JPH0249708Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 この考案は、半導体製造装置、詳しくはポジタ
イプのフオトレジストの現像に好適する装置に関
するものである。

従来の技術 半導体装置を製造する場合の最重要工程の一つ
に、フオトリソグラフイ工程がある。従来、この
フオトリソグラフイ工程にはネガタイプのフオト
レジストが用いられていたが、最近の高集積度
化、多層配線化に伴つて、ポジタイプのフオトレ
ジストも使用されるようになつてきた。このポジ
タイプのフオトレジストの現像にはテトラメチル
アンモニウムハイドロオキシサイド〔TMAHO〕
を含む現像液を使用するが、前記TMAHOは有
毒であるため、回収が必要である。

従来、この種のポジタイプのフオトレジストの
現像には、第３図に示すような装置が用いられて
いた。同図において、１はウエーハチヤツクで、
ヘツド部にウエーハの真空吸着部を有し、回転可
能に構成されている。２はウエーハチヤツク１を
囲撓するカツプで、底部に現像液及びリンス液の
排液管３を備えている。４はウエーハチヤツク１
のヘツド部に吸着されたウエーハで、その上面に
露光済みポジタイプのフオトレジスト膜を有す
る。

上記構成において、ウエーハチヤツク１を静止
ないし低速回転にしておいて、ウエーハ４上に現
像液を滴下すると、この現像液がウエーハ４上を
濡れ広がつて周縁部に達する。この時、現像液は
その表面張力によつて、ウエーハ４上に保持され
る。このようにして、ウエーハ４上に現像液を保
持したまま定時間経過すると、フオトレジスト膜
が現像される。この後、ウエーハチヤツク１を高
速回転すると、現像液が遠心力によつてウエーハ
４から振り飛ばされて、排液管３から排出され
る。次に、ウエーハチヤツク１を高速回転したま
まウエーハ４上にリンス液を注液すると、リンス
液は遠心力でウエーハ４上に流れ広がり、ウエー
ハ４の表面から現像液を洗い流し、ウエーハ４の
周縁から振り飛ばされて、排液管３から排出され
る。

考案が解決しようとする問題点 ところで、上記装置によると、現像液もリンス
液もカツプ２の排液管３から排出されるので、現
像液を回収する場合、処理液量が多くなり、回収
費が嵩むといつた問題点があつた。

そこで、現像液の回収を効果的に行ない得るた
め、第４図に示すような装置が提案された。この
装置はウエーハチヤツク１の周囲を囲撓するカツ
プ２の底面に、環状壁５を形成して該カツプ２を
内側槽６と外側槽７に区割し、夫々の底部に廃液
管８，９を独立して設け、現像液はウエーハチヤ
ツク１を低速回転させてカツプ２の内側槽６に振
り落し、内側槽６の底部に備えた排液管８から排
出させると共に、リンス液はウエーハチヤツク１
を高速回転させてカツプ２の外側槽７に振り落
し、外側槽７の底部に備えた排液管９から排出さ
せるようにしたものである。

上記装置によると、現像液とリンス液とを分離
して排出回収できるので、回収効率が高く、回収
費用を著しく低減することができる。

ところが、上記装置によると、現像液をウエー
ハチヤツク１の低速回転によりカツプ２の内側槽
６に振り落させ、リンス液をウエーハチヤツク１
の高速回転によりカツプ２の外側槽７に振り落さ
せて、現像液とリンス液の分離を行なわさせるよ
うにしているので、分離精度が悪くて現像液が環
状壁５を越えて外側槽７に振り落される虞れが多
分にあり、回収されたリンス液中に含まれる現像
液の濃度が高くなるといつた問題点があつた。

問題点を解決するための手段 この考案は上記問題点に鑑みて提案されたもの
で、ウエーハを吸着保持する回転可能なウエーハ
チヤツクと、ウエーハチヤツクの側方及び下方を
囲い、その底面に環状壁を形成して内側槽と外側
槽に区割し、当該内側槽と外側槽に別個の排液管
を備えたカツプと、ウエーハチヤツクとカツプの
環状壁との間に上下動可能に設けられたスプラツ
シユガードとを具備した構造にて上記問題点を解
決せんとするものである。

作 用 上記この考案におけるスプラツシユガードは、
現像液の供給時及び現像後に、ウエーハより振り
飛ばされる現像液のカツプの外側槽への飛散を防
止する隔壁として作用し、これにより回収された
リンス液中に含まれる現像液の濃度を低く抑える
ことができる。

実施例 第１図はこの考案に係る半導体装置の一実施例
を示す図面である。同図において、１１はウエー
ハ１２を適宜吸着保持するウエーハチヤツクで、
回転可能に構成されている。１３はウエーハチヤ
ツク１１の側方及び下方を囲う有底円筒状のカツ
プで、底面に環状壁１４を形成して内側槽１５と
外側槽１６に区割され、該内側槽１５と外側槽１
６の底部に夫々別個の排出管１７，１８を備えて
いる。１９はカツプ１３の環状壁１４より若干小
径に形成された円筒状のスプラツシユガードで、
支持杆２０を介してシリンダ２１のピストンロツ
ド２２に連結され、シリンダ２１のピストンロツ
ド２２の伸縮動作により上下動するように構成さ
れている。

上記構成において、第２図に示すように、シリ
ンダ２１のピストンロツド２２を退縮しスプラツ
シユガード１９を下限位置まで降下してカツプ１
３の内側槽１５内に配置しておき、ウエーハチヤ
ツク１１のヘツド部に露光済みのポジタイプのフ
オトレジスト膜を有するウエーハ１２を吸着して
静止ないし低速回転させて、ウエーハ１２上に現
像液を滴下すると、現像液はウエーハ１２上に流
れ広がつて周縁部に達する。この時、現像液はそ
の表面張力によつてウエーハ１２上に保持され
る。このようにしてウエーハ１２上に現像液を保
持したまま所定時間経過すると、フオトレジスト
膜が現像される。この後、ウエーハチヤツク１１
を高速回転させると、ウエーハ１２上の現像液は
遠心力によつて振り飛ばされてスプラツシユガー
ド１９の内周壁に当り、該スプラツシユガード１
９の内周壁を伝つてカツプ１３の内側槽１５に流
れ落ちて内側槽１５の底部の排液管１７から排出
される。リンス時の初期の現像液濃度が高いとき
も同様である。

一方、リンス時中期以降は、第１図に示すよう
に、シリンダ２１のピストンロツド２２を伸長
し、スプラツシユガード１９を上限位置まで上昇
してカツプ１３の上方へ配置する。この状態で、
ウエーハチヤツク１１を高速回転させながら、ウ
エーハ１２上にリンス液を注液する。すると、リ
ンス液は遠心力によつてウエーハ１２上を広がつ
て、ウエーハ１２上に残つている微量の現像液を
洗い流し、ウエーハ１２の周縁から振り飛ばされ
てカツプ１３の内周壁に当り、該カツプ１３の内
周液を伝つて外側槽１６に流れ落ちて該外側槽１
６の底部の排液管１８から排出される。

考案の効果 この考案によれば、スプラツシユガードにより
現像液がカツプの外側槽に飛び込む心配がなくな
り、現像液とリンス液を精度良く分離することが
可能となり、回収されたリンス液中に含まれる現
像液の濃度を低く抑えて処理が容易に行える。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はこの考案に係る半導体製造
装置の一実施例を示す各動作状態での図面、第３
図及び第４図は従来の各半導体製造装置を示す図
面である。 １１……ウエーハチヤツク、１２……ウエー
ハ、１３……カツプ、１５……内側槽、１６……
外側槽、１９……スプラツシユガード、２１……
シリンダ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. ウエーハを吸着保持する回転可能なウエーハチ
   ヤツクと、ウエーハチヤツクの側方及び下方を囲
   い、その底面に環状壁を形成して内側槽と外側槽
   に区割し、当該内側槽と外側槽に別個の排液管を
   備えたカツプと、ウエーハチヤツクとカツプの環
   状壁との間に上下動可能に設けられたスプラツシ
   ユガードとを具備したことを特徴とする半導体製
   造装置。