理室
W ウエハ

Claims (11)

  1. 基板に現像・洗浄処理を施すための処理室を有するカップを備え、前記処理室内において生じた処理済み液を廃液としてドレインに排出する現像処理装置であって、
    前記処理室と前記ドレインとの間の排出路途中に、前記処理済み液中に溶存する気体を除去するための脱気モジュールを配設し、
    この脱気モジュールは、前記処理室側に接続する流入用ポートおよび前記ドレイン側に接続する流出用ポートと、前記気体を排気するための排気用ポートとを有する容器を備え、
    さらに、この容器内に位置する気体透過用の中空糸膜を備えた
    ことを特徴とする現像処理装置。
  2. 前記中空糸膜が、前記流入用ポートと前記流出用ポートとに接続された管状体によって形成されていることを特徴とする請求項1に記載された現像処理装置。
  3. 前記排気用ポートに排気管を介して真空ポンプが接続されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された現像処理装置。
  4. 前記容器に設けられた各ポートを開閉するためにそれぞれのポートに設けられたバルブと、これらバルブのうち排気用ポートを開閉するバルブの下流側に配置された真空ポンプとを有し、
    この真空ポンプは、前記排気用ポートに排気管を介して接続されている
    ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載された現像処理装置。
  5. 前記容器の内容積が、前記基板に対する一回の現像・洗浄処理において生じる処理済み液量以上の内容積に設定されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載された現像処理装置。
  6. 前記脱気モジュールの上流側に、前記処理済み液中に溶存する気体の濃度を検出する濃度センサが配置され、
    この濃度センサに、前記気体の検出濃度に応じて前記真空ポンプを駆動制御するコントローラが接続されている
    ことを特徴とする請求項3乃至請求項5のいずれかに記載された現像処理装置。
  7. 前記排気管内に、前記気体を分解するための触媒からなるフィルタが配設されていることを特徴とする請求項3乃至請求項6のいずれかに記載された現像処理装置。
  8. 前記脱気モジュールの上流側に、前記処理済み液を収容可能なタンクが配設されていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載された現像処理装置。
  9. 前記脱気モジュールが前記ドレインに対して直列に複数個接続されていることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載された現像処理装置。
  10. 前記脱気モジュールが前記ドレインに対して並列に複数個配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれかに記載された現像処理装置。
  11. 前記カップ乃至前記脱気モジュールが塗布現像処理装置ユニット用筐体内に配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれかに記載された現像処理装置。
JP2001344324A 2001-11-09 2001-11-09 現像処理装置 Expired - Fee Related JP3778495B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001344324A JP3778495B2 (ja) 2001-11-09 2001-11-09 現像処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001344324A JP3778495B2 (ja) 2001-11-09 2001-11-09 現像処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003149830A JP2003149830A (ja) 2003-05-21
JP3778495B2 true JP3778495B2 (ja) 2006-05-24

Family

ID=19157868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001344324A Expired - Fee Related JP3778495B2 (ja) 2001-11-09 2001-11-09 現像処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3778495B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003149830A (ja) 2003-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11342198B2 (en) Processing liquid supplying apparatus and processing liquid supplying method
JP4879253B2 (ja) 処理液供給装置
TWI587901B (zh) 液體處理裝置及液體處理方法
TWI569111B (zh) 顯影處理裝置
JP6607820B2 (ja) フィルタ立ち上げ装置、処理液供給装置、治具ユニット、フィルタの立ち上げ方法
KR100877472B1 (ko) 기판의 처리방법 및 기판의 처리장치
KR20070093844A (ko) 보호막 제거 장치, 약액의 회수 방법 및 기억 매체
JP3189821U (ja) 処理液供給配管回路
JP3778495B2 (ja) 現像処理装置
JP4849958B2 (ja) 基板処理ユニットおよび基板処理方法
WO2006041028A1 (ja) 処理液供給装置
JP2004267965A (ja) 基板処理装置及び処理液切替方法
JP5922901B2 (ja) 処理液供給装置、基板処理装置、気泡の除去方法および基板処理方法
JP2015179728A (ja) 流路切替装置、液供給システム、液供給方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP3151957B2 (ja) 化学反応装置とその反応制御方法、薬液廃棄方法、および薬液供給方法
JP3708880B2 (ja) 基板の処理方法及び基板の処理装置
JPH1012523A (ja) 基板処理装置
JP2003142448A (ja) 基板洗浄装置の運転方法
JPH0770507B2 (ja) 半導体ウエハ用洗浄装置
JP2004122066A (ja) 脱気装置
TWI795912B (zh) 具氣壓式循環功能之預浸潤系統
JPH097936A (ja) レジスト処理装置およびレジスト処理方法
JP7190291B2 (ja) フィルタユニット、液処理システム及び液処理方法
JP2905038B2 (ja) 化学反応装置およびその使用方法
JP3517135B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051216

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060224

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060224

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120310

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120310

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150310

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees