JP3118701B2 - 半導体ウェーハウェットエッチング処理装置 - Google Patents
半導体ウェーハウェットエッチング処理装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置(Device)
の製造工程のうち、半導体ウェーハの洗浄などのウェッ
トエッチング処理に用いられる半導体ウェーハウェット
エッチング処理装置に関する。
の製造工程のうち、半導体ウェーハの洗浄などのウェッ
トエッチング処理に用いられる半導体ウェーハウェット
エッチング処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程は、いろんな種類
のウェーハウェットエッチング処理を含んでいる。特
に、半導体ウェーハ洗浄技術は半導体装置の製造工程の
中で、その重要性が強調されている。従って、ウェーハ
洗浄などを含んだウェーハウェットエッチング処理のた
めの装置の開発が進められている。
のウェーハウェットエッチング処理を含んでいる。特
に、半導体ウェーハ洗浄技術は半導体装置の製造工程の
中で、その重要性が強調されている。従って、ウェーハ
洗浄などを含んだウェーハウェットエッチング処理のた
めの装置の開発が進められている。
【０００３】半導体ウェーハの洗浄などを行う、従来の
一般的な半導体ウェーハウェットエッチング処理装置
は、底部から洗浄水などのような処理液が流入して溢れ
る処理槽ボディに、半導体ウェーハを入槽させて洗浄な
どのウェットエッチング処理を行う米国特許第5,293,37
3号のオーバーフローイング(Over-flowing)方式を採用
している。図１は、オーバーフローイング方式を用い
た、従来のウェーハウェットエッチング処理装置の概略
断面図である。
一般的な半導体ウェーハウェットエッチング処理装置
は、底部から洗浄水などのような処理液が流入して溢れ
る処理槽ボディに、半導体ウェーハを入槽させて洗浄な
どのウェットエッチング処理を行う米国特許第5,293,37
3号のオーバーフローイング(Over-flowing)方式を採用
している。図１は、オーバーフローイング方式を用い
た、従来のウェーハウェットエッチング処理装置の概略
断面図である。
【０００４】この装置は、図１に示すように、処理槽ボ
ディ１１と、処理槽ボディ１１に入槽されるウェーハ運
搬筒１３とを含んで構成されている。処理槽ボディ１１
の底部には、供給ライン１２の連結された供給口１１−
２が形成されており、この供給口１１−２から流入した
処理液が、壁１１−１から処理槽ボディ１１の外へ溢れ
るようになっている。ウェーハ運搬筒１３は、ボート(B
oat)またはカセット(Cassette)などのような形状のもの
であり、多数個のウェーハ１０が直立に整列されて装着
されるが、このウェーハ１０の装着のために、ウェーハ
運搬筒１３には、垂直な挿入溝のようなウェーハ接触部
１３−１が複数形成されている。
ディ１１と、処理槽ボディ１１に入槽されるウェーハ運
搬筒１３とを含んで構成されている。処理槽ボディ１１
の底部には、供給ライン１２の連結された供給口１１−
２が形成されており、この供給口１１−２から流入した
処理液が、壁１１−１から処理槽ボディ１１の外へ溢れ
るようになっている。ウェーハ運搬筒１３は、ボート(B
oat)またはカセット(Cassette)などのような形状のもの
であり、多数個のウェーハ１０が直立に整列されて装着
されるが、このウェーハ１０の装着のために、ウェーハ
運搬筒１３には、垂直な挿入溝のようなウェーハ接触部
１３−１が複数形成されている。
【０００５】また、ウェーハ運搬筒１３は、底部と上面
とに開口部が形成されているので、処理槽ボディ１１内
に流入した処理液、例えば純水のような洗浄水や化学溶
液などが、ウェーハとウェーハとの間を通過しながらウ
ェーハを洗浄するか、エッチングのような化学反応を起
こす。処理槽ボディ１１の壁１１−１を越えて、処理槽
ボディ１１の周囲に設けられた溝１５へ溢れた処理液
は、フィルタ１６によって濾過された後再循環される。
図面符号１７はポンプであり、処理液の循環のような処
理液供給のために用いられる。
とに開口部が形成されているので、処理槽ボディ１１内
に流入した処理液、例えば純水のような洗浄水や化学溶
液などが、ウェーハとウェーハとの間を通過しながらウ
ェーハを洗浄するか、エッチングのような化学反応を起
こす。処理槽ボディ１１の壁１１−１を越えて、処理槽
ボディ１１の周囲に設けられた溝１５へ溢れた処理液
は、フィルタ１６によって濾過された後再循環される。
図面符号１７はポンプであり、処理液の循環のような処
理液供給のために用いられる。
【０００６】ところが、このような従来のオーバーフロ
ーイング方式による装置では、処理液が処理槽ボディ１
１の下部から上部へ流れるため、ウェーハ運搬筒１３の
ウェーハ接触部１３−１に付着していた汚染物質が処理
液の流れにしたがって下部から上部へ移動して、ウェー
ハ１０の表面と接触する機会が多くなるという問題点が
あった。
ーイング方式による装置では、処理液が処理槽ボディ１
１の下部から上部へ流れるため、ウェーハ運搬筒１３の
ウェーハ接触部１３−１に付着していた汚染物質が処理
液の流れにしたがって下部から上部へ移動して、ウェー
ハ１０の表面と接触する機会が多くなるという問題点が
あった。
【０００７】上述したオーバーフローイング方式の問題
点を解決するために、処理液が上部から下部へ流れるダ
ウンフローイング(Down Flowing)方式の半導体ウェーハ
ウェットエッチング処理装置が提案されている( 24th S
ymposium On ULSI ULTRA Clean Technology,japan 参
照) 。図２は、ダウンフローイング方式を用いた、従来
の半導体ウェーハウェットエッチング処理装置の概略断
面図である。
点を解決するために、処理液が上部から下部へ流れるダ
ウンフローイング(Down Flowing)方式の半導体ウェーハ
ウェットエッチング処理装置が提案されている( 24th S
ymposium On ULSI ULTRA Clean Technology,japan 参
照) 。図２は、ダウンフローイング方式を用いた、従来
の半導体ウェーハウェットエッチング処理装置の概略断
面図である。
【０００８】この装置は、図２に示すように、図１のオ
ーバーフローイング方式の装置と略同様の構成である
が、処理槽ボディ２１の壁２１−１の周りに形成された
溝２５から処理槽ボディ２１の内部へ処理液が流入し、
上部から下部へ流れ、処理槽ボディ２１の底部に形成さ
れた排出口２１−３を通じて排出される。このようなダ
ウンフローイング方式を用いた装置では、ウェーハ運搬
筒２３のウェーハ接触部２３−１が処理槽ボディ２１の
排出口２１−３側にあることにより、ウェーハ接触部２
３−１に付着していた汚染物質がウェーハ２０に接触す
る機会を減らすので、汚染問題がかなり改善されてい
る。
ーバーフローイング方式の装置と略同様の構成である
が、処理槽ボディ２１の壁２１−１の周りに形成された
溝２５から処理槽ボディ２１の内部へ処理液が流入し、
上部から下部へ流れ、処理槽ボディ２１の底部に形成さ
れた排出口２１−３を通じて排出される。このようなダ
ウンフローイング方式を用いた装置では、ウェーハ運搬
筒２３のウェーハ接触部２３−１が処理槽ボディ２１の
排出口２１−３側にあることにより、ウェーハ接触部２
３−１に付着していた汚染物質がウェーハ２０に接触す
る機会を減らすので、汚染問題がかなり改善されてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
のオーバーフローイング方式およびダウンフローイング
方式の装置は、ウェーハの縁部側面または角部位に対す
る処理効果が充分ではないという問題点があった。これ
は、両方式とも処理液が一定方向にのみ流れるので、流
れの下流側に位置するウェーハの縁部側面または角部位
のように、処理液の流れが直接当たらない部位では、洗
浄を含むウェットエッチング処理効果が低下するためで
ある。
のオーバーフローイング方式およびダウンフローイング
方式の装置は、ウェーハの縁部側面または角部位に対す
る処理効果が充分ではないという問題点があった。これ
は、両方式とも処理液が一定方向にのみ流れるので、流
れの下流側に位置するウェーハの縁部側面または角部位
のように、処理液の流れが直接当たらない部位では、洗
浄を含むウェットエッチング処理効果が低下するためで
ある。
【００１０】従って、本発明はかかる従来の装置の問題
点を解決するためのもので、その目的は処理液が、下方
向の他に水平方向の流れを有するようにして、汚染物質
の除去などのウェーハウェットエッチング処理効果が向
上した半導体ウェーハウェットエッチング処理装置を提
供することにある。
点を解決するためのもので、その目的は処理液が、下方
向の他に水平方向の流れを有するようにして、汚染物質
の除去などのウェーハウェットエッチング処理効果が向
上した半導体ウェーハウェットエッチング処理装置を提
供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明の半導体ウェーハウェットエッ
チング処理装置は、下部に排出口が形成された処理槽ボ
ディと、複数の半導体ウェーハが、その板面を略垂直に
して装着されて前記処理槽ボディの内部に入槽されるウ
ェーハ運搬筒と、前記処理槽ボディの内部へ処理液を供
給する処理液供給部と、を含んで構成され、前記処理液
供給部から前記処理槽ボディの内部に処理液を供給して
前記排出口へ排出することにより、流れる処理液を用い
て前記ウェーハのウェットエッチング処理を行う半導体
ウェーハウェットエッチング処理装置であって、前記処
理液供給部は、前記入槽されたウェーハに対し上方か
ら、前記処理槽ボディの内部へ処理液を供給する上部処
理液供給部と、前記入槽されたウェーハに対し水平方向
から、前記処理槽ボディの内部へ処理液を供給する側部
処理液供給部とから構成され、前記処理槽ボディの排出
口を、上部処理液供給部及び側部処理液供給部に連結す
る連結ラインを設け、該連結ラインにフィルタ及びポン
プを介装し、処理液を循環供給する構成とした。
に、請求項１に係る発明の半導体ウェーハウェットエッ
チング処理装置は、下部に排出口が形成された処理槽ボ
ディと、複数の半導体ウェーハが、その板面を略垂直に
して装着されて前記処理槽ボディの内部に入槽されるウ
ェーハ運搬筒と、前記処理槽ボディの内部へ処理液を供
給する処理液供給部と、を含んで構成され、前記処理液
供給部から前記処理槽ボディの内部に処理液を供給して
前記排出口へ排出することにより、流れる処理液を用い
て前記ウェーハのウェットエッチング処理を行う半導体
ウェーハウェットエッチング処理装置であって、前記処
理液供給部は、前記入槽されたウェーハに対し上方か
ら、前記処理槽ボディの内部へ処理液を供給する上部処
理液供給部と、前記入槽されたウェーハに対し水平方向
から、前記処理槽ボディの内部へ処理液を供給する側部
処理液供給部とから構成され、前記処理槽ボディの排出
口を、上部処理液供給部及び側部処理液供給部に連結す
る連結ラインを設け、該連結ラインにフィルタ及びポン
プを介装し、処理液を循環供給する構成とした。
【００１２】このような構成とすることにより、ウェー
ハに対し複数の方向から処理液を無駄なく供給すること
ができる。前記上部処理液供給部は、請求項２に係る発
明のように、処理槽ボディの周囲に形成された溝と、前
記溝へ処理液を供給する供給ラインとを含んで構成さ
れ、前記溝から溢れ出た処理液を前記処理槽ボディの内
部へ供給する構成とすれば簡便である。
ハに対し複数の方向から処理液を無駄なく供給すること
ができる。前記上部処理液供給部は、請求項２に係る発
明のように、処理槽ボディの周囲に形成された溝と、前
記溝へ処理液を供給する供給ラインとを含んで構成さ
れ、前記溝から溢れ出た処理液を前記処理槽ボディの内
部へ供給する構成とすれば簡便である。
【００１３】前記側部処理液供給部は、請求項３に係る
発明のように、前記入槽された複数のウェーハの縁部側
面に向けて、前記ウェーハの板面に水平な方向に左右両
側から処理液を供給するように配設すれば、効果的なウ
ェットエッチング処理ができる。また、前記側部処理液
供給部の具体的な構成としては、請求項４に係る発明の
ように、内壁と外壁とからなり、両者の間に空間を有す
る二重構造に形成された前記処理槽ボディの側壁と、該
側壁の内壁と外壁との間の空間に処理液を供給する供給
ラインと、前記内壁に設けられて、前記内壁と外壁との
間の空間から前記処理槽ボディの内部に処理液を供給す
る複数の噴出口と、を含む構成が考えられる。
発明のように、前記入槽された複数のウェーハの縁部側
面に向けて、前記ウェーハの板面に水平な方向に左右両
側から処理液を供給するように配設すれば、効果的なウ
ェットエッチング処理ができる。また、前記側部処理液
供給部の具体的な構成としては、請求項４に係る発明の
ように、内壁と外壁とからなり、両者の間に空間を有す
る二重構造に形成された前記処理槽ボディの側壁と、該
側壁の内壁と外壁との間の空間に処理液を供給する供給
ラインと、前記内壁に設けられて、前記内壁と外壁との
間の空間から前記処理槽ボディの内部に処理液を供給す
る複数の噴出口と、を含む構成が考えられる。
【００１４】このような構成では、請求項５に係る発明
のように、前記側部処理液供給部の供給ラインを、前記
外壁に形成され、前記上部処理液供給部の溝から前記内
壁と外壁との間の空間へ連通して処理液を供給する連通
孔を含んで構成すれば、上部処理液供給部への供給ライ
ンを側部処理液供給部への供給ラインの一部として利用
できる。
のように、前記側部処理液供給部の供給ラインを、前記
外壁に形成され、前記上部処理液供給部の溝から前記内
壁と外壁との間の空間へ連通して処理液を供給する連通
孔を含んで構成すれば、上部処理液供給部への供給ライ
ンを側部処理液供給部への供給ラインの一部として利用
できる。
【００１５】また、前記側部処理液供給部は、請求項６
に係る発明のように、前記処理槽ボディの側壁に形成さ
れ、前記上部処理液供給部の溝から前記処理槽ボディの
内部へ処理液を供給する複数の噴出口を含んだ、より簡
便な構成としてもよい。また、請求項７に係る発明で
は、前記噴出口の形成された処理槽ボディの側壁は、着
脱式に形成されて交換可能なものとして、処理内容に応
じて、異なる形状の噴出口を有するものに交換する。
に係る発明のように、前記処理槽ボディの側壁に形成さ
れ、前記上部処理液供給部の溝から前記処理槽ボディの
内部へ処理液を供給する複数の噴出口を含んだ、より簡
便な構成としてもよい。また、請求項７に係る発明で
は、前記噴出口の形成された処理槽ボディの側壁は、着
脱式に形成されて交換可能なものとして、処理内容に応
じて、異なる形状の噴出口を有するものに交換する。
【００１６】また、請求項８に係る発明では、前記上部
処理液供給部および側部処理液供給部の各供給ライン
は、それぞれの処理液の供給を独立に調節可能な流れ制
御手段を個別に有するものとして、処理内容に応じて処
理液の供給の仕方を調節する。
処理液供給部および側部処理液供給部の各供給ライン
は、それぞれの処理液の供給を独立に調節可能な流れ制
御手段を個別に有するものとして、処理内容に応じて処
理液の供給の仕方を調節する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の半
導体ウェーハウェットエッチング処理装置を詳細に説明
する。図３および図４は本発明の半導体ウェーハウェッ
トエッチング処理装置の好ましい一実施例を示す図面で
あって、図３は概略斜視図、図４は概略縦断面図であ
る。図３および図４の同一部位には同一の符号を付して
ある。
導体ウェーハウェットエッチング処理装置を詳細に説明
する。図３および図４は本発明の半導体ウェーハウェッ
トエッチング処理装置の好ましい一実施例を示す図面で
あって、図３は概略斜視図、図４は概略縦断面図であ
る。図３および図４の同一部位には同一の符号を付して
ある。
【００１８】処理槽ボディ３１の内部には、ウェーハボ
ートやカセットなどのようなウェーハ運搬筒３３が、複
数のウェーハ３０を板面が略垂直になるように装着した
状態で入槽されている。処理槽ボディ３１の下部には、
排出口３１−２が形成され、側壁３１−１の周囲には、
処理液を供給する供給ライン３２が連結された溝３５が
形成してあり、溝３５から溢れ出た処理液が処理槽ボデ
ィ３１の内部に供給され、排出口３１−２から排出され
るようにしてある。この溝３５と供給ライン３２とが上
部処理液供給部に相当する。
ートやカセットなどのようなウェーハ運搬筒３３が、複
数のウェーハ３０を板面が略垂直になるように装着した
状態で入槽されている。処理槽ボディ３１の下部には、
排出口３１−２が形成され、側壁３１−１の周囲には、
処理液を供給する供給ライン３２が連結された溝３５が
形成してあり、溝３５から溢れ出た処理液が処理槽ボデ
ィ３１の内部に供給され、排出口３１−２から排出され
るようにしてある。この溝３５と供給ライン３２とが上
部処理液供給部に相当する。
【００１９】また、側壁３１−１は、内壁３１−１ａと
外壁３１−１ｂとからなり、両者の間に空間３４−２を
有する二重構造に形成されている。外壁３１−１ｂに
は、溝３５から空間３４−２へ連通する連通孔３４−１
が形成されており、供給ライン３２から溝３５に入った
処理液が、連通孔３４−１を介して空間３４−２へ供給
されるようになっている。
外壁３１−１ｂとからなり、両者の間に空間３４−２を
有する二重構造に形成されている。外壁３１−１ｂに
は、溝３５から空間３４−２へ連通する連通孔３４−１
が形成されており、供給ライン３２から溝３５に入った
処理液が、連通孔３４−１を介して空間３４−２へ供給
されるようになっている。
【００２０】一方、内壁３１−１ａには、処理槽ボディ
３１の内部に処理液を供給する複数の噴出口３４−３が
形成されている。この複数の噴出孔３４−３は、入槽さ
れた複数のウェーハ３０の縁部側面に向けて、ウェーハ
３０の板面に水平な方向に左右両側から処理液を供給す
るように配設されている。噴出口３４−３は、内壁３１
−１ａのうち、ウェーハ３０の縁部側面に対応する部位
にのみ形成すればよい。同様に、側壁３１−１も、噴出
口３４−３を設ける部位のみを二重構造にして空間３４
−２を設けた構成としてもよい。
３１の内部に処理液を供給する複数の噴出口３４−３が
形成されている。この複数の噴出孔３４−３は、入槽さ
れた複数のウェーハ３０の縁部側面に向けて、ウェーハ
３０の板面に水平な方向に左右両側から処理液を供給す
るように配設されている。噴出口３４−３は、内壁３１
−１ａのうち、ウェーハ３０の縁部側面に対応する部位
にのみ形成すればよい。同様に、側壁３１−１も、噴出
口３４−３を設ける部位のみを二重構造にして空間３４
−２を設けた構成としてもよい。
【００２１】上述した、側壁３１−１（内壁３１−１
ａ、外壁３１−１ｂ、空間３４−２）、供給ライン３
２、連通孔３４−１および噴出孔３４−３が側部処理液
供給部に相当する。空間３４−２及び噴出口３４−３が
形成された処理槽ボディの側壁３１−１は着脱式で交換
可能に形成することができるが、このようにすることに
より多様な大きさの噴出口が形成された処理槽ボディ壁
を選択的に交換することができる。即ち、水平方向から
の処理液の供給の有無及び量、或いは処理液の流速及び
強度を調節することができる。
ａ、外壁３１−１ｂ、空間３４−２）、供給ライン３
２、連通孔３４−１および噴出孔３４−３が側部処理液
供給部に相当する。空間３４−２及び噴出口３４−３が
形成された処理槽ボディの側壁３１−１は着脱式で交換
可能に形成することができるが、このようにすることに
より多様な大きさの噴出口が形成された処理槽ボディ壁
を選択的に交換することができる。即ち、水平方向から
の処理液の供給の有無及び量、或いは処理液の流速及び
強度を調節することができる。
【００２２】噴出口３４−３は、下向の処理液の流速、
強度及びパーティクルの程度を考慮して、必要なだけの
量、或いは流速及び強度を有するように、その大きさと
位置を決定して形成する。また、噴出口の部位は磨耗及
び摩擦によく耐えられる材質で形成するのが好ましい。
排出口３１−２には、連結ラインとして排出ライン３８
が連結され、図３および図４に示すように、排出された
処理液をフィルタ３６によって濾過し、ポンプ３７によ
って再循環するように、供給ライン３２に連結した。
強度及びパーティクルの程度を考慮して、必要なだけの
量、或いは流速及び強度を有するように、その大きさと
位置を決定して形成する。また、噴出口の部位は磨耗及
び摩擦によく耐えられる材質で形成するのが好ましい。
排出口３１−２には、連結ラインとして排出ライン３８
が連結され、図３および図４に示すように、排出された
処理液をフィルタ３６によって濾過し、ポンプ３７によ
って再循環するように、供給ライン３２に連結した。
【００２３】次に、この半導体ウェーハウェットエッチ
ング処理装置の動作を説明する。供給ライン３２から上
部処理液供給部の溝３５へ流入した洗浄水または化学溶
液などのような処理液が、処理槽ボディ壁３１−１の上
から溢れ出て処理槽ボディ３１内のウェーハ３０に対し
て、上方から供給される。これと同時に、側部処理液供
給部の連通孔３４−１を通じて側壁３１−１に形成され
た空間３４−２を満たした処理液は、噴出口３４−３か
らウェーハ３０の縁部側面に向かって、水平方向に供給
される。従って、処理液が下方向及び水平方向に流れる
ことにより、ウェーハ３０の全体が、流れる処理液の影
響圏に置かれた状態で、洗浄を含むウェットエッチング
処理が行われる。
ング処理装置の動作を説明する。供給ライン３２から上
部処理液供給部の溝３５へ流入した洗浄水または化学溶
液などのような処理液が、処理槽ボディ壁３１−１の上
から溢れ出て処理槽ボディ３１内のウェーハ３０に対し
て、上方から供給される。これと同時に、側部処理液供
給部の連通孔３４−１を通じて側壁３１−１に形成され
た空間３４−２を満たした処理液は、噴出口３４−３か
らウェーハ３０の縁部側面に向かって、水平方向に供給
される。従って、処理液が下方向及び水平方向に流れる
ことにより、ウェーハ３０の全体が、流れる処理液の影
響圏に置かれた状態で、洗浄を含むウェットエッチング
処理が行われる。
【００２４】図５は、本発明の半導体ウェーハウェット
エッチング処理装置の他の実施例を示す概略断面図であ
る。この実施例は、上部処理液供給部と側部処理液供給
部とを、それぞれ独立に制御できるようにしたものであ
る。即ち、供給ライン５２を、溝３５に接続される供給
ライン５２ａと、側壁３１−１に形成された空間３４−
２に直接接続される供給ライン５２ｂとに分岐させ、そ
れぞれに流れ制御手段５９ａ、５９ｂを設けた構成とし
てある。
エッチング処理装置の他の実施例を示す概略断面図であ
る。この実施例は、上部処理液供給部と側部処理液供給
部とを、それぞれ独立に制御できるようにしたものであ
る。即ち、供給ライン５２を、溝３５に接続される供給
ライン５２ａと、側壁３１−１に形成された空間３４−
２に直接接続される供給ライン５２ｂとに分岐させ、そ
れぞれに流れ制御手段５９ａ、５９ｂを設けた構成とし
てある。
【００２５】このように形成すると、上部処理液供給部
と側部処理液供給部をそれぞれ別個に動作させることも
でき、且つ一緒に動作させることもできる。つまり、必
要に応じてウェーハ３０の上方からのみ、或いはウェー
ハ３０の水平方向からのみ処理液を供給することがで
き、且つウェーハの上方と水平方向との両方から同時に
供給することもできる。
と側部処理液供給部をそれぞれ別個に動作させることも
でき、且つ一緒に動作させることもできる。つまり、必
要に応じてウェーハ３０の上方からのみ、或いはウェー
ハ３０の水平方向からのみ処理液を供給することがで
き、且つウェーハの上方と水平方向との両方から同時に
供給することもできる。
【００２６】図６は本発明の半導体ウェーハウェットエ
ッチング処理装置のさらに他の実施例を示す概略断面図
である。この実施例では、側部処理液供給部を、処理槽
ボディ６１の側壁６１−１を貫通させて設けた複数の噴
出口６４で構成し、溝３５から処理槽ボディ６１の内部
に処理液が直接供給され、排出口６１−２から排出され
るようにしてある。このような構成では、その構造が簡
単であるという長所がある。
ッチング処理装置のさらに他の実施例を示す概略断面図
である。この実施例では、側部処理液供給部を、処理槽
ボディ６１の側壁６１−１を貫通させて設けた複数の噴
出口６４で構成し、溝３５から処理槽ボディ６１の内部
に処理液が直接供給され、排出口６１−２から排出され
るようにしてある。このような構成では、その構造が簡
単であるという長所がある。
【００２７】図５および図６に示した実施例の他の部位
は、図４に示した実施例と同一の構造をもつ。
は、図４に示した実施例と同一の構造をもつ。
【００２８】
【発明の効果】本発明の半導体ウェーハウェットエッチ
ング処理装置は、処理液を複数の方向から供給すること
により、ウェーハの縁部側面および角部位を含んだウェ
ーハの全体に対する汚染物質の除去に素晴らしい効果が
ある。また、処理液を循環供給するので、処理液の無駄
をなくせる。尚、ウェーハに付着しているために除去が
容易でないパーティクル(particle)も複数の方向に流れ
る処理液によって容易に除去することができる。
ング処理装置は、処理液を複数の方向から供給すること
により、ウェーハの縁部側面および角部位を含んだウェ
ーハの全体に対する汚染物質の除去に素晴らしい効果が
ある。また、処理液を循環供給するので、処理液の無駄
をなくせる。尚、ウェーハに付着しているために除去が
容易でないパーティクル(particle)も複数の方向に流れ
る処理液によって容易に除去することができる。
【図１】 従来のオーバーフローイング方式の半導体ウ
ェーハウェットエッチング処理装置を示す概略断面図
ェーハウェットエッチング処理装置を示す概略断面図
【図２】 従来のダウンフローイング方式の半導体ウェ
ーハウェットエッチング処理装置を示す概略断面図
ーハウェットエッチング処理装置を示す概略断面図
【図３】 本発明の好ましい一実施例を示す概略斜視図
【図４】 本発明の好ましい一実施例を示す概略断面図
【図５】 本発明の他の実施例を示す概略断面図
【図６】 本発明のさらに他の実施例を示す概略断面図
３０ ウェーハ ３１、６１ 処理槽ボディ ３１−１、６１−１ 処理槽ボディの側壁 ３１−１ａ 内壁 ３１−１ｂ 外壁 ３１−２、６１−２ 排出口 ３２、５２、５２ａ、５２ｂ 供給ライン ３３ ウェーハ運搬筒 ３４−１ 連通孔 ３４−２ 空間 ３４−３、６４ 噴出口 ３６ フィルタ ３７ ポンプ ３８ 排出ライン ５９ａ、５９ｂ 流れ制御手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−349804（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−290134（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−69510（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−22371（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−154631（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/306,21/304
Claims (8)
- 【請求項１】下部に排出口が形成された処理槽ボディ
と、 複数の半導体ウェーハが、その板面を略垂直にして装着
されて前記処理槽ボディの内部に入槽されるウェーハ運
搬筒と、 前記処理槽ボディの内部へ処理液を供給する処理液供給
部と、 を含んで構成され、 前記処理液供給部から前記処理槽ボディの内部に処理液
を供給して前記排出口へ排出することにより、流れる処
理液を用いて前記ウェーハのウェットエッチング処理を
行う半導体ウェーハウェットエッチング処理装置であっ
て、 前記処理液供給部は、 前記入槽されたウェーハに対し上方から、前記処理槽ボ
ディの内部へ処理液を供給する上部処理液供給部と、 前記入槽されたウェーハに対し水平方向から、前記処理
槽ボディの内部へ処理液を供給する側部処理液供給部
と、 から構成され、 前記処理槽ボディの排出口を、上部処理液供給部及び側
部処理液供給部に連結する連結ラインを設け、該連結ラ
インにフィルタ及びポンプを介装し、処理液を循環供給
する構成とした ことを特徴とする半導体ウェーハウェッ
トエッチング処理装置。 - 【請求項２】前記上部処理液供給部は、前記処理槽ボディの周囲に形成された溝と、前記溝へ処
理液を供給する供給ラインとを含んで構成され、前記溝
から溢れ出た処理液を前記処理槽ボディの内部へ供給す
る構成である 請求項１に記載の半導体ウェーハウェット
エッチング処理装置。 - 【請求項３】前記側部処理液供給部は、前記入槽された
複数のウェーハの縁部側面に向けて、前記ウェーハの板
面に水平な方向に左右両側から処理液を供給するように
配設されたことを特徴とする請求項２に記載の半導体ウ
ェーハウェットエッチング処理装置。 - 【請求項４】前記側部処理液供給部は、 内壁と外壁とからなり、両者の間に空間を有する二重構
造に形成された前記処理槽ボディの側壁と、 該側壁の内壁と外壁との間の空間に処理液を供給する供
給ラインと、 前記内壁に設けられて、前記内壁と外壁との間の空間か
ら前記処理槽ボディの内部に処理液を供給する複数の噴
出口と、 を含んで構成されることを特徴とする請求項２または請
求項３記載の半導体ウェーハウェットエッチング処理装
置。 - 【請求項５】前記側部処理液供給部の供給ラインは、前
記外壁に形成され、前記上部処理液供給部の溝から前記
内壁と外壁との間の空間へ連通して処理液を供給する連
通孔を含んで構成されることを特徴とする請求項４記載
の半導体ウェーハウェットエッチング処理装置。 - 【請求項６】前記側部処理液供給部は、前記処理槽ボデ
ィの側壁に形成され、前記上部処理液供給部の溝から前
記処理槽ボディの内部へ処理液を供給する複数の噴出口
を含んで構成されることを特徴とする請求項２または請
求項３に記載の半導体ウェーハウェットエッチング処理
装置。 - 【請求項７】前記噴出口の形成された処理槽ボディの側
壁は、着脱式に形成されて交換可能であることを特徴と
する請求項４〜請求項６のいずれか１つに記載の半導体
ウェーハウェットエッチング処理装置。 - 【請求項８】前記上部処理液供給部および側部処理液供
給部の各供給ラインは、それぞれの処理液の供給を独立
に調節可能な流れ制御手段を個別に有することを特徴と
する請求項１〜請求項７のいずれか１つに記載の半導体
ウェーハウェットエッチング処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960028893A KR100202191B1 (ko) | 1996-07-18 | 1996-07-18 | 반도체 웨이퍼 습식 처리장치 |
| KR28893/1996 | 1996-07-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1070103A JPH1070103A (ja) | 1998-03-10 |
| JP3118701B2 true JP3118701B2 (ja) | 2000-12-18 |
Family
ID=19466593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09192742A Expired - Fee Related JP3118701B2 (ja) | 1996-07-18 | 1997-07-17 | 半導体ウェーハウェットエッチング処理装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5976311A (ja) |
| JP (1) | JP3118701B2 (ja) |
| KR (1) | KR100202191B1 (ja) |
| CN (1) | CN1110069C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101741513B1 (ko) | 2015-12-08 | 2017-05-30 | 김언지 | 도어의 충격 저감 장치 |
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|---|---|---|---|---|
| KR100271772B1 (ko) * | 1998-09-29 | 2001-02-01 | 윤종용 | 반도체 습식 식각설비 |
| FR2814692A1 (fr) * | 2000-09-30 | 2002-04-05 | Georges Lucien Michel | Enceinte de nettoyage modulaire multifonctions |
| US6497785B2 (en) * | 2001-01-16 | 2002-12-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wet chemical process tank with improved fluid circulation |
| US20020139684A1 (en) * | 2001-04-02 | 2002-10-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plating system, plating method, method of manufacturing semiconductor device using the same, and method of manufacturing printed board using the same |
| US7156927B2 (en) * | 2002-04-03 | 2007-01-02 | Fsi International, Inc. | Transition flow treatment process and apparatus |
| US20040094268A1 (en) * | 2002-11-20 | 2004-05-20 | Brask Justin K. | Oxidation inhibitor for wet etching processes |
| TW200706698A (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-16 | Jiwontech Co Ltd | Apparatus for etching a glass substrate |
| JP4705517B2 (ja) * | 2006-05-19 | 2011-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体 |
| KR100904449B1 (ko) | 2007-10-05 | 2009-06-24 | 세메스 주식회사 | 필터 유닛, 이를 구비한 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법 |
| KR100943756B1 (ko) | 2007-10-15 | 2010-02-23 | 우진선행기술 주식회사 | 기판 슬림화 장치 |
| KR101347681B1 (ko) * | 2010-09-24 | 2014-01-06 | 솔렉셀, 인크. | 고생산성 배치 다공성 실리콘 제조 장치 디자인 및 가공 방법 |
| CN104078377A (zh) * | 2014-06-18 | 2014-10-01 | 胜科纳米（苏州）有限公司 | 一架整片晶圆基片上硅晶体缺陷自动垂直刻蚀仪 |
| CN109759937A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-05-17 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种硅片的处理方法和装置 |
| CN115938999B (zh) * | 2022-12-29 | 2023-11-07 | 徐州威聚电子材料有限公司 | 一种半导体硅片清洗用装载装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293373A (en) * | 1990-08-29 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical disk and method of manufacturing the same |
-
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- 1996-07-18 KR KR1019960028893A patent/KR100202191B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-01-27 CN CN97101061A patent/CN1110069C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-26 US US08/824,187 patent/US5976311A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-17 JP JP09192742A patent/JP3118701B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101741513B1 (ko) | 2015-12-08 | 2017-05-30 | 김언지 | 도어의 충격 저감 장치 |
Also Published As
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|---|---|
| KR980012052A (ko) | 1998-04-30 |
| CN1110069C (zh) | 2003-05-28 |
| JPH1070103A (ja) | 1998-03-10 |
| KR100202191B1 (ko) | 1999-06-15 |
| CN1171622A (zh) | 1998-01-28 |
| US5976311A (en) | 1999-11-02 |
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