JPH03286517A - 処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は処理方法に関する。

［従来の技術］ 従来から半導体製造工程では薄膜の所望のパターンを得
るため、ウェハ上に形成された薄膜上に所望のパターン
に作成した金属薄膜等でマスクを作威し、その上に感光
性のレジストを塗布した後露光・現像し、エツチングを
行っている。このレジスト塗布工程で用いられるレジス
トは感光部分が光分解反応を生じて現像液に可溶性とな
るポジ型あるいは逆に架橋反応を生じて溶媒（現像液）
に不溶となるネガ型のレジストが用いられるが、解像液
の優れているポジ型のレジスト例えばノボラック樹脂−
ナフトキノンジアジド系等が用いられると、以下に示す
光分解反応によりアルカリ水溶液に可溶になる。

（す７トキノンジアジド化士物）（）ｉラック樹脂）［
発明が解決すべき課題］ そのため露光後の現像工程では強アルカリ溶液を半導体
ウェハに滴下して露光面の不要部分のレジストを溶解し
、その後水洗を行っている。しかし、不要のレジストを
溶解させる強アルカリ溶液は少量であっても多量の水で
洗浄を行うため強アルカリ溶液も多量の水も同一の排液
処理装置に流入し排液の量が多くなり、この多量の排液
処理は装置も大がかりになり能率も悪く、費用も嵩んで
しまった。

本発明は上記の欠点を解消するためなされたものであっ
て、被処理液の排液処理が簡単な装置で能率よく行うこ
とができ、従って装置自体も縮少して経済的な処理方法
を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するため本発明の処理方法は、同一処
理容器内で被処理体を順次異なる処理液で処理する処理
方法において、各前記処理液による処理毎に排液の排出
系に切り替えて処理する。

［作用コ 同一処理容器内で被処理体を順次異なる処理液で処理す
る方法において、それぞれの処理液による処理毎に処理
後の排液を弁等で切り替え分離する。そして各排液処理
の必要な溶液の場合は排液処理装置で適切な処理を施し
、排液処理が簡単な多量の水を用いるような場合は簡単
な処理を行って排水するようにすれば、複雑な排液処理
が必要な溶液は非常に少量で済ませることができる。

［実施例コ 本発明の処理方法を半導体ウェハの現像に適用した一実
施例を図面を参照して説明する。

第１図に示す現像装置１は、真空吸着等によって被処理
体である半導体ウェハ２を載置固定し、モータ３の回転
軸に固定される上面円板状チャック４が設けられる。チ
ャック４の上方には吐出ノズル５及び６が備えられ、吐
出ノズル５及び６は図示しない水平移動機構に接続され
、チャック２の上方から半導体ウェハ２の外側の位置に
退避できるようになっている。吐出ノズル５は洗浄液７
１を供給する洗浄液供給系７、吐出ノズル６はアルカリ
性溶液等から成る現像液８１を供給する現像液供給系８
に接続される。洗浄液供給系７は図示しないバルブ、フ
ィルタ等が設けられ、また現像液供給系８は一定量の現
像液を供給する図示しないベローズポンプ、フィルタ、
バルブ等が備えられる。

また、現像時に回転する半導体ウェハ２の周縁部から余
剰の現像液や洗浄水が飛散されるが、飛散された現像液
が周囲に飛散しないよう同一処理容器であるカップ９が
設けられる。カップ９は上下動可能であって半導体ウェ
ハ２の搬入８時に図示の位置より下降し、チャック４が
露出して搬入比を容易にする。さらにカップ９の下部に
はドレイン管１０が排液処理装置１１と接続して設けら
れる。排液処理装置１１は洗浄水供給系７及び現像液供
給系８と共にＣＰ、Ｕにより駆動されるようになってい
る。

ここで、排液処理装置１１は、第２図に示すように分離
する手段である３方弁１２が設けられドレイン管１０に
接続されたプラグ弁等を回転させて排液・処理が簡単な
排液の場合は配管１３に接続しく図の位置）、複雑な排
液処理する排液の場合は配管１４に切換可能となってい
る。配管１３には簡単な排液処理を行うそれぞれの排出
系である排水装置１５が接続され、配管工４は適切な排
水処理を行う排水処理装置１６に接続されるようになっ
ている。また、３方弁はプラグ弁とは限定されず、配管
１３及び１４にそれぞれ蝋型弁、歪型弁、種々の逆止め
弁等の弁１２−１及び１２−２を設けてもよい。

上記のような構成の排液処理装置の動作を説明する。

半導体ウェハ２が図示しない搬送機構によりチャック３
上に吸着されて支持されるとカップ９は第１図に図示の
ように上昇し、ＣＰＵからの信号により現像液供給系８
から一定量例えば３〜５ｃｃの現像液８１が吐出ノズル
６に送られ、吐出ノズルから半導体ウェハ２上に滴下さ
れる。そしてモータ３がＣＰＵの能動信号を入力すると
高速回転例えば３０００回〆分し現像液８１が半導体ウ
ェハ２の全面に亘って供給されポジ型レジストならば露
光され光分解を生じたレジストを溶解する。

この時ＣＰＵは３方弁１２に信号を送出し、３方弁１２
を配管１４に連結させドレイン管１ｏと配管工４を接続
させる。そして半導体ウェハ２の周縁部から飛散したご
く少量の現像液８１が、ドレイン管１０を通り配管１４
から排水処理装置１６により現像液８１に適した中和等
適宜処理が行われる。処理すべき排液がごく少量のため
効率よく排液処理を行うことができる その後次の工程のためＣＰＵから洗浄水供給系７に信号
が送出されると、半導体ウェハ５上方に設けられている
吐出ノズル５から例えば１１２／分の純水の洗浄水７１
が供給される。この時ＣＰＵは３方弁１２に信号を送出
し、３方弁１２を配管１３に連結させドレイン管１０と
配管１３を接続する。そのため、多量の洗浄液はこの処
理液に適した処理を実行する排水装置１５により中和さ
せる等簡単な処理を行い排水する。

以上の説明は本発明の排液処理装置の一実施例の説明で
あって、本発明はこれに限定されるものではない。即ち
、現像装置に限定れるものでなくエツチング装置や半導
体製造装置に限らず異なる処理液で順次処理する装置な
らば何れのものにも採用することができ、種々の排液が
混合して排液処理が困難になるものならば好適に用いる
ことができる。

［発明の効果］ 以上の説明からも明らかなように、本発明の処理方法に
よれば、異なる処理液毎に排液を分離して排液処理を行
えるようにしたため、種々の排液が混入して処理が複雑
になることがない。特に多量の水を用いて処理を行う場
合は、単純な排水処理で排水することができ、多量の水
と混ってしまった現像液から有害物質を除去する等不必
要な作業を省略することができ非常に効率的でもあり、
また装置も大がかりになることがない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の処理方法に係る排液処理装置の一実施
例を示す構成図、第２図及び第３図は第１図に示す実施
例の要部を示す図である。 １・・・・・・現像装置 ２・・・・・・半導体ウェハ（被処理体）９・・・・・
・カップ（同一処理容器）１１・・・・排液処理装置 ７１・・・・洗浄液 ８１・・・・現像液 １２・・・・３方弁（分離する手段） １５・・・・排水装置（排出系） １６・・・・排水処理装置（排出系） 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　同一処理容器内で被処理体を順次異なる処理液で処理
   する処理方法において、各前記処理液による処理毎に排
   液の排出系に切り替えて処理することを特徴とする処理
   方法。