TWI536488B - A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a memory medium - Google Patents

A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a memory medium Download PDF

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Description

基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
本發明係關於例如對半導體晶圓或LCD基板(液晶顯示器用玻璃基板)等之基板進行處理之基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體。
於半導體製造步驟之一之光蝕刻步驟，對半導體晶圓(以下簡稱晶圓)的表面塗布光阻，將此光阻以特定的圖案曝光之後進行顯影形成光阻圖案。於供形成前述光阻圖案之塗布、顯影裝置，設有具備供對晶圓進行各種處理之用的處理模組的處理區塊。
處理區塊，例如記載於專利文獻1的，是藉由相互層積形成光阻膜等各種塗布膜的單位區塊以及進行顯影處理的單位區塊而構成的。這些單位區塊，被組入進行光阻液或顯影液的塗布處理之複數個液體處理模組，或是進行加熱處理的複數個加熱模組。
在這樣的光阻圖案形成裝置，由提高生產率的觀點來看，設置複數對晶圓進行同一處理的單位區塊。接著，在層積複數個進行同一處理的單位區塊的場合，如 專利文獻2所示，對分別的單位區塊依序付出晶圓，以分別的單位區塊進行處理之後，沿著前述付出順序由分別的單位區塊搬出晶圓。
然而，於一個單位晶圓，對晶圓進行特定處理的模組變成無法使用，而沒有其他可進行同一處理的模組的場合，對於位在此無法使用的模組的上游側的晶圓，無法在該單位區塊繼續處理。此上游側的晶圓由塗布、顯影裝置回收，例如為了要使其可以再度進行塗布、顯影處理的狀態而接受特定的處理(重做(rework)處理)之後，再度被搬入塗布、顯影裝置。但是，進行這樣一連串的處理很費工夫，所以有減少進行前述處理的晶圓(重做晶圓)的枚數的需求。此外，隨著模組不同因應晶圓的批次的切換，必須要有改變前述批次的處理條件之準備動作。追求著減少此準備動作的次數，防止處理停滯同時抑制前述重做晶圓的枚數。
在專利文獻1記載著對基板進行互為相同的處理之多模組變成無法使用的場合之對應方法，但是要解決前述問題仍然是不夠充分。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-176122號公報
本發明係有鑑於這樣的情形之下而完成之發明，其目的在於提供當模組發生故障時，可以抑制生產率的降低，同時減少不能進行處理而被回收的基板的枚數之技術。
本發明之基板處理裝置，係具備：於各個基板的批次被搬入處理區塊；處理區塊，具備供進行互為相同的一連串處理之用的複數單位區塊；各單位區塊，具備對基板進行一連串處理的模組群，與供由構成這些模組群的上游側的模組至下游側的模組依序搬送基板之用的第1搬送機構；被搬入處理區塊的基板，藉由第2搬送機構依序分配給前述複數單位區塊之各個的上游端的模組，以被分配的單位區塊進行一連串的處理；以及設置控制裝置的控制部；之基板處理裝置，其特徵為：前述控制部，以執行下列步驟的方式輸出控制訊號：在一個單位區塊之模組發生故障時，中止往該一個單位區塊之基板的搬入，以往其他單位區塊搬入的方式使第2搬送機構動作的步驟；把安置於比前述一個單位區塊之故障模組更為上游側的模組之基板稱為等待基板時，判斷該等待基板所屬的批次之下一個批次的先頭基板是否在被搬入其他單位區塊的上游端的模組之前的步驟；藉由此步驟，在被判斷為在前述搬入 之前時，以把前述等待基板搬入其他單位區塊的上游端的模組的方式，或者在判斷為在前述搬入之後時，以前述下一個批次的最後尾端的基板被搬入其他的單位區塊的上游端的模組之後，把前述等待基板搬入其他單位區塊的上游端的模組的方式，來控制第1搬送機構及第2搬送機構的步驟；使被搬入前述其他單位區塊的上游端的模組之前述等待基板以該其他單位區塊進行前述一連串處理的方式，控制該其他的單位區塊之第1搬送機構的步驟。
本發明之具體的態樣，例如如下列所述。
(a)於前述模組群之中，含有供進行基板的溫度調整之用的溫度調整模組，前述等待基板，不管是否以前述一個單位區塊以前述溫度調整模組進行了溫度調整，都以前述其他的單位區塊搬入溫度調整模組。
(b)前述等待基板有複數枚，在由複數批次所構成的場合，從先被搬入一個單位區塊的批次的等待基板搬入其他的單位區塊。
(c)於前述模組群，設有搬送順序相同，對基板進行同一處理之多模組，其他單位區塊之前數多模組之中至少一個被設定為前述等待基板之搬入用，其他模組被設定為不經過一個單位區塊而被遞送的基板之搬入用。
(d)各單位區塊，被連接於曝光裝置，為了把單位區塊之處理模組群或者在單位區塊的上游側被塗布光阻的基板，以預先設定的順序搬送至前述曝光裝置，在各單位區塊的後段側，設有使複數枚基板等待之等待用模 組。
(e)被搬入容納基板的載體之載體區塊，以及在與曝光裝置之間遞送基板之用的界面區塊，係以夾著各單位區塊的方式設置的，各單位區塊包含顯影被曝光的基板而遞送至載體區塊之用的顯影模組，前述第2搬送手段，包含由載體區塊側往界面區塊側，直通搬送被形成光阻膜的基板之直通搬送機構。
根據本發明，於一個單位區塊之模組發生故障時，把安置於比故障模組更為上游側的模組之等待基板，在該等待基板所屬的批次之下一個批次，被搬入其他單位區塊之前，或者前述次一批次被搬入其他的單位區塊之後，搬入該其他單位區塊而進行處理。藉此，可以防止批次的切換導致模組的調整動作的次數增加使得生產率降低，同時可以抑制不能進行處理而回收的基板的枚數。
A1~A6‧‧‧搬送臂
B1~B6‧‧‧單位區塊
C‧‧‧載體
COT‧‧‧光阻塗布模組
CPL、TRS‧‧‧交接模組
HP‧‧‧加熱模組
SBU‧‧‧緩衝模組
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧塗布、顯影裝置
16‧‧‧第2交接臂
23‧‧‧梭
100‧‧‧控制部
圖1係本發明適用之塗布、顯影裝置的平面圖。
圖2係前述塗布、顯影裝置的立體圖。
圖3係前述塗布、顯影裝置的縱剖側面圖。
圖4係根據前述塗布、顯影裝置之通常時的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖5係根據前述塗布、顯影裝置之異常時的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖6係根據前述塗布、顯影裝置之異常時的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖7係根據前述塗布、顯影裝置之異常時的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖8係前述塗布、顯影裝置之單位區塊的概略展開圖。
圖9係前述塗布、顯影裝置之單位區塊的概略展開圖。
圖10係前述塗布、顯影裝置之單位區塊的概略展開圖。
圖11係前述塗布、顯影裝置之單位區塊的概略展開圖。
圖12係前述塗布、顯影裝置之單位區塊的概略展開圖。
圖13係前述塗布、顯影裝置之單位區塊的概略展開圖。
圖14係前述塗布、顯影裝置之單位區塊的概略展開圖。
圖15係前述塗布、顯影裝置之單位區塊的概略展開圖。
圖16係前述塗布、顯影裝置之單位區塊的概略展開圖。
圖17係前述塗布、顯影裝置之單位區塊的概略展開圖。
圖18係前述塗布、顯影裝置之單位區塊的概略展開圖。
圖19係前述塗布、顯影裝置的搬送路徑之概略圖。
圖20係前述塗布、顯影裝置的搬送路徑之概略圖。
圖21係前述塗布、顯影裝置之單位區塊的概略展開圖。
以下參照圖1~圖3說明本發明之基板處理裝置之一實施型態之塗布、顯影裝置1。於此塗布、顯影裝置1被連接曝光裝置11被構成為光阻圖案形成系統，圖1為此系統的平面圖，圖2為其概略立體圖。圖3為塗布、顯影裝置1的概略側面圖。前述系統，依序使載體區塊S1、處理區塊S2、界面區塊S3、前述曝光裝置11依序連接為直線狀而構成。
載體區塊S1，係由外部搬入收容複數枚晶圓W的載體C之區塊，圖中12為前述載體C之載置台。圖中13為在載體C與後述之棚單元U1之間遞送晶圓W之第1遞送臂。
處理區塊S2，係藉由依序由下方側起層積第1單位區塊(DEV層)G1、第2單位區塊(DEV層)G2、梭移動用區塊22、第3單位區塊(BCT層)G3、第4單位區塊 (BCT層)G4、第5單位區塊(COT層)G5、第6單位區塊(COT層)G6之單位區塊而構成的。梭移動用區塊22設有直通搬送機構之梭23。梭23由後述之棚單元U1的遞送部21往後述之棚單元U6的遞送部24移動，直通搬送晶圓W。
針對各單位區塊G，相互間的配置及構成是類似的，所以作為代表說明圖1所示的第5單位區塊G5。於單位區塊G5，由載體區塊S1側起朝向界面區塊S3側形成晶圓W的搬送路15。於搬送路15設有搬送晶圓W之搬送臂F5，可以在單位區塊G5的模組間遞送晶圓W。搬送臂F5，能夠以前述棚單元U1操作設於此單位區塊G5的高度之各模組，進行晶圓W的搬出搬入。此外，搬送臂F5具備2個分別獨立而供保持晶圓W之用的保持部，在一方之保持部由模組接受晶圓W，在另一方的保持部對模組遞送晶圓W。總之，以對模組替換保持的晶圓W的方式進行動作。此處把載置晶圓W的場所記載為模組，把對晶圓進行處理的模組記載為處理模組。
由載體區塊S1側來看前述搬送路15於右側，有3個液體處理模組亦即光阻塗布模組COT501~COT503沿著該搬送路15設置。光阻塗布模組COT501~COT503係供形成光阻膜之用的模組，具備包圍各個晶圓W的側邊周圍之杯。此外，COT501~COT503，具備對晶圓W表面供給光阻液的噴嘴，此噴嘴在COT501~503共用。此處，COT501~COT503可以進行在晶圓W形成光 阻膜之相同的處理，於塗布、顯影裝置1分別以相同的順序搬送晶圓W。這樣的模組稱為多模組。例如，後述之ADH511~ADH512、HP521~HP526也都是多模組。
由載體區塊S1側來看前述搬送路15，於左側沿著該搬送路15設有棚單元U2~U5。這些棚單元U2~U5為各個模組被層積為2段的構成。棚單元U2由疏水化處理模組ADH511、ADH512所構成，這些模組在光阻膜之形成前對晶圓W表面供給處理氣體，進行晶圓W表面的疏水化處理。棚單元U3~U6，由在光阻塗布後加熱處理晶圓W的加熱模組HP521~HP526所構成。加熱模組HP521~HP526，具備自由變更溫度的熱板，使被載置於該熱板的晶圓W在所要的溫度進行加熱處理。
說明單位區塊G5以外的單位區塊的話，單位區塊G6係與單位區塊G5相同的構成。為了與單位區塊G5的各部分區別，於單位區塊G6把光阻塗布模組編為COT601~COT603，疏水化處理模組為ADH611~612、加熱模組為HP621~HP626，搬送臂為A6，分別進行說明。單位區塊G3、B4，除了作為液體處理模組替代光阻塗布模組COT而設有防反射膜形成模組BCT以外，與單位區塊G5、B6為相同的構成。圖3中，把各單位區塊G3、B4之搬送臂顯示為A3、A4。
針對單位區塊G1、B2，作為液體處理模組替代光阻塗布模組COT而設有對晶圓W供給顯影液的顯影模組DEV。此外，於棚單元U4~U5，設有在曝光後、顯 影前加熱晶圓W的加熱模組PEB，於棚單元U2~U3，設有在顯影後加熱晶圓W的加熱模組POST。
於處理區塊S2在載體區塊S1側，以跨過單位區塊G1~B6的方式設有棚單元U1。棚單元U1係被層積多數模組而構成的，作為此模組係可以載置多數枚晶圓W的緩衝模組SBU，載置晶圓W的遞送模組TRS、CPL。CPL，具備載置晶圓W的載置部，與對此載置部供給溫度被調整之冷卻水的流路；進行被載置的晶圓W的溫度調整。此外，於棚單元U1為了對前述梭23遞送晶圓W而設有該梭23進入之遞送部21。
針對棚單元U1進一步進行說明。如圖3所示於單位區塊G1、G2的高度分別設有CPL11、CPL21。在單位區塊G3的高度，設有遞送模組CPL31、CPL32、TRS31、TRS32，於單位區塊G4的高度設有遞送模組CPL41、CPL42、TRS41、TRS42。在單位區塊G5的高度，設有遞送模組CPL51、CPL52、TRS51及緩衝模組SBU51，於單位區塊G6的高度設有遞送模組CPL61、CPL62、TRS61及緩衝模組SBU51。
於棚單元U1的附近，在這些模組間及模組與梭之間設有遞送晶圓W之自由升降的第2遞送臂16。於第2搬送機構亦即前述第2遞送臂16之沿著升降路徑設置的棚單元U1，設在對應於各單位區塊的高度之前述各地送模組，兼用該單位區塊之模組群之一。
此外，於處理區塊S2，在界面區塊S3側，以 跨過單位區塊G1、G2、梭移動用區塊22的方式設有棚單元U6。於棚單元U6，前述遞送部24、遞送模組TRS、CPL相互層積而構成。於這些遞送模組TRS、CPL，被構成為單位區塊G1、G2的搬送臂F1、F2可以操作。搬送臂F1、F2與單位區塊G5的搬送臂F5同樣地被構成。於棚單元U6，如圖3所示於單位區塊G1的高度設有遞送模組CPL12、TRS11，於單位區塊G2的高度設有遞送模組CPL22、TRS21。
於界面區塊S3，設有界面臂25，與在搬入曝光裝置11之前使複數枚晶圓W等待的等待用模組亦即緩衝模組BUF。界面臂25，被構成為可以在曝光裝置11與棚單元U6之各模組，與移動至遞送部24的梭23，與前述緩衝模組BUF之間搬送晶圓W。曝光裝置11依照特定的圖案曝光晶圓W，被曝光的晶圓W以前述顯影模組DEV顯影，形成光阻圖案。
於此塗布、顯影裝置1，設有由電腦構成的控制部100。控制部100具備程式、記憶體、CPU所構成的資料處理部等，於前述程式由控制部100對塗布、顯影裝置1之各部送出控制訊號，控制前述搬送臂、遞送臂及界面臂的動作進行晶圓W的搬送，以使進行後述之各處理步驟的方式組入命令(各步驟)。此外，控制部100對各單位區塊在晶圓W之批次被搬入之前轉送對應於該批次的處方。依照此處方，在特定的模組進行後述的準備動作，以因應於前述批次的處理條件來處理晶圓W。此程式(也 包含關於處理參數的輸入操作或顯示之程式)，被收容於電腦記憶媒體例如軟碟、光碟、硬碟、MO(光磁碟)、記憶卡等記憶媒體，被安裝於控制部100。
由前述載體C連續搬送一個批次的晶圓W之後，搬送其他批次的晶圓W。總之，於各個批次，晶圓W往前述塗布、顯影裝置1之處理區塊S2搬送。接著，由載體C送出的晶圓W一枚一枚地以後述之順序搬送於模組間接受處理。在通常時期，由載體C搬送的晶圓W，以交互分配給例如通過BCT層G3→COT層G5→DEV層G1的路徑1，與通過BCT層G4→COT層G6→DEV層G2之路徑2而搬送的方式被設定。總之，同一批次的晶圓W被分配給雙重化的各單位區塊。又，針對下述搬送路徑，模組被構成為多模組的場合，被搬送到構成該多模組的一個模組。
前述路徑1的晶圓W，藉由載體C→第1遞送臂13被搬送到遞送模組TRS31之後，藉由單位區塊G3的搬送臂F3依照疏水化處理模組ADH→遞送模組CPL32~CPL33→防反射膜形成模組BCT→加熱模組→遞送模組TRS32的順序被搬送。如此被搬送而被形成防反射膜的晶圓W，藉由第2遞送臂16由遞送模組TRS32被搬送至遞送模組TRS51，藉由單位區塊G5的搬送臂F5於單位區塊G5內依照疏水化處理模組ADH511~512→遞送模組CPL51~CPL52→光阻塗布模組COT501~503→加熱模組HP521~526→緩衝模組SBU51之順序被搬送。
如前所述被搬送而形成光阻膜的晶圓W，藉由第2遞送臂16由緩衝模組SBU51被移載至遞送部21之梭23，梭23移動到遞送部24，被遞送至界面臂25。接著，前述晶圓W一度被搬送至緩衝模組BUF滯留之後，被搬送到曝光裝置11而被曝光。前述晶圓W藉由界面臂25被搬送至遞送模組TRS11，藉由單位區塊G1的搬送臂F1於單位區塊G1內依照加熱模組PEB→遞送模組CPL12→顯影模組DEV→加熱模組POST→遞送模組CPL11之順序被搬送，接受顯影處理。其後晶圓W藉由第1遞送臂13，由遞送模組CPL11回到載體C。
針對前述路徑2的晶圓W的搬送，除了被搬送的單位區塊不同以外，與路徑1的晶圓W是相同的。簡單地說，由載體C，藉由第1遞送臂13被搬送至遞送模組TRS41，於單位區塊G4內的模組依照與第1路徑的晶圓W同樣的順序被搬送，送出至遞送模組TRS42。接著，藉由第2遞送臂16由前述遞送模組TRS42被搬送至遞送模組TRS61，於單位區塊G6內依照疏水化處理模組ADH611~ADH612→遞送模組CPL61~CPL62→光阻塗布模組COT601~COT603→加熱模組HP621~HP626→緩衝模組SBU61的順序被搬送。
接著，前述晶圓W，與路徑1的晶圓W同樣地透過第2遞送臂16、梭23、界面臂25被搬送至曝光裝置11後，藉由界面臂25，被搬送至遞送模組TRS21，於單位區塊G2的各模組以與路徑1的晶圓W同樣的順序被 搬送，由遞送模組CPL21藉由第1遞送臂13回到載體C。
於前述之搬送，各個晶圓W之搬送對象的模組是預先設定好的。接著，構成多模組之一個模組發生故障而往該一個模組之晶圓W的搬送變成無法進行，而往構成前述多模組的其他模組之搬送為可能的場合，以把晶圓W搬送往其他模組的方式來變更設定。但是，於一個單位區塊G構成多模組的所有的模組都發生故障而變成無法搬送，或者是往未作為多模組來構成的模組之搬送變成無法進行時，要以前述單位區塊G來透過前述的搬送路徑往下游側搬送晶圓W也會變得不可能。這為這樣的狀態時，進行臨時的搬送。
圖4~圖7係極為簡略地說明前述通常時的搬送切換為臨時搬送的模樣之模式圖。圖4表示通常時的搬送，圖5~圖7表示臨時的搬送。各圖中晶圓W的批次為A、B，依照由載體C送出的順序在A、B之後賦予編號。在各圖中7A、7B為互為同樣構成的單位區塊，71~74表示模組。模組71、74，係分別構成各單位區塊G的搬入口、搬出口的模組。圖中75、76為單位區塊7A、7B的外部的模組，進行由這些模組75、76往單位區塊7A、7B之搬送。於通常時，晶圓W由載體C連續送出，所以於單位區塊變成無法進行搬送時，變成無法搬送的模組(故障模組)之上游側也還搬送著晶圓W(等待基板)。
此處，如圖4、5所是把批次A搬入單位區塊 7A、7B中，因為往單位區塊7A的模組73之搬送變成不能而使得單位區塊7A之搬送變成不能，使得模組內留有比晶圓A7更前面的編號之晶圓W。如此一來，在成為前述無法搬送的時間點，控制部100判定此留下來的晶圓W之次一個批次亦即批次B是否被搬入單位區塊7A的模組71。在圖4所示之例，與留下的晶圓W相同批次A的晶圓A8被搬入，所以此判定結果為否定。
如此一來，如圖5所示停止由模組75往單位區塊7A的搬送，被搬送至模組75的後續的晶圓A9，也與被搬送至模組76的晶圓A10一起往單位區塊7B搬送。持續由模組75、76之晶圓W的搬送，與留在單位區塊7A的晶圓W相同批次A的最後的晶圓A20往該單位區塊7B搬入。其後，在後續的批次B被搬入單位區塊7B之前，如圖6所示於單位區塊7A變成無法搬送的模組73的上游側之晶圓A5、A7被搬送至單位區塊7B的模組71。晶圓A5、A7把單位區塊7A往下游側搬送與通常時同樣地接受處理。
以下說明控制部100，在判定前述留下的晶圓W之次一個批次亦即批次B是否被搬入單位區塊7A的模組71時，判定為被搬入時的動作。批次B，與搬送前述批次A的場合同樣由模組75、76不往單位區塊7A搬送，僅往單位區塊7B搬送。接著，批次B的最後的晶圓(例如晶圓B20)被搬入單位區塊7B之後如圖7所示，晶圓A5、A7被搬送至單位區塊7B的模組71。由模組71、 72的晶圓W來看時，由已經被搬入的單位區塊7A往其他的單位區塊7B的搬入口返回，重新搬送該單位區塊7B，所以此後把這樣的往其他的單位區塊之搬送記載為繞回搬送。
以下，舉出在塗布、顯影裝置1，往光阻塗布模組COT501~COT503之搬送變成無法進行，而無法把晶圓W搬送往單位區塊G5的下游側的場合為例，更具體說明前述繞回搬送。圖8係那樣變成無法搬送時之第5單位區塊G5及第6單位區塊G6平面地展開之概略構成。前述之概略說明的模組74相當於緩衝模組SBU51、SBU61，模組71相當於遞送模組TRS51、TRS61，模組73相當於COT501~COT503、COT601~COT603。模組75、76分別相當於遞送模組TRS51、TRS61。
於單位區塊G5，針對光阻塗布模組COT501~COT503的上游側的晶圓W，可以進行繞回搬送。總之，被搬入疏水化處理模組ADH511、512，遞送模組TRS51、CPL51、CPL52的晶圓W變成被繞回搬送。此外，其他在搬送臂F5保持著被搬入光阻塗布模組COT501~COT503之前的晶圓W的場合，針對該晶圓W也可以進行繞回搬送。以下，把這樣可以進行繞回搬送的晶圓W記載為繞回晶圓，於以後之各圖中由賦予多數點之圓形印來表示。繞回晶圓，如在搬送的概略所說明的，直到繞回搬送的開始的時間點為止，都在往單位區塊G5的下游側之搬送變成不能時被搬入的模組等待著。
圖8中，於光阻塗布模組COT501~COT503的晶圓W(為留置晶圓)賦予斜線。此賦予了斜線的晶圓W，滯留於這些光阻塗布模組COT501~COT503，或者是不被搬送至後段的模組而與通常時同樣地於層間被搬送而回到載體C。又，對於繞回晶圓W，裝置的使用者可以選擇各個晶圓W是否進行繞回搬送。這是因為隨著模組不同而長時間使晶圓停滯的話，該晶圓W有可能會變成重製晶圓。
前述繞回晶圓W及留置晶圓W以外的被搬送至單位區塊G5、G6之各模組的晶圓W(於各圖中以斜線或不附點的圓形印來表示)，與通常時同樣地搬送。例如，於單位區塊G5，位於成為無法搬送的光阻塗布模組501~503之下游側的晶圓W，也就是位於加熱模組HP521~HP526的晶圓W，與通常時同樣往緩衝模組SBU51搬送，由單位區塊G5搬出。
如此般在往單位區塊G5的下游側的搬送變成不能時，如概略圖所說明的，把第2遞送臂16往遞送模組TRS32搬送的晶圓W，替代遞送模組TRS51而改搬送至遞送模組TRS61。由此以後，此晶圓W與通常時同樣地被搬送於單位區塊G6內，透過緩衝模組SBU61由單位區塊G6搬出。此外，被搬送到遞送模組TRS42的晶圓W，與通常時同樣被搬送至單位區塊G6而接受處理。總之，以避開單位區塊G5的方式進行搬送。
如此般往光阻塗布模組COT501~COT503之 搬送變成不能時，在單位區塊G6各步驟之多模組之中的一個模組，被設定為供處理被繞回搬送的晶圓W之用的模組(為繞回搬送用模組)。於如此設定的模組以外的模組，搬送經過遞送模組TRS32、TRS42之晶圓W。藉此，確保繞回晶圓W的搬送路徑。圖9係顯示例如ADH612、CPL62、COT603及HP626那樣被設定為繞回搬送用模組之例。如在概略圖所說明的，往單位區塊G6搬入中的批次之直到間斷處為止持續由遞送模組TRS32、TRS42往單位區塊G6繼續晶圓W的搬入，例如多模組之中較早處理結束前述批次的模組，如此般被設定為繞回搬送用的模組。
然後，如稍後所述繞回晶圓的批次，與由遞送模組TRS32、TRS42往單位區塊G6搬入中的批次為不同的場合，在作為前述繞回搬送用模組所被設定的加熱模組HP626及光阻塗布模組COT603，進行供處理繞回晶圓W之用的準備動作。作為光阻塗布模組COT603的準備動作，有杯之洗淨處理、由噴嘴除去舊的光阻之吐出處理，亦即所謂的虛擬分配。此外，作為加熱模組HP602的準備動作，有熱板的溫度調整(設定)。這些準備動作，在其他的光阻塗布模組COT、加熱模組處理通常的晶圓W之間進行的。
作為繞回搬送開始的時間點，如在概略圖所說明的，是在往單位區塊搬入中的批次之最後的晶圓W往該單位區塊搬入之後。亦即，於圖10，晶圓A20為批 次A的最後的晶圓W，此晶圓W被搬送至遞送模組TRS61，被取入單位區塊G6時(圖中的步驟T1)，接著前述晶圓A20之後，藉由第2遞送臂16，使晶圓W經過緩衝模組SBU51被搬送至TRS61(圖中步驟T2)。
以下說明如此控制繞回搬送的理由。如前所述，隨著COT501~COT503成為不能搬入的時間點不同搬入單位區塊G6中的晶圓W的批次，與繞回晶圓W的批次有可能會不同。當前述繞回晶圓W的批次為A，搬入中的晶圓W的批次為B時，於單位區塊G6的繞回搬送用模組，如前所述必須要以由處理批次B的晶圓W的狀態變成處理批次A的狀態的方式來進行前述準備動作。此處，針對往單位區塊G6搬入中的批次B，直到最後的晶圓W為止進行搬入進行處理，其後，使批次A的晶圓W繞回而搬入單位區塊。此時，由單位區塊G6的繞回搬送用模組來看的話，批次B、批次A連貫被搬入，所以每次晶圓W被搬送時沒有進行準備動作的必要。接著，繞回搬送結束時，後續的批次(批次C)之晶圓連貫被搬送，在對此批次C進行準備動作後，可以連續處理該批次C的晶圓，所以可抑制進行準備動作的次數。藉此可以防止生產率的降低。
接著，說明繞回晶圓W經過的模組。此經過的模組，在無法搬送的單位區塊搬送藉由遞送模組CPL處理前的繞回晶圓W的場合(場合1-1)，以及以遞送模組CPL搬送處理完畢的繞回晶圓W的場合(場合1-2)是互不 相同的。
於場合1-1，繞回晶圓W由變成無法搬送的單位區塊往可以搬送的單位區塊的搬入模組搬送之後，往變成無法搬送的單位區塊最後被搬送的模組之次一個步驟的模組搬送。於場合1-2，繞回晶圓W在由變成無法搬送的單位區塊往可以搬送的單位區塊的搬入模組搬送之後，往遞送模組CPL搬送。在此CPL被調整溫度後，往變成無法搬送的單位區塊最後被搬送的模組之次一個步驟的模組搬送過去。總之，任一場合必定被搬送到遞送模組CPL被調整溫度。
以下參照圖11同時具體說明被搬入疏水化處理模組ADH511的晶圓(圖中以D1表示)進行繞回搬送的場合。ADH511是比遞送模組CPL51、CPL52更為上游側的模組，所以此場合相當於前述場合1-1。首先，藉由搬送臂F5，使晶圓D1被搬送至緩衝模組SBU51(圖中的步驟R1)，之後藉由第2遞送臂16，被搬送至單位區塊G6的遞送模組TRS61(圖中的步驟R2)。晶圓D1，已經接受了直到根據模組ADH之疏水化處理為止之各種處理，模組ADH之下一個處理是根據CPL進行溫度調整。因此，搬送臂F6使晶圓D1由遞送模組TRS61，遞送至遞送模組CPL61、CPL62之中被設定為繞回搬送用模組的CPL62(圖中步驟R3)。其後，晶圓D1與通常的搬送同樣依照光阻塗布模組COT603→加熱模組HP626→緩衝模組SBU61之順序搬送而接受處理。
接著參照圖12同時具體說明被搬入遞送模組CPL52的晶圓(圖中以D2表示)進行繞回搬送的場合。此場合相當於前述場合1-2。首先，藉由第2遞送臂16，使晶圓D2一度被搬送至緩衝模組SBU51(圖中步驟V1)，再由緩衝模組SBU51搬送至單位區塊G6的遞送模組TRS61(圖中步驟V2)。此處，晶圓D2在遞送模組CPL52已經接受溫度調整處理，搬送臂F6把晶圓D2遞送至遞送模組CPL62(圖中步驟V3)。以後，晶圓D2與通常的搬送同樣被遞送至光阻塗布模組COT603(圖中步驟V4)，以後，依照加熱模組HP626→緩衝模組SBU61之順序搬送而接受處理。
以下說明如此般把在第5單位區塊G5之CPL被溫度調整之晶圓D2，再度以第6單位區塊的CPL進行溫度調整的理由。假設維持不以第6單位區塊G6進行溫度調整的狀況，晶圓D2分別被搬入光阻塗布模組COT、加熱模組HP的話，在與其他晶圓之間會因為進行溫度調整之後分別被搬入光阻塗布模組COT、加熱模組HP為止的時間變得不同，而因此使得被搬入這些模組時的溫度與其他晶圓W之間產生差異。結果，會有使其他晶圓的處理狀態與晶圓D2的處理狀態變得有所不同之疑慮。在此，藉由搬入單位區塊G6後再度進行溫度調整，而防止那樣地產生處理上的差異。此外，即使COT進行前述的準備動作的場合，也藉由如此般把繞回晶圓W先搬入CPL，而變得沒有必要讓搬送臂F6在保持該晶圓W的狀 態下進行等待。因此，搬送臂F6可以進行其他晶圓W的搬送，所以具有可進行有效率的搬送的優點。
然而，針對COT501~COT503變成無法搬送的狀態之例進行了說明，接下來說明替代COT501~COT503而是HP521~HP526變成無法搬送而繞回COT501的晶圓W的場合。此場合也相當於場合1-2，所以繞回晶圓W依照遞送模組TRS61→CPL62的順序搬送，被調整溫度。然後，COT501的後段的處理是根據加熱模組HP之處理，所以前述繞回晶圓W由CPL62被搬送至HP626而接受處理。
接著，分各種場合說明繞回晶圓W被搬送的順序。首先，說明在單位區塊變成停止搬送時，單位區塊內的繞回晶圓W僅由一個批次所構成，該單位區塊的搬送臂保持前述批次的晶圓W的場合(場合2-1)。在此場合2-1，由搬送臂的批次A的晶圓W優先被繞回搬送，其後依照由載體C送出的順序被繞回。此由載體C送出的順序係被分配給各晶圓W的編號順序。
此外，說明在單位區塊變成停止搬送時，單位區塊內的繞回晶圓W由複數個批次所構成，該單位區塊的搬送臂保持後續的批次的晶圓W的場合(場合2-2)。進行繞回搬送前，搬送臂操作前述先發批次被搬入的模組，在與該模組之間進行晶圓W的交換，替代後續批次而保持先發的批次。接著，保持的先發批次優先被繞回，以後，與場合2-1同樣依照由載體C送出的順序被繞回。 單位區塊變成停止搬送時，該單位區塊之搬送臂不保持晶圓W的場合(場合2-3)，以由載體C送出的順序使晶圓W繞回。
以下具體舉例進行說明。例如圖13顯示如到目前為止所說明的往光阻塗布模組COT501~COT503之搬送變成無法進行時的狀態。搬送臂F5保持未在光阻塗布模組COT501~COT503處理的晶圓W，單位區塊G5內的繞回晶圓W為同一批次的。總之，相當於前述場合2-1。於遞送模組CPL及疏水化處理模組ADH，這些模組之中編號較小的先被搬入晶圓W。首先，搬送臂F5保持的晶圓W最初被搬送至緩衝模組SBU51，被搬入單位區塊G6。以後，遞送模組CPL51、CPL52，疏水化處理模組ADH511、ADH512、遞送模組TRS51之各晶圓W，依此順序被搬送至緩衝模組SBU51，被搬入單位區塊G6。於圖中的晶圓W依照繞回搬送進行的順序被賦予W1~W6之編號。
如此般搬送臂保持的晶圓W優先繞回的原因，是搬送臂保持晶圓W的話，無法由模組往緩衝模組SBU51搬出繞回晶圓W。接著，對於在場合2-2替換搬送臂保持的批次以及在各場合依照由載體C送出的順序繞回，如先前所述在繞回對象的單位區塊，連續處理相同批次的晶圓W對於減少進行模組的準備動作的次數是有效的，所以如此接著相同批次的晶圓W搬送至前述單位區塊。
對於繞回搬送的順序，與繞回對象的搬送路徑，舉出繞回晶圓由複數批次所構成的場合為例，更具體地進行說明。圖14係與到目前為止所舉之例同樣地，在往光阻塗布模組COT501~COT503之搬送變成無法進行之後，晶圓W之往晶圓W之單位區塊G6的搬送接連著進行的搬送狀態。搬送臂F5是未保持著晶圓W者。總之，是前述2-3的場合。圖中的晶圓W，於ABC各批次由先從載體送出者開始依序賦予編號，晶圓A4、晶圓B1~B4為繞回晶圓。批次B的最終晶圓W(晶圓B13)被搬入遞送模組TRS62之後，後續的批次C的前頭的晶圓C1被搬入單位區塊G6之前，開始繞回搬送。
在繞回晶圓之中最早被送出者為晶圓A4，所以如圖15所示，晶圓A4由滯留的遞送模組CPL51透過緩衝模組SBU51被搬入遞送模組TRS61。前述晶圓A4依照已說明的場合1-2所說明的規則，被搬送至遞送模組CPL61。遞送模組TRS61變空時，殘留於單位區塊G5的繞回晶圓之中，次早被送出者為晶圓B1，所以如圖16所示，晶圓B1由滯留的遞送模組CPL52透過緩衝模組SBU51被搬入遞送模組TRS61。
以遞送模組CPL61冷卻的晶圓A4，被搬入以可以處理批次A的方式進行了準備動作的光阻塗布模組COT601、加熱模組HP621而接受處理。另一方面，晶圓B1被搬入遞送模組CPL61被溫度調整(圖17)。接著，在處理晶圓A4而送出的光阻塗布模組COT601、加熱模組 HP621，進行供處理批次B之準備動作。準備動作結束時，晶圓B1被搬入這些光阻塗布模組COT601、加熱模組HP621而被處理。
接著，晶圓B1被搬出而空出的遞送模組TRS61，依照前述規則依序搬入晶圓B2、B3、B4。在ADH511、ADH512分別等待的晶圓B2、B3，與晶圓B1同樣在搬送至CPL61後，往COT601、加熱模組HP621依序搬送。在TRS51等待的晶圓B4，往ADH611搬送而處理之後，往CPL61、COT601、HP621依序搬送。
最後之繞回晶圓亦即晶圓B4由遞送模組TRS61送出時，開始往該TRS61搬入晶圓C1，以後，批次C的後續的晶圓W被搬入遞送模組TRS61(圖18)。結束處理通常的批次B的晶圓W之HP622~HP626以及COT602、603，在結束批次B的處理時，進行供處理批次C之用的準備動作。針對COT601、HP621在處理前述繞回晶圓B4後進行準備動作。但是對於COT的準備動作亦即虛擬分配，因為COT601~COT603是共有噴嘴，所以在COT601~COT603之全部是在結束批次B的處理之後進行的。接著，對如此進行了準備動作的各模組搬入批次C的晶圓W而進行處理。
然而，為了防止搬送控制複雜化，晶圓W依照由載體C送出的順序被搬入曝光裝置11。然而進行繞回搬送時，後面被送出的晶圓W，會被搬送到比先前送出的晶圓W更為後段的模組。使用圖19、圖20之模式圖， 說明這樣在單位區塊G5、G6進行繞回搬送時之往曝光裝置11的搬送狀況。在這些圖與已說明的圖同樣顯示先發的批次A，後發的批次B，各批次由小的編號起依序由載體C搬出。此外，繞回晶圓為A1。
比這個繞回晶圓A1更晚從載體送出的批次A的晶圓(圖中的A2)以及批次B的各晶圓(圖中的B1、B2)，在被搬入曝光裝置11之前先在界面區塊S3的緩衝模組BUF等待(圖19)。接著，前述繞回晶圓A1被繞回搬送，被搬送至前述緩衝模組BUF，由該緩衝模組BUF送出至曝光裝置11後，等待的晶圓依照由載體C送出之A2、B1、B2的順序被搬送至曝光裝置11(圖19)。總之藉由緩衝模組BUF，晶圓W以依照由載體C送出的順序被送出至曝光裝置11的方式被調整。
因為如此般以緩衝模組BUF調整往曝光裝置11之搬入順序，所以超越繞回晶圓而被搬送到後段側的模組之晶圓W的枚數被載置於緩衝模組BUF以及到緩衝模組BUF為止之各模組。因此，前述緩衝模組BUF的晶圓W的收容枚數+前述各模組之數目-1以下的枚數的晶圓W可以超過繞回晶圓W而進行搬送。-1是因為繞回晶圓W被搬送所致。因此，緩衝模組BUF的收容枚數，以可進行繞回搬送的方式適當調整。
然而，繞回搬送，只要可以對基板進行同樣處理的單位區塊設置有複數個的話即可進行。因此，在單位區塊G3、G4也可以進行，在曝光裝置11的後段側的 顯影用之單位區塊G1、G2也可以進行。單位區塊G1、G2的晶圓W已經在曝光裝置11完成處理，所以如此般在單位區塊G1、G2進行繞回搬送的場合，亦可不藉由前述之緩衝模組BUF來進行晶圓W的等待。
接著，參照圖21同時說明在單位區塊G1、G2進行的繞回搬送之一例。為了說明上的方便，於單位區塊G1，把顯影模組DEV分為DEV121~DEV123。往單位區塊G1、G2之搬入模組為遞送模組TRS11、TRS21。在此單位區塊G1、G2之繞回搬送，為了防止界面臂25的搬送控制變得複雜，晶圓W不由界面區塊S3往單位區塊G1、G2搬送。在此，說明當往單位區塊G1之DEV121~DEV123的搬送變成無法進行，以其前段的模組之PEB的晶圓W為繞回晶圓W進行搬送的場合。
DEV121~DEV123全部變成無法搬送時，往單位區塊G2搬入中的批次的最後的晶圓W被搬入遞送模組TRS21的話，藉由搬送臂F1，前述加熱模組PEB的繞回晶圓W被搬送至遞送模組CPL11，藉由第2遞送臂16遞送至梭23。界面臂25由梭23接收晶圓W，搬送至前述遞送模組TRS21。其後，繞回晶圓W，藉由搬送臂F2被搬送至加熱模組PEB的後段之遞送模組CPL22，以後，與通常時同樣依照顯影模組DEV→加熱模組POST→遞送模組CPL21→第1遞送臂13→載體C的順序被搬送。
如此藉由梭23把繞回晶圓W往界面區塊S3搬送亦可，藉由其他單位區塊G3~GB6的搬送臂由前述 棚單元U1往棚單元U6搬送晶圓W亦可。具體說明的話，例如於棚單元U6在對應於第3單位區塊G3的高度先設遞送模組TRS(為TRS33)。接著，如前所述針對單位區塊G1的繞回晶圓W進行繞回搬送的場合，由單位區塊G1的搬出模組亦即遞送模組CPL11，在適切的時機搬送該晶圓至第3單位區塊G3的搬入模組亦即遞送模組TRS31。接著，藉由搬送臂F3把前述晶圓W往前述遞送模組TRS33搬送，界面臂25把前述晶圓W往遞送模組TRS21搬送，於單位區塊G1取入繞回晶圓W。
此外，前述繞回晶圓W由單位區塊G1一度回到載體C，其後透過前述單位區塊G3、界面區塊S3往單位區塊G2搬送亦可。藉由如此般使用進行繞回搬送的單位區塊G以外的區塊之基板搬送機構，即使在梭23變成無法使用，或者未設置梭23的裝置，也可以進行繞回搬送。
為了如此般進行各繞回搬送，另外被構成為在單位區塊液體處理模組或加熱模組的上游側設置遞送模組CPL。其理由係如前所述為了防止晶圓W的處理的不均勻化，或是防止搬送臂在保持晶圓W的狀態下等待。此外，從變成無法搬送的單位區塊搬出晶圓W之用的搬出模組必須在可以搬送晶圓W的狀態。
根據前述之塗布、顯影裝置1的話即使被雙重化的單位區塊G之中的一方變成無法搬送，也可以把被搬入那樣變成不能搬送的單位區塊G之晶圓W往其他的 可搬送的單位區塊搬送而進行處理。因此，因為可以減少由變成不能搬送的單位區塊回收而再度進行塗布、顯影處理之類的處理的晶圓W(重做晶圓)的枚數，所以可以謀求生產成本或手續的減少。此外，可以抑制由前述變成不能搬送的單位區塊來回收晶圓W之用的時間。因此，可以謀求裝置1的生產效率的提高。接著，如此般於進行繞回搬送時，接在對可搬送的單位區塊搬入中之批次的最後的晶圓W，把繞回晶圓W搬入該單位區塊，所以可以抑制模組之進行準備動作的次數，可以減低生產率的降低。
在前述之例，說明在一個單位區塊進行相同處理的多模組全部停止的場合，但模組不是那樣構成為多模組亦可。在單位區塊G往只設有1個的模組之搬送變成不可，在前述單位區塊G之搬送變成不可的場合，同樣可以進行繞回搬送。此外，成為繞回晶圓W的晶圓W的數目比較少，所以在前述之例多模組之中繞回晶圓的處理模組係設定為1個，但亦可設定為複數個。此外，在前述之例，以單位區塊B5、B6進行繞回搬送時，將繞回晶圓W暫時搬送至單位區塊B5的搬出模組之SBU51之後搬送至單位區塊G6的搬入模組之TRS61，但是在第2遞送臂16可以操作的模組等待的繞回晶圓W，直接搬送至前述TRS61亦可。
本發明，不限於處理晶圓W的基板處理裝置，也被適用於處理LCD基板等的處理裝置。此外，不限定適用於對晶圓W進行塗布及顯影的基板處理裝置， 也可以適用於例如僅進行塗布或顯影之一方的塗布裝置及顯影裝置。如此般把基板處理裝置構成為塗布、顯影裝置、塗布裝置、顯影裝置之任一場合，都可以如前所述不設置搬運梭而進行繞回搬送。此外，在前述之例設有2個同樣地構成的單位區塊而在一方變成無法搬送時以另一方來進行搬送，但是並不以此為限。總之，設3個以上的單位區塊，在一個單位區塊變成無法搬送時，於2個以上的單位區塊劃分繞回晶圓W進行搬送亦可。單位區塊的構成也不以前述構成為限。例如，設置供於前述之塗布、顯影裝置1進行光阻的塗布後，曝光前於光阻膜的上層形成保護膜之用的複數單位區塊，以這些單位區塊進行繞回搬送亦可。
A20‧‧‧晶圓
G5、G6‧‧‧單位區塊
T1、T2‧‧‧步驟

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，係具備：於各個基板的批次被搬入處理區塊；處理區塊係具備供進行互為相同的一連串處理之用的複數單位區塊；各單位區塊，具備對基板進行一連串處理的模組群，與供由構成這些模組群的上游側的模組至下游側的模組依序搬送基板之用的第1搬送機構；被搬入處理區塊的基板，藉由第2搬送機構依序分配給前述複數單位區塊之各個的上游端的模組，以被分配的單位區塊進行一連串的處理；以及設置控制裝置的控制部；之基板處理裝置，其特徵為：前述控制部，以執行下列步驟的方式輸出控制訊號：在一個單位區塊之模組發生故障時，中止往該一個單位區塊之基板的搬入，以往其他單位區塊搬入的方式使第2搬送機構動作的步驟；把安置於比前述一個單位區塊之故障模組更為上游側的模組之基板稱為等待基板時，判斷該等待基板所屬的批次之下一個批次的先頭基板是否在被搬入其他單位區塊的上游端的模組之前的步驟；藉由此步驟，在被判斷為在前述搬入之前時，以把前述等待基板搬入其他單位區塊的上游端的模組的方式，或者在判斷為在前述搬入之後時，以前述下一個批次的最後 尾端的基板被搬入其他的單位區塊的上游端的模組之後，把前述等待基板搬入其他單位區塊的上游端的模組的方式，來控制第1搬送機構及第2搬送機構的步驟；使被搬入前述其他單位區塊的上游端的模組之前述等待基板以該其他單位區塊進行前述一連串處理的方式，控制該其他的單位區塊之第1搬送機構的步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中於前述模組群之中，含有供進行基板的溫度調整之用的溫度調整模組，前述等待基板，不管是否以前述一個單位區塊以前述溫度調整模組進行了溫度調整，都以前述其他的單位區塊搬入溫度調整模組。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中前述等待基板有複數枚，在由複數批次所構成的場合，從先被搬入一個單位區塊的批次的等待基板搬入其他的單位區塊。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中於前述模組群，設有搬送順序相同，對基板進行同一處理之多模組，其他單位區塊之前數多模組之中至少一個被設定為前述等待基板之搬入用，其他模組被設定為不經過一個單位區塊而被遞送的基板之搬入用。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中各單位區塊，被連接於曝光裝置，為了把單位區塊之處理模組群或者在單位區塊的上游側被塗布光阻的基板，以預先設定的順序搬送至前述曝光裝置，在各單位區塊的後段側，設有使複數枚基板等待之等待用模組。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中被搬入容納基板的載體之載體區塊，以及在與曝光裝置之間遞送基板之用的界面區塊，係以夾著各單位區塊的方式設置的，各單位區塊包含顯影被曝光的基板而遞送至載體區塊之用的顯影模組，前述第2搬送手段，包含由載體區塊側往界面區塊側，直通搬送被形成光阻膜的基板之直通搬送機構。
  7. 一種基板處理方法，其特徵係使用申請專利範圍第1項的基板處理裝置之基板處理方法，執行：在一個單位區塊的模組發生故障時，中止往該一個單位區塊之基板的搬入，以往其他單位區塊搬入的方式使第2搬送機構動作的步驟；把被置於比前述一個單位區塊的故障模組更為上游側的模組之基板稱為等待基板時，判斷屬於該等待基板的批次之下一個批次的先頭基板是否為被搬入其他單位區塊的 上游端的模組之前的步驟；藉由此步驟，以在判斷為前述搬入之前時把前述等待基板搬入其他單位區塊的上游端的模組的方式，或者以在判斷為前述被搬入之後時，在前述次一批次的最後尾端基板被搬入其他單位區塊的上游端的模組之後，把前述等待基板搬入其他單位區塊的上游端的模組的方式，控制第1搬送機構及第2搬送機構的步驟；把被搬入前述其他單位區塊的上游端的模組之前述等待基板以該其他單位區塊進行前述一連串的處理的方式控制該其他單位區塊的第1搬送機構的步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中包含於前述模組群之中，含有供進行基板的溫度調整之用的溫度調整模組，前述等待基板，不管是否以前述一個單位區塊以前述溫度調整模組進行了溫度調整，都包含以前述其他的單位區塊搬入溫度調整模組的步驟。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之基板處理方法，其中前述等待基板有複數枚，在由複數批次所構成的場合，從先被搬入一個單位區塊的批次的等待基板搬入其他的單位區塊。
  10. 如申請專利範圍第7或8項之基板處理方法，其中包含於前述模組群，設有搬送順序相同，對基板進行 同一處理之多模組，把前述等待基板，搬入其他單位區塊之前述多模組之中被設定為該等待基板之搬入用的模組之步驟；把不經過一個單位區塊而被遞送至其他單位區塊的基板，搬送至被設定為前述等待基板的搬入用的模組以外的模組之步驟。
  11. 如申請專利範圍第7或8項之基板處理方法，其中具備：各單位區塊，被連接於曝光裝置，於各單位區塊的後段側，設有使複數枚基板等待之等待用模組，使各單位區塊的處理模組群或者在各單位區塊的上游側被塗布光阻的基板在前述等待用模組等待的步驟，以及使前述等待基板，與在前述等待用模組等待的基板以預先設定的順序搬送至前述曝光裝置的步驟。
  12. 如申請專利範圍第7或8項之基板處理方法，其中包含：被搬入容納基板的載體之載體區塊，以及在與曝光裝置之間遞送基板之用的界面區塊，係以夾著各單位區塊的方式設置的，各單位區塊包含顯影被曝光的基板而遞送至載體區塊之用的顯影模組，前述第2搬送手段，包含由載體區塊側往界面區塊側，直通搬送被形成光阻膜的基板之直通搬送機構，進行前述直通搬送的步驟。
  13. 一種記憶媒體，係記憶著使用於基板處理裝置的電腦程式之記憶媒體，其特徵為：前述電腦程式，係供實施申請專利範圍第7至12項之任一項之基板處理方法之用者。
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