CN102386119B - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。在构成多组件的组件成为不可使用组件时，抑制生产率的降低。产生了不可使用组件之后，将基板交付到在多个单区之中的最先成为能够载置的状态的输入组件中，在上述多个单区的每一个中，按照基板被交付到输入组件中的顺序，利用输送部件将基板依次输送到组件组中，交接到输出组件中。然后，按照基板被交付到输入组件中的顺序将基板从输出组件中取出，输送到后续组件或者基板载置部。此后，按照通常时基板被交付到输入组件中的恒定的顺序将基板从输出组件或者基板载置部输送到后续组件中。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及用于将处理液供给到例如半导体晶圆、LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等基板的表面而进行规定的基板处理、例如抗蚀剂液的涂覆、曝光后的显影处理等的基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在作为半导体制造工序中的一个工序的光致抗蚀剂工序中，在半导体晶圆(下面，称为晶圆)的表面涂覆抗蚀剂，以规定的图案曝光该抗蚀剂之后，进行显影而形成抗蚀剂图案。在用于形成上述抗蚀剂图案的涂覆-显影装置中设有包括用于对晶圆进行各种处理的处理组件等的处理区。
如例如专利文献1所记载的那样，处理区通过将用于形成抗蚀剂膜等各种涂覆膜的单区以及用于进行显影处理的单区互相层叠而构成。在上述单区中，组装有用于进行抗蚀剂液、显影液的涂覆处理的多个液处理组件、用于进行加热处理的多个加热组件。
在这样的抗蚀剂图案形成装置中，从生产率提高的观点出发，往往设置多个对晶圆进行相同的处理的单区，并且将设在单区中的组件作为多组件进行设定。该多组件是指输送的顺序相同且对晶圆进行相同的处理的多个组件。另外，在将进行相同的处理的单区多层层叠的情况下，如专利文献2所示那样，将晶圆依次交付到各单区中，在各单区中进行处理之后，按照上述交付的顺序从各单区中输出晶圆。
此时，晶圆被按照预先做成的输送时间表输送。将用于放置晶圆的场地称为组件时，该输送时间表是对晶圆分配顺序并使晶圆的顺序与组件的顺序相对应地将指定了输送循环的输送循环数据排列成时间序列而做成的。
然而，有时在进行相同的处理的多个单区之中的一个单区中，构成多组件的多个组件之中的一个组件由于故障、维护等理由不能使用。此时，存在这种问题：不仅在产生了不能使用的不可使用组件的单区中，组件的运转率降低，因此生产率降低，而且在如上述那样将晶圆依次交付到多个单区中、并且将进行了处理的晶圆按照交付的顺序从各单区中输出的结构中，在其他的单区中生产率也降低。
例如，设有两个单区时，从批次的第1号晶圆W1开始依次将晶圆W交替交付到各单区中。即、以批次的第1号晶圆W1、第3号晶圆W3、第5号晶圆W5…的顺序交付到一个单区中，以批次的第2号晶圆W2、第4号晶圆W4、第6号晶圆W6…的顺序交付到另一个单区中。
在此，在各单区中设有n个液处理组件的情况下，一个单区的液处理组件之中的一个液处理组件发生了故障时，该一个单区的液处理组件的运转率为(n-1)/n。
并且，因为晶圆W被在另一个单区与上述一个单区之间交替交付，并且从各单区中输出的顺序被确定，所以在另一个单区中，会产生必须等待晶圆的向一个单区的交付、晶圆的从该一个单区的输出的情况。例如，在一个单区中，批次的第7号晶圆W7被输送之前，上述液处理组件发生故障时，因为不能在最初的输送循环中将该晶圆W7输送到发生了故障的液处理组件中，所以在例如下一个输送循环中被输送到其他的液处理组件中。
因而，批次的第8号晶圆W8会等待上述晶圆W7的交付，而后被交付到另一个单区中。因此，在其他的液处理组件中，尽管n个液处理组件都处于能够使用的状态，也会产生未运转的液处理组件，液处理组件的运转率为(n-1)/n。
因而，在两个单区中总计安装有2n个液处理组件，即使一个液处理组件发生了故障时，总的液处理组件的运转率为(2n-2)/2n，装置整体的生产率降低。此时，想要改变晶圆的向单区的交付的顺序、或改变晶圆的输出的顺序时，但输送控制非常困难，不现实。
专利文献1：日本特开2007-115831
专利文献2：日本特开2009-76893(权利要求8)
发明内容
本发明是在这样的情况下做成的，其目的在于提供一种在产生了不可使用组件时能够抑制生产率的降低的技术。
本发明的基板处理装置，其设置有多层单区，在该单区中，利用输送部件将被置于输入组件中的基板一张一张地输送到用于载置各基板且输送的顺序被确定的组件组中并交接到上述组件组的下游端的输出组件中，并且对基板进行相同的处理，其特征在于，
该基板处理装置包括：
多组件，其由多个组件构成，该多个组件包含于上述组件组，该多个组件的输送的顺序相同，并且用于对基板进行相同的处理；
后续组件，其设在上述组件组的下游侧；
基板载置部，其设在上述组件组的下游侧，用于载置多张基板；
第1交接部件，其用于向上述多个单区各自的输入组件进行基板的交付；
第2交接部件，其用于从上述多个单区各自的输出组件中取出基板，并输送到上述后续组件以及上述基板载置部；
控制部，其用于对上述输送部件、第1交接部件、第2交接部件进行控制，
上述控制部构成为通常时进行下述(1)的动作，上述单区所包含的多组件之中的至少一个组件成为不能使用的不可使用组件、并且至少另一个组件处于能够使用的状态时，进行下述(2)的动作，
(1)基板被第1交接部件以恒定的顺序交付到上述多个单区各自的输入组件中；
(2)(2-a)产生了不可使用组件之后，利用第1交接部件将基板交付到在多个单区之中最先成为能够载置的状态的输入组件中；
(2-b)在上述多个单区的每一个中，按照基板被交付到输入组件中的顺序，利用输送部件将基板依次输送到组件组中，并交接到输出组件中；
(2-c)按照基板被交付到输入组件中的顺序，利用第2交接部件将基板从输出组件中取出；
(2-d)将从上述输出组件中取出的基板或者利用第2交接部件直接输送到后续组件中、或者暂时输送到基板载置部之后输送到后续组件中，这样，按照通常时基板被第1交接部件交付到输入组件中的恒定的顺序，利用第2交接部件将基板输送到后续组件中。
另外，本发明的基板处理方法是基板处理装置的基板处理方法，该基板处理装置设置有多层单区，在该单区中，利用输送部件将被置于输入组件中的基板一张一张地输送到用于载置各基板且输送的顺序被确定的组件组中并交接到上述组件组的下游端的输出组件中，并且对基板进行相同的处理，
该基板处理装置包括：
多组件，其由多个组件构成，该多个组件包含于上述组件组，该多个组件的输送的顺序相同，并且用于对基板进行相同的处理；
后续组件，其设在上述组件组的下游侧；
基板载置部，其设在上述组件组的下游侧，用于载置多张基板；
该基板处理方法的特征在于，
其包括：通常时进行的下述(4)的工序，上述单区所包含的多组件之中的至少一个组件为不能使用的不可使用组件、并且至少另一个组件处于能够使用的状态时进行的下述(5)的工序，
(4)基板被以恒定的顺序交付到上述多个单区各自的输入组件中的工序；
(5-a)产生了不可使用组件之后，将基板交付到在多个单区之中最先成为能够载置的状态的输入组件中的工序；
(5-b)在上述多个单区的每一个中，按照基板被交付到输入组件中的顺序，利用输送部件将基板依次输送到组件组中，并交接到输出组件中的工序；
(5-c)按照基板被交付到输入组件中的顺序将基板从输出组件中取出的工序。
(5-d)或者将基板从上述输出组件中直接输送到后续组件中、或者暂时输送到基板载置部之后输送到后续组件中，这样，按照通常时基板被交付到输入组件中的恒定的顺序将基板输送到后续组件中的工序。
采用本发明，设置多层用于对基板进行相同的处理的处理区，对于某一个处理区，构成多组件的多个组件之中的至少一个组件成为不能使用的不可使用组件、并且至少另一个组件处于能够使用的状态时，将基板输送到在多个处理区的输入组件之中最先成为能够输入的状态的输入组件中。因此，等待基板的向输送组件的输送的时间被缩短，能够抑制生产率的降低。
附图说明
图1是表示本发明的抗蚀剂图案形成装置的一实施方式的俯视图。
图2是表示上述抗蚀剂图案形成装置的立体图。
图3是表示上述抗蚀剂图案形成装置的纵剖侧视图。
图4是表示上述抗蚀剂图案形成装置的控制部的一个例子的结构图。
图5是表示通常时的晶圆的输送路径的纵剖视图。
图6是通常时的COT1层B3的输送时间表。
图7是通常时的COT2层B4的输送时间表。
图8是表示产生不可使用组件时的晶圆的输送方法的工序图。
图9是表示产生不可使用组件时的晶圆的输送方法的流程图。
图10是表示在COT1层B3中产生了不可使用组件时的晶圆的输送路径的说明图。
图11是产生不可使用组件时的COT1层B3的输送时间表。
图12是产生不可使用组件时的COT2层B4的输送时间表。
图13是产生不可使用组件时的比较例的COT1层B3的输送时间表。
图14是产生不可使用组件时的比较例的COT2层B4的输送时间表。
图15是表示在BCT层中产生了不可使用组件时的晶圆的输送路径的说明图。
图16是表示在DEV层中产生了不可使用组件时的晶圆的输送路径的说明图。
图17是表示本发明的其他的实施方式的控制部的结构图。
图18是表示以层除外模式输送晶圆时的输送方法的工序图。
图19是表示以他层输送模式输送晶圆时的输送方法的工序图。
图20是表示以调整模式输送晶圆时的输送方法的工序图。
图21是表示抗蚀剂图案形成装置的其他的例子的立体图。
图22是表示上述抗蚀剂图案形成装置的俯视图。
图23是表示上述抗蚀剂图案形成装置的纵剖视图。
图24是表示上述抗蚀剂图案形成装置的转接区的纵剖视图。
图25是表示其他的抗蚀剂图案形成装置的纵剖视图。
图26是其他的控制部的结构图。
具体实施方式
下面，参照附图简单地说明将曝光装置连接于本发明的涂覆-显影装置的抗蚀剂图案形成装置的一个例子。图1是表示上述抗蚀剂图案形成装置的一实施方式的俯视图，图2是表示上述抗蚀剂图案形成装置的一实施方式的概略立体图。该装置包括承载区S1、处理区S2、转接区S3、曝光装置S4。在承载区S1中，交接臂C将晶圆W从被载置在载置台21上的密闭型的承载件20中取出，交接到与该承载区S1相邻接的处理区S2中，并且上述交接臂C对在处理区S2中被处理的处理完毕的晶圆W进行接收，送回到上述承载件20中。
上述处理区S2构成为多个、例如6个单区互相层叠，例如，进行涂覆膜的形成处理的多个的涂覆膜形成用的单区与进行显影处理的多个、例如两个显影处理用的单区(DEV1层B5、DEV2层B6)互相层叠。在本例中，作为上述涂覆膜形成用的单区，包括用于形成被形成在抗蚀剂膜的下层侧的反射防止膜的、例如两个反射防止膜形成用的单区(BCT1层B1、BCT2层B2)、形成抗蚀剂膜的、例如两个抗蚀剂膜形成用的单区(COT1层B3、COT2层B4)。
上述COT1层B3、COT2层B4以及DEV1层B5、DEV2层B6大致相同地构成，其包括：架单元U1，其配置有多层用于在与其他的单区之间进行晶圆W的交接的交接组件、缓冲组件；液处理组件组L，其具有多个分别用于涂覆药液的液处理组件；架单元U2，其配置有多层用于进行在上述液处理组件组L中进行的处理的前置处理以及后置处理的加热-冷却系统的组件；输送臂A3～A6，其构成在上述架单元U1、U2的各部与液处理组件组L的各组件之间进行晶圆W的交接的输送部件。
如图1中以COT1层B3为例所示的那样，例如上述COT1层B3、COT2层B4、DEV1层B5、DEV2层B6各自具有沿着图中Y方向延伸的输送路径R。上述输送臂A3～A6构成为在该输送路径R中进退自如、升降自如、绕铅垂轴线旋转自如、沿着图中Y轴方向移动自如，并且具有用于对晶圆W的背面侧周缘区域进行支承的两个叉状件，上述叉状件构成为能够互相独立地进退。
液处理组件组L与架单元U2被配置成沿着上述输送路径R彼此相对。另外，液处理组件组L被配置成多个例如4个液处理组件沿着输送路径R排列。作为上述液处理组件，在COT1层B3、COT2层B4中分别设有用于涂覆抗蚀剂液的液处理组件COT，在DEV1层B5、DEV2层B6中分别设有用于涂覆显影液的显影组件DEV。
如图1以及图3所示，上述架单元U1构成为利用设在上述架单元U1的附近的升降自如以及进退自如的交接臂D在该架单元U1的各部彼此之间输送晶圆W。在该架单元U1中呈多层地设有交接组件TRS、兼作调温用的冷却组件的交接组件SCPW、兼作能够载置多张晶圆W的缓冲件和交接部的缓冲组件BU、检查组件10等。在上述架单元U2中组装有用于对晶圆W进行加热的加热组件CPHP等。另外，交接组件TRS-A是在与承载区S1的交接臂C之间进行晶圆W的交接时使用的组件。
另外，在上述COT1层B3、COT2层B4、DEV1层B5、DEV2层B6中，在转接区S3侧设有架单元U3。在该架单元U3中呈多层地设有用于在各单区B3～B6与转接区S3之间进行晶圆W的交接的交接组件TRS、兼作上述交接部和缓冲件的缓冲组件BU、具有上述调温功能的交接组件SCPW。例如在设于架单元U1的缓冲组件BU中能够载置8张晶圆W、在设于架单元U3的缓冲组件BU中能够载置80张晶圆W。
上述BCT1层B1、BCT2层B2设有作为液处理组件的用于涂覆抗蚀剂的下层侧的反射防止膜形成用的药液的液处理组件BCT，除了未设置架单元U3之外，与COT1层B3、COT2层B4相同地构成。
在此，对于设在单区中的组件组的一个例子，以COT1层B3为例进行说明。在架单元U1中设有在向COT1层B3输入晶圆时使用的多个交接组件SCPW31、32、交接组件TRS-A、缓冲组件BU31。另外，作为液处理组件组L，具有4个液处理组件COT11～COT14，在架单元U2中排列有多个加热组件CPHP。另外，在架单元U3中设有多个交接组件TRS31、32、缓冲组件BU32。
在本例中，上述液处理组件COT11～COT14包括用于在各自的内部大致水平地载置基板的基板保持部、用于对该基板保持部的周围进行包围的杯状件，将该基板保持部称为组件。设在COT1层B3中的所有组件与用于在曝光前在基板上形成涂覆膜的组件组相当。另外，上述组件并非被全部使用，按照处理制程程序对使用的组件进行选择。
在本发明中，因为准备有对晶圆W进行相同的处理的多个单区，所以两个COT1层B3、COT2层B4分别具有彼此相同的组件组，构成上述组件组的组件、输送臂A3、A4的配置布局相同地构成。另外，同样，两个BCT1层B1、BCT2层B2、两个DEV1层B5、DEV2层B6也分别具有彼此相同的组件组，构成上述组件组的组件、输送臂A1、A2、A5、A6的配置布局相同地构成。
在上述转接区S3中设有转接臂E。该转接臂E构成为升降自如、进退自如以及绕铅垂轴线旋转自如，以使其进入架单元U3的各交接组件TRS、缓冲组件BU以及曝光装置S4的输入工作台、输出工作台，并在上述各部分之间交接晶圆W。
并且，上述的抗蚀剂图案形成装置包括控制部3，该控制部3由计算机构成，该控制部3用于进行各组件的制程程序的管理、晶圆W的输送流程(输送路径)的制程程序的管理、在各组件中的处理、交接臂C、交接臂D、输送臂A1～A6、转接臂E等的驱动控制。该控制部3具有程序，该程序由例如软件构成，该软件包括使抗蚀剂图案形成装置整体的作用、即用于对晶圆W形成规定的抗蚀剂图案的、在各组件中的处理、晶圆W的输送等被实施的步骤(命令)群。另外，上述程序被控制部3读取，由此，抗蚀剂图案形成装置整体的作用被控制部控制。另外，该程序以被收纳于例如软盘、硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等存储介质的状态被存储。
图4是表示控制部3的结构的图，实际上，控制部3由CPU(中央组件)、程序以及存储器等构成，但在本发明中，因为组件成为不可使用时的晶圆W的输送具有特点，所以在此将与组件成为不可使用时的晶圆W的输送相关连的构成要素的一部分模块化而进行说明。在图4中，附图标记30为总线，该总线30与制程程序存储部31、制程程序选择部32、输送时间表变更部33、输送控制部34、输送控制程序35、警报产生部件36等连接。
另外，各组件M经由控制器CO与控制部3连接，在各组件M中发生故障时，警报信号被从该组件M经由控制器CO输出到控制部3。另外，在晶圆在规定的时刻未被交接到交接臂D、输送臂A1～A6时，警报信号也被输出到控制部3。另外，上述组件M包括被组装在例如架单元U1～U3中的所有组件、液处理组件。
制程程序存储部31是与存储部相当的部位，是用于存储多个制程程序的部位，在该多个制程程序中存储有例如存储有晶圆W的输送路径的输送制程程序、根据该输送制程程序将批次内的所有的晶圆W在哪个时刻输送到哪个组件这种内容的输送时间表、对晶圆W进行处理的处理条件等。制程程序选择部32是用于从存储于制程程序存储部31的制程程序中选择适当的制程程序的部位，也能够进行所使用的组件M的选择等。
输送时间表变更部33是这样的部位：在晶圆W的输送中，该晶圆W的输送预定的组件成为不可使用组件时，如下述那样改写输送时间表。输送控制部34是这样的部件：参照上述输送时间表，以将被写入到输送循环数据的晶圆输送到与该晶圆相对应的组件中的方式对交接臂C、交接臂D、输送臂A1～A6、转接臂E进行控制，由此执行输送循环。输送控制程序35是这样的程序：在晶圆W的输送中，该晶圆W的输送预定的组件成为不可使用组件时被驱动。该程序根据例如在组件中发生故障、或者晶圆W的输送混乱时产生的警报信号被驱动。另外，该程序也通过操作者利用计算机的显示画面选择不可使用组件而被驱动。该不可使用组件是指在组件中发生故障、或者由于维护等而不能输入晶圆的组件。另外，所谓操作者选择不可使用组件时包括对组件进行维护的情况、将不能正常进行工艺的组件设成不可使用组件的情况等。在此，所谓不能正常进行工艺是指与其他的多组件之间产生差异的情况。在这样的情况下，如果以不使用该组件的方式变更制程程序，则在该组件恢复正常时，必须再次变更制程程序，因为存在多个制程程序时，会产生与该制程程序数相应的作业，所以优选设成不可使用组件。
另外，产生不可使用组件，并且能够实施下述的输送控制时，在例如计算机的显示画面中对产生了不可使用组件的情况进行显示，对交接臂C、交接臂D、输送臂A1～A6、转接臂E进行控制，并且进行输送时间表的变更而实施下述输送控制。另一方面，即使产生了不可使用组件的情况下，在不能实施下述的输送控制时，也利用警报产生部件36输出警报，并且停止装置。利用该警报产生部件36以警告灯的点亮、警报声的产生、向显示画面的警报显示等方式产生警报。
在此，能够实施输送控制时是指构成多组件的多个组件之中的至少一个组件处于能够使用的状态的情况。此时，多组件是指，在用于分别载置晶圆且输送的顺序被确定的组件组中，输送的顺序相同且对晶圆进行相同的处理的多个组件，也就是指被设定在输送制程程序的相同步骤中的多个组件。另一方面，不能实施输送控制时是指，在输送制程程序的相同步骤中只设定有一个组件的情况、虽然在输送制程程序的相同步骤中设定有多个组件，但是没有处于能够使用的状态的组件的情况。
接下来，以对晶圆进行相同的处理的多个单区是COT1层B3和COT2层B4的情况为例，具体地说明本发明的输送控制。首先，对晶圆W的在上述抗蚀剂图案形成装置中的通常时的流程的一个例子进行说明。来自承载区S1的晶圆W被交接臂C依次输送到架单元U1的交接组件SCPW、例如BCT1层B1、BCT2层B2所对应的交接组件SCPW11、12、SCPW21、22中。在此情况下，因为BCT层为2层，所以批次内的晶圆W被从最先开始依次交替输送到BCT1层B1、BCT2层B2中，例如，奇数号的晶圆W(2n-1)被交付到BCT1层B1中、偶数号的晶圆W2n被交付到BCT2B2层中。
在BCT层B1(B2)内，晶圆W被输送臂A1(A2)沿着液处理组件BCT→加热组件CPHP→架单元U1的交接组件TRS11、12(TRS21、22)的路径输送，反射防止膜被形成于晶圆W。
然后，例如BCT层B1(B2)中的晶圆W在架单元U1内被交接臂D从交接组件TRS11、12(TRS21、22)输送到交接组件SCPW31、32(SCPW41、42)中，该晶圆W被输送臂A3(A4)交接到COT层B3(B4)内。然后，在COT层B3(B4)内，沿着液处理组件COT→加热组件CPHP→架单元U3的交接组件TRS31、32(TRS41、42)的路径输送，在晶圆W上，抗蚀剂膜被形成在反射防止膜上。
并且，架单元U3的交接组件TRS31、32(TRS41、42)中的晶圆W被转接区S3的转接臂E输送到曝光装置S4的输入工作台，进行了规定的曝光处理之后，被转接臂E从曝光装置S4的输出工作台载置到架单元U3的交接组件SCPW51、52(SCPW61、62)中。在本例中，例如，奇数号的晶圆W(2n-1)被交付到上述交接组件SCPW51、52中，偶数号的晶圆W(2n)被交付到上述交接组件SCPW61、62中。
接下来，交接组件SCPW51、52(SCPW61、62)中的晶圆W被输送臂A5(A6)接收到DEV层B5(B6)中，在DEV层B5(B6)内，沿着液处理组件DEV→加热组件CPHP→架单元U1的交接组件TRS51、52(TRS61、62)的路径输送。另外，在晶圆W被输送到检查组件10中的情况下，利用交接臂D按照从承载件20中被交付的顺序输送到检查组件10中而进行规定的检查，接下来，利用交接臂D按照从承载件20中被交付的顺序输送到交接组件TRS-A。此后，晶圆W被交接臂C按照从承载件20被交付的顺序送回到承载件20中。另外，在不将晶圆W输送到检查组件10中的情况下，利用交接臂D，按照从承载件20被交付的顺序输送到交接组件TRS-A中，此后，被交接臂C按照从承载件20被交付的顺序送回到承载件20中。
此时，晶圆W被输送臂A1～A6按照下述的输送时间表输送到各单区B1～B6中的各自的组件组中。即、在各单区B1～B6中，利用各自的输送臂A1～A6在各组件组中从一个组件中取出晶圆W，将下一个组件中的晶圆W接收之后，将前一个晶圆W交接到该下一个组件中，这样，通过将被置于各组件中的晶圆W移动到顺序靠后一位的组件中而执行一个输送循环，执行该一个输送循环之后，过渡到下一个输送循环，通过依次执行各输送循环，晶圆W被从上述组件组中的顺序靠前的组件中依次输送到顺序靠后的组件中而进行规定的处理。
在此，在各单区B1～B6内，输送臂A1～A6从构成输入组件的交接组件SCPW中接收晶圆，将该晶圆沿着上述的输送路径依次输送到作为上述输送循环的下游端的输出组件的交接组件TRS中，这样，在单区B1～B6内分别进行输送循环。
在上述的输送中，COT1层B3(COT2层B4)中的输送制程程序如下所述：在步骤1中分别设定两个交接组件SCPW31、32(SCPW41、42)、在步骤2中分别设定两个液处理组件COT11、12(COT21、22)、在步骤3中分别设定4个加热组件CPHP31～34(CPHP41～44)、在步骤4中分别设定两个交接组件TRS31、32(TRS41、42)。因而，在COT1层B3(COT2层B4)中，交接组件SCPW31、32(SCPW41、42)、液处理组件COT11、12(COT21、22)、加热组件CPHP31～34(CPHP41～44)、交接组件TRS31、32(TRS41、42)分别被设定为多组件。
在此，利用图5更详细地对在COT1层B3、COT2层B4中进行的通常时的输送控制的一个例子进行说明。在批次的第(4n-3)号、即第1号、第5号…交付的晶圆W(4n-3)被从承载件20沿着交接组件SCPW11→BCT1层B1→交接组件TRS11→交接组件SCPW31的路径输送到COT1层B3中，形成抗蚀剂膜之后，被输送到交接组件TRS31中。同样，在批次的第(4n-2)号、即第2号、第6号…交付的晶圆W(4n-2)被从承载件20沿着交接组件SCPW21→BCT2层B2→交接组件TRS21→交接组件SCPW41的路径输送到COT2层B4中，形成抗蚀剂膜之后，被输送到交接组件TRS41中。
另外，在批次的第(4n-1)号、即第3号、第7号…交付的晶圆W(4n-1)被从承载件20沿着交接组件SCPW12→BCT1层B1→交接组件TRS12→交接组件SCPW32的路径输送到COT1层B3中，形成抗蚀剂膜之后，被输送到交接组件TRS32中。另外，在批次的第4n号、即第4号、第8号…交付的晶圆W4n被从承载件20沿着交接组件SCPW22→BCT2层B2→交接组件TRS22→交接组件SCPW42的路径输送到COT2层B4中，形成抗蚀剂膜之后，被输送到交接组件TRS42中。在此情况下，晶圆W被按照从承载件20被交付的顺序输送到交接组件TRS31、32、41、42中。
然后，各交接组件TRS31、32、41、42中的晶圆W被转接臂E按照从承载件20被交付的顺序输送到曝光装置S4的输入工作台。此时，曝光装置S4的输入工作台如果能够输入则继续输送，如果不能输入，则暂时输送到缓冲组件BU32、BU42中。曝光装置S4的输入工作台不能输入的情况是指，曝光装置S4侧的生产率比处理区S2的生产率小，在曝光装置S4的输入工作台上存在输送顺序靠前的晶圆W的情况。
对于此时的输送时间表的模拟例，COT1层B3表示在图6中、COT2层B4表示在图7中。在该输送时间表中，纵轴表示输送循环、横轴表示构成组件组的组件，交接组件SCPW31、32(SCPW41、42)相当于输入组件，交接组件TRS31、32(TRS41、42)相当于输出组件。另外，W1表示批次的第1号晶圆、W2表示批次的第2号晶圆。写在该输送时间表的右侧的数字为各输送循环从开始到结束的时间。另外，在该模拟结果中，从批次的最初的晶圆W1被载置到交接组件SCPW31中起到批次的最终的晶圆W50被载置到交接组件TRS41中为止的时间为783.4秒。
此时，交接臂D将从BCT1层B1或者BCT2层B2输出的晶圆W输送到最先成为能够输送的状态的输入组件SCPW31、32、41、42中，晶圆W被从输入组件SCPW31、32、41、42交接到组件组的作为最初的组件的液处理组件COT时，输送循环开始。另外，通常时，如上述的图5所示，晶圆W被按照从承载件20被交付的顺序从第1号晶圆W起依次输入到输入组件SCPW31、SCPW41、SCPW32、SCPW42中。
接下来，利用图8～图10对在COT1层B3中加热组件CPHP之中的一个成为不可使用组件且至少另一个处于能够使用的状态时的输送控制一个例子进行说明。在此情况下，利用上述输送控制程序35进行如图8所示那样的输送控制。即、不可使用组件产生时(步骤S1)，利用构成第1交接部件的交接臂D将晶圆W交付到在COT1层B3以及COT2层B4中最先成为能够载置的状态的输入组件(交接组件SCPW31、32、41、42)中(步骤S2)。在此，最先成为能够载置的状态是指被置于交接组件SCPW中的前一个晶圆被输送臂A3、A4接收的时刻最早的状态。
另外，分别在COT1层B3以及COT2层B4中，按照晶圆W被交付到输入组件(交接组件SCPW31、32、41、42)中的顺序利用输送臂A3、A4将晶圆W依次输送到组件组中而将晶圆W交接到输出组件(交接组件TRS31、32、41、42)中(步骤S3)。
接下来，按照晶圆W被交付到输入组件(交接组件SCPW31、32、41、42)中的顺序利用第2交接部件、即转接臂E将晶圆W从输出组件(交接组件TRS31、32、41、42)中取出，输送到作为后续组件的曝光装置S4或者作为基板载置部的缓冲组件BU32、42中(步骤S4)。
此后，按照通常时晶圆W被第1交接部件(交接臂D)交付到COT1层B3以及COT2层B4的输入组件(交接组件SCPW31、32、41、42)中的恒定的顺序利用第2交接部件(转接臂E)将晶圆W从输出组件(交接组件TRS31、32、41、42)或者缓冲组件BU32、42输送到曝光装置S4的输入工作台(步骤S5)。
实际上，按照图9所示的流程图执行输送控制。产生不可使用组件之前，在COT1层B3以及COT2层B4中分别按照通常时的输送时间表进行晶圆W的输送(步骤S10)。在COT1层B3的加热组件CPHP31中发生故障而该组件成为不可使用组件时(步骤S11)，以不将晶圆输送到该加热组件CPHP31中的方式改写输送时间表(步骤S12)。
并且，产生了不可使用组件之后，利用交接臂D将被输入到COT1层B3以及COT2层B4中的晶圆W输送到输入组件(交接组件SCPW31、32、41、42)之中的最先成为能够载置的状态的组件中(步骤S13)。
晶圆W被载置到输入组件中时，对该输入组件与记载在输送时间表中的输入组件是否相同进行判断(步骤S14)，在相同的情况下，按照输送时间表在COT1层B3或者COT2层B4内执行一个循环的晶圆W的输送(步骤S15)。
另一方面，在载置有晶圆W的输入组件与记载在输送时间表中的输入组件不同的情况下，以使被输入到上述输入组件中的晶圆W与在该输送循环中被置于输入组件中的晶圆W相同的方式改写上述输送时间表(步骤S16)。然后。按照被改写的输送时间表，在COT1层B3或者COT2层B4内执行一个循环的晶圆W的输送(步骤S17)。
接下来，对该晶圆W是否是批次的最终的晶圆进行判断(步骤S18)，是最终晶圆时，按照该输送时间表执行晶圆W的输送(步骤S19)，不是最终晶圆时，对于接着该晶圆从BCT1层B1或者BCT2层B2交付的晶圆W，从步骤S13起同样执行输送(步骤S20)。
这样，分别在COT1层B3、COT2层B4中，按照输送时间表，将晶圆W按照晶圆W被交付到输入组件中的顺序依次输送而交接到输出组件(交接组件TRS31、32、41、42)中。然后，如上述那样，该输出组件(交接组件TRS31、32、41、42)中的晶圆W被转接臂E按照晶圆W被交付到输入组件中的顺序取出。
接下来，晶圆W被转接臂E按照从承载件20中被交付的顺序输送到曝光装置S4的输入工作台。即、输出组件(交接组件TRS31、32、41、42)中的晶圆W如果是被输送到曝光装置S4的输入工作台的顺序，则继续输送到上述输入工作台，如果不是上述顺序则暂时被输送到缓冲组件BU32、42中。然后，利用转接臂E按照通常时晶圆W被交接臂D交付到COT1层B3以及COT2层B4中的恒定的顺序直接从输出组件(交接组件TRS31、32、41、42)或者经由缓冲组件BU32、42将晶圆W输送到曝光装置S4的输入工作台。
对于此时的输送时间表的模拟结果，COT1层B3表示在图11中、COT2层B4表示在图12中。在该输送时间表中，在COT2层B4中，在循环19中批次的第41号晶圆W41被输送到交接组件SCPW41中时、在循环21中批次的第44号晶圆W44被输送到交接组件SCPW41中时、在循环24中批次的第49号晶圆W49被输送到交接组件SCPW42中时，分别改写输送时间表。另外，根据该模拟结果，从最初的晶圆W1被载置到交接组件SCPW31中到最终的晶圆W50被载置到交接组件TRS32中为止的时间为843.4秒。
采用上述的实施方式，即使COT1层B3的加热组件CPHP之中的一个成为不可使用组件，在该COT1层B3的其他的加热组件CPHP能够使用的情况下，也能够输入到在COT1层B3以及COT2层B4的输入组件(交接组件SCPW31、32、41、42)之中最先成为能够载置的状态的输入组件中。
因此，即使加热组件CPHP之中的一个成为不可使用组件，也比将晶圆W交替输入到COT1层B3以及COT2层B4中的情况能够抑制生产率的降低。因为晶圆W被依次交付到闲置有输入组件的单区中，所以可抑制能够使用的加热组件CPHP等待晶圆W的输送这种情况，可抑制能够使用的加热组件CPHP的运转效率的降低。
相对于此，将晶圆W交替输入到COT1层B3以及COT2层B4中时，在未产生不可使用组件的COT2层B4中，需要等待晶圆W的向产生了不可使用组件的COT1层B3中的输入、来自COT1层B3的晶圆W的输出，在COT2层B4中，晶圆W不被输送到能够输送的加热组件CPHP中，从而运转率低，生产率降低。
在此，COT1层B3的加热组件CPHP31成为不可使用组件时，对于将晶圆交替交付到COT1层B3以及COT2层B4中时的输送时间表的模拟结果，将COT1层B3表示在图13中、将COT2层B4表示在图14中。根据该模拟结果可以理解到：从最初的晶圆W1被载置到交接组件SCPW31中到最终晶圆W50被载置到交接组件TRS41中为止的时间为891.7秒，生产率比本发明的输送控制的生产率低。
此时，在本发明中，因为晶圆并非被交替输送到COT1层B3、COT2层B4中，所以有时晶圆W也被从一个COT层的输出组件以连续的顺序交付，利用设在COT1层B3以及COT2层B4的输出组件的下游侧的缓冲组件BU32、42，在晶圆W被输送到曝光装置S4中之前使晶圆W暂时排列，因此，能够按照晶圆W从承载件20被交付的顺序将晶圆W输送到曝光装置S4中。
因而，分别在COT1层B3、COT2层B4中，晶圆按照被交付到输入组件(交接组件SCPW31、32、41、42)中的顺序输送，并且保持该状态被输送到输出组件(交接组件TRS31、32、41、42)中，因此，在COT1层B3、COT2层B4内，不会存在调换晶圆的输送顺序这种情况，能够抑制输送控制的复杂化。
接下来，对其他的单区中的输送例进行说明。图15是这样的情况的输送例：在BCT1层B1、BCT2层B2之中的任意一个多组件中的至少一个组件成为不可使用组件、并且至少另一个组件处于能够使用的状态时，在将晶圆W输送到COT1层B3、COT2层B4中之前，暂时使晶圆W排成从承载件20中被交付的顺序。
在此情况下，利用构成第1交接部件的交接臂C将晶圆W交付到在BCT1层B1、BCT2层B2中最先成为能够载置的状态的输入组件(交接组件SCPW11、12、21、22)中。然后，分别在BCT1层B1、BCT2层B2中，按照晶圆W被交付到输入组件(交接组件SCPW11、12、21、22)中的顺序利用输送臂A1、A2将晶圆W依次输送到组件组中而交接到输出组件(交接组件TRS11、12、21、22)中。
接下来，按照晶圆W被交付到输入组件(交接组件SCPW11、12、21、22)中的顺序利用构成第2交接部件的交接臂D将晶圆W从输出组件(交接组件TRS11、12、21、22)中取出，输送到作为后续组件的COT1层B3、COT2层B4的交接组件SCPW31、32、41、42或者作为基板载置部的缓冲组件BU1、BU2中。
接下来，按照通常时晶圆W被交接臂C交付到BCT1层B1、BCT2层B2的交接组件SCPW11、12、21、22中的恒定的顺序利用交接臂D将晶圆W从输出组件(交接组件TRS11、12、21、22)或者缓冲组件BU1、BU2输送到COT1层B3、COT2层B4的交接组件SCPW31、32、41、42中。
即、将批次的第(4n-3)号晶圆W(4n-3)输送到COT1层B3的交接组件SCPW31中、将批次的第(4n-1)号晶圆W(4n-1)输送到COT1层B3的输入组件SCPW32中、将批次的第(4n-2)号晶圆W(4n-2)输送到COT2层B4的输入组件SCPW41中、将批次的第4n号晶圆W4n输送到COT1层B4的输入组件SCPW42中。
另外，在BCT1层B1、BCT2层B2中的任一个多组件中的至少一个组件成为不可使用组件、并且至少另一个组件处于能够使用的状态时，也可以这样输送晶圆W：将晶圆W从BCT1层B1、BCT2层B2的交接组件TRS11、12、21、22按照晶圆W被交付到BCT1层B1、BCT2层B2的输入组件(交接组件SCPW11、12、21、22)中的顺序利用交接臂D保持该状态输送到COT1层B3、COT2层B4的交接组件SCPW31、32、41、42中。然后，在将晶圆W从COT1层B3、COT2层B4的输出组件(交接组件TRS31、32、41、42)输送到曝光装置S4中时，利用缓冲组件BU32、BU42，利用转接臂E按照从承载件20被交付的顺序输送晶圆W。
另外，图16是这样的情况的输送例：将在DEV1层B5、DEV2层B6中被显影处理了的晶圆W暂时输送到检查组件10中，在此进行规定的检查之后，将晶圆W送回到承载件20内，在此情况下，DEV1层B5、DEV2层B6之中的任意一个多组件中的至少一个组件成为不可使用组件、并且至少另一个组件处于能够使用的状态时，在将晶圆W输送到检查组件10中之前，暂时使晶圆W排成晶圆W从承载件20中被交付的顺序。
在此情况下，利用构成第1交接部件的转接臂E将晶圆W交付到在DEV1层B5、DEV2层B6中最先成为能够载置的状态的输入组件(交接组件SCPW51、52、61、62)中。然后，分别在DEV1层B5、DEV2层B6中，按照晶圆W被交付到输入组件(交接组件SCPW51、52、61、62)中的顺序利用输送臂A5、A6将晶圆W依次输送到组件组中而交接到输出组件(交接组件TRS51、52、61、62)中。
接下来，按照晶圆W被交付到输入组件(交接组件SCPW51、52、61、62)中的顺序利用构成第2交接部件的交接臂D将晶圆W从输出组件(交接组件TRS51、52、61、62)中取出，输送到作为后续组件的检查组件10或者作为基板载置部的缓冲组件BU51、BU61中。
这样，按照通常时晶圆W被转接臂E交付到DEV1层B5、DEV2层B6的输入组件(交接组件SCPW51、52、61、62)中的恒定的顺序利用交接臂D从输出组件(交接组件TRS51、52、61、62)或者缓冲组件BU51、BU61将晶圆W输送到检查组件10中。在检查组件10中，进行例如显影缺陷等的检查。
接下来，在检查组件10中进行了规定的检查的晶圆W被交接臂D按照从承载件20被交付的顺序输送到交接组件TRS-A中。然后，被交接臂C按照从承载件20被交付的顺序送回到承载件20内。
接下来，说明本发明的其他的实施方式。在本实施方式中，在产生了不可使用组件时，操作者能够选择输送模式。如图17所示，该实施方式的控制部3具有模式选择部4，在该模式选择部4中，能够从例如计算机的显示画面中选择通常模式、多层输送模式、层除外模式、他层输送模式、调整模式。上述通常模式是在上述的实施方式中的如用图5说明的那样通常时的输送模式，多层输送模式是在上述的实施方式中的用图10、图15、图16说明的产生了不可使用组件时的输送模式。
上述多层输送模式、层除外模式、他层输送模式、调整模式都是在产生了不可使用组件时所选择的输送模式，根据不可使用组件的状况，选择其中的一个输送模式。
首先，利用图18说明层除外模式。在一个单区中的被设定在多组件中的所有的组件成为不可使用组件时(步骤S31)选择该层除外模式。在此情况下，以禁止晶圆的向该一个单区的输入组件的输送、并且向被指定的其他的单区的输入组件中输送晶圆的方式输出指令(步骤S32)。
以例如COT1层B3的所有的加热组件CPHP31～34成为不可使用组件的情况为例具体地说明，以向被指定的COT2层B4的输入组件(交接组件SCPW41、42)输入晶圆的方式将指令输出到交接臂D。
接下来，在被指定的其他的单区(COT2层B4)中，将晶圆按照被交付到输入组件(交接组件SCPW41、42)中的顺序依次输送到组件组中并交接到输出组件(交接组件TRS41、42)中(步骤S33)。
另一方面，在该单区(COT1层B3)中，以下述的方式进行输送。首先，将在不可使用组件的下游侧的组件内的晶圆依次输送到组件组中并交接到输出组件(交接组件TRS31、32)中，并继续进行处理(步骤S34)。即、利用转接臂E将晶圆W输送到曝光装置S4中。
然后，将在不可使用组件的上游侧的组件内的晶圆跳过不可使用组件而依次输送到剩余的组件组中，作为Abort晶圆交接到输出组件(交接组件TRS31、32)中，并进行回收(步骤S35)。Abort晶圆是指处理在途中被中止的晶圆。另外，也可以沿着图3所示的架单元U1的交接组件TRS33→交接臂D→交接组件TRS-A的路径输送，并利用承载区S1的交接臂C回收到承载件内。即、Abort晶圆既可以从COT1层B3经由转接区S3、DEV1层B5、DEV2层B6进行回收，也可以从COT1层B3直接回收到承载区S1中。
在本例中，因不可使用组件为加热组件CPHP31～CPHP34，所以不将晶圆输送到加热组件CPHP31～CPHP34中，而输送到接着液处理组件的输出组件TRS31、32中。此后，对不可使用组件内的晶圆进行回收(步骤S36)。
接下来，利用图19说明他层输送模式。也在一个单区中的被设定在多组件中的所有的组件成为不可使用组件时(步骤S41)选择该他层输送模式。然后，以利用交接臂D将产生了不可使用组件的单区(COT1层B3)的输入组件(交接组件SCPW31、32)中的晶圆W输送到作为被指定的其他的单区的COT2层B4的输入组件(交接组件SCPW41、42)中的方式输出指令(步骤S43)。除此之外的工序(步骤S42、S44～S47)与上述的层除外模式的工序(步骤S32～S36)同样实施。
下面，利用图20说明调整模式。在例如液处理组件中的药液的流量不同时等故障通过操作者的调整而被解除时选择该调整模式。在此情况下，例如在一个单区(COT1层B3)中，被设定在多组件中的一个组件、例如液处理组件COT成为不可使用组件时(步骤S51)，暂时停止晶圆的向该COT1层B3的输入组件(交接组件SCPW31、32)的输送以及晶圆的向作为其他的单区的COT2层B4的输入组件(交接组件SCPW41、42)的输送(步骤S52)。
然后，将COT2层B4内的晶圆依次输送到组件组中并交接到输出组件(交接组件TRS41、42)中，并向曝光装置S4输送而继续进行处理(步骤S53)。另一方面，在COT1层B3中，将不可使用组件的下游侧的组件内的晶圆依次输送到组件组中并交接到输出组件(交接组件TRS31、32)中，并向曝光装置S4输送而继续进行处理(步骤S54)。
另外，由操作者对COT1层B3的不可使用组件实施调整作业，调整作业结束之后将设定在例如计算机的显示画面上的重新开始按钮设成ON状态(步骤S55)。上述调整作业是在例如抗蚀剂液的流量产生异常时用于将流量调整成被设定的流量的作业等。
这样，重新开始晶圆的向COT1层B3以及COT2层B4的输入组件(交接组件SCPW31、32、41、42)的输入(步骤S56)。然后，在该COT1层B3中，将不可使用组件内的晶圆以及不可使用组件的上游侧的晶圆按照被输入到输入组件(交接组件SCPW31、32)中的顺序依次输送到组件组中并交接到输出组件(交接组件TRS31、32)中，并继续进行处理(步骤S57)。在COT2层B4中，按照被输入到输入组件(交接组件SCPW41、42)中的顺序依次输送到组件组中而交接到输出组件(交接组件TRS41、42)中，并继续进行处理。
在这样的实施方式中，因为由操作者选择输送模式，所以能够根据不可使用组件的产生状况以适当的输送模式输送晶圆W。此时，在不可使用组件的故障较轻微的情况下，或者通过选择调整模式使不可使用组件恢复到能够使用的状态、或者通过选择他层输送模式在其他的单区中进行通常的处理，由此，能够使要回收的晶圆W限于最小限度，从而能够抑制生产率的降低，并且能够实现晶圆的回收所需要的时间的减少。
在本发明中，也可以使用共用的交接部件作为如上所述那样的第1交接部件和第2交接部件。另外，也可以按照基板被交付到输入组件中的顺序利用输送部件将基板从输出组件中取出而输送到基板载置部，并且利用第2交接部件按照通常时基板被第1交接部件交付的恒定的顺序将基板从上述基板载置部输送到后续组件中。
另外，也可以将组件组的下游端的组件设为基板载置部以代替输出组件、并利用输送部件将基板依次输送到组件组中并交接到基板载置部以代替利用输送部件将基板依次输送到组件组中并交接到输出组件中，利用第2交接部件按照基板被交付到输入组件中的顺序将基板从基板载置部取出，将被第2交接部件从基板载置部取出的基板输送到后续组件中，这样，按照通常时基板被第1交接部件交付的恒定的顺序将基板从基板载置部输送到后续组件中。
另外，本发明不仅能够应用于图1～图3的结构的抗蚀剂图案形成装置，还能够应用于在转接区中设置有基板载置部的结构、使用共用的交接部件作为第1交接部件和第2交接部件的情况。图21～图24所示的抗蚀剂图案形成装置是将基板载置部设在转接区中的结构。
简单地说明该装置，处理区S12通过将6个单区B11～B16层叠而构成，单区B11以及单区B12用于进行反射防止膜以及抗蚀剂膜的形成、单区B13以及单区B14用于进行浸液曝光用的保护膜的形成以及晶圆的背面侧清洗、单区B15以及单区B16用于进行浸液曝光后的显影处理。上述单区B11以及单区B12、单区B13以及单区B14、单区B15以及单区B16分别同样地构成，以分别对晶圆进行相同的处理。
说明在该装置中的通常时的晶圆W的流程。利用承载区S11的交接臂C1从承载件20中将例如5张晶圆W一次性地交接到设在处理区S12的架单元U11中的交接组件BU10中。然后，晶圆被从交接组件BU10交替交付到单区B11和单区B12中，或者按照单区B11→单区B13→单区B15的顺序被输送、或者按照单区B12→单区B14→单区B16的顺序被输送。例如批次的奇数号的晶圆W(2n-1)被交付到单区B11中，偶数号的晶圆W2n被交付到单区B12中。
被输送到单区B11中时，晶圆被交接臂D1从架单元U11的交接组件BU10中按照疏水化处理组件ADH11→交接组件SCPW111→反射防止膜形成组件BCT→架单元U12的加热组件→架单元U11的交接组件SCPW112→抗蚀剂膜形成组件COT→架单元U12的加热组件→架单元U11的交接组件SCPW113的顺序输送，依次形成反射防止膜、抗蚀剂膜。
然后，晶圆被交接臂D1输送到架单元U11的交接组件SCPW131中，按照保护膜形成组件→架单元U12的加热组件→架单元U11的交接组件SCPW132→背面清洗组件→架单元U14的缓冲组件BUF的顺序被输送，形成保护膜，并进行背面清洗。
上述架单元U14设在转接区S13中，以层叠多层组件的方式构成。例如单区B13～B16的输送臂A13～A16和转接臂E1、E2能够进入该架单元U14的各组件。上述缓冲组件BUF构成为将多张晶圆W多层地载置，在本例中，上述缓冲组件BUF设在架单元U14中的输送臂A13～A16和转接臂E1、E2分别能够进入的区域中。
回到晶圆的输送的说明，缓冲组件BUF中的晶圆W按照转接臂E2→架单元U14的交接组件SCPW71～SCPW73→转接臂E3→曝光装置S14的顺序输送，并且接受浸液曝光处理。曝光处理之后，晶圆W按照转接臂E3→交接组件TRS7→转接臂E2→缓冲组件BUF→转接臂E1→曝光后清洗组件PIR1～PIR4→转接臂E1→缓冲组件BUF中的单区B15的高度位置的顺序输送。
接下来，上述晶圆W被输送臂A15按照架单元U12的加热组件→架单元U11的交接组件SCPW151→显影组件DEV→架单元U12的加热组件→架单元U11的交接组件SCPW152→交接臂D1→缓冲组件BU15→检查组件10的顺序输送，进行规定的检查。检查之后的晶圆W被按照检查组件10→交接臂D1→交接组件SCPW10的顺序输送，被交接臂C1送回到承载件20中。对于被设定成不在检查组件10中进行检查的晶圆W，在显影组件DEV→加热组件中依次处理之后，按照交接组件SCPW152→交接臂D1→架单元U11的交接组件SCPW10→交接臂C1→承载件20的顺序输送。
接下来，说明在例如单区B11、B12中产生了不可使用组件时以上述多层输送模式进行输送的情况。在此情况下，输入组件为疏水化处理组件ADH11、ADH21，晶圆W被交接臂D1(第1交接部件)输送到最先成为能够载置的状态的疏水化处理组件ADH11、21中的任意一个中，在各单区B11、B12中，晶圆W按照被输入到输入组件(疏水化处理组件ADH11、21)中的顺序输送到组件组中，被输送到作为输出组件的交接组件SCPW113、123中。
然后，或者利用交接臂D1(第2交接部件)将晶圆W输送到构成基板载置部的交接组件BU110、120中，或者直接输送到单区B13的交接组件SCPW131、单区B14的交接组件SCPW141中。上述交接组件SCPW131、SCPW141相当于后续组件。这样，晶圆W被交接臂D1按照从承载件20被交付的顺序交替输送到交接组件SCPW131、141中。即、批次的奇数号的晶圆W(2n-1)被交付到单区B13中、批次的偶数号的晶圆W2n被交付到单区B14中。在此情况下，第1交接部件以及第2交接部件都是交接臂D1。
接下来，说明在例如单区B13、B14中产生了不可使用组件时以上述多层输送模式进行输送的情况。在此情况下，输入组件为交接组件SCPW131、SCPW141，晶圆W被交接臂D1(第1交接部件)输送到最先成为能够载置的状态的交接组件SCPW131、141中，在各单区B13、B14中，晶圆W按照被输入到输入组件(交接组件SCPW131、141)中的顺序输送到组件组中，被输送到作为输出组件的缓冲组件BUF中。本例是将输出组件设为基板载置部的例子。
然后，晶圆被转接臂E2(第2交接部件)按照从承载件20被交付的顺序交付到构成后续组件的交接组件SCPW71～SCPW73中，被转接臂E3按照从承载件20被交付的顺序输送到曝光装置S14中。
另外，说明在例如单区B15、B16中产生了不可使用组件时以上述多层输送模式进行输送的情况。在此情况下，第1交接部件为转接臂E1，输入组件为缓冲组件BUF。另外，晶圆W被输送到缓冲组件BUF中的单区B15的高度位置或者单区B16的高度位置中的任意一个处的最先成为能够载置的状态的区域中，在各单区B15、B16中，晶圆W按照被输入到输入组件(缓冲组件BUF的与单区B15、B16相对应的区域)中的顺序输送到组件组中，输送到作为输出组件的交接组件SCPW152、162中。
然后，在向检查组件10输送的情况下，晶圆被交接臂D1(第2交接部件)按照从承载件20被交付的顺序输送到构成后续组件的缓冲组件BU15、BU16中，接下来，被交接臂D1按照从承载件20被交付的顺序输送到检查组件10中。
本发明不仅能够应用于如上述那样的半导体晶圆，还能够应用于对液晶显示器用的玻璃基板(LCD基板)这样的基板进行处理的涂覆-显影装置。
接下来，详细说明在上述的图1～图3中已述的涂覆-显影装置中的Abort晶圆的输送例，在此，例如，如图25所示，在架单元U1的单区B1、B2、B3、B4的各高度处分别设置Abort晶圆的输入用的缓冲组件BU71、BU72、BU73、BU74。
在此，详细说明液处理组件BCT、COT的结构。液处理组件(抗蚀剂膜形成组件)COT如上述那样具有基板保持部，该基板保持部吸附保持晶圆W的背面中央部，并且绕晶圆W的中心轴线旋转。另外，在抗蚀剂膜形成组件COT中设有用于将抗蚀剂喷射于晶圆W的抗蚀剂喷射喷嘴(涂覆膜形成机构)、喷射稀薄剂的稀薄剂喷射喷嘴(涂覆膜除去机构)。在形成抗蚀剂膜时，一边使上述基板保持部旋转一边将上述稀薄剂喷射于晶圆W的中央部而进行旋涂，使晶圆W表面的润湿性提高之后，将抗蚀剂喷射于晶圆W的中央部，通过旋涂形成抗蚀剂膜。
另外，在该抗蚀剂膜形成组件COT中，在上述抗蚀剂膜形成之后，一边使上述基板保持部旋转，一边将上述稀薄剂喷射于晶圆W中央部，在离心力的作用下扩展到整个晶圆W，由此，能够从晶圆W除去该抗蚀剂膜。另外，抗蚀剂膜形成组件COT具有对抗蚀剂喷射时与喷嘴连接的配管内的压力、抗蚀剂的喷射量、自喷嘴顶端滴下的液滴的有无等进行检测的功能，检测到上述构件产生异常时将警报信号输出到控制部3。
液处理组件(反射防止膜形成组件)BCT除了设置用于喷射反射防止膜形成用的药液的喷嘴以代替抗蚀剂喷射喷嘴之外与抗蚀剂膜形成组件COT同样地构成，能够利用上述药液形成反射防止膜以及利用稀薄剂除去反射防止膜。
另外，进一步说明控制部3的结构。如图26所示，控制部3具有存储部37。该存储部37是将用于对各批次的晶圆分别进行指定的ID(在图26中每批次以W1～W25的序号表示)与是否是Abort晶圆相对应地存储的区域，另外，对于被存储成Abort晶圆的晶圆W，存储该晶圆W是在哪个组件中成为Abort晶圆的。根据存储于该存储部37的数据，各输送部件的动作被输送控制部34以Abort晶圆被如下述那样在组件之间输送的方式控制。
接下来，说明反射防止膜形成组件BCT或者抗蚀剂膜形成组件COT成为不可使用、并从通常输送模式切换到上述的多层输送模式时的Abort晶圆的输送。对于层除外模式的Abort晶圆的输送，除了上述的例子之外，也可以如下面所示那样进行输送。在此，假设在不可使用的组件中上述稀薄剂的供给喷嘴以及基板保持部能够动作。
(情况A：在反射防止膜形成组件BCT中产生了Abort晶圆时)
在此，以不可使用组件为BCT1层B1的反射防止膜形成组件BCT的情况进行说明。根据自组件发送的警报信号成为不可使用组件的反射防止膜形成组件BCT被存储于存储部37、并且基于执行中的输送时间表正在该不可使用组件中处理的晶圆W作为Abort晶圆被存储于存储部37。并且，如在图15中已述那样，该Abort晶圆以外的晶圆在BCT1层B1的能够使用的反射防止膜组件BCT中被处理并被向下游侧输送。
在成为不可使用组件的BCT中，Abort晶圆利用基板保持部旋转并且稀薄剂被供给于该Abort晶圆，反射防止膜被从Abort晶圆表面除去。然后，上述Abort晶圆被输送臂A1输送到缓冲组件BU71中而在该组件中待机。
然后，在该Abort晶圆所属的批次之中，被输入到BCT1层B1中的最后的晶圆被输入到交接组件SCPW11、12中之后，Abort晶圆接着该最后的晶圆W被交接臂D输送到交接组件SCPW11、12中而被调温。然后，Abort晶圆被输送臂A1输送到BCT1层B1的能够使用的反射防止膜形成组件BCT中，在该处进行反射防止膜形成处理。另外，进行该Abort晶圆的向交接组件SCPW11、12的输入时，后续的批次的晶圆W不被向该交接组件SCPW11、12输入。形成了反射防止膜的Abort晶圆与通常的晶圆W同样依次在组件中被输送，并依次进行抗蚀剂膜的形成、曝光、显影处理，被送回到该晶圆被交付的承载件20中。
在不可使用组件为BCT2层B2的反射防止膜形成组件BCT的情况下，除了使晶圆W待机的组件为BU72、Abort晶圆从BU72经由交接组件SCPW21、22被输送到BCT2层B2的能够使用的反射防止膜形成组件中而接受处理之外，也与BCT1层B1的反射防止膜形成组件BCT为不可使用时同样地进行输送。
(情况B：在抗蚀剂膜形成组件COT中产生了Abort晶圆时)
与在反射防止膜形成组件中产生了Abort晶圆时大致同样，以区别点为中心进行说明。在此，假设不可使用组件为COT1层B3的抗蚀剂膜形成组件COT。根据来自组件的信号和执行中的输送时间表，正在不可使用的组件中处理的晶圆W作为Abort晶圆被存储于存储部37。并且，除了该Abort晶圆之外的晶圆W被COT1层B3的能够使用的抗蚀剂膜形成组件COT处理而被向下游侧输送。
在成为不可使用组件的COT中，如上述那样进行抗蚀剂膜的除去。此时，因为抗蚀剂膜的下层的反射防止膜在加热组件中被加热处理，所以对稀薄剂的溶解性降低，因此，不会被除去而残留于晶圆W。然后，Abort晶圆被输送臂A3输送到缓冲组件BU73中待机。在该Abort晶圆所属的批次之中，被输入到COT1层B3中的最后的晶圆被输入到交接组件SCPW31、32之后，在下一个批次被向该组件SCPW31、32输入之前，Abort晶圆被输送到交接组件SCPW31、32中。然后，被输送臂A3输送到COT1层B3的能够使用的抗蚀剂膜形成组件COT中而接受抗蚀剂膜的形成处理。然后，Abort晶圆与通常的晶圆W同样依次在组件中被输送，接受曝光、显影处理，被送回到该晶圆被交付的承载件20中。不可使用组件为COT2层B4的抗蚀剂膜形成组件COT时，除了使晶圆W在缓冲组件BU74中待机以及向在COT2层B4中能够使用的抗蚀剂膜形成组件COT输送而进行处理之外，也进行同样的输送。
通过这样在成为不可使用的组件中进行反射防止膜、抗蚀剂膜的除去，不需要将Abort晶圆输送到用于进行上述膜的除去处理的装置中，因此，能够消除该输送所需要的劳力和时间，从而能够抑制生产率的降低。另外，也能够省去在膜除去处理之后为了再次形成反射防止膜以及抗蚀剂膜而从用于进行该除去处理的装置输送到涂覆-显影装置的劳力和时间，因此，能够进一步实现生产率的提高。
在除去膜之后，作为Abort晶圆的待机部位不限于架单元U1的组件。例如既可以在不可使用组件内使Abort晶圆待机，也可以在进行膜的除去处理之后，经由设在架单元U1的各层中的缓冲组件BU或者交接组件TRS以及交接臂C暂时将Abort晶圆送回到承载件20中，并使Abort晶圆在该承载件20中待机。并且，在将下一个批次从承载件20交付之前将该Abort晶圆从承载件20交付而进行上述膜的形成处理。
在这样从承载件20将晶圆W交付的情况下，对于在反射防止膜形成组件BCT中成为了Abort晶圆的晶圆，经由交接臂C以及交接组件SCPW11～22之中的任意一个输送到BCT层B1或者BCT层B2的能够使用的反射防止膜形成组件中。对于在抗蚀剂膜形成组件COT成为了Abort晶圆的晶圆，利用交接臂C以及经由交接组件SCPW31～42之中的任意一个输送到COT层B3或者COT层B4的能够使用的抗蚀剂膜形成组件COT中。
另外，在上述的例子中，在产生了不可使用组件的层的能够使用的组件中进行膜的形成，但也可以使用输送臂A和交接组件D向其他的层输送Abort晶圆，并且使用该其他的层的能够使用的组件进行膜的再形成。
具体而言，例如在上述的情况A中，能够利用交接臂D将在BCT1层B1中产生的Abort晶圆从缓冲组件BU71输送到交接组件SCPW21、22中，利用输送臂A2输送到反射防止膜形成组件BCT中。另外，能够利用交接臂D将在BCT2层B2中产生的Abort晶圆从缓冲组件BU72输送到交接组件SCPW11、12中，利用输送臂A1输送到反射防止膜形成组件BCT中。在情况B中，也能够利用输送臂A3、A4将Abort晶圆输送到产生了该Abort晶圆的层的缓冲组件BU73、74中，并且利用交接臂D输送到其他的层的交接组件SCPW中，利用上述层的输送臂输送到抗蚀剂膜形成组件COT中。另外，也可以利用输送臂A将Abort晶圆从不可使用组件输送到产生了该Abort晶圆的层的交接组件SCPW中，并且利用上述输送臂A输送到在上述层中能够使用的液处理组件中。即、直到将膜再形成于Abort晶圆，也可以不利用交接臂D而只利用输送臂A输送该Abort晶圆。
另外，在上述的例子中，进行Abort晶圆的膜除去处理之后再次形成膜，但也可以不进行这样的膜的再形成就送回到承载件20中。在此情况下，也不需要将Abort晶圆输送到用于进行上述膜的除去处理的装置中，因此，消除该输送所需要的劳力和时间而具有抑制生产率的降低的效果。
说明了执行多层输送模式时的Abort晶圆的输送例，但对于在执行层除外模式、他层输送模式或者调整模式时产生的Abort晶圆，也可以进行上述的膜的除去处理、接着该膜的除去处理进行的膜的再形成。进行膜的除去处理时，既可以如上述那样在除去膜之后送回到承载件20中，也可以保持使Abort晶圆滞留在不可使用组件中的状态而由用户进行回收。
另外，说明了在各层中设置一个种类的液处理组件的涂覆-显影装置的Abort晶圆的输送，但也能够将该Abort晶圆的输送应用于在图22～图24中说明的在一个层中设置多个种类的液处理组件的涂覆-显影装置。另外，在图22～图24的涂覆-显影装置中设有用于针对浸液曝光所使用的液体、例如纯水形成防水性的保护膜的保护膜形成组件TCT。对于该保护膜形成组件TCT，也与抗蚀剂膜形成组件COT同样构成为除了具有基板保持部以及喷射保护膜形成用的药液的喷嘴之外还包括稀薄剂喷射喷嘴。
另外，保护膜形成用组件TCT成为不可使用组件时，利用稀薄剂对Abort晶圆进行旋涂，除去保护膜。此时，抗蚀剂膜也与保护膜一起被除去。因而，继续对该Abort晶圆进行涂覆、显影处理时，与上述的图25的涂覆-显影装置同样在例如架单元U11中设置Abort晶圆存储用的缓冲组件而使Abort晶圆在该缓冲组件中待机之后，经由交接组件SCPW输送到单区B11或者B12的能够使用的抗蚀剂膜形成组件COT中。然后，输送到能够使用的保护膜形成组件TCT中，能够接着进行曝光、显影处理。
在图1～图3所示的涂覆-显影装置中，也能够通过在各层B1～B6中层叠具有保护膜形成用组件的层而设置保护膜形成用组件。该保护膜形成用组件成为不可使用时，能够与上述的例子同样进行保护膜以及抗蚀剂膜的除去，依次输送到用于形成抗蚀剂膜的层、用于形成保护膜的层中而继续进行涂覆、显影处理。
另外，在上述的例子中，作为基板处理装置，列举出了作为用于进行抗蚀剂涂覆和显影处理的涂覆-显影装置的例子，但不限于此，例如，也可以构成为用于在上述的结构的液处理组件中涂覆除了抗蚀剂之外的膜的涂覆装置。具体而言，例如，在上述的涂覆-显影装置中，也可以没有进行显影的单区，而具有用于形成由SiO2构成的SOG(Spin On Grass)膜、在该SOG膜的下层由例如有机物构成的下层膜的组件以代替抗蚀剂膜形成组件以及反射防止膜形成组件。在搭载有用于形成这样的膜的组件的涂覆装置中，也可以如在上述的各实施方式中所示那样控制晶圆W的输送，另外，对于Abort晶圆，能够除去膜而保持该状态回收到承载件20中，或者能够再次形成膜。因为SOG膜在干燥后不能除去，所以在停止用于供给药液的动作之后，例如，在为了将多余的药液甩出并进行干燥而使基板的旋转速度比药液供给时上升之前，供给稀薄剂，从而除去SOG膜。上述下层膜与反射防止膜同样由于在形成之后被加热处理而在SOG膜除去时不会被该稀薄剂除去。另外，该下层膜也与反射防止膜、抗蚀剂膜同样能够在该下层膜的形成组件中利用稀薄剂除去。

Claims (12)

1.一种基板处理装置，其设置有多层单区，在该单区中，利用输送部件将被置于输入组件中的基板一张一张地输送到用于载置各基板且输送的顺序被确定的组件组中并交接到上述组件组的下游端的输出组件中，并且对基板进行相同的处理，其特征在于，
该基板处理装置包括：
多组件，其由多个组件构成，该多个组件包含于上述组件组，该多个组件的输送的顺序相同，并且用于对基板进行相同的处理；
后续组件，其设在上述组件组的下游侧；
基板载置部，其设在上述组件组的下游侧，用于载置多张基板；
第1交接部件，其用于向上述多个单区各自的输入组件进行基板的交付；
第2交接部件，其用于从上述多个单区各自的输出组件中取出基板，并输送到上述后续组件以及上述基板载置部；
控制部，其用于对上述输送部件、第1交接部件、第2交接部件进行控制，
上述控制部构成为通常时进行下述(1)的动作，上述单区所包含的多组件之中的至少一个组件成为不能使用的不可使用组件、并且至少另一个组件处于能够使用的状态时，进行下述(2)的动作，
(1) 基板被第1交接部件以恒定的顺序交付到上述多个单区各自的输入组件中；
(2) (2-a)产生了不可使用组件之后，利用第1交接部件将基板交付到在多个单区之中最先成为能够载置的状态的输入组件中；
(2-b)在上述多个单区的每一个中，按照基板被交付到输入组件中的顺序，利用输送部件将基板依次输送到组件组中，并交接到输出组件中；
(2-c)按照基板被交付到输入组件中的顺序，利用第2交接部件将基板从输出组件中取出；
(2-d)将从上述输出组件中取出的基板或者利用第2交接部件直接输送到后续组件中、或者暂时输送到基板载置部之后输送到后续组件中，这样，按照通常时基板被第1交接部件交付到输入组件中的恒定的顺序，利用第2交接部件将基板输送到后续组件中。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在上述单区中，利用输送部件将基板从一个组件中取出，将下一个组件中的基板接收之后将前一个基板交接到该下一个组件中，这样，通过将被置于各组件中的基板移动到顺序靠后一位的组件中而执行一个输送循环，执行该一个输送循环之后，过渡到下一个输送循环，通过依次执行各输送循环，基板被从上述组件组中的顺序靠前的组件中依次输送到顺序靠后的组件中而进行规定的处理；
上述控制部包括：
存储部，其用于存储输送时间表，该输送时间表是通过对基板分配顺序、并且使基板的顺序与各组件相对应地将指定了输送循环的输送循环数据排列成时间序列而做成的；
输送控制部，其参照上述输送时间表并以将被写入输送循环数据的基板输送到与该基板相对应的组件中的方式控制上述输送部件，由此执行输送循环；
上述控制部构成为在上述单区所包含的多组件之中的至少一个组件成为不能使用的不可使用组件、并且至少另一个组件处于能够使用的状态时，进行下述(3)的动作，
(3) (3-a)在产生了不可使用组件的单区中，以不将基板输送到该不可使用组件中的方式对上述输送时间表进行改写；
(3-b)在上述多个单区中，被输入到输入组件中的基板与在当时正在使用的输送时间表中的在该输送循环中被置于输入组件中的基板不同时，以使上述被输入到输入组件中的基板与在该输送循环中被置于输入组件中的基板相同的方式对上述输送时间表进行改写。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置是涂覆-显影装置，该涂覆-显影装置包括用于在曝光之前将涂覆膜形成于基板的组件组、用于进行在曝光之后对基板实施的处理、即包含显影的处理的组件组，该涂覆-显影装置用于对基板涂覆抗蚀剂、并且对曝光后的基板进行显影，其中，用于形成上述涂覆膜的组件组以及用于进行包含显影的处理的组件组分别具有专用的输送路径，用于利用专用的输送部件在组件组之间进行基板的输送，
用于载置各基板且输送的顺序被确定的组件组是用于在曝光之前将涂覆膜形成于基板的组件组。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置是涂覆-显影装置，该涂覆-显影装置包括用于在曝光之前将涂覆膜形成于基板的组件组、用于进行在曝光之后对基板实施的处理、即包含显影的处理的组件组，该涂覆-显影装置用于对基板涂覆抗蚀剂、并且对曝光后的基板进行显影，其中，用于形成上述涂覆膜的组件组以及用于进行包含显影的处理的组件组分别具有专用的输送路径，用于利用专用的输送部件在组件组之间进行基板的输送，
用于载置各基板且输送的顺序被确定的组件组是用于进行在曝光之后对基板实施的处理、即包含显影的处理的组件组。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
在权利要求1的(2-c)中，按照基板被交付到输入组件中的顺序利用输送部件将基板从输出组件中取出而输送到基板载置部以代替按照基板被交付到输入组件中的顺序利用第2交接部件将基板从输出组件中取出。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括这样的动作：
在权利要求1的(2-b)中，利用输送部件将基板依次输送到组件组中并交接到基板载置部以代替利用输送部件将基板依次输送到组件组中并交接到输出组件中；
在权利要求1的(2-c)中，按照基板被交付到输入组件中的顺序利用第2交接部件从基板载置部取出基板以代替利用第2交接部件从输出组件中取出基板；
在权利要求1的(2-d)中，利用第2交接部件将基板从基板载置部输送到后续组件中以代替利用第2交接部件将基板从输出组件或者基板载置部输送到后续组件中。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述多组件是用于将涂覆膜形成于基板的涂覆膜形成组件；
该涂覆膜形成组件包括：
为了形成上述涂覆膜而将药液涂覆于基板的涂覆膜形成机构；
涂覆膜形成组件成为不可使用组件时将被输入到该不可使用组件中的基板的上述涂覆膜除去的涂覆膜除去机构；
被输入到该不可使用组件中的基板不进行上述(2)的动作。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
为了将上述涂覆膜再次形成于被成为不可使用组件的涂覆膜形成组件的上述涂覆膜除去机构除去了涂覆膜的基板，上述输送部件以及第1交接部件以将上述基板输送到包括该涂覆膜形成组件的单区的能够使用的涂覆膜形成组件、或者其他的单区的能够使用的涂覆膜形成组件中的方式进行动作；
第2交接部件将再次形成有上述涂覆膜的基板向后续组件输送。
9.一种基板处理方法，其是基板处理装置的基板处理方法，该基板处理装置设置有多层单区，在该单区中，利用输送部件将被置于输入组件中的基板一张一张地输送到用于载置各基板且输送的顺序被确定的组件组中并交接到上述组件组的下游端的输出组件中，并且对基板进行相同的处理，
该基板处理装置包括：
多组件，其由多个组件构成，该多个组件包含于上述组件组，该多个组件的输送的顺序相同，并且用于对基板进行相同的处理；
后续组件，其设在上述组件组的下游侧；
基板载置部，其设在上述组件组的下游侧，用于载置多张基板；
该基板处理方法的特征在于，
其包括：通常时进行的下述(4)的工序，上述单区所包含的多组件之中的至少一个组件为不能使用的不可使用组件、并且至少另一个组件处于能够使用的状态时进行的下述(5)的工序，
(4)基板被以恒定的顺序交付到上述多个单区各自的输入组件中的工序；
(5) (5-a)产生了不可使用组件之后，将基板交付到在多个单区之中最先成为能够载置的状态的输入组件中的工序；
(5-b)在上述多个单区的每一个中，按照基板被交付到输入组件中的顺序，利用输送部件将基板依次输送到组件组中，并交接到输出组件中的工序；
(5-c)按照基板被交付到输入组件中的顺序将基板从输出组件中取出的工序；
(5-d)或者将基板从上述输出组件中直接输送到后续组件中、或者暂时输送到基板载置部之后输送到后续组件中，这样，按照通常时基板被交付到输入组件中的恒定的顺序将基板输送到后续组件中的工序。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，
为了参照对基板分配顺序并使基板的顺序与各组件相对应地将指定了输送循环的输送循环数据排列成时间序列而做成的输送时间表、将被写入输送循环数据的基板输送到与该基板相对应的组件中，在上述单区中利用输送部件将基板从一个组件中取出，将下一个组件中的基板接收之后，将前一个基板交接到该下一个组件中，这样，通过将被置于各组件中的基板移动到顺序靠后一位的组件中而执行一个输送循环，执行该一个输送循环之后，过渡到下一个输送循环，通过依次执行各输送循环，基板被从上述组件组中的顺序靠前的组件中依次输送到顺序靠后的组件中而进行规定的处理；
该基板处理方法包括在上述单区所包含的多组件之中的至少一个组件成为不能使用的不可使用组件、并且至少另一个组件处于能够使用的状态时进行的下述(6)的工序，
(6) (6-a)在产生了不可使用组件的单区中，以不将基板输送到该不可使用组件中的方式对上述输送时间表进行改写的工序；
(6-b)在上述多个单区中，被输入到输入组件中的基板与在当时正在使用的输送时间表中的在该输送循环中被置于输入组件中的基板不同时，以使上述被输入到输入组件中的基板与在该输送循环中被置于输入组件中的基板相同的方式对上述输送时间表进行改写的工序。
11.根据权利要求9或10所述的基板处理方法，其特征在于，
上述多组件是用于将涂覆膜形成于基板的涂覆膜形成组件；
该基板处理方法包括：
利用被设在该涂覆膜形成组件中的涂覆膜形成机构将药液涂覆于基板而形成涂覆膜的工序；
涂覆膜形成组件成为不可使用组件时利用涂覆膜除去机构将被输入到该不可使用组件中的基板的上述涂覆膜除去的工序；
被输入到该不可使用组件中的基板不进行上述(5)的工序。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法包括：
将涂覆膜被成为不可使用组件的涂覆膜形成组件的上述涂覆膜除去机构除去了的基板输送到包括该涂覆膜形成组件的单区的能够使用的涂覆膜形成组件、或者其他的单区的能够使用的涂覆膜形成组件中的工序；
在涂覆膜形成组件中再次将涂覆膜形成于上述基板的工序；
将再次形成有上述涂覆膜的基板向后续组件输送的工序。
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