KR101676049B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101676049B1
KR101676049B1 KR1020110075194A KR20110075194A KR101676049B1 KR 101676049 B1 KR101676049 B1 KR 101676049B1 KR 1020110075194 A KR1020110075194 A KR 1020110075194A KR 20110075194 A KR20110075194 A KR 20110075194A KR 101676049 B1 KR101676049 B1 KR 101676049B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
module
substrate
transfer
wafer
modules
Prior art date
Application number
KR1020110075194A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120024388A (ko
Inventor
아키라 미야타
겐이치로우 마츠야마
구니에 오가타
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20120024388A publication Critical patent/KR20120024388A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101676049B1 publication Critical patent/KR101676049B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/12—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain a coating with specific electrical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/6723—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one plating chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 멀티 모듈을 구성하는 모듈이 사용 불가 모듈이 되었을 때에, 작업 처리량의 저하를 억제하는 것을 과제로 한다.
사용 불가 모듈이 발생한 이후에는, 복수의 단위 블록에 있어서 가장 빠르게 배치 가능해진 반입 모듈에 기판을 지급하고, 상기 복수의 단위 블록의 각각에서는, 기판이 반입 모듈에 지급된 순서에 따라, 반송 수단에 의해 기판을 모듈군에 순차 반송하여 반출 모듈에 전달한다.
그리고, 기판이 반입 모듈에 지급된 순서에 따라, 기판을 반출 모듈로부터 추출하고, 후단 모듈 또는 기판 배치부에 반송한다. 이 후, 통상 시에 기판이 반입 모듈에 지급되는 일정한 순서에 따라, 반출 모듈 또는 기판 배치부로부터 후단 모듈에 기판을 반송한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은 예컨대 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(액정 디스플레이용 유리 기판) 등의 기판의 표면에 처리액을 공급하여 정해진 기판 처리, 예컨대 레지스트액의 도포나, 노광 후의 현상 처리 등을 행하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 정해진 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 상기 레지스트 패턴을 형성하기 위한 도포, 현상 장치에는, 웨이퍼에 각종 처리를 행하기 위한 처리 모듈 등을 구비한 처리 블록이 마련되어 있다.
처리 블록은, 예컨대 특허문헌 1에 기재되는 바와 같이, 레지스트막 등의 각종 도포막을 형성하는 단위 블록 및 현상 처리를 행하는 단위 블록을 서로 적층함으로써 구성되어 있다. 이들 단위 블록에는, 레지스트액이나 현상액의 도포 처리를 행하는 복수개의 액처리 모듈이나, 가열 처리를 행하는 복수개의 가열 모듈이 삽입되어 있다.
이러한 레지스트 패턴 형성 장치에서는, 작업 처리량 향상의 관점에서, 웨이퍼에 대하여 동일한 처리를 행하는 단위 블록을 복수개 마련하며, 단위 블록에 마련되는 모듈을 멀티 모듈로서 설정하는 경우가 많다. 이 멀티 모듈이란, 반송의 순서가 동일하며, 웨이퍼에 대하여 동일한 처리를 행하는 복수의 모듈을 말한다. 그리고, 동일한 처리를 행하는 단위 블록을 복수 적층하는 경우에는, 특허문헌 2에 나타내는 바와 같이, 각각의 단위 블록에 순서대로 웨이퍼를 지급하고, 각각의 단위 블록에서 처리를 행한 후, 상기 지급한 순서에 따라 각각의 단위 블록으로부터 웨이퍼를 반출하고 있다.
이때, 웨이퍼는 미리 작성된 반송 스케줄에 따라 반송된다. 이 반송 스케줄은, 웨이퍼가 놓여지는 장소를 모듈이라고 부르면, 웨이퍼에 순서를 할당하여, 웨이퍼의 순서와 모듈의 순서를 대응지어 반송 사이클을 지정한 반송 사이클 데이터를 시계열로 배열하여 작성한 것이다.
그런데, 동일한 처리를 행하는 복수의 단위 블록 중 하나에 있어서, 멀티 모듈을 구성하는 하나의 모듈이, 트러블이나 메인터넌스 등의 이유에 의해 사용할 수 없게 되는 경우가 있다. 이때, 사용할 수 없는 사용 불가 모듈이 발생한 단위 블록에서는, 모듈의 가동률이 낮아지기 때문에 작업 처리량이 저하하지만, 이미 설명한 바와 같이, 웨이퍼를 복수의 단위 블록에 대하여 순서대로 지급하고, 처리가 행해진 웨이퍼를 각각의 단위 블록으로부터 지급의 순서에 따라 반출하는 구성에서는, 다른 단위 블록에서도 작업 처리량이 저하되어 버린다고 하는 문제가 있다.
예컨대 단위 블록이 2개 마련되어 있는 경우에는, 로트의 1번째의 웨이퍼(W1)로부터 순서대로 각각의 단위 블록에 대하여 웨이퍼(W)가 교대로 지급된다. 즉, 한쪽의 단위 블록에, 로트의 1번째 웨이퍼(W1), 3번째 웨이퍼(W3), 5번째 웨이퍼(W5···)의 순서로 지급되고, 다른쪽의 단위 블록에, 로트의 2번째 웨이퍼(W2), 4번째 웨이퍼(W4), 6번째 웨이퍼(W6···)의 순서로 지급된다.
여기서, 각각의 단위 블록에 n개의 액처리 모듈이 마련되어 있는 경우로서, 한쪽의 단위 블록의 액처리 모듈의 하나에 트러블이 발생하였다고 하면, 그 한쪽의 단위 블록의 액처리 모듈의 가동률은, (n-1)/n이 된다.
그리고, 다른쪽의 단위 블록에서는, 상기 한쪽의 단위 블록과의 사이에서 웨이퍼(W)가 교대로 지급되고, 각각의 단위 블록으로부터 반출되는 순서가 정해져 있기 때문에, 한쪽의 단위 블록에의 웨이퍼의 지급이나, 상기 한쪽의 단위 블록으로부터의 웨이퍼의 반출을 대기하지 않으면 안 되는 경우가 발생한다. 예컨대 한쪽의 단위 블록에, 로트의 7번째 웨이퍼(W7)가 반송되기 전에 상기 액처리 모듈에 트러블이 발생하였다고 하면, 상기 웨이퍼(W7)는 당초의 반송 사이클에서 트러블이 발생한 액처리 모듈에는 반송할 수 없기 때문에, 예컨대 다음 반송 사이클에서 다른 액처리 모듈에 반송된다.
따라서, 로트의 8번째의 웨이퍼(W8)는, 다른쪽의 단위 블록에 대하여, 상기 웨이퍼(W7)의 지급을 기다려 지급하게 된다. 이 때문에, 다른 액처리 모듈에서는, n개의 액처리 모듈을 사용할 수 있는 상태임에도 불구하고, 가동하지 않는 액처리 모듈이 발생하여 버려, 액처리 모듈의 가동률은 (n-1)/n이 되어 버린다.
따라서, 2개의 단위 블록에 합계 2n개의 액처리 모듈이 삽입되어 있고, 하나의 액처리 모듈에 트러블이 발생한 경우라도, 전체 액처리 모듈의 가동률은 (2n-2)/2n이 되며, 장치 전체의 작업 처리량이 저하되어 버린다. 이때, 단위 블록에의 웨이퍼의 지급의 순서를 바꾸거나, 웨이퍼의 반출의 순서를 바꾸고자 하면, 반송 제어가 매우 곤란해지며, 현실적이지 않다.
일본 특허 공개 제2007-115831호 일본 특허 공개 제2009-76893호(청구항 8)
본 발명은 이러한 사정 하에서 이루어진 것으로, 사용 불가 모듈이 발생하였을 때에, 작업 처리량의 저하를 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.
본 발명은, 반입 모듈에 놓여진 기판을, 각각 기판이 배치되며 반송의 순서가 결정된 모듈군에 반송 수단에 의해 한 장씩 반송하여 상기 모듈군의 하류단의 반출 모듈에 전달하며, 기판에 대하여 동일한 처리를 행하는 단위 블록을 복수층 구비한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 모듈군에 포함되고, 반송의 순서가 동일하며, 기판에 도포막을 형성하는 복수의 도포막 형성 모듈과,
상기 복수의 단위 블록의 각각의 반입 모듈에 기판의 지급을 행하는 제1 전달 수단과,
상기 반송 수단 및 제1 전달 수단을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 복수의 도포막 형성 모듈은 각각, 상기 도포막을 형성하기 위해 약액을 기판에 도포하는 도포막 형성 기구와, 도포막 형성 모듈이 사용 불가 모듈이 되었을 때에 상기 사용 불가 모듈에 반입되어 있는 기판의 상기 도포막을 제거하는 도포막 제거 기구를 가지며,
상기 제어부는, 상기 단위 블록에 포함되는 상기 복수의 도포막 형성 모듈 중, 적어도 하나가 사용 불가 모듈이 되고 또한 적어도 하나가 사용할 수 있는 상태에 있을 때에는, 제1 전달 수단에 의해, 복수의 단위 블록에 있어서, 가장 빠르게 배치 가능하게 된 반입 모듈에 기판을 지급하며, 상기 복수의 단위 블록의 각각에 있어서는, 상기 사용 불가 모듈에 반입되어 있는 기판과 동일 로트 내의 다른 기판을, 기판이 반입 모듈에 지급된 순서를 따라 상기 반송 수단에 의해 모듈군에 순차 반송하여 반출 모듈에 전달하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 한다.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
다른 발명은, 반입 모듈에 놓여진 기판을, 각각 기판이 배치되며 반송의 순서가 결정된 모듈군에 반송 수단에 의해 한 장씩 반송하여 상기 모듈군의 하류단의 반출 모듈에 전달하며, 기판에 대하여 동일한 처리를 행하는 단위 블록을 복수층 구비한 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서,
상기 모듈군에 포함되고, 반송의 순서가 동일한 복수의 도포막 형성 모듈의 각각에서, 상기 도포막을 형성하기 위해 약액을 기판에 도포하는 공정과,
제1 전달 수단에 의해, 상기 복수의 단위 블록의 각각의 반입 모듈에 기판의 지급을 행하는 공정과,
상기 도포막 형성 모듈이 사용 불가 모듈이 되었을 때에 상기 사용 불가 모듈에 반입되어 있는 기판의 상기 도포막을 상기 도포막 형성 모듈로 제거하는 공정과,
상기 단위 블록에 포함되는 상기 복수의 도포막 형성 모듈 중, 적어도 하나가 사용 불가 모듈이 되고 또한 적어도 하나가 사용할 수 있는 상태에 있을 때에는, 제1 전달 수단에 의해, 복수의 단위 블록에 있어서, 가장 빠르게 배치 가능하게 된 반입 모듈에 기판을 지급하며, 상기 복수의 단위 블록의 각각에 있어서는, 상기 사용 불가 모듈에 반입되어 있는 기판과 동일 로트 내의 다른 기판을, 기판이 반입 모듈에 지급된 순서를 따라 상기 반송 수단에 의해 모듈군에 순차 반송하여 반출 모듈에 전달하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
본 발명에 따르면, 사용 불가 모듈이 발생하였을 때에 상기 모듈 내에 반입되어 있는 기판의 후속의 기판에 대해서도 반입 모듈에 지급되어 처리되기 때문에, 기판이 반입 모듈에의 반송을 대기하는 시간이 단축되어, 작업 처리량의 저하를 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 레지스트 패턴 형성 장치의 일실시형태를 나타내는 평면도이다.
도 2는 상기 레지스트 패턴 형성 장치를 나타내는 사시도이다.
도 3은 상기 레지스트 패턴 형성 장치를 나타내는 종단 측면도이다.
도 4는 상기 레지스트 패턴 형성 장치의 제어부의 일례를 나타내는 구성도이다.
도 5는 통상 시의 웨이퍼의 반송 경로를 나타내는 종단면도이다.
도 6은 통상 시의 COT1 층(B3)의 반송 스케줄이다.
도 7은 통상 시의 COT2 층(B4)의 반송 스케줄이다.
도 8은 사용 불가 모듈 발생 시의 웨이퍼의 반송 방법을 나타내는 공정도이다.
도 9는 사용 불가 모듈 발생 시의 웨이퍼의 반송 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 10은 COT1 층(B3)에 사용 불가 모듈이 발생하였을 때의 웨이퍼의 반송 경로를 나타내는 설명도이다.
도 11은 사용 불가 모듈 발생 시의 COT1 층(B3)의 반송 스케줄이다.
도 12는 사용 불가 모듈 발생 시의 COT2 층(B4)의 반송 스케줄이다.
도 13은 사용 불가 모듈 발생 시의 비교예의 COT1 층(B3)의 반송 스케줄이다.
도 14는 사용 불가 모듈 발생 시의 비교예의 COT2 층(B4)의 반송 스케줄이다.
도 15는 BCT층에 사용 불가 모듈이 발생하였을 때의 웨이퍼의 반송 경로를 나타내는 설명도이다.
도 16은 DEV층에 사용 불가 모듈이 발생하였을 때의 웨이퍼의 반송 경로를 나타내는 설명도이다.
도 17은 본 발명의 다른 실시형태의 제어부를 나타내는 구성도이다.
도 18은 웨이퍼를 층제외 모드로 반송할 때의 반송 방법을 나타내는 공정도이다.
도 19는 웨이퍼를 타층 반송 모드로 반송할 때의 반송 방법을 나타내는 공정도이다.
도 20은 웨이퍼를 조정 모드로 반송할 때의 반송 방법을 나타내는 공정도이다.
도 21은 레지스트 패턴 형성 장치의 다른 예를 나타내는 사시도이다.
도 22는 상기 레지스트 패턴 형성 장치를 나타내는 평면도이다.
도 23은 상기 레지스트 패턴 형성 장치를 나타내는 종단면도이다.
도 24는 상기 레지스트 패턴 형성 장치의 인터페이스 블록을 나타내는 종단면도이다.
도 25는 다른 레지스트 패턴 형성 장치를 나타내는 종단면도이다.
도 26은 다른 제어부의 구성도이다.
이하 본 발명의 도포, 현상 장치에 노광 장치를 접속한 레지스트 패턴 형성 장치의 일례에 대해서, 도면을 참조하면서 간단하게 설명한다. 도 1은 상기 레지스트 패턴 형성 장치의 일실시형태의 평면도를 나타내고, 도 2는 상기 일실시형태의 개략 사시도이다. 이 장치는 캐리어 블록(S1)과 처리 블록(S2)과 인터페이스 블록(S3)과 노광 장치(S4)를 구비하고 있다. 캐리어 블록(S1)에서는, 배치대(21) 위에 배치된 밀폐형의 캐리어(20)로부터 전달 아암(C)이 웨이퍼(W)를 추출하여, 상기 캐리어 블록(S1)에 인접한 처리 블록(S2)에 전달하며, 상기 전달 아암(C)이, 처리 블록(S2)에서 처리된 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 수취하여 상기 캐리어(20)에 복귀시키도록 구성되어 있다.
상기 처리 블록(S2)은, 복수개 예컨대 6개의 단위 블록이 서로 적층되도록 구성되고, 예컨대, 도포막의 형성 처리를 행하는 복수개의 도포막 형성용 단위 블록과, 현상 처리를 행하는 복수개 예컨대 2개의 현상 처리용 단위 블록(DEV1 층(B5), DEV2 층(B6))이 서로 적층되어 있다. 이 예에서는, 상기 도포막 형성용 단위 블록으로서, 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막을 형성하는 예컨대 2개의 반사 방지막 형성용 단위 블록(BCT1 층(B1), BCT2 층(B2))과, 레지스트막을 형성하는 예컨대 2개의 레지스트막 형성용 단위 블록(COT1 층(B3), COT2 층(B4))을 구비하고 있다.
이들 COT1 층(B3), COT2 층(B4) 및 DEV1 층(B5), DEV2 층(B6)은 거의 동일하게 구성되어 있고, 다른 단위 블록과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전달 모듈이나 버퍼 모듈이 다단(多段)으로 배치된 선반 유닛(U1)과, 각각 약액을 도포하는 액처리 모듈을 복수개 구비한 액처리 모듈군(L)과, 상기 액처리 모듈군(L)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 모듈을 다단으로 배치한 선반 유닛(U2)과, 이들 선반 유닛(U1, U2)의 각 부와 액처리 모듈군(L)의 각 모듈과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 수단으로 이루어지는 반송 아암(A3∼A6)을 구비하고 있다.
예컨대 상기 COT1 층(B3), COT2 층(B4), DEV1 층(B5), DEV2 층(B6)은, 도 1에 COT1 층(B3)을 예로 하여 나타내는 바와 같이, 도면 중 Y 방향으로 신장되는 반송로(R)를 각각 구비하고 있다. 상기 반송 아암(A3∼A6)은, 상기 반송로(R)에 있어서, 진퇴 가능, 승강 가능, 수직축 주위로 회전 가능, 도면 중 Y축 방향으로 이동 가능하게 구성되며, 웨이퍼(W)의 이면측 둘레 가장자리 영역을 지지하기 위한 2개의 포크를 구비하고 있고, 이들 포크가 서로 독립하여 진퇴될 수 있도록 구성되어 있다.
액처리 모듈군(L)과 선반 유닛(U2)은, 상기 반송로(R)를 따라 서로 대향하도록 배치되어 있다. 또한 액처리 모듈군(L)은 복수개 예컨대 4개의 액처리 모듈이 반송로(R)를 따라 늘어서도록 배열되어 있다. 이들 액처리 모듈로서는, COT1 층(B3), COT2 층(B4)에서는, 레지스트액을 도포하는 액처리 모듈(COT), DEV1 층(B5), DEV2 층(B6)에서는, 현상액을 도포하는 현상 모듈(DEV)이 각각 마련되어 있다.
상기 선반 유닛(U1)은, 도 1 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 상기 선반 유닛(U1)의 근방에 마련된 승강 가능 및 진퇴 가능한 전달 아암(D)에 의해 상기 선반 유닛(U1)의 각 부끼리의 사이에서 웨이퍼(W)가 반송되도록 구성되어 있다. 이 선반 유닛(U1)에는, 전달 모듈(TRS)이나, 온도 조절용 냉각 모듈을 겸한 전달 모듈(SCPW), 복수매의 웨이퍼(W)를 배치할 수 있는 버퍼와 전달부를 겸한 버퍼 모듈(BU)이나, 검사 모듈(10) 등이 다단으로 마련되어 있다. 상기 선반 유닛(U2)에는, 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 모듈(CPHP) 등이 삽입되어 있다. 또한, 전달 모듈(TRS-A)은, 캐리어 블록(S1)의 전달 아암(C)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 때에 이용되는 모듈이다.
또한, 이들 COT1 층(B3), COT2 층(B4), DEV1 층(B5), DEV2 층(B6)에서는, 인터페이스 블록(S3)측에 선반 유닛(U3)이 마련되어 있다. 이 선반 유닛(U3)에는 각 단위 블록(B3∼B6)과 인터페이스 블록(S3)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위해 이용되는 전달 모듈(TRS)이나, 상기 전달부와 버퍼를 겸한 버퍼 모듈(BU), 상기 온도 조절 기능을 포함한 전달 모듈(SCPW)이 다단으로 마련되어 있다. 예컨대 선반 유닛(U1)에 마련된 버퍼 모듈(BU)에는 8장의 웨이퍼(W), 선반 유닛(U3)에 마련된 버퍼 모듈(BU)에는 80장의 웨이퍼(W)가, 각각 배치 가능하게 구성되어 있다.
상기 BCT1 층(B1), BCT2 층(B2)은, 액처리 모듈로서, 레지스트의 하층측의 반사 방지막 형성용 약액을 도포하는 액처리 모듈(BCT)이 마련되고, 선반 유닛(U3)이 마련되어 있지 않은 것 이외에는, COT1 층(B3), COT2 층(B4)과 동일하게 구성되어 있다.
여기서, 단위 블록에 마련되는 모듈군의 일례에 대해서, COT1 층(B3)을 예로 하여 설명한다. 선반 유닛(U1)에는, COT1 층(B3)에 웨이퍼를 반입할 때에 이용되는 복수개의 전달 모듈(SCPW31, 32)이나, 전달 모듈(TRS-A, BU31)이 마련되어 있다. 또한, 액처리 모듈군(L)으로서는, 4개의 액처리 모듈(COT11∼COT14)을 구비하고 있고, 선반 유닛(U2)에는, 복수개의 가열 모듈(CPHP)이 배열되어 있다. 또한, 선반 유닛(U3)에는, 복수개의 전달 모듈(TRS31, 32), 버퍼 모듈(BU32)이 마련되어 있다.
이 예에서는, 상기 액처리 모듈(COT11∼COT14)은, 각각 그 내부에 기판이 대략 수평으로 배치되는 기판 유지부와, 이 기판 유지부의 주위를 둘러싸는 컵을 구비하고 있고, 이 기판 유지부를 모듈이라고 부르기로 한다. COT1 층(B3)에 마련되는 모든 모듈은, 노광 전에 기판에 도포막을 형성하기 위한 모듈군에 해당한다. 또한 이들 모듈은 전부가 사용되는 것은 아니고, 처리 레시피에 따라 사용되는 모듈이 선택된다.
본 발명에서는, 웨이퍼(W)에 대하여 동일한 처리를 행하는 복수의 단위 블록이 준비되어 있기 때문에, 2개의 COT1 층(B3), COT2 층(B4)은, 각각 서로 동일한 모듈군을 구비하고, 이들 모듈군을 구성하는 모듈이나, 반송 아암(A3, A4)의 배치 레이아웃이 동일해지도록 구성되어 있다. 또한, 마찬가지로 2개의 BCT1 층(B1), BCT2 층(B2), 2개의 DEV1 층(B5), DEV2 층(B6)도 각각 서로 동일한 모듈군을 구비하고, 이들 모듈군을 구성하는 모듈이나, 반송 아암(A1, A2, A5, A6)의 배치 레이아웃이 동일해지도록 구성되어 있다.
상기 인터페이스 블록(S3)에는, 인터페이스 아암(E)이 마련되어 있다. 이 인터페이스 아암(E)은 선반 유닛(U3)의 각 전달 모듈(TRS), 버퍼 모듈(BU) 및 노광 장치(S4)의 반입 스테이지나 반출 스테이지에 액세스하고, 이들 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하도록, 승강 가능, 진퇴 가능 및 수직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다.
그리고 전술한 레지스트 패턴 형성 장치는, 각 모듈의 레시피의 관리나, 웨이퍼(W)의 반송 흐름(반송 경로)의 레시피의 관리, 각 모듈에 있어서의 처리, 전달 아암(C), 전달 아암(D), 반송 아암(A1∼A6), 인터페이스 아암(E) 등의 구동 제어를 행하는 컴퓨터를 포함하는 제어부(3)를 구비하고 있다. 이 제어부(3)는, 레지스트 패턴 형성 장치 전체의 작용, 즉 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 레지스트 패턴을 형성하기 위한, 각 모듈에 있어서의 처리나 웨이퍼(W)의 반송 등이 실시되도록 단계(명령)군을 구비한 예컨대 소프트웨어를 포함하는 프로그램을 구비하고 있다. 그리고 이들 프로그램이 제어부(3)에서 판독됨으로써, 제어부에 의해 레지스트 패턴 형성 장치 전체의 작용이 제어된다. 또한 이 프로그램은, 예컨대 플렉시블 디스크, 하드 디스크, 컴팩트 디스크, 마그넷 광디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태로 저장된다.
도 4는 제어부(3)의 구성을 나타내는 것이며, 실제로는 CPU(중앙 모듈), 프로그램 및 메모리 등에 의해 구성되지만, 본 발명에서는 모듈이 사용 불가가 되었을 때의 웨이퍼(W)의 반송에 특징이 있기 때문에, 여기서는 그것에 관련된 구성 요소의 일부를 블록화하여 설명하는 것으로 한다. 도 4 중 도면 부호 30은 버스이며, 이 버스(30)에 레시피 저장부(31), 레시피 선택부(32), 반송 스케줄 변경부(33), 반송 제어부(34), 반송 제어 프로그램(35), 알람 발생 수단(36) 등이 접속되어 있다.
또한, 각 모듈(M)은 컨트롤러(C0)를 통해 제어부(3)에 접속되어 있고, 각각의 모듈(M)에서 트러블이 발생하였을 때에는, 상기 모듈(M)로부터 컨트롤러(C0)를 통해 제어부(3)에 알람 신호가 출력되도록 되어 있다. 또한, 웨이퍼가 정해진 타이밍에 전달 아암(D)이나 반송 아암(A1∼A6)에 전달되지 않은 경우에도, 제어부(3)에 알람 신호가 출력되도록 되어 있다. 또한, 상기 모듈(M)에는, 예컨대 선반 유닛(U1∼U3)에 삽입된 모든 모듈과, 액처리 모듈이 포함된다.
레시피 저장부(31)는 기억부에 해당하는 부위이며, 예컨대 웨이퍼(W)의 반송 경로가 기록되어 있는 반송 레시피나, 이 반송 레시피에 기초하여, 로트 내의 모든 웨이퍼(W)에 대해서 어떤 타이밍에 어떤 모듈에 반송할 것인가 라고 하는 내용의 반송 스케줄이나, 웨이퍼(W)에 대하여 행하는 처리 조건 등이 기록된 복수의 레시피가 저장되는 부위이다. 레시피 선택부(32)는 레시피 저장부(31)에 저장된 레시피로부터 적당한 것을 선택하는 부위이며, 사용하는 모듈(M)의 선택 등도 할 수 있도록 되어 있다.
반송 스케줄 변경부(33)는, 웨이퍼(W)의 반송 중에, 그 웨이퍼(W)의 반송 예정인 모듈이 사용 불가 모듈이 되었을 때에, 후술하는 바와 같이 반송 스케줄을 재기록하는 부위이다. 반송 제어부(34)는, 상기 반송 스케줄을 참조하여, 반송 사이클 데이터에 기록되어 있는 웨이퍼를, 그 웨이퍼에 대응하는 모듈에 반송하도록, 전달 아암(C)이나 전달 아암(D), 반송 아암(A1∼A6), 인터페이스 아암(E)을 제어하고, 이에 따라 반송 사이클을 실행하는 수단이다.
반송 제어 프로그램(35)은, 웨이퍼(W)의 반송 중에, 그 웨이퍼(W)의 반송 예정인 모듈이 사용 불가 모듈이 되었을 때에 구동되는 프로그램이다. 이 프로그램은, 예컨대 모듈에서 트러블이 발생하거나, 웨이퍼(W)의 반송에 혼란이 생기거나 하였을 때에 발생되는 알람 신호에 기초하여 구동된다. 또한, 오퍼레이터가 컴퓨터의 표시 화면에 의해, 사용 불가 모듈을 선택함으로써도 구동되도록 되어 있다. 이 사용 불가 모듈이란, 모듈에 트러블이 발생하였거나, 메인터넌스 등에 의해, 웨이퍼를 반입할 수 없는 모듈을 말한다. 또한, 오퍼레이터가 사용 불가 모듈을 선택할 때란, 모듈에 메인터넌스를 행하는 경우나, 프로세스를 정상으로 할 수 없는 모듈을 사용 불가 모듈로 하는 경우 등이 포함된다. 여기서 프로세스를 정상으로 할 수 없다고 하는 것은 다른 멀티 모듈과의 차가 발생하는 경우를 말한다. 이러한 경우, 그 모듈을 사용하지 않도록 레시피를 변경하면, 그 모듈이 정상으로 복귀된 경우 재차 레시피를 변경하지 않으면 안되고, 레시피가 복수개 존재하면 그 레시피수 만큼 작업이 발생하기 때문에, 사용 불가 모듈로 하는 것이 바람직하다.
그리고, 사용 불가 모듈이 발생하고, 후술하는 반송 제어를 실시할 수 있을 때에는, 예컨대 컴퓨터의 표시 화면에 사용 불가 모듈이 발생한 취지를 표시하고, 전달 아암(C), 전달 아암(D), 반송 아암(A1∼A6), 인터페이스 아암(E)을 제어하며, 반송 스케줄의 변경을 행하여 후술하는 반송 제어를 실시한다. 한편, 사용 불가 모듈이 발생한 경우라도, 후술하는 반송 제어가 실시 불가능한 때에는, 알람 발생 수단(36)에 의해 알람을 출력하며, 장치를 정지한다. 이 알람 발생 수단(36)에 의해서는, 램프의 점등이나 알람음의 발생, 표시 화면에의 알람 표시 등의 알람 발생이 행해진다.
여기서, 반송 제어가 실시 가능한 때란, 멀티 모듈을 구성하는 복수의 모듈 중 하나 이상을 사용할 수 있는 상태에 있는 경우를 말한다. 이때, 멀티 모듈이란, 웨이퍼가 각각 배치되며 반송의 순서가 정해져 있는 모듈군 중에서, 반송의 순서가 동일하고, 웨이퍼에 대하여 동일한 처리를 행하는 복수의 모듈, 즉 반송 레시피가 동일한 단계에서 설정된 복수의 모듈을 말한다. 한편, 반송 제어가 실시 불가능한 때란, 반송 레시피의 동일한 단계에 하나의 모듈밖에 설정되어 있지 않은 경우나, 반송 레시피의 동일한 단계에 복수의 모듈이 설정되어 있지만, 사용할 수 있는 상태에 있는 모듈이 없는 경우이다.
계속해서, 웨이퍼에 대하여 동일한 처리를 행하는 복수의 단위 블록이 COT1 층(B3)과 COT2 층(B4)인 경우를 예로 하여, 본 발명의 반송 제어에 대해서 구체적으로 설명한다. 우선, 상기 레지스트 패턴 형성 장치에서의 통상 시의 웨이퍼(W)의 흐름의 일례에 대해서 설명한다. 캐리어 블록(S1)으로부터의 웨이퍼(W)는 전달 아암(C)에 의해, 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(SCPW), 예컨대 BCT1 층(B1), BCT2 층(B2)이 대응하는 전달 모듈(SCPW11, 12, SCPW21, 22)에 순차 반송된다. 이 경우, BCT층은 2층이기 때문에, 로트 내의 웨이퍼(W)는, 선두로부터 순서대로 BCT1 층(B1)과, BCT2 층(B2)에 교대로 반송되고, 예컨대 홀수번의 웨이퍼(W(2n-1))는 BCT1 층(B1)에, 짝수번의 웨이퍼(W2n)는 BCT2 층(B2)에 각각 지급된다.
BCT층(B1(B2)) 내에서, 웨이퍼(W)는 반송 아암(A1(A2))에 의해, 액처리 모듈(BCT)→가열 모듈(CPHP)→선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS11, 12(TRS21, 22))의 경로로 반송되고, 웨이퍼(W)에는 반사 방지막이 형성된다.
그 후, 예컨대 BCT층(B1(B2))의 웨이퍼(W)는, 선반 유닛(U1) 내에 있어서 전달 아암(D)에 의해 전달 모듈(TRS11, 12(TRS21, 22))로부터 전달 모듈(SCPW31, 32(SCPW41, 42))에 반송되고, 이 웨이퍼(W)는 반송 아암(A3(A4))에 의해, COT층(B3(B4)) 내에 전달된다. 그리고, COT층(B3(B4)) 내에 있어서, 액처리 모듈(COT)→가열 모듈(CPHP)→선반 유닛(U3)의 전달 모듈(TRS31, 32(TRS41, 42))의 경로로 반송되고, 웨이퍼(W)에는 반사 방지막의 위에 레지스트막이 형성된다.
그리고, 선반 유닛(U3)의 전달 모듈(TRS31, 32(TRS41, 42))의 웨이퍼(W)는, 인터페이스 블록(S3)의 인터페이스 아암(E)에 의해 노광 장치(S4)의 반입 스테이지에 반송되고, 정해진 노광 처리가 행해진 후, 노광 장치(S4)의 반출 스테이지로부터 인터페이스 아암(E)에 의해 선반 유닛(U3)의 전달 모듈(SCPW51, 52(SCPW61, 62))에 배치된다. 이 예에서는, 예컨대 홀수번의 웨이퍼(W(2n-1))는 상기 전달 모듈(SCPW51, 52)에, 짝수번의 웨이퍼(W2n)는 상기 전달 모듈(SCPW61, 62)에 각각 지급된다.
계속해서, 전달 모듈(SCPW51, 52(SCPW61, 62))의 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A5(A6))에 의해 DEV층(B5(B6))에 수취되고, DEV층(B5(B6)) 내에서는, 액처리 모듈(DEV)→가열 모듈(CPHP)→선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS51, 52(TRS61, 62))의 경로로 반송된다. 그리고, 웨이퍼(W)는, 검사 모듈(10)에 반송되는 경우에는, 전달 아암(D)에 의해, 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라 검사 모듈(10)에 반송하여 정해진 검사를 행하고, 계속해서, 전달 아암(D)에 의해, 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라 전달 모듈(TRS-A)에 반송한다. 이 후, 전달 아암(C)에 의해, 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라 캐리어(20)에 복귀된다. 또한, 검사 모듈(10)에 반송하지 않는 경우에는, 전달 아암(D)에 의해, 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라, 전달 모듈(TRS-A)에 반송하고, 이 후, 전달 아암(C)에 의해, 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라 캐리어(20)에 복귀된다.
이때, 웨이퍼(W)는, 각 단위 블록(B1∼B6)에 있어서의 각각의 모듈군에 대하여, 후술하는 반송 스케줄에 따라 반송 아암(A1∼A6)에 의해 웨이퍼(W)의 반송이 행해진다. 즉, 각 단위 블록(B1∼B6)에서는, 각각의 반송 아암(A1∼A6)에 의해, 각각의 모듈군에 있어서, 하나의 모듈로부터 웨이퍼(W)를 추출하고, 다음 모듈의 웨이퍼(W)를 수취하고 나서 그 다음 모듈에 앞의 웨이퍼(W)를 전달하며, 이렇게 해서 각 모듈에 놓여진 웨이퍼(W)를 하나 순서가 뒤인 모듈에 옮김으로써 하나의 반송 사이클을 실행하고, 상기 하나의 반송 사이클을 실행한 후, 다음 반송 사이클로 이행하며, 각 반송 사이클을 순차 실행함으로써 상기 모듈군 중 순서가 작은 모듈로부터 순서가 큰 모듈에 웨이퍼(W)가 순차 반송되어 정해진 처리가 행해지도록 되어 있다.
여기서 각 단위 블록(B1∼B6) 내에서, 반송 아암(A1∼A6)은, 반입 모듈을 이루는 전달 모듈(SCPW)로부터 웨이퍼를 수취하고, 그 웨이퍼를 이미 설명한 반송 경로를 따라, 순차 상기 반송 사이클의 하류단의 반출 모듈인 전달 모듈(TRS)까지 반송하여, 이렇게 해서 단위 블록(B1∼B6) 내에서 각각 반송 사이클을 행하도록 구성되어 있다.
이미 설명한 반송에서는, COT1 층(B3(COT2 층(B4)))에 있어서의 반송 레시피는, 단계 1에서는, 2개의 전달 모듈(SCPW31, 32(SCPW41, 42)), 단계 2에서는 2개의 액처리 모듈(COT11, 12(COT21, 22)), 단계 3에서는 4개의 가열 모듈(CPHP31∼34(CPHP41∼44)), 단계 4에서는 2개의 전달 모듈(TRS31, 32(TRS41, 42))이 각각 설정되는 것으로 한다. 따라서, COT1 층(B3(COT2 층(B4)))에서는, 전달 모듈(SCPW31, 32(SCPW41, 42)), 액처리 모듈(COT11, 12(COT21, 22)), 가열 모듈(CPHP31∼34(CPHP41∼44)), 전달 모듈(TRS31, 32(TRS41, 42))이 각각 멀티 모듈로서 설정되어 있다.
여기서, COT1 층(B3), COT2 층(B4)에 있어서의 통상 시의 반송 제어의 일례에 대해서, 보다 자세하게 도 5를 이용하여 설명한다. 캐리어(20)로부터 로트의 (4n-3)번째 즉, 1번째, 5번째···에 지급된 웨이퍼(W(4n-3))는 전달 모듈(SCPW11)→BCT1 층(B1)→전달 모듈(TRS11)→전달 모듈(SCPW31)의 시스템로에서 COT1 층(B3)에 반송되고, 레지스트막이 형성된 후, 전달 모듈(TRS31)에 반송된다. 마찬가지로, 캐리어(20)로부터 로트의 (4n-2)번째 즉, 2번째, 6번째···에 지급된 웨이퍼(W(4n-2))는 전달 모듈(SCPW21)→BCT2 층(B2)→전달 모듈(TRS21)→전달 모듈(SCPW41)의 시스템로에서 COT2 층(B4)에 반송되고, 레지스트막이 형성된 후, 전달 모듈(TRS41)에 반송된다.
또한, 캐리어(20)로부터 로트의 (4n-1)번째 즉 3번째, 7번째···에 지급된 웨이퍼(W(4n-1))는 전달 모듈(SCPW12)→BCT1 층(B1)→전달 모듈(TRS12)→전달 모듈(SCPW32)의 시스템로에서 COT1 층(B3)에 반송되고, 레지스트막이 형성된 후, 전달 모듈(TRS32)에 반송된다. 또한, 캐리어(20)로부터 로트의 4n번째 즉 4번째, 8번째···에 지급된 웨이퍼(W4n)는 전달 모듈(SCPW22)→BCT2 층(B2)→전달 모듈(TRS22)→전달 모듈(SCPW42)의 시스템로에서 COT2 층(B4)에 반송되고, 레지스트막이 형성된 후, 전달 모듈(TRS42)에 반송된다. 이 경우, 전달 모듈(TRS31, 32, 41, 42)에는, 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라, 웨이퍼(W)가 반송된다.
그리고, 각 전달 모듈(TRS31, 32, 41, 42)의 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(E)에 의해, 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라 노광 장치(S4)의 반입 스테이지에 반송된다. 이때, 노광 장치(S4)의 반입 스테이지가 반입 가능하면 그대로 반송되고, 반입 가능하지 않으면, 일단 버퍼 모듈(BU32, BU42)에 반송된다. 노광 장치(S4)의 반입 스테이지가 반입 가능하지 않은 경우란, 노광 장치(S4)측이 처리 블록(S2)보다도 작업 처리량이 작고, 노광 장치(S4)에의 반입 스테이지에 반송 순서가 아래인 웨이퍼(W)가 존재하는 경우이다.
이때의 반송 스케줄의 시뮬레이션예에 대해서, COT1 층(B3)은 도 6, COT2 층(B4)은 도 7에 각각 나타낸다. 이 반송 스케줄에서, 종축은 반송 사이클, 횡축은 모듈군을 구성하는 모듈을 각각 나타내고, 전달 모듈(SCPW31, 32(SCPW41, 42))이 반입 모듈, 전달 모듈(TRS31, 32(TRS41, 42))이 반출 모듈에 각각 해당한다. 또한, 도면 부호 W1은 로트의 1번째 웨이퍼, 도면 부호 W2는 로트의 2번째 웨이퍼를 각각 나타내고 있다. 이 반송 스케줄의 우측에 쓰여진 숫자는, 각각의 반송 사이클이 시작되고 나서 종료하기까지의 시간이다. 또한, 이 시뮬레이션 결과에서는, 로트의 최초 웨이퍼(W1)가 전달 모듈(SCPW31)에 배치되고 나서, 로트의 최종 웨이퍼(W50)가 전달 모듈(TRS41)에 배치되기까지의 시간은 783.4초이다.
이때, 전달 아암(D)은 BCT1 층(B1) 또는 BCT2 층(B2)으로부터 반출된 웨이퍼(W)를, 가장 빠르게 반송할 수 있는 반입 모듈(SCPW31, 32, 41, 42)에 반송하고, 웨이퍼(W)가 반입 모듈(SCPW31, 32, 41, 42)로부터 모듈군의 최초 모듈인 액처리 모듈(COT)에 전달되었을 때에 반송 사이클이 시작된다. 그리고, 통상 시에는, 이미 설명한 도 5에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)가 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라, 1번째의 웨이퍼(W)로부터 순서대로 반입 모듈(SCPW31, SCPW41, SCPW32, SCPW42)에 반입되도록 되어 있다.
계속해서, COT1 층(B3)에 있어서, 가열 모듈(CPHP)의 하나가 사용 불가 모듈이 되며 또한 하나 이상을 사용할 수 있는 상태에 있을 때의 반송 제어의 일례에 대해서, 도 8∼도 10을 이용하여 설명한다. 이 경우, 상기 반송 제어 프로그램(35)에 의해, 도 8에 나타내는 바와 같은 반송 제어가 행해진다. 즉, 사용 불가 모듈이 발생하면(단계 S1), 제1 전달 수단을 이루는 전달 아암(D)에 의해, COT1 층(B3) 및 COT2 층(B4)에 있어서, 가장 빠르게 배치할 수 있는 반입 모듈(전달 모듈(SCPW31, 32, 41, 42))에 웨이퍼(W)를 지급한다(단계 S2). 여기서 가장 빠르게 배치할 수 있다고 하는 것은, 전달 모듈(SCPW)에 놓여진 이전의 웨이퍼가 반송 아암(A3, A4)에 의해 수취된 타이밍이 가장 빠른 것을 말한다.
그리고, COT1 층(B3) 및 COT2 층(B4)의 각각에서는, 웨이퍼(W)가 반입 모듈(전달 모듈(SCPW31, 32, 41, 42))에 지급된 순서에 따라, 반송 아암(A3, A4)에 의해 웨이퍼(W)를 모듈군에 순차 반송하여 반출 모듈(전달 모듈(TRS31, 32, 41, 42))에 전달한다(단계 S3).
계속해서, 웨이퍼(W)가 반입 모듈(전달 모듈(SCPW31, 32, 41, 42))에 지급된 순서에 따라, 제2 전달 수단인 인터페이스 아암(E)에 의해 웨이퍼(W)를 반출 모듈(전달 모듈(TRS31, 32, 41, 42))로부터 추출하고, 후단 모듈인 노광 장치(S4) 또는 기판 배치부인 버퍼 모듈(BU32, 42)에 반송한다(단계 S4).
이 후, 통상 시에 제1 전달 수단(전달 아암(D))에 의해 웨이퍼(W)가 COT1 층(B3) 및 COT2 층(B4)의 반입 모듈(전달 모듈(SCPW31, 32, 41, 42))에 지급되는 일정한 순서에 따라, 제2 전달 수단(인터페이스 아암(E))에 의해 반출 모듈(전달 모듈(TRS31, 32, 41, 42)) 또는 버퍼 모듈(BU32, 42)로부터 노광 장치(S4)의 반입 스테이지에 웨이퍼(W)를 반송한다(단계 S5).
실제로는 도 9에 나타내는 흐름도에 따라 반송 제어가 실행된다. 사용 불가 모듈의 발생 이전에는, COT1 층(B3) 및 COT2 층(B4)에서는, 통상 시의 반송 스케줄에 따라 각각 웨이퍼(W)의 반송이 행해진다(단계 S10). COT1 층(B3)의 가열 모듈(CPHP31)에 트러블이 발생하여, 그 모듈이 사용 불가 모듈이 되면(단계 S11), 그 가열 모듈(CPHP31)에 웨이퍼(W)를 반송하지 않도록 반송 스케줄이 재기록된다(단계 S12).
그리고, 사용 불가 모듈이 발생한 후에, COT1 층(B3) 및 COT2 층(B4)에 반입되는 웨이퍼(W)는, 전달 아암(D)에 의해, 반입 모듈(전달 모듈(SCPW31, 32, 41, 42)) 중, 가장 빠르게 배치할 수 있는 모듈에 반송한다(단계 S13).
웨이퍼(W)가 반입 모듈에 배치되면, 그 반입 모듈이, 반송 스케줄에 기재된 반입 모듈과 동일한지의 여부를 판단하고(단계 S14), 동일한 경우에는, 반송 스케줄에 따라, COT1 층(B3) 또는 COT2 층(B4) 내에 있어서 웨이퍼(W)의 반송을 1사이클분 실행한다(단계 S15).
한편, 웨이퍼(W)가 배치된 반입 모듈이, 반송 스케줄에 기재된 반입 모듈과 다른 경우에는, 상기 반입 모듈에 반입된 웨이퍼(W)가 상기 반송 사이클에서 반입 모듈에 놓여지는 웨이퍼(W)와 동일해지도록, 상기 반송 스케줄을 재기록한다(단계 S16). 그리고, 재기록된 반송 스케줄에 따라, COT1 층(B3) 또는 COT2 층(B4) 내에서 웨이퍼(W)의 반송을 1사이클 실행한다(단계 S17).
계속해서, 상기 웨이퍼(W)가 로트의 최종 웨이퍼인지의 여부를 판단하고(단계 S18), 최종 웨이퍼인 경우에는, 상기 반송 스케줄에 따라 웨이퍼(W)의 반송을 실행한다(단계 S19), 최종 웨이퍼가 아닌 경우에는, 상기 웨이퍼의 다음에 BCT1 층(B1) 또는 BCT2 층(B2)으로부터 지급된 웨이퍼(W)에 대해서, 단계 S13부터 동일하게 반송을 실행한다(단계 S20).
이렇게 해서, COT1 층(B3), COT2 층(B4)의 각각에 있어서는, 반송 스케줄에 따라, 웨이퍼(W)가 반입 모듈에 지급된 순서에 따라 순차 반송하여 반출 모듈(전달 모듈(TRS31, 32, 41, 42))에 전달한다. 그리고, 이 반출 모듈(전달 모듈(TRS31, 32, 41, 42))의 웨이퍼(W)는, 이미 설명한 바와 같이, 인터페이스 아암(E)에 의해, 웨이퍼(W)가 반입 모듈에 지급된 순서에 따라 추출된다.
계속해서, 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(E)에 의해 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라 노광 장치(S4)의 반입 스테이지에 반송된다. 즉, 반출 모듈(전달 모듈(TRS31, 32, 41, 42))의 웨이퍼(W)가, 노광 장치(S4)의 반입 스테이지에 반송되는 순서이면, 그대로 상기 반입 스테이지에 반송되고, 상기 순서가 아니면 일단 버퍼 모듈(BU32, 42)에 반송된다. 그리고, 인터페이스 아암(E)에 의해, 반출 모듈(전달 모듈(TRS31, 32, 41, 42))로부터 직접, 또는 버퍼 모듈(BU32, 42)을 통해 노광 장치(S4)의 반입 스테이지에, 통상 시에 전달 아암(D)에 의해 COT1 층(B3) 및 COT2 층(B4)에 웨이퍼(W)가 지급되는 일정한 순서에 따라 웨이퍼(W)를 반송한다.
이때의 반송 스케줄의 시뮬레이션 결과에 대해서, COT1 층(B3)은 도 11, COT2 층(B4)을 도 12에 각각 나타낸다. 이 반송 스케줄에서는, COT2 층(B4)에 있어서, 사이클(19)에서 로트의 41번째 웨이퍼(W41)가 전달 모듈(SCPW41)에 반송되었을 때, 사이클(21)에서 로트의 44번째 웨이퍼(W44)가 전달 모듈(SCPW41)에 반송되었을 때, 사이클(24)에서 로트의 49번째 웨이퍼(W49)가 전달 모듈(SCPW42)에 반송되었을 때에, 각각 반송 스케줄이 재기록되어 있다. 또한, 이 시뮬레이션 결과에 의하면, 최초의 웨이퍼(W1)가 전달 모듈(SCPW31)에 배치되고 나서, 최종의 웨이퍼(W50)가 전달 모듈(TRS32)에 배치되기까지의 시간은 843.4초이다.
전술한 실시형태에 따르면, COT1 층(B3)의 가열 모듈(CPHP) 중 하나가 사용 불가 모듈이 되었다고 해도, 그 COT1 층(B3)의 다른 가열 모듈(CPHP)이 사용 가능한 경우는, COT1 층(B3) 및 COT2 층(B4)의 반입 모듈(전달 모듈(SCPW31, 32, 41, 42)) 중, 가장 빠르게 배치할 수 있는 반입 모듈에 반입하고 있다.
이 때문에, 가열 모듈(CPHP) 중 하나가 사용 불가 모듈이 되었다고 해도, COT1 층(B3) 및 COT2 층(B4)에 교대로 웨이퍼(W)를 반입하는 경우에 비교해서, 작업 처리량의 저하를 억제할 수 있다. 반입 모듈이 빈 단위 블록에 순차 웨이퍼가 지급되기 때문에, 사용할 수 있는 가열 모듈(CPHP)이 웨이퍼(W)의 반송을 대기한다고 하는 것이 억제되고, 사용할 수 있는 가열 모듈(CPHP)의 가동 효율의 저하를 억제할 수 있기 때문이다.
이에 대하여, COT1 층(B3) 및 COT2 층(B4)에 교대로 웨이퍼(W)를 반입하는 경우에는, 사용 불가 모듈이 발생하지 않은 COT2 층(B4)에 있어서, 사용 불가 모듈이 발생한 COT1 층(B3)에의 웨이퍼(W)의 반입이나, COT1 층(B3)으로부터의 웨이퍼(W)의 반출을 대기할 필요가 있으며, COT2 층(B4)에 있어서, 반송 가능한 가열 모듈(CPHP)에 웨이퍼(W)가 반송되지 않고, 가동률이 낮아져, 작업 처리량이 저하되어 버린다.
여기서, COT1 층(B3)의 가열 모듈(CPHP31)이 사용 불가 모듈이 되었을 때에, COT1 층(B3) 및 COT2 층(B4)에 교대로 웨이퍼를 지급하는 경우의 반송 스케줄의 시뮬레이션 결과에 대해서, COT1 층(B3)을 도 13에, COT2 층(B4)을 도 14에 각각 나타낸다. 이 시뮬레이션 결과에 따르면, 최초 웨이퍼(W1)가 전달 모듈(SCPW31)에 배치되고 나서, 최종 웨이퍼(W50)가 전달 모듈(TRS41)에 배치되기까지의 시간은 891.7초이며, 본 발명의 반송 제어에 비교해서 작업 처리량이 낮은 것이 이해된다.
이때, 본 발명에서는, 웨이퍼가 COT1 층(B3), COT2 층(B4)에 교대로 반송되는 것이 아니기 때문에, 한쪽의 COT층의 반출 모듈로부터 연속된 순서로 웨이퍼(W)가 지급되는 경우도 있지만, COT1 층(B3) 및 COT2 층(B4)의 반출 모듈의 하류측에 마련된 버퍼 모듈(BU32, 42)을 이용하여, 노광 장치(S4)에 반송되기 전에 웨이퍼(W)를 일단 정렬시키고 있기 때문에, 캐리어(20)로부터 웨이퍼(W)가 지급되는 순서로 노광 장치(S4)에 반송할 수 있다.
따라서, COT1 층(B3), COT2 층(B4)의 각각에서는, 반입 모듈(전달 모듈(SCPW31, 32, 41, 42))에 지급된 순서에 따라 웨이퍼가 반송되고, 그대로 반출 모듈(전달 모듈(TRS31, 32, 41, 42))에 반송되기 때문에, COT층(B3), COT2 층(B4) 내에 있어서, 웨이퍼의 반송 순서가 교체된다고 하는 경우가 없으며, 반송 제어의 복잡화가 억제된다.
계속해서, 다른 단위 블록에서의 반송예에 대해서 설명한다. 도 15는 BCT1 층(B1), BCT2 층(B2) 중 어느 하나의 멀티 모듈 중 하나 이상이 사용 불가 모듈이 되고 또한 하나 이상을 사용할 수 있는 상태에 있을 때에, COT1 층(B3), COT2 층(B4)에 반송하기 이전에, 일단 웨이퍼(W)를 캐리어(20)로부터 지급된 순서대로 정렬시키는 경우의 반송예이다.
이 경우, 제1 전달 수단을 이루는 전달 아암(C)에 의해, BCT1 층(B1), BCT2 층(B2)에 있어서 가장 빠르게 배치할 수 있는 반입 모듈(전달 모듈(SCPW11, 12, 21, 22))에 웨이퍼(W)를 지급한다. 그리고, BCT1 층(B1), BCT2 층(B2)의 각각에 있어서는, 웨이퍼(W)가 반입 모듈(전달 모듈(SCPW11, 12, 21, 22))에 지급된 순서에 따라, 반송 아암(A1, A2)에 의해 웨이퍼(W)를 모듈군에 순차 반송하여 반출 모듈(전달 모듈(TRS11, 12, 21, 22))에 전달한다.
계속해서, 웨이퍼(W)가 반입 모듈(전달 모듈(SCPW11, 12, 21, 22))에 지급된 순서에 따라, 제2 전달 수단을 이루는 전달 아암(D)에 의해 웨이퍼(W)를 반출 모듈(전달 모듈(TRS11, 12, 21, 22))로부터 추출하고, 후단 모듈인 COT1 층(B3), COT2 층(B4)의 전달 모듈(SCPW31, 32, 41, 42) 또는 기판 배치부인 버퍼 모듈(BU1, BU2)에 반송한다.
계속해서, 통상 시에 전달 아암(C)에 의해 웨이퍼(W)가 BCT1 층(B1), BCT2 층(B2)의 전달 모듈(SCPW11, 12, 21, 22)에 지급되는 일정한 순서에 따라, 전달 아암(D)에 의해 반출 모듈(전달 모듈(TRS11, 12, 21, 22)) 또는 버퍼 모듈(BU1, BU2)로부터 COT1 층(B3), COT2 층(B4)의 전달 모듈(SCPW31, 32, 41, 42)에 웨이퍼(W)를 반송한다.
즉, COT1 층(B3)의 전달 모듈(SCPW31)에 로트의 (4n-3)번째 웨이퍼(W(4n-3)), COT1 층(B3)의 반입 모듈(SCPW32)에 로트의 (4n-1)번째 웨이퍼(W(4n-1)), COT2 층(B4)의 반입 모듈(SCPW41)에 로트의 (4n-2)번째 웨이퍼(W(4n-2)), COT1 층(B4)의 반입 모듈(SCPW42)에 로트의 4n번째 웨이퍼(W4n)를 각각 반송한다.
또한, BCT1 층(B1), BCT2 층(B2) 중 어느 하나의 멀티 모듈 중 하나 이상이 사용 불가 모듈이 되고 또한 하나 이상을 사용할 수 있는 상태에 있을 때에는, BCT1 층(B1), BCT2 층(B2)의 전달 모듈(TRS11, 12, 21, 22)로부터, 웨이퍼(W)가 BCT1 층(B1), BCT2 층(B2)의 반입 모듈(전달 모듈(SCPW11, 12, 21, 22))에 지급된 순서로, 그대로 전달 아암(D)에 의해 COT1 층(B3), COT2 층(B4)의 전달 모듈(SCPW31, 32, 41, 42)에 반송한다. 그리고, COT1 층(B3), COT2 층(B4)의 반출 모듈(전달 모듈(TRS31, 32, 41, 42))로부터 노광 장치(S4)에 웨이퍼(W)를 반송할 때에, 버퍼 모듈(BU32, BU42)을 이용하여, 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라 인터페이스 아암(E)에 의해 웨이퍼(W)를 반송하도록 하여도 좋다.
또한, 도 16은 DEV1 층(B5), DEV2 층(B6)에서 현상 처리된 웨이퍼(W)를, 일단 검사 모듈(10)에 반송하고, 여기서 정해진 검사를 행하고 나서, 캐리어(20) 내에 복귀시키는 경우에, DEV1 층(B5), DEV2 층(B6) 중 어느 하나의 멀티 모듈 중 하나 이상이 사용 불가 모듈이 되고 또한 하나 이상을 사용할 수 있는 상태에 있을 때에, 검사 모듈(10)에 반송하기 이전에, 일단 웨이퍼(W)를 캐리어(20)로부터 지급된 순서대로 정렬시키는 경우의 반송예이다.
이 경우, 제1 전달 수단을 이루는 인터페이스 아암(E)에 의해, DEV1 층(B5), DEV2 층(B6)에 있어서 가장 빠르게 배치할 수 있는 반입 모듈(전달 모듈(SCPW51, 52, 61, 62))에 웨이퍼(W)를 지급한다. 그리고, DEV1 층(B5), DEV2 층(B6)의 각각에 있어서는, 웨이퍼(W)가 반입 모듈(전달 모듈(SCPW51, 52, 61, 62)에 지급된 순서에 따라, 반송 아암(A5, A6)에 의해 웨이퍼(W)를 모듈군에 순차 반송하여 반출 모듈(전달 모듈(TRS51, 52, 61, 62)에 전달한다.
계속해서, 웨이퍼(W)가 반입 모듈(전달 모듈(SCPW51, 52, 61, 62))에 지급된 순서에 따라, 제2 전달 수단을 이루는 전달 아암(D)에 의해 웨이퍼(W)를 반출 모듈(전달 모듈(TRS51, 52, 61, 62))로부터 추출하고, 후단 모듈인 검사 모듈(10) 또는 기판 배치부인 버퍼 모듈(BU51, BU61)에 반송한다.
이렇게 해서, 통상 시에 인터페이스 아암(E)에 의해 웨이퍼(W)가 DEV1 층(B5), DEV2 층(B6)의 반입 모듈(전달 모듈(SCPW51, 52, 61, 62))에 지급되는 일정한 순서에 따라, 전달 아암(D)에 의해 반출 모듈(전달 모듈(TRS51, 52, 61, 62)) 또는 버퍼 모듈(BU51, BU61)로부터 검사 모듈(10)에 웨이퍼(W)를 반송한다. 검사 모듈(10)에서는, 예컨대 현상 결함 등의 검사가 행해진다.
계속해서, 검사 모듈(10)에서 정해진 검사가 행해진 웨이퍼(W)는, 전달 아암(D)에 의해, 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라, 전달 모듈(TRS-A)에 반송된다. 그리고, 전달 아암(C)에 의해, 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라, 캐리어(20) 내에 복귀된다.
계속해서 본 발명의 다른 실시형태에 대해서 설명한다. 이 실시형태에서는, 사용 불가 모듈이 발생하였을 때에, 오퍼레이터가 반송 모드를 선택할 수 있도록 구성되어 있다. 상기 실시형태의 제어부(3)는, 도 17에 나타내는 바와 같이, 모드 선택부(4)를 구비하고 있고, 이 모드 선택부(4)에서는, 통상 모드, 복수층 반송 모드, 층제외 모드, 타층 반송 모드, 조정 모드가 예컨대 컴퓨터의 표시 화면으로부터 선택할 수 있도록 구성되어 있다. 상기 통상 모드는, 전술한 실시형태로서 도 5에서 설명한 바와 같이 통상 시의 반송 모드이며, 복수층 반송 모드는, 전술한 실시형태로서 도 10, 도 15, 도 16에서 설명한 사용 불가 모듈이 발생하였을 때의 반송 모드이다.
이들 복수층 반송 모드, 층제외 모드, 타층 반송 모드, 조정 모드는, 모두 사용 불가 모듈이 발생하였을 때에 선택되는 반송 모드이지만, 사용 불가 모듈의 상황에 따라, 어느 하나의 반송 모드가 선택된다.
우선, 층제외 모드에 대해서 도 18을 이용하여 설명한다. 상기 층제외 모드는, 하나의 단위 블록에 있어서, 멀티 모듈에 설정된 모든 모듈이 사용 불가 모듈이 되었을 때(단계 S31)에 선택된다. 이 경우, 상기 하나의 단위 블록의 반입 모듈에의 웨이퍼의 반송을 금지하고, 지정된 다른 단위 블록의 반입 모듈에 웨이퍼를 반송하도록 지령을 출력한다(단계 S32).
예컨대 COT1 층(B3)의 모든 가열 모듈(CPHP31∼34)이 사용 불가 모듈이 된 경우를 예로 하여 구체적으로 설명하면, 지정된 COT2 층(B4)의 반입 모듈(전달 모듈(SCPW41, 42))에 웨이퍼를 반송하도록, 전달 아암(D)에 지령을 출력한다.
계속해서, 지정된 다른 단위 블록(COT2 층(B4))에서는, 웨이퍼를, 반입 모듈(전달 모듈(SCPW41, 42))에 지급된 순서에 따라, 모듈군에 순차 반송하여 반출 모듈(전달 모듈(TRS41, 42))에 전달한다(단계 S33).
한편, 상기 단위 블록(COT1 층(B3))에서는, 다음과 같이 반송이 행해진다. 우선, 사용 불가 모듈의 하류측의 모듈 내의 웨이퍼는, 모듈군에 순차 반송하여 반출 모듈(전달 모듈(TRS31, 32))에 전달하고, 처리를 속행한다(단계 S34). 즉, 인터페이스 아암(E)에 의해 노광 장치(S4)에 웨이퍼(W)를 반송한다.
그리고, 사용 불가 모듈의 상류측의 모듈 내의 웨이퍼는, 사용 불가 모듈을 빼고 나머지 모듈군에 순차 반송하며, Abort 웨이퍼로서 반출 모듈(전달 모듈(TRS31, 32))에 전달하고, 회수한다(단계 S35). Abort 웨이퍼란, 처리가 도중에 중지된 웨이퍼이다. 또는, 도 3에 나타내는 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS33)→전달 아암(D)→전달 모듈(TRS-A)의 시스템로에서 반송하고, 캐리어 블록(S1)의 전달 아암(C)에 의해 캐리어 내에 회수하도록 하여도 좋다. 즉, Abort 웨이퍼는, COT1 층(B3)으로부터 인터페이스 블록(S3)이나 DEV1 층(B5), DEV2 층(B6)을 통해 회수하도록 하여도 좋고, COT1 층(B3)으로부터 직접 캐리어 블록(S1)에 회수하도록 하여도 좋다.
이 예에서는, 사용 불가 모듈이 가열 모듈(CPHP31∼CPHP34)이기 때문에, 가열 모듈(CPHP31∼CPHP34)에 반송하지 않고, 액처리 모듈 다음으로 반출 모듈(TRS31, 32)에 반송한다. 이 후, 사용 불가 모듈 내의 웨이퍼를 회수한다(단계 S36).
계속해서, 타층 반송 모드에 대해서 도 19를 이용하여 설명한다. 상기 타층 반송 모드도, 하나의 단위 블록에 있어서, 멀티 모듈에 설정된 모든 모듈이 사용 불가 모듈이 되었을 때(단계 S41)에 선택된다. 그리고, 사용 불가 모듈이 발생한 단위 블록(COT1 층(B3))의 반입 모듈(전달 모듈(SCPW31, 32))의 웨이퍼(W)가, 지정된 다른 단위 블록인 COT2 층(B4)의 반입 모듈(전달 모듈(SCPW41, 42))에 전달 아암(D)에 의해 반송되도록 지령을 출력한다(단계 S43). 이 이외의 공정(단계 S42, 44∼47)은, 전술한 층제외 모드의 공정(단계 S32∼36)과 동일하게 실시된다.
다음으로, 조정 모드에 대해서 도 20을 이용하여 설명한다. 상기 조정 모드는, 예컨대 액처리 모듈에 있어서, 약액의 유량이 다를 때 등, 오퍼레이터의 조정에 의해 트러블이 해소되는 경우에 선택된다. 이 경우, 예컨대 하나의 단위 블록(COT1 층(B3))에 있어서, 멀티 모듈에 설정된 하나의 모듈 예컨대 액처리 모듈(COT)이 사용 불가 모듈이 되었을 때에(단계 S51), 상기 COT1 층(B3)의 반입 모듈(전달 모듈(SCPW31, 32))에의 웨이퍼의 반송 및 다른 단위 블록인 COT2 층(B4)의 반입 모듈(전달 모듈(SCPW41, 42))에의 웨이퍼의 반송을 일단 정지한다(단계 S52).
그리고, COT2 층(B4) 내의 웨이퍼는 모듈군에 순차 반송하여, 반출 모듈(전달 모듈(TRS41, 42))에 전달하고, 노광 장치(S4)에 반송하여 처리를 속행한다(단계 S53). 한편, COT1 층(B3)에서는, 사용 불가 모듈의 하류측의 모듈 내의 웨이퍼는, 모듈군에 순차 반송하여 반출 모듈(전달 모듈(TRS31, 32))에 전달하고, 노광 장치(S4)에 반송하여 처리를 속행한다(단계 S54).
또한, COT1 층(B3)의 사용 불가 모듈에 대해서는, 오퍼레이터에 의한 조정 작업을 실시하고, 조정 작업 종료 후에 예컨대 컴퓨터의 표시 화면 상에 설정된 재개 버튼을 ON 상태로 한다(단계 S55). 상기 조정 작업은, 예컨대 레지스트액의 유량에 이상이 발생한 경우에, 설정된 유량으로 조정하는 작업 등이다.
이렇게 해서, COT1 층(B3) 및 COT2 층(B4)의 반입 모듈(전달 모듈(SCPW31, 32, 41, 42))에의 웨이퍼의 반입을 재개한다(단계 S56). 그리고, 상기 COT1 층(B3)에서는, 사용 불가 모듈 내의 웨이퍼 및 사용 불가 모듈의 상류측의 웨이퍼를, 반입 모듈(전달 모듈(SCPW31, 32))에 반입된 순서에 따라 모듈군에 순차 반송하여 반출 모듈(전달 모듈(TRS31, 32))에 전달하고, 처리를 속행한다(단계 S57). COT2 층(B4)에서는, 반입 모듈(전달 모듈(SCPW41, 42))에 반입된 순서에 따라 모듈군에 순차 반송하여 반출 모듈(전달 모듈(TRS41, 42))에 전달하고, 처리를 속행한다.
이러한 실시형태에서는, 오퍼레이터에 의해 반송 모드를 선택하고 있기 때문에, 사용 불가 모듈의 발생 상황에 따라, 적절한 반송 모드로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 이때, 사용 불가 모듈의 트러블이 경미한 경우에는 조정 모드를 선택하여 사용 불가 모듈을 사용 가능한 상태로 복귀시키거나, 타층 반송 모드를 선택하여 다른 단위 블록에서 통상의 처리를 행함으로써, 회수하는 웨이퍼(W)를 최소한으로 정지시킬 수 있고, 작업 처리량의 저하를 억제하며, 웨이퍼의 회수에 요하는 시간의 저감을 도모할 수 있다.
이상에 있어서, 본 발명에서는, 제1 전달 수단과 제2 전달 수단으로서 공통의 전달 수단을 이용하도록 하여도 좋다. 또한, 기판이 반입 모듈에 지급된 순서에 따라 반송 수단에 의해 기판을 반출 모듈로부터 추출하여 기판 배치부에 반송하고, 제2 전달 수단에 의해, 상기 기판 배치부로부터 후단 모듈에, 통상 시에 제1 전달 수단에 의해 기판이 지급되는 일정한 순서에 따라 기판을 반송하도록 하여도 좋다.
또한, 모듈군의 하류단의 모듈을 반출 모듈 대신에 기판 배치부로 하고, 반송 수단에 의해 기판을 모듈군에 순차 반송하여 반출 모듈에 전달하는 대신에, 반송 수단에 의해 기판을 모듈군에 순차 반송하여 기판 배치부에 전달하며, 기판이 반입 모듈에 지급된 순서에 따라, 제2 전달 수단에 의해, 기판을 기판 배치부로부터 추출하고, 제2 전달 수단에 의해 기판 배치부로부터 추출된 기판을 후단 모듈에 반송하며, 이렇게 해서 기판 배치부로부터 후단 모듈에, 통상 시에 제1 전달 수단에 의해 기판이 지급되는 일정한 순서에 따라 기판을 반송하도록 하여도 좋다.
또한, 본 발명은 도 1∼도 3의 구성의 레지스트 패턴 형성 장치뿐만 아니라, 기판 배치부를 인터페이스 블록에 구비한 구성이나, 제1 전달 수단과 제2 전달 수단으로서 공통의 전달 수단을 이용하는 경우에도 적용할 수 있다. 도 21∼도 24에 나타내는 레지스트 패턴 형성 장치는, 기판 배치부를 인터페이스 블록에 마련하는 구성이다.
이 장치에 대해서 간단하게 설명하면, 처리 블록(S12)은, 6개의 단위 블록(B11∼B16)을 적층하여 구성되고, 단위 블록(B11) 및 단위 블록(B12)은 반사 방지막 및 레지스트막의 형성, 단위 블록(B13) 및 단위 블록(B14)은 액침 노광용 보호막의 형성 및 웨이퍼의 이면측 세정, 단위 블록(B15) 및 단위 블록(B16)은 액침 노광 후의 현상 처리를 각각 행하도록 구성되어 있다. 상기 단위 블록(B11) 및 단위 블록(B12), 단위 블록(B13) 및 단위 블록(B14), 단위 블록(B15) 및 단위 블록(B16)은, 각각 웨이퍼에 대하여 동일한 처리를 행하도록, 각각 동일하게 구성되어 있다.
이 장치에서의 통상 시의 웨이퍼(W)의 흐름에 대해서 설명한다. 캐리어(20)로부터 캐리어 블록(S11)의 전달 아암(C1)에 의해, 예컨대 5장의 웨이퍼(W)를 처리 블록(S12)의 선반 유닛(U11)에 마련된 전달 모듈(BU10)에 일괄적으로 전달한다. 그리고, 웨이퍼는 전달 모듈(BU10)로부터 단위 블록(B11)과 단위 블록(B12)에 교대로 지급되어, 단위 블록(B11)→단위 블록(B13)→단위 블록(B15)의 순서로 반송되거나, 또는 단위 블록(B12)→단위 블록(B14)→단위 블록(B16)의 순서로 반송된다. 예컨대 로트의 홀수번째의 웨이퍼(W(2n-1))는 단위 블록(B11)에 지급되고, 짝수번째의 웨이퍼(W2n)는 단위 블록(B12)에 지급된다.
단위 블록(B11)에 반송되는 경우, 웨이퍼는, 선반 유닛(U11)의 전달 모듈(BU10)로부터 전달 아암(D1)에 의해 소수화 처리 모듈(ADH11)→전달 모듈(SCPW111)→반사 방지막 형성 모듈(BCT)→선반 유닛(U12)의 가열 모듈→선반 유닛(U11)의 전달 모듈(SCPW112)→레지스트막 형성 모듈(COT)→선반 유닛(U12)의 가열 모듈→선반 유닛(U11)의 전달 모듈(SCPW113)의 순서로 반송되며, 반사 방지막, 레지스트막이 순서대로 형성된다.
그리고, 웨이퍼는, 전달 아암(D1)에 의해, 선반 유닛(U11)의 전달 모듈(SCPW131)에 반송되고, 보호막 형성 모듈→선반 유닛(U12)의 가열 모듈→선반 유닛(U11)의 전달 모듈(SCPW132)→이면 세정 모듈→선반 유닛(U14)의 버퍼 모듈(BUF)의 순서로 반송되며, 보호막이 형성되고, 추가로 이면 세정이 행해진다.
상기 선반 유닛(U14)은 인터페이스 블록(S13)에 마련되어 있고, 모듈이 다단으로 적층되도록 구성되어 있다. 이 선반 유닛(U14)의 각 모듈에 대해서는, 예컨대 단위 블록(B13∼B16)의 반송 아암(A13∼A16)과 인터페이스 아암(E1, E2)이 액세스할 수 있도록 되어 있다. 상기 버퍼 모듈(BUF)은, 다수매의 웨이퍼(W)를 다단으로 배치하도록 구성되고, 이 예에서는, 선반 유닛(U14)에서의 반송 아암(A13∼A16)과 인터페이스 아암(E1, E2)이 각각 액세스할 수 있는 영역에 마련되어 있다.
웨이퍼의 반송으로 설명을 되돌리면, 버퍼 모듈(BUF)의 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(E2)→선반 유닛(U14)의 전달 모듈(SCPW71∼SCPW73)→인터페이스 아암(E3)→노광 장치(S14)의 순서로 반송되고, 액침 노광 처리를 받는다. 노광 처리 후, 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(E3)→전달 모듈(TRS7)→인터페이스 아암(E2)→버퍼 모듈(BUF)→인터페이스 아암(E1)→노광 후 세정 모듈(PIR1∼PIR4)→인터페이스 아암(E1)→버퍼 모듈(BUF)에 있어서의 단위 블록(B15)의 높이 위치의 순서로 반송된다.
계속해서, 상기 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A15)에 의해, 선반 유닛(U12)의 가열 모듈→선반 유닛(U11)의 전달 모듈(SCPW151)→현상 모듈(DEV)→선반 유닛(U12)의 가열 모듈→선반 유닛(U11)의 전달 모듈(SCPW152)→전달 아암(D1)→버퍼 모듈(BU15)→검사 모듈(10)의 순서로 반송되어 정해진 검사가 행해진다. 검사 후의 웨이퍼(W)는, 검사 모듈(10)→전달 아암(D1)→전달 모듈(SCPW10)의 순서로 반송되고, 전달 아암(C1)에 의해 캐리어(20)에 복귀된다. 검사 모듈(10)에서 검사를 행하지 않도록 설정된 웨이퍼(W)에 대해서는, 현상 모듈(DEV)→가열 모듈에서 순차 처리 후, 전달 모듈(SCPW152)→전달 아암(D1)→선반 유닛(U11)의 전달 모듈(SCPW10)→전달 아암(C1)→캐리어(20)의 순서로 반송된다.
계속해서, 예컨대 단위 블록(B11, B12)에 있어서, 사용 불가 모듈이 발생하였을 때에, 상기 복수층 반송 모드로 반송하는 경우에 대해서 설명한다. 이 경우, 반입 모듈이 소수화 처리 모듈(ADH11, ADH21)이 되고, 가장 빠르게 배치 가능해진 소수화 처리 모듈(ADH11, 21) 중 어느 하나에 전달 아암(D1)(제1 전달 수단)에 의해 웨이퍼(W)가 반송되고, 각 단위 블록(B11, B12)에서는, 반입 모듈(소수화 처리 모듈(ADH11, 21))에 반입된 순서에 따라, 웨이퍼(W)가 모듈군에 반송되고, 반출 모듈인 전달 모듈(SCPW113, 123)에 반송된다.
그 후, 웨이퍼(W)는, 전달 아암(D1)(제2 전달 수단)에 의해, 기판 배치부를 이루는 전달 모듈(BU110, 120)에 반송되거나, 또는 직접 단위 블록(B13)의 전달 모듈(SCPW131), 단위 블록(B14)의 전달 모듈(SCPW141)에 반송된다. 이들 전달 모듈(SCPW131, SCPW141)은 후단 모듈에 해당한다. 이렇게 해서, 전달 아암(D1)에 의해, 웨이퍼(W)는 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라 교대로 전달 모듈(SCPW131, 141)에 반송된다. 즉 로트의 홀수번째의 웨이퍼(W(2n-1))는 단위 블록(B13)에, 로트의 짝수번째의 웨이퍼(W2n)은 단위 블록(B14)에 각각 지급된다. 이 경우에는, 제1 전달 수단 및 제2 전달 수단이 함께, 전달 아암(D1)이 된다.
다음으로, 예컨대 단위 블록(B13, B14)에 있어서 사용 불가 모듈이 발생하였을 때에, 상기 복수층 반송 모드로 반송하는 경우에 대해서 설명한다. 이 경우, 반입 모듈이 전달 모듈(SCPW131, SCPW141)이 되고, 가장 빠르게 배치할 수 있는 전달 모듈(SCPW131, 141)에 전달 아암(D1)(제1 전달 수단)에 의해 웨이퍼(W)가 반송되며, 각 단위 블록(B13, B14)에서는, 반입 모듈(전달 모듈(SCPW131, 141))에 반입된 순서에 따라, 웨이퍼(W)가 모듈군에 반송되고, 반출 모듈인 버퍼 모듈(BUF)에 반송된다. 이 예는 반출 모듈을 기판 배치부로 한 예이다.
그 후, 웨이퍼는, 인터페이스 아암(E2)(제2 전달 수단)에 의해, 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라, 후단 모듈을 이루는 전달 모듈(SCPW71∼SCPW73)에 지급되고, 인터페이스 아암(E3)에 의해, 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라 노광 장치(S14)에 반송된다.
또한, 예컨대 단위 블록(B15, B16)에 있어서 사용 불가 모듈이 발생하였을 때에, 상기 복수층 반송 모드로 반송하는 경우에 대해서 설명한다. 이 경우, 제1 전달 수단이 인터페이스 아암(E1)이 되고, 반입 모듈이 버퍼 모듈(BUF)이 된다. 그리고, 버퍼 모듈(BUF)의 단위 블록(B15)의 높이 위치 또는 단위 블록(B16)의 높이 위치 중 어느 것 중, 가장 빠르게 배치할 수 있는 영역에 웨이퍼(W)가 반송되고, 각 단위 블록(B15, B16)에서는, 반입 모듈(버퍼 모듈(BUF)의 단위 블록(B15, B16)에 대응하는 영역)에 반입된 순서에 따라, 웨이퍼(W)가 모듈군에 반송되며, 반출 모듈인 전달 모듈(SCPW152, 162)의 순서로 반송된다.
그 후, 검사 모듈(10)에 반송하는 경우에, 웨이퍼는, 전달 아암(D1)(제2 전달 수단)에 의해, 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라, 후단 모듈을 이루는 버퍼 모듈(BU15, BU16)에 반송되고, 계속해서 전달 아암(D1)에 의해, 캐리어(20)로부터 지급된 순서에 따라, 검사 모듈(10)에 반송된다.
이상에 있어서 본 발명은 반도체 웨이퍼뿐만 아니라 액정 디스플레이용 유리 기판(LCD 기판)이라고 하는 기판을 처리하는 도포, 현상 장치에도 적용할 수 있다.
계속해서, 이미 설명한 도 1∼도 3에서 이미 설명한 도포, 현상 장치에 있어서의 Abort 웨이퍼의 반송예에 대해서 자세하게 설명하지만, 여기서는 예컨대 도 25에 나타낸 바와 같이 선반 유닛(U1)의 단위 블록(B1, B2, B3, B4)의 각 높이에 Abort 웨이퍼의 반입용 버퍼 모듈(BU71, BU72, BU73, BU74)이 각각 마련되는 것으로 한다.
여기서 액처리 모듈(BCT, COT)의 구성에 대해서 자세하게 설명해 둔다. 액처리 모듈(레지스트막 형성 모듈)(COT)은, 전술한 바와 같이 기판 유지부를 구비하고 있고, 이 기판 유지부는 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착 유지하며, 웨이퍼(W)의 중심축 주위로 회전한다. 또한, 레지스트막 형성 모듈(COT)에는, 웨이퍼(W)에 레지스트를 토출하는 레지스트 토출 노즐(도포막 형성 기구)과, 신나를 토출하는 신나 토출 노즐(도포막 제거 기구)이 마련되어 있다. 레지스트막을 형성할 때에는, 상기 기판 유지부를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중앙부에 상기 신나를 토출하여 스핀 코팅을 행하고, 웨이퍼(W) 표면의 습윤성을 향상시킨 후, 레지스트를 웨이퍼(W)의 중앙부에 레지스트를 토출하여 스핀 코팅에 의해 레지스트막을 형성한다.
또한, 이 레지스트막 형성 모듈(COT)에서는, 상기 레지스트막 형성 후에 상기 기판 유지부를 회전시키면서, 상기 신나를 웨이퍼(W) 중앙부에 토출하여, 원심력에 의해 웨이퍼(W) 전체에 확장시킴으로써, 웨이퍼(W)로부터 해당 레지스트막을 제거할 수 있다. 또한, 레지스트막 형성 모듈(COT)은 레지스트 토출 시에 노즐에 접속되는 배관 내의 압력이나 레지스트의 토출량이나 노즐 선단으로부터의 액체 드리핑의 유무 등을 검출하는 기능을 가지며, 이것들에 이상이 검출되었을 때에 제어부(3)에 알람 신호가 출력된다.
액처리 모듈(반사 방지막 형성 모듈)(BCT)은 레지스트 토출 노즐 대신에 반사 방지막 형성용 약액을 토출하는 노즐이 마련되는 것을 제외하고 레지스트막 형성 모듈(COT)과 동일하게 구성되어 있고, 상기 약액에 의한 반사 방지막의 형성 및 신나에 의한 반사 방지막의 제거를 행할 수 있다.
또한, 제어부(3)의 구성에 대해서 추가로 설명한다. 제어부(3)는 도 26에 나타내는 바와 같이 기억부(37)를 구비한다. 이 기억부(37)는, 각 로트의 웨이퍼를 각각 특정하기 위한 ID(도 26에서는 로트마다 W1∼W25의 번호로 표시하고 있음)와, Abort 웨이퍼인지의 여부를 대응지어 기억하는 영역이며, 추가로 Abort 웨이퍼와 기억된 웨이퍼(W)에 대해서는, 그 웨이퍼(W)가 어떤 모듈에서 Abort 웨이퍼가 되었는지가 기억된다. 이 기억부(37)에 기억되는 데이터에 기초하여, Abort 웨이퍼가 후술하는 바와 같이 모듈 사이에 반송되도록, 반송 제어부(34)에 의해 각 반송 수단의 동작이 제어된다.
계속해서, 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 또는 레지스트막 형성 모듈(COT)이 사용 불가가 되고, 통상 반송 모드로부터 이미 설명한 복수층 반송 모드로 전환하였을 때의 Abort 웨이퍼의 반송에 대해서 설명한다. 층제외 모드의 Abort 웨이퍼의 반송에 대해서는 이미 설명한 예 외에, 다음에 나타내는 바와 같이 반송할 수도 있다. 여기서는, 사용 불가가 된 모듈에 있어서, 상기 신나의 공급 노즐 및 기판 유지부에 대해서는 그 동작이 가능한 것으로 한다.
(케이스 A: 반사 방지막 형성 모듈(BCT)에서 Abort 웨이퍼가 발생한 경우)
여기서는 사용 불가 모듈이 BCT1 층(B1)의 반사 방지막 형성 모듈(BCT)인 것으로서 설명한다. 모듈로부터 발신된 알람 신호에 의해 사용 불가 모듈이 된 반사 방지막 형성 모듈(BCT)이 기억부(37)에 기억되고, 실행 중인 반송 스케줄에 기초하여 그 사용 불가 모듈에서 처리되고 있던 웨이퍼(W)가 Abort 웨이퍼로서 기억부(37)에 기억된다. 그리고, 도 15에서 이미 설명한 바와 같이 이 Abort 웨이퍼 이외의 웨이퍼는 BCT1 층(B1)의 사용 가능한 반사 방지막 모듈(BCT)에서 처리되어 하류측에 반송된다.
사용 불가 모듈이 된 BCT에서는 Abort 웨이퍼가 기판 유지부에 의해 회전하며 상기 Abort 웨이퍼에 신나가 공급되고, 반사 방지막이 Abort 웨이퍼 표면으로부터 제거된다. 그 후, 상기 Abort 웨이퍼는 반송 아암(A1)에 의해 버퍼 모듈(BU71)에 반송되어 상기 모듈에서 대기된다.
그리고, 이 Abort 웨이퍼가 속하는 로트 중, BCT1 층(B1)에 반입되는 최후의 웨이퍼가 전달 모듈(SCPW11, 12)에 반입된 후, 이 최후의 웨이퍼(W)에 이어서 Abort 웨이퍼는 전달 아암(D)에 의해 전달 모듈(SCPW11, 12)에 반송되어 온도 조절된다. 그러한 후 Abort 웨이퍼는 반송 아암(A1)에 의해 BCT1 층(B1)의 사용 가능한 반사 방지막 형성 모듈(BCT)에 반송되고, 그곳에서 반사 방지막 형성 처리가 행해진다. 또한, 이 Abort 웨이퍼의 전달 모듈(SCPW11, 12)에 반입을 행할 때에는, 후속의 로트의 웨이퍼(W)는, 이 전달 모듈(SCPW11, 12)에 반입되어 있지 않은 것으로 한다. 반사 방지막이 형성된 Abort 웨이퍼는, 통상의 웨이퍼(W)와 마찬가지로 순서대로 모듈을 반송하고, 레지스트막의 형성, 노광, 현상 처리가 순서대로 행해져, 해당 웨이퍼가 지급된 캐리어(20)에 복귀된다.
사용 불가 모듈이 BCT2 층(B2)의 반사 방지막 형성 모듈(BCT)인 경우에 있어서도, 웨이퍼(W)를 대기시키는 모듈이 BU72인 것, Abort 웨이퍼가 BU72로부터 전달 모듈(SCPW21, 22)을 통해 BCT2 층(B2)의 사용 가능한 반사 방지막 형성 모듈에 반송되어 처리를 받는 것을 제외하면, BCT1 층(B1)의 반사 방지막 형성 모듈(BCT)이 사용 불가가 된 경우와 동일한 반송이 행해진다.
(케이스 B: 레지스트막 형성 모듈(COT)에서 Abort 웨이퍼가 발생한 경우)
반사 방지막 형성 모듈에서 Abort 웨이퍼가 발생한 경우와 대략 동일하며, 차이점을 중심으로 설명한다. 여기서는, 사용 불가 모듈이 COT1 층(B3)의 레지스트막 형성 모듈(COT)인 것으로 한다. 모듈로부터의 신호와 실행 중인 반송 스케줄에 기초하여, 사용 불가가 된 모듈에서 처리되고 있던 웨이퍼(W)가 Abort 웨이퍼로서 기억부(37)에 기억된다. 그리고, 이 Abort 웨이퍼 이외의 웨이퍼(W)는 COT1 층(B3)의 사용 가능한 레지스트막 형성 모듈(COT)에 의해 처리되어 하류측에 반송된다.
사용 불가 모듈이 된 COT에서는 이미 설명한 바와 같이 레지스트막의 제거가 행해진다. 이때 레지스트막의 하층의 반사 방지막은 가열 모듈에서 가열 처리되고 있기 때문에, 신나에 대한 용해성이 낮아져 있기 때문에 제거되지 않고 웨이퍼(W)에 남는다. 그리고, Abort 웨이퍼는, 반송 아암(A3)에 의해 버퍼 모듈(BU73)에 반송되어 대기된다. 이 Abort 웨이퍼가 속하는 로트 중, COT1 층(B3)에 반입되는 최후의 웨이퍼가 전달 모듈(SCPW31, 32)에 반입된 후, 다음 로트가 상기 모듈(SCPW31, 32)에 반입되기 전에, Abort 웨이퍼는 전달 모듈(SCPW31, 32)에 반송된다. 그리고 반송 아암(A3)에 의해, COT1 층(B3)의 사용 가능한 레지스트막 형성 모듈(COT)에 반송되어 레지스트막의 형성 처리를 받는다. 그 후, Abort 웨이퍼는, 통상의 웨이퍼(W)와 동일한 순서로 모듈을 반송하고, 노광, 현상 처리를 받아, 해당 웨이퍼가 지급된 캐리어(20)에 복귀한다. 사용 불가 모듈이 COT2 층(B4)의 레지스트막 형성 모듈(COT)인 경우에도 웨이퍼(W)를 버퍼 모듈(BU74)에서 대기시키는 것 및 COT2 층(B4)에서 사용 가능한 레지스트막 형성 모듈(COT)에 반송하여 처리를 행하는 것을 제외하고 동일한 반송이 행해진다.
이와 같이 사용 불가가 된 모듈에서 반사 방지막이나 레지스트막의 제거를 행함으로써, Abort 웨이퍼를 이들 막의 제거 처리를 행하는 장치에 반송할 필요가 없기 때문에, 이 반송에 요하는 수고를 없애고 작업 처리량의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 막제거 처리 후에 이 제거 처리를 행하는 장치로부터 재차 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하기 위해 도포, 현상 장치에 반송하는 수고도 생략할 수 있기 때문에, 보다 작업 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
막의 제거 후, Abort 웨이퍼의 대기 장소로서는 선반 유닛(U1)의 모듈로 한정되지 않는다. 예컨대 사용 불가 모듈 내에서 대기시키고 있어도 좋고, 막의 제거 처리를 행한 후, 선반 유닛(U1)의 각 계층(階層)에 마련되는 버퍼 모듈(BU) 또는 전달 모듈(TRS) 및 전달 아암(C)을 통해 캐리어(20)에 일단 Abort 웨이퍼를 복귀시키고, 상기 캐리어(20)에서 대기시킨다. 그리고, 다음 로트를 캐리어(20)로부터 지급하기 전에 상기 Abort 웨이퍼를 캐리어(20)로부터 지급하여 상기 막의 형성 처리를 행하여도 좋다.
이와 같이 캐리어(20)로부터 웨이퍼(W)를 지급하는 경우, 반사 방지막 형성 모듈(BCT)에서 Abort 웨이퍼가 된 웨이퍼에 대해서는, 전달 아암(C) 및 전달 모듈(SCPW11∼22) 중 어느 하나를 통해 BCT층(B1 또는 B2)의 사용 가능한 반사 방지막 형성 모듈에 반송한다. 레지스트막 형성 모듈(COT)에서 Abort 웨이퍼가 된 웨이퍼에 대해서는 전달 아암(C)에 의해 및 전달 모듈(SCPW31∼42) 중 어느 하나를 통해 COT층(B3 또는 B4)의 사용 가능한 레지스트막 형성 모듈(COT)에 반송한다.
또한, 전술한 예에서는 사용 불가 모듈이 발생한 계층에 있어서의 사용 가능한 모듈에서 막의 형성을 행하고 있지만, 반송 아암(A)과 전달 모듈(D)을 이용하여 다른 계층에 Abort 웨이퍼를 반송하고, 그 계층의 사용 가능한 모듈을 이용하여 막의 재형성을 행하여도 좋다.
구체적으로는 예컨대 상기 케이스(A)에 있어서 BCT1 층(B1)에서 발생한 Abort 웨이퍼를 버퍼 모듈(BU71)로부터 전달 아암(D)에 의해 전달 모듈(SCPW21, 22)에 반송하여 반송 아암(A2)에 의해 반사 방지막 형성 모듈(BCT)에 반송할 수 있다. 또한, BCT2 층(B2)에서 발생한 Abort 웨이퍼를 버퍼 모듈(BU72)로부터 전달 아암(D)에 의해 전달 모듈(SCPW21, 22)에 반송하여 반송 아암(A2)에 의해 반사 방지막 형성 모듈(BCT)에 반송할 수 있다. 케이스(B)에 있어서도 Abort 웨이퍼를, 반송 아암(A3, A4)에 의해 해당 Abort 웨이퍼가 발생한 층의 버퍼 모듈(BU73, 74)에 반송하고, 전달 아암(D)에서 다른 층의 전달 모듈(SCPW)에 반송하여, 상기 층의 반송 아암에 의해 레지스트막 형성 모듈(COT)에 반송할 수 있다. 또한, Abort 웨이퍼는 사용 불가 모듈로부터 반송 아암(A)에 의해 해당 Abort 웨이퍼가 발생한 층의 전달 모듈(SCPW)에 반송하고, 상기 반송 아암(A)에 의해 상기 층에서 사용 가능한 액처리 모듈에 반송하여도 좋다. 즉 Abort 웨이퍼에 막을 재형성할 때까지, 해당 Abort 웨이퍼를 전달 아암(D)에 상관없이 반송 아암(A)만으로 반송하여도 좋다.
또한, 전술 예에서는, Abort 웨이퍼의 막제거 처리를 행한 후에 막을 재차 형성하고 있지만, 이러한 막의 재형성을 행하지 않고 캐리어(20)에 복귀시켜도 좋다. 그 경우에도 Abort 웨이퍼를 이들 막의 제거 처리를 행하는 장치에 반송할 필요가 없기 때문에, 이 반송에 요하는 수고를 없애고 작업 처리량의 저하를 억제하는 효과가 있다.
복수층 반송 모드를 실행하였을 때의 Abort 웨이퍼의 반송예에 대해서 설명하였지만, 층제외 모드, 타층 반송 모드 또는 조정 모드를 실행하였을 때에 발생한 Abort 웨이퍼에 대하여, 상기 막의 제거 처리나 그것에 이어지는 막의 재형성을 행하여도 좋다. 막의 제거 처리를 행하는 경우, 전술한 바와 같이 막의 제거 후에 캐리어(20)에 복귀시켜도 좋고, 사용 불가 모듈에 체류시킨 채로 사용자가 회수하여도 좋다.
또한, 각 층에 1종류의 액처리 모듈이 마련되는 도포, 현상 장치의 Abort 웨이퍼의 반송에 대해서 설명하였지만, 도 22∼도 24에서 설명한 하나의 층에 복수 종류의 액처리 모듈이 마련되는 도포, 현상 장치에도 이 Abort 웨이퍼의 반송을 적용할 수 있다. 그런데 도 22∼도 24의 도포, 현상 장치에는 액침 노광에 이용하는 액체 예컨대 순수에 대하여 발수성의 보호막을 형성하는 보호막 형성 모듈(TCT)이 마련되어 있다. 이 보호막 형성 모듈(TCT)에 대해서도, 레지스트막 형성 모듈(COT)과 마찬가지로 기판 유지부 및 보호막 형성용 약액을 토출하는 노즐의 외에 신나 토출 노즐을 구비하도록 구성할 수 있다.
그리고, 보호막 형성용 모듈(TCT)이 사용 불가 모듈이 되었을 때는, Abort 웨이퍼에 신나에 의한 스핀 코팅을 행하고, 보호막을 제거한다. 이때, 보호막과 함께 레지스트막도 제거된다. 따라서, 이 Abort 웨이퍼에 도포, 현상 처리를 계속하는 경우에는, 이미 설명한 도 25의 도포, 현상 장치와 마찬가지로 예컨대 선반 유닛(U11)에 Abort 웨이퍼 저장용 버퍼 모듈을 마련하고 그곳에서 대기시킨 후, 전달 모듈(SCPW)을 통해 단위 블록(B11 또는 B12)의 사용 가능한 레지스트막 형성 모듈(COT)에 반송한다. 그러한 후, 사용 가능한 보호막 형성 모듈(TCT)에 반송하여, 계속해서 노광, 현상 처리를 행할 수 있다.
도 1∼도 3에 나타낸 도포, 현상 장치에 있어서도, 각 층(B1∼B6)에 보호막 형성용 모듈을 구비한 층을 적층하여 마련할 수 있다. 이 보호막 형성용 모듈이 사용 불가가 되었을 때는, 이미 설명한 예와 마찬가지로 보호막 및 레지스트막의 제거를 행하고, 레지스트막을 형성하는 계층, 보호막을 형성하는 계층에 순서대로 반송하여 도포, 현상 처리를 계속할 수 있다.
또한, 이미 설명한 예에서는 기판 처리 장치로서 레지스트 도포와 현상 처리를 행하는 도포, 현상 장치로서의 예를 들고 있지만 이것에 한정되지 않고, 예컨대 레지스트 이외의 막을 이미 설명한 구성의 액처리 모듈로 도포하는 도포 장치로서 구성하여도 좋다. 구체적으로는 예컨대 상기 도포, 현상 장치에 있어서, 현상을 행하는 단위 블록이 없고, 레지스트막 형성 모듈 및 반사 방지막 형성 모듈 대신에 SiO2에 의해 구성되는 SOG(Spin On Grass)막이나 상기 SOG막의 하층에 있어서 예컨대 유기물에 의해 구성되는 하층막을 형성하는 모듈을 구비하고 있어도 좋다. 이러한 막을 형성하는 모듈을 탑재한 도포 장치에 있어서도 상기 각 실시형태에서 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)의 반송을 제어하여도 좋고, 또한 Abort 웨이퍼에 대하여 막을 제거하고 그대로 캐리어(20)에 회수하거나, 재차 막을 형성할 수 있다. SOG막은 건조가 진행되면 제거할 수 없어지기 때문에, 약액을 공급하는 동작을 정지한 후, 예컨대 여분의 약액을 떨어내고 건조를 진행시키기 위해 약액 공급 시에 비해서 기판의 회전 속도를 상승시키기 전에 신나를 공급하여 제거한다. 상기 하층막은, 반사 방지막과 동일하게 형성 후 가열 처리되기 때문에, SOG막 제거 시에 이 신나에 의해서는 제거되지 않는다. 또한, 이 하층막에 대해서도 반사 방지막이나 레지스트막과 마찬가지로 해당 하층막의 형성 모듈에서 신나로 제거할 수 있다.
W : 웨이퍼 S1 : 캐리어 블록
S2 : 처리 블록 S3 : 인터페이스 블록
S4 : 노광 장치 A1∼A6 : 메인 아암
B1∼B6 : 단위 블록 C, D : 전달 아암
E : 인터페이스 아암 BU : 버퍼 모듈
SCPW : 전달 모듈 TRS : 전달 모듈
3 : 제어부 33 : 반송 스케줄 변경부
35 : 반송 제어 프로그램

Claims (12)

  1. 반입 모듈에 놓여진 기판을, 각각 기판이 배치되며 반송의 순서가 결정된 모듈군에 반송 수단에 의해 한 장씩 반송하여 상기 모듈군의 하류단의 반출 모듈에 전달하며, 기판에 대하여 동일한 처리를 행하는 단위 블록을 복수층 구비한 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 모듈군에 포함되고, 반송의 순서가 동일하며, 기판에 도포막을 형성하는 복수의 도포막 형성 모듈과,
    상기 복수의 단위 블록의 각각의 반입 모듈에 기판의 지급을 행하는 제1 전달 수단과,
    상기 반송 수단 및 제1 전달 수단을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 복수의 도포막 형성 모듈은 각각, 상기 도포막을 형성하기 위해 약액을 기판에 도포하는 도포막 형성 기구와, 도포막 형성 모듈이 사용 불가 모듈이 되었을 때에 상기 사용 불가 모듈에 반입되어 있는 기판의 상기 도포막을 제거하는 도포막 제거 기구를 가지며,
    상기 제어부는, 상기 단위 블록에 포함되는 상기 복수의 도포막 형성 모듈 중, 적어도 하나가 사용 불가 모듈이 되고 또한 적어도 하나가 사용할 수 있는 상태에 있을 때에는, 제1 전달 수단에 의해, 복수의 단위 블록에 있어서, 가장 빠르게 배치 가능하게 된 반입 모듈에 기판을 지급하며, 상기 복수의 단위 블록의 각각에 있어서는, 상기 사용 불가 모듈에 반입되어 있는 기판과 동일 로트 내의 다른 기판을, 기판이 반입 모듈에 지급된 순서를 따라 상기 반송 수단에 의해 모듈군에 순차 반송하여 반출 모듈에 전달하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 사용 불가 모듈에 반입되어 있는 기판이 속하는 로트 중, 상기 사용 불가 모듈이 발생한 단위 블록에 반입되는 최후의 기판이 상기 단위 블록의 반입 모듈에 반입된 후, 다음 로트가 상기 단위 블록의 반입 모듈에 반입되기 전에, 상기 반송 수단에 의해, 상기 사용 불가 모듈에 반입되어 있는 기판을, 상기 사용 불가 모듈이 발생한 단위 블록을 포함하는 상기 복수의 단위 블록 중 어느 하나의 단위 블록의 반입 모듈에 전달하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반송 수단 및 제1 전달 수단은,
    사용 불가 모듈이 된 도포막 형성 모듈의 상기 도포막 제거 기구에 의해 도포막이 제거된 기판에 상기 도포막을 재차 형성하기 위해, 상기 도포막 형성 모듈이 포함되는 단위 블록의 사용 가능한 도포막 형성 모듈이나 또는 다른 단위 블록의 사용 가능한 도포막 형성 모듈에 상기 기판을 반송하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 모듈군의 하류측에 마련된 후단 모듈과,
    상기 모듈군의 하류측에 마련되며, 복수매의 기판을 배치하는 기판 배치부와,
    상기 복수의 단위 블록의 각각의 반출 모듈로부터 기판을 추출하여, 상기 후단 모듈 및 상기 기판 배치부에 반송하는 제2 전달 수단을 더 구비하고,
    상기 제어부는 상기 제2 전달 수단을 제어하며,
    상기 반송 수단은, 상기 사용 불가 모듈에 반입되어 있는 기판의 상류측의 기판으로서, 상기 사용 불가 모듈이 포함되는 단위 블록 내의 기판을 상기 모듈군에 반송한 후에 상기 반출 모듈에 전달하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 반입 모듈에 놓여진 기판을, 각각 기판이 배치되며 반송의 순서가 결정된 모듈군에 반송 수단에 의해 한 장씩 반송하여 상기 모듈군의 하류단의 반출 모듈에 전달하며, 기판에 대하여 동일한 처리를 행하는 단위 블록을 복수층 구비한 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 모듈군에 포함되고, 반송의 순서가 동일한 복수의 도포막 형성 모듈의 각각에서, 상기 도포막을 형성하기 위해 약액을 기판에 도포하는 공정과,
    제1 전달 수단에 의해, 상기 복수의 단위 블록의 각각의 반입 모듈에 기판의 지급을 행하는 공정과,
    상기 도포막 형성 모듈이 사용 불가 모듈이 되었을 때에 상기 사용 불가 모듈에 반입되어 있는 기판의 상기 도포막을 상기 도포막 형성 모듈로 제거하는 공정과,
    상기 단위 블록에 포함되는 상기 복수의 도포막 형성 모듈 중, 적어도 하나가 사용 불가 모듈이 되고 또한 적어도 하나가 사용할 수 있는 상태에 있을 때에는, 제1 전달 수단에 의해, 복수의 단위 블록에 있어서, 가장 빠르게 배치 가능하게 된 반입 모듈에 기판을 지급하며, 상기 복수의 단위 블록의 각각에 있어서는, 상기 사용 불가 모듈에 반입되어 있는 기판과 동일 로트 내의 다른 기판을, 기판이 반입 모듈에 지급된 순서를 따라 상기 반송 수단에 의해 모듈군에 순차 반송하여 반출 모듈에 전달하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  6. 제5항에 있어서, 사용 불가 모듈이 된 도포막 형성 모듈로 도포막이 제거된 기판에 상기 도포막을 재차 형성하기 위해, 상기 도포막 형성 모듈이 포함되는 단위 블록의 사용 가능한 도포막 형성 모듈이나 또는 다른 단위 블록의 사용 가능한 도포막 형성 모듈에 상기 기판을 반송하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 제2 전달 수단에 의해, 상기 복수의 단위 블록의 각각의 반출 모듈로부터 기판을 추출하여, 상기 모듈군의 하류측에 마련된 후단 모듈 및 상기 모듈군의 하류측에 마련된, 복수매의 기판을 배치하는 기판 배치부에 반송하는 공정과,
    상기 반송 수단에 의해, 상기 사용 불가 모듈에 반입되어 있는 기판의 상류측의 기판으로서, 상기 사용 불가 모듈이 포함되는 단위 블록 내의 기판을 상기 모듈군에 반송한 후에 상기 반출 모듈에 전달하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
KR1020110075194A 2010-09-06 2011-07-28 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR101676049B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-198888 2010-09-06
JP2010198888 2010-09-06
JP2011154043A JP2012080077A (ja) 2010-09-06 2011-07-12 基板処理装置及び基板処理方法
JPJP-P-2011-154043 2011-07-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120024388A KR20120024388A (ko) 2012-03-14
KR101676049B1 true KR101676049B1 (ko) 2016-11-14

Family

ID=45770915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110075194A KR101676049B1 (ko) 2010-09-06 2011-07-28 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8916229B2 (ko)
JP (1) JP2012080077A (ko)
KR (1) KR101676049B1 (ko)
CN (1) CN102386119B (ko)
TW (1) TWI479587B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5901477B2 (ja) * 2012-09-10 2016-04-13 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP2014067910A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5928283B2 (ja) 2012-09-28 2016-06-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板搬送方法及び記憶媒体
JP6863114B2 (ja) * 2017-06-16 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6655689B1 (ja) * 2018-09-21 2020-02-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7387316B2 (ja) * 2019-07-19 2023-11-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システムおよび基板搬送方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030133086A1 (en) 2002-01-11 2003-07-17 Norio Senba Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20060276046A1 (en) 2005-06-07 2006-12-07 Tokyo Electon Limited Substrate processing system and substrate processing method
US20070219660A1 (en) 2005-11-24 2007-09-20 Tomohiro Kaneko Substrate transporting and processing apparatus, fault management method for substrate transport and processing apparatus, and storage medium storing fault management program
US20070250202A1 (en) 2006-04-17 2007-10-25 Tokyo Electron Limited Coating and developing system, method of controlling coating and developing system and storage medium

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124301A (ja) * 1998-10-13 2000-04-28 Tokyo Electron Ltd 容器載置ユニット、容器収納装置、及び処理装置
JP2003318079A (ja) * 2002-04-19 2003-11-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理システム
US7596425B2 (en) * 2003-06-13 2009-09-29 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate detecting apparatus and method, substrate transporting apparatus and method, and substrate processing apparatus and method
JP4955976B2 (ja) * 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4450784B2 (ja) 2005-10-19 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
US7603261B2 (en) * 2006-07-11 2009-10-13 Schlumberger Technology Corporation Method for predicting acid placement in carbonate reservoirs
JP2008198820A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP4388563B2 (ja) * 2007-03-27 2009-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US7496423B2 (en) * 2007-05-11 2009-02-24 Applied Materials, Inc. Method of achieving high productivity fault tolerant photovoltaic factory with batch array transfer robots
JP4877075B2 (ja) * 2007-05-29 2012-02-15 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体
TW200919117A (en) 2007-08-28 2009-05-01 Tokyo Electron Ltd Coating-developing apparatus, coating-developing method and storage medium
JP2008098670A (ja) * 2007-12-21 2008-04-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置の障害対処システム
JP5344734B2 (ja) * 2007-12-28 2013-11-20 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5059685B2 (ja) * 2008-05-20 2012-10-24 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5056582B2 (ja) * 2008-05-22 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030133086A1 (en) 2002-01-11 2003-07-17 Norio Senba Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20060276046A1 (en) 2005-06-07 2006-12-07 Tokyo Electon Limited Substrate processing system and substrate processing method
US20070219660A1 (en) 2005-11-24 2007-09-20 Tomohiro Kaneko Substrate transporting and processing apparatus, fault management method for substrate transport and processing apparatus, and storage medium storing fault management program
US20070250202A1 (en) 2006-04-17 2007-10-25 Tokyo Electron Limited Coating and developing system, method of controlling coating and developing system and storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
TWI479587B (zh) 2015-04-01
US8916229B2 (en) 2014-12-23
KR20120024388A (ko) 2012-03-14
CN102386119A (zh) 2012-03-21
US20120058253A1 (en) 2012-03-08
JP2012080077A (ja) 2012-04-19
CN102386119B (zh) 2015-03-25
TW201230227A (en) 2012-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101676049B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101553417B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4170864B2 (ja) 基板処理装置および基板処理装置における基板搬送方法および基板処理方法
US9417529B2 (en) Coating and developing apparatus and method
US8740481B2 (en) Coating and developing apparatus
TWI484584B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
US20120009528A1 (en) Coating and developing apparatus and method
JP2008034746A (ja) 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体
JP4079861B2 (ja) 基板処理装置
JP6723110B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6243784B2 (ja) 基板処理装置
JP4770938B2 (ja) 基板処理装置
US20120057862A1 (en) Coating and developing apparatus, coating and developing method and non-transitory tangible medium
JP2005123249A (ja) 基板処理装置およびその方法
TWI536488B (zh) A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a memory medium
JP5904294B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP4307168B2 (ja) 基板処理装置およびその方法
JP5267691B2 (ja) 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191016

Year of fee payment: 4