JPH1012523A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

Info

Publication number
JPH1012523A
JPH1012523A JP16154896A JP16154896A JPH1012523A JP H1012523 A JPH1012523 A JP H1012523A JP 16154896 A JP16154896 A JP 16154896A JP 16154896 A JP16154896 A JP 16154896A JP H1012523 A JPH1012523 A JP H1012523A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
liquid
processing
processing liquid
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16154896A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Izumi
昭 泉
Nobuyuki Hirai
信行 平井
Kaoru Niihara
薫 新原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP16154896A priority Critical patent/JPH1012523A/ja
Publication of JPH1012523A publication Critical patent/JPH1012523A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液ミストの逆拡散による基板の汚染を防
止し、かつ処理液の排出と回収の切換えが行える基板処
理装置を提供する。 【解決手段】 処理槽42で捕集された処理液(洗浄液
または薬液)と雰囲気をまとめて排出し、それを切換え
バルブ70の切換えにより洗浄液は気液分離容器80a
に、薬液は気液分離容器80bに送り、さらに気液分離
容器80aおよび80bで薬液または洗浄液と雰囲気を
分離し、分離された雰囲気は排気ラインによって排出す
るとともに、気液分離容器80bで分離された薬液は薬
液タンク90に送給し、気液分離容器80aで分離され
た洗浄液は廃棄する。また、差圧計20の信号に基づい
て排気抵抗調整バルブ60の開度を調節し密閉型シャッ
タ41が開いているときに雰囲気の排出量を多くし、密
閉型シャッタ41が閉じているときに雰囲気の排出量を
少なくするように制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶用ガラス基
板や半導体ウエハ等の基板(以下「基板」という)の表
面に薬液や純水等の洗浄液など(以下「処理液」とい
う)を供給することによってその基板に各種処理を施す
基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図9は実開平5−20321号公報に示
された基板の回転処理装置を示している。この装置は基
板Wをチャック101に保持し、チャック101を水平
面内で回転しながらノズル108a〜108dによって
複数種の処理液Q1,Q2や洗浄液Q3,Q4を基板Wに噴
射することによって基板Wに各種処理を施す装置であ
る。
【0003】この装置では排液流通用樋部材115は、
平面視円形の回動基枠116が保護筒104に軸受10
7を介して水平回動可能に支持され、回動基枠116の
上面に内容器110の長孔円弧状の排液口111と対向
するリング状の樋溝117が形成され、回動基枠116
の下面に樋溝117と連通する単一の排液流下口118
が凸設されている。そして、開口面積の大きな排液口1
11から流下する各排液Q1〜Q4が、樋溝117で漏れ
なく捕集されて排液流下口118より流下されるように
なっている。
【0004】また、回動手段125は、外容器120の
下面に固定具123及び軸受124を介して固設された
駆動モータ126と、駆動モータ126の駆動軸に固設
された駆動ギア127と、上記回動基枠116の外周に
固設されたリングギア128とから成り、排液流通用樋
部材115を回動させてその排液流下口118を、外容
器120のいずれかのドレン口121a〜121b(1
21c・121dは図示せず)に位置選択して臨ませる
ように構成されている。
【0005】このような構成により、それぞれの処理ご
とに排液流通用樋部材115を回動させてその排液流下
口118が外容器120のドレン口121a〜121b
のうちのそれぞれ異なる所定のものの上に位置させる。
【0006】これによって、ノズル108a〜108d
によって基板Wに噴射された使用後の処理液Q1,Q2や
洗浄液Q3,Q4をそれぞれ異なったドレン口に流下さ
せ、それぞれ分別して捕集している。
【0007】また、内容器110の側部には排気口11
4が開口されており、内容器110の上部開口113よ
り気流Fを流下させて、排気口114より処理液ミスト
を排出するように構成されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の装置
では排液流通用樋部材115とドレン口121a〜12
1bとの間は切換え可能な機構とするため機密性が保て
ず、したがって処理液Q1,Q2や洗浄液Q3,Q4の排出
を行うドレン口121a〜121bと排気口114とを
別に設けている。
【0009】そのため上記の装置においてドレン口12
1a〜121bごとに回収する処理液や洗浄液を変える
ことによって分別回収する代わりに、複数のドレン口ご
とに同一の処理液の回収や廃棄を切替える装置を同様の
機構で実現しようとすると、排気口114からの排気に
よるチャンバ内の減圧によって処理液のドレン口内の処
理液に混入されたエアーが吸い上げられたり、基板の回
転による巻き上げによって内容器110の底部や排液流
通用樋部材115内などのエアーが排出された処理液と
ともに吸い上げられたりすることによって、処理液等の
ミストがチャンバ内に逆拡散して処理済みの基板、とり
わけその裏面を汚染してしまうといった問題があった。
【0010】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、処理液ミストの逆拡散による基
板の汚染を防止し、かつ処理液の排出と回収の切換えが
行える基板処理装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項1の装置は、第1処理液と第2処
理液とを所定の順序で選択して基板の表面に順次に供給
することによって前記基板の表面処理を行う基板処理装
置であって、前記第1処理液を貯留する処理液貯留手段
と、前記処理液貯留手段から前記基板へと前記第1処理
液を供給する第1処理液供給手段と、前記第2処理液を
前記基板に供給する第2処理液供給手段と、前記第1処
理液と前記第2処理液とのうち、その時点で前記基板に
供給された処理液を使用後処理液として基板近傍を通過
した雰囲気とともに捕集する捕集手段と、前記捕集手段
に連結されて、(i)前記使用後処理液が前記第1処理液
であるときには、前記捕集された前記第1処理液と前記
基板近傍を通過した雰囲気とを第1排出経路に排出させ
る第1状態と、(ii)前記使用後処理液が前記第2処理液
であるときには、前記捕集された前記第2処理液と前記
基板近傍を通過した雰囲気とを第2排出経路に排出させ
る第2状態と、を切換え可能な切換えバルブと、前記第
1排出経路に連結されて、前記第1処理液と前記基板近
傍を通過した雰囲気とを分離する第1気液分離手段と、
前記第1気液分離手段で分離された前記第1処理液を前
記処理液貯留手段へと帰還させる帰還ラインと、前記第
2排出経路に連結されて、前記第2処理液と前記基板近
傍を通過した雰囲気とを分離し、前記第2処理液を廃液
ラインに導出する第2気液分離手段と、前記第1気液分
離手段および前記第2気液分離手段のそれぞれで分離さ
れた前記基板近傍を通過した雰囲気を排気ラインに導く
排気導出手段と、を備える。
【0012】また、請求項2の装置は、請求項1の装置
において、前記基板は、開閉部を有する筐体として形成
された処理槽に収容されており、前記基板処理装置が、
前記開閉部の開閉状態を検出する開閉検出手段と、前記
処理槽内に不活性ガスの供給を行う不活性ガス供給手段
と、前記捕集手段から前記排気導出手段までの間に介挿
されて、前記排気ラインへの前記基板近傍を通過した雰
囲気の排出流量を調節する流量調節手段と、前記開閉検
出手段における検出結果に応答して前記流量調節手段を
駆動することにより、前記開閉手段の開状態での前記排
出流量を閉状態におけるよりも低下させる制御手段と、
をさらに備える。
【0013】また、請求項3の装置は、請求項2の基板
処理装置において、前記開閉検出手段が、前記処理槽の
内外の差圧を検知し、前記差圧に基づいて前記開閉状態
を検出する手段であることを特徴とする。
【0014】さらに、請求項4の装置は請求項3の基板
処理装置において、前記捕集手段は、前記処理槽自身の
底部であることを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】
【0016】
【1.第1の実施の形態の機構的構成と装置配列】図1
はこの発明の第1の実施の形態の基板処理装置における
構成図である。以下、図1を用いてこの装置の機構的な
概略構成について述べていく。なお、以下において用い
られる複数の薬液(「第1処理液」に相当)と洗浄液
(「第2処理液」に相当)とを併せて処理液と呼び、前
者と後者を必要に応じて使い分けていく。
【0017】制御部10は後述する差圧計20、不活性
ガス供給部30、密閉型シャッタ41、排気抵抗調整バ
ルブ60、切換えバルブ70に接続され、さらに図示し
ないが処理液供給ノズル43a〜43d等にも接続さ
れ、それらの動作のタイミング制御等を行う。
【0018】差圧計20(「開閉検出手段」に相当)は
後述する基板処理部40の内部および外部に渡って設け
られたセンサ21に接続され基板処理部40内外の気圧
差を感知し、それを示す信号を制御部10に送る。
【0019】不活性ガス供給部30は後述する基板処理
部40に配管によって接続され、不活性ガスである窒素
を制御部10の制御に従って基板処理部40に供給す
る。
【0020】基板処理部40は密閉型シャッタ41、処
理槽42、処理液供給ノズル43a〜43d、スピンチ
ャック44、駆動軸45、モータ46を備え、内部にお
いて基板Wを回転させながら各種基板処理を行う。
【0021】処理槽42は開口42aおよび42bを備
えた筐体であり、開口42aの外側には密閉型シャッタ
41が設けられている。密閉型シャッタ41は開口42
aの解放および閉鎖を行い、閉鎖時には基板処理部40
内外の雰囲気の交流を遮断する。
【0022】処理液供給ノズル43a〜43dは処理液
PRを基板Wに噴射、供給するノズルであって、そのう
ち処理液供給ノズル43aおよび43dは後述する薬液
タンク90に接続され、薬液を基板Wに供給する。ま
た、処理液供給ノズル43bおよび43cは洗浄液(純
水)を基板Wに供給する。
【0023】スピンチャック44はその上面が水平面内
で回転可能に支持されており、その上面に基板Wを保持
した状態で、駆動軸45によって伝えられるモータ46
の回転駆動力により回転し、それに伴って処理液供給ノ
ズル43a〜43dから各種処理液PRが基板Wに供給
されることによって各種基板処理が行われる。
【0024】配管50aは処理槽42に設けられた開口
42bに接続されるとともに、後述する排気抵抗調整バ
ルブ60を経由して切換えバルブ70に接続されてお
り、基板近辺を通過し、基板処理部40から排出される
雰囲気を含んだ各種処理液PRがその内部において送給
される。
【0025】また、排気抵抗調整バルブ60は制御部1
0の制御により適宜、配管50a内の雰囲気および処理
液PRの流路の開度を調節する。
【0026】切換えバルブ70は配管50aからの雰囲
気および処理液PRの送給先を処理液PRが洗浄液の場
合には配管50bに、処理液PRが薬液の場合には配管
50cに切り換える。
【0027】気液分離容器80a(「第2気液分離手
段」に相当)には配管50b,50dおよび50fが接
続されており、配管50bによって送給された雰囲気お
よび洗浄液を雰囲気と洗浄液とに分離し、雰囲気は配管
50dに送出し、洗浄液は配管50fを通じて廃棄す
る。
【0028】同様に、気液分離容器80b(「第1気液
分離手段」に相当)には配管50c,50dおよび50
gが接続されており、配管50cによって送給された雰
囲気を含んだ薬液を雰囲気と薬液とに分離し、雰囲気は
配管50dに送出し、処理液は配管50gを通じて後述
する薬液タンク90に送給し回収する。
【0029】配管50eは配管50dに接続され、さら
に配管50dは図示しない排気ラインに接続されてお
り、送給された雰囲気を排気する。
【0030】要部についてさらに詳細に説明する。
【0031】基板処理部40に設けられた密閉型シャッ
タ41は処理槽42の開口42aの外側に設けられ、昇
降自在となっている平板状部材によって開口42aを開
閉する構成になっており、平板状部材と処理槽42の外
壁面との間には弾性材が介在されていて、閉鎖時には処
理槽42の外部からの大気の流入や内部の雰囲気および
処理液PR等のミストの外部への流出を遮断する。そし
て、密閉型シャッタ41の開閉は後に詳述するが制御部
10によってタイミング制御されながら行われ、基板W
の搬入および搬出の際にのみ開けられ、その他の処理液
PRによる基板Wの基板処理等の間は閉じられる。
【0032】処理槽42の内部の底部は基板処理におい
て使用済みの処理液PRの捕集槽を兼ねており、スピン
チャック44上の基板Wに供給された処理液PRのう
ち、使用済みや使用されなかった余剰の処理液PRが不
活性ガス供給部30から供給された不活性ガスととも
に、処理槽42によって捕集された後に雰囲気を含んだ
処理液PRは開口42bを通じて配管50aに排出され
る。
【0033】排気抵抗調整バルブ60はその内部の雰囲
気や処理液PRの流路中に外部からの制御が可能な弁体
を備えており、この弁体が制御部10による制御で駆動
し配管50a内を送給される雰囲気や処理液PRの流量
を自動的に調節する。なお、後に詳述するように制御部
10は、この排気抵抗調整バルブ60による流路の開度
の制御と、不活性ガス供給部30からの基板処理部40
への不活性ガス供給の制御とによって処理槽42内の気
圧の調節を行う。
【0034】また、図2および図3は切換えバルブ70
の主要部の断面図である。以下、これらの図をもとに切
換えバルブ70の構成について説明していく。
【0035】図2に示すように、切換えバルブ70には
固定部73の中心が円柱状にくり抜かれており、そこに
円柱状の可動部71がその中心線CLを軸として回動自
在に嵌合されている。そして可動部71とその上面に接
続された配管50aとの間には図示しないベアリングに
よって可動部71の回動が配管50aに伝わらない機構
となっている。また、可動部71の下面には駆動軸を介
して切り換えモータ74が設けられている。
【0036】また、可動部71の外周面に1本の切欠溝
71cが設けられており、同様に固定部73に2本の切
欠溝73cおよび73dが設けられている。そして、そ
れぞれに弾性材料製のOリング77a〜77cが嵌合さ
れており、可動部71と固定部73の隙間から雰囲気や
処理液PRが漏れないようになっている。
【0037】また、内部には流路72が、可動部71の
上面に設けられた導入口71aから可動部71の外周面
に設けられた開口71bとの間に設けられている。ま
た、固定部73には、可動部71の中心線CLを軸とし
た180度の回動によって、その開口71bに対向する
2つの位置にそれぞれ排出口73a(第2排出口に相
当)および排出口73b(第1排出口に相当)が設けら
れている。
【0038】さらに、排出口73aには流路75がつな
がっており、その先には配管50bが接続されている。
同様に排出口73bには流路76がつながっており、そ
の先には配管50bが接続されている。
【0039】切換えバルブ70は以上のような構成にな
っており、切り換えモータ74の駆動によって可動部7
1がその中心線CLを軸として180度回動することに
より、配管50aにつながる配管を配管50b,50c
のいずれかに切り換えることができる。すなわち、図2
は配管50aに配管50bがつながった状態を示してお
り、図3は配管50aに配管50cがつながった状態を
示している。
【0040】このように配管50aによって送給された
処理液PRや雰囲気は切換えバルブ70によって、その
送給先を配管50bと配管50cとで切り換えられる。
より詳細には配管50aにつながるのは、処理液PRが
洗浄液の場合には配管50bであり、処理液PRが薬液
の場合には配管50cである。
【0041】さらに、配管50bに送給された洗浄液や
雰囲気は気液分離容器80aに送給される。また、配管
50cに送給された薬液や雰囲気は気液分離容器80b
に送給される。
【0042】図4は気液分離容器80aの断面図であ
る。気液分離容器80aの上部は円筒状であり、下部は
上下逆にした円錐状で、上面に配管50b、配管50d
および底部に配管50fが接続されている以外は密閉さ
れている。
【0043】配管50bは図示のように気液分離容器8
0aの底部に達しておらず、円筒部にその先端が位置す
るように設置されている。また、気液分離容器80aの
底部には配管50fが設けられており、これを通じて洗
浄液は廃棄される。
【0044】また、配管50fには、気液分離容器80
aの外部においてS字形のトラップ機構が設けられてお
り雰囲気の逆流を防止している。また配管50fのトラ
ップ機構の先は下方に伸びている。そのため気液分離容
器80a内の処理液PRの液面は図示の高さより上には
上昇しない。そのため、配管50bの先端は気液分離容
器80aの底部に貯留する処理液PRに浸漬してしまう
ことがない。なお、処理槽42内が負圧になり気液分離
容器80a内が負圧になっても配管50bの先端が気液
分離容器80aの底部に貯留する処理液に浸漬してしま
うことがない様、配管50bの長さと配管50dからの
排気能力とが設定されている。なお、配管50fのトラ
ップ機構部分の最下部には図示のように別の配管50h
が設けられており、その他端はトラップ機構部分の後方
において再び配管50fに合流している。さらに、配管
50hの途中には止め弁82が設けられている。この止
め弁82はこの装置の平常の動作時は閉じられている
が、メンテナンス時等に配管50fのトラップ機構部分
に溜まった処理液PRを除去したいときのみ開けられ
る。
【0045】また、気液分離容器80aの上部には配管
50dが設けられており、さらにその先には排気ライン
に接続され、その排気ラインの吸引によって気液分離容
器80a内において処理液PRと分離されて上部に溜ま
った雰囲気は強制的に排気される。
【0046】気液分離容器80aにおいて雰囲気が強制
排気されることにより配管50a,50bを通じて基板
処理部40内の雰囲気が、排気抵抗調整バルブ60の開
き度合いに応じた強さで吸引される。なお、気液分離容
器80aは耐薬品性を必要とするため、塩化ビニルまた
はPTFE等のフッ素系樹脂によって形成されている。
【0047】また、気液分離容器80bも同様の構成で
ある。
【0048】ところで、この気液分離容器80a,80
bに対比される比較技術として図8に示すような気液分
離容器が考えられる。すなわち、気液分離容器200の
上面に配管201および204が設けられ、気液分離容
器200の底部には配管202が設けられている以外は
密閉されている。また、配管201の気液分離容器外の
端部201aの反対の端部は処理槽に接続されている。
さらに、配管202には止め弁203が、配管204に
はポンプ205が設けられている。そして、配管201
はその端部201aが気液分離容器200内の底部近傍
に位置するように設置されており、そのため気液分離容
器200に処理液PRが溜まってくると、図示のように
配管201の端部201aは処理液PRに浸漬した状態
になる。
【0049】このような構成をとった場合にも処理槽内
の気圧を下げることは可能である。すなわち、ポンプ2
05によって気液分離容器200内の雰囲気を強制排気
することで処理液PRの圧力を下げ、それにより間接的
に配管201内の気圧を下げ、したがって配管201が
接続された処理槽の気圧を下げるというものである。
【0050】ところが、このような気液分離容器では基
板処理部からの処理液PRの排出の度合いによって気液
分離容器200内での処理液PRの深さが異なり、結果
的に基板処理部内の気圧が異なってしまうという欠点が
あり、そのため基板処理部内の微妙な気圧調整が困難と
なる。
【0051】これに対しこの発明の第1の実施の形態に
おける気液分離容器80a,80bでは図4に示すよう
にトラップ機構により基板処理部40からの処理液PR
の排出の度合いに関わらず処理液PRの液面は一定であ
り、しかも配管50dの雰囲気と配管50bとの間に処
理液PRが介在しないため、基板処理部40内の気圧は
処理液PRの排出度合いに左右されない。これにより基
板処理部40内の微妙な気圧調節が可能となっている。
【0052】
【2.第1の実施の形態における処理手順】つぎに、こ
の第1の実施の形態の基板処理装置における処理手順を
説明する。
【0053】図5は第1の実施の形態の基板処理装置に
おける基板処理のフローチャートである。以下、このフ
ローチャートを用いて説明していく。なお、最初の段階
では密閉型シャッタ41は閉じられ、基板処理部40内
では不活性ガスは供給されており、スピンチャック44
上面には基板Wは保持されていない。また、以下の全処
理の間、センサ21の信号に基づき差圧計20が処理槽
42内外の差圧を捉え、それを示す信号を制御部10に
送信し続けている。
【0054】まず、ステップS1において基板処理部4
0内への不活性ガスの供給を停止するとともに、排気抵
抗調整バルブ60の開度を下げて配管50aを通じた雰
囲気の排気を弱くする。これにより、基板処理部40内
外の気圧を等圧化しておく。
【0055】つぎにステップS2において基板処理部4
0の密閉型シャッタ41を開けて、基板処理部40の内
部に基板Wを搬入し、スピンチャック44によって基板
Wを保持する。
【0056】つぎに、ステップS3において密閉型シャ
ッタ41を閉じる。また、制御部10は密閉型シャッタ
41が閉じられたことを差圧計20の信号による処理槽
42内の気圧の上昇によって捉え、それに基づき基板処
理部40内への不活性ガスの供給を始めるとともに排気
抵抗調整バルブ60の開度を上げる。
【0057】つぎに、ステップS4においてスピンチャ
ック44を回転させて基板Wを回転させながら処理液供
給ノズル43aおよび43dから基板Wに向けて薬液を
噴射し、基板Wの薬液処理を行い、その後、薬液供給を
止め、処理液供給ノズル43bおよび43cから洗浄液
を基板Wに供給して基板Wの洗浄処理を行い、さらにそ
の後に、基板Wを回転させた状態で洗浄液供給を止め、
さらに基板Wの回転数を上げて基板Wの振り切り乾燥処
理を行う。
【0058】つぎに、ステップS5において全基板Wの
処理が終了したかどうかを判定し、全基板Wの処理が終
了していなければステップS1に戻って、次の基板Wの
処理に移り、逆に全基板Wの処理が終了していた場合に
は一連の基板処理を終了する。
【0059】以上説明したように、第1の実施の形態の
基板処理装置では処理槽42で捕集された処理液PRと
雰囲気をまとめて排出し、切換えバルブ70の切換えに
より処理液PRのうち洗浄液と薬液をそれぞれ気液分離
容器80aおよび80bに送り、さらに気液分離容器8
0aで洗浄液と雰囲気を、気液分離容器80bで薬液と
雰囲気をそれぞれ分離し、気液分離容器80aおよび8
0bにおいて分離された雰囲気は排気ラインによって排
出するとともに、気液分離容器80bで分離された薬液
は薬液タンク90に送給し、気液分離容器80aで分離
された洗浄液は廃棄する構成としたので、雰囲気を配管
50aを通じて排気しているために処理液PRがミスト
となって処理槽42に引き戻されることがないため処理
液ミストの処理槽42への逆拡散を防止することがで
き、かつ処理液PRの廃棄と回収の切換えが行える。ま
た、それによって回収した処理液PRを再利用すること
ができ、処理液PRにかかるコストを低減することがで
きるとともに、薬液の廃液を減らすこともできる。
【0060】また、処理槽42で捕集された洗浄液と薬
液を切換えバルブでそれぞれ気液分離容器80aおよび
80bに振り分け、気液分離容器80bで分離された薬
液は薬液タンク90に送給するとともに、気液分離容器
80aで分離された洗浄液は廃棄する構成としたので、
薬液と洗浄液でそれぞれ廃棄と回収を変更する場合に、
回収する薬液と廃棄する洗浄液が気液分離容器80a,
80bやそれまでの配管50bおよび50c内で混ざり
合うことがなく、回収後に処理液PRを薬液と洗浄液と
に分離したり、精製するなどの手間が省け、効率のよい
薬液の回収を行うことができる。
【0061】また、差圧計20の信号に基づいて制御部
10によって排気抵抗調整バルブ60の開度を調節し、
密閉型シャッタ41が開いているときに処理槽42から
の雰囲気の排出量を多くし、密閉型シャッタ41が閉じ
ているときにその雰囲気の排出量を少なくするように制
御する構成としたため、密閉型シャッタ41が開いてい
るときの方が閉じているときより処理槽42内の気圧が
高くなる。このため、密閉型シャッタ41を開けている
ときに処理槽42内から外に向かう雰囲気の流れができ
るので処理槽42内に大気が流入することを抑制するこ
とができ、したがって、処理槽内にパーティクルや基板
W上に不要な酸化膜を形成する酸素の流入を抑制するこ
とができるため基板Wの汚染を防止することができる。
【0062】さらに、処理槽42の底部が捕集槽を兼ね
ている構成としたため、処理槽と捕集槽をそれぞれ別々
に制作することによるコストを軽減することができる。
【0063】
【3.第2の実施の形態】図6は第2の実施の形態の基
板処理装置における構成図である。以下、図6を用いて
この装置を説明していく。
【0064】第2の実施の形態の装置では第1の実施の
形態の装置において配管50aに設けられていた排気抵
抗調整バルブ60を除去し、その代わりに配管50bお
よび配管50cにそれぞれ排気抵抗調整バルブ60aお
よび60bを設け、さらにそれらを制御部10と接続し
たものである。そして、処理液PRとして薬液による処
理を行う際には、切換えバルブ70の切換えによって配
管50aからの薬液の送給先が配管50cになってお
り、この場合には排気抵抗調整バルブ60bの制御を行
う。逆に第1の実施の形態の装置と同様のタイミング制
御を行い、処理液PRとして洗浄液による処理を行う際
には、切換えバルブ70の切換えによって配管50aか
らの洗浄液の送給先が配管50bになっており、この場
合には排気抵抗調整バルブ60aの制御を行う。
【0065】その他の構成は第1の実施の形態の装置と
同様である。
【0066】以上のような構成により、第2の実施の形
態の装置は第1の実施の形態の装置と同様の効果を備え
るのに加えて、以下のような特有の効果がある。
【0067】すなわち、第1の実施の形態の装置におい
て処理槽42において基板Wが割れるなどして処理液P
Rとともに配管50aに流入する場合に、その割れた基
板W等が排気抵抗調整バルブ60に詰まり取り出しにく
いといった場合が考えられるが、第2の実施の形態の装
置では配管50aにコンダクタンスバルブが接続されて
いないため、配管50a内に詰まった割れた基板Wは比
較的容易に取り除くことができ、メンテナンス性が向上
する。
【0068】
【4.第3の実施の形態】図7は第3の実施の形態の基
板処理装置における構成図である。以下、図7を用いて
この装置を説明していく。
【0069】第3の実施の形態の装置では第1の実施の
形態の装置において配管50aに設けられていた排気抵
抗調整バルブ60を除去し、その代わりに配管50eに
排気抵抗調整バルブ60を設け、さらにそれを制御部1
0と接続したものである。そして、第1の実施の形態の
装置と同様のタイミング制御を行う。
【0070】その他の構成は第1の実施の形態の装置と
同様である。
【0071】以上のような構成により、第3の実施の形
態の装置は第2の実施の形態の装置と同様の効果を備え
る。すなわち、第1の実施の形態の装置の効果に加えて
排気抵抗調整バルブ60による気液分離容器80a,8
0bからの雰囲気の排気圧の調節によって、前述の気液
分離容器80a,80bの特性により直接、処理槽42
内の気圧を調節できるので、排気抵抗調整バルブ60は
配管50eに設ける構成としても第1の実施の形態の装
置と同様の雰囲気の排気圧制御を行うことができ、しか
も、配管50aからコンダクタンスバルブを除去したの
で、配管50aが詰まった場合のメンテナンス性も向上
するという効果も有するのである。
【0072】さらに、第3の実施の形態の装置は第2の
実施の形態の装置に対してより有効な効果を持ってい
る。すなわち、第2の実施の形態の装置では排気抵抗調
整バルブ60a,60bの2つのコンダクタンスバルブ
を必要とし、さらにそれらの制御も両者を切り換えて行
わなければならなかったが、第3の実施の形態の装置で
は1つの排気抵抗調整バルブ60で済むので、コストも
低減することができ、制御の効率も向上するという効果
を有している。
【0073】
【5.変形例】上記のように第1〜第3の実施の形態の
基板処理装置では、処理液として1種類の薬液と洗浄液
を用いる構成としたが、複数種の薬液を用いる基板処理
に対して特定の種類の薬液のみを回収して、その他の薬
液と洗浄液を廃棄する構成としてもよく、その場合には
薬液の種類数だけ薬液タンクと気液分離容器や配管等の
回収系統を備え、それら複数の配管を切り換える切換え
バルブを用いる構成とすればよい。
【0074】また、第1〜第3の実施の形態の基板処理
装置では洗浄液を廃棄する構成としたが、洗浄液も回収
する構成とすることもできる。
【0075】また、第1〜第3の実施の形態の基板処理
装置では基板を回転処理する構成としたが、並進搬送し
ながら処理を行う装置に本発明を応用することもでき
る。
【0076】また、第1〜第3の実施の形態の基板処理
装置では、処理液を処理液供給ノズルによって基板に噴
射する構成としたが、基板上に処理液を塗布する装置に
も本発明を応用することもできる。
【0077】また、第1〜第3の実施の形態の基板処理
装置では、差圧計に基づく排気圧制御を行う構成とした
が、制御部で密閉型シャッタの開閉信号を送信するタイ
ミングで排気圧制御を行う構成としてもよく、さらに、
密閉型シャッタの開閉を光学的センサによって捉え、そ
れに基づいて排気圧制御を行う構成等とすることもでき
る。
【0078】さらに、第1〜第3の実施の形態の基板処
理装置では、処理液の廃棄と回収との各系統にそれぞれ
気液分離容器を備える構成としたが、気液分離容器を一
つ備え、その気液分離容器の処理液を排出する配管に切
換えバルブを設け、そこからの処理液の排出先を廃棄と
回収で切り換える構成としてもよい。
【0079】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1〜請求項
4の発明では前記第1処理液と前記第2処理液とのう
ち、その時点で前記基板に供給された処理液を使用後処
理液として基板近傍を通過した雰囲気とともに捕集手段
において捕集し、切換えバルブによる切換えによってそ
の使用後処理液が第1処理液であるときには、捕集され
たその第1処理液と基板近傍を通過した雰囲気とを第1
排出経路に排出させ、逆にその使用後処理液が第2処理
液であるときには、捕集されたその第2処理液と基板近
傍を通過した雰囲気とを第2排出経路に排出させる。
【0080】そして、その第1排出経路に連結された第
1気液分離手段によって第1処理液と基板近傍を通過し
た雰囲気とを分離し、そのうちの第1処理液を帰還ライ
ンによって処理液貯留手段へと帰還させ、回収する。ま
た、前記第2排出経路に連結された第2気液分離手段に
よって第2処理液と基板近傍を通過した雰囲気とを分離
し、その第2処理液を廃液ラインに導出し、廃棄する。
さらに、第1気液分離手段および第2気液分離手段のそ
れぞれで分離された基板近傍を通過した雰囲気は排気導
出手段によって排気ラインに導き、排気する。
【0081】以上のような構成としたので、基板近傍を
通過した雰囲気を使用後処理液とまとめて廃棄したため
にその使用後処理液がミストとなって捕集手段に引き戻
されることがなく、したがって処理液ミストの処理槽内
への逆拡散を防止することができ、かつ処理液の廃棄と
回収の切換えが行える。また、それによって回収した処
理液を再利用することができ、処理液にかかるコストを
低減することができるとともに、処理液の廃液を減らす
こともできる。
【0082】また、捕集手段で捕集された第1処理液ま
たは第2処理液の使用後処理液を切換えバルブで第1気
液分離手段および第2気液分離手段に振り分け、第1気
液分離手段で分離された第1処理液は帰還ラインによっ
て処理液貯留手段へと帰還させるとともに、第2気液分
離容器で分離された第2処理液は廃液ラインに導出して
廃棄する構成としたので、複数の処理液の種類ごとに廃
棄と回収を変更する場合に、回収する第1処理液と廃棄
する第2処理液が第1気液分離手段および第2気液分離
手段やそれまでの配管内で混ざり合うことが少なく、回
収後に第1処理液を分離、精製するなどの手間が省け、
効率のよい第1処理液の回収を行うことができる。
【0083】また、上記の効果に加えて請求項2〜請求
項4の基板処理装置において、基板は、開閉部を有する
筐体として形成された処理槽に収容されており、その開
閉部の開閉状態を検出する開閉検出手段における検出結
果に応答して、制御手段によって捕集手段から排気導出
手段までの間に介挿されて排気ラインへの基板近傍を通
過した雰囲気の排出流量を調節する流量調節手段を駆動
することにより、処理槽の開閉手段の開状態での排出流
量を閉状態におけるよりも低下させる構成としたため、
開閉手段が開いているときの方が閉じているときより処
理槽内の気圧が高くなり、処理槽内から外へ向かう雰囲
気の流れができるので、開閉手段を開けているときに処
理槽内に大気が流入することを抑制することができ、し
たがって、処理槽内にパーティクルや基板上に不要な酸
化膜を形成する酸素の流入を抑制することができるため
基板の汚染を防止することができる。
【0084】さらに、上記の効果に加えて請求項4の発
明では、捕集手段は処理槽自身の底部である構成とした
ため、捕集手段と処理槽とをそれぞれ別々に製作するこ
とによるコストを軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態の基板処理装置に
おける構成図である。
【図2】切換えバルブの断面図である。
【図3】切換えバルブの断面図である。
【図4】気液分離容器の断面図である。
【図5】第1の実施の形態の基板処理のフローチャート
である。
【図6】第2の実施の形態の基板処理装置における構成
図である。
【図7】第3の実施の形態の基板処理装置における構成
図である。
【図8】比較技術の気液分離容器の断面図である。
【図9】従来装置の断面図である。
【符号の説明】
10 制御部 20 差圧計 21 センサ 30 不活性ガス供給部 40 基板処理部 41 密閉型シャッタ 42 処理槽 42a,42b 開口 50a〜50h 配管 60 排気抵抗調整バルブ 70 切換えバルブ 80a,80b 気液分離容器 90 薬液タンク PR 処理液 W 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新原 薫 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番1 大日本スクリーン製造株式会社 野洲事業所内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1処理液と第2処理液とを所定の順序
    で選択して基板の表面に順次に供給することによって前
    記基板の表面処理を行う基板処理装置であって、 前記第1処理液を貯留する処理液貯留手段と、 前記処理液貯留手段から前記基板へと前記第1処理液を
    供給する第1処理液供給手段と、 前記第2処理液を前記基板に供給する第2処理液供給手
    段と、 前記第1処理液と前記第2処理液とのうち、その時点で
    前記基板に供給された処理液を使用後処理液として基板
    近傍を通過した雰囲気とともに捕集する捕集手段と、 前記捕集手段に連結されて、 (i)前記使用後処理液が前記第1処理液であるときに
    は、前記捕集された前記第1処理液と前記基板近傍を通
    過した雰囲気とを第1排出経路に排出させる第1状態
    と、 (ii)前記使用後処理液が前記第2処理液であるときに
    は、前記捕集された前記第2処理液と前記基板近傍を通
    過した雰囲気とを第2排出経路に排出させる第2状態
    と、を切換え可能な切換えバルブと、 前記第1排出経路に連結されて、前記第1処理液と前記
    基板近傍を通過した雰囲気とを分離する第1気液分離手
    段と、 前記第1気液分離手段で分離された前記第1処理液を前
    記処理液貯留手段へと帰還させる帰還ラインと、 前記第2排出経路に連結されて、前記第2処理液と前記
    基板近傍を通過した雰囲気とを分離し、前記第2処理液
    を廃液ラインに導出する第2気液分離手段と、 前記第1気液分離手段および前記第2気液分離手段のそ
    れぞれで分離された前記基板近傍を通過した雰囲気を排
    気ラインに導く排気導出手段と、 を備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1の基板処理装置において、 前記基板は、開閉部を有する筐体として形成された処理
    槽に収容されており、 前記基板処理装置が、 前記開閉部の開閉状態を検出する開閉検出手段と、 前記処理槽内に不活性ガスの供給を行う不活性ガス供給
    手段と、 前記捕集手段から前記排気導出手段までの間に介挿され
    て、前記排気ラインへの前記基板近傍を通過した雰囲気
    の排出流量を調節する流量調節手段と、 前記開閉検出手段における検出結果に応答して前記流量
    調節手段を駆動することにより、前記開閉手段の開状態
    での前記排出流量を閉状態におけるよりも低下させる制
    御手段と、をさらに備えることを特徴とする基板処理装
    置。
  3. 【請求項3】 請求項2の基板処理装置において、 前記開閉検出手段が、 前記処理槽の内外の差圧を検知し、前記差圧に基づいて
    前記開閉状態を検出する手段であることを特徴とする基
    板処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項3の基板処理装置において、 前記捕集手段は、前記処理槽自身の底部であることを特
    徴とする基板処理装置。
JP16154896A 1996-06-21 1996-06-21 基板処理装置 Pending JPH1012523A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16154896A JPH1012523A (ja) 1996-06-21 1996-06-21 基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16154896A JPH1012523A (ja) 1996-06-21 1996-06-21 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1012523A true JPH1012523A (ja) 1998-01-16

Family

ID=15737209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16154896A Pending JPH1012523A (ja) 1996-06-21 1996-06-21 基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1012523A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002329705A (ja) * 2001-04-26 2002-11-15 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置
WO2005043611A1 (ja) * 2003-10-30 2005-05-12 Ebara Corporation 基板処理装置及び基板処理方法
US7476290B2 (en) 2003-10-30 2009-01-13 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2009094525A (ja) * 2008-10-27 2009-04-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2012009511A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Tokyo Electron Ltd 流路切替え装置、処理装置、流路切替え方法及び処理方法並びに記憶媒体
JP2014067906A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US9449807B2 (en) 2012-08-09 2016-09-20 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002329705A (ja) * 2001-04-26 2002-11-15 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置
WO2005043611A1 (ja) * 2003-10-30 2005-05-12 Ebara Corporation 基板処理装置及び基板処理方法
US7476290B2 (en) 2003-10-30 2009-01-13 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2009094525A (ja) * 2008-10-27 2009-04-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2012009511A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Tokyo Electron Ltd 流路切替え装置、処理装置、流路切替え方法及び処理方法並びに記憶媒体
KR101417208B1 (ko) * 2010-06-22 2014-07-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유로 전환 장치, 처리 장치, 유로 전환 방법, 처리 방법 및 기억 매체
US8840752B2 (en) 2010-06-22 2014-09-23 Tokyo Electron Limited Flow passage switching apparatus, processing apparatus, flow passage switching method, processing method and storage medium
US9449807B2 (en) 2012-08-09 2016-09-20 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10204777B2 (en) 2012-08-09 2019-02-12 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2014067906A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7472713B2 (en) Substrate processing apparatus
JP2006114884A (ja) 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット
JP2002353181A (ja) 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
US10290518B2 (en) Substrate liquid processing apparatus
JPH0878368A (ja) ワークの処理方法および装置
JPH11168078A (ja) 基板処理装置
JP2009110985A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JPH1012523A (ja) 基板処理装置
JP3118701B2 (ja) 半導体ウェーハウェットエッチング処理装置
JP4457046B2 (ja) 基板処理装置
JP3276601B2 (ja) 洗浄処理方法及び洗浄処理装置
JP4849958B2 (ja) 基板処理ユニットおよび基板処理方法
JP4173349B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2004265910A (ja) 基板の処理液の分別回収装置及び該装置を備えた基板の処理装置、並びに基板の処理液の分別回収方法
JPH11145099A (ja) 基板処理装置
JP3801446B2 (ja) 基板処理装置
JPH09213608A (ja) フォトレジスト塗布方法およびその装置
JP2002353186A (ja) 枚葉式基板洗浄装置の薬液リサイクルシステムおよび枚葉式基板洗浄装置
JP3722337B2 (ja) ウエット処理装置
JP3976084B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2000185264A (ja) 基板処理装置
JPH09186126A (ja) 半導体ウエーハの洗浄装置
JPH1041270A (ja) 基板処理装置
JPH09225220A (ja) コーティング装備のフィルタハウジング
JP2003282516A (ja) 基板処理装置