TWI479587B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI479587B
TWI479587B TW100129359A TW100129359A TWI479587B TW I479587 B TWI479587 B TW I479587B TW 100129359 A TW100129359 A TW 100129359A TW 100129359 A TW100129359 A TW 100129359A TW I479587 B TWI479587 B TW I479587B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
module
substrate
wafer
transfer
transport
Prior art date
Application number
TW100129359A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201230227A (en
Inventor
Akira Miyata
Kenichirou Matsuyama
Kunie Ogata
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201230227A publication Critical patent/TW201230227A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI479587B publication Critical patent/TWI479587B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/12—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain a coating with specific electrical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/6723—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one plating chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法，其於例如半導體晶圓或是LCD基板(液晶顯示器用玻璃基板)等基板的表面供給處理液，並執行例如光阻液之塗佈、或是曝光後之顯像處理等既定的基板處理。
在半導體製造步驟之一的顯影步驟，係於半導體晶圓(以下，稱為晶圓)的表面塗佈光阻，並在以既定的圖案曝光該光阻後，顯像而形成光阻圖案。在用以形成該光阻圖案之塗佈、顯像裝置中，設置有處理區塊，其具有用以對晶圓進行各種處理的處理模組等。
例如於專利文獻1中所記載，處理區塊係藉由將形成光阻膜等之各種塗佈膜的單位區塊、及進行顯像處理之單位區塊，兩者交互地堆積而構成。於這些單位區塊中，內嵌有進行光阻液或顯像液的塗佈處理之複數個液體處理模組，或是進行加熱處理之複數個加熱模組。
於這般光阻圖案形成裝置中，從提升處理量的觀點，在設置複數對晶圓進行相同的處理之單位區塊的同時，往往亦將設置於單位區塊的模組設定為多重模組。該所謂多重模組，即搬運的順序相同並對晶圓進行相同處理之複數的模組。然後，在堆積複數進行相同處理之單位區塊的場合，如同專利文獻2所示，將晶圓依序輸出至各個單位區塊，並於各個單位區塊進行處理後，沿該輸出之順序將晶圓從各個單位區塊搬出。
此時，依照預設之搬運排程搬運晶圓。若將置放晶圓的場所稱為模組，則該搬運排程係為賦予晶圓序號，並以晶圓之順序與模組之序號相對應而指定搬運循環之搬運循環資料，依時間系列排列而作成。
可是，於進行相同處理之複數的單位區塊之一，構成多重模組之其中一個模組可能因為故障或維修等理由而變得無法使用。此時，於產生不能使用之無法使用模組的單位區塊，雖然因模組之可用率降低而使處理量減少，但如上所述，依將晶圓對於複數之單位區塊依序輸出，並依據已完成處理的晶圓從各個單位區塊輸出之順序而將其搬出的構成，於其它的單位區塊也會有處理量減少的問題。
例如於設置有2個單位區塊的場合，從批量中的第1號之晶圓W1依序地對於各自之單位區塊交互地輸出晶圓W。亦即，於一方之單位區塊，以批量中的第1號之晶圓W1、第3號之晶圓W3、第5號之晶圓W5...之順序輸出，而於另一方之單位區塊，以批量中的第2號之晶圓W2、第4號之晶圓W4、第6號之晶圓W6...之順序輸出。
在此，在各自之單位區塊設置有n個液體處理模組的場合，一旦於一方之單位區塊的液體處理模組之一發生故障，該一方之單位區塊的液體處理模組之可用率，會變為(n-1)/n。
然後，於其它的單位區塊，於與該一方之單位區塊間，交互地輸出晶圓W，由於從各自之單位區塊搬出之順序已決定，將晶圓輸出至一方之單位區塊，會發生不得不等待從該一方之單位區塊搬出晶圓的場合。例如於一方之單位區塊，一旦於搬運批量中的第7號之晶圓W7前，在該液體處理模組發生故障，由於該晶圓W7以當初之搬運循環無法搬運至發生故障之液體處理模組，因此以例如下次的搬運循環來搬運至其它的液體處理模組。
從而，對於其它的單位區塊，批量中的第8號之晶圓W8，變成得等待該晶圓W7輸出後才能輸出。因此，於其它的液體處理模組，僅管n個液體處理模組為可以使用的狀態，會產生非可使用之液體處理模組，而使液體處理模組之可用率變為(n-1)/n。
從而，於2個單位區塊包含合計2n的液體處理模組，即使為於其中一個液體處理模組發生故障的場合，也會使整體之液體處理模組的可用率變為(2n-2)/2n，而使裝置全體之處理量下降。此時，若改變晶圓輸出至單位區塊的順序，或是改變晶圓的搬出順序，將會使得搬運控制變得極為困難，並非實際可行。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2007-115831號公報
專利文獻2：日本特開2009-76893號公報(申請專利範圍第8項)
本發明為減少上述情事發生，於無法使用之模組產生時，提供一種可以抑制處理量下降之技術。
本發明之基板處理裝置，其具有複數層單位區塊，該單位區塊係將置放於搬入模組之基板，藉由搬運機構逐片搬運至可載置各個基板並預定好搬運順序之模組群，並傳遞至位於該模組群之下游端的搬出模組的同時，對基板進行相同之處理；該基板處理裝置之特徵為，包含：多重模組，其包含於該模組群，由搬運順序相同並對基板進行相同處理之複數模組所組成；後段模組，其係設置於該模組群的下游側；基板載置部，其係設置於該模組群的下游側，並可載置複數片基板；第1傳遞機構，其將基板輸出至該複數單位區塊之各個搬入模組；第2傳遞機構，其將基板從該複數單位區塊之各個搬出模組取出，並搬運至該後段模組及基板載置部；以及控制部，其用以控制該搬運機構及第1傳遞機構與第2傳遞機構；該控制部係以下述方式構成：於平時執行下列(1)之動作，而於包含於該單位區塊之多重模組中之至少一個成為不能使用的無法使用之模組且至少一個模組為可使用的狀態時，執行下列(2)之動作；
(1)對於該複數單位區塊之各個搬入模組，藉由第1傳遞機構，以一定的順序輸出基板。
(2)　(2-a)在無法使用之模組產生後，藉由第1傳遞機構，將基板輸出至複數單位區塊中最早變為可載置狀態之搬入模組。
(2-b)於該複數單位區塊之各個中，依輸出基板至搬入模組的順序，藉由搬運機構將基板依序搬運至模組群並傳遞至搬出模組。
(2-c)依輸出基板至搬入模組的順序，藉由第2傳遞機構將基板從搬出模組取出。
(2-d)將從該搬出模組取出之基板，藉由第2傳遞機構直接搬運至後段模組，或是先暫時搬運至基板載置部，然後再搬運至後段模組，如此，依平時藉由第1傳遞機構輸出基板至搬入模組之一定順序，而藉由第2傳遞機構搬運基板至後段模組。
又，本發明之基板處理方法，使用基板處理裝置來執行，該基板處理裝置具有複數層單位區塊，該單位區塊係將置放於搬入模組之基板，藉由搬運機構逐片搬運至可載置各個基板並預定好搬運順序之模組群，並傳遞至位於該模組群之下游端的搬出模組的同時，對基板進行相同之處理；該基板處理裝置並具有：多重模組，其包含於該模組群，由搬運順序相同並對基板進行相同處理之複數模組所組成；後段模組，其係設置於該模組群的下游側；以及基板載置部，其係設置於該模組群的下游側，並可載置複數片基板；該基板處理方法，其特徵在於包含以下步驟：於平時執行的下列(4)之步驟；以及於包含於該單位區塊之多重模組中之至少一個成為不能使用的無法使用之模組且至少一個模組為可使用的狀態時執行的下列(5)之步驟；
(4)對於該複數單位區塊之各個搬入模組，以一定的順序輸出基板之步驟。
(5)　(5-a)在無法使用之模組產生後，將基板輸出至複數單位區塊中最早變為可載置狀態的搬入模組之步驟。
(5-b)於該複數單位區塊之各個中，依輸出基板至搬入模組的順序，藉由搬運機構將基板依序搬運至模組群並傳遞至搬出模組之步驟。
(5-c)依輸出基板至搬入模組的順序，將基板從搬出模組取出之步驟。
(5-d)從該搬出模組直接往後段模組搬運基板，或是先暫時搬運至基板載置部，然後再搬運至後段模組，如此，依平時輸出基板至搬入模組之一定順序，搬運基板至後段模組之步驟。
依本發明，對於基板設置複數層進行相同處理之處理區塊，就某處理區塊，當構成多重模組之複數的模組之至少一個成為不能使用的無法使用之模組且至少一個模組為可使用之狀態時，將基板搬運至複數處理區塊之搬入模組內，最早可搬入之搬入模組。因此，可縮短基板等待搬運至搬入模組的時間，而可以抑制處理量的下降。
以下，針對本發明之於塗佈、顯像裝置接續曝光裝置之光阻圖案形成裝置的一例，一邊參照圖面一邊進行簡單的說明。圖1表示該光阻圖案形成裝置之一實施態樣的平面圖，圖2為同圖1之實施態樣的概略立體圖。該裝置具有載具區塊S1、處理區塊S2、介面區塊S3、及曝光裝置S4。在載具區塊S1，傳遞臂C從載置於載置台21上之密閉型的載具20取出晶圓W，在交付鄰接於該載具區塊S1之處理區塊S2的同時，該傳遞臂C接收於處理區塊S2處理之處理完畢的晶圓W而返回該載具20。
該處理區塊S2由複數個(例如6個)單位區塊相互堆積而成，例如，相互堆積著進行塗佈膜之形成處理之複數個形成塗佈膜用的單位區塊與進行顯像處理之複數個(例如2個)顯像處理用的單位區塊(DEV1層B5、DEV2層B6)。於該例中，該形成塗佈膜用之單位區塊具有，例如2個形成反射防止膜用之單位區塊(BCT1層B1、BCT2層B2)，其用以形成形成於光阻膜的下層側之反射防止膜；以及例如2個形成光阻膜用之單位區塊(COT1層B3、COT2層B4)，其用以形成光阻膜。
這些COT1層B3、COT2層B4及DEV1層B5、DEV2層B6的構成幾乎相同，且具有：棚單元U1，其多段地配置傳遞模組或緩衝模組，該傳遞模組係於與其它單位區塊之間，執行晶圓W的傳遞；液體處理模組群L，包含複數個用以塗佈各個藥液之液體處理模組；棚單元U2，其多段地配置了加熱、冷卻用之模組，該加熱、冷卻用之模組係用以執行於該液體處理模組群L進行之處理的前處理及後處理；及搬運臂A3~A6，其成為搬運機構，該搬運機構係於這些棚單元U1、U2之各部與液體處理模組群L之各模組之間，執行晶圓W的傳遞。
例如該COT1層B3、COT2層B4、DEV1層B5、DEV2層B6，以圖1之COT1層B3為例所示般，係各自具有於圖中Y方向上延伸之搬運路徑R。該搬運臂A3~A6，可以於該搬運路徑R上，自由進退、自由昇降、繞鉛直軸自由旋轉，並可以於圖中Y軸方向上自由移動，同時，並具有支撐晶圓W之背面側邊緣區域用之2根叉子，這些叉子可以相互獨立而進退。
液體處理模組群L與棚單元U2，以沿該搬運路徑R相互地對向之方式而配置。又，液體處理模組群L係以複數個例如4個液體處理模組沿搬運路徑R並排之方式排配。作為這些液體處理模組，於COT1層B3、COT2層B4，以及於塗佈光阻液之液體處理模組COT、DEV1層B5、DEV2層B6，各自設置有塗佈顯像液之顯像模組DEV。
如圖1及圖3所示，該棚單元U1，藉由設置於該棚單元U1附近之可自由昇降及自由進退的傳遞臂D，於該棚單元U1之各部分間搬運晶圓W。於該棚單元U1多段地設置有：傳遞模組TRS、兼用為調溫用冷卻模組之傳遞模組SCPW、兼用作為緩衝與傳遞部而可載置複數片晶圓W之緩衝模組BU、檢査模組10等。於該棚單元U2，內嵌加熱晶圓W之加熱模組CPHP等。又，傳遞模組TRS-A為於載具區塊S1之傳遞臂C之間進行晶圓W之傳遞時使用之模組。
進而，在這些COT1層B3、COT2層B4、DEV1層B5、DEV2層B6，於其介面區塊S3側，設置有棚單元U3。於該棚單元U3多段地設置有：傳遞模組TRS，用以於各單位區塊B3~B6與介面區塊S3之間進行晶圓W之傳遞；緩衝模組BU，其兼用為該傳遞部與緩衝；以及傳遞模組SCPW，其具備該調溫機能。例如設置於棚單元U1之緩衝模組BU可載置8片晶圓W，而設置於棚單元U3之緩衝模組BU可載置80片晶圓W，依此方式構成。
該BCT1層B1及BCT2層B2，作為液體處理模組，設置有液體處理模組BCT，其用以塗佈光阻之下層側的形成反射防止膜用之藥液，除了沒有設置棚單元U3以外，其與COT1層B3及COT2層B4具有相同之構成。
在此，就設置於單位區塊之模組群之一例，以COT1層B3為例而說明。於棚單元U1設置有：於搬入晶圓至COT1層B3時使用之複數個傳遞模組SCPW31、32，傳遞模組TRS-A，及緩衝模組BU31。又，作為液體處理模組群L，其具有4個液體處理模組COT11~COT14，並於棚單元U2排列複數個加熱模組CPHP。進而，於棚單元U3設置有複數個傳遞模組TRS31、32，及緩衝模組BU32。
於該例中，該液體處理模組COT11~COT14具有：基板保持部，於其各個內部略呈水平地載置基板；以及杯體部，其包圍該基板保持部的周圍。並決定以「模組」稱呼該基板保持部。設置於COT1層B3之所有的模組，相當於在曝光前於基板形成塗佈膜用之模組群。又，這些模組並非全部使用，而係因應處理處方來選擇使用之模組。
於本發明備有對晶圓W進行相同處理之複數單位區塊，故2個COT1層B3、COT2層B4各自具有彼此相同的模組群，構成這些模組群之模組及搬運臂A3、A4之配置安排相同。又，同樣地，2個BCT1層B1、BCT2層B2，2個DEV1層B5、DEV2層B6亦各自相互地具有相同的模組群，構成這些模組群之模組、搬運臂A1、A2、A5、A6之配置安排亦相同。
於該介面區塊S3設置有介面臂E。該介面臂E為接續棚單元U3之各傳遞模組TRS、緩衝模組BU及曝光裝置S4之搬入平台或搬出平台，並於其間傳遞晶圓W，其構成係以能夠自由昇降、自由進退，及繞鉛直軸自由旋轉。
而上述之光阻圖案形成裝置，具有由電腦組成之控制部3，其用以執行各模組之處方的管理、晶圓W之搬運流程(搬運路徑)之處方的管理、於各模組之處理、以及傳遞臂C、傳遞臂D、搬運臂A1~A6、介面臂E等之驅動控制。該控制部3具有由包含一步驟(命令)群之例如軟體所組成之程式，該步驟(命令)群用以實施光阻圖案形成裝置整體之作用，即基於對晶圓W形成既定光阻圖案之目的之在各模組的處理或是晶圓W之搬運等。而藉由從控制部3讀取這些程式，可由控制部控制光阻圖案形成裝置全體之作用。又，該程式，以收納於例如軟性磁碟、硬碟、光碟、磁光碟(magneto-optical disc)、記憶卡等之儲存媒體之狀態而儲存。
圖4表示控制部3之構成，實際上係由CPU(中央模組)、程式及記憶體等所構成，但由於本發明於模組成為不能使用時之晶圓W的搬運上具有特徵，在此將與其關連之構成要素的一部份區塊化而說明。圖4中30為母線，於該母線30接續有：處方儲存部31、處方選擇部32、搬運排程變更部33、搬運控制部34、搬運控制程式35、及警報產生裝置36等。
又，各模組M透過控制器C0而接續於控制部3，於各個模組M發生故障時，從該模組M透過控制器C0輸出警報信號至控制部3。進而，於晶圓沒有以既定的時序傳遞至傳遞臂D、搬運臂A1~A6的場合，也輸出警報信號至控制部3。又，於該模組M包含內嵌於例如棚單元U1~U3之所有模組，及液體處理模組。
處方儲存部31為相當於儲存部之部位，其為儲存複數之處方的部位，該複數之處方係基於記錄例如晶圓W之搬運路徑之搬運處方、或是該搬運處方，而記錄搬運排程，或是對於晶圓W執行之處理條件等；該搬運排程係就批量內之所有晶圓W，描述以怎麼樣的時序搬運至哪一模組之內容。處方選擇部32為從儲存於處方儲存部31之處方中選擇適當之處方的部位，也可以進行使用之模組M的選擇等。
搬運排程變更部33係，於晶圓W搬運中，在該晶圓W之搬運預定的模組變為無法使用之模組時，如後述般改寫搬運排程之部位。搬運控制部34係，以使參照該搬運排程並寫入至搬運循環資料之晶圓能搬運至對應於該晶圓之模組，而控制傳遞臂C、傳遞臂D、搬運臂A1~A6、及介面臂E，並依此實行搬運循環之機構。
搬運控制程式35係，於晶圓W之搬運中，在該晶圓W之搬運預定的模組變為無法使用之模組時所驅動之程式。該程式係例如於模組產生故障、或是晶圓W之搬運變得混亂時，基於產生之警報信號而驅動。又，操作員依電腦之表示畫面，亦可藉由選擇無法使用之模組來驅動之。該所謂無法使用之模組，即由於模組產生故障、或維修等因素，導致無法搬入晶圓之模組。又，操作員在選擇無法使用之模組時，亦包含模組進行維修之場合，或是將無法正常進行處方之模組指定為無法使用之模組之場合等。於此，所謂無法正常進行處方，即與其它多重模組之差異產生的場合。在這種場合，若為了不使用該模組而變更處方，則於該模組恢復正常時，不得不再度變更處方；若有複數處方存在時，由於會產該處方數量之作業，故仍然以指定無法使用之模組之方式為佳。
然後，在產生無法使用之模組，並可以實施後述之搬運控制時，例如於電腦表示畫面表示產生了無法使用之模組，並在控制傳遞臂C、傳遞臂D、搬運臂A1~A6、介面臂E的同時，進行搬運排程的變更而實施後述的搬運控制。一方面，即使於產生了無法使用之模組的場合，於無法實施後述之搬運控制時，藉由警報產生裝置36輸出警報，並同時停止裝置。藉由該警報產生裝置36，可進行警報產生例如點起警示燈、產生警報音、及輸出警報表示至表示畫面等。
在此，所謂可以實施搬運控制時，即構成多重模組之複數的模組中至少一個為處於可以使用之狀態之場合。此時，所謂多重模組，即載置各個晶圓並同時決定搬運的順序之模組群中，搬運的順序為相同，而對晶圓進行相同處理之複數的模組，亦即搬運處方設定為相同步驟之複數的模組。一方面，所謂搬運控制為無法實施時，即，於搬運處方之相同步驟只設定一個模組之場合，或是於搬運處方之相同步驟有設定複數之模組，但是沒有為可使用之狀態的模組之場合。
接著，以對晶圓進行相同處理之複數單位區塊為COT1層B3與COT2層B4之場合為例，就本發明之搬運控制具體地說明。首先，就依該光阻圖案形成裝置之平時的晶圓W之移動為一例加以說明。來自載具區塊S1之晶圓W藉由傳遞臂C，依序搬運至棚單元U1之傳遞模組SCPW，例如與BCT1層B1及BCT2層B2對應之傳遞模組SCPW11、12及SCPW21、22。於該場合，由於BCT層為2層之構成，批量中之晶圓W，從先頭依序交互地搬運至BCT1層B1與BCT2層B2，例如奇數號之晶圓W(2n-1) 輸出至BCT1層B1、偶數號之晶圓W2n 輸出至BCT2層B2。
於BCT層B1(B2)內，藉由搬運臂A1(A2)，依液體處理模組BCT→加熱模組CPHP→棚單元U1之傳遞模組TRS11、12(TRS21、22)之路徑搬運晶圓W，並於晶圓W形成反射防止膜。
其後，例如BCT層B1(B2)之晶圓W，係於棚單元U1內藉由傳遞臂D從傳遞模組TRS11、12(TRS21、22)搬運至傳遞模組SCPW31、32(SCPW41、42)，再藉由搬運臂A3(A4)而傳遞至COT層B3(B4)內。然後，於COT層B3(B4)內，依液體處理模組COT→加熱模組CPHP→棚單元U3之傳遞模組TRS31、32(TRS41、42)之路徑搬運，晶圓W並於反射防止膜上形成光阻膜。
然後，棚單元U3之傳遞模組TRS31、32(TRS41、42)的晶圓W，藉由介面區塊S3之介面臂E搬運至曝光裝置S4的搬入平台，在執行既定的曝光處理後，從曝光裝置S4之搬出平台藉由介面臂E載置於棚單元U3之傳遞模組SCPW51、52(SCPW61、62)。該例中，例如，奇數號之晶圓W(2n-1) 輸出至該傳遞模組SCPW51、52，偶數號之晶圓W(2n) 輸出至該傳遞模組SCPW61、62。
然後，傳遞模組SCPW51、52(SCPW61、62)之晶圓W，藉由搬運臂A5(A6)接收至DEV層B5(B6)，並於DEV層B5(B6)內，依液體處理模組DEV→加熱模組CPHP→棚單元U1之傳遞模組TRS51、52(TRS61、62)之路徑搬運。然後，於搬運晶圓W至檢査模組10之場合，藉由傳遞臂D，依從載具20輸出之順序搬運至檢査模組10以執行既定的檢査，然後，藉由傳遞臂D，依從載具20輸出之順序搬運至傳遞模組TRS-A。之後，藉由傳遞臂C，依從載具20輸出之順序返回載具20。又，於未搬運至檢査模組10之場合，藉由傳遞臂D，依從載具20輸出之順序，搬運至傳遞模組TRS-A，並於之後，藉由傳遞臂C，依從載具20輸出之順序返回載具20。
此時，晶圓W對於位在各單位區塊B1~B6之各個模組群，依後述之搬運排程藉由搬運臂A1~A6進行晶圓W的搬運。即，在各單位區塊B1~B6，藉由各個搬運臂A1~A6，於各個模組群，從一個模組中取出晶圓W，並於接收下一個模組的晶圓W後，傳遞先前的晶圓W至該下一個模組，如此，藉由將置放於各模組之晶圓W移動至次一序號的模組來實行一搬運循環，且於實行該一搬運循環後，進行下一個搬運循環，並藉由依序實行各搬運循環，將晶圓W從該模組群中序號小的模組依序搬運至序號大的模組，以執行既定的處理。
在此，於各單位區塊B1~B6內，搬運臂A1~A6，係從成為搬入模組之傳遞模組SCPW來接收晶圓，將該晶圓依上述之搬運路徑，依序搬運至作為該搬運循環的下游端之搬出模組的傳遞模組TRS，如此，於單位區塊B1~B6內，以進行各自搬運循環之方式而構成。
在上述之搬運，於COT1層B3(COT2層B4)之搬運處方，各自設定如下：步驟1中有2個傳遞模組SCPW31、32(SCPW41、42)；步驟2中有2個液體處理模組COT11、12(COT21、22)；步驟3中有4個加熱模組CPHP31~34(CPHP41~44)；而步驟4中有2個傳遞模組TRS31、32(TRS41、42)。從而，於COT1層B3(COT2層B4)中，傳遞模組SCPW31、32(SCPW41、42)、液體處理模組COT11、12(COT21、22)、加熱模組CPHP31~34(CPHP41~44)、及傳遞模組TRS31、32(TRS41、42)等，係分別作為多重模組而設定著。
在此，就位於COT1層B3、COT2層B4之平時的搬運控制的一例，使用圖5更詳細的作說明。來自載具20之批量的第(4n-3)號，即第1號、第5號...輸出之晶圓W(4n-3) ，係以傳遞模組SCPW11→BCT1層B1→傳遞模組TRS11→傳遞模組SCPW31之路徑被搬運至COT1層B3，而於形成光阻膜後，再被搬運至傳遞模組TRS31。同樣地，來自載具20之批量的第(4n-2)號，即第2號、第6號...輸出之圓W(4n-2) ，係以傳遞模組SCPW21→BCT2層B2→傳遞模組TRS21→傳遞模組SCPW41之路徑被搬運至COT2層B4，而於形成光阻膜後，再被搬運至傳遞模組TRS41。
又，來自載具20之批量的第(4n-1)號，即第3號、第7番號...輸出之晶圓W(4n-1) ，係以傳遞模組SCPW12→BCT1層B1→傳遞模組TRS12→傳遞模組SCPW32之路徑被搬運至COT1層B3，而於形成光阻膜後，再被搬運至傳遞模組TRS32。進而，來自載具20之批量的第4n號，即第4號、第8號...輸出之晶圓W4n ，係以傳遞模組SCPW22→BCT2層B2→傳遞模組TRS22→傳遞模組SCPW42之路徑被搬運至COT2層B4，而於形成光阻膜後，再被搬運至傳遞模組TRS42。該場合，於傳遞模組TRS31、32、41、42，依從載具20輸出之順序而搬運晶圓W。
然後，將各傳遞模組TRS31、32、41、42之晶圓W，藉由介面臂E，依從載具20輸出之順序，搬運至曝光裝置S4之搬入平台。此時，若曝光裝置S4之搬入平台為可以搬入，則直接進行搬運，若非可以搬入，則暫時搬運至緩衝模組BU32、BU42。所謂曝光裝置S4之搬入平台非可以搬入的場合，即曝光裝置S4側比處理區塊S2之處理量來得小，於往曝光裝置S4之搬入平台存在搬運順序在前之晶圓W的場合。
就此時之搬運排程的模擬例，COT1層B3及COT2層B4係各自表示於圖6及圖7。該搬運排程中，各自表示以縱軸為搬運循環、橫軸為模組群而構成之模組，且傳遞模組SCPW31、32(SCPW41、42)相當於搬入模組，而傳遞模組TRS31、32(TRS41、42)則相當於搬出模組。又，以W1為批量之第1號的晶圓、W2為批量之第2號來分別表示各晶圓。寫於該搬運排程右側之數字，為從各自之搬運循環開始至結束為止之時間。又，該模擬結果中，從批量之最初的晶圓W1載置於傳遞模組SCPW31，到批量之最後的晶圓W50載置於傳遞模組TRS41為止時間為783.4秒。
此時，傳遞臂D會將從BCT1層B1或是BCT2層B2搬出之晶圓W，搬運至最早變為可搬運之搬入模組SCPW31、32、41、42，且在從搬入模組SCPW31、32、41、42往為模組群之最初的模組之液體處理模組COT傳遞晶圓W時，開始搬運循環。然後，於平時，如上述之圖5所示，依晶圓W從載具20輸出之順序，從第1號之晶圓W依序搬入至搬入模組SCPW31、SCPW41、SCPW32、SCPW42。
接著，於COT1層B3，就加熱模組CPHP之一變為無法使用之模組且至少一個模組為可使用之狀態時的搬運控制之一例，使用圖8~圖10加以說明。該場合，藉由該搬運控制程式35，進行如圖8所示之搬運控制。即，一旦產生無法使用之模組(步驟S1)，藉由成為第1傳遞機構之傳遞臂D，於COT1層B3及COT2層B4，輸出晶圓W至最早變為可載置之搬入模組(傳遞模組SCPW31、32、41、42)(步驟S2)。在此，所謂最早變為可載置，即置放於傳遞模組SCPW之前的晶圓，藉由搬運臂A3、A4來接收之時序為最早之情形。
然後，於COT1層B3及COT2層B4，各自依晶圓W輸出至搬入模組(傳遞模組SCPW31、32、41、42)之順序，藉由搬運臂A3、A4依序搬運晶圓W至模組群而傳遞至搬出模組(傳遞模組TRS31、32、41、42)(步驟S3)。
然後，依晶圓W輸出至搬入模組(傳遞模組SCPW31、32、41、42)之順序，藉由作為第2傳遞機構之介面臂E從搬出模組(傳遞模組TRS31、32、41、42)中取出晶圓W，並搬運至作為後段模組之曝光裝置S4或是作為基板載置部之緩衝模組BU32、42(步驟S4)。
之後，依平時藉由第1傳遞機構(傳遞臂D)輸出晶圓W至COT1層B3及COT2層B4的搬入模組(傳遞模組SCPW31、32、41、42)之一定順序，藉由第2傳遞機構(介面臂E)從搬出模組(傳遞模組TRS31、32、41、42)或是緩衝模組BU32、42往曝光裝置S4之搬入平台搬運晶圓W(步驟S5)。
實際上，依如圖9所示之流程圖實行搬運控制。產生無法使用之模組前，於COT1層B3及COT2層B4，依平時之搬運排程執行各自晶圓W的搬運(步驟S10)。若於COT1層B3之加熱模組CPHP31發生故障而該模組變成無法使用之模組(步驟S11)，為了不將晶圓W搬運至該加熱模組CPHP31而改寫搬運排程(步驟S12)。
然後，產生了無法使用之模組後，搬入至COT1層B3及COT2層B4的晶圓W，藉由傳遞臂D，搬運至搬入模組(傳遞模組SCPW31、32、41、42)中，最早變為可載置之模組(步驟S13)。
若晶圓W載置於搬入模組，則判斷該搬入模組，與記載於搬運排程之搬入模組是否為相同(步驟S14)，並於其為相同之場合，依搬運排程，於COT1層B3或是COT2層B4內實行1循環分之晶圓W的搬運(步驟S15)。
一方面，在載置晶圓W之搬入模組與記載於搬運排程之搬入模組不同之場合，為使搬入該搬入模組之晶圓W與該搬運循環中置放於搬入模組之晶圓W成為相同，改寫該搬運排程(步驟S16)。然後，依改寫之搬運排程，於COT1層B3或是COT2層B4內實行1循環之晶圓W的搬運(步驟S17)。
然後，判斷該晶圓W是否為批量中最後的晶圓(步驟S18)，若為最後的晶圓之場合，依該搬運排程實行晶圓W的搬運(步驟S19)，若非最後的晶圓之場合，就該晶圓之下一個從BCT1層B1或是BCT2層B2輸出之晶圓，由步驟S13同樣地實行搬運(步驟S20)。
如此，於COT1層B3、COT2層B4，各自依搬運排程，依晶圓W輸出至搬入模組之順序依序搬運而傳遞至搬出模組(傳遞模組TRS31、32、41、42)。然後，將該搬出模組(傳遞模組TRS31、32、41、42)之晶圓W，如上所述，藉由介面臂E，依晶圓W輸出至搬入模組之順序取出。
然後，晶圓W，藉由介面臂E，依照從載具20輸出之順序而搬運至曝光裝置S4之搬入平台。即，搬出模組(傳遞模組TRS31、32、41、42)之晶圓W，若為搬運至曝光裝置S4的搬入平台之順序，則直接搬運至該搬入平台，若非該順序，則暫時搬運至緩衝模組BU32、42。然後，藉由介面臂E，直接從搬出模組(傳遞模組TRS31、32、41、42)，或是透過緩衝模組BU32、42，依平時藉由傳遞臂D輸出晶圓W到COT1層B3及COT2層B4之一定的順序，來搬運晶圓W至曝光裝置S4之搬入平台。
就此時之搬運排程的模擬結果，COT1層B3及COT2層B4分別如圖11及圖12所示。在該搬運排程，於COT2層B4，在循環19中批量之第41號的晶圓W41搬運至傳遞模組SCPW41時、循環21中批量之第44號的晶圓W44搬運至傳遞模組SCPW41時、及循環24中批量的第49號之晶圓W49搬運至傳遞模組SCPW42時，分別改寫了搬運排程。又，依該模擬結果，在最初之晶圓W1載置於傳遞模組SCPW31後，直到最後的晶圓W50載置於傳遞模組TRS32為止之時間為843.4秒。
依上述之實施態樣，即使COT1層B3之加熱模組CPHP之一變為無法使用之模組，在該COT1層B3之其它加熱模組CPHP為可使用時，將晶圓搬入至COT1層B3及COT2層B4之搬入模組(傳遞模組SCPW31、32、41、42)中最早變為可載置之搬入模組。
因此，即使加熱模組CPHP之一變成了無法使用之模組，相較於交互地搬入晶圓W至COT1層B3及COT2層B4之場合，可抑制處理量之下降。由於搬入模組會依序輸出晶圓至空的單位區塊，可抑制上述之可使用之加熱模組CPHP等待晶圓W之搬運的情形，因而可抑制可使用之加熱模組CPHP的可用效率之下降。
對此，於交互地將晶圓W搬入至COT1層B3及COT2層B4的場合，於未產生無法使用之模組之COT2層B4，有必要往產生了無法使用之模組之COT1層B3搬入晶圓W，或是等待從COT1層B3搬出晶圓W；於COT2層B4，不搬運晶圓W至可搬運之加熱模組CPHP，會使可用率變低，導致處理量下降。
在此，於COT1層B3之加熱模組CPHP31變成了無法使用之模組時，就交互地將晶圓輸出至COT1層B3及COT2層B4之場合的搬運排程之模擬結果，COT1層B3及COT2層B4分別如圖13及圖14所示。依照該模擬結果，從最初的晶圓W1載置於傳遞模組SCPW31，到最後的晶圓W50載置於傳遞模組TRS41為止之時間為891.7秒，可發現其處理量比本發明之搬運控制來的低。
此時，由於本發明中，並非交互地搬運晶圓至COT1層B3、COT2層B4，也有時為從一方之COT層的搬出模組依連續之順序輸出晶圓W，然而，由於利用設置於COT1層B3及COT2層B4的搬出模組下游側之緩衝模組BU32、42，使晶圓W於搬運至曝光裝置S4之前暫時排列，故亦可以依照從載具20輸出晶圓W之順序將其搬運至曝光裝置S4。
從而，於COT1層B3、COT2層B4，各自依輸出至搬入模組(傳遞模組SCPW31、32、41、42)之順序搬運晶圓，由於係直接搬運至搬出模組(傳遞模組TRS31、32、41、42)，於COT層B3、COT2層B4中，而不致改變晶圓之搬運順序，故可以抑制搬運控制之複雜化。
接著，就於其它單位區塊之搬運例加以說明。圖15為BCT1層B1、BCT2層B2中之任一的多重模組中之至少一個變為無法使用之模組且至少一個模組為可使用之狀態時，依在搬運至COT1層B3、COT2層B4之前暫時從載具20輸出晶圓W之順序，使其整列之場合的搬運例。
該場合，藉由成為第1傳遞機構之傳遞臂C，將晶圓W輸出至於BCT1層B1、BCT2層B2中最早變為可載置之搬入模組(傳遞模組SCPW11、12、21、22)。然後，於BCT1層B1、BCT2層B2，各自依晶圓W輸出至搬入模組(傳遞模組SCPW11、12、21、22)之順序，藉由搬運臂A1、A2將晶圓W依序搬運模組群，而傳遞至搬出模組(傳遞模組TRS11、12、21、22)。
然後，依晶圓W輸出至搬入模組(傳遞模組SCPW11、12、21、22)之順序，藉由成為第2傳遞機構之傳遞臂D將晶圓W從搬出模組(傳遞模組TRS11、12、21、22)取出，搬運至作為後段模組之COT1層B3、COT2層B4的傳遞模組SCPW31、32、41、42或是作為基板載置部之緩衝模組BU1、BU2。
接著，依照於平時藉由傳遞臂C將晶圓W輸出至BCT1層B1、BCT2層B2的傳遞模組SCPW11、12、21、22之一定的順序，藉由傳遞臂D從搬出模組(傳遞模組TRS11、12、21、22)或是緩衝模組BU1、BU2往COT1層B3、COT2層B4之傳遞模組SCPW31、32、41、42搬運晶圓W。
即，各別地將批量中第(4n-3)號之晶圓W(4n-3) 搬運至COT1層B3之傳遞模組SCPW31，批量中第(4n-1)號之晶圓W(4n-1) 搬運至COT1層B3之搬入模組SCPW32，批量中第(4n-2)號之晶圓W(4n-2) 搬運至COT2層B4之搬入模組SCPW41，批量中第4n號之晶圓W4n 搬運至COT1層B4之搬入模組SCPW42。
又，BCT1層B1，在BCT2層B2之任一的多重模組中之至少一個變為無法使用之模組且至少一個模組為可使用之狀態時，從BCT1層B1、BCT2層B2之傳遞模組TRS11、12、21、22，以晶圓W輸出BCT1層B1、BCT2層B2的搬入模組(傳遞模組SCPW11、12、21、22)之順序，直接藉由傳遞臂D搬運至COT1層B3、COT2層B4之傳遞模組SCPW31、32、41、42。然後，亦可以於從COT1層B3、COT2層B4之搬出模組(傳遞模組TRS31、32、41、42)搬運晶圓W至曝光裝置S4時，利用緩衝模組BU32、BU42，而依從載具20輸出之順序藉由介面臂E搬運晶圓W。
又，圖16為，將DEV1層B5、DEV2層B6中進行顯像處理之晶圓W搬運至暫時檢査模組10，並在此執行既定的檢査以後，於返回載具20內之場合，在DEV1層B5、DEV2層B6之任一的多重模組中之至少一個變為無法使用之模組且至少一個模組為可使用之狀態時，依搬運至檢査模組10前暫時從載具20輸出晶圓W之順序，使其整列之場合的搬運例。
該場合，藉由成為第1傳遞機構之介面臂E，將晶圓W輸出至DEV1層B5、DEV2層B6中最早變為可載置之搬入模組(傳遞模組SCPW51、52、61、62)。然後，在DEV1層B5、DEV2層B6中，各自依晶圓W輸出至搬入模組(傳遞模組SCPW51、52、61、62)之順序，藉由搬運臂A5、A6將晶圓W依序搬運至模組群而傳遞至搬出模組(傳遞模組TRS51、52、61、62)。
接著，依晶圓W輸出至搬入模組(傳遞模組SCPW51、52、61、62)之順序，藉由作為第2傳遞機構之傳遞臂D將晶圓W從搬出模組(傳遞模組TRS51、52、61、62)取出，並搬運至作為後段模組之檢査模組10或是作為基板載置部之緩衝模組BU51、BU61。
如此，依照平時藉由介面臂輸出晶圓W至DEV1層B5、DEV2層B6之搬入模組(傳遞模組SCPW51、52、61、62)的一定之順序，藉由傳遞臂D從搬出模組(傳遞模組TRS51、52、61、62)或是緩衝模組BU51、BU61往檢査模組10搬運晶圓W。於檢査模組10，進行例如顯像缺陷等之檢査。
然後，於檢査模組10進行了既定的檢査之晶圓W，藉由傳遞臂D，依從載具20輸出之順序，搬運至傳遞模組TRS-A。然後，藉由傳遞臂C，依從載具20輸出之順序，返回載具20內。
接著就本發明之其它實施態樣加以說明。於該實施態樣，在產生了無法使用之模組時，操作員可以選擇搬運模式。該實施態樣之控制部3，如圖17所示，具有模式選擇部4，該模式選擇部4可從例如電腦的表示畫面來選擇通常模式、複數層搬運模式、層除外模式、他層搬運模式、及調整模式。該通常模式為如上述實施態樣之圖5中所說明的平時之搬運模式；複數層搬運模式為，以上述實施態樣中圖10、圖15、圖16所說明之產生了無法使用之模組時的搬運模式。
雖然這些複數層搬運模式、層除外模式、他層搬運模式、調整模式中之任何一個，都是在產生了無法使用之模組時可以選擇之搬運模式，但應因應無法使用之模組的狀況，來選擇其中一個搬運模式。
首先，針對層除外模式，使用圖18加以說明。該層除外模式，係於一單位區塊中，設定為多重模組之所有模組變為無法使用之模組時(步驟S31)，加以選擇。此時，輸出指令以禁止搬運晶圓至該一單位區塊的搬入模組，並使晶圓搬運至指定之其它單位區塊的搬入模組(步驟S32)。
若以例如COT1層B3之所有加熱模組CPHP31~34變為無法使用之模組的場合為例具體地說明，為將晶圓搬運至指定之COT2層B4的搬入模組(傳遞模組SCPW41、42)，輸出指令至傳遞臂D。
然後，在指定之其它單位區塊(COT2層B4)，將晶圓，依輸出至搬入模組(傳遞模組SCPW41、42)之順序，依序搬運至模組群，並傳遞至搬出模組(傳遞模組TRS41、42)(步驟S33)。
一方面，在該單位區塊(COT1層B3)，依以下方式進行搬運。首先，將無法使用之模組的下游側之模組內的晶圓，依序搬運至模組群而傳遞至搬出模組(傳遞模組TRS31、32)，續行處理(步驟S34)。即，藉由介面臂E將晶圓W搬運至曝光裝置S4。
然後，將無法使用之模組的上游側之模組內的晶圓，依序搬運至不包括無法使用之模組之剩餘的模組群，作為棄用(Abort)晶圓而傳遞至搬出模組(傳遞模組TRS31、32)並回收(步驟S35)。所謂棄用(Abort)晶圓，即於處理途中中止之晶圓。又，亦可以依如圖3所示之棚單元U1的傳遞模組TRS33→傳遞臂D→傳遞模組TRS-A之路徑加以搬運，並藉由載具區塊S1的傳遞臂C回收至載具內。即，棄用(Abort)晶圓，可以從COT1層B3透過介面區塊S3或是DEV1層B5、DEV2層B6來回收，亦可以從COT1層B3直接回收到載具區塊S1。
在該例中，由於無法使用之模組為加熱模組CPHP31~CPHP34，故不搬運到加熱模組CPHP31~CPHP34，而是搬運到液體處理模組之後搬出模組TRS31、32。之後，回收無法使用之模組內的晶圓(步驟S36)。
接著，針對他層搬運模式，使用圖19加以說明。該他層搬運模式，也是在一單位區塊中，於設定為多重模組之所有模組變成無法使用之模組時(步驟S41)，加以選擇。然後，輸出指令以使產生了無法使用之模組的單位區塊(COT1層B3)之搬入模組(傳遞模組SCPW31、32)中的晶圓W藉由傳遞臂D搬運至作為指定之其它單位區塊的COT2層B4之搬入模組(傳遞模組SCPW41、42)(步驟S43)。除此之外的步驟(步驟S42，44~47)，係與上述層除外模式的步驟(步驟S32~36)相同。
接著，針對調整模式，使用圖20加以說明。該調整模式，係於例如液體處理模組中，藥液的流量不同時等，藉由操作員的調整來排除故障之場合，加以選擇。該場合，係於例如一單位區塊(COT1層B3)中，設定為多重模組之一個模組例如液體處理模組COT變為無法使用之模組時(步驟S51)，暫時停止搬運晶圓至該COT1層B3之搬入模組(傳遞模組SCPW31、32)，及搬運晶圓至作為其它單位區塊之COT2層B4之搬入模組(傳遞模組SCPW41、42)(步驟S52)。
然後，將COT2層B4內之晶圓依序搬運至模組群，而傳遞至搬出模組(傳遞模組TRS41、42)，並搬運至曝光裝置S4而續行處理(步驟S53)。一方面，在COT1層B3，將無法使用之模組的下游側之模組內的晶圓，依序搬運至模組群而傳遞至搬出模組(傳遞模組TRS31、32)，並搬運至曝光裝置S4而續行處理(步驟S54)。
又，對於COT1層B3中無法使用之模組，由操作員實施調整作業，並於調整作業結束後，將設定於例如電腦之表示畫面上的再度開始之按鈕定為開啟(ON)狀態(步驟S55)。該調整作業為，於例如光阻液的流量上發生了異常的場合，調整設定之流量之作業等。
如此，再度開始往COT1層B3及COT2層B4之搬入模組(傳遞模組SCPW31、32、41、42)搬入晶圓(步驟S56)。然後，在該COT1層B3，將無法使用之模組內的晶圓及無法使用之模組的上游側之晶圓，依搬入到搬入模組(傳遞模組SCPW31、32)之順序依序搬運到模組群而傳遞到搬出模組(傳遞模組TRS31、32)，並續行處理(步驟S57)。在COT2層B4，依搬入至搬入模組(傳遞模組SCPW41、42)的順序依序搬運到模組群而傳遞到搬出模組(傳遞模組TRS41、42)，並續行處理。
由於在該實施態樣中，係由操作員來選擇搬運模式，故可以因應無法使用之模組的產生狀況，以適合的搬運模式來搬運晶圓W。此時，在無法使用之模組的故障為輕微之場合，可藉由選擇調整模式以使無法使用之模組恢復至可使用之狀態、或是可藉由選擇他層搬運模式而於其它單位區塊進行通常之處理，而將回收之晶圓W數量降至最低，故可以抑制處理量的下降，以圖求減低晶圓之回收上所需要之時間。
在上述中，本發明之第1傳遞機構與第2傳遞機構亦可以使用共通之傳遞機構。又，亦可以依輸出基板至搬入模組的順序藉由搬運機構將基板從搬出模組取出而搬運到基板載置部，並藉由第2傳遞機構，從該基板載置部往後段模組，依平時藉由第1傳遞機構輸出基板之一定的順序搬運基板。
又，亦可以將模組群下游端之模組不作為搬出模組而改作為基板載置部，且不藉由搬運機構將基板依序搬運至模組群以傳遞至搬出模組，而改藉由搬運機構將基板依序搬運到模組群以傳遞到基板載置部，並依將基板輸出至搬入模組的順序，藉由第2傳遞機構，將基板從基板載置部取出，將藉由第2傳遞機構從基板載置部取出之基板搬運至後段模組，如此，從基板載置部往後段模組，依平時藉由第1傳遞機構輸出基板之一定的順序搬運基板。
又，本發明不僅如圖1~圖3之構成的光阻圖案形成裝置，亦可適用於在介面區塊具有基板載置部，或是第1傳遞機構與第2傳遞機構使用共通之傳遞機構的場合。於圖21~圖24所示之光阻圖案形成裝置，係為將基板載置部設置於介面區塊。
針對該裝置簡單說明，該裝置中，處理區塊S12係將6個單位區塊B11~B16堆積而構成，單位區塊B11及單位區塊B12係用以用以形成反射防止膜及光阻膜，單位區塊B13及單位區塊B14係用以形成液浸曝光用之保護膜及進行晶圓之背面側洗淨，而單位區塊B15及單位區塊B16係用以執行液浸曝光後之顯像處理。該單位區塊B11及單位區塊B12、單位區塊B13及單位區塊B14、單位區塊B15及單位區塊B16，為了分別對晶圓進行相同之處理，而分別具有同樣的構成。
就該裝置中平常時之晶圓W的移動加以說明。從載具20藉由載具區塊S11之傳遞臂C1，將例如5片晶圓W一同傳遞至設置於處理區塊S12之棚單元U11之傳遞模組BU10。然後，將晶圓從傳遞模組BU10交互地輸出到單位區塊B11與單位區塊B12，並依以下之順序搬運：單位區塊B11→單位區塊B13→單位區塊B15之順序搬運，或是以從單位區塊B12→單位區塊B14→單位區塊B16。例如，批量中的奇數號之晶圓W(2n-1) 輸出到單位區塊B11，而偶數號之晶圓W2n 輸出至單位區塊B12。
於單位區塊B11搬運晶圓時，從棚單元U11之傳遞模組BU10，藉由傳遞臂D1，依以下之順序搬運晶圓，而依序形成反射防止膜及光阻膜：疏水化處理模組ADH11→傳遞模組SCPW111→反射防止膜形成模組BCT→棚單元U12之加熱模組→棚單元U11之傳遞模組SCPW112→光阻膜形成模組COT→棚單元U12之加熱模組→棚單元U11之傳遞模組SCPW113。
然後，藉由傳遞臂D1搬運晶圓至棚單元U11之傳遞模組SCPW131，而依照以下的順序搬運晶圓，以形成保護膜，進而執行背面洗淨：保護膜形成模組→棚單元U12之加熱模組→棚單元U11之傳遞模組SCPW132→背面洗淨模組→棚單元U14之緩衝模組BUF。
該棚單元U14係設置於介面區塊S13內，而以多段堆積模組之方式構成。對於該棚單元U14之各模組，例如單位區塊B13~B16之搬運臂A13~A16與介面臂E1、E2係為可接續之狀態。該緩衝模組BUF，係以多段載置多數片的晶圓W之方式構成，於該例中，於棚單元U4之搬運臂A13~A16與介面臂E1、E2各自設置於可接續之區域。
回到搬運晶圓之說明。緩衝模組BUF中之晶圓W，係依照以下之順序加以搬運：介面臂E2→棚單元U14之傳遞模組SCPW71~SCPW73→介面臂E3→曝光裝置S14之順序加以搬運，並接受液浸曝光處理。曝光處理後，晶圓W係以介面臂E3→傳遞模組TRS7→介面臂E2→緩衝模組BUF→介面臂E1→曝光後洗淨模組PIR1~PIR4→介面臂E1→位於緩衝模組BUF之單位區塊B15的高處位置。
接著，該晶圓W，係藉由搬運臂A15，依照：棚單元U12之加熱模組→棚單元U11之傳遞模組SCPW151→顯像模組DEV→棚單元U12之加熱模組→棚單元U1之傳遞模組SCPW152→傳遞臂D1→緩衝模組BU15→檢査模組10的順序加以搬運，而執行既定的檢査。檢査後之晶圓W，係依：檢査模組10→傳遞臂D1→傳遞模組SCPW10之順序加以搬運，並藉由傳遞臂C1以返回載具20。關於檢査模組10中以未執行檢査之方式設定的晶圓W，係依：顯像模組DEV→加熱模組，而依序處理後，再依照：傳遞模組SCPW152→傳遞臂D1→棚單元U11之傳遞模組SCPW10→傳遞臂C1→載具20之順序加以搬運。
接著，針對例如於單位區塊B11、B12產生了無法使用之模組時，以該複數層搬運模式搬運之場合加以說明。於該場合，搬入模組變為疏水化處理模組ADH11、ADH21，藉由傳遞臂D1(第1傳遞機構)搬運晶圓W到最早變為可載置之疏水化處理模組ADH11、21之任何一個，在各單位區塊B11、B12，以搬入到搬入模組(疏水化處理模組ADH11、21)之順序，將晶圓W搬運到模組群，而搬運到作為搬出模組之傳遞模組SCPW113、123。
其後，將晶圓W藉由傳遞臂D1(第2傳遞機構)搬運到成為基板載置部之傳遞模組BU110、120，或是直接搬運到單位區塊B13之傳遞模組SCPW131、單位區塊B14之傳遞模組SCPW141。這些傳遞模組SCPW131、SCPW141相當於後段模組。如此，藉由傳遞臂D1，將晶圓W依從載具20輸出之順序交互地搬運至傳遞模組SCPW131、141。即，批量之奇數號的晶圓W(2n-1) 輸出到單位區塊B13，而批量之偶數番的晶圓W2n 輸出至單位區塊B14。於該場合，第1傳遞機構及第2傳遞機構均為傳遞臂D1。
接著，針對例如單位區塊B13、B14中產生了無法使用之模組時，以該複數層搬運模式搬運之場合加以說明。該場合，搬入模組成為傳遞模組SCPW131、SCPW141，藉由傳遞臂D1(第1傳遞機構)將晶圓W搬運到最早變為可載置之傳遞模組SCPW131、141，在各單位區塊B13、B14，依搬入到搬入模組(傳遞模組SCPW131、141)之順序，將晶圓W搬運到模組群，而搬運到作為搬出模組之緩衝模組BUF。該例為將搬出模組作為基板載置部之例子。
其後，藉由介面臂E2(第2傳遞機構)，依從載具20輸出之順序，將晶圓輸出至作為後段模組之傳遞模組SCPW71~SCPW73，再藉由介面臂E3，依從載具20輸出之順序搬運至曝光裝置S14。
進而，針對例如單位區塊B15、B16中產生了無法使用之模組時，以該複數層搬運模式搬運之場合加以說明。該場合，第1傳遞機構為介面臂E1，搬入模組為緩衝模組BUF。然後，將晶圓W搬運到緩衝模組BUF之單位區塊B15的高處位置或是單位區塊B16之高處位置兩者任一中最早變為可載置之區域，在各單位區塊B15、B16，依搬入到搬入模組(對應於緩衝模組BUF之單位區塊B15、B16之區域)的順序，將晶圓W搬運到模組群，依作為搬出模組之傳遞模組SCPW152、162的順序搬運。
其後，於搬運到檢査模組10之場合，將晶圓藉由傳遞臂D1(第2傳遞機構)，依照從載具20輸出之順序，而搬運至成為後段模組之緩衝模組BU15、BU16，接著，再藉由傳遞臂D1，依從載具20輸出之順序，搬運到檢査模組10。
於以上之說明中，本發明不僅適用於半導體晶圓，亦適用於處理稱為液晶顯示器用之玻璃基板(LCD基板)的基板之塗佈、顯像裝置。
繼而，就上述圖1~圖3中所述之塗佈、顯像裝置中的棄用(Abort)晶圓的搬運例詳加說明，然而此處為如例如圖25所示，於棚單元U1的單位區塊B1、B2、B3、B4之各高處，各自設置有棄用(Abort)晶圓的搬入用之緩衝模組BU71、BU72、BU73、BU74。
在此，先就液體處理模組BCT、COT之構成詳加說明。液體處理模組(光阻膜形成模組)COT，係如上述般具有基板保持部，該基板保持部係用以吸附保持晶圓W之背面中央部，並使其繞著晶圓W的中心軸旋轉。又，於光阻膜形成模組COT設置有將光阻噴出至晶圓W之光阻噴出噴嘴(塗佈膜形成機構)，及將稀釋劑噴出之稀釋劑噴出噴嘴(塗佈膜除去機構)。在形成光阻膜時，一邊使該基板保持部旋轉一邊將該稀釋劑噴出至晶圓W的中央部而進行旋轉塗佈，在使晶圓W表面附著的稀釋劑量提升後，將光阻噴出至晶圓W之中央部且藉由旋轉塗佈形成光阻膜。
又，於該光阻膜形成模組COT，在該光阻膜形成後一邊使該基板保持部旋轉，一邊將該稀釋劑噴出到晶圓W中央部，而藉由以離心力使其散佈至晶圓W全體，可以從晶圓W除去該光阻膜。又，光阻膜形成模組COT具有，於光阻噴出時，檢測接續於噴嘴之配管內之壓力、光阻之噴出量、有無沿噴嘴前端滴漏光阻液等之機能，並在檢測出這些異常時，輸出警報信號至控制部3。
液體處理模組(反射防止膜形成模組)BCT，除了取代光阻噴出噴嘴而設置有噴出形成反射防止膜用的藥液之噴嘴，與光阻膜形成模組COT具有同樣的構成，並可以執行藉由該藥液進行之反射防止膜的形成，及藉由稀釋劑進行之反射防止膜的除去。
又，就控制部3之構成進而加以說明。控制部3如圖26所示，具有儲存部37。該儲存部37，係將各別確認各批量的晶圓用之ID(在圖26中，每個批量係以W1~W25之號碼表示)，與是否為棄用(Abort)晶圓相對應而儲存之區域，進而針對棄用(Abort)晶圓與儲存之晶圓W，儲存該晶圓W係在哪個模組中成為棄用(Abort)晶圓。基於儲存於該儲存部37之資料，棄用(Abort)晶圓以如後述般穿梭於模組間搬運之方式，藉由搬運控制部34以控制各搬運機構之動作。
接著，針對反射防止膜形成模組BCT或是光阻膜形成模組COT成為不能使用，而由通常搬運模式切換為上述之複數層搬運模式時，棄用(Abort)晶圓的搬運加以說明。針對層除外模式之棄用(Abort)晶圓的搬運除上述之例外，亦可以如下來所示般搬運。在此，成為不能使用之模組中，針對該稀釋劑之供給噴嘴及基板保持部係假定為該動作可以執行。
(案例A：於反射防止膜形成模組BCT中產生了棄用(Abort)晶圓之場合)
在此，將無法使用之模組視為BCT1層B1之反射防止膜形成模組BCT加以說明。藉由從模組發出之警報信號將變為無法使用之模組的反射防止膜形成模組BCT儲存於儲存部.，並基於實行中之搬運排程將該無法使用之模組中處理之晶圓W作為棄用(Abort)晶圓而儲存於儲存部37。然後，於圖15如上述般，於BCT1層B1之可使用的反射防止膜模組BCT中處理該棄用(Abort)晶圓以外的晶圓，而搬運至下游側。
在變為無法使用之模組之BCT中，棄用(Abort)晶圓藉由基板保持部旋轉，並同時供給稀釋劑至該棄用(Abort)晶圓，而將反射防止膜從棄用(Abort)晶圓表面除去。其後，將該棄用(Abort)晶圓藉由搬運臂A1搬運至緩衝模組BU71，而於該模組待機。
然後，該棄用(Abort)晶圓所屬之批量中，搬入至BCT1層B1之最後的晶圓在搬入到傳遞模組SCPW11、12後，接續該最後的晶圓W，棄用(Abort)晶圓藉由傳遞臂D搬運到傳遞模組SCPW11、12而進行調溫。然後，棄用(Abort)晶圓藉由搬運臂A1往BCT1層B1之可使用的反射防止膜形成模組BCT搬運，並於此進行反射防止膜形成處理。又，在進行往該棄用(Abort)晶圓之傳遞模組SCPW11、12搬入時，後續之批量的晶圓W，係假定為不搬入至該傳遞模組SCPW11、12。形成反射防止膜之棄用(Abort)晶圓，係與通常之晶圓W同樣地依順序搬運至模組，而依序進行光阻膜之形成、曝光、顯像處理，再返回到輸出該晶圓之載具20。
即使於無法使用之模組為BCT2層B2之反射防止膜形成模組BCT的場合，除了使晶圓W等待之模組為BU72，以及棄用(Abort)晶圓係從BU72透過傳遞模組SCPW21、22搬運至BCT2層B2之可使用的反射防止膜形成模組而接受處理之外，係與BCT1層B1之反射防止膜形成模組BCT成為不能使用之場合進行同樣的搬運。
(案例B：於光阻膜形成模組COT中產生了棄用(Abort)晶圓場合)
與在反射防止膜形成模組中產生了棄用(Abort)晶圓之場合略為相同，以差異點為中心來說明。在此，假定無法使用之模組為COT1層B3的光阻膜形成模組COT。基於來自於模組之信號與實行中之搬運排程，以成為不能使用之模組中處理之晶圓W作為棄用(Abort)晶圓而儲存於儲存部37。然後，該棄用(Abort)晶圓以外之晶圓W係藉由COT1層B3之可使用的光阻膜形成模組COT進行處理，而往下游側搬運。
在變為無法使用之模組的COT，係如上述般除去光阻膜。由於此時光阻膜之下層的反射防止膜係以加熱模組進行加熱處理，對於稀釋劑之溶解性會變低，因而沒有被除去而殘留於晶圓W。然後，棄用(Abort)晶圓，係藉由搬運臂A3搬運到緩衝模組BU73而待機。該棄用(Abort)晶圓所屬之批量中，搬入到COT1層B3之最後的晶圓搬入到傳遞模組SCPW31、32後，於下一個批量往該模組SCPW31、32搬入前，棄用(Abort)晶圓係搬運到傳遞模組SCPW31、32。然後藉由搬運臂A3，往COT1層B3之可使用的光阻膜形成模組COT搬運而接受光阻膜之形成處理。其後，棄用(Abort)晶圓係與通常的晶圓W同樣地依序接受搬運模組、曝光、及顯像處理，而返回該晶圓輸出之載具20。除了在無法使用之模組為COT2層B4的光阻膜形成模組COT之場合，也使晶圓W在緩衝模組BU74待機，以及於COT2層B4往可使用的光阻膜形成模組COT搬運而執行處理以外，進行同樣的搬運。
依這般在成為不能使用之模組進行反射防止膜、光阻膜之除去方式，由於無須將棄用(Abort)晶圓搬運到這些進行膜之除去處理的裝置，省去該搬運上須要之手續而可以抑制處理量之下降。又，由於亦可以省去於膜除去處理後從執行該除去處理之裝置為了再度形成反射防止膜及光阻膜之塗佈、及搬運到顯像裝置之手續，故可以圖求處理量進一步的提升。
執行膜的除去後，作為棄用(Abort)晶圓之待機場所，不限於棚單元U1之模組。亦可以使其於例如無法使用之模組內待機，並於執行了膜的除去處理後，透過設於棚單元U1之各階層的緩衝模組BU或是傳遞模組TRS及傳遞臂C，暫時將棄用(Abort)晶圓返回至載具20，並使其於該載具20待機。然後，亦可以於將下個批量從載具20輸出前，將該棄用(Abort)晶圓從載具20輸出而進行該膜之形成處理。
於這般從載具20輸出晶圓W的場合，就反射防止膜形成模組BCT中變為棄用(Abort)晶圓之晶圓，係藉由傳遞臂C及透過傳遞模組SCPW11~22中任何一個，而搬運到BCT層B1或是B2之可使用的反射防止膜形成模組。就光阻膜形成模組COT中變為棄用(Abort)晶圓之晶圓，係藉由傳遞臂C及透過傳遞模組SCPW 31~42中任何一個、而搬運至COT層B3或是B4之可使用的光阻膜形成模組COT。
又，雖然上述例中，係於產生了無法使用之模組的階層之可使用的模組中，執行膜的形成，然而，亦可以使用搬運臂A與傳遞臂D而往其它階層搬運棄用(Abort)晶圓，並使用該階層之可使用的模組而實行膜的再形成。
具體而言，例如於上述案例A中，可以將產生於BCT1層B1之棄用(Abort)晶圓從緩衝模組BU71藉由傳遞臂D搬運到傳遞模組SCPW21、22，再藉由搬運臂A2搬運至反射防止膜形成模組BCT。又，可以將產生於BCT2層B2之棄用(Abort)晶圓從緩衝模組BU72藉由傳遞臂D搬運至傳遞模組SCPW21、22，再藉由搬運臂A2搬運至反射防止膜形成模組BCT。於案例B中亦可以將棄用(Abort)晶圓，藉由搬運臂A3、A4搬運至產生了該棄用(Abort)晶圓之層的緩衝模組BU73、74，並以傳遞臂D搬運至其它層的傳遞模組SCPW，藉由該層之搬運臂而搬運至光阻膜形成模組COT。又，亦可以將棄用(Abort)晶圓從無法使用之模組藉由搬運臂A搬運至產生了該棄用(Abort)晶圓之層的傳遞模組SCPW，並藉由該搬運臂A搬運至該層中可使用的液體處理模組。即，亦可於棄用(Abort)晶圓再度形成膜之前，不將該棄用(Abort)晶圓藉由傳遞臂D而僅藉由搬運臂A搬運。
又，雖然於上記之例中，係於執行完棄用(Abort)晶圓之膜除去處理後將膜再度形成，但亦可以不執行這般膜之再形成而返回載具20。由於在該場合亦無須將棄用(Abort)晶圓搬運到這些進行膜之除去處理的裝置，故可省去搬運上須要之手續而有抑制處理量下降之效果。
雖針對實行複數層搬運模式時之棄用(Abort)晶圓的搬運例加以說明，但亦可對於實行層除外模式、他層搬運模式或是調整模式時產生之棄用(Abort)晶圓，執行上記之膜的除去處理、或是接續於其後之膜的再形成。執行膜的除去處理之場合，亦可如上述般在膜的除去後返回載具20，或是使其維持滯留於無法使用之模組的狀態而由使用者回收。
又，針對於各層設置有1種類之液體處理模組的塗佈、顯像裝置之棄用(Abort)晶圓的搬運加以說明，然而，於圖22~圖24說明之於1層設置複數種類的液體處理模組之塗佈、顯像裝置亦可以適用該棄用(Abort)晶圓之搬運。可是，於圖22~圖24之塗佈、顯像裝置設置有對於液浸曝光用之液體例如純水形成驅水性之保護膜的保護膜形成模組TCT。就該保護膜形成模組TCT而言，亦可以與光阻膜形成模組COT同樣地，除具有噴出基板保持部及保護膜形成用之藥液的噴嘴之外，亦具有稀釋劑噴出噴嘴。
然後，於保護膜形成用模組TCT變為無法使用之模組時，在棄用(Abort)晶圓藉由稀釋劑實行旋轉塗佈，而除去保護膜。此時，與保護膜一同，也除去光阻膜。從而，於該棄用(Abort)晶圓繼續執行塗佈、顯像處理之場合，與上述之圖25的塗佈、顯像裝置同樣地，在例如棚單元U11設置有棄用(Abort)晶圓儲存用之緩衝模組而使其於該處待機後，透過傳遞模組SCPW搬運到單位區塊B11或是B12之可使用的光阻膜形成模組COT。然後，可以搬運到可使用的保護膜形成模組TCT，而繼續執行曝光、顯像處理。
於圖1~圖3所示之塗佈、顯像裝置，亦可以於各層B1~B6將具備保護膜形成用模組的層堆積而設置。在該保護膜形成用模組成為不能使用時，可以與上述之例同樣地實行保護膜及光阻膜之除去，並依序搬運到形成光阻膜的階層及形成保護膜的階層，而繼續塗佈、顯像處理。
又，上述之例中，關於基板處理裝置，雖然舉出進行光阻塗佈、顯像處理之塗佈、顯像裝置為例，但不僅限於此，亦可以作為於上述之構成的液體處理模組中塗佈例如光阻以外之膜的塗佈裝置。具體而言，例如於上述之塗佈、顯像裝置，亦可以不設置進行顯像之單位區塊，不採用光阻膜形成模組及反射防止膜形成模組，而採用具有形成藉由SiO2 構成之SOG(Spin On Grass)膜或是藉由位於該SOG膜的下層之例如有機物構成之下層膜的模組。於搭載了形成這樣的膜之模組的塗佈裝置，亦可以如上記之各實施態樣中所示般控制晶圓W的搬運，又，可以對於棄用(Abort)晶圓進行膜的除去而直接回收到載具20，或是再度形成膜等等。由於一旦SOG膜乾燥至一程度後就會變得無法除去，故在停止了供給藥液的動作後，為了在例如去除多餘的藥液的同時進行乾燥，在相較於藥液供給時而使基板之旋轉速度上昇前，供給稀釋劑而除去該膜。該下層膜，由於與反射防止膜同樣地於形成後執行了加熱處理，故在SOG膜除去時不會因該稀釋劑而被除去。又，關於該層膜，亦與反射防止膜、光阻膜同樣地可以在該下層膜之形成模組藉由稀釋劑除去。
10．．．檢查模組
20．．．載具
21．．．載置台
3．．．控制部
30．．．總線
31．．．處方儲存部
32．．．處方選擇部
33．．．搬運排程變更部
34．．．搬運控制部
35．．．搬運控制程式
36．．．警報產生裝置
37．．．儲存部
4．．．模式選擇部
A1~A6．．．搬運臂
A11~A16．．．搬運臂
B1．．．BCT1層
B2．．．BCT2層
B3．．．COT1層
B4．．．COT2層
B5．．．DEV1層
B6．．．DEV2層
B11~B16．．．單位區塊
BCT．．．液體處理模組
BU1、BU2、BU31、BU32、BU41、BU42、BU51、BU52、BU61、BU62．．．緩衝模組
C、C1．．．傳遞臂
C0．．．控制器
COT．．．液體處理模組
D、D1．．．傳遞臂
E、E1~E3．．．介面臂
L．．．液體處理模組群
M．．．模組
PIR1~PIR4．．．曝光後洗淨模組
R．．．搬運路徑
S1．．．載具區塊
S2．．．處理區塊
S3．．．介面區塊
S4．．．曝光裝置
S11．．．載具區塊
S12．．．處理區塊
S13．．．介面區塊
S14．．．曝光裝置
SCPW11、12，SCPW21、22，SCPW31、32，SCPW41、42，SCPW51、52，SCPW61、62．．．傳遞模組
TRS11、12，TRS21、22，TRS31、32，TRS33，TRS41、42，TRS43，TRS51、52，TRS61、62，TRS-A．．．傳遞模組
U1~U3．．．棚單元
U11、U12、U14．．．棚單元
W．．．晶圓
S11~S57．．．步驟
【圖1】為表示本發明之光阻圖案形成裝置的一實施態樣之平面圖。
【圖2】為表示該光阻圖案形成裝置之立體圖。
【圖3】為表示該光阻圖案形成裝置之縱斷側面圖。
【圖4】為表示該光阻圖案形成裝置之控制部的一例之構成圖。
【圖5】為表示平時之晶圓的搬運路徑之縱斷面圖。
【圖6】為平時之COT1層B3的搬運排程。
【圖7】為平時之COT2層B4的搬運排程。
【圖8】為表示無法使用之模組產生時晶圓的搬運手法之步驟圖。
【圖9】為表示無法使用之模組產生時晶圓的搬運手法之流程圖。
【圖10】為表示於COT1層B3產生了無法使用之模組時之晶圓的搬運路徑之說明圖。
【圖11】為無法使用之模組產生時COT1層B3之搬運排程。
【圖12】為無法使用之模組產生時COT2層B4之搬運排程。
【圖13】為無法使用之模組產生時比較例的COT1層B3之搬運排程。
【圖14】為無法使用之模組產生時比較例的COT2層B4之搬運排程。
【圖15】為表示於BCT層產生了無法使用之模組時之晶圓的搬運路徑之說明圖。
【圖16】為表示於DEV層產生了無法使用之模組時之晶圓的搬運路徑之說明圖。
【圖17】為表示本發明之其它實施態樣的控制部之構成圖。
【圖18】為表示以層除外模式搬運晶圓時之搬運手法的步驟圖。
【圖19】為表示以他層搬運模式搬運晶圓時之搬運手法的步驟圖。
【圖20】為表示以調整模式搬運晶圓時之搬運手法的步驟圖。
【圖21】為表示光阻圖案形成裝置之其它例的立體圖。
【圖22】為表示該光阻圖案形成裝置之平面圖。
【圖23】為表示該光阻圖案形成裝置之縱斷面圖。
【圖24】為表示該光阻圖案形成裝置之介面區塊的縱斷面圖。
【圖25】為表示其它光阻圖案形成裝置之縱斷面圖。
【圖26】為其它控制部之構成圖。
S1．．．產生了無法使用之模組
S2．．．將晶圓輸出至COT1層B3及COT2層B4兩者中其一之搬入模組
S3．．．依輸出晶圓之順序搬運晶圓，並將晶圓傳遞至搬出模組
S4．．．依輸出晶圓之順序，將晶圓搬運到曝光裝置或是緩衝模組
S5．．．依正常將晶圓輸出至COT1層B3及COT2層B4之順序，將晶圓搬運到曝光
COT1層B3及COT2層B4．．．形成光阻膜用之單位區塊

Claims (12)

  1. 一種基板處理裝置，其具有複數層單位區塊，該單位區塊係將置放於搬入模組之基板，藉由搬運機構逐片搬運至可載置各個基板並預定好搬運順序之模組群，並傳遞至位於該模組群之下游端的搬出模組，同時對基板進行相同之處理；該基板處理裝置之特徵為，包含：多重模組，其包含於該模組群，由搬運順序相同並對基板進行相同處理之複數模組所組成；後段模組，其係設置於該模組群的下游側；基板載置部，其係設置於該模組群的下游側，並可載置複數片基板；第1傳遞機構，其將基板輸出至該複數單位區塊之各個搬入模組；第2傳遞機構，其將基板從該複數單位區塊之各個搬出模組取出，並搬運至該後段模組及基板載置部；以及控制部，其用以控制該搬運機構及第1傳遞機構與第2傳遞機構；該控制部係以下述方式構成：於平時執行下列(1)之動作，而在包含於該單位區塊之多重模組中之至少一個成為不能使用的無法使用之模組且有至少一個模組為可使用的狀態時，執行下列(2)之動作；(1)對於該複數單位區塊之各個搬入模組，藉由第1傳遞機構，以一定的順序輸出基板；(2)　(2-a)在無法使用之模組產生後，藉由第1傳遞機構，將基板輸出至複數單位區塊中最早變為可載置狀態之搬入模組；(2-b)於該複數單位區塊之各個中，依輸出基板至搬入模組的順序，藉由搬運機構將基板依序搬運至模組群並傳遞至搬出模組；(2-c)依輸出基板至搬入模組的順序，藉由第2傳遞機構將基板從搬出模組取出；(2-d)將從該搬出模組取出之基板，藉由第2傳遞機構直接搬運至後段模組，或是先暫時搬運至基板載置部，然後再搬運至後段模組，如此，依平時藉由第1傳遞機構輸出基板至搬入模組之一定順序，而藉由第2傳遞機構搬運基板至後段模組。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中，於該單位區塊，係藉由搬運機構，將基板從一模組取出，並於接收下一個模組之基板後，將先前的基板傳遞到該下一個模組，如此，藉由將置於各模組之基板移動到次一序號的模組，以實行一個搬運循環，並於實行完該一搬運循環後，進行下一個搬運循環，並藉由依序實行各搬運循環，將基板從該模組群中序號小的模組依序搬運至序號大的模組，以執行既定的處理；該控制部，包含：儲存部，用以儲存搬運排程，該搬運排程係賦予基板序號，並以基板之序號與各模組相對應而指定搬運循環之搬運循環資料，依時間系列排列而作成；以及搬運控制部，其為了將參照該搬運排程並寫入至搬運循環資料之基板，搬運至對應於該基板之模組，而控制該搬運機構，並依此實行搬運循環；該控制部，在包含於該單位區塊之多重模組中之至少一個成為不能使用的無法使用之模組且有至少一個模組為可使用的狀態時，執行下列(3)之動作；(3)　(3-a)於產生了無法使用之模組的單位區塊，為了不將基板搬運到該無法使用之模組，而改寫該搬運排程；(3-b)於該複數單位區塊中，搬入到搬入模組的基板，與此時使用中之搬運排程在該搬運循環中置於搬入模組的基板為相異時，為了使搬入至該搬入模組之基板與該搬運循環中置於搬入模組的基板成為相同，而改寫該搬運排程。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之基板處理裝置，其中，該基板處理裝置為一種塗佈、顯像裝置，其包含在曝光前於基板形成塗佈膜用之模組群、及在曝光後對基板進行包含顯像等處理用之模組群，並對基板塗佈光阻，又顯像曝光後之基板；於該塗佈、顯像裝置，形成這些塗佈膜用之模組群、及進行包含顯像等處理用之模組群，係各自具有專用之搬運路徑，並藉由專用之搬運機構於模組群間進行基板的搬運；可載置各個基板並預定好搬運順序之模組群，係在曝光前於基板形成塗佈膜用之模組群。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之基板處理裝置，其中，該基板處理裝置為一種塗佈、顯像裝置，其包含在曝光前於基板形成塗佈膜用之模組群、及在曝光後對基板進行包含顯像等處理用之模組群，並對基板塗佈光阻，又顯像曝光後之基板；於該塗佈、顯像裝置，形成這些塗佈膜用之模組群、及進行包含顯像等處理用之模組群，係各自具有專用之搬運路徑，並藉由專用之搬運機構於模組群間進行基板的搬運；可載置各個基板並預定好搬運順序之模組群，係在曝光後對基板進行包含顯像等處理用之模組群。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之基板處理裝置，其中，於申請專利範圍第1項之(2-c)中，取代依輸出基板至搬入模組的順序並藉由第2傳遞機構將基板從搬出模組取出之方式，而改採用依輸出基板至搬入模組的順序並藉由搬運機構將基板從搬出模組取出而搬運到基板載置部之方式。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之基板處理裝置，其中，於申請專利範圍第1項之(2-b)中，取代藉由搬運機構將基板依序搬運到模組群而傳遞至搬出模組之方式，而改採用藉由搬運機構將基板依序搬運至模組群而傳遞至基板載置部之方式；於申請專利範圍第1項之(2-c)中，取代藉由第2傳遞機構從搬出模組取出基板之方式，而改採用依輸出基板至搬入模組的順序而藉由第2傳遞機構從基板載置部取出基板之方式；且於申請專利範圍第1項之(2-d)中，取代藉由第2傳遞機構從搬出模組或是基板載置部往後段模組搬運基板之方式，而改採用藉由第2傳遞機構從基板載置部往後段模組搬運基板之方式。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之基板處理裝置，其中，該多重模組係在基板形成塗佈膜之塗佈膜形成模組；該塗佈膜形成模組，包含：塗佈膜形成機構，其為了形成該塗佈膜，而將藥液塗佈於基板；以及塗佈膜除去機構，其在塗佈膜形成模組變為無法使用之模組時，除去正在搬入到該無法使用之模組的基板之該塗佈膜；且該(2)之動作係將該基板除外而執行。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之基板處理裝置，其中，該搬運機構及第1傳遞機構，為了藉由變為無法使用之模組的塗佈膜形成模組之該塗佈膜除去機構以在已除去塗佈膜之基板再度形成該塗佈膜，而動作以將該基板搬運到包含該塗佈膜形成模組之單位區塊的可使用之塗佈膜形成模組或是其它單位區塊的可使用之塗佈膜形成模組；且第2傳遞機構係將再度形成該塗佈膜之基板往後段模組搬運。
  9. 一種基板處理方法，使用基板處理裝置來執行，該基板處理裝置具有複數層單位區塊，該單位區塊係將置放於搬入模組之基板，藉由搬運機構逐片搬運至可載置各個基板並預定好搬運順序之模組群，並傳遞至位於該模組群之下游端的搬出模組，同時對基板進行相同之處理；該基板處理裝置並具有：多重模組，其包含於該模組群，由搬運順序相同並對基板進行相同處理之複數模組所組成；後段模組，其係設置於該模組群的下游側；以及基板載置部，其係設置於該模組群的下游側，並可載置複數片基板；該基板處理方法的特徵在於包含以下步驟：於平時執行的下列(4)之步驟；以及在包含於該單位區塊之多重模組中之至少一個成為不能使用的無法使用之模組且有至少一個模組為可使用的狀態時執行的下列(5)之步驟；(4)對於該複數單位區塊之各個搬入模組，以一定的順序輸出基板之步驟；(5)　(5-a)在無法使用之模組產生後，將基板輸出至複數單位區塊中最早變為可載置狀態的搬入模組之步驟；(5-b)於該複數單位區塊之各個中，依輸出基板至搬入模組的順序，藉由搬運機構將基板依序搬運至模組群並傳遞至搬出模組之步驟；(5-c)依輸出基板至搬入模組的順序，將基板從搬出模組取出之步驟；(5-d)從該搬出模組直接往後段模組搬運基板，或是先暫時搬運至基板載置部，然後再搬運至後段模組，如此，依平時輸出基板至搬入模組之一定順序，搬運基板至後段模組之步驟。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之基板處理方法，其中，該基板處理方法使參照搬運排程(該搬運排程係賦予基板序號，並將基板之序號與各模組相對應而指定搬運循環之搬運循環資料依時間系列排列而作成)，並正被寫入搬運循環資料之基板，能搬運到對應該基板之模組，而藉由該單位區塊中之搬運機構，從一模組取出基板，並在接收下一個模組的基板後，將先前之基板傳遞到該下一個模組，如此，藉由將置於各模組之基板移動到次一序號的模組，以實行一個搬運循環，並於實行完該一搬運循環後，進行下一個搬運循環，並藉由依序實行各搬運循環，將基板從該模組群中序號小的模組依序搬運至序號大的模組，以執行既定的處理；且該基板處理方法更包含：在包含於該單位區塊之多重模組中之至少一個成為不能使用的無法使用之模組且至少一個模組為可使用的狀態時，所執行的下列(6)之步驟；(6)　(6-a)於產生了無法使用之模組的單位區塊中，為了不將基板搬運到該無法使用之模組，而改寫該搬運排程之步驟；(6-b)該複數單位區塊中搬入到搬入模組的基板，與此時使用中之搬運排程在該搬運循環中置於搬入模組的基板為相異時，為了使搬入至該搬入模組之基板與該搬運循環中置於搬入模組的基板成為相同，而改寫該搬運排程之步驟。
  11. 如申請專利範圍第9或10項所述之基板處理方法，其中，該多重模組係在基板形成塗佈膜之塗佈膜形成模組；該基板處理方法更包含以下步驟：藉由設置於該塗佈膜形成模組之塗佈膜形成機構，以在基板塗佈藥液而形成塗佈膜之步驟；以及在塗佈膜形成模組變為無法使用之模組時，藉由塗佈膜除去機構，以除去正被搬入到該無法使用之模組的基板之該塗佈膜之步驟；且該(5)之動作係將該基板除外而執行。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之基板處理方法，其更包含以下步驟：藉由變為無法使用之模組的塗佈膜形成模組之該塗佈膜除去機構，將已除去塗佈膜之基板搬運到包含該塗佈膜形成模組之單位區塊的可使用之塗佈膜形成模組或是其它單位區塊的可使用之塗佈膜形成模組之步驟；在塗佈膜形成模組中，於該基板再度形成塗佈膜之步驟；以及將再度形成該塗佈膜之基板往後段模組搬運之步驟。
TW100129359A 2010-09-06 2011-08-17 基板處理裝置及基板處理方法 TWI479587B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010198888 2010-09-06
JP2011154043A JP2012080077A (ja) 2010-09-06 2011-07-12 基板処理装置及び基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201230227A TW201230227A (en) 2012-07-16
TWI479587B true TWI479587B (zh) 2015-04-01

Family

ID=45770915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100129359A TWI479587B (zh) 2010-09-06 2011-08-17 基板處理裝置及基板處理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8916229B2 (zh)
JP (1) JP2012080077A (zh)
KR (1) KR101676049B1 (zh)
CN (1) CN102386119B (zh)
TW (1) TWI479587B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5901477B2 (ja) * 2012-09-10 2016-04-13 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP2014067910A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5928283B2 (ja) * 2012-09-28 2016-06-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板搬送方法及び記憶媒体
JP6863114B2 (ja) * 2017-06-16 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6655689B1 (ja) * 2018-09-21 2020-02-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7387316B2 (ja) * 2019-07-19 2023-11-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システムおよび基板搬送方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080015832A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Philippe Tardy Method for Predicting Acid Placement in Carbonate Reservoirs
US7596425B2 (en) * 2003-06-13 2009-09-29 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate detecting apparatus and method, substrate transporting apparatus and method, and substrate processing apparatus and method

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124301A (ja) * 1998-10-13 2000-04-28 Tokyo Electron Ltd 容器載置ユニット、容器収納装置、及び処理装置
JP3916468B2 (ja) * 2002-01-11 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2003318079A (ja) * 2002-04-19 2003-11-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理システム
JP4955976B2 (ja) * 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4716362B2 (ja) * 2005-06-07 2011-07-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
JP4450784B2 (ja) 2005-10-19 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4542984B2 (ja) * 2005-11-24 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
US20070250202A1 (en) * 2006-04-17 2007-10-25 Tokyo Electron Limited Coating and developing system, method of controlling coating and developing system and storage medium
JP2008198820A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP4388563B2 (ja) * 2007-03-27 2009-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US7496423B2 (en) * 2007-05-11 2009-02-24 Applied Materials, Inc. Method of achieving high productivity fault tolerant photovoltaic factory with batch array transfer robots
JP4877075B2 (ja) * 2007-05-29 2012-02-15 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体
TW200919117A (en) 2007-08-28 2009-05-01 Tokyo Electron Ltd Coating-developing apparatus, coating-developing method and storage medium
JP2008098670A (ja) * 2007-12-21 2008-04-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置の障害対処システム
JP5344734B2 (ja) * 2007-12-28 2013-11-20 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5059685B2 (ja) * 2008-05-20 2012-10-24 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5056582B2 (ja) * 2008-05-22 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7596425B2 (en) * 2003-06-13 2009-09-29 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate detecting apparatus and method, substrate transporting apparatus and method, and substrate processing apparatus and method
US20080015832A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Philippe Tardy Method for Predicting Acid Placement in Carbonate Reservoirs

Also Published As

Publication number Publication date
CN102386119B (zh) 2015-03-25
US20120058253A1 (en) 2012-03-08
KR101676049B1 (ko) 2016-11-14
KR20120024388A (ko) 2012-03-14
US8916229B2 (en) 2014-12-23
TW201230227A (en) 2012-07-16
CN102386119A (zh) 2012-03-21
JP2012080077A (ja) 2012-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI479587B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP5168300B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR101010779B1 (ko) 도포, 현상 장치, 그 방법 및 기억 매체
KR101638639B1 (ko) 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체
TWI600106B (zh) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and memory medium
US20080129968A1 (en) Coating and developing system, coating and developing method and storage medium
JP4079861B2 (ja) 基板処理装置
US10656524B2 (en) Substrate processing apparatus including transport device
TWI525739B (zh) 基板處理裝置
JP6243784B2 (ja) 基板処理装置
JP4770938B2 (ja) 基板処理装置
KR101667432B1 (ko) 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체
JP5626167B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
TWI536488B (zh) A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a memory medium
JP5904294B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP5541251B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5267691B2 (ja) 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体
JP2008311578A (ja) 基板処理方法および基板処理装置