TWI569111B - 顯影處理裝置 - Google Patents

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TWI569111B
TWI569111B TW102132435A TW102132435A TWI569111B TW I569111 B TWI569111 B TW I569111B TW 102132435 A TW102132435 A TW 102132435A TW 102132435 A TW102132435 A TW 102132435A TW I569111 B TWI569111 B TW I569111B
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東京威力科創股份有限公司
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Description

顯影處理裝置
本發明係關於一種,例如對半導體晶圓等基板供給顯影液而施行處理之顯影處理裝置。
一般而言,例如,於半導體晶圓等基板之製程中的光微影步驟,施行下述等處理:光阻塗布處理,於基板上塗布光阻液而形成光阻膜;曝光處理,對基板上之光阻膜施行既定圖案的曝光;以及顯影處理,於曝光處理後之基板上供給顯影液而將基板上之光阻膜顯影。
光阻塗布處理,使用藉由去除顯影處理時曝光處而產生圖案之正型光阻液、或藉由去除顯影處理時未曝光處而產生圖案之負型光阻液。此等光阻液,考慮產生圖案時時所必須之解析度、基板與光阻液之密接性、光阻液之耐熱性等而加以選擇。此外,顯影處理,使用對塗布有正型光阻液的基板施行顯影處理之正型顯影液、或對塗布有負型光阻液的基板施行顯影處理之負型顯影液。
一般而言,作為正型顯影液係使用鹼溶液,作為負型顯影液則使用酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑等極性溶劑及碳氫化合物系溶劑。因此,若將正型顯影液的廢液與負型顯影液的廢液混合,則有廢液彼此產生化學反應的情形,變得無法適當地施行廢液處理。
作為防止正型顯影液的廢液與負型顯影液的廢液之混合的顯影處理裝置之一例,已知專利文獻1所記載之顯影處理裝置。依專利文獻1記載之顯影處理裝置,則藉由將正型顯影液產生的顯影處理與負型顯影液產生的顯影處理以個別模組施行,而防止正型顯影液的廢液與負型顯影液的廢液之混合。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1:日本特開2012-54469號公報
然而,專利文獻1記載之顯影處理裝置,由於將正型顯影液產生的顯影處理與負型顯影液產生的顯影處理以個別模組施行,故搭載顯影處理裝置之模組的數量增加。
鑒於上述情況,本發明之目的在於提供一種,藉由在能夠施行正型顯影液產生的顯影處理與負型顯影液產生的顯影處理雙方之顯影處理裝置中,減少搭載之模組數,而可使裝置小型化的顯影處理裝置。
為了達成上述目的,申請專利範圍第1項記載之發明,提供一種顯影處理裝置,於表面塗布正型光阻或負型光阻,對曝光之基板供給顯影液而施行顯影,其特徵為具備:基板保持部,將該基板水平地保持;旋轉驅動機構,使該基板保持部繞鉛直軸旋轉;正型顯影液供給噴嘴,對該基板保持部所保持之基板的表面供給該正型光阻用之顯影液; 負型顯影液供給噴嘴,對該基板保持部所保持之基板的表面供給該負型光阻用之顯影液;正型洗淨液供給噴嘴,對該基板保持部所保持之基板的表面供給該正型光阻用之洗淨液;負型洗淨液供給噴嘴,對該基板保持部所保持之基板的表面供給該負型光阻用之洗淨液;杯體,形成為上側開口之有底的圓環狀,將伴隨該基板的旋轉而飛散之顯影液予以回收;第1顯影液排出管路,與該杯體之外周側連接,將藉該杯體回收的該正型光阻用或該負型光阻用其中一方的顯影液排出;第2顯影液排出管路,與該杯體之內周側連接,將藉該杯體回收的該正型光阻用或該負型光阻用其中另一方的顯影液排出;洗淨液排出管路,將藉由該杯體所回收的該洗淨液加以排出,該杯體回收伴隨該基板之旋轉而飛散的該洗淨液;固定杯,於該杯體之內周壁與該杯體之外周壁間具有周壁,形成在該基板保持部所保持之基板的下側;可動杯,於該固定杯之周壁與該杯體之外周壁間具有分隔部,藉由使該分隔部上升,而將該正型光阻用或該負型光阻用其中一方的飛散之顯影液導入以該分隔部與該固定杯之周壁包圍的內周流路,藉由使該分隔部下降,而將該正型光阻用或該負型光阻用其中另一方的飛散之顯影液導入以該分隔部與該杯體之外周壁包圍的外周流路;以及控制部,於使用該正型光阻用之顯影液時使該可動杯上升,於使用該負型光阻用之顯影液時使該可動杯下降和該杯體呈同心圓狀的外側壁,其在與該杯體連接之該第1顯影液排出管路的連接部,豎立於該杯體的底壁;和該杯體呈同心圓狀的內側壁,其則在與該杯體連接之該第2顯影液排出管路的連接部,豎立於該杯體的底壁;藉由該外側壁及該內側壁,上述兩個連接部以往上方迂迴的方式形成;且在形成於該外側壁、該內側壁與該杯體的底壁之間的下部流路,設有該洗淨液排出管路。
於申請專利範圍第1項記載之發明中,較佳的情況為:藉由該控制部,令該旋轉驅動機構形成為可控制,使得採用該正型光阻用之顯影液時的該基板保持部之轉速,較採用該負型光阻用之顯影液時的該基板保持部之轉速更大(申請專利範圍第2項)。
此外,申請專利範圍第1或2項記載之發明中,令該固定杯具備位於以該基板保持部保持之基板的邊緣與該可動杯的開口邊緣間之位置的氣液分離用之環狀突起為佳(申請專利範圍第3項)。此一情況,亦可為:該固定杯,於該環狀突起之內周側具備靠近該基板的底面之環狀刀緣部,在該環狀突起與環狀刀緣部之間形成的環狀凹溝之底部,形成與該杯體之底部連通的排液通路(申請專利範圍第4項)。
此外,申請專利範圍第5項記載之發明,其特徵為:申請專利範圍第1或2項記載之發明中,將基板支持構件形成為可藉由該控制部使其相對於該基板保持部之基板保持面升降;於該正型光阻用之顯影液的正顯影處理後,或於該負型光阻用之顯影液的負顯影處理後,藉由該控制部,形成為可使該基板支持構件上升而進行對裝置外部之基板搬運機構的基板傳遞,及基板的承接;於該正顯影處理後施行正顯影處理的情況,在使該基板支持構件上升而將處理後的基板往基板傳遞位置移動後,或在將處理後的基板往基板傳遞位置移動的同時,使該可動杯下降;於該基板支持構件承接未處理的基板之狀態,在該基板支持構件下降後,或在該基板支持構件下降的同時,使該可動杯上升;於該正顯影處理後施行該負顯影處理的情況,在使該基板支持構件上升而將處理後的基板往基板傳遞位置移動後,或在將處理後的基板往基板傳遞位置移動的同時,使該可動杯下降;於該負顯影處理後施行該正顯影處理的情況,於該基板支持構件承接未處理的基板之狀態,在該基板支持構件下降後,或在該基板支持構件下降的同時,使該可動杯上升。
此外,申請專利範圍第1項記載之發明中,於該第1顯影液排出管路及第2顯影液排出管路介設顯影液用泵及顯影液用開閉閥;在驅動介設於該第1顯影液排出管路或該第2顯影液排出管路中之一方的該顯影液用泵而開啟該顯影液用開閉閥之情況,停止介設於該第1顯影液排出管路或該第2顯影液排出管路中之另一方的該顯影液用泵之驅動而關閉該顯影液用開閉閥為佳(申請專利範圍第6項)。
申請專利範圍第1記載之發明中,更宜於該杯體設置供給洗淨液之洗淨液供給噴嘴;以供自該洗淨液供給噴嘴供給之洗淨液儲存於該杯體所設有之該下部流路的方式形成該杯體(申請專利範圍第7項)。
此外,更宜具備:正型排氣管路,設置在將起因於伴隨該基板的旋轉而飛散之顯影液而產生的霧氣排氣之排氣管路內,將起因於該正型光阻用之顯影液的飛散而產生的氣體排氣;負型排氣管路,設置於該排氣管路內,將起因於該負型光阻用之顯影液的飛散而產生的氣體排氣;切換阻尼器,設置於該排氣管路內,切換該正型排氣管路或該負型排氣管路中之任一管路與該杯體的連接;以及切換阻尼器控制部,於使用該正型光阻用之顯影液時,令該切換阻尼器移動,以便連通該正型排氣管路與該杯體,並阻止該負型排氣管路與該杯體的連通,於使用該負型光阻用之顯影液時,令該切換阻尼器移動,以便連通該負型排氣管路與該杯體,並阻止該正型排氣管路與該杯體的連通(申請專利範圍第8項)。
本發明如同上述地構成,故可藉由搭載於1個模組之顯影處理裝置不混合正型顯影液與負型顯影液地施行顯影液的排出處理。因此,可減少搭載顯影處理裝置之模組數,可圖求顯影處理裝置的小型化。
1‧‧‧輸送站
2‧‧‧處理部
3‧‧‧介面部
3A‧‧‧第1搬運室
3B‧‧‧第2搬運室
4‧‧‧曝光部
10‧‧‧載體
11‧‧‧載置部
12‧‧‧開閉部
13‧‧‧支承銷(基板支持構件)
14‧‧‧保持板
15‧‧‧升降機構
20‧‧‧筐體
21‧‧‧區隔壁
22‧‧‧溫濕度調節單元
23‧‧‧反射防止膜塗布單元(BCT)
24‧‧‧塗布單元(COT)
25‧‧‧顯影單元(DEV)
26A‧‧‧第1晶圓搬運部
26B‧‧‧第2晶圓搬運部
32a、32b‧‧‧顯影液用開閉閥
32c‧‧‧霧氣用開閉閥
32d、32e‧‧‧洗淨液用開閉閥
32f、32g‧‧‧排氣用開閉閥
33a、33b‧‧‧顯影液用泵
33c‧‧‧霧氣用泵
33d、33e‧‧‧排氣用泵
40‧‧‧旋轉夾盤(基板保持部)
41‧‧‧軸部
42‧‧‧旋轉驅動機構
43‧‧‧杯體
43a‧‧‧底壁
43b‧‧‧內周壁
43c‧‧‧外周壁
43d‧‧‧上壁
43e‧‧‧第1側壁
43f‧‧‧第2側壁
43g‧‧‧突起
44‧‧‧固定杯
44a‧‧‧底壁
44b‧‧‧周壁
44c‧‧‧環狀突起
44d‧‧‧環狀刀緣部
44e‧‧‧環狀凹溝
44f‧‧‧排液通路
45、85‧‧‧可動杯
45a、85a‧‧‧推拔部
45b、85b‧‧‧分隔部
45c‧‧‧突起
45d‧‧‧開口邊緣
46‧‧‧保持板
47‧‧‧升降部
48‧‧‧空間部
48a‧‧‧外周流路
48b‧‧‧內周流路
48c‧‧‧排氣流路
49a、89a‧‧‧第1顯影液排出管路
49b、89b‧‧‧第2顯影液排出管路
49c‧‧‧排氣管路
49d、49e‧‧‧洗淨液排出管路
50、50A、50B‧‧‧顯影處理裝置
51‧‧‧機殼
51a‧‧‧搬入出口
51b‧‧‧閘門
54‧‧‧顯影液供給噴嘴
54a、94a、94b‧‧‧正型顯影液供給噴嘴
54b‧‧‧負型顯影液供給噴嘴
55A、55B‧‧‧噴嘴臂
56A、56B‧‧‧移動基台
57A、57B‧‧‧噴嘴移動機構
58A、58B‧‧‧導引構件
59A、59B‧‧‧待機部
59c、59d、59f、59g‧‧‧儲存部
59e、59h‧‧‧分離壁
60‧‧‧控制器(控制部,切換阻尼器控制部)
61‧‧‧沖洗液供給噴嘴(沖洗噴嘴)
61a、95a、95b‧‧‧正型沖洗液供給噴嘴(正型洗淨液供給噴嘴)
61b‧‧‧負型沖洗液供給噴嘴(負型洗淨液供給噴嘴)
62a、62b、62c、62d‧‧‧排出管路
70a、70b‧‧‧顯影液供給管
70c、70d‧‧‧正型顯影液供給管
70e‧‧‧負型顯影液供給管
71a、71b‧‧‧顯影液供給源
71c、71d‧‧‧正型顯影液供給源
71e‧‧‧負型顯影液供給源
76a、76b‧‧‧沖洗液供給管
76c、76d‧‧‧正型沖洗液供給管
76e‧‧‧負型沖洗液供給管
77a、77b‧‧‧沖洗液供給源
77c、77d‧‧‧正型沖洗液供給源
77e‧‧‧負型沖洗液供給源
81‧‧‧洗淨液供給噴嘴
90a‧‧‧外側壁
90b‧‧‧內側壁
91、92‧‧‧下部流路
93a‧‧‧正型排氣管路
93b‧‧‧負型排氣管路
93c‧‧‧切換阻尼器
96‧‧‧負型處理液供給噴嘴
99a、99b‧‧‧連接部
100、101‧‧‧逆流防止機構
110、102‧‧‧排氣口
A1~A3‧‧‧傳遞機構
CV1、CV2‧‧‧止回閥
O‧‧‧鉛直軸
U1、U2、U3‧‧‧棚架單元
U4、U5‧‧‧液處理單元
V1~V10‧‧‧開閉閥
W‧‧‧晶圓(基板)
圖1顯示將應用本發明之顯影處理裝置的塗布‧顯影處理裝置與曝光處理裝置連接之處理系統其全體的概略立體圖。
圖2上述處理系統的概略俯視圖。
圖3顯示本發明之第1實施形態的顯影處理裝置之概略剖面圖。
圖3A顯示本發明之固定杯的其他形態之剖面圖(a)及(a)的要部放大剖面圖(b)。
圖3B顯示該固定杯之更其他形態的放大剖面圖。
圖4第1實施形態之顯影處理裝置的概略俯視圖。
圖5A第1實施形態之顯影處理裝置的顯影液供給噴嘴與該顯影液供給噴嘴之待機部的概略剖面圖。
圖5B第1實施形態之顯影處理裝置的洗淨液供給噴嘴與該洗淨液供給噴嘴之待機部的概略剖面圖。
圖6第1實施形態之顯影處理裝置中顯示施行正型顯影液產生的顯影處理之情況的顯影液與霧氣之流路的概略剖面圖(a),顯示施行負型顯影液產生的顯影處理之情況的顯影液與霧氣之流路的概略剖面圖(b)。
圖7顯示第2實施形態之顯影處理裝置的概略剖面圖。
圖8第2實施形態之顯影處理裝置中顯示施行正型顯影液產生的顯影處理之情況的顯影液與霧氣之流路的概略剖面圖(a),顯示施行負型顯影液產生的顯影處理之情況的顯影液與霧氣之流路的概略剖面圖(b)。
圖9第3實施形態之顯影處理裝置的概略剖面圖。
圖10第3實施形態之顯影處理裝置中顯示施行正型顯影液產生的顯影處理之情況的顯影液與霧氣之流路的概略剖面圖(a),顯示施行負型顯影液產生的顯影處理之情況的顯影液與霧氣之流路的概略剖面圖(b)。
圖11顯示第4實施形態之顯影處理裝置的概略剖面圖。
圖12顯示第5實施形態之顯影處理裝置的概略剖面圖。
圖13第5實施形態之顯影處理裝置中顯示施行正型顯影液產生的顯影處理之情況的顯影液與霧氣之流路的概略剖面圖(a),顯示施行負型顯影液產生的顯影處理之情況的顯影液與霧氣之流路的概略剖面圖(b)。
圖14A顯示設置有2個顯影處理裝置之模組的一例之概略側視圖。
圖14B顯示設置有2個顯影處理裝置之模組的一例之概略俯視圖。
圖15A顯示設置有2個顯影處理裝置之模組的其他例之概略側視圖。
圖15B顯示設置有2個顯影處理裝置之模組的其他例之概略俯視圖。
圖16顯示排液之逆流防止機構的概略俯視圖。
圖17(a)~(i)顯示持續施行本發明之正顯影處理的情況之可動杯與支持晶圓的支承銷其動作態樣之流程圖及概略圖。
圖18(a)~(g)顯示持續施行本發明之負顯影處理的情況之可動杯與支持晶圓的支承銷其動作態樣之流程圖及概略圖。
圖19(a)~(h)顯示於本發明之正顯影處理後施行負顯影處理的情況之可動杯與支持晶圓的支承銷其動作態樣之流程圖及概略圖。
圖20(a)~(h)顯示於本發明之負顯影處理後施行正顯影處理的情況之可動杯與支持晶圓的支承銷其動作態樣之流程圖及概略圖。
以下,依據附圖,對本發明之實施形態加以說明。此處,對於將本發明之顯影處理裝置應用於施行塗布‧顯影‧曝光處理的處理系統之情況加以說明。
上述處理系統,如圖1及圖2所示,具備:輸送站1,用於將密閉收納複數片例如25片係基板之半導體晶圓W(以下稱作晶圓W)的載體10搬出入;處理部2,對自此一輸送站1取出的晶圓W施行光阻塗布、顯影處理等;曝光部4,在晶圓W的表面形成有透光之液層的狀態下將晶圓W的表面液浸曝光;以及介面部3,連接於處理部2與曝光部4之間,施行晶圓W的傳遞。
於輸送站1設置:載置部11,可並排載置複數個載體10;開閉部12,自此載置部11觀察設置於前方的壁面;傳遞機構A1,用於介由開閉部12自載體10取出晶圓W。
介面部3,以在處理部2與曝光部4之間前後設置的第1搬運室3A及第2搬運室3B構成,分別於第1搬運室3A設置第1晶圓搬運部26A,於第2搬運室3B設置第2晶圓搬運部26B。
此外,於輸送站1之裡側連接以筐體20包圍周圍的處理部2,此一處理部2自前方側起依序交互配列而設置主搬運機構A2、A3,該主搬運機構A2、A3施行將加熱‧冷卻系統的單元多層化之棚架單元U1、U2、U3,與液處理單元U4、U5的各單元間之晶圓W的傳遞及晶圓W的搬運。此外,主搬運機構A2、A3,配置於藉由下列部分包圍的空間內:自輸送站1觀察而於前後方向配置之棚架單元U1、U2、U3側的一面部、後述的例如右側之液處理單元U4、U5側的一面部、以及成為左側之一面的背面部所構成之區隔壁21。此外,於輸送站1與處理部2之間、處理部2與介面部3之間,配置具備各單元所使用之處理液的溫度調節裝置與溫濕度調節用之導管等的溫濕度調節單元22。
棚架單元U1、U2、U3為,將供施行以液處理單元U4、U5施行之處理其前處理及後處理所用的各種單元疊層為複數層例如10層之構成,其組合包含將晶圓W加熱(烘烤)之加熱單元(未圖示)、將晶圓W冷卻之冷卻單元(未圖示)等。此外,液處理單元U4、U5,例如如圖1所示,於光阻或顯影液等藥液收納部之上,將塗布反射防止膜的反射防止膜塗布單元(BCT)23、塗布單元(COT)24、對晶圓W供給顯影液而進行顯影處理的顯影單元(DEV)25等疊層為複數層例如5層而構成。本發明之顯影處理裝置50設置於顯影單元(DEV)25。此外,反射防止膜塗布單元(BCT)23、塗布單元(COT)24、顯影單元(DEV)25相當於本發明之模組。
參考圖1及圖2,對如同上述地構成之塗布‧顯影處理裝置中的晶圓之流程的一例簡單地說明。首先,將例如收納有25片之晶圓W的載體10載置於載置部11,將載體10的蓋體與開閉部12一同取下並藉由傳遞機構A1取出晶圓W。接著,晶圓W介由成為棚架單元U1之一層的傳遞單元(未圖示)傳遞往主搬運機構A2,施行例如反射防止膜形成處理、冷卻處理作 為塗布處理之前處理後,以塗布單元(COT)24塗布光阻液。其次,藉由主搬運機構A2將晶圓W以成為棚架單元U1~U3之一層棚架的加熱單元加熱(烘烤處理),進一步於冷卻後經由棚架單元U3的傳遞單元往介面部3搬入。此一介面部3中,藉第1搬運室3A及第2搬運室3B的第1晶圓搬運部26A及第2晶圓搬運部26B搬運至曝光部4,以與晶圓W的表面相對向的方式配置曝光機構(未圖示)而施行曝光。曝光後,以相反的路徑將晶圓W搬運至主搬運機構A2,藉由以顯影單元(DEV)25顯影而形成圖案。而後晶圓W回到載置於載置部11上之原本的載體10。
〈第1實施形態〉
其次,對本發明之第1實施形態的顯影處理裝置50加以說明。如圖3及圖4所示,顯影處理裝置50,於具有晶圓W之搬入出口51a的機殼51內,具備成為將晶圓W之背面側中心部抽吸吸附而水平地保持之基板保持部的旋轉夾盤40。另,於搬入出口51a配置可開閉之閘門51b。
上述旋轉夾盤40介由軸部41與例如伺服馬達等之旋轉驅動機構42連結,藉由此一旋轉驅動機構42構成為在保持晶圓W之狀態可以鉛直軸O為中心旋轉。另,旋轉驅動機構42,與相當於本發明之控制部的控制器60電性連接,依據來自控制器60的控制訊號控制旋轉夾盤40之轉速。此一情況,藉由控制器60,將使用後述正型光阻用之顯影液時的旋轉夾盤40之轉速控制為例如3,000rpm,將使用後述負型光阻用之顯影液時的旋轉夾盤40之轉速控制為例如2,000rpm,將使用正型光阻用之顯影液時的旋轉夾盤40之轉速,設定為較使用負型光阻用之顯影液時的旋轉夾盤40之轉速更大(高速)。
此外,控制器60,與上述主搬運機構A2、A3,及後述升降機構15電性連接,依據來自控制器60的控制訊號控制主搬運機構A2、A3與升降機構15。
此一情況,如圖3所示,於旋轉夾盤40之晶圓保持部的下方,將3根(附圖顯示2根)對旋轉夾盤40以可升降的方式支持晶圓W之係基板支持構件的支承銷13,在包圍軸部41之環狀的保持板14上直立設置。保持板14形成為藉由例如壓力缸筒等升降機構15而可於鉛直方向升降。另,升降機構15,依據來自控制器60的控制訊號使保持板14升降,以伴隨保持板14的升降使支承銷13對旋轉夾盤40之晶圓保持部升降的方式控制。
亦即,藉由控制器60,驅動升降機構15,使支承銷13上升而將旋轉夾盤40所保持之顯影處理後的晶圓W往旋轉夾盤40上方之傳遞位置移動。在此一狀態下,將晶圓W傳遞至主搬運機構A2,接著,主搬運機構A2將晶圓W往裝置外搬運後,支承銷13承接由主搬運機構A2搬運之未顯影處理的晶圓W後,使支承銷13下降而將晶圓W載置於旋轉夾盤40之保持面上地控制。
此外,形成為上側開口之有底的圓環狀之杯體43,以包圍旋轉夾盤40所保持之晶圓W其側方的方式設置。杯體43具有:底壁43a;內周壁43b,以底壁43a之內周端為起點往上方豎立;外周壁43c,以底壁43a之外周端為起點往上方豎立;以及上壁43d,自外周壁43c之上端起往內周方向延伸;於內周壁43b之上側開口。此外,杯體43,自內周側起依序具有設置於內周壁43b與外周壁43c之間並自底壁43a起往上方豎立的第1側壁43e、第2側壁43f。此外,於內周壁43b之上端朝向內周側設置突起43g,將此突起43g以固定杯44及保持板46包夾藉以固定杯體43之位置。
於旋轉夾盤40所保持之晶圓W的下側,設置圓筒狀的固定杯44。於固定杯44之上部,設置將沿著旋轉夾盤40之鉛直軸O的剖面形成為山形的頂部;於固定杯44的底壁44a之外周端,設置往下方延伸的周壁44b。周壁44b,配置於杯體43的內周壁43b與外周壁43c之間。
此一情況,如圖3A所示,宜使固定杯44為,設置位於旋轉夾盤40所保持之晶圓W的邊緣、與後述可動杯45的開口邊緣45d間之位置的氣液 分離用之環狀突起44c的構造。另,環狀突起44c之上端,位於與晶圓W之頂面相同或下方的位置,並位於與可動杯45的開口邊緣45d之上端相同或上方的位置為佳。
如此地,藉由在固定杯44,設置位於旋轉夾盤40所保持之晶圓W的邊緣、與可動杯45的開口邊緣45d間之位置的氣液分離用之環狀突起44c,可防止在使可動杯45下降而施行顯影處理時,往晶圓W下方流動的顯影液侵入第2顯影液排出管路49b。
此外,亦可取代上述構造,如圖3B所示地,使固定杯44為,於該環狀突起44c之內周側設置靠近晶圓W的底面之環狀刀緣部44d,並在環狀突起44c與環狀刀緣部44d之間形成的環狀凹溝44e之底部形成與杯體43之底部連通的排液通路44f之構造。
藉由如此地構成,將顯影處理時往晶圓W之背面側迴流的顯影液補集於環狀凹溝44e內,可阻止流入晶圓W之下方。此外,將補集於環狀凹溝44e內的顯影液介由排液通路44f往杯體43之底部排出。
可動杯45,配置於以底壁43a、外周壁43c、上壁43d、及固定杯44所包圍的空間部48。可動杯45具備:推拔部45a,將上側徑變小之錐拔狀的層板重疊2層;圓筒狀的分隔部45b,設置於推拔部45a的下側;以及突起45c,安裝於分隔部45b之內周面。此分隔部45b,設置於固定杯44的周壁44b與杯體43的外周壁43c之間。此外,突起45c,以在可動杯45下降時與突起45c靠近第2側壁43f,可動杯45上升時突起45c位於較第2側壁43f更上方之位置的方式,安裝於分隔部45b之內周面。
於可動杯45之上方,設置用於使可動杯45上升或下降的升降部47。在藉由升降部47使可動杯45上升之情況,以使推拔部45a的前端部較旋轉夾盤40所保持之晶圓W更為上方的方式,移動可動杯45。此外,在藉由升降部47使可動杯45下降之情況,以使推拔部45a的前端部較旋轉夾 盤40所保持之晶圓W更為下方的方式移動。此一升降部47與相當於控制部之控制器60連接,依據來自控制器60的控制訊號使可動杯45升降。
如圖6所示,空間部48,由外周流路48a及內周流路48b構成,前者以上壁43d、外周壁43c、可動杯45包圍;後者以可動杯45、第2側壁43f、底壁43a、固定杯44包圍。此外,於固定杯44的下側,形成以固定杯44、底壁43a、內周壁43b包圍之,與內周流路48b連通的排氣流路48c。
於杯體43的底壁43a,設置將飛散之顯影液排出的第1顯影液排出管路49a、第2顯影液排出管路49b。第1顯影液排出管路49a與杯體43之外周側相連接,與外周流路48a連通。此外,於第1顯影液排出管路49a之二次側設置顯影液用開閉閥32a及顯影液用泵33a。另一方面,第2顯影液排出管路49b與杯體43之內周側相連接,與內周流路48b連通。此外,於第2顯影液排出管路49b之二次側設置顯影液用開閉閥32b及顯影液用泵33b。顯影液用開閉閥32a、32b,依據來自控制器60的訊號,施行開閉動作。
此處,顯影液用開閉閥32a及顯影液用泵33a相當於本發明之第1排出機構,顯影液用開閉閥32b及顯影液用泵33b相當於本發明之第2排出機構。
於杯體43的底壁43a,第1側壁43e之內周側,設置用於將起因於顯影液的飛散而產生之氣體(霧氣)排氣的排氣管路49c。排氣管路49c與排氣流路48c連通,於二次側設置霧氣用開閉閥32c及霧氣用泵33c(參考圖6)。霧氣用開閉閥32c,依據來自控制器60的訊號,施行開閉動作。
另一方面,於旋轉夾盤40所保持之晶圓W之上方側,以隔著間隙與晶圓W的表面之中心部相對向的方式,設置可升降及水平移動之顯影液供給噴嘴54(以下稱作顯影噴嘴54)。此一情況,如圖5A所示,顯影噴嘴54,於下側具有供給(噴吐)正型光阻用之顯影液(以下稱作正型顯影液) 的正型顯影液供給噴嘴54a、以及供給(噴吐)負型光阻用之顯影液(以下稱作負型顯影液)的負型顯影液供給噴嘴54b。
此處,作為正型顯影液使用例如四甲基氫氧化銨(TMAH)。此外,作為負型顯影液使用含有有機溶劑之顯影液,例如可使用酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑等極性溶劑及碳氫化合物系溶劑等,本實施形態中,使用含有係酯系溶劑之乙酸丁酯的顯影液。
此外,顯影噴嘴54,支持於噴嘴臂55A之一端側,此一噴嘴臂55A之另一端側與具備未圖示之升降機構的移動基台56A連結,進一步移動基台56A以可沿著例如藉滾珠螺桿、確動皮帶等顯影液供給噴嘴移動機構57A(以下稱作顯影噴嘴移動機構57A)於X方向延伸之導引構件58A而往橫向移動的方式構成。藉由驅動顯影噴嘴移動機構57A,顯影噴嘴54,自晶圓W之中心部起沿著朝向邊緣部的直線(半徑)移動。
此外,於杯體43之一方的外方側,設置顯影噴嘴54之待機部59A,於此一待機部59A施行顯影噴嘴54之噴嘴前端部的洗淨等。
此外,於旋轉夾盤40所保持之晶圓W之上方側,以隔著間隙與晶圓W的表面之中心部相對向的方式,將供給(噴吐)噴吐之沖洗液供給噴嘴61(以下稱作沖洗噴嘴61)可升降及水平移動地設置。此一沖洗噴嘴61,如圖5B所示,具有對晶圓W供給正型光阻用之沖洗液(以下稱作正型用沖洗液)的正型洗淨液供給噴嘴(正型沖洗液供給噴嘴)61a、以及對晶圓W供給負型光阻用之沖洗液(以下稱作負型用沖洗液)的負型洗淨液供給噴嘴(負型沖洗液供給噴嘴)61b。
此處,作為正型用沖洗液使用DIW(純水)。此外,作為負型用沖洗液可使用有機溶劑,例如具備含有包含分支及環狀構造之至少任一的烷鏈,且該烷鏈中的2級或3級碳原子與羥基結合之碳數至少為5的醇、或 碳數至少為5的烷基、及碳數至少為5的環烷基中之至少任一的二烷基醚之沖洗液。本實施形態中,使用含有4-甲基-2-戊醇(MIBC)之沖洗液。
此一沖洗噴嘴61,在噴嘴臂55B之一端側保持互相平行狀態,此一噴嘴臂55B之另一端側與具備未圖示之升降機構的移動基台56B連結,進一步移動基台56B以可沿著例如藉滾珠螺桿、確動皮帶等沖洗液供給噴嘴移動機構57B(以下稱作沖洗噴嘴移動機構57B)於X方向延伸之導引構件58B而往橫向移動的方式,亦即以自晶圓W之中心部起朝向基板的邊緣部於徑方向移動的方式構成。另,於杯體43之一方的外方側,設置沖洗噴嘴61之待機部59B。
此外,正型顯影液供給噴嘴54a,介由插設有開閉閥V1之顯影液供給管70a與顯影液供給源71a連接。此外,負型顯影液供給噴嘴54b,介由插設有開閉閥V2之顯影液供給管70b與顯影液供給源71b連接。
另一方面,正型沖洗液供給噴嘴61a,介由插設有開閉閥V3之沖洗液供給管76a與沖洗液供給源77a連接。此外,負型沖洗液供給噴嘴61b,介由插設有開閉閥V4之沖洗液供給管76b與沖洗液供給源77b連接。
另,移動基台56A、56B、顯影噴嘴移動機構57A、沖洗噴嘴移動機構57B、開閉閥V1~V4,各自與上述控制器60電性連接,依據預先儲存於控制器60的控制訊號施行顯影噴嘴54和沖洗噴嘴61的水平移動與升降移動、以及開閉閥V1~V4的開閉驅動而構成。此外,控制器60,藉由控制開閉閥V1、V2的開閉驅動,可控制自顯影噴嘴54對晶圓W之顯影液的供給;藉由控制開閉閥V3、V4的開閉驅動,可控制自沖洗噴嘴61對晶圓W之沖洗液的供給。
接著,依據圖4、圖5A,對待機部59A、59B加以說明。
待機部59A設置於杯體43之外周側,以可將顯影噴嘴54自上側插入的方式形成。此外,待機部59A,具有將自正型顯影液供給噴嘴54a噴吐出之正型顯影液的殘餘儲存之儲存部59c、以及將自負型顯影液供給噴嘴54b噴吐出之負型顯影液的殘餘儲存之儲存部59d,並以分離壁59e將儲存部59c、59d分離。此外,儲存部59c與排出正型顯影液之排出管路62a連通,儲存部59d與排出負型顯影液之排出管路62b連通。顯影噴嘴54,藉由於鉛直方向移動之移動基台56A及往X方向延伸之導引構件58A,插入待機部59A,於此一待機部59A施行顯影噴嘴54之噴嘴前端部的洗淨等。
待機部59B設置於杯體43之外周側,以可將沖洗噴嘴61自上側插入的方式形成。此外,待機部59B,具有將自正型沖洗液供給噴嘴61a噴吐出之正型用沖洗液的殘餘儲存之儲存部59f、以及將自負型沖洗液供給噴嘴61b噴吐出之負型用沖洗液的殘餘儲存之儲存部59g,並以分離壁59h將儲存部59f、59g分離。此外,儲存部59f與排出正型用沖洗液之排出管路62c連通,儲存部59g與排出負型用沖洗液之排出管路62d連通。沖洗噴嘴61,藉由於鉛直方向移動之移動基台56B及往X方向延伸之導引構件58B,插入待機部59B,於此一待機部59B施行顯影噴嘴54之噴嘴前端部的洗淨等。
而後,依據圖6(a)、圖6(b),對第1實施形態之顯影液的排出加以說明。圖6(a)顯示,自晶圓W之上方供給正型顯影液的正顯影處理之情況的顯影液與起因於顯影液的飛散而產生之氣體(霧氣)的排出路徑。此外,圖6(b)顯示,自晶圓W之上方供給負型顯影液的負顯影處理之情況的顯影液與霧氣之排出路徑。圖6(a)、圖6(b)中的實線顯示顯影液之流路,虛線顯示霧氣之流路。
如圖6(a)所示,可動杯45往上方移動之情況(正顯影處理之情況),正型顯影液與霧氣被導入內周流路48b。此時,藉由來自控制器60的訊號,關閉顯影液用開閉閥32a並開啟顯影液用開閉閥32b,驅動顯影液用泵33b。藉此,將導入至內周流路48b之顯影液自第2顯影液排出管路49b排 出。此外,藉由來自控制器60的訊號,開啟霧氣用開閉閥32c,驅動霧氣用泵33c。藉此,將導入至排氣流路48c之霧氣自排氣管路49c排出。
此正顯影處理中,藉由來自控制器60的訊號將旋轉驅動機構42驅動而使旋轉夾盤40高速旋轉,例如以3,000rpm之轉速旋轉。如此地藉由使旋轉夾盤40高速旋轉,杯體43的內壓雖上升,但因杯體43之外側有成為負壓之外周流路48a的區域(負處理用區域),故氣流未往杯體43之外側流出。
如圖6(b)所示,可動杯45往下方移動之情況(負顯影處理之情況),負型顯影液與霧氣被導入外周流路48a。此時,藉由來自控制器60的訊號,開啟顯影液用開閉閥32a並關閉顯影液用開閉閥32b,驅動顯影液用泵33a。藉此,將導入至外周流路48a之顯影液自第1顯影液排出管路49a排出。此外,藉由來自控制器60的訊號,開啟霧氣用開閉閥32c,驅動霧氣用泵33c。藉此,將導入至排氣流路48c之霧氣自排氣管路49c排出。
此負顯影處理中,藉由來自控制器60的訊號將旋轉驅動機構42驅動而使旋轉夾盤40以較正顯影處理時更低速旋轉,例如以2,000rpm之轉速旋轉。如此地藉由使旋轉夾盤40較正顯影處理時更低速地旋轉,杯體43的內壓變得難以上升,杯體43內不具有成為正壓的區域,故氣流未往杯體43之外側流出。
依該第1實施形態,在使用正型顯影液時藉由使可動杯45上升,將顯影液及霧氣導入內周流路48b;在使用負型光阻用之顯影液時藉由使可動杯45下降,將顯影液及霧氣導入外周流路48a;故可藉由搭載於1個模組之顯影處理裝置50不混合正型顯影液與負型顯影液地施行顯影液的排出處理。因此,可減少搭載於顯影處理裝置之模組數,可獲得圖求顯影處理裝置之小型化等效果。
此外,依上述第1實施形態,於第1、第2顯影液排出管路49a、49b分別插設顯影液用泵33a、33b及顯影液用開閉閥32a、32b。而後,在驅動顯影液用泵33a而開啟顯影液用開閉閥32a之情況,顯影液用泵33b的驅動停止而顯影液用開閉閥32b關閉;在驅動顯影液用泵33b而開啟顯影液用開閉閥32b之情況,顯影液用泵33a的驅動停止而顯影液用開閉閥32a關閉;故可獲得不混和正型顯影液與負型顯影液地提升顯影液的排出處理效率等效果。
〈第2實施形態〉
其次,依據圖7、圖8(a)、圖8(b),對本發明之第2實施形態的顯影處理裝置50加以說明。另,對於與圖3、圖6(a)、圖6(b)記載之顯影處理裝置50相同的內容,附加與圖3、圖6(a)、圖6(b)相同的符號,並省略說明。
如圖7所示,第2實施形態之可動杯85,在推拔部85a為1層的點、於分隔部85b之內周面未設置突起45c的點與第1實施形態之可動杯45相異。此外,第2實施形態之杯體43,在未設置第2側壁43f的點與第1實施形態之杯體43相異。
依據圖8(a)、圖8(b),對第2實施形態之顯影液的排出加以說明。如圖8(a)所示,可動杯85往上方移動之情況(正顯影處理之情況),正型顯影液與霧氣被導入內周流路48b。此時,藉由來自控制器60的訊號,關閉顯影液用開閉閥32b並開啟顯影液用開閉閥32a,驅動顯影液用泵33a。藉此,將導入至內周流路48b之顯影液自第1顯影液排出管路49a排出。
如圖8(b)所示,可動杯85往下方移動之情況(負顯影處理之情況),負型顯影液與霧氣被導入外周流路48a及內周流路48b。此時,藉由來自控制器60的訊號,關閉顯影液用開閉閥32a並開啟顯影液用開閉閥32b,驅動顯影液用泵33b。藉此,將導入至外周流路48a之顯影液自第2顯影液排出管路49b排出。此外,藉由來自控制器60的訊號,開啟霧氣用開閉閥32c, 驅動霧氣用泵33c。藉此,將導入至排氣流路48c之霧氣自排氣管路49c排出。
依上述第2實施形態,則即便在正型用排出管路與負型用排出管路相反的情況,仍與第1實施形態同樣地,可藉由搭載於1個模組之一個顯影處理裝置50不混和正型顯影液與負型顯影液地施行顯影液的排出處理。因此,與第1實施形態同樣地,可減少搭載於顯影處理裝置之模組數,可獲得圖求顯影處理裝置之小型化等效果。
此外,在驅動顯影液用泵33a而開啟顯影液用開閉閥32a之情況,顯影液用泵33b的驅動停止而顯影液用開閉閥32b關閉;在驅動顯影液用泵33b而開啟顯影液用開閉閥32b之情況,顯影液用泵33a的驅動停止而顯影液用開閉閥32a關閉;故可獲得不混和正型顯影液與負型顯影液地提升顯影液的排出處理效率等效果。另,第2實施形態中,因其他構造與第1實施形態相同,故獲得與第1實施形態同樣的效果。
〈第3實施形態〉
接著,依據圖9、圖10(a)、圖10(b),對本發明之第3實施形態的顯影處理裝置50加以說明。圖10(a)、圖10(b)中的一點鏈線顯示沖洗液之流路。另,對於與圖3、圖6(a)、圖6(b)記載之顯影處理裝置50相同的內容,附加與圖3、圖6(a)、圖6(b)相同的符號,並省略說明。
如圖9所示,第3實施形態之第1顯影液排出管路89a,與豎立於杯體43的底壁43a之同心圓狀的外側壁90a其外側相連接;第2顯影液排出管路89b,與豎立於杯體43的底壁43a之同心圓狀的內側壁90b其內側相連接。此外,以外側壁90a與外周壁43c包圍之部分相當於第1顯影液排出管路89a的連接部99a;以內側壁90b與內周壁43b包圍之部分相當於第2顯影液排出管路89b的連接部99b。因此,第1顯影液排出管路89a的連接部99a與第2顯影液排出管路89b的連接部99b以往上方迂迴的方式形成。
於杯體43之外周壁43c,設置將儲存在未圖示之沖洗液儲存槽的沖洗液對杯體43供給之洗淨液供給噴嘴81。此外,於第3實施形態之外側壁90a與內側壁90b之間設置排出沖洗液的洗淨液排出管路(沖洗液排出管路)49d,於沖洗液排出管路49d插設洗淨液用開閉閥32d。
如圖10(a)所示,可動杯45往上方移動之情況(正顯影處理之情況)中,在對塗布有正型顯影液的晶圓W供給正型用沖洗液之情況,自晶圓W飛散的正型用沖洗液被導入內周流路48b。導入的正型用沖洗液,儲存於以外側壁90a、內側壁90b、底壁43a包圍之下部流路91。
此外,如圖10(b)所示,可動杯45往下方移動之情況(負顯影處理之情況)中,在對塗布有負型顯影液的晶圓W供給負型用沖洗液之情況,自晶圓W飛散的負型用沖洗液被導入外周流路48a。導入的負型用沖洗液儲存於下部流路91。
此外,對晶圓W供給正型顯影液或負型顯影液時,自洗淨液供給噴嘴81供給供洗淨附著於杯體43之正型顯影液或負型顯影液所用的沖洗液,儲存於下部流路91。
而後,儲存於下部流路91之正型用沖洗液或負型用沖洗液,藉由關閉顯影液用開閉閥32a、32b並開啟洗淨液用開閉閥32d,而自沖洗液排出管路49d排出。
此外,來自上述洗淨液供給噴嘴81之沖洗液的供給、往下部流路91之沖洗液的儲存及沖洗液的排出,係在對晶圓W供給正型顯影液、負型顯影液或正型沖洗液後施行。此時,為了縮短以顯影單元(DEV)25顯影之晶圓W的顯影處理時間,亦可將來自洗淨液供給噴嘴81之沖洗液的供給、往下部流路91之沖洗液的儲存及沖洗液的排出與晶圓W的搬運同時施行。
依上述第3實施形態,則藉由將沖洗液以下部流路91儲存,自沖洗液排出管路49d排出,而可洗淨包圍下部流路91之底壁43a、外側壁90a、內側壁90b及外周壁43c,故除了該第1實施形態所獲得之效果以外,可獲得防止正型顯影液、負型顯影液、負型用沖洗液的混合等效果。另,第3實施形態中,因其他構造與第1實施形態相同,故獲得與第1實施形態同樣的效果。
〈第4實施形態〉
而後,依據圖11,對本發明之第4實施形態的顯影處理裝置50加以說明。另,對於與圖11記載之顯影處理裝置50相同的內容,附加與圖3相同的符號,並省略說明。
如圖11所示,第4實施形態之杯體43將底壁43a形成為傾斜狀。因此,圖11中之儲存在左側的下部流路91之沖洗液,於形成為傾斜狀之杯體43流通而往圖11中之右側的下部流路92流通。儲存在下部流路92之沖洗液,藉由開啟插設於形成在底壁43a之洗淨液排出管路49e的洗淨液用開閉閥32e,而自洗淨液排出管路49e排出。
依上述第4實施形態,則藉由使以下部流路91儲存之沖洗液朝向下部流路92螺旋狀地循環,而可使沖洗液循環於杯體43全體,故除了該第1實施形態所獲得之效果以外,可獲得使用沖洗液將包圍下部流路91、92之底壁43a、外側壁90a、內側壁90b效率良好地洗淨等效果。另,第4實施形態中,因其他構造與第1實施形態相同,故獲得與第1實施形態同樣的效果。
〈第5實施形態〉
之後,依據圖12、圖13,對本發明之第5實施形態的顯影處理裝置50加以說明。另,對於與圖3、圖6(a)、圖6(b)記載之顯影處理裝置50相同的內容,附加與圖3、圖6(a)、圖6(b)相同的符號,並省略說明。
如圖12所示,於第5實施形態之排氣管路49c的二次側,設置用於將使用正型顯影液時產生之霧氣排氣的正型排氣管路93a、用於將使用負型顯影液時產生之霧氣排氣的負型排氣管路93b。此外,於排氣管路49c,設置僅使正型排氣管路93a和負型排氣管路93b之一方與杯體43之排氣流路48c連通的切換阻尼器93c。切換阻尼器93c與控制器60連接,以藉由來自控制器60的訊號封閉正型排氣管路93a與負型排氣管路93b之一方的管路之方式作動。此外,於正型排氣管路93a,插設排氣用開閉閥32f及排氣用泵33d;於負型排氣管路93b,插設排氣用開閉閥32g及排氣用泵33e。
如圖13(a)所示,可動杯45往上方移動之情況(正顯影處理之情況)中,自晶圓W飛散的正型顯影液被導入內周流路48b且霧氣被導入排氣流路48c。此一情況中,依據來自相當於本發明之切換阻尼器控制部的控制器60之訊號,以切換阻尼器93c封閉負型排氣管路93b,將正型排氣管路93a與杯體43連通。此外,開啟排氣用開閉閥32f,並驅動排氣用泵33d,關閉排氣用開閉閥32g。因此,將滯留於排氣流路48c的霧氣介由正型排氣管路93a排氣。
其次,如圖13(b)所示,可動杯45往下方移動之情況(負顯影處理之情況)中,自晶圓W飛散的負型顯影液被導入外周流路48a且霧氣被導入排氣流路48c。此一情況中,以切換阻尼器93c封閉正型排氣管路93a,將負型排氣管路93b與杯體43連通。此外,開啟排氣用開閉閥32g,並驅動排氣用泵33e,關閉排氣用開閉閥32f。因此,將滯留於排氣流路48c的霧氣介由負型排氣管路93b排氣。
依上述第5實施形態,則在滯留於排氣流路48c之霧氣係起因於飛散的正型顯影液之情況,介由正型排氣管路93a將該霧氣排氣。此外,滯留於排氣流路48c之霧氣係起因於飛散的負型顯影液之情況,介由負型排氣管路93b將該霧氣排氣。因此,可獲得能夠不混合起因於正型顯影液之霧氣與起因於負型顯影液之霧氣地,分別排氣等效果。另,第5實施形態中,因其他構造與第1實施形態相同,故獲得與第1實施形態同樣的效果。
〈第6實施形態〉
而後,依據圖14A、圖14B,對本發明之第6實施形態的顯影處理裝置50加以說明。
如圖14A、圖14B所示,第6實施形態,於一個模組設置2個顯影處理裝置50A、50B,於各個顯影處理裝置50A、50B,設置可供給正型顯影液及負型顯影液之顯影液供給噴嘴54a、54b,以及可供給正型沖洗液及負型沖洗液之沖洗液供給噴嘴61a、61b。
於顯影噴嘴54,連結顯影液供給管70a、70b,在顯影液供給管70a、70b插設開閉閥V1、V2,與顯影液供給源71a、71b相連接。此外,於沖洗噴嘴61,連結沖洗液供給管76a、76b,在沖洗液供給管76a、76b插設開閉閥V3、V4,與沖洗液供給源77a、77b相連接。此外,第1顯影液排出管路及第2顯影液排出管路,必須在各個顯影處理裝置50A、50B中分別地設置。
因此,顯影處理裝置50A中的往晶圓W之正型顯影液的供給係藉由正型顯影液供給噴嘴54a施行,正型沖洗液的供給係藉由正型沖洗液供給噴嘴61a施行。此外,顯影處理裝置50B中的往晶圓W之負型顯影液的供給係藉由負型顯影液供給噴嘴54b施行,而負型沖洗液的供給可藉由負型沖洗液供給噴嘴61b施行。
依上述第6實施形態,則在一個模組設置2個顯影處理裝置50A、50B之情況,可於各個顯影處理裝置50A、50B同時施行顯影處理、沖洗處理。因此,除了以上述第1實施形態獲得的效果以外,獲得可效率良好地施行顯影處理或沖洗處理等效果。
〈第7實施形態〉
接著,依據圖15A、圖15B,對本發明之第7實施形態的顯影處理裝置50加以說明。
如圖15A、圖15B所示,第7實施形態中,於一個模組設置2個顯影處理裝置50A、50B,於各個顯影處理裝置50A、50B,設置可供給正型顯影液之正型顯影液供給噴嘴94a、94b,以及可供給正型沖洗液之正型沖洗液供給噴嘴95a、95b。此外,可供給負型顯影液及負型沖洗液之負型處理液供給噴嘴96,為顯影處理裝置50A、50B共有。
於正型顯影液供給噴嘴94a、94b,連接正型顯影液供給管70c、70d。此外,於正型顯影液供給管路70c插設開閉閥V5,與正型顯影液供給源71c相連接;於正型顯影液供給管路70d插設開閉閥V6,與正型顯影液供給源71d相連接。
於正型沖洗液供給噴嘴95a、95b,連接正型沖洗液供給管76c、76d。於正型沖洗液供給管76c插設開閉閥V7,與正型沖洗液供給源77c相連接;於正型沖洗液供給管76d插設開閉閥V8,與正型沖洗液供給源77d相連接。此外,於負型處理液供給噴嘴96,連接負型顯影液供給管70e及負型沖洗液供給管76e,於負型顯影液供給管70e及負型沖洗液供給管76e插設開閉閥V9、V10,與負型顯影液供給源71e、負型沖洗液供給源77e相連接。
因此,顯影處理裝置50A中的往晶圓W之正型顯影液的供給係藉由正型顯影液供給噴嘴94a施行,正型沖洗液的供給係藉由正型沖洗液供給噴嘴95a施行。此外,顯影處理裝置50B中的往晶圓W之正型顯影液的供給係藉由正型顯影液供給噴嘴94b施行,正型沖洗液的供給係藉由正型沖洗液供給噴嘴95b施行。另一方面,顯影處理裝置50A、50B中的往晶圓W之負型顯影液及負型沖洗液的供給係藉由負型處理液供給噴嘴96施行。
依上述第7實施形態,則對各個顯影處理裝置50A、50B設置一組正型的顯影噴嘴與沖洗噴嘴,並設置顯影處理裝置50A、50B共有的負型處理液 供給噴嘴96,故藉由在使用既存之正型顯影液的顯影處理裝置設置負型處理液供給噴嘴96而可與正型顯影液及負型顯影液對應。因此,除了以上述第1實施形態獲得的效果以外,獲得能夠將可效率良好地施行顯影處理或沖洗處理之顯影處理裝置簡單地組裝等效果。
〈排液之逆流防止機構〉
而後,依據圖16,對排液之逆流防止機構100加以說明。如圖16所示,正型顯影液之逆流防止機構100設置於第2顯影液排出管路49b,具備將第2顯影液排出管路49b內的空氣排出之排氣口110、以及插設於排氣口110之止回閥CV1。此外,負型顯影液之逆流防止機構101設置於第1顯影液排出管路49a,具備將第1顯影液排出管路49a內的空氣排出之排氣口102、以及插設於排氣口102之止回閥CV2。
第1顯影液排出管路49a及第2顯影液排出管路49b,介由排出管路62a、62b與設置在顯影處理裝置50A、50B的顯影噴嘴54之待機部59A相連接。此外,第1顯影液排出管路49a及第2顯影液排出管路49b,與設置在各個顯影處理裝置50A、50B的未圖示之杯體相連接。此外,沖洗液排出管路49d,介由排出管路62c、62d與正型沖洗液供給噴嘴之待機部59B相連接。
如此地,由於在第1顯影液排出管路49a、第2顯影液排出管路49b設置具有排氣口110、102之逆流防止機構100、101,故即便在對流通於第1顯影液排出管路49a、第2顯影液排出管路49b的排液施加壓力之情況,仍可藉排氣口110、102使壓力逸散。因此,可防止流通於第1顯影液排出管路49a、第2顯影液排出管路49b之排液的逆流。
其次,對本發明之正顯影處理與負顯影處理,參考圖17~圖20將連續處理之情況與變更處理之情況加以說明。
<正-正顯影處理>
連續施行正顯影處理之情況,如圖17所示,正顯影處理結束之時間點,可動杯45上升(S11,參考圖17(a))。在此一狀態下,支承銷13上升而使旋轉夾盤40上的晶圓W往晶圓傳遞位置移動(S12,參考圖17(b))。此一狀態,由於可動杯45上升,故可防止因伴隨支承銷13之上升的氣流而使微粒侵入可動杯45內並附著於晶圓W之情形。
支承銷13上升後,可動杯45下降(S13,參考圖17(c))。另,此一情況,亦可同時施行支承銷13的上升與可動杯45的下降。藉由同時施行支承銷13的上升與可動杯45的下降,可圖求時間的縮短。
其次,顯影裝置之外部的主搬運機構A2進入裝置內,將以支承銷13支持的晶圓W傳遞至主搬運機構A2(S14,參考圖17(d))。而後,藉由主搬運機構A2將晶圓W搬出(S15,參考圖17(e))。
之後,保持未經過顯影處理的晶圓W之主搬運機構A2進入裝置內(S16,參考圖17(f)),支承銷13承接晶圓W(S17,參考圖17(g))。其後,主搬運機構A2自裝置後退。
接著,可動杯45上升後(S18,參考圖17(h)),支承銷13下降而將支承銷13所支持的晶圓W載置於旋轉夾盤40上,開始下一個正顯影處理(S19,參考圖17(i))。如此地,藉由在可動杯45上升的狀態下,使支承銷13下降,而可防止因伴隨支承銷13之下降的氣流而使微粒侵入可動杯45內並附著於晶圓W之情形。
另,亦可同時施行可動杯45的上升與支承銷13的下降。藉此,可圖求時間的縮短。
<負-負顯影處理>
連續施行負顯影處理之情況,如圖18所示,在負顯影處理結束之時間點,可動杯45下降(S21,參考圖18(a))。在此一狀態下,支承銷13 上升而使旋轉夾盤40上的晶圓W往晶圓傳遞位置移動(S22,參考圖18(b))。
其次,顯影裝置之外部的主搬運機構A2進入裝置內,將以支承銷13支持的晶圓W傳遞至主搬運機構A2(S23,參考圖18(c))。而後,藉由主搬運機構A2將晶圓W搬出(S24,參考圖18(d))。
之後,保持未經過顯影處理的晶圓W之主搬運機構A2進入裝置內(S25,參考圖18(e)),支承銷13承接晶圓W(S26,參考圖18(f))。其後,主搬運機構A2自裝置後退。
接著,支承銷13下降而將支承銷13所支持的晶圓W載置於旋轉夾盤40上,開始下一個負顯影處理(S27,參考圖18(g))。
<正-負顯影處理>
於正顯影處理後施行負顯影處理之情況,以圖19所示之動作順序施行。另,此處,上述正-正顯影處理與負-負顯影處理共通之步驟使用同一符號加以說明。
在正顯影處理結束之時間點,可動杯45上升(S11,參考圖19(a))。在此一狀態下,支承銷13上升而使旋轉夾盤40上的晶圓W往晶圓傳遞位置移動(S12,參考圖19(b))。此一狀態,由於可動杯45上升,故可防止因伴隨支承銷13之上升的氣流而使微粒侵入可動杯45內並附著於晶圓W之情形。
支承銷13上升後,可動杯45下降(S13,參考圖19(c))。另,此一情況,亦可同時施行支承銷13的上升與可動杯45的下降。藉由同時施行支承銷13的上升與可動杯45的下降,可圖求時間的縮短。
其次,顯影裝置之外部的主搬運機構A2進入裝置內,將以支承銷13支持的晶圓W傳遞至主搬運機構A2(S14,參考圖19(d))。而後,藉由主搬運機構A2將晶圓W搬出(S15,參考圖19(e))。
之後,保持未經過顯影處理的晶圓W之主搬運機構A2進入裝置內(S16,參考圖19(f)),支承銷13承接晶圓W(S17,參考圖19(g))。其後,主搬運機構A2自裝置後退。
接著,支承銷13下降而將支承銷13所支持的晶圓W載置於旋轉夾盤40上,開始下一個負顯影處理(S27,參考圖19(h))。
<負-正顯影處理>
於負顯影處理後施行正顯影處理之情況,以圖20所示之動作順序施行。另,此處,上述正-正顯影處理與負-負顯影處理共通之步驟使用同一符號加以說明。
在負顯影處理結束之時間點,可動杯45下降(S21,參考圖20(a))。在此一狀態下,支承銷13上升而使旋轉夾盤40上的晶圓W往晶圓傳遞位置移動(S22,參考圖20(b))。
其次,顯影裝置之外部的主搬運機構A2進入裝置內,將以支承銷13支持的晶圓W傳遞至主搬運機構A2(S23,參考圖20(c))。而後,藉由主搬運機構A2將晶圓W搬出(S24,參考圖20(d))。
之後,保持未經過顯影處理的晶圓W之主搬運機構A2進入裝置內(S25,參考圖20(e)),支承銷13承接晶圓W(S26,參考圖20(f))。其後,主搬運機構A2自裝置後退。
接著,可動杯45上升後(S18,參考圖20(g)),支承銷13下降而將支承銷13所支持的晶圓W載置於旋轉夾盤40上,開始下一個正顯影處 理(S19,參考圖20(h))。如此地,藉由在可動杯45上升的狀態下,使支承銷13下降,而可防止因伴隨支承銷13之下降的氣流而使微粒侵入可動杯45內並附著於晶圓W之情形。
另,亦可同時施行可動杯45的上升與支承銷13的下降。藉此,可圖求時間的縮短。
〈其他實施形態〉
以上,雖對本發明之實施形態的一例加以說明,但本發明不限於此一形態而可採用各種態樣。例如,本發明之第1實施形態,雖在可動杯45往上方移動之情況導入正型顯影液,可動杯45往下方移動之情況導入負型顯影液,但亦可在可動杯45往上方移動之情況導入負型顯影液,可動杯45往下方移動之情況導入正型顯影液。此一情況,第1實施形態中導入外周流路48a的負型顯影液成為正型顯影液,導入內周流路48b的正型顯影液成為負型顯影液。此外,本發明之第2實施形態中,亦可在可動杯45往上方移動之情況導入負型顯影液,可動杯45往下方移動之情況導入正型顯影液。此一情況,第2實施形態中導入外周流路48a及內周流路48b的負型顯影液成為正型顯影液,導入內周流路48b的正型顯影液成為負型顯影液。
此外,第6實施形態,雖對在一個模組設置2個顯影處理裝置50A、50B之情況進行說明,但亦可於一個模組設置3個以上之顯影處理裝置。
32a、32b‧‧‧顯影液用開閉閥
32c‧‧‧霧氣用開閉閥
33a、33b‧‧‧顯影液用泵
33c‧‧‧霧氣用泵
40‧‧‧旋轉夾盤(基板保持部)
43a‧‧‧底壁
43b‧‧‧內周壁
43c‧‧‧外周壁
43d‧‧‧上壁
43e‧‧‧第1側壁
43f‧‧‧第2側壁
43g‧‧‧突起
44‧‧‧固定杯
44a‧‧‧底壁
44b‧‧‧周壁
44e‧‧‧環狀凹溝
44f‧‧‧排液通路
45‧‧‧可動杯
45a‧‧‧推拔部
45b‧‧‧分隔部
45c‧‧‧突起
46‧‧‧保持板
47‧‧‧升降部
48a‧‧‧外周流路
48b‧‧‧內周流路
48c‧‧‧排氣流路
49a‧‧‧第1顯影液排出管路
49b‧‧‧第2顯影液排出管路
49c‧‧‧排氣管路
W‧‧‧晶圓(基板)

Claims (8)

  1. 一種顯影處理裝置,於表面塗布正型光阻或負型光阻,對曝光之基板供給顯影液而施行顯影,其特徵為具備:基板保持部,將該基板水平地保持;旋轉驅動機構,使該基板保持部繞鉛直軸旋轉;正型顯影液供給噴嘴,對該基板保持部所保持之基板的表面供給該正型光阻用之顯影液;負型顯影液供給噴嘴,對該基板保持部所保持之基板的表面供給該負型光阻用之顯影液;正型洗淨液供給噴嘴,對該基板保持部所保持之基板的表面供給該正型光阻用之洗淨液;負型洗淨液供給噴嘴,對該基板保持部所保持之基板的表面供給該負型光阻用之洗淨液;杯體,形成為上側開口之有底的圓環狀,將伴隨該基板的旋轉而飛散之顯影液予以回收;第1顯影液排出管路,與該杯體之外周側連接,將藉該杯體回收的該正型光阻用或該負型光阻用其中一方的顯影液排出;第2顯影液排出管路,與該杯體之內周側連接,將藉該杯體回收的該正型光阻用或該負型光阻用其中另一方的顯影液排出;洗淨液排出管路,將藉由該杯體所回收的該洗淨液加以排出,該杯體回收伴隨該基板之旋轉而飛散的該洗淨液;固定杯,在該杯體之內周壁與該杯體之外周壁間具有周壁,形成於該基板保持部所保持之基板的下側;可動杯,在該固定杯之周壁與該杯體之外周壁間具有分隔部,藉由使該分隔部上升,而將該正型光阻用或該負型光阻用其中一方的飛散之顯影液導入以該分隔部與該固定杯之周壁包圍的內周流路,藉由使該分隔部下降,而將該正型光阻用或該負型光阻用其中另一方的飛散之顯影液導入以該分隔部與該杯體之外周壁包圍的外周流路;以及控制部,於使用該正型光阻用之顯影液時使該可動杯上升,於使用該負型光阻用之顯影液時使該可動杯下降;其中和該杯體呈同心圓狀的外側壁,其在與該杯體連接之該第1顯影液排出管路的連接部,豎立於該杯體的底壁;和該杯體呈同心圓狀的內側壁, 其則在與該杯體連接之該第2顯影液排出管路的連接部,豎立於該杯體的底壁;藉由該外側壁及該內側壁,上述兩個連接部以往上方迂迴的方式形成;且在形成於該外側壁、該內側壁與該杯體的底壁之間的下部流路,設有該洗淨液排出管路。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯影處理裝置,其中,藉由該控制部,令該旋轉驅動機構形成為可控制,使得採用該正型光阻用之顯影液時的該基板保持部之轉速,較採用該負型光阻用之顯影液時的該基板保持部之轉速更大。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之顯影處理裝置,其中,該固定杯具備氣液分離用之環狀突起,該氣液分離用之環狀突起位於由該基板保持部所保持之基板的邊緣與該可動杯的開口邊緣間之位置。
  4. 如申請專利範圍第3項之顯影處理裝置,其中,該固定杯,於該環狀突起之內周側具備靠近該基板的底面之環狀刀緣部,在該環狀突起與環狀刀緣部之間形成的環狀凹溝之底部,形成與該杯體之底部連通的排液通路而構成。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之顯影處理裝置,其中,將基板支持構件形成為可藉由該控制部使其相對於該基板保持部之基板保持面升降;於該正型光阻用之顯影液的正顯影處理後,或於該負型光阻用之顯影液的負顯影處理後,可藉由該控制部使該基板支持構件上升,而對裝置外部之基板搬運機構進行基板傳遞、及基板的承接;於該正顯影處理後施行正顯影處理的情況,在使該基板支持構件上升而將處理後的基板往基板傳遞位置移動後,或在將處理後的基板往基板傳遞位置移動的同時,使該可動杯下降;於該基板支持構件承接未處理的基板之狀態,在該基板支持構件下降後,或在該基板支持構件下降的同時,使該可動杯上升;於該正顯影處理後施行該負顯影處理的情況,在使該基板支持構件上升而將處理後的基板往基板傳遞位置移動後,或在將處理後的基板往基板傳遞位置移動的同時,使該可動杯下降; 於該負顯影處理後施行該正顯影處理的情況,於該基板支持構件承接未處理的基板之狀態,在該基板支持構件下降後,或在該基板支持構件下降的同時,使該可動杯上升。
  6. 如申請專利範圍第1項之顯影處理裝置,其中,於該第1顯影液排出管路及第2顯影液排出管路中介設顯影液用泵及顯影液用開閉閥;在驅動介設於該第1顯影液排出管路或該第2顯影液排出管路中之一方的該顯影液用泵而開啟該顯影液用開閉閥之情況,停止介設於該第1顯影液排出管路或該第2顯影液排出管路中之另一方的該顯影液用泵之驅動而關閉該顯影液用開閉閥。
  7. 如申請專利範圍第1項之顯影處理裝置,其中,於該杯體設置供給洗淨液之洗淨液供給噴嘴;以供自該洗淨液供給噴嘴供給之洗淨液儲存於該杯體所設有之該下部流路的方式形成該杯體。
  8. 如申請專利範圍第1、2、6、7中任一項之顯影處理裝置,其中,具備:正型排氣管路,設置在將起因於伴隨該基板的旋轉而飛散之顯影液所產生的霧氣排氣之排氣管路內,將起因於該正型光阻用之顯影液的飛散而產生的氣體排氣;負型排氣管路,設置於該排氣管路內,將起因於該負型光阻用之顯影液的飛散而產生的氣體排氣;切換阻尼器,設置於該排氣管路內,切換該正型排氣管路或該負型排氣管路中之任一管路與該杯體的連接;以及切換阻尼器控制部,於使用該正型光阻用之顯影液時,令該切換阻尼器移動,以便連通該正型排氣管路與該杯體,並阻止該負型排氣管路與該杯體的連通;於使用該負型光阻用之顯影液時,令該切換阻尼器移動,以便連通該負型排氣管路與該杯體,並阻止該正型排氣管路與該杯體的連通。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI747060B (zh) * 2018-11-07 2021-11-21 日商斯庫林集團股份有限公司 處理杯單元及基板處理裝置
TWI751432B (zh) * 2018-09-07 2022-01-01 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9694545B2 (en) * 2014-12-18 2017-07-04 Stratasys, Inc. Remotely-adjustable purge station for use in additive manufacturing systems
JP6473357B2 (ja) 2015-03-18 2019-02-20 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6603487B2 (ja) 2015-06-22 2019-11-06 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6742748B2 (ja) 2016-02-17 2020-08-19 株式会社Screenホールディングス 現像ユニット、基板処理装置、現像方法および基板処理方法
TWI638394B (zh) 2016-07-25 2018-10-11 斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置
JP6778548B2 (ja) * 2016-08-24 2020-11-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6920524B2 (ja) * 2016-08-24 2021-08-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR102042362B1 (ko) * 2018-11-05 2019-11-07 세메스 주식회사 기판처리장치
CN109445255A (zh) * 2018-11-22 2019-03-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显影装置及其清洗方法
JP6831889B2 (ja) * 2019-10-11 2021-02-17 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7360973B2 (ja) 2020-02-27 2023-10-13 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置及び現像処理方法
JP2022174633A (ja) * 2021-05-11 2022-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR20230016859A (ko) 2021-07-27 2023-02-03 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102627076B1 (ko) * 2022-08-30 2024-01-23 주식회사 포톤 기판 세정용 고정식 바울장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6223044A (ja) * 1985-07-22 1987-01-31 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光性平版印刷版の処理方法
JP2005183709A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Tokyo Electron Ltd 現像装置及び現像方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0271273A (ja) * 1988-09-07 1990-03-09 Oki Electric Ind Co Ltd フォトレジスト現像装置
JPH03286517A (ja) * 1990-04-03 1991-12-17 Tokyo Electron Ltd 処理方法
JP3943741B2 (ja) * 1999-01-07 2007-07-11 株式会社東芝 パターン形成方法
JP2003297801A (ja) * 2002-03-28 2003-10-17 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置
JP4369325B2 (ja) * 2003-12-26 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像処理方法
JP4862902B2 (ja) * 2009-03-04 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5348083B2 (ja) * 2010-07-16 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5338777B2 (ja) * 2010-09-02 2013-11-13 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
TWI497226B (zh) * 2011-01-05 2015-08-21 Tokyo Electron Ltd Coating, developing device, coating, developing method and memory medium
JP6007155B2 (ja) * 2013-07-30 2016-10-12 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6223044A (ja) * 1985-07-22 1987-01-31 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光性平版印刷版の処理方法
JP2005183709A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Tokyo Electron Ltd 現像装置及び現像方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI751432B (zh) * 2018-09-07 2022-01-01 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
TWI747060B (zh) * 2018-11-07 2021-11-21 日商斯庫林集團股份有限公司 處理杯單元及基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
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