JP6655689B1 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】第１処理部により第１処理が施された基板に対して第２処理部により加熱処理を含む第２処理を施す基板処理装置および基板処理方法において、加熱処理時間のばらつきを抑えて高品質な基板を製造する。【解決手段】互いに異なる位置で基板の受渡しを行う第１受渡部および第２受渡部を設け、搬送機構はタクトタイムの整数倍の受取タイミングで第１受渡部および第２受渡部のうちの一方の受渡部から基板を受け取った後でホットプレートユニットに搬送し、搬送部は受取タイミングと異なる払出タイミングで一方の受渡部への基板の払い出しを行っている間に第１処理部においてメンテナンス動作が実行されて払出タイミングが変動すると、基板の払出先を一方の受渡部から他方の受渡部に切り替える。【選択図】図４

Description

この発明は、基板に対して第１処理部により第１処理を実行した後で当該基板を第２処理部に搬送して第２処理を実行する基板処理装置および基板処理方法に関するものである。

この種の基板処理装置としては、例えば特許文献１に記載のように、液晶表示装置用ガラス基板（以下、基板と称する）に対してレジスト液の塗布、露光、および露光後の現像を行う装置が知られている。この基板処理装置においては、露光処理を行う前に基板の表面に良好なレジスト膜を形成するために、塗布部、減圧乾燥部およびプリベーク部が設けられている。塗布部はノズルの先端部に設けられた吐出口から基板の表面に向けて処理液としてレジスト液を吐出してレジスト液の塗膜を形成する。そして、減圧乾燥部は基板の表面に塗布された当該レジスト液の溶媒を減圧により蒸発させて、基板を乾燥させる。さらに、プリベーク部はホットプレートユニットにより基板を加熱し、基板の表面上のレジスト成分を固化させる。

特許文献１に詳しく記載されていないが、プリベーク部は、上記ホットプレートユニット以外に、ホットプレートユニットにより加熱された基板を冷却するクールプレートユニットと、減圧乾燥後の基板をホットプレートユニットおよびクールプレートユニットの順序で搬送する搬送機構とを有している。搬送機構は、コンベアや搬送ロボットなどの搬送部により減圧乾燥部から搬送されて払い出される基板の受取と、当該基板のホットプレートユニットへの搬送と、ホットプレートユニットからクールプレートユニットへの搬送と、クールプレートユニットで冷却処理された基板の搬出とを１サイクル動作として所定のタクトタイムで繰り返し実行する。一方、上記搬送部は、搬送機構による基板の受取動作と干渉しない払出タイミングで減圧乾燥が施された基板をプリベーク部に向けて搬送して払い出す払出動作をタクトタイム間隔で実行する。このように減圧乾燥部からプリベーク部への基板の搬送（搬送部による基板の払出）と、プリベーク部での基板の搬送（搬送機構による基板の受取）とは整合されており、高品質なレジスト膜の形成を連続的に行うことが可能となっている。

特開２０１８−１２９３３７号公報

ところで、塗布部は上記したようにノズルの吐出口からレジスト液を吐出して塗布処理を実行しているため、基板の処理枚数が増えるにしたがってノズルの先端部へのレジスト液の付着量が増大していき、塗布処理の精度低下を招いてしまう。そこで、塗布部では、処理枚数が一定値、例えば１００枚に達する毎に、ノズルの先端部を洗浄するなどのメンテナンス動作を定期的に行った上で塗布処理ならびに当該塗布処理に続く減圧乾燥処理を再開している。このメンテナンス動作に要する時間は上記タクトタイムと直接的に関連していないため、メンテナンス動作の完了後においては、多くの場合、払出タイミングが変動して減圧乾燥部からプリベーク部への基板の搬送とプリベーク部での基板の搬送とは非整合状態となる。

従来技術においては、非整合状態となることで塗布部や減圧乾燥部で基板の停滞が発生するのを避けるために、基板払い出し予告信号によりプリベーク部の搬送機構の動作を規制していた。より具体的には、減圧乾燥部から搬送されてくる基板の受け取りを優先させていた。その結果、基板がホットプレートユニットに留め置かれる時間が設定値よりも長くなり、加熱処理時間のばらつきが生じて基板の品質低下を招くことがあった。

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、第１処理部により第１処理が施された基板に対して第２処理部により加熱処理を含む第２処理を施す基板処理装置および基板処理方法において、加熱処理時間のばらつきを抑えて高品質な基板を製造することを目的とする。

この発明の一態様は、第１処理部により第１処理が施された基板に対して第２処理部により第２処理を施す基板処理装置であって、第１処理部から第２処理部への基板の受渡しを行う第１受渡部と、第１受渡部と異なる位置で第１処理部から第２処理部への基板の受渡しを行う第２受渡部と、第１処理部から基板を第１受渡部または第２受渡部に選択的に搬送して払い出す搬送部とを備え、第２処理部は、基板を加熱するホットプレートユニットと、ホットプレートユニットにより加熱された基板を冷却するクールプレートユニットと、ホットプレートユニットおよびクールプレートユニットの順序で基板を搬送する搬送機構とを有し、所定のタクトタイムで第２処理として加熱処理および冷却処理を実行し、搬送機構は、タクトタイムの整数倍の受取タイミングで第１受渡部および第２受渡部のうちの一方の受渡部から基板を受け取った後でホットプレートユニットに搬送し、搬送部は、受取タイミングと異なる払出タイミングで一方の受渡部への基板の払い出しを行っている間に第１処理部においてメンテナンス動作が実行されて払出タイミングが変動すると、基板の払出先を一方の受渡部から他方の受渡部に切り替えることを特徴としている。

また、この発明の他の態様は、基板処理方法であって、第１処理部により基板に対して第１処理を施し、基板を第１処理部から第１受渡部または第２受渡部に選択的に搬送して払い出す第１工程と、第１受渡部および第２受渡部のうちの一方の受渡部から第１処理が施された基板を受け取り、ホットプレートユニットおよびクールプレートユニットの順序で搬送しながら所定のタクトタイムで基板に対して加熱処理および冷却処理を実行する第２工程とを備え、第２工程では、タクトタイムの整数倍の受取タイミングで一方の受渡部から基板を受け取り、第１工程では、受取タイミングと異なる払出タイミングで一方の受渡部への基板の払い出しを行っている間に第１処理部においてメンテナンス動作が実行されて払出タイミングが変動すると、基板の払出先を一方の受渡部から他方の受渡部に切り替えることを特徴としている。

このように構成された発明では、第１処理部による第１処理が繰り返して実行されている間、第１処理が施された基板は受取タイミングと異なる払出タイミングで一方の受渡部に払い出されており、搬送部による基板の払出と、搬送機構による基板の受取とは整合されている。しかしながら、第１処理部においてメンテナンス動作が実行されると、払出タイミングが変動して非整合状態となり、受取タイミングと一致することがある。この場合、一方の受渡部で搬送部と搬送機構とが干渉してしまう。そこで、本発明では、払出タイミングの変動に伴って基板の払出先を一方の受渡部から他の受渡部に切り替え、上記干渉を回避しながら受渡部からの基板の受取タイミングの間隔をタクトタイムの整数倍に整え、第２処理部での第２処理を所定のタクトタイムで継続させている。

以上のように、本発明によれば、互いに異なる２つの受渡部を設け、第１処理部でのメンテナンス動作による払出タイミングの変動に応じて基板の払出先を切り替えている。このため、メンテナンス動作の影響を受けることなく、第２処理部では一定のタクトタイムを維持しながら基板がホットプレートユニットおよびクールプレートユニットの順序で搬送される。その結果、加熱処理時間のばらつきを抑えて高品質な基板を製造することができる。

本発明に係る基板処理装置の一実施形態の概略構成を示す上面図である。 プリベーク部の構成を概略的に示す側面図である。 図１に示す基板処理装置における基板の搬送態様を示す模式図である。 図１に示す基板処理装置における基板の搬送態様を示す模式図である。

図１は本発明に係る基板処理装置の一実施形態の概略構成を示す上面図である。基板処理装置１は基板に対してレジスト液の塗布（塗布処理）、減圧乾燥処理およびプリベーク処理を行う装置である。この基板処理装置１は上記３つの処理を行う専用装置として構成されてもよいし、特許文献１に記載の装置に組み込まれる形で構成されてよい。

基板処理装置１は、塗布処理を行う塗布部１０と、減圧乾燥処理を行う減圧乾燥部２０と、プリベーク処理を行うプリベーク部３０と、これら３つの処理部（塗布部１０、減圧乾燥部２０およびプリベーク部３０）に取り囲まれるように配置された搬送ロボットＴＲと、搬入側受渡部ＩＰ１、ＩＰ２と、搬出側受渡部ＯＰとを備えている。この搬送ロボットＴＲは、その周囲に配置された塗布部１０、減圧乾燥部２０および搬入側受渡部ＩＰ１、ＩＰ２にアクセス可能に構成されており、それらの間で基板を搬送する。より具体的には、搬送ロボットＴＲは装置全体を制御する制御部４０により制御され、次の基板搬送を行う。すなわち、搬送ロボットＴＲは、図示を省略する基板洗浄部により微細なパーティクルをはじめ、有機汚染や金属汚染、油脂、自然酸化膜等が除去された清浄な基板を受け取ると、当該基板を塗布部１０に搬送する。また、搬送ロボットＴＲは塗布部１０により表面にレジスト液（処理液）の塗膜が形成された基板を受け取り、減圧乾燥部２０に搬送する。さらに、搬送ロボットＴＲは減圧乾燥部２０により減圧乾燥処理された基板を受け取り、搬入側受渡部ＩＰ１、ＩＰ２の一方に選択的に搬送して当該基板を払い出す。なお、本実施形態では、清浄な基板の塗布部１０への搬送が搬送ロボットＴＲにより行われるが、搬送ロボットＴＲと異なる搬送手段により塗布部１０への基板の搬送を行うように構成してもよい。

図２はプリベーク部の構成を概略的に示す側面図である。プリベーク部３０は、図１および図２に示すように、搬送ロボットＴＲに隣接した位置でホットプレートユニットＨＰ１〜ＨＰ４を積層した加熱側積層体３１を有している。また、加熱側積層体３１では、搬入側受渡部ＩＰ１がホットプレートユニットＨＰ１の上方に配置されるとともに当該搬入側受渡部ＩＰ１の上方に別の搬入側受渡部ＩＰ２が配置されている。こうして、加熱側積層体３１では、下方側よりホットプレートユニットＨＰ４〜ＨＰ１、搬入側受渡部ＩＰ１および搬入側受渡部ＩＰ２がこの順序で積層されている。なお、搬入側受渡部ＩＰ１、ＩＰ２は鉛直方向において互いに異なる位置に設けられているが、ともに減圧乾燥部２０からプリベーク部３０に基板を受け渡す機能を果たす。そこで、両者を明確に区別するために、以下においては搬入側受渡部ＩＰ１、ＩＰ２をそれぞれ「第１受渡部ＩＰ１」および「第２受渡部ＩＰ２」と称する。

また、加熱側積層体３１から反搬送ロボット側（図１の右手側）に離間した位置でクールプレートユニットＣＰ１〜ＣＰ３を積層した冷却側積層体３２が配置されている。この冷却側積層体３２では、搬出側受渡部ＯＰがクールプレートユニットＣＰ１の上方に配置されている。こうして、冷却側積層体３２では、下方側よりクールプレートユニットＣＰ３〜ＣＰ１および搬出側受渡部ＯＰがこの順序で積層されている。

さらに、加熱側積層体３１と冷却側積層体３２との間に搬送機構３３が設けられている。この搬送機構３３は互いに独立して駆動可能な２つの基板保持ハンドＨＤ１、ＨＤ２を有している。各基板保持ハンドＨＤ１、ＨＤ２は第１受渡部ＩＰ１、第２受渡部ＩＰ２、ホットプレートユニットＨＰ１〜ＨＰ４、クールプレートユニットＣＰ１〜ＣＰ３および搬出側受渡部ＯＰに対してアクセス可能となっており、制御部４０からの動作指令に応じて各部から基板を受け取り、また各部に基板を搬送する。

制御部４０は、図１に示されるように、例えば、ＣＰＵ４１、ＲＯＭ４２、ＲＡＭ４３、記憶装置４４等が、バスライン４５を介して相互接続された一般的なコンピュータによって構成される。ＲＯＭ４２は基本プログラム等を格納しており、ＲＡＭ４３はＣＰＵ４１が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置４４は、フラッシュメモリ、あるいは、ハードディスク装置等の不揮発性の記憶装置によって構成される。

また、制御部４０では、入力部４６、表示部４７、通信部４８もバスライン４５に接続されている。入力部４６は、各種スイッチ、タッチパネル等により構成されており、オペレータから処理レシピ等の各種の入力設定指示を受ける。表示部４７は、液晶表示装置、ランプ等により構成されており、ＣＰＵ４１による制御のもと各種の情報を表示する。通信部４８は、ＬＡＮ等を介したデータ通信機能を有する。

制御部４０の記憶装置４４には、基板処理装置１により基板を処理する処理プログラムが予め記憶されている。そして、ＣＰＵ４１が記憶装置４４から処理プログラムを読み出し、処理プログラムＰを実行する。これによって、塗布部１０による塗布処理および減圧乾燥部２０による減圧乾燥処理を受けた基板は、搬送ロボットＴＲにより減圧乾燥部２０から取り出され、次に説明するように第１受渡部ＩＰ１または第２受渡部ＩＰ２に払い出される。なお、払い出された基板は搬送機構３３のハンドＨＤ１、ＨＤ２に受け取られ、プリベーク部３０に搬入される。

ここで、１枚の基板について着目すると、プリベーク部３０では、基板は以下のように搬送されつつ加熱処理および冷却処理を受ける。つまり、搬送機構３３によって基板はホットプレートユニットＨＰ１〜ＨＰ４のいずれか１つまで搬送され、加熱処理を受ける。各ホットプレートユニットＨＰ１〜ＨＰ４では、加熱処理が終了した基板の持続的保持が禁止される。このため、加熱処理が終了すると速やかに当該基板は搬送機構３３によってクールプレートユニットＣＰ１〜ＣＰ３のいずれか１つに搬送され冷却処理を受ける。クールプレートユニットＣＰ１〜ＣＰ３では冷却処理が終了した基板の持続的保持が許容され、所望のタイミングで当該基板は搬出側受渡部ＯＰに搬送され、別の基板処理部や基板処理装置への搬出まで搬出側受渡部ＯＰで待機する。

一方、プリベーク部３０は最大７枚の基板を並行して処理することができ、図３および図４に示すように、搬送ロボットＴＲによる基板の払出に連動して、第１受渡部ＩＰ１や第２受渡部ＩＰ２からの基板の受取、基板の加熱処理、基板の冷却処理および搬出側受渡部ＯＰへの基板の搬出を１サイクルとする処理を繰り返して実行する。以下、図３および図４を参照しつつ、搬送ロボットＴＲによる基板搬送およびプリベーク部３０での基板搬送について詳述する。

図３および図４は図１に示す基板処理装置における基板の搬送態様を示す模式図である。なお、図中の基板Ｇ１〜Ｇ１１における数字部分は、プリベーク部３０内に搬入された基板の順序に対応する。プリベーク部３０内に搬入された各基板は、搬入された順序に沿って、加熱処理および冷却処理を施され、搬出側受渡部ＯＰから搬出される。

塗布部１０および減圧乾燥部２０での処理と、プリベーク部３０での処理とが予め設定されたレシピで実行されている間、減圧乾燥部２０から第１受渡部ＩＰ１への基板の払出と、第１受渡部ＩＰ１からの基板の受取とは整合されている。このように整合を保った状態で、例えば図３に示すタイミングＴ(n+1)で（ｎ＋１）回目のサイクルが開始された場合、プリベーク部３０の搬送機構３３はタイミングＴ(n+1)で基板を受け取った後で予め設定されたシーケンスで基板を搬送する一方で、搬送ロボットＴＲは予め設定された払出タイミングＴａで減圧乾燥部２０から第１受渡部ＩＰ１に払い出す。また、（ｎ＋１）回目のサイクルでは、基板Ｇ１〜Ｇ３がそれぞれクールプレートユニットＣＰ１〜ＣＰ３に保持されて冷却処理が実行され、基板Ｇ４〜Ｇ７がそれぞれホットプレートユニットＨＰ１〜ＨＰ４に保持されて加熱処理が実行されている。また、この受取タイミングＴ(n+1)において第１受渡部ＩＰ１への基板Ｇ８の払出は既に完了しているため、搬送ロボットＴＲの基板保持ハンドは空の状態であり、第１受渡部ＩＰ１から離間しており、搬送機構３３との干渉は回避されている。この状態でプリベーク部３０の搬送機構３３は同図中の矢印Ａ１に示すように第１受渡部ＩＰ１から基板Ｇ８を受け取り、基板保持ハンドＨＤ１で保持する。

そして、搬送機構３３はホットプレートユニットＨＰ１〜ＨＰ４のうち加熱処理を完了したホットプレートユニット（同図では、ＨＰ１）まで基板Ｇ８を搬送する。それに続いて、搬送機構３３は、当該ホットプレートユニットＨＰ１に保持されている基板Ｇ４と、基板保持ハンドＨＤ１で保持する基板Ｇ８とを交換する。すなわち、矢印Ａ２で示すように空の基板保持ハンドＨＤ２でホットプレートユニットＨＰ１から加熱処理完了直後の基板Ｇ４を取出した後、矢印Ａ３で示すように他方の基板保持ハンドＨＤ１からホットプレートユニットＨＰ１に基板Ｇ８を渡す。これにより、基板Ｇ８に対してホットプレートユニットＨＰ１による加熱処理が開始される。

また、図３への図示を省略するが、搬送機構３３は基板Ｇ４を保持したままクールプレートユニットＣＰ１〜ＣＰ３のうち冷却処理を完了したクールプレートユニット（同図ではＣＰ１）まで基板Ｇ４を搬送する。それに続いて、搬送機構３３は、当該クールプレートユニットＣＰ１に保持されている基板Ｇ１と、基板保持ハンドＨＤ２で保持する基板Ｇ４とを交換する。当該交換が完了すると、搬送機構３３は加熱処理および冷却処理のいずれも完了した基板Ｇ１を基板保持ハンドＨＤ１で保持したまま搬出側受渡部ＯＰまで基板Ｇ１を搬送する。そして、図３の矢印Ａ４で示すように、当該払出タイミングＴａで基板保持ハンドＨＤ１から搬出側受渡部ＯＰに基板Ｇ１を払い出す。これと並行して、同図の矢印Ａ５に示すように、搬送ロボットＴＲは減圧乾燥部２０から基板Ｇ９を受け取り、第１受渡部ＩＰ１に払い出す。そして、次の（ｎ＋２）回目のサイクルがタイミングＴ(n+2)より開始される。このようにタクトタイムＴＴの間にプリベーク部３０で一連の処理が実行されるとともに、塗布処理および減圧乾燥処理が施された基板については受取タイミングＴ(n+1)、Ｔ(n+2)と異なる払出タイミングＴａで第１受渡部ＩＰ１に払い出されている。したがって、搬送部ＴＲによる基板の払出と、搬送機構３３による基板の受取とは整合されており、搬送ロボットＴＲと搬送機構３３との干渉を確実に防止しながら種々の基板処理が並行して実行される。

上記のように第１受渡部ＩＰ１の上流側（塗布部１０および減圧乾燥部２０）と第１受渡部ＩＰ１の下流側（プリベーク部３０）とで各種処理の整合性が確立している間、第１受渡部ＩＰ１への基板の払出と第１受渡部ＩＰ１からの基板の受取はマッチングしており、この状態で上記（ｎ＋１）回目と同様にしてサイクル動作が繰り返して実行される。

既に周知のように、塗布部１０では定期的にノズルの先端部を洗浄するなどのメンテナンス動作を実行する必要がある。例えば図３に示すように（ｎ＋２）回目のサイクルを実行している間に塗布部１０でメンテナンスが要求されることがある。この場合、減圧乾燥部２０で仕掛中の基板Ｇ１０については減圧乾燥処理を進め、（ｎ＋２）回目のサイクルにおける払出タイミングＴａで基板Ｇ１０を第１受渡部ＩＰ１に払い出すことができる。また、プリベーク部３０および第１受渡部ＩＰ１に存在している基板Ｇ３〜Ｇ１０については、それ以前と同一の処理を所定のタクトタイムＴＴ（図３中の時間（＝Ｔ(n+2)−Ｔ(n+1)）で継続して実行することができる。

一方、塗布部１０では、メンテナンス動作を実行している間だけ塗布処理を中断し、メンテナンス終了後に塗布処理が再開される。このため、図４への図示を省略しているが、塗布処理の再開後のタイミングＴ(n+4)では、第１受渡部ＩＰ１および第２受渡部ＩＰ２
のいずれにも基板は存在しておらず、その結果、タイミングＴ(n+4)で基板の受取動作は実行されない（つまり、タイミングＴ(n+4)は受取タイミングではない）。また、第１受渡部ＩＰ１の上流側（塗布部１０および減圧乾燥部２０）と第１受渡部ＩＰ１の下流側（プリベーク部３０）とで処理の整合性は崩れている。つまり、図４の破線で示すように、メンテナンス動作に要した時間だけ払出タイミングが「Ｔａ」から［Ｔｂ」に変動する。図４に示すケースでは、払出タイミングＴｂは搬送機構３３の第１受渡部ＩＰ１へのアクセスタイミング、つまり基板の受取タイミングＴ(n+5)）と相違しているが、メンテナンス動作の内容などによっては受取タイミングＴ(n+5)と一致して第１受渡部ＩＰ１で搬送部ＴＲと搬送機構３３の基板保持ハンドＨＤ１とが相互に干渉することがある。

そこで、本実施形態では、図４に示すように、基板の払出先を第１受渡部ＩＰ１から第２受渡部ＩＰ２に切り替えて上記干渉を確実に防止しながら、前回の基板の受取タイミングＴ(n+3)からタクトタイムＴＴの２倍の間隔が経過した受取タイミングＴ(n+5)で基板Ｇ１１を搬送機構３３の基板保持ハンドＨＤ１で受け取る（矢印Ａ６）。そして、上記（ｎ＋１）回目と同様にしてサイクル動作が繰り返して実行される。

以上のように、本実施形態によれば、互いに異なる２つの受渡部ＩＰ１、ＩＰ２を設け、塗布部１０でのメンテナンス動作による払出タイミングの変動（Ｔａ→Ｔｂ）に応じて基板の払出先を第１受渡部ＩＰ１から第２受渡部ＩＰ２に切り替えている。このため、メンテナンス動作の影響を受けることなく、プリベーク部３０では一定のタクトタイムＴＴを維持しながら基板に対して加熱処理および冷却処理を施すことができる。その結果、加熱処理時間のばらつきを抑えて高品質な基板を製造することができる。

このように、本実施形態では、プリベーク部３０が本発明の「第２処理部」の一例に相当しており、プリベーク部３０において基板Ｇ１〜Ｇ１１をタクトタイムＴＴで搬送しながらホットプレートユニットＨＰ１〜ＨＰ４により加熱処理およびクールプレートユニットＣＰ１〜ＣＰ３により冷却処理を実行する一連の処理が本発明の「第２処理」の一例に相当している。また、上記一連の処理を行う前に行う処理、つまり塗布部１０による塗布処理および減圧乾燥部２０による減圧乾燥処理が本発明の「第１処理」の一例に相当し、当該第１処理を実行する塗布部１０および減圧乾燥部２０が本発明の「第１処理部」の一例に相当している。また、第１受渡部ＩＰ１が本発明の「一方の受渡部」の一例に相当している。また、搬送ロボットＴＲが本発明の「搬送部」の一例に相当している。

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、搬送ロボットＴＲが塗布部１０、減圧乾燥部２０、第１受渡部ＩＰ１および第２受渡部ＩＰ２にアクセスして相互間で基板を搬送しているが、塗布部１０から減圧乾燥部２０への基板の搬送を専用の搬送手段により行うように構成してもよい。

また、上記実施形態では、搬送ロボットＴＲが本発明の「搬送部」として機能しているが、搬送ロボットＴＲの代わりに、他の搬送手段、例えばコンベアやシャトル機構などを用いてもよい。

また、上記実施形態では、塗布処理が施された基板に対して減圧乾燥処理を施した上でプリベーク部３０に搬送して加熱処理および冷却処理を実行しているが、塗布処理が施された基板が第１受渡部ＩＰ１を介してプリベーク部３０に搬送される基板処理装置、つまり減圧乾燥部を省略した基板処理装置に対して本発明を適用することができる。

また、上記実施形態では、ホットプレートユニットおよびクールプレートユニットがそれぞれ４台および３台設けられているが、これらの台数は任意である。

さらに、基板は上記した液晶表示装置用ガラス基板に限定されるものではなく、半導体ウェハ、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルター用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板、電子ペーパー用基板等の精密電子装置用基板などが本発明の「基板」に含まれる。

この発明は、基板に対して第１処理部により第１処理を実行した後で当該基板を第２処理部に搬送して第２処理を実行する基板処理技術全般に適用することができる。

１…基板処理装置
１０…塗布部
２０…減圧乾燥部
３０…プリベーク部
３３…搬送機構
ＣＰ１〜ＣＰ３…クールプレートユニット
Ｇ１〜Ｇ１１…基板
ＨＰ１〜ＨＰ４…ホットプレートユニット
ＩＰ１…第１受渡部
ＩＰ２…第２受渡部
Ｔａ、Ｔｂ…払出タイミング
ＴＴ…タクトタイム
ＴＲ…搬送ロボット（搬送部）
Ｔ(n+1)、Ｔ(n+2)、Ｔ(n+3)、Ｔ(n+5)…受取タイミング

Claims (5)

1. 第１処理部により第１処理が施された基板に対して第２処理部により第２処理を施す基板処理装置であって、
   前記第１処理部から前記第２処理部への前記基板の受渡しを行う第１受渡部と、
   前記第１受渡部と異なる位置で前記第１処理部から前記第２処理部への前記基板の受渡しを行う第２受渡部と、
   前記第１処理部から前記基板を前記第１受渡部または前記第２受渡部に選択的に搬送して払い出す搬送部とを備え、
   前記第２処理部は、前記基板を加熱するホットプレートユニットと、前記ホットプレートユニットにより加熱された前記基板を冷却するクールプレートユニットと、前記ホットプレートユニットおよび前記クールプレートユニットの順序で前記基板を搬送する搬送機構とを有し、所定のタクトタイムで前記第２処理として加熱処理および冷却処理を実行し、
   前記搬送機構は、前記タクトタイムの整数倍の受取タイミングで前記第１受渡部および前記第２受渡部のうちの一方の受渡部から前記基板を受け取った後で前記ホットプレートユニットに搬送し、
   前記搬送部は、前記受取タイミングと異なる払出タイミングで前記一方の受渡部への前記基板の払い出しを行っている間に前記第１処理部においてメンテナンス動作が実行されて前記払出タイミングが変動すると、前記基板の払出先を前記一方の受渡部から他方の受渡部に切り替える
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記第１受渡部および前記第２受渡部は互いに積層して設けられる基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
   前記第１処理部は、前記基板に処理液を塗布して塗膜を形成する塗布部を有し、前記第１処理として塗布処理を実行する基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
   前記第１処理部は、前記塗布部により形成された前記塗膜を減圧乾燥する減圧乾燥部をさらに備え、前記第１処理として減圧乾燥処理をさらに実行する基板処理装置。
5. 第１処理部により基板に対して第１処理を施し、前記基板を前記第１処理部から第１受渡部または前記第１受渡部と異なる第２受渡部に選択的に搬送して払い出す第１工程と、
   前記第１受渡部および前記第２受渡部のうちの一方の受渡部から前記第１処理が施された前記基板を受け取り、ホットプレートユニットおよびクールプレートユニットの順序で搬送しながら所定のタクトタイムで前記基板に対して加熱処理および冷却処理を実行する第２工程とを備え、
   前記第２工程では、前記タクトタイムの整数倍の受取タイミングで前記一方の受渡部から前記基板を受け取り、
   前記第１工程では、前記受取タイミングと異なる払出タイミングで前記一方の受渡部への前記基板の払い出しを行っている間に前記第１処理部においてメンテナンス動作が実行されて前記払出タイミングが変動すると、前記基板の払出先を前記一方の受渡部から他方の受渡部に切り替える
   ことを特徴とする基板処理方法。

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