TWI497226B - Coating, developing device, coating, developing method and memory medium - Google Patents

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Description

塗佈、顯像裝置，塗佈、顯像方法及記憶媒體
本發明是有關在基板塗佈阻劑，進行顯像之塗佈、顯像裝置，塗佈、顯像方法及含實行此方法的電腦程式之記憶媒體。
在半導體製造工程之一的光阻劑工程中，是半導體晶圓(以下稱晶圓)的表面塗佈阻劑，將此阻劑以預定的圖案來曝光後顯像而形成阻劑圖案。此阻劑圖案的形成是藉由在進行阻劑等的各種塗佈膜的形成處理及顯像處理的塗佈、顯像裝置連接進行曝光處理的曝光裝置的系統進行。
可是，在塗佈、顯像裝置中有進行處理晶圓的模組的狀態的確認或零件的更換等各種的維修，因此有時使塗佈、顯像裝置的運轉停止。如上述般在塗佈、顯像裝置與曝光裝置之間搬送晶圓，所以在使塗佈、顯像裝置的運轉停止時，曝光裝置的運轉也被停止。因為如此停止系統全體的動作，半導體製品的生產效率會降低。
在專利文獻1中記載，如上述般將曝光前的晶圓停滯在設於塗佈、顯像裝置的緩衝模組，一旦停止在緩衝模組的前段側所進行的處理進行維修。然後，在維修中從緩衝模組搬送晶圓，繼續後段側的處理，但恐有在維修中緩衝模組內的晶圓全部被釋出而不能進行後段側的處理之虞。在曝光裝置的運用是需要比較高的成本，因此當如此不能 進行後段側的處理時，恐有半導體製品的生產成本變高之虞。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-277528(段落0046等)
本發明是在如此的情事下研發者，提供一種不使曝光裝置的生產效率低落的塗佈、顯像裝置。
本發明的塗佈、顯像裝置，係構成使自被載置於載體區塊的載體取出的基板在處理區塊形成包含阻劑膜的塗佈膜之後，交接至曝光裝置，對於曝光後的基板，在處理區塊進行顯像處理，交接至載體，基板的處理片數比曝光裝置更多之塗佈、顯像裝置，其特徵為具備：暫置部，其係一旦暫置形成有前述塗佈膜之曝光前的基板；停止時間設定部，其係用以為了針對基板的搬送路徑之被放置有基板的模組進行維修，而設定停止該上游側的基板的搬送之時間的長度；及控制部，其係監視被放置於前述暫置部的基板的片數 是否到達對應於前述停止時間的長度之前述處理區塊的基板的處理片數，到達後輸出控制訊號而使能夠停止前述上游側的基板的搬送。
所謂「對應於前述停止時間之前述處理區塊的基板的處理片數」並非只限於在停止時間的期間可處理的基板的處理片數本身，在停止時間的期間可處理的基板的處理片 數之例如95%的片數亦含於申請專利範圍。例如將停止時間設定成30分，每單位時間的基板的處理片數為30秒時，處理片數雖是60片，但亦可在暫置部滯留57片時停止基板的搬送。此情況是將57片的基板搬送至曝光裝置時，在處理區塊是無法再開始基板的處理，因此曝光裝置是僅處理區塊的基板的3片部分的處理時間亦即1分30秒中斷處理。然而如此的情況亦可實質取得本發明的手法的效果，因此含於申請專利範圍。亦即，以能夠設定停止基板的搬送的時間，監視被放置於暫置部的基板的片數是否到達預定的處理片數之方式構成裝置時，前述「預定的處理片數」只要在業界被判斷能夠取得效果，並非限於在停止時間的期間可處理的基板的處理片數本身。並且，在此所謂的「模組」也包含搬送基板的搬送手段。
作為前述塗佈、顯像裝置的具體形態，例如下記般。
(a)前述控制部係構成被放置於前述暫置部的基板的片數到達對應於前述停止時間的長度之前述處理區塊的基板的處理片數之後，輸出用以停止從載體區塊側往處理區塊之基板的釋出的控制訊號，然後，輸出控制訊號而使能 夠停止前述上游側的基板的搬送。
(b)前述控制部係輸出控制訊號而使能夠停止前述上游側的基板的搬送之前，輸出控制訊號而使存在於處理區塊內的基板能夠退避至前述暫置部。
(c)前述控制部係構成被放置於前述暫置部的基板的片數到達對應於前述停止時間的長度之前述處理區塊的基板的處理片數之後，在該時間點存在於處理區塊內的基板所屬的一批的最終基板從載體區塊側往處理區塊釋出後，停止後續的基板的釋出，且該最終基板通過處理區塊之後，輸出控制訊號而使能夠停止前述上游側的基板的搬送。
(d)具備：運算手段，其係根據被放置於暫置部之曝光前的基板的片數、及塗佈、顯像裝置的基板的處理片數來運算對應於前述停止時間的長度的片數之曝光前的基板被放置於暫置部為止的等待時間；及顯示部，其係顯示所被運算的前述等待時間。
(e)具備時機設定部，其係設定開始前述維修的時機，前述控制部係輸出控制訊號而使能夠在前述時機的經過後停止上游側的基板的搬送。
(f)前述模組係包含：噴嘴，其係對基板供給用以形成塗佈膜的藥液；及噴嘴洗淨機構，其係對前述噴嘴供給洗淨液，前述控制部係於前述停止時間為了洗淨前述噴嘴，而 輸出控制訊號使能夠從噴嘴洗淨機構供給洗淨液。
(g)前述模組係具備：基板的載置部；噴嘴，其係對基板供給用以形成塗佈膜的藥液；杯，其係包圍被載置於前述載置部的基板；及洗淨機構，其係對前述杯內供給洗淨液，前述控制部係於前述停止時間為了洗淨杯，而輸出控制訊號使能夠供給洗淨液。
(h)具備治具，其係於前述模組中處理基板時在設於杯的外部的待機部待機，在前述停止時間被搬送至前述杯，前述載置部係保持前述冶具且使旋轉，前述洗淨機構係對前述治具吐出洗淨液，使飛散而洗淨杯內。
本發明的塗佈、顯像方法，係使用塗佈、顯像裝置的塗佈、顯像方法，該塗佈、顯像裝置係構成使自被載置於載體區塊的載體取出的基板在處理區塊形成包含阻劑膜的塗佈膜之後，交接至曝光裝置，對於曝光後的基板，在處理區塊進行顯像處理，交接至載體，基板的處理片數比曝光裝置更多，其特徵為具備：將形成有前述塗佈膜之曝光前的基板一旦暫置於暫置部之工程；為了針對基板的搬送路徑中比前述暫置部更上游側之 被放置有基板的模組進行維修，而藉由停止時間設定部來設定停止該上游側的基板的搬送的時間的長度之工程；及檢視被放置於前述暫置部的基板的片數是否到達對應於前述停止時間的長度之前述處理區塊的基板的處理片數，到達後停止前述上游側的基板的搬送之工程。
作為前述塗佈、顯像方法的具體形態，例如下記般。
(i)具備：被放置於前述暫置部的基板的片數到達對應於前述停止時間的長度之前述處理區塊的基板的處理片數之後，停止從載體區塊側往處理區塊之基板的釋出之工程；及其次，停止前述上游側的基板的搬送之工程。
(j)具備：在停止前述上游側的基板的搬送之前，使存在於處理區塊內的基板退避至前述暫置部之工程。
(k)具備：被放置於前述暫置部的基板的片數到達對應於前述停止時間的長度之前述處理區塊的基板的處理片數之後，在該時間點存在於處理區塊內的基板所屬的一批的最終基板從載體區塊側往處理區塊釋出後，停止後續的基板的釋出之工程；及前述最終基板通過處理區塊之後，停止前述上游側的基板的搬送之工程。
(l)具備：在前述停止時間，對噴嘴供給洗淨液來洗淨的工程，該噴嘴係對設於前述模組的基板供給用以形成塗佈膜的藥液。
(m)具備：在前述停止時間，對杯供給洗淨液來洗淨的工程，該杯係包圍被設於前述模組的基板的載置部。
(n)洗淨前述杯的工程係包含：在前述停止時間，從設於杯的外部的待機部搬送冶具至前述杯之工程；在前述載置部保持冶具，且使旋轉之工程；及從洗淨機構吐出洗淨液至前述治具，使飛散於杯內之工程。
本發明的記憶媒體，係記憶有使用於塗佈、顯像裝置的電腦程式之記憶媒體，其特徵為：前述電腦程式係用以實施上述塗佈、顯像方法。
若根據本發明，則在被放置於暫置部之曝光前的基板的片數到達對應於用以進行維修的停止時間的長度的片數之後，停止暫置部的前述上游側的基板的搬送。因此，可在停止時間的期間持續將曝光前的基板往曝光裝置搬送進行曝光處理。因此，可抑制曝光裝置的生產效率的降低。
說明有關本發明的塗佈、顯像裝置1。圖1是前述塗佈、顯像裝置的平面圖，圖2是同概略立體圖，圖3是同概略側面圖。此塗佈、顯像裝置1是直線狀連接載體區塊S1、處理區塊S2及介面區塊S3來構成。在介面區塊S3 更連接曝光裝置S4。在以後的說明是將區塊S1~S3的配列方向設為前後方向。
載體區塊S1是具有將含複數片同一批的基板即晶圓W之載體C搬出入至塗佈、顯像裝置1的任務，具備：載體C的載置台11、開閉部12、及用以經由開閉部12來從載體C搬送晶圓W的搬送機構之交接臂13。並且，載體區塊S1是在載置台11上具備棚架14，藉由載體搬送機構15在載置台11與棚架14之間交接載體C。被置於載置台11而釋出晶圓W後的載體C是至晶圓W返回為止在棚架14待機，藉此可防止前述載體C佔據載置台11，可將複數的載體C的晶圓W持續搬入塗佈、顯像裝置1。
處理區塊S2是由下依序層疊對晶圓W進行液處理的第1~第6單位區塊B1~B6來構成，各單位區塊B是由下層側起各兩個地構成同樣。亦即，單位區塊B1、B2為同構成，單位區塊B3、B4為同構成，單位區塊B3、B4為同構成。
若針對圖1所示的第1單位區塊B1來進行說明，則在從載體區塊S1往介面區塊S3的搬送區域R1的左右是分別配置有液處理單元20、棚架單元U1~U6，且在液處理單元20是設有反射防止膜形成模組BCT及阻劑膜形成模組COT。反射防止膜形成模組BCT是具備：分別用以處理晶圓W的2個杯21、及在杯21內支撐晶圓W的背面的同時使晶圓W繞著鉛直軸旋轉的旋轉夾頭22、及共 用於2個杯21的藥液供給噴嘴23，藉由旋轉塗佈來將反射防止膜形成用的藥液塗佈於晶圓W。並且，在圖1中雖省略，但實際反射防止膜形成模組BCT是具備對被保持於旋轉夾頭22的晶圓W的背面供給溶劑，而來洗淨該晶圓W的背面之背面洗淨噴嘴26。
阻劑膜形成模組COT是除了前述藥液為阻劑以外，與反射防止膜形成模組BCT同樣構成。圖中20是杯狀的待機部。待機部24是使藥液供給噴嘴23待機，且對待機的藥液供給噴嘴23供給洗淨液來洗淨藥液供給噴嘴23。
在前述搬送區域R1是設有晶圓W的搬送機構之搬送臂A1。此搬送臂A1是構成進退自如、昇降自如、繞著鉛直軸旋轉自如、且在搬送區域R1的長度方向移動自如，可在單位區塊B1的全部的模組間進行晶圓W的交接。圖中24是包圍晶圓W的外周之叉子部，具備支撐晶圓W的背面之爪部25。並且，前述棚架單元U1~U6是沿著搬送區域R1的長度方向來配列，棚架單元U1~U5是進行晶圓W的加熱處理之加熱模組會例如被層疊成2段。棚架單元U6是藉由彼此層疊的周緣曝光模組WEE1、WEE2所構成。此周緣曝光模組WEE1、WEE2是具備作為光源的燈，將阻劑塗佈後的晶圓W的周緣部曝光。
單位區塊B3~B6是除了在液處理單元20供給至晶圓W的藥液不同及取代周緣曝光模組而設置加熱模組以外，與單位區塊B1、B2同樣構成。單位區塊B3、B4是取代反射防止膜形成模組BCT及阻劑塗佈模組COT而具 備保護膜形成模組TCT1、TCT2。將反射防止膜形成模組BCT、阻劑塗佈模組COT及保護膜形成模組TCT設為塗佈膜形成模組。單位區塊B5、B6是取代反射防止膜形成模組BCT及阻劑膜形成模組COT而具備顯像模組DEV1、DEV2。
保護膜形成模組TCT、顯像模組DEV是除了供給至晶圓W的藥液不同，與反射防止膜形成模組BCT大致同樣構成。保護膜形成模組TCT是在液浸曝光時將保護晶圓W的表面的保護膜形成用的藥液供給至晶圓W，顯像模組是將顯像液供給至晶圓W。另外，各單位區塊B1~B6的搬送臂是設為A1~A6來顯示於圖3。
在搬送區域R1的載體區塊S1側是設有跨越各單位區塊B的棚架單元U7。棚架單元U7是藉由彼此層疊的複數個模組所構成。作為該等的模組是有：設於各單位區塊的高度位置的交接模組CPL11~CPL13、交接模組CPL14、緩衝模組BU11、及疏水化處理模組ADH。
說明中，記載成CPL的交接模組是具備用以冷卻所載置的晶圓W之冷卻台。緩衝模組是構成可儲存複數片的晶圓W。並且，疏水化處理模組ADH是對晶圓W供給處理氣體，使晶圓W表面疏水化。在棚架單元U7的附近是設有昇降自如且對棚架單元U7進退自如的交接臂30，在棚架單元U7的各模組間搬送晶圓W。
接著，一邊參照圖4一邊說明有關介面區塊S3的構成。
圖4是朝處理區塊S2側看的介面區塊S3的縱剖正面圖。介面區塊S3是具備棚架單元U8，且棚架單元U8是交接模組TRS0~TRS2、交接模組CPL1、緩衝模組群3會彼此層疊構成。
晶圓W的暫置部的緩衝模組群3是藉由彼此層疊的緩衝模組BU1~BU4所構成。交接模組TRS1是設於第3單位區塊B3及第4單位區塊B4的各高度位置。交接模組TRS2是設於第5單位區塊B5及第6單位區塊B6的各高度位置。在交接模組TRS1、TRS2及緩衝模組群3的下方側設有交接模組TRS0及交接模組CPL1。
說明有關緩衝模組BU1。緩衝模組BU1是具備左右的側面開口的框體，在框體內如圖5所示設有成對的立板36、36及從各立板36延伸至內側方向的水平板37。在各水平板37上形成晶圓W的待機區域38，在設於水平板37的表面的支持銷39上支撐晶圓W。在一個的緩衝模組BU中立板36是設置複數個，在緩衝模組BU1中待機區域38是例如設置20個，亦即在緩衝模組BU1中可使晶圓W例如最大20片待機。緩衝模組BU2~BU4亦與緩衝模組BU1同樣構成。
回到圖4，以能夠從左右方向夾著棚架單元U8的方式設有棚架單元U9、U10。棚架單元U9是曝光前藉由刷子來洗淨晶圓W的背面的背面洗淨模組BST會被層疊6座。棚架單元U10是在曝光後洗淨晶圓W的表面之曝光後洗淨模組PIR會被層疊4座。
在棚架單元U8、U9間設有第1介面臂3A。第1介面臂3A是具備：沿著昇降軸31來昇降自如的基台32、及在基台32上繞著鉛直軸旋轉自如的旋轉台33、及在旋轉台33上進退自如的晶圓支持部34。在棚架單元U8、U10間設有第2介面臂3B，此第2介面臂3B是與第1介面臂3A同樣構成。並且，在第2介面臂3B的下方設有第3介面臂3C，除了構成藉由水平移動部35來使昇降軸31在左右方向移動自如以外，與第2介面臂3B同樣構成。
介面臂3A、3B是根據基台32的高度、旋轉台33的方向及晶圓支持部34的位置來分別將不同的訊號輸出至後述的控制部100。亦即，在進出於曝光前洗淨模組BST時，進出於各交接模組TRS時，進出於曝光後洗淨模組PIR時，進出於交接模組CPL時，進出於緩衝模組BU時，分別將不同的訊號輸出至控制部100。並且，在進出於緩衝模組BU時，按進出的每個待機區域38輸出不同的訊號。根據如此從介面臂3A、3B輸出的訊號，控制部100可識別曝光前的晶圓W在哪個緩衝模組BU的哪個待機區域38待機，或曝光後的晶圓W在哪個待機區域38待機。
說明有關由此塗佈、顯像裝置1及曝光裝置S4所構成的系統的通常時之晶圓W的搬送路徑。例如晶圓W是藉由通過單位區塊B1→B3→B5的路徑1、及通過單位區塊B2→B4→B6的路徑2來搬送，在各路徑接受同樣的處 理。一載體C的晶圓W全部被釋出後，從其次的載體C釋出晶圓W。並且，例如晶圓W是依從載體C釋出的順序來分配至路徑1、路徑2，回到被釋出的載體C。以下，詳細說明有關前述路徑1的搬送。
晶圓W是以載體C→交接臂13→緩衝模組BU11→交接臂30→疏水化處理模組ADH→搬送臂A1→反射防止膜形成模組BCT→搬送臂A1→加熱模組→搬送臂A1→阻劑塗佈模組COT→搬送臂A1→加熱模組HP→周緣曝光模組WEE→搬送臂A1→交接模組CPL11的順序來搬送，在晶圓W的表面依反射防止膜、阻劑膜的順序由下層側起層疊塗佈膜。
然後，晶圓W是依交接臂30→交接模組CPL12→搬送臂A3→保護膜形成模組TCT→搬送臂A3→加熱模組HP→搬送臂A3→交接模組TRS1的順序來搬送。藉此，在阻劑膜的上層形成保護膜，且晶圓W會被搬入至介面區塊S3。
前述晶圓W是以第1介面臂3A→曝光前洗淨模組BST→第1介面臂3A→緩衝模組群3→第2介面臂3B→交接模組CPL1→第3介面臂3C→曝光裝置S4的順序來搬送，接續於背面洗淨處理來接受液浸曝光處理。
曝光完成的晶圓W是依第3介面臂3C→交接模組TRS0→第2介面臂3B→曝光後洗淨模組PIR→緩衝模組群3→第2介面臂3B→交接模組TRS2的順序來搬送。然後，依搬送臂A5→加熱模組HP→顯像模組DEV→搬送臂 A5→加熱模組HP→搬送臂A5→交接模組CPL13→交接臂30→交接模組CPL14→交接臂30→載體C的順序來搬送。在第2路徑所被搬送的晶圓W是除了通過的單位區塊不同以外，與此第1路徑同樣被搬送於模組間接受處理。
接著，利用以箭號表示晶圓W的搬送路徑之圖6、圖7來說明有關此實施形態的晶圓W的搬送方式的變更的概略。圖6是極簡略化表示上述通常時的晶圓W的搬送(通常搬送)。圖中，將從載體C釋出之曝光前的晶圓W往緩衝模組群3的搬送設為往路側搬送F1，將曝光完成的晶圓W從緩衝模組群3往載體C的搬送設為復路側搬送F2，分別以箭號來表示。並且，將從緩衝模組群3經曝光裝置S4後回到緩衝模組群3的搬送設為曝光搬送F3，以箭號來表示。
此塗佈、顯像裝置1的處理能力(Throughput)(預定的時間的晶圓W的處理片數)是比曝光裝置S4的處理能力更高。因此，若上述的通常搬送被持續，則會以對應於塗佈、顯像裝置1與曝光裝置的處理能力差之速度來將曝光前的晶圓W積蓄於緩衝模組群3。如此將一旦積蓄於緩衝模組群3的晶圓W搬入曝光裝置S4，是為了對曝光裝置S4連續搬送晶圓W不停滯進行曝光處理。另外，往路側搬送F1的處理能力與復路側搬送F2的處理能力亦可為相同，或彼此不同。此例是設為該等各搬送F1、F2的處理能力相同。並且，從載體C是設為超過緩衝模組群3的待機區域38的數量的片數的晶圓W是不被釋出者。
有時進行被使用於往路側搬送F1的處理區塊S2的模組的維修。此情況，停止來自載體C的晶圓W的釋出，停止往路側搬送F1的搬送。另一方面，如圖7所示般，曝光搬送F3及復路側搬送F2是被繼續。以此時曝光裝置S4的處理不會中斷的方式，在緩衝模組群3積蓄對應於為了進行維修所必要的時間的長度之片數的晶圓W時，控制成停止往路側搬送F1。另外，所謂模組是晶圓W被放置的場所，在此是搬送晶圓W的搬送機構也含於模組。
前述維修是有自動維修、預約維修、手動維修。自動維修是定期性地重複自動進行的維修，具體而言有未圖示的洗淨機構會自動洗淨各塗佈膜形成模組的杯21之自動杯洗淨、及在各塗佈膜形成模組的待機部24自動洗淨藥液供給噴嘴23之自動噴嘴洗淨。
預約維修是預先使用者會設定進行維修的預定日時，使用者操作裝置而進行的維修。此預約維修，具體而言有阻劑塗佈模組COT的杯21的更換、周緣曝光模組WEE的燈更換、各搬送臂A1~A4的爪部25的更換。
手動維修是使用者在任意的時機指示開始的維修。手動維修，具體而言例如有使阻劑從阻劑塗佈模組COT的藥液供給噴嘴23吐出，使用者確認吐出量及吐出狀態的適當與否。
說明有關設於塗佈、顯像裝置1的控制部100。控制部100是由電腦所構成，在圖8顯示其構成。圖中41是 匯流排，在匯流排41連接進行各種的運算的CPU42、儲存程式43的程式儲存部44、記憶體45、工作記憶體46、設定部47及顯示部48。在前述程式43中編入命令(各步驟)，而使能夠從控制部100傳送控制訊號至塗佈、顯像裝置1的各部，進行已述的各處理，控制晶圓W的搬送。前述程式43是藉由例如軟碟、光碟、硬碟、MO(光磁碟)記憶卡等來儲存而被安裝於控制部100，被儲存於前述程式儲存部44。並且，設定部47是藉由鍵盤或觸控面板等所構成，使用者在該設定部47所設定的內容會被記憶於記憶體45。工作記憶體46是藉由CPU42如後述般進行各種的運算。
接著，說明有關記憶體45。在記憶體45設有處理能力記憶區域51、緩衝狀態記憶區域52、及維修設定記憶區域53。在處理能力記憶區域51是記憶有塗佈、顯像裝置1的處理能力及曝光裝置S4的處理能力。並且，在此處理能力記憶區域51是記憶有每一小時滯留於緩衝模組群3的晶圓W片數之積蓄速率。此積蓄速率是藉由下記的式1來運算。
[式1]積蓄速率(片/分)=[往路側處理能力(片/小時)-曝光裝置S4的處理能力(片/小時)]/60
緩衝狀態記憶區域52是由：記憶在緩衝模組群3的每個待機區域38有無曝光前晶圓W的待機狀態記憶區域52a、及曝光前晶圓W片數記憶區域52b所構成。圖9是表示被記憶於緩衝狀態記憶區域52的資料。CPU42會根 據被記憶於待機狀態記憶區域52a的資料來運算在緩衝模組群3待機的曝光前晶圓W的合計片數，在曝光前晶圓W片數記憶區域52b記憶運算值。
維修設定記憶區域53是具備分別記憶有關於自動維修、預約維修、手動維修的設定之設定記憶區域61、62、63。圖10~圖12是表示被記憶於該等的設定記憶區域61~63的資料。在自動維修的設定記憶區域61中，分別針對自動杯洗淨、自動噴嘴洗淨，按BCT、COT、TCT的各塗佈處理模組維修所必要的時間(維修必要時間)、及進行維修的時間間隔(維修時間間隔)、及需要對應於維修必要時間來滯留於緩衝模組群3的曝光前晶圓片數(必要晶圓片數)、及在緩衝模組群3中必要晶圓片數不足的晶圓片數(不足晶圓片數)、及至必要晶圓片數滯留於緩衝模組群3為止的預測等待時間會彼此有所對應而記憶。
前述維修必要時間及維修時間間隔是使用者所設定的設定值。必要晶圓片數是利用前述維修必要時間及被記憶於處理能力記憶區域51的曝光裝置S4的處理能力，藉由下記的式2來運算。
[式2]必要晶圓片數(片)=維修必要時間(分)×曝光裝置S4的處理能力(片/分)
不足晶圓片數是利用在式2所運算的必要晶圓片數及被記憶於緩衝狀態記憶區域52的曝光前晶圓的合計片數，藉由下記的式3來運算。
[式3]不足晶圓片數(片)=必要晶圓片數(片)-曝光前晶 圓W合計片數(片)
預測等待時間是利用在式3所運算的不足晶圓片數、及被被記憶於處理能力記憶區域51的積蓄速率，藉由下記的式4來運算。
[式4]預測等待時間(分)=不足晶圓片數(片)/積蓄速率(片/分)
針對自動維修之一的阻劑塗佈模組COT的自動杯洗淨，具體舉數值的例來說明設定記憶區域61的各運算值所被運算的工程。塗佈、顯像裝置1的處理能力為330片/小時，曝光裝置S4的處理能力為300片/小時，維修必要時間為設定成2分鐘。並且，緩衝模組群3的曝光前晶圓W的合計片數是4片。
此情況，根據[式1]，積蓄速率=[330(片/小時)-300(片/小時)]/60=0.5片/分。
根據[式2]，必要晶圓片數=2(分)×300/60(片/分)=10片。
根據[式3]，不足晶圓片數=10片-4片=6片。
根據[式4]，預測等待時間=6片/0.5(片/分)=12分。
接著，說明有關預約維修的設定記憶區域62。在此設定記憶區域62中，與自動維修的設定記憶區域61同樣，每維修時維修必要時間、必要晶圓片數、不足晶圓片數及預測等待時間會彼此有所對應而記憶。並且，在此設定記憶區域62中記憶有按各維修而設定的維修開始日時。
針對預約維修之一的周緣曝光模組WEE的燈更換， 具體舉數值的例來說明有關前述設定記憶區域62的各運算值所被運算的工程。維修必要時間是例如設定為10分。緩衝模組群3的曝光前晶圓W合計片數是與先前的例相同設為4片。
此情況，根據[式2]，必要晶圓片數=10(分)×300/60(片/分)=50片。
根據[式3]，不足晶圓片數=50片-4片=46片。
根據[式4]，預測等待時間=46片/0.5(片/分)=92分。
在手動維修的設定記憶區域63中，與自動維修的設定記憶區域61同樣，每維修時維修必要時間、必要晶圓片數、不足晶圓片數及預測等待時間會彼此有所對應而記憶。
針對手動維修之一的阻劑吐出量及吐出狀態的確認作業，具體舉數值的例來說明有關前述設定記憶區域63的各運算值所被運算的工程。維修必要時間是例如設定為5分。往路側處理能力、曝光裝置S4的處理能力、緩衝模組群3的曝光前晶圓W合計片數是分別與先前的例相同設為330片/小時、300片/小時、4片。
此情況，根據[式2]，必要晶圓片數=5(分)×300/60(片/分)=25片。
根據[式3]，不足晶圓片數=25片-4片=21片。
根據[式4]，預測等待時間=21片/0.5(片/分)=42分。
回到圖8，說明有關顯示部48。顯示部48是例如藉由顯示器所構成，顯示被記憶於記憶體45的緩衝模組群 3的曝光前晶圓的合計片數、或各維修的維修必要時間、維修開始日時、積蓄速率、必要晶圓片數、不足晶圓片數及預測等待時間。具體而言，在圖10~圖12所示的表會被顯示於顯示部48。此顯示部48的顯示是在晶圓W的處理中即時被更新。
使用者是在塗佈、顯像裝置1開始晶圓W的處理之前，針對各自動維修來設定維修必要時間、維修時間間隔。並且，使用者會針對各預約維修來設定維修必要時間及維修開始日時。控制部100會根據使用者的設定來運算積蓄速率，更按各維修來運算必要晶圓片數、不足晶圓片數及預測等待時間。然後，該等設定值及運算值會被顯示於顯示部48。
上述的自動維修及預約維修所屬的各維修是依照進行維修時的晶圓W的待機手法的不同來分類成區塊退避維修及模組退避維修。區塊退避維修是為了進行維修而需要使在單位區塊B1~B4搬送中的全部晶圓W退避至緩衝模組群3的維修。模組退避維修是無須進行如此的退避的維修，在比進行維修的模組更前段側的模組及後段側的模組，於晶圓W待機的狀態下進行前述模組的維修。
例如作為自動維修的例之自動杯洗淨及自動噴嘴洗淨是相當於模組退避維修。作為預約維修的例之阻劑塗佈模組COT的杯更換及周緣曝光模組WEE的燈更換是相當於模組退避維修。又，作為預約維修的例之搬送臂A1~A4的爪部25的更換是相當於區塊退避維修。
以後，一邊參照圖13的流程圖，一邊說明有關在阻劑塗佈模組COT進行自動杯洗淨的工程，作為模組退避維修的例。一旦晶圓W的通常搬送及處理開始，則控制部100會判定從處理的開始時間點起作為維修時間間隔設定的時間是否經過(步驟D1)，未經過時是持續通常搬送。然後，當判定成前述設定時間經過時，控制部100接著判定是否必要晶圓片數滯留於緩衝模組群3(步驟D2)。
當判定成未滯留必要晶圓片數時，持續通常搬送。當判定成必要晶圓片數滯留時，判定在維修對象的阻劑塗佈模組COT接受處理而被搬出的晶圓W是否為一批的晶圓W，且其次被搬送至該阻劑塗佈模組COT的晶圓W是否為其次的一批的晶圓W。亦即，判定在前述阻劑塗佈模組COT是否有一批的斷開處(步驟D3)。當判定成未形成前述一批的斷開處時，持續通常搬送，當判定成形成前述一批的斷開處時，停止來自載體C的晶圓W的釋出，停止往路側搬送F1。藉此，此阻劑塗佈模組COT會成空，先行一批是停留於比此阻劑塗佈模組更前段的模組，後續的一批是停留此阻劑塗佈模組COT的後段(步驟D4)。然後，在成空的前述阻劑塗佈模組COT是進行杯21的洗淨(步驟D5)。
在進行杯21的洗淨的期間，如圖7所說明那樣，因為曝光後搬送F3及復路側搬送F2被繼續，所以在緩衝模組群3所被積蓄的曝光前晶圓W會被搬送至曝光裝置S4及單位區塊B5、B6而接受處理，回到載體C。若杯21的 洗淨終了，前述往路側搬送F1停止後經過所設定的維修必要時間，則再開始從載體C釋出後續的一批的晶圓W、及處理區塊S2的往路側搬送F1，在結束維修的阻劑塗佈模組COT搬入後續的一批的晶圓W。接著，控制部100會判定從此維修終了時刻起是否經過所設定的維修時間間隔。亦即，上述的步驟D1~D5會被重複實行，阻劑塗佈模組COT的杯洗淨會被週期性地重複進行。在其他的塗佈膜形成模組中也是同樣按照步驟D1~D5來進行杯洗淨。並且，在進行自動噴嘴洗淨時也是與進行自動杯洗淨時同樣按照步驟D1~D5來進行動作。
在說明模組退避維修的流程時，雖是針對自動維修之自動杯洗淨的例來進行說明，但在預約維修時也是同樣按照圖13的步驟D1~D4來進行處理，往維修對象的模組之晶圓W的搬送停止後，作業者會進行維修。例如若針對周緣曝光模組WEE的燈更換時進行說明，則在步驟D1是判定是否成為以能夠進行維修的方式設定的日時。
然後，在步驟D4停止往周緣曝光模組WEE的搬送之後，作業者會進行前述燈的更換。然後，如後述般一旦作業者指示，則搬送會再開始。在進行阻劑塗佈模組COT的杯21的更換時也同樣按照步驟D1~D4來進行處理，往阻劑塗佈模組COT之晶圓W的搬送會停止。
接著，一邊參照圖14的流程，一邊以和自動維修的流程的差異點為中心來說明有關進行搬送臂A1的爪部25的更換的工程，作為區塊退避維修的例。塗佈、顯像裝置 1起動，開始晶圓W的通常搬送及處理之後，控制部100判定是否成為作為維修開始日時設定的時間(步驟E1)，未成為設定時間時是繼續通常搬送。然後，當判定成形成前述設定的時間時，控制部100接著判定是否必要晶圓片數滯留於緩衝模組群3(步驟E2)。
當判定成未滯留必要晶圓片數時，繼續通常搬送。當判定必要晶圓片數滯留時，在顯示部48顯示表示如此必要晶圓片數滯留的信號，接著判定從載體C釋出中的一批的晶圓W是否為該一批的最終晶圓W。亦即，判定來自載體C的釋出是否有一批的斷開處(步驟E3)。當判定不是一批的最終晶圓W時，繼續來自載體C的釋出。當判定成一批的最終晶圓W時，停止從載體C釋出後續的一批的晶圓W(步驟E4)。
然後，一旦被釋出至處理區塊S2之一批的最終晶圓W通過處理區塊S2，往緩衝模組群3搬入(步驟E5)，則如圖7所示般，在處理區塊S2是往路側搬送F1會停止(步驟E6)。在此往路側搬送F1停止的期間，使用者進行搬送臂A1的爪部25的更換。一旦緩衝模組群3的曝光前晶圓W形成被預先設定的片數以下，亦即維修時間接近終了，則控制部100會使從未圖示的警報產生器產生警報音。作業者結束維修作業，在設定部47中進行預定的操作，指示通常搬送的再開始，再開始通常搬送。即使往路側搬送F1停止後經過維修必要時間，直到有如此的作業者的指示為止，通常搬送也不會再開始。在進行搬送臂 A2~A4的爪部25的更換時也是按照步驟E1~E6來進行處理。
接著，一邊參照圖15的流程，一邊說明有關進行阻劑吐出量及吐出狀態的確認之工程，作為手動維修的例。當塗佈、顯像裝置1起動，開始晶圓W的通常搬送時，使用者是在任意的時機，設定維修必要時間，根據此來運算必要晶圓片數、不足晶圓片數及預測等待時間，且該等的設定值及運算值會被顯示於顯示部48。然後，控制部100會判定是否必要晶圓片數滯留於緩衝模組群3(步驟F1)。未滯留時是繼續通常搬送，滯留時則停止來自載體C的釋出(步驟F2)，停止處理區塊S2的往路側搬送F1(步驟F3)。期間，使用者會確認阻劑塗佈模組COT的阻劑吐出量及吐出狀態。一旦從往路側搬送F1的停止時間點起經過維修必要時間，則通常搬送會再開始。
例如此手動維修是優先於自動維修及預約維修來進行，為了進行手動維修而輸入維修必要時間之後如上述般至通常搬送再開始的期間，為了進行自動維修及預約維修不會停止從載體C釋出晶圓W。並且，有關自動維修及手動維修方面任一優先進行皆可。
若利用此塗佈、顯像裝置1，則控制部100會判定對應於在處理區塊B2進行的維修所要的維修時間之片數的曝光前晶圓W是否被積蓄於緩衝模組群3，當判定被積蓄時，停止來自載體C之晶圓W的釋出及處理區塊S2的往路側搬送。另一方面，從緩衝模組群3經由曝光裝置S4 回到載體C的晶圓W的搬送會被繼續。因此，曝光裝置S4的曝光處理不會停止，所以可防止曝光裝置S4的處理效率降低。其結果，可防止晶圓W的處理能力的降低。並且，在各維修中，至必要晶圓片數滯留的等待時間會被顯示於顯示部48。使用者可看此顯示得知何時開始維修，因此可預先制定載體C的搬送計畫，亦即維修中抑止載體C往塗佈、顯像裝置1搬送，搬送至其他的塗佈、顯像裝置1，在進行上述的手動維修時可在不影響其他的維修之適當的時候進行，結果有助於製品的生產性的提升。並且，在此塗佈、顯像裝置1是一旦按各維修滯留必要晶圓片數，則表示其意旨的信號會被顯示於顯示部48，確實地督促使用者的注意。
並且，在塗佈、顯像裝置1是一批的最後的晶圓W通過處理區塊S2，或通過維修對象的模組之後進行維修。藉此，防止處理同一批的晶圓W的環境不同，所以可抑制同一批內的製品的品質不均。因此，可防止良品率的降低。並且，在進行模組退避維修時，晶圓W會在維修對象的模組以外的模組待機，所以維修終了後可迅速地再開始處理。因此，可更確實地抑制處理能力的降低。
維修的種類並非限於上述的例子。例如作為預約維修之一有模組的檢查。此是將儲存有模組檢查用的晶圓W的載體C搬送至載體區塊S1，且將該檢查用晶圓W利用載體區塊S1及處理區塊S2的各搬送手段來搬送至所望的模組，進行預定的檢查之後回到載體C。檢查用晶圓W 是例如被搬送至裝置1的外部的檢查機構，檢查模組的動作。並且，將在單位區塊B3、B4分別設置兩座的保護膜形成模組TCT的其中之一座作為背面洗淨模組BST。而且，亦可作為預約維修進行該背面洗淨模組BST的刷子的更換。
維修的開始的時機並非限於上述的例子。例如，亦可為一批的最後的晶圓W通過處理區塊S2之後，搬入至緩衝模組群3之前停止處理區塊S2的搬送，開始維修。又，例如在進行自動維修時，亦可為一批的最後的晶圓W通過進行維修的模組的時間點開始維修。
塗佈、顯像裝置1是在緩衝模組群3滯留晶圓W。因此，若裝置內的晶圓W片數多，且搬入至塗佈、顯像裝置1的載體數不足，則無法供給晶圓W至各模組，恐有生產性降低之虞。因此，在考慮前述緩衝模組群3的前述積蓄速率之後，設定搬入至載體區塊S1的載體C的數量。並且，增加可載置於載體區塊S1的棚架的載體C的數量也有效。而且，控制部100亦可對控制塗佈、顯像裝置1的外部的搬送機構的動作的電腦輸出訊號，將晶圓W搬入至塗佈、顯像裝置1，藉由前述搬送機構來使在空的狀態下被搬送至棚架14的載體C退避至塗佈、顯像裝置1的外部。藉此，將載體區塊S1的載體C的數量控制成收在該載體C所能載置的數量。
雖針對維修處理區塊S2的往路側搬送路徑F1的模組時進行說明，但在進行處理區塊S2的復路側搬送路徑F2 的模組的維修時亦可適用本發明。圖16是表示如此進行復路側的維修時的搬送的概略，如此圖所示，停止復路側搬送F2及往路側搬送F1的雙方的搬送。然後，在使搬送F1及F2停止的期間繼續曝光搬送F3。
舉預約維修、區塊退避維修之搬送臂A6的爪部25的更換時的例子，具體說明從通常搬送切換至圖16的維修時的搬送。此說明是將曝光完成晶圓的一批設為A、B，批B是批A的下一批。一旦上述區塊退避維修的流程的步驟E1、E2進展，判定成必要晶圓片數滯留於緩衝模組群3，則有關從緩衝模組群3搬出中的批A是繼續復路側搬送F2的搬送。在批A的最後的晶圓W被搬出後，停止來自緩衝模組群3之曝光完成晶圓W的搬出。亦即，有關批B是不從緩衝模組群3搬出，滯留於緩衝模組群3。
然後，若批A的最後的晶圓W回到載體C，則停止復路側搬送F2。並且，往路側搬送F1是按照上述的步驟E3~E6來停止。在此期間，緩衝模組群3是曝光前的晶圓W會被搬送至曝光裝置S4而其片數減少，且從曝光裝置S4搬送之曝光完成的晶圓W會積蓄。若從復路側搬送F2的停止時間點起經過維修設定時間，則批B會從緩衝模組3搬出且進行來自載體C之晶圓W的釋出。亦即，再開始通常搬送。在如此進行搬送時，曝光裝置S4亦可繼續曝光處理，因此可取得上述的效果。另外，在進行往路側搬送F1的模組的維修時，同樣亦可使復路側搬送F2 及往路側搬送F1的雙方停止。
又，上述的自動杯洗淨亦可由設於杯21之成為洗淨機構的噴嘴來直接對杯21供給洗淨液，但亦可利用洗淨用的冶具來對杯21供給洗淨液。圖17是表示該洗淨用的冶具之圓盤71。以能夠包圍圓板狀的中心部72的外周之方式設置圓形的環部73。如圖18所示，環部73的周端部是突出至上方向，環部73的外周面74是立起。例如棚架單元U1~U6之一棚架是構成為儲存此圓盤71的待機部，在晶圓W的處理時，圓盤71是在該待機部待機。
若針對進行上述的阻劑塗佈模組COT的杯洗淨的情況進行說明，則一旦已述的流程D1~D4進展，搬送臂A1會從前述棚架搬送圓盤71至阻劑塗佈模組COT，圓盤71的環部73會被旋轉夾頭22吸附。旋轉夾頭22會旋轉，從用以洗淨晶圓W的背面之背面洗淨噴嘴26，吐出例如由稀釋劑所構成的溶劑至圓盤71的環部73的背面。在圖18是以點線的箭號來表示溶劑的流動，所被吐出的溶劑是藉由離心力在環部73的背面往外側後，藉由表面張力及黏性來登上前述外周面74，朝杯21的內周面飛散。然後，飛散後的溶劑會流傳於杯21的內周面，一邊沖洗附著於該杯21的阻劑一邊下降，流入未圖示的排液路徑而被廢棄。一旦此洗淨作業終了，則圓盤21會回到前述待機部，再開始晶圓W的通常搬送。
在其他的塗佈膜形成模組中也是在維修時同樣進行杯21的自動洗淨。並且，待機部並非限於此例。例如亦可 使單位區塊B1~B4的晶圓W全部退避於緩衝模組群3之後，藉由載體C來將此圓盤71搬送至塗佈、顯像裝置1。亦即，亦可將載體C作為待機部。
W‧‧‧晶圓
A1~A6‧‧‧搬送臂
BCT‧‧‧反射防止膜形成模組
BU‧‧‧緩衝模組
COT‧‧‧阻劑膜形成模組
DEV‧‧‧顯像模組
TCT‧‧‧保護膜形成模組
S1‧‧‧載體區塊
S2‧‧‧處理區塊
S3‧‧‧介面區塊
S4‧‧‧曝光裝置
WEE‧‧‧周緣曝光模組
1‧‧‧塗佈、顯像裝置
100‧‧‧控制部
3‧‧‧緩衝模組群
45‧‧‧記憶體
47‧‧‧設定部
48‧‧‧顯示部
圖1是本發明的塗佈、顯像裝置的平面圖。
圖2是前述塗佈、顯像裝置的立體圖。
圖3是前述塗佈、顯像裝置的縱剖側面圖。
圖4是介面區塊的縱剖正面圖。
圖5是緩衝模組的待機區域的立體圖。
圖6是表示塗佈、顯像裝置及曝光裝置的搬送的概要的說明圖。
圖7是表示塗佈、顯像裝置及曝光裝置的搬送的概要的說明圖。
圖8是設於塗佈、顯像裝置的控制部的說明圖。
圖9是表示前述控制部的記憶區域的說明圖。
圖10是表示前述控制部的記憶區域的說明圖。
圖11是表示控制部的記憶區域的說明圖。
圖12是表示控制部的記憶區域的說明圖。
圖13是在塗佈、顯像裝置開始自動維修的流程圖。
圖14是進行預約維修的流程圖。
圖15是進行手動維修的流程圖。
圖16是表示塗佈、顯像裝置及曝光裝置的搬送的概要的說明圖。
圖17是使用於自動杯洗淨的圓盤的立體圖。
圖18是自動杯洗淨時的阻劑塗佈模組的縱剖側面圖。
S1‧‧‧載體區塊
S2‧‧‧處理區塊
S3‧‧‧介面區塊
S4‧‧‧曝光裝置
F1‧‧‧往路側搬
F2‧‧‧復路側搬送
F3‧‧‧曝光搬送

Claims (17)

  1. 顯像裝置，係構成使自被載置於載體區塊的載體取出的基板在處理區塊形成包含阻劑膜的塗佈膜之後，交接至曝光裝置，對於曝光後的基板，在處理區塊進行顯像處理，交接至載體，基板的處理片數比曝光裝置更多之塗佈、顯像裝置，其特徵為具備：暫置部，其係一旦暫置形成有前述塗佈膜之曝光前的基板；停止時間設定部，其係用以為了針對基板的搬送路徑中被放置有基板的模組進行維修，而設定停止該上游側的基板的搬送之時間的長度；及控制部，其係監視被放置於前述暫置部的基板的片數是否到達對應於前述停止時間的長度之前述處理區塊的基板的處理片數，到達後輸出控制訊號而使能夠停止比暫置部更上游側的基板的搬送。
  2. 如申請專利範圍第1項之塗佈、顯像裝置，其中，前述控制部係構成被放置於前述暫置部的基板的片數到達對應於前述停止時間的長度之前述處理區塊的基板的處理片數之後，輸出用以停止從載體區塊側往處理區塊之基板的釋出的控制訊號，然後，輸出控制訊號而使能夠停止前述上游側的基板的搬送。
  3. 如申請專利範圍第2項之塗佈、顯像裝置，其中，前述控制部係輸出控制訊號而使能夠停止前述上游側的基板的搬送之前，輸出控制訊號而使存在於處理區塊內的基 板能夠退避至前述暫置部。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中，前述控制部係構成被放置於前述暫置部的基板的片數到達對應於前述停止時間的長度之前述處理區塊的基板的處理片數之後，在該時間點存在於處理區塊內的基板所屬的一批的最終基板從載體區塊側往處理區塊釋出後，停止後續的基板的釋出，且該最終基板通過處理區塊之後，輸出控制訊號而使能夠停止前述上游側的基板的搬送。
  5. 如申請專利範圍第1~3項中任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中，具備：運算手段，其係根據被放置於暫置部之曝光前的基板的片數、及塗佈、顯像裝置的基板的處理片數來運算對應於前述停止時間的長度的片數之曝光前的基板被放置於暫置部為止的等待時間；及顯示部，其係顯示所被運算的前述等待時間。
  6. 如申請專利範圍第1~3項中任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中，具備時機設定部，其係設定開始前述維修的時機，前述控制部係輸出控制訊號而使能夠在前述時機的經過後停止上游側的基板的搬送。
  7. 如申請專利範圍第1~3項中任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中，前述模組係包含：噴嘴，其係對基板供給用以形成塗佈膜的藥液；及 噴嘴洗淨機構，其係對前述噴嘴供給洗淨液，前述控制部係於前述停止時間為了洗淨前述噴嘴，而輸出控制訊號使能夠從噴嘴洗淨機構供給洗淨液。
  8. 如申請專利範圍第1~3項中任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中，前述模組係具備：基板的載置部；噴嘴，其係對基板供給用以形成塗佈膜的藥液；杯，其係包圍被載置於前述載置部的基板；及洗淨機構，其係對前述杯內供給洗淨液，前述控制部係於前述停止時間為了洗淨杯，而輸出控制訊號使能夠供給洗淨液。
  9. 如申請專利範圍第8項之塗佈、顯像裝置，其中，具備治具，其係於前述模組中處理基板時在設於杯的外部的待機部待機，在前述停止時間被搬送至前述杯，前述載置部係保持前述冶具且使旋轉，前述洗淨機構係對前述治具吐出洗淨液，使飛散而洗淨杯內。
  10. 顯像方法，係使用塗佈、顯像裝置的塗佈、顯像方法，該塗佈、顯像裝置係構成使自被載置於載體區塊的載體取出的基板在處理區塊形成包含阻劑膜的塗佈膜之後，交接至曝光裝置，對於曝光後的基板，在處理區塊進行顯像處理，交接至載體，基板的處理片數比曝光裝置更多，其特徵為具備： 將形成有前述塗佈膜之曝光前的基板一旦暫置於暫置部之工程；為了針對基板的搬送路徑中被放置有基板的模組進行維修，而藉由停止時間設定部來設定停止該上游側的基板的搬送的時間的長度之工程；及檢視被放置於前述暫置部的基板的片數是否到達對應於前述停止時間的長度之前述處理區塊的基板的處理片數，到達後停止比暫置部更上游側的基板的搬送之工程。
  11. 如申請專利範圍第10項之塗佈、顯像方法，其中，具備：被放置於前述暫置部的基板的片數到達對應於前述停止時間的長度之前述處理區塊的基板的處理片數之後，停止從載體區塊側往處理區塊之基板的釋出之工程；及其次，停止前述上游側的基板的搬送之工程。
  12. 如申請專利範圍第10項之塗佈、顯像方法，其中，具備：在停止前述上游側的基板的搬送之前，使存在於處理區塊內的基板退避至前述暫置部之工程。
  13. 如申請專利範圍第10~12項中任一項所記載之塗佈、顯像方法，其中，具備：被放置於前述暫置部的基板的片數到達對應於前述停止時間的長度之前述處理區塊的基板的處理片數之後，在該時間點存在於處理區塊內的基板所屬的一批的最終基板從載體區塊側往處理區塊釋出後，停止後續的基板的釋出之工程；及 前述最終基板通過處理區塊之後，停止前述上游側的基板的搬送之工程。
  14. 如申請專利範圍第10~12項中任一項所記載之塗佈、顯像方法，其中，具備：在前述停止時間，對噴嘴供給洗淨液來洗淨的工程，該噴嘴係對設於前述模組的基板供給用以形成塗佈膜的藥液。
  15. 如申請專利範圍第10~12項中任一項所記載之塗佈、顯像方法，其中，具備：在前述停止時間，對杯供給洗淨液來洗淨的工程，該杯係包圍被設於前述模組的基板的載置部。
  16. 如申請專利範圍第15項之塗佈、顯像方法，其中，洗淨前述杯的工程係包含：在前述停止時間，從設於杯的外部的待機部搬送冶具至前述杯之工程；在前述載置部保持冶具，且使旋轉之工程；及從洗淨機構吐出洗淨液至前述治具，使飛散於杯內之工程。
  17. 一種記憶媒體，係記憶有使用於塗佈、顯像裝置的電腦程式之記憶媒體，其特徵為：前述電腦程式係用以實施如申請專利範圍第10~16項中任一項所記載之塗佈、顯像方法。
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