KR20130091672A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 모듈에 트러블이 발생하였을 때에, 스루풋의 저하를 억제하면서, 처리를 행하지 않고 회수되는 기판의 매수를 적게 할 수 있는 기술을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 서로 동일한 일련의 처리를 행하기 위한 복수의 단위 블록을 구비하는 처리 블록과, 상기 처리 블록으로 반입되는 기판의 복수의 로트를 포함하고, 상기 복수의 단위 블록 각각은 기판에 대하여 일련의 처리를 행하는 모듈군과, 상기 모듈군을 구성하는 상류측의 모듈로부터 하류측의 모듈로 기판을 순서대로 반송하기 위한 제1 반송 기구를 구비하고, 상기 처리 블록으로 반입된 기판을 상기 복수의 단위 블록의 각각의 상류단의 모듈에 순서대로 배분하는 제2 반송 기구와, 상기 복수의 단위 블록에서 일련의 처리가 행해지도록 제어하는 제어부를 포함한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM}
본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(액정 디스플레이용 글래스 기판) 등의 기판에 처리를 행하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼 (이하, 웨이퍼라고 한다)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성한다. 상기 레지스트 패턴을 형성하기 위한 도포·현상 장치에는, 웨이퍼에 각종 처리를 행하기 위한 처리 모듈을 구비한 처리 블록이 설치된다.
처리 블록은, 예를 들어 특허 문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 레지스트막 등의 각종 도포막을 형성하는 단위 블록 및 현상 처리를 행하는 단위 블록을 서로 적층함으로써 구성된다. 이들 단위 블록에는, 레지스트액이나 현상액의 도포 처리를 행하는 복수 개의 액처리 모듈이나, 가열 처리를 행하는 복수 개의 가열 모듈이 내장된다.
이와 같은 도포·현상 장치에서는, 스루픗 향상의 관점에서 웨이퍼에 대하여 동일한 처리를 행하는 단위 블록을 복수 개 설치할 수 있다. 그리고, 동일한 처리를 행하는 단위 블록을 복수 개 적층하는 경우에는, 특허 문헌 1에 개시된 바와 같이, 각각의 단위 블록으로 순서대로 웨이퍼를 배출하고, 각각의 단위 블록에서 처리를 행한 후, 상기 배출한 순서에 따라 각각의 단위 블록으로부터 웨이퍼를 반출한다.
그런데, 하나의 단위 블록에 있어서, 웨이퍼에 대하여 소정의 처리를 행하는 모듈이 사용 불가로 되고, 이외에 동일한 처리를 행할 수 있는 모듈이 없는 경우에는, 이 사용 불가 모듈의 상류측의 웨이퍼에 대해서는, 해당 단위 블록에서 처리를 계속할 수 없다. 이 상류측의 웨이퍼는 도포·현상 장치로부터 회수되고, 예를 들어 다시 도포·현상 처리를 행할 수 있는 상태로 하기 위하여 소정의 처리(리워크 처리)를 받은 후, 다시 도포·현상 장치에 반입된다. 그러나, 이와 같은 일련의 처리를 행하는 것은 번거롭고, 상기 처리(리워크 처리)를 행하는 웨이퍼(리워크 웨이퍼)의 매수를 적게 하고 싶은 요청이 있다. 또한, 모듈에 따라서는 웨이퍼의 로트의 절환에 따라, 상기 로트의 처리 조건을 변경하기 위하여 준비 동작이 필요하게 된다. 이 준비 동작의 횟수를 적게 하고, 처리가 정체하는 것을 방지하면서 상기 리워크 웨이퍼의 매수를 억제하는 것이 요구된다.
특허 문헌 1에서는 기판에 서로 동일한 처리를 행하는 멀티 모듈이 사용 불가로 된 경우의 대처 방법에 대하여 기재되어 있지만, 상기 문제를 해결하는 데는 불충분하다.
일본 특허 출원 공개 제2011-176122호
본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것으로서, 그 목적은, 모듈에 트러블이 발생하였을 때에, 스루픗의 저하를 억제하면서, 처리를 행하지 않고 회수되는 기판의 매수를 적게 할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 기판 처리 장치가 제공된다. 실시예에 따른 기판 처리 장치는 서로 동일한 일련의 처리를 행하기 위한 복수의 단위 블록을 구비하는 처리 블록과, 상기 처리 블록으로 반입되는 기판의 복수의 로트를 포함하고, 상기 복수의 단위 블록 각각은 기판에 대하여 일련의 처리를 행하는 모듈군과, 상기 모듈군을 구성하는 상류측의 모듈로부터 하류측의 모듈로 기판을 순서대로 반송하기 위한 제1 반송 기구를 포함하고, 상기 처리 블록으로 반입된 기판을 상기 복수의 단위 블록의 각각의 상류단의 모듈에 순서대로 배분하는 제2 반송 기구와, 상기 복수의 단위 블록에서 일련의 처리가 행해지도록 제어하는 제어부를 포함하며, 상기 제어부는, 제1 단위 블록의 모듈에 트러블이 발생하였을 때에, 상기 제1 단위 블록으로의 기판의 반입을 중지하고, 제2 단위 블록으로 반입되도록 상기 제2 반송 기구를 동작하는 스텝과, 상기 제1 단위 블록의 트러블 모듈보다 상류측의 모듈에 놓여 있는 대기 기판을, 상기 대기 기판에 속하는 로트의 다음 로트의 선두 기판이 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입되기 전인지 여부를 판단하는 스텝과, 상기 선두 기판이 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입되기 전이라고 판단되었을 때에는 상기 대기 기판을 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입하거나 또는 상기 선두 기판이 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입된 후라고 판단되었을 때에는 상기 다음 로트의 최후미의 기판이 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입된 후에 상기 대기 기판을 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입하도록 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하는 스텝과, 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입된 상기 대기 기판을 상기 제2 단위 블록에서 상기 일련의 처리를 행하도록 상기 제2 단위 블록의 상기 제1 반송 기구를 제어하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력한다.
상기 모듈군 중에는, 기판의 온도 조정을 하기 위한 온도 조정 모듈이 포함되고, 상기 대기 기판은, 상기 제1 단위 블록의 상기 온도 조정 모듈에서 온도 조정을 했는지 여부에 관계없이, 상기 제2 단위 블록의 상기 온도 조정 모듈로 반입될 수 있다.
상기 대기 기판이 복수 매 있고, 복수의 로트로 이루어지는 경우에는, 상기 제1 단위 블록으로 먼저 반입된 로트의 상기 대기 기판으로부터 상기 제2 단위 블록으로 반입을 개시할 수 있다.
상기 모듈군에 있어서, 반송 순서가 동일하고, 기판에 대하여 동일한 처리를 행하는 멀티 모듈이 설치되고, 상기 제2 단위 블록의 상기 멀티 모듈 중 적어도 하나는 상기 대기 기판의 반입용으로 설정되고, 다른 모듈은 상기 제1 단위 블록을 경유하지 않고 전달되는 기판의 반입용으로 설정될 수 있다.
상기 복수의 단위 블록은 각각 노광 장치에 접속되고, 상기 복수의 단위 블록 각각의 후단측에는, 상기 단위 블록의 상기 모듈군 혹은 상기 단위 블록의 상류측에서 레지시트가 도포된 기판을, 미리 설정한 순서로 상기 노광 장치에 반송하기 위해서 복수 매의 기판을 대기시키는 대기용 모듈이 설치될 수 있다.
기판을 저장하는 캐리어가 반입되는 캐리어 블록과, 노광 장치와의 사이에서 기판을 전달하는 인터페이스 블록이 상기 복수의 단위 블록 각각을 사이에 두도록 설치되고, 상기 복수의 단위 블록은 각각 노광된 기판을 현상하여 상기 캐리어 블록에 전달하기 위한 현상 모듈을 포함하고, 상기 제2 반송 수단은, 상기 캐리어 블록측으로부터 상기 인터페이스 블록측으로, 레지스트막이 형성된 기판을 직통 반송하는 직통 반송 기구를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 따르면 전술한 기판 처리 장치를 사용한 기판 처리 방법이 제공된다. 실시예에 따른 기판 처리 방법은 제1 단위 블록의 모듈에 트러블이 발생하였을 때에, 상기 제1 단위 블록으로의 기판의 반입을 중지하고, 제2 단위 블록으로 반입하도록 제2 반송 기구를 동작하는 공정과, 상기 제1 단위 블록의 트러블 모듈보다 상류측의 모듈에 놓여 있는 대기 기판을, 상기 대기 기판에 속하는 로트의 다음 로트의 선두 기판이 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입되기 전인지 여부를 판단하는 공정과, 상기 선두 기판이 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입되기 전이라고 판단되었을 때에는 상기 대기 기판을 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입하거나 또는 상기 선두 기판이 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입된 후라고 판단되었을 때에는 상기 다음 로트의 최후미의 기판이 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입된 후에 상기 대기 기판을 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입하도록 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하는 공정과, 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입된 상기 대기 기판을 상기 제2 단위 블록에서 상기 일련의 처리를 행하도록 상기 제2 단위 블록의 제1 반송 기구를 제어하는 공정을 포함한다.
상기 복수의 단위 블록 각각은 기판에 대하여 일련의 처리를 행하는 모듈군을 포함하고, 상기 모듈군 중에는, 기판의 온도 조정을 하기 위한 온도 조정 모듈이 포함되고, 상기 대기 기판은, 상기 제1 단위 블록의 상기 온도 조정 모듈에서 온도 조정을 했는지 여부에 관계없이, 상기 제2 단위 블록의 상기 온도 조정 모듈로 반입되는 공정을 포함할 수 있다.
상기 대기 기판이 복수 매 있고, 복수의 로트로 이루어지는 경우에는, 상기 제1 단위 블록으로 먼저 반입된 로트의 상기 대기 기판으로부터 상기 제2 단위 블록으로 반입을 개시할 수 있다.
상기 복수의 단위 모듈 각각에 구비되는 모듈군에 있어서, 반송의 순서가 동일하고, 기판에 대하여 동일한 처리를 행하는 멀티 모듈이 설치되고, 상기 대기 기판을, 상기 제2 단위 블록의 상기 멀티 모듈 중 상기 대기 기판의 반입용으로 설정된 모듈에 반송하는 공정과, 상기 제1 단위 블록을 경유하지 않고 상기 제2 단위 블록으로 전달되는 기판을, 상기 대기 기판의 반입용으로 설정되는 모듈 이외의 모듈로 반송하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 복수의 단위 블록은 각각 노광 장치에 접속되고, 상기 복수의 단위 블록 각각의 후단측에는, 복수 매의 기판을 대기시키는 대기용 모듈이 설치되고, 상기 복수의 단위 블록 각각에 구비되는 모듈군 혹은 상기 복수의 단위 블록 각각의 상류측에서 레지스트가 도포된 기판을 상기 대기용 모듈에 대기시키는 공정과, 상기 대기 기판과, 상기 대기용 모듈에서 대기하는 기판을 미리 설정한 순서로 상기 노광 장치에 반송하는 공정을 포함할 수 있다.
기판을 저장하는 캐리어가 반입되는 캐리어 블록과, 노광 장치와의 사이에서 기판을 전달하기 위한 인터페이스 블록이 상기 복수의 단위 블록 각각을 사이에 두도록 설치되고, 상기 복수의 단위 블록은 각각 노광된 기판을 현상하여 상기 캐리어 블록에 전달하기 위한 현상 모듈을 포함하고, 상기 제2 반송 수단은, 상기 캐리어 블록측으로부터 상기 인터페이스 블록측으로, 레지스트막이 형성된 기판을 직통 반송하는 직통 반송 기구를 포함할 수 있다. 또한, 상기 직통 반송을 행하는 공정을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면 컴퓨터 판독가능한 기억 매체가 제공된다. 실시예에 따르면, 기판 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체로서, 상기 컴퓨터 프로그램은, 전술한 기판 처리 방법을 실시하기 위한 것인 기억 매체가 제공된다.
본 발명에 따르면, 하나의 단위 블록의 모듈에 트러블이 발생하였을 때에, 트러블 모듈보다 상류측의 모듈에 놓여 있는 대기 기판을, 해당 대기 기판이 속하는 로트의 다음 로트가, 다른 단위 블록으로 반입되기 전, 또는 상기 다음의 로트가 다른 단위 블록으로 반입된 후에, 해당 다른 단위 블록으로 반입하여 처리를 행한다. 이에 의해, 로트의 절환에 의한 모듈의 조정 동작의 횟수가 증가하여 스루픗이 저하하는 것을 방지하면서, 처리를 행하지 않고 회수하는 기판의 매수를 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명이 적용되는 도포·현상 장치를 포함하는 레지스트 패턴 형성 시스템의 평면도이다.
도 2는 상기 레지스트 패턴 형성 시스템의 사시도이다.
도 3은 상기 도포·현상 장치의 종단 측면도이다.
도 4는 상기 도포·현상 장치에 의한 통상 시의 웨이퍼의 반송 경로의 개략도이다.
도 5는 상기 도포·현상 장치에 의한 이상 시의 웨이퍼의 반송 경로의 개략도이다.
도 6은 상기 도포·현상 장치에 의한 이상 시의 웨이퍼의 반송 경로의 개략도이다.
도 7은 상기 도포·현상 장치에 의한 이상 시의 웨이퍼의 반송 경로의 개략도이다.
도 8은 상기 도포·현상 장치의 단위 블록의 개략 전개도이다.
도 9는 상기 도포·현상 장치의 단위 블록의 개략 전개도이다.
도 10은 상기 도포·현상 장치의 단위 블록의 개략 전개도이다.
도 11은 상기 도포·현상 장치의 단위 블록의 개략 전개도이다.
도 12는 상기 도포·현상 장치의 단위 블록의 개략 전개도이다.
도 13은 상기 도포·현상 장치의 단위 블록의 개략 전개도이다.
도 14는 상기 도포·현상 장치의 단위 블록의 개략 전개도이다.
도 15는 상기 도포·현상 장치의 단위 블록의 개략 전개도이다.
도 16은 상기 도포·현상 장치의 단위 블록의 개략 전개도이다.
도 17은 상기 도포·현상 장치의 단위 블록의 개략 전개도이다.
도 18은 상기 도포·현상 장치의 단위 블록의 개략 전개도이다.
도 19는 상기 도포·현상 장치의 반송 경로의 개략도이다.
도 20은 상기 도포·현상 장치의 반송 경로의 개략도이다.
도 21은 상기 도포·현상 장치의 단위 블록의 개략 전개도이다.
본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시 형태인 도포·현상 장치(1)에 대하여 도 1 내지 도 3을 참조하면서 설명한다. 이 도포·현상 장치(1)에는 노광 장치(11)가 접속되어 레지스트 패턴 형성 시스템으로서 구성되고, 도 1은, 이 시스템의 평면도, 도 2는 그의 개략 사시도이다. 도 3은 도포·현상 장치(1)의 개략 측면도이다. 상기 시스템은, 캐리어 블록(S1), 처리 블록(S2), 인터페이스 블록(S3), 상기 노광 장치(11)를 이 순서대로 직선 형상으로 접속하여 구성된다.
캐리어 블록(S1)은, 웨이퍼(W)를 복수 매 저장한 캐리어(Ca)를 외부로부터 반입하는 블록이며, 도면 중 부호 12는 상기 캐리어(Ca)의 재치대이다. 도면 중 부호 13은, 캐리어(Ca)와 후술하는 선반 유닛(U1) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 제1 전달 아암이다.
처리 블록(S2)은, 하방측으로부터 단위 블록(DEV층)(G1), 단위 블록(DEV층)(G2), 셔틀 이동용 블록(22), 단위 블록(BCT층)(G3), 단위 블록(BCT층)(G4), 단위 블록(COT층)(G5), 단위 블록(COT층)(G6)의 단위 블록이 순서대로 적층됨으로써 구성된다. 셔틀 이동용 블록(22)에는 직통 반송 기구인 셔틀(23)이 설치된다. 셔틀(23)은 후술하는 선반 유닛(U1)의 전달부(21)로부터 후술하는 선반 유닛(U6)의 전달부(24)로 이동하여, 웨이퍼(W)를 직통 반송한다.
각 단위 블록(G)에 대해서는 서로 레이아웃 및 구성이 유사하기 때문에, 대표로 하여 도 1에 도시하는 단위 블록(G5)을 설명한다. 단위 블록(G5)에 있어서, 캐리어 블록(S1)측으로부터 인터페이스 블록(S3)측을 향하여 웨이퍼(W)의 반송로(15)가 형성된다. 반송로(15)에는 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(F5)이 설치되고, 단위 블록(G5)의 모듈간에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 반송 아암(F5)은, 상기 선반 유닛(U1)에서 이 단위 블록(G5)의 높이에 설치된 각 모듈에 액세스하여, 웨이퍼(W)의 반입출을 행할 수 있다. 또한, 반송 아암(F5)은 각각 독립하여 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 유지부를 2개 구비하고 있고, 한쪽의 유지부에서 모듈로부터 웨이퍼(W)를 수취하고, 다른 쪽의 유지부에서 모듈에 대하여 웨이퍼(W)를 전달한다. 즉, 모듈에 대하여 유지하는 웨이퍼(W)를 교체하도록 동작한다. 여기서, 웨이퍼(W)가 재치되는 장소를 모듈이라고 기재하고, 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 행하는 모듈을 처리 모듈이라고 기재한다.
상기 반송로(15)를 캐리어 블록(S1)측으로부터 볼 때, 우측에는, 3기의 액처리 모듈인 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)이 해당 반송로(15)를 따라 설치된다. 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)은 레지스트막의 형성을 행하기 위한 모듈이며, 각각 웨이퍼(W)의 측둘레를 둘러싸는 컵을 구비한다. 또한 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)은, 웨이퍼(W) 표면에 레지스트액을 공급하는 노즐을 구비하고, 이 노즐은 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)에서 공용된다. 그런데, 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)은 웨이퍼(W)에 레지스트막 형성이라고 하는 동일한 처리를 행할 수 있고, 도포·현상 장치(1)에 있어서 각각 동일한 순서로 웨이퍼(W)가 반송된다. 이러한 모듈을 멀티 모듈이라고 부른다. 예를 들어, 후술하는 소수화 처리 모듈(ADH511, ADH512), 가열 모듈(HP521 내지 HP526)도 각각 멀티 모듈이다.
상기 반송로(15)를 캐리어 블록(S1)측으로부터 볼 때, 좌측에는 선반 유닛(U2 내지 U5)이, 해당 반송로(15)를 따라 설치된다. 이들 선반 유닛(U2 내지 U5)은 각각 모듈이 2단으로 적층된 구성으로 되어 있다. 선반 유닛(U2)은 소수화 처리 모듈(ADH511, ADH512)에 의해 구성되고, 이들 모듈은 레지스트막의 형성 전에 웨이퍼(W) 표면에 처리 가스를 공급하여, 웨이퍼(W) 표면의 소수화 처리를 행한다. 선반 유닛(U3 내지 U5)은, 레지스트 도포 후에 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 가열 모듈(HP521 내지 HP526)에 의해 구성된다. 가열 모듈(HP521 내지 HP526)은, 온도 변경 가능한 열판을 구비하고, 해당 열판에 재치된 웨이퍼(W)를 원하는 온도에서 가열 처리한다.
단위 블록(G5) 이외의 단위 블록에 대하여 설명하면, 단위 블록(G6)은 단위 블록(G5)과 동일한 구성이다. 단위 블록(G5)의 각 부와 구별하기 위해서, 단위 블록(G6)에 있어서 레지스트 도포 모듈을 COT601 내지 COT603, 소수화 처리 모듈을 ADH611 내지 ADH612, 가열 모듈을 HP621 내지 HP626, 반송 아암을 F6으로 하여 각각 설명한다. 단위 블록(G3, G4)은, 액처리 모듈로서 레지스트 도포 모듈(COT) 대신에 반사 방지막 형성 모듈(BCT)이 설치되는 것을 제외하고, 단위 블록(G5, G6)과 동일한 구성이다. 도 3 중, 각 단위 블록(G3, G4)의 반송 아암을 F3, F4로서 도시한다.
단위 블록(G1, G2)에 대해서는, 액처리 모듈로서 레지스트 도포 모듈(COT) 대신에 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하는 현상 모듈(DEV)이 설치된다. 또한, 선반 유닛(U4 내지 U5)에는 노광 후, 현상 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 모듈(PEB)이 설치되고, 선반 유닛(U2 내지 U3)에는 현상 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 모듈(POST)이 설치된다(도 21 참조).
처리 블록(S2)에 있어서 캐리어 블록(S1)측에는, 단위 블록(G1 내지 G6)에 걸치도록 선반 유닛(U1)이 설치된다. 선반 유닛(U1)은 다수의 모듈이 적층되어 구성되고, 이 모듈로서는 다수 매의 웨이퍼(W)를 재치할 수 있는 버퍼 모듈(SBU), 웨이퍼(W)가 재치되는 전달 모듈(TRS, CPL)이 포함된다. 전달 모듈(CPL)은, 웨이퍼(W)가 재치되는 재치부와, 이 재치부에 온도 조정된 냉각수를 공급하는 유로를 구비하고, 재치된 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행한다. 또한 선반 유닛(U1)에는 상기 셔틀(23)에 웨이퍼(W)를 전달하기 위하여 해당 셔틀(23)이 진입하는 전달부(21)가 설치된다.
선반 유닛(U1)에 대하여 더 설명한다. 도 3에 도시한 바와 같이 단위 블록(G1, G2)의 높이에 전달 모듈(CPL11, CPL21)이 각각 설치된다. 단위 블록(G3)의 높이에는 전달 모듈(CPL31, CPL32, TRS31, TRS32)이 설치되고, 단위 블록(G4)의 높이에는 전달 모듈(CPL41, CPL42, TRS41, TRS42)이 설치된다. 단위 블록(G5)의 높이에는 전달 모듈(CPL51, CPL52, TRS51) 및 버퍼 모듈(SBU51)이 설치되고, 단위 블록(G6)의 높이에는 전달 모듈(CPL61, CPL62, TRS61) 및 버퍼 모듈(SBU61)이 설치된다.
선반 유닛(U1)의 근방에는, 이들 모듈간 및 모듈과 셔틀 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 승강 가능한 제2 전달 아암(16)이 설치된다(도 1 참조). 제2 반송 기구인 상기 제2 전달 아암(16)의 승강로를 따라 설치된 선반 유닛(U1)에 있어서, 각 단위 블록에 대응하는 높이에 설치된 상기의 각 전달 모듈은, 해당 단위 블록의 모듈군의 하나를 겸용한다.
또한, 처리 블록(S2)에 있어서, 인터페이스 블록(S3)측에는, 단위 블록(G1, G2), 셔틀 이동용 블록(22)에 걸치도록 선반 유닛(U6)이 설치된다. 선반 유닛(U6)에는 상기 전달부(24)와, 전달 모듈(TRS, CPL)이 서로 적층되어 구성된다. 이들 전달 모듈(TRS, CPL)에는, 단위 블록(G1, G2)의 반송 아암(F1, F2)이 액세스 가능하게 구성된다. 반송 아암(F1, F2)은 단위 블록(G5)의 반송 아암(F5)과 마찬가지로 구성된다. 선반 유닛(U6)에 있어서는, 도 3에 도시한 바와 같이 단위 블록(G1)의 높이에 전달 모듈(CPL12, TRS11)이 설치되고, 단위 블록(G2)의 높이에 전달 모듈(CPL22, TRS21)이 설치된다.
인터페이스 블록(S3)에는 인터페이스 아암(25)과, 노광 장치(11)에 반입하기 전에 복수 매의 웨이퍼(W)를 대기시키는 대기용 모듈인 버퍼 모듈(BUF)이 설치된다. 인터페이스 아암(25)은, 노광 장치(11)와 선반 유닛(U6)의 각 모듈과, 전달부(24)로 이동한 셔틀(23)과, 상기 버퍼 모듈(BUF) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송 가능하게 구성된다. 노광 장치(11)는 웨이퍼(W)를 소정의 패턴에 따라서 노광하고, 노광된 웨이퍼(W)가 상기 현상 모듈(DEV)에서 현상되어, 레지스트 패턴이 형성된다.
이 도포·현상 장치(1)에는, 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)가 설치된다. 제어부(100)는 프로그램, 메모리, CPU로 이루어지는 데이터 처리부 등을 구비하고 있고, 상기 프로그램에는 제어부(100)로부터 도포·현상 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 보내고, 상기 반송 아암, 전달 아암 및 인터페이스 아암의 동작을 제어하여 웨이퍼(W)의 반송을 행하고, 후술하는 각 처리 공정을 진행시키도록 명령(각 스텝)이 내장된다. 또한 제어부(100)는, 각 단위 블록에 웨이퍼(W)의 로트가 반입되기 전에 해당 로트에 따른 레시피를 전송한다. 이 레시피를 따라, 소정의 모듈에서는 후술하는 준비 동작이 행해지고, 상기 로트에 따른 처리 조건에서 웨이퍼(W)가 처리된다. 이 프로그램(처리 파라미터의 입력 조작이나 표시에 관한 프로그램도 포함한다)은, 컴퓨터 기억 매체, 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크), 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되어 제어부(100)에 인스톨된다.
상기 캐리어(Ca)로부터 하나의 로트의 웨이퍼(W)가 연속하여 반송된 후, 다른 로트의 웨이퍼(W)가 반송된다. 즉 로트마다 웨이퍼(W)가 상기의 도포·현상 장치(1)의 처리 블록(S2)에 반송된다. 그리고, 캐리어(Ca)로부터 배출된 웨이퍼(W)는 1매씩 후술하는 순서로 모듈간을 반송되어 처리를 받는다. 이 통상 시, 캐리어(Ca)로부터 반송된 웨이퍼(W)는, 예를 들어 BCT층(G3)→COT층(G5)→DEV층(G1)을 통과하는 경로 1과, BCT층(G4)→COT층(G6)→DEV층(G2)을 통과하는 경로 2로 교대로 배분되어 반송되도록 설정되어 있다. 즉, 동일 로트의 웨이퍼(W)가 이중화되어 있는 각 단위 블록으로 배분될 수 있다. 또한, 하기의 반송 경로에 대하여 모듈이 멀티 모듈로서 구성되는 경우에는, 해당 멀티 모듈을 구성하는 하나의 모듈에 반송된다.
상기 경로 1의 웨이퍼(W)는, 캐리어(Ca)→제1 전달 아암(13)에 의해 전달 모듈(TRS31)에 반송된 후, 단위 블록(G3)의 반송 아암(F3)에 의해 소수화 처리 모듈(ADH)→ 전달 모듈(CPL31 내지 CPL32)→ 반사 방지막 형성 모듈(BCT)→ 가열 모듈→ 전달 모듈(TRS32)의 순으로 반송된다. 이와 같이 반송되어 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제2 전달 아암(16)에 의해 전달 모듈(TRS32)로부터 전달 모듈(TRS51)로 반송되고, 단위 블록(G5)의 반송 아암(F5)에 의해 단위 블록(G5) 내를 소수화 처리 모듈(ADH511 내지 ADH512)→ 전달 모듈(CPL51 내지 CPL52)→ 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)→ 가열 모듈(HP521 내지 HP526)→ 버퍼 모듈(SBU51)의 순으로 반송된다.
상기와 같이 반송되어 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제2 전달 아암(16)에 의해 버퍼 모듈(SBU51)로부터 전달부(21)의 셔틀(23)에 이재되고, 셔틀(23)이 전달부(24)로 이동하여, 인터페이스 아암(25)에 전달된다. 그리고, 상기 웨이퍼(W)는 일단 버퍼 모듈(BUF)에 반송되어 체류한 후, 노광 장치(11)에 반송되어 노광된다. 상기 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(25)에 의해 전달 모듈(TRS11)에 반송되고, 단위 블록(G1)의 반송 아암(F1)에 의해 단위 블록(G1) 내를 가열 모듈(PEB)→ 전달 모듈(CPL12)→ 현상 모듈(DEV)→ 가열 모듈(POST)→ 전달 모듈(CPL11)의 순으로 반송되고, 현상 처리를 받는다. 그 후 웨이퍼(W)는 제1 전달 아암(13)에 의해, 전달 모듈(CPL11)로부터 캐리어(Ca)로 복귀된다.
상기 경로 2의 웨이퍼(W)의 반송에 대해서는, 반송되는 단위 블록이 상이한 것을 제외하고, 경로 1의 웨이퍼(W)와 마찬가지이다. 간단하게 설명하면, 캐리어(Ca)로부터, 제1 전달 아암(13)에 의해 전달 모듈(TRS41)에 반송되고, 단위 블록(G4) 내의 모듈을 제1 경로의 웨이퍼(W)와 마찬가지의 순서로 반송되고, 전달 모듈(TRS42)로 배출된다. 그리고, 제2 전달 아암(16)에 의해 상기 전달 모듈(TRS42)로부터 전달 모듈(TRS61)로 반송되고, 단위 블록(G6) 내를 소수화 처리 모듈(ADH611 내지 ADH612)→ 전달 모듈(CPL61 내지 CPL62)→ 레지스트 도포 모듈(COT601 내지 COT603)→ 가열 모듈(HP621 내지 HP626)→ 버퍼 모듈(SBU61)의 순으로 반송된다.
그리고, 상기 웨이퍼(W)는, 경로 1의 웨이퍼(W)와 마찬가지로 제2 전달 아암(16), 셔틀(23), 인터페이스 아암(25)을 통하여 노광 장치(11)에 반송된 후, 인터페이스 아암(25)에 의해, 전달 모듈(TRS21)로 반송되고, 단위 블록(G2)의 각 모듈을 경로 1의 웨이퍼(W)와 동일한 순서로 반송되고, 전달 모듈(CPL21)로부터 제1 전달 아암(13)에 의해 캐리어(Ca)로 복귀된다.
상기 반송에 있어서, 웨이퍼(W)마다 반송처의 모듈은 미리 설정되어 있다. 그리고, 멀티 모듈을 구성하는 하나의 모듈에 트러블이 발생하여 해당 하나의 모듈에 웨이퍼(W)의 반송이 불가로 되어도 상기 멀티 모듈을 구성하는 다른 모듈로의 반송이 가능한 경우는, 그 다른 모듈에 웨이퍼(W)를 반송하도록 설정이 변경된다. 그러나, 하나의 단위 블록(G)에 있어서 멀티 모듈을 구성하는 모든 모듈에 트러블이 발생하여 반송이 불가로 되거나, 멀티 모듈로서 구성되어 있지 않은 모듈로의 반송이 불가로 되면, 상기 단위 블록(G)에서 전술한 반송 경로 하류측으로 웨이퍼(W)를 반송할 수 없게 된다. 이러한 상태로 되었을 때에 임시의 반송이 행해진다.
도 4 내지 도 7은 상기 통상 시의 반송으로부터 임시의 반송으로 바뀌는 모습을, 매우 개략적으로 설명하기 위한 모식도이다. 도 4는 통상 시의 반송, 도 5 내지 도 7은 임시의 반송을 각각 도시한다. 각 도면 중 웨이퍼(W)의 로트를 A, B라고 하고, 캐리어(Ca)로부터 배출된 순서대로 A, B의 뒤에 번호를 붙이고 있다. 각도에서 7A, 7B는 서로 마찬가지로 구성된 단위 블록이며, 71 내지 74는 모듈을 도시한다. 모듈(71, 74)은, 각 단위 블록(G)의 반입구, 반출구를 각각 구성하는 모듈이다. 도면 중 75, 76은 단위 블록(7A, 7B)의 외부 모듈이며, 이들 모듈(75, 76)로부터 단위 블록(7A, 7B)으로의 반송이 행해진다. 통상 시에 있어서 웨이퍼(W)는 캐리어(Ca)로부터 연속하여 배출되기 때문에, 단위 블록에 있어서의 반송을 행할 수 없게 되었을 때, 반송 불가로 되는 모듈(트러블 모듈)의 상류측에도 웨이퍼(W)(대기 기판)가 반송되어 있다.
여기에서는 도 4, 도 5에 도시한 바와 같이 로트(A)를 단위 블록(7A, 7B)으로 반입하는 중에, 단위 블록(7A)의 모듈(73)로의 반송이 불가로 됨으로써, 단위 블록(7A)에 있어서의 반송이 불가로 되고, 모듈 내에 웨이퍼(A7)보다 앞번호의 웨이퍼(W)가 남겨지는 것으로 한다. 그러면, 상기 반송 불가로 된 시점에서 제어부(100)는, 이 남겨진 웨이퍼(W)의 다음 로트인 로트(B)가 단위 블록(7A)의 모듈(71)에 반입되어 있었는지 여부를 판정한다. 도 4에 도시한 예에서는, 남겨진 웨이퍼(W)와 동일한 로트(A)의 웨이퍼(A8)가 반입되어 있기 때문에, 이 판정은 부정이다.
그러면, 도 5에 도시한 바와 같이 모듈(75)로부터 단위 블록(7A)으로의 반송이 정지하고, 모듈(75)로 반송된 후속 웨이퍼(A9)도, 모듈(76)로 반송된 웨이퍼(A10)와 함께 단위 블록(7B)으로 반송된다. 모듈(75, 76)로부터 웨이퍼(W)의 반송이 계속되어, 단위 블록(7A)에 남겨진 웨이퍼(W)와 동일한 로트(A)의 최후의 웨이퍼(A20)가 해당 단위 블록(7B)에 반입된다. 그 후, 후속의 로트(B)가 단위 블록(7B)에 반입되기 전에, 도 6에 도시한 바와 같이 단위 블록(7A)에 있어서 반송 불가로 된 모듈(73)의 상류측에 있는 웨이퍼(A5, A7)가 단위 블록(7B)의 모듈(71)로 반송된다. 웨이퍼(A5, A7)는 단위 블록(7B) 하류측으로 반송되어 통상 시와 마찬가지로 처리를 받는다.
제어부(100)가, 상기 남겨진 웨이퍼(W)의 다음 로트인 로트(B)가 단위 블록(7A)의 모듈(71)에 반입되어 있는지 여부를 판정하였을 때에, 반입되어 있다고 판정되었을 때의 동작을 설명한다. 로트(B)는, 상기 로트(A)를 반송하는 경우와 마찬가지로 모듈(75, 76)로부터 단위 블록(7A)에는 반송되지 않고, 단위 블록(7B)에만 반송된다. 그리고, 로트(B)의 최후의 웨이퍼(예를 들어 웨이퍼(B20))가 단위 블록(7B)에 반입된 후에 도 7에 도시한 바와 같이 웨이퍼(A5, A7)가 단위 블록(7B)의 모듈(71)로 반송된다. 모듈(71, 72)의 웨이퍼(W)로부터 보면, 이미 반입되어 있던 단위 블록(7A)으로부터 다른 단위 블록(7B)의 반입구로 복귀되고, 다시 해당 단위 블록(7B)으로 반송된다는 점에서, 이후 이러한 다른 단위 블록으로의 반송을 되감음 반송이라고 기재한다.
이하, 도포·현상 장치(1)에 있어서, 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)로의 반송이 불가로 되고, 단위 블록(G5)의 하류측으로 웨이퍼(W)를 반송할 수 없게 된 경우를 예로 들어, 상기 되감음 반송을 보다 구체적으로 설명한다. 도 8은, 그와 같이 반송 불가로 되었을 때의 단위 블록(G5) 및 단위 블록(G6)을 평면으로 전개한 개략 구성을 도시한다. 전술한 개략 설명의 모듈(74)은 버퍼 모듈(SBU51, SBU61)에 상당하고, 모듈(71)은 전달 모듈(TRS51, TRS61)에 상당하고, 모듈(73)은 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503, COT601 내지 COT603)에 상당한다. 모듈(75, 76)은 전달 모듈(TRS32, TRS42)에 각각 상당한다.
단위 블록(G5)에 있어서, 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)의 상류측의 웨이퍼(W)에 대해서는, 되감음 반송을 행할 수 있다. 즉, 소수화 처리 모듈(ADH511, ADH512), 전달 모듈(TRS51, CPL51, CPL52)에 반입되어 있는 웨이퍼(W)가 되감음 반송되게 된다. 또한, 이밖에 반송 아암(F5)이 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)에 반입 전의 웨이퍼(W)를 유지하고 있는 경우에는, 해당 웨이퍼(W)에 대해서도 되감음 반송을 행할 수 있다. 이하, 이와 같이 되감음 반송이 가능한 웨이퍼(W)를 되감음 웨이퍼라고 기재하고, 이후의 각 도면 중에 다수의 도트를 붙인 동그라미 표시로 도시한다. 되감음 웨이퍼는, 반송의 개략에서 설명한 바와 같이 되감음 반송이 개시되는 타이밍으로 될 때까지, 단위 블록(G5)의 하류측으로의 반송이 불가로 되었을 때에 반입되어 있던 모듈에서 대기한다.
도 8 중, 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)의 웨이퍼(W)(방치 웨이퍼라고 한다)에는 사선을 붙이고 있다. 이 사선을 붙인 웨이퍼(W)는, 이들 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)에 체류되거나, 혹은, 후단의 모듈에는 반송되지 않고 통상 시와 마찬가지로 층간을 반송되어 캐리어(Ca)에 복귀된다. 또한, 되감음 웨이퍼(W)에 대해서는, 장치의 사용자가 웨이퍼마다 되감음 반송을 행할지 여부를 선택할 수 있는 것으로 한다. 이것은 모듈에 따라서는 장시간 웨이퍼가 체류하면, 해당 웨이퍼(W)가 리워크 웨이퍼가 될 경우가 있기 때문이다.
상기 되감음 웨이퍼(W) 및 방치 웨이퍼(W) 이외의 단위 블록(G5, G6)의 각 모듈에 반송되어 있는 웨이퍼(W)(각 도면 중에 사선이나 도트를 붙이지 않은 동그라미로 표시한다)는, 통상 시와 마찬가지로 반송된다. 예를 들어 단위 블록(G5)에 있어서, 반송 불가로 된 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)의 하류측에 위치하는 웨이퍼(W), 즉 가열 모듈(HP521 내지 HP526)에 위치하는 웨이퍼(W)는, 통상 시와 마찬가지로 버퍼 모듈(SBU51)로 반송되고, 단위 블록(G5)으로부터 반출된다.
이와 같이 단위 블록(G5)의 하류측으로의 반송이 불가로 되면, 개략도에서 설명한 바와 같이, 제2 전달 아암(16)이 전달 모듈(TRS32)로 반송된 웨이퍼(W)를, 전달 모듈(TRS51)을 대신해 전달 모듈(TRS61)로 반송한다. 그 후 이 웨이퍼(W)는 단위 블록(G6) 내를 통상 시와 마찬가지로 반송되고, 버퍼 모듈(SBU61)을 통하여 단위 블록(G6)으로부터 반출된다. 또한, 전달 모듈(TRS42)에 반송된 웨이퍼(W)는, 통상 시와 마찬가지로 단위 블록(G6)으로 반송되어 처리를 받는다. 즉, 단위 블록(G5)을 피하도록 반송이 행해진다.
이와 같이 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)로의 반송이 불가로 되면, 단위 블록(G6)에서는 각 공정의 멀티 모듈 중 하나의 모듈이, 되감음 반송되는 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 모듈(되감음 반송용 모듈이라고 한다)로서 설정된다. 이와 같이 설정된 모듈 이외의 모듈에 전달 모듈(TRS32, TRS42)을 경유한 웨이퍼(W)가 반송된다. 그것에 의해, 되감음 웨이퍼(W)의 반송 경로가 확보된다. 도 9는, 예를 들어 소수화 처리 모듈(ADH612), 전달 모듈(CPL62), 레지스트 도포 모듈(COT603) 및 가열 모듈(HP626)이 그와 같이 되감음 반송용 모듈로 설정된 예를 나타내고 있다. 개략도에서 설명한 바와 같이, 단위 블록(G6)에 반입 중인 로트의 단락까지 전달 모듈(TRS32, TRS42)로부터 단위 블록(G6)으로 웨이퍼(W)의 반입이 계속되지만, 예를 들어 멀티 모듈 중 상기 로트를 일찍 다 처리한 모듈이, 이와 같이 되감음 반송용의 모듈로서 설정된다.
그런데, 후술하는 바와 같이 되감음 웨이퍼의 로트와, 전달 모듈(TRS32, TRS42)로부터 단위 블록(G6)으로 반입 중인 로트가 상이한 경우에는, 상기 되감음 반송용 모듈로서 설정된 가열 모듈(HP626) 및 레지스트 도포 모듈(COT603)에서는, 되감음 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 준비 동작이 행해진다. 레지스트 도포 모듈(COT603)의 준비 동작으로서는, 컵의 세정 처리와, 노즐로부터 낡은 레지스트를 제거하기 위한 토출 처리, 소위 더미 디스펜스가 있다. 또한, 가열 모듈(HP626)의 준비 동작으로서는, 열판의 온도 조정(정정(整正))이 있다. 이들 준비 동작은, 다른 레지스트 도포 모듈(COT), 가열 모듈이 통상의 웨이퍼(W)를 처리하는 사이에 행해진다.
되감음 반송의 개시 타이밍으로서는 개략도에서 설명한 바와 같이, 단위 블록으로 반입 중인 로트의 최후의 웨이퍼(W)가 해당 단위 블록으로 반입된 후이다. 따라서 도 10에 있어서, 웨이퍼(A20)가 로트(A)의 최후의 웨이퍼(W)이고, 이 웨이퍼(W)가 전달 모듈(TRS61)로 반송되어, 단위 블록(G6)에 넣어졌다고 할 때(도면 중 스텝 T1), 상기 웨이퍼(A20)에 이어서 제2 전달 아암(16)에 의해, 되감음 웨이퍼(W)가 버퍼 모듈(SBU51)을 경유하여 전달 모듈(TRS61)에 반송된다(도면 중 스텝 T2).
이와 같이 되감음 반송을 제어하는 이유에 대하여 설명한다. 상기와 같이 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)이 반입 불가로 되는 타이밍에 의해 단위 블록(G6)에 반입 중인 웨이퍼(W)의 로트와, 되감음 웨이퍼(W)의 로트가 상이한 경우가 있다. 상기 되감음 웨이퍼(W)의 로트를 A, 반입 중인 웨이퍼(W)의 로트를 B라고 하면, 단위 블록(G6)의 되감음 반송용 모듈에 있어서는, 상기와 같이 로트(B)의 웨이퍼(W)를 처리하는 상태로부터 로트(A)를 처리하는 상태로 되도록 상기 준비 동작을 행할 필요가 있다. 따라서, 단위 블록(G6)에 반입 중인 로트(B)에 대해서는, 최후의 웨이퍼(W)까지 반입을 행하여 처리하고, 그 후에 로트(A)의 웨이퍼(W)를 되감아서 단위 블록으로 반입한다. 이때 단위 블록(G6)의 되감음 반송용 모듈로부터 보면, 로트(B), 로트(A)가 통합되어 반입되므로, 웨이퍼(W)가 반송될 때마다 준비 동작을 행할 필요가 없다. 그리고, 되감음 반송이 끝나면, 후속의 로트(로트(C)라고 한다)의 웨이퍼(W)가 통합되어 반송되게 되므로, 이 로트(C)에 대한 준비 동작을 행한 후에는 해당 로트(C)의 웨이퍼(W)를 연속하여 처리할 수 있으므로, 준비 동작을 행하는 횟수가 억제되게 된다. 그것에 의해 스루픗의 저하를 방지한다.
계속해서, 되감음 웨이퍼(W)가 경유하는 모듈에 대하여 설명한다. 이 경유하는 모듈은, 반송 불가의 단위 블록에 있어서 전달 모듈(CPL)에 의한 처리 전의 되감음 웨이퍼(W)를 반송하는 경우(케이스 1-1이라고 한다)와, 전달 모듈(CPL)에서 처리 완료된 되감음 웨이퍼(W)를 반송하는 경우(케이스 1-2라고 한다)에서 서로 다르다.
케이스 1-1에 있어서 되감음 웨이퍼(W)는, 반송 불가로 된 단위 블록으로부터 반송 가능한 단위 블록의 반입 모듈로 반송된 후, 반송 불가로 된 단위 블록에서 최후에 반송된 모듈의 다음 스텝의 모듈로 반송된다. 케이스 1-2에서는 되감음 웨이퍼(W)는, 반송 불가로 된 단위 블록으로부터 반송 가능한 단위 블록의 반입 모듈로 반송된 후, 전달 모듈(CPL)로 반송된다. 이 전달 모듈(CPL)에서 온도 조정된 후, 반송 불가로 된 단위 블록에서 최후에 반송된 모듈의 다음 스텝의 모듈로 반송된다. 즉, 어느 케이스도 반드시 전달 모듈(CPL)로 반송되어 온도 조정된다.
도 11을 참조하면서 소수화 처리 모듈(ADH511)로 반입되어 있는 웨이퍼(도면 중 D1으로서 도시한다)를 되감음 반송하는 경우에 대해서, 구체적으로 설명한다. 소수화 처리 모듈(ADH511)은 전달 모듈(CPL51, CPL52)보다 상류측의 모듈이기 때문에, 이 경우에는 상기 케이스 1-1에 상당한다. 우선 반송 아암(F5)에 의해, 웨이퍼(D1)는 버퍼 모듈(SBU51)로 반송되고(도면 중 스텝 R1), 그 후 제2 전달 아암(16)에 의해, 단위 블록(G6)의 전달 모듈(TRS61)로 반송된다(도면 중 스텝 R2). 웨이퍼(D1)는, 모듈(ADH)에 의한 소수화 처리까지의 각 처리를 이미 받았고, 모듈(ADH)의 다음 처리는 전달 모듈(CPL)에 의한 온도 조정이다. 따라서, 반송 아암(F6)은 웨이퍼(D1)를 전달 모듈(TRS61)로부터, 전달 모듈(CPL61, CPL62) 중에서 되감음 반송용 모듈로서 설정된 전달 모듈(CPL62)에 전달한다(도면 중 스텝 R3). 그 후, 웨이퍼(D1)는 통상의 반송과 마찬가지로 레지스트 도포 모듈(COT603)→ 가열 모듈(HP626)→ 버퍼 모듈(SBU61)의 순으로 반송되어 처리를 받는다.
계속하여 도 12를 참조하면서 전달 모듈(CPL52)로 반입되어 있는 웨이퍼(도면 중 D2로서 도시한다)를 되감음 반송하는 경우에 대하여 구체적으로 설명한다. 이 경우에는 상기 케이스 1-2에 상당한다. 우선, 제2 전달 아암(16)에 의해, 웨이퍼(D2)는 버퍼 모듈(SBU51)로 일단 반송되고(도면 중 스텝 V1), 버퍼 모듈(SBU51)로부터 단위 블록(G6)의 전달 모듈(TRS61)로 반송된다(도면 중 스텝 V2). 여기서, 웨이퍼(D2)는 전달 모듈(CPL52)에서 이미 온도 조정 처리를 받았지만, 반송 아암(F6)은 웨이퍼(D2)를 전달 모듈(CPL62)로 전달한다(도면 중 스텝 V3). 이후, 웨이퍼(D2)는 통상의 반송과 마찬가지로 레지스트 도포 모듈(COT603)로 전달되고(도면 중 스텝 V4), 이후는 가열 모듈(HP626)→ 버퍼 모듈(SBU61)의 순으로 반송되어 처리를 받는다.
이와 같이 단위 블록(G5)의 전달 모듈(CPL)에서 온도 조정된 웨이퍼(D2)를 단위 블록(G6)의 전달 모듈(CPL)에서 다시 온도 조정하는 이유를 설명한다. 가령 단위 블록(G6)에서 온도 조정하지 않은 채, 웨이퍼(D2)가 레지스트 도포 모듈(COT), 가열 모듈(HP)로 각각 반입된다고 하면, 다른 웨이퍼(W)와의 사이에서 온도 조정을 행하고나서 레지스트 도포 모듈(COT), 가열 모듈(HP)로 각각 반입될 때까지의 시간이 다르게 되고, 그것에 의하여 이들 모듈로 반입시의 온도가 다른 웨이퍼(W)와의 사이에서 상이하게 된다. 그 결과로서, 다른 웨이퍼의 처리 상태와 웨이퍼(D2)의 처리 상태가 상이해질 우려가 있다. 따라서, 단위 블록(G6) 반입 후에 다시 온도 조정을 행함으로써, 그러한 처리의 편차가 발생하는 것을 방지한다. 또한, 레지스트 도포 모듈(COT)이 상기의 준비 동작을 행하고 있는 경우라도, 이와 같이 되감음 웨이퍼(W)를 전달 모듈(CPL)에 반입해 둠으로써, 반송 아암(F6)이 해당 웨이퍼(W)를 유지한 채 대기할 필요가 없어진다. 그 때문에, 반송 아암(F6)은 다른 웨이퍼(W)의 반송을 행할 수 있으므로 효율적으로 반송을 행할 수 있다고 하는 이점도 있다.
그런데, 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)이 반송 불가의 상태로 된 예에 대하여 설명하였지만, 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503) 대신에 가열 모듈(HP521 내지 HP526)이 반송 불가로 되고, 레지스트 도포 모듈(COT501)의 웨이퍼(W)를 되감는 경우에 대하여 설명한다. 이 경우도 케이스 1-2에 해당하므로, 되감음 웨이퍼(W)는 전달 모듈(TRS61)→ 전달 모듈(CPL62)의 순으로 반송되어, 온도 조정된다. 그 후, 레지스트 도포 모듈(COT501)의 후단의 처리는 가열 모듈(HP)에 의한 처리이므로, 상기 되감음 웨이퍼(W)는 전달 모듈(CPL62)로부터 가열 모듈(HP626)로 반송되어 처리를 받는다.
계속해서, 되감음 웨이퍼(W)가 반송되는 순서에 대하여 경우를 나누어서 설명한다. 우선, 단위 블록이 반송 정지로 되었을 때에, 단위 블록 내의 되감음 웨이퍼(W)가 하나의 로트만으로 이루어지고, 해당 단위 블록의 반송 아암이 상기 로트의 웨이퍼(W)를 유지하고 있는 경우(케이스 2-1이라고 한다)를 설명한다. 이 케이스 2-1에서는 반송 아암의 로트(A)의 웨이퍼(W)로부터 우선적으로 되감음 반송되고, 그 후는 캐리어(Ca)로부터 배출된 순서대로 되감아진다. 이 캐리어(Ca)로부터 배출된 순서라는 것은 각 웨이퍼(W)에 배정된 번호순이다.
또한, 단위 블록이 반송 정지로 되었을 때에, 단위 블록 내의 되감음 웨이퍼(W)가 복수의 로트에 의해 구성되어 있고, 해당 단위 블록의 반송 아암이 후속 로트의 웨이퍼(W)를 유지하고 있는 경우(케이스 2-2라고 한다)를 설명한다. 되감음 반송을 행하기 전에 반송 아암은, 상기 선발의 로트가 반입된 모듈에 액세스하고, 해당 모듈과의 사이에서 웨이퍼(W)의 교환을 행하고, 후속의 로트 대신에 선발의 로트를 유지한다. 그리고, 유지한 선발의 로트가 우선적으로 되감아지고, 이후는 케이스 2-1과 마찬가지로 캐리어(Ca)로부터 배출된 순서대로 되감아진다. 단위 블록이 반송 정지로 되었을 때에, 해당 단위 블록의 반송 아암이 웨이퍼(W)를 유지 하고 있지 않은 경우(케이스 2-3)는, 캐리어(Ca)로부터 배출된 순서대로 웨이퍼(W)가 되감아진다.
구체적으로 예를 들어서 설명한다. 예를 들어 도 13은, 지금까지 설명한 바와 같이 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)로의 반송이 불가로 되었을 때의 상태를 도시한다. 반송 아암(F5)은 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)에서 미처리의 웨이퍼(W)를 유지하고, 단위 블록(G5) 내의 되감음 웨이퍼(W)는 동일 로트인 것으로 한다. 즉 상기 케이스 2-1에 해당한다. 전달 모듈(CPL) 및 소수화 처리 모듈(ADH)에 있어서는, 이들 모듈 중 번호가 작은 것부터 먼저 웨이퍼(W)가 반입된 것으로 한다. 우선, 반송 아암(F5)이 유지하고 있는 웨이퍼(W)가 최초로 버퍼 모듈(SBU51)로 반송되고, 단위 블록(G6)에 반입된다. 이후, 전달 모듈(CPL51, CPL52), 소수화 처리 모듈(ADH511, ADH512), 전달 모듈(TRS51)의 각 웨이퍼(W)가, 이 순서로 버퍼 모듈(SBU51)로 반송되고, 단위 블록(G6)에 반입된다. 도면 중의 웨이퍼(W)에는 되감음 반송이 행해지는 순서에 따라서 W1 내지 W6의 번호를 붙여서 도시한다.
이와 같이 반송 아암이 유지하고 있는 웨이퍼(W)를 우선적으로 되감는 것은, 반송 아암이 웨이퍼(W)를 유지하고 있으면, 모듈로부터 버퍼 모듈(SBU51)에 되감음 웨이퍼(W)를 반출할 수 없기 때문이다. 그리고, 케이스 2-2에서 반송 아암이 유지하는 로트를 교체하는 것 및 각 케이스에서 캐리어(Ca)로부터 배출하는 순서대로 되감는 것에 대해서는, 전술한 바와 같이 되감는 곳의 단위 블록에서는, 동일 로트의 웨이퍼(W)를 연속하여 처리하는 것이 모듈의 준비 동작을 행하는 횟수를 줄이기 위하여 유효하고, 그와 같이 동일한 로트의 웨이퍼(W)를 계속하여 상기 단위 블록으로 반송하기 위해서이다.
되감음 반송의 순서와, 되감는 곳의 반송 경로에 대해서, 되감음 웨이퍼가 복수의 로트로 이루어지는 경우를 예로 들어, 더 구체적으로 설명한다. 도 14는 지금까지 든 예와 마찬가지로, 레지스트 도포 모듈(COT501 내지 COT503)로의 반송이 불가로 된 후에, 웨이퍼(W)의 단위 블록(G6)으로의 웨이퍼(W)의 반송이 계속된 반송 상태를 도시한다. 반송 아암(F5)은 웨이퍼(W)를 유지하지 않고 있는 것으로 한다. 즉, 상기 2-3의 케이스이다. 도면 중의 웨이퍼(W)는, 로트(A, B, C)마다 빨리 캐리어로부터 배출된 것부터 순서대로 번호를 붙여서 도시하고, 웨이퍼(A4), 웨이퍼(B1 내지 B4)가 되감음 웨이퍼이다. 로트(B)의 최종 웨이퍼(W)(웨이퍼(B13)이라고 한다)가 전달 모듈(TRS61)로 반입된 후, 후속 로트(C)의 선두 웨이퍼(C1)가 단위 블록(G6)에 반입되기 전에 되감음 반송이 개시된다.
되감음 웨이퍼 중에서 가장 빨리 배출된 것은 웨이퍼(A4)이기 때문에, 도 15에 도시한 바와 같이 웨이퍼(A4)는, 체류되어 있던 전달 모듈(CPL51)로부터 버퍼 모듈(SBU51)을 통하여 전달 모듈(TRS61)로 반입된다. 상기 웨이퍼(A4)는 전술한 케이스 1-2에서 설명한 룰에 따라, 전달 모듈(CPL61)로 반송된다. 전달 모듈(TRS61)이 비면, 단위 블록(G5)에 남은 되감음 웨이퍼 중에서 다음에 빨리 배출된 것은 웨이퍼(B1)이기 때문에, 도 16에 도시한 바와 같이 웨이퍼(B1)가, 체류되어 있던 전달 모듈(CPL52)로부터 버퍼 모듈(SBU51)을 통하여 전달 모듈(TRS61)로 반입된다.
전달 모듈(CPL61)에서 냉각된 웨이퍼(A4)는, 로트(A)를 처리할 수 있도록 준비 동작이 행해진 레지스트 도포 모듈(COT601), 가열 모듈(HP621)로 반입되어 처리를 받는다. 그 한편, 웨이퍼(B1)는 전달 모듈(CPL61)로 반입되어 온도 조정된다(도 17 참조). 그리고, 웨이퍼(A4)를 처리하여 배출한 레지스트 도포 모듈(COT601), 가열 모듈(HP621)에서는, 로트(B)를 처리하기 위한 준비 동작이 행해진다. 준비 동작이 끝나면 웨이퍼(B1)가 이들 레지스트 도포 모듈(COT601), 가열 모듈(HP621)로 반송되어 처리된다.
그리고 웨이퍼(B1)가 반출되어 빈 전달 모듈(TRS61)에는, 상기 룰에 따라 웨이퍼(B2, B3, B4)가 이 순서대로 반입된다. 소수화 처리 모듈(ADH511, ADH512)에서 각각 대기하고 있던 웨이퍼(B2, B3)는, 웨이퍼(B1)와 마찬가지로 전달 모듈(CPL61)에 반송된 후, 레지스트 도포 모듈(COT601), 가열 모듈(HP621)에 순서대로 반송된다. 전달 모듈(TRS51)에서 대기하고 있던 웨이퍼(B4)는, 수소화 처리 모듈(ADH611)로 반송되어 처리된 후에 전달 모듈(CPL61), 레지스트 도포 모듈(COT601), 가열 모듈(HP621)로 순서대로 반송된다.
최후의 되감음 웨이퍼인 웨이퍼(B4)가 전달 모듈(TRS61)로부터 배출되면, 해당 전달 모듈(TRS61)에 웨이퍼(C1)의 반입이 개시되고, 이후는 로트(C)의 후속 웨이퍼(W)가 전달 모듈(TRS61)로 반입된다(도 18 참조). 통상의 로트(B)의 웨이퍼(W)를 다 처리한 가열 모듈(HP622 내지 HP626) 및 레지스트 도포 모듈(COT602, COT603)은, 로트(B)의 처리를 종료하면, 이 로트(C)를 처리하기 위하여 준비 동작이 행해진다. 레지스트 도포 모듈(COT601), 가열 모듈(HP621)에 대해서는 상기 되감음 웨이퍼(B4)를 처리한 후에 준비 동작이 행해진다. 단 레지스트 도포 모듈(COT)의 준비 동작인 더미 디스펜스에 대해서는, 레지스트 도포 모듈(COT601 내지 COT603)에서 노즐이 공유화되어 있기 때문에, 레지스트 도포 모듈(COT601 내지 COT603) 모두에 있어서 로트(B)의 처리를 종료한 후에 행해진다. 그리고, 이와 같이 준비 동작을 행한 각 모듈에 로트(C)의 웨이퍼(W)가 반입되어 처리가 행해진다.
그런데, 반송 제어가 복잡화되는 것을 방지하기 위하여 웨이퍼(W)는 캐리어(Ca)로부터 배출된 순서대로 노광 장치(11)로 반입된다. 그러나 되감음 반송이 행해지면, 나중에 배출된 웨이퍼(W)가, 먼저 배출된 웨이퍼(W)보다 후단의 모듈로 반송되게 된다. 이와 같이 단위 블록(G5, G6)에서 되감음 반송이 행해질 때의 노광 장치(11)에의 반송 상황을, 도 19, 도 20의 모식도를 참조하여 설명한다. 이들 도면에서는 전술한 도면과 마찬가지로 선발 로트(A), 후발 로트(B)를 도시하고, 각 로트는 앞번호부터 순서대로 캐리어(Ca)로부터 반출된 것으로 한다. 또한, 되감음 웨이퍼는 A1이라고 한다.
이 되감음 웨이퍼(A1)보다 늦게 캐리어로부터 배출된 로트(A)의 웨이퍼(도면 중 A2라고 한다) 및 로트(B)의 각 웨이퍼(도면 중 B1, B2)는, 노광 장치(11)로 반입되기 전에 인터페이스 블록(S3)의 버퍼 모듈(BUF)에서 대기된다(도 19 참조). 그리고, 상기 되감음 웨이퍼(A1)가 되감음 반송되고, 상기 버퍼 모듈(BUF)로 반송되고, 해당 버퍼 모듈(BUF)로부터 노광 장치(11)로 배출된 후, 대기되어 있던 웨이퍼는 캐리어(Ca)로부터 배출된 웨이퍼 A2, B1, B2의 순서대로 노광 장치(11)로 반송된다(도 19 참조). 즉 버퍼 모듈(BUF)에 의해, 웨이퍼(W)는 캐리어(Ca)로부터 배출된 순서대로 노광 장치(11)로 배출되도록 조정된다.
이와 같이 버퍼 모듈(BUF)에서 노광 장치(11)로의 반입 순서를 조정하기 위해서, 되감음 웨이퍼를 앞질러서 후단측의 모듈로 반송된 웨이퍼(W)는 버퍼 모듈(BUF) 및 버퍼 모듈(BUF)에 이르기까지의 각 모듈에 재치되게 된다. 따라서, 상기 버퍼 모듈(BUF)의 웨이퍼(W)의 수용 매수+상기 각 모듈의 수-1 이하의 매수의 웨이퍼(W)가 되감음 웨이퍼(W)를 앞질러서 반송을 행할 수 있게 된다. -1은, 되감음 웨이퍼(W)가 반송되는 분이다. 따라서, 버퍼 모듈(BUF)의 수용 매수는, 되감음 반송을 행할 수 있도록 적절하게 조정된다.
그런데, 되감음 반송은, 기판에 마찬가지의 처리를 행할 수 있는 단위 블록이 복수 설치되어 있으면 행할 수 있다. 따라서, 단위 블록(G3, G4)에서도 행할 수 있고, 노광 장치(11)의 후단측의 현상용 단위 블록(G1, G2)에서 행할 수도 있다. 단위 블록(G1, G2)의 웨이퍼(W)는 이미 노광 장치(11)에서 처리 완료되었기 때문에, 그와 같이 단위 블록(G1, G2)에서 되감음 반송을 행하는 경우에는, 상기의 버퍼 모듈(BUF)에 의해 웨이퍼(W)의 대기를 행하지 않아도 된다.
계속해서, 단위 블록(G1, G2)에서 행해지는 되감음 반송의 일례에 대하여 도 21을 참조하면서 설명한다. 설명의 편의상, 단위 블록(G1)에 있어서, 현상 모듈(DEV)을 DEV121 내지 DEV123이라고 한다. 단위 블록(G1, G2)으로의 반입 모듈은 전달 모듈(TRS11, TRS21)이다. 이 단위 블록(G1, G2)에서의 되감음 반송은, 인터페이스 아암(25)의 반송 제어가 복잡해지는 것을 방지하기 위해서, 웨이퍼(W)는 인터페이스 블록(S3)으로부터 단위 블록(G1, G2)으로는 반송되지 않도록 행해진다. 여기에서는 단위 블록(G1)의 현상 모듈(DEV121 내지 DEV123)으로의 반송이 불가로 되고, 그 전단의 가열 모듈인 PEB의 웨이퍼(W)를 되감음 웨이퍼(W)로서 반송하는 경우에 대하여 설명한다.
현상 모듈(DEV121 내지 DEV123)이 모두 반송 불가로 되었을 때에 단위 블록(G2)으로 반입 중인 로트의 최후의 웨이퍼(W)가 전달 모듈(TRS21)로 반입되면, 반송 아암(F1)에 의해, 상기 가열 모듈(PEB)의 되감음 웨이퍼(W)는 전달 모듈(CPL11)로 반송되고, 제2 전달 아암(16)에 의해 셔틀(23)에 전달된다. 셔틀(23)로부터 인터페이스 아암(25)이 웨이퍼(W)를 수취하고, 상기 전달 모듈(TRS21)로 반송한다. 그 후, 되감음 웨이퍼(W)는, 반송 아암(F2)에 의해 가열 모듈(PEB)의 후단의 전달 모듈(CPL22)로 반송되고, 이후는 통상 시와 마찬가지로 현상 모듈(DEV)→ 가열 모듈(POST)→ 전달 모듈(CPL21)→ 제1 전달 아암(13)→ 캐리어(Ca)의 순서대로 반송된다.
이와 같이 셔틀(23)에 의해 인터페이스 블록(S3)으로 되감음 웨이퍼(W)를 반송하여도 되고, 다른 단위 블록(G3 내지 G6)의 반송 아암에 의해 상기 선반 유닛(U1)으로부터 선반 유닛(U6)으로 웨이퍼(W)를 반송하여도 된다. 구체적으로 설명하면, 예를 들어 선반 유닛(U6)에 있어서 단위 블록(G3)에 대응하는 높이에 전달 모듈(TRS)(TRS33이라고 한다)을 설치해 둔다. 그리고, 상기와 같이 단위 블록(G1)의 되감음 웨이퍼(W)에 대하여 되감음 반송을 행하는 경우에는, 단위 블록(G1)의 반출 모듈인 전달 모듈(CPL11)로부터, 적절한 타이밍에서 단위 블록(G3)의 반입 모듈인 전달 모듈(TRS31)에 해당 웨이퍼(W)를 반송한다. 그리고, 반송 아암(F3)에 의해 상기 웨이퍼(W)를 상기 전달 모듈(TRS33)로 반송하고, 인터페이스 아암(25)이 상기 웨이퍼(W)를 전달 모듈(TRS21)로 반송하고, 단위 블록(G1)에 되감음 웨이퍼(W)를 넣어진다.
또한, 상기 되감음 웨이퍼(W)는 단위 블록(G1)으로부터 일단 캐리어(Ca)로 되돌리어, 그 후 상기 단위 블록(G3), 인터페이스 블록(S3)을 통하여 단위 블록(G2)으로 반송하여도 된다. 이와 같이 되감음 반송을 행하는 단위 블록(G) 이외의 블록의 기판 반송 기구를 사용함으로써, 셔틀(23)이 사용 불가이거나, 셔틀(23)이 설치되지 않은 장치에 있어서도 되감음 반송을 행할 수 있다.
이와 같이 각각의 되감음 반송을 행하기 위해서는, 그외에, 단위 블록에 있어서 액처리 모듈이나 가열 모듈의 상류측에 전달 모듈(CPL)이 설치되도록 구성된다. 그 이유는, 상기와 같이 웨이퍼(W) 처리의 불균일화를 방지하거나, 반송 아암이 웨이퍼(W)를 유지한 상태에서 대기하는 것을 방지하기 위해서이다. 또한, 반송 불가로 된 단위 블록으로부터 웨이퍼(W)를 반출하기 위한 반출 모듈로 웨이퍼(W)를 반송 가능한 상태인 것이 필요로 된다.
상기의 도포·현상 장치(1)에 따르면 이중화된 단위 블록(G) 중의 한쪽이 반송 불가로 되어도, 그와 같이 반송 불가로 된 단위 블록(G)에 반입된 웨이퍼(W)를 다른쪽의 반송 가능한 단위 블록으로 반송하여 처리를 행할 수 있다. 따라서 반송 불가로 된 단위 블록으로부터 회수하여 다시, 도포·현상 처리를 행할 수 있도록 처리를 행하는 웨이퍼(W)(리워크 웨이퍼)의 매수를 줄일 수 있기 때문에, 생산 비용이나 수고의 저감을 도모할 수 있다. 또한, 상기 반송 불가로 된 단위 블록으로부터 웨이퍼(W)를 회수하기 위한 시간을 억제할 수 있다. 따라서, 도포·현상 장치(1)의 생산 효율의 향상을 도모할 수 있다. 그리고, 이와 같이 되감음 반송을 행함에 있어서, 반송 가능한 단위 블록으로 반입 중인 로트의 최후의 웨이퍼(W)에 이어서, 되감음 웨이퍼(W)를 해당 단위 블록으로 반입하고 있기 때문에, 모듈의 준비 동작을 행하는 횟수를 억제할 수 있어, 스루픗의 저하를 저감할 수 있다.
상기의 예에서는 하나의 단위 블록에서 동일한 처리를 행하는 멀티 모듈이 모두 정지한 경우에 대하여 설명하였지만, 모듈은 그와 같이 멀티 모듈로서 구성되지 않아도 된다. 단위 블록(G)에서 하나밖에 설치되어 있지 않은 모듈로의 반송이 불가로 되고, 상기 단위 블록(G)에서의 반송이 불가로 된 경우에는, 마찬가지로 되감음 반송을 행할 수 있다. 또한, 되감음 웨이퍼(W)로 되는 웨이퍼(W)의 수는 비교적 적기 때문에, 상기의 예에서는 멀티 모듈 중 되감음 웨이퍼의 처리 모듈은 1개로 설정하고 있지만, 복수 개로 설정하여도 된다. 또한, 상기 예에서는 단위 블록(G5, G6)에서 되감음 반송을 행함에 있어서, 되감음 웨이퍼(W)를 일단, 단위 블록(G5)의 반출 모듈인 SBU51로 반송하고 나서 단위 블록(G6)의 반입 모듈인 TRS61로 반송하고 있지만, 제2 전달 아암(16)이 액세스할 수 있는 모듈에서 대기하고 있는 되감음 웨이퍼(W)는, 직접 상기 TRS61로 반송하여도 된다.
본 발명은, 웨이퍼(W)를 처리하는 기판 처리 장치에 한정되지 않고 LCD 기판 등을 처리하는 처리 장치에도 적용된다. 또한, 웨이퍼(W)에 도포 및 현상을 행하는 기판 처리 장치에 적용하는 것에 한정되지 않고, 예를 들어 도포 또는 현상의 한쪽만을 행하는 도포 장치 및 현상 장치에 적용할 수도 있다. 이와 같이 기판 처리 장치를 도포·현상 장치, 도포 장치, 현상 장치로서 구성한 모든 경우에도, 상기와 같이 셔틀을 설치하지 않고 되감음 반송을 행할 수 있다. 또한, 상기의 예에서는 마찬가지로 구성된 단위 블록을 2개 설치하고 한쪽이 반송 불가로 되었을 때에 다른쪽에서 반송하고 있지만 이것에 한정되지 않는다. 즉, 단위 블록을 3개 이상 설치하고, 하나의 단위 블록이 반송 불가로 되었을 때에 2개 이상의 단위 블록으로 되감음 웨이퍼(W)를 배분하여 반송하여도 된다. 단위 블록의 구성으로서도 상기의 구성에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기의 도포·현상 장치(1)에 레지스트의 도포 후, 노광 전에 레지스트막의 상층에 보호막을 형성하기 위한 복수의 단위 블록을 설치하고, 이들 단위 블록에서 되감음 반송을 행하여도 된다.
A1 내지 A6 반송 아암
B1 내지 B6 단위 블록
C 캐리어
COT 레지스트 도포 모듈
CPL, TRS 전달 모듈
HP 가열 모듈
SBU 버퍼 모듈
W 웨이퍼
1 도포·현상 장치
16 제2 전달 아암
23 셔틀
100 제어부

Claims (14)

  1. 서로 동일한 일련의 처리를 행하기 위한 복수의 단위 블록을 구비하는 처리 블록과, 상기 처리 블록으로 반입되는 기판의 복수의 로트를 포함하고, 상기 복수의 단위 블록 각각은 기판에 대하여 일련의 처리를 행하는 모듈군과, 상기 모듈군을 구성하는 상류측의 모듈로부터 하류측의 모듈로 기판을 순서대로 반송하기 위한 제1 반송 기구를 포함하고, 상기 처리 블록으로 반입된 기판을 상기 복수의 단위 블록의 각각의 상류단의 모듈에 순서대로 배분하는 제2 반송 기구와, 상기 복수의 단위 블록에서 일련의 처리가 행해지도록 제어하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 제어부는,
    제1 단위 블록의 모듈에 트러블이 발생하였을 때에, 상기 제1 단위 블록으로의 기판의 반입을 중지하고, 제2 단위 블록으로 반입되도록 상기 제2 반송 기구를 동작하는 스텝과,
    상기 제1 단위 블록의 트러블 모듈보다 상류측의 모듈에 놓여 있는 대기 기판을, 상기 대기 기판에 속하는 로트의 다음 로트의 선두 기판이 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입되기 전인지 여부를 판단하는 스텝과,
    상기 선두 기판이 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입되기 전이라고 판단되었을 때에는 상기 대기 기판을 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입하거나 또는 상기 선두 기판이 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입된 후라고 판단되었을 때에는 상기 다음 로트의 최후미의 기판이 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입된 후에 상기 대기 기판을 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입하도록 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하는 스텝과,
    상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입된 상기 대기 기판을 상기 제2 단위 블록에서 상기 일련의 처리를 행하도록 상기 제2 단위 블록의 상기 제1 반송 기구를 제어하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 모듈군 중에는, 기판의 온도 조정을 하기 위한 온도 조정 모듈이 포함되고,
    상기 대기 기판은, 상기 제1 단위 블록의 상기 온도 조정 모듈에서 온도 조정을 했는지 여부에 관계없이, 상기 제2 단위 블록의 상기 온도 조정 모듈로 반입되는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 대기 기판이 복수 매 있고, 복수의 로트로 이루어지는 경우에는, 상기 제1 단위 블록으로 먼저 반입된 로트의 상기 대기 기판으로부터 상기 제2 단위 블록으로 반입을 개시하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 모듈군에 있어서, 반송 순서가 동일하고, 기판에 대하여 동일한 처리를 행하는 멀티 모듈이 설치되고,
    상기 제2 단위 블록의 상기 멀티 모듈 중 적어도 하나는 상기 대기 기판의 반입용으로 설정되고, 다른 모듈은 상기 제1 단위 블록을 경유하지 않고 전달되는 기판의 반입용으로 설정되는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 단위 블록은 각각 노광 장치에 접속되고,
    상기 복수의 단위 블록 각각의 후단측에는, 상기 단위 블록의 상기 모듈군 혹은 상기 단위 블록의 상류측에서 레지시트가 도포된 기판을, 미리 설정한 순서로 상기 노광 장치에 반송하기 위해서 복수 매의 기판을 대기시키는 대기용 모듈이 설치되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    기판을 저장하는 캐리어가 반입되는 캐리어 블록과, 노광 장치와의 사이에서 기판을 전달하는 인터페이스 블록이 상기 복수의 단위 블록 각각을 사이에 두도록 설치되고,
    상기 복수의 단위 블록은 각각 노광된 기판을 현상하여 상기 캐리어 블록에 전달하기 위한 현상 모듈을 포함하고,
    상기 제2 반송 수단은, 상기 캐리어 블록측으로부터 상기 인터페이스 블록측으로, 레지스트막이 형성된 기판을 직통 반송하는 직통 반송 기구를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항의 기판 처리 장치를 사용한 기판 처리 방법에 있어서,
    제1 단위 블록의 모듈에 트러블이 발생하였을 때에, 상기 제1 단위 블록으로의 기판의 반입을 중지하고, 제2 단위 블록으로 반입하도록 제2 반송 기구를 동작하는 공정과,
    상기 제1 단위 블록의 트러블 모듈보다 상류측의 모듈에 놓여 있는 대기 기판을, 상기 대기 기판에 속하는 로트의 다음 로트의 선두 기판이 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입되기 전인지 여부를 판단하는 공정과,
    상기 선두 기판이 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입되기 전이라고 판단되었을 때에는 상기 대기 기판을 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입하거나 또는 상기 선두 기판이 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입된 후라고 판단되었을 때에는 상기 다음 로트의 최후미의 기판이 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입된 후에 상기 대기 기판을 상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입하도록 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하는 공정과,
    상기 제2 단위 블록의 상류단의 모듈로 반입된 상기 대기 기판을 상기 제2 단위 블록에서 상기 일련의 처리를 행하도록 상기 제2 단위 블록의 제1 반송 기구를 제어하는 공정을 포함하는 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 단위 블록 각각은 기판에 대하여 일련의 처리를 행하는 모듈군을 포함하고, 상기 모듈군 중에는, 기판의 온도 조정을 하기 위한 온도 조정 모듈이 포함되고,
    상기 대기 기판은, 상기 제1 단위 블록의 상기 온도 조정 모듈에서 온도 조정을 했는지 여부에 관계없이, 상기 제2 단위 블록의 상기 온도 조정 모듈로 반입되는 공정을 포함하는 기판 처리 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 대기 기판이 복수 매 있고, 복수의 로트로 이루어지는 경우에는, 상기 제1 단위 블록으로 먼저 반입된 로트의 상기 대기 기판으로부터 상기 제2 단위 블록으로 반입을 개시하는 기판 처리 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 단위 모듈 각각에 구비되는 모듈군에 있어서, 반송의 순서가 동일하고, 기판에 대하여 동일한 처리를 행하는 멀티 모듈이 설치되고,
    상기 대기 기판을, 상기 제2 단위 블록의 상기 멀티 모듈 중 상기 대기 기판의 반입용으로 설정된 모듈에 반송하는 공정과,
    상기 제1 단위 블록을 경유하지 않고 상기 제2 단위 블록으로 전달되는 기판을, 상기 대기 기판의 반입용으로 설정되는 모듈 이외의 모듈로 반송하는 공정을 포함하는 기판 처리 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 단위 블록은 각각 노광 장치에 접속되고,
    상기 복수의 단위 블록 각각의 후단측에는, 복수 매의 기판을 대기시키는 대기용 모듈이 설치되고,
    상기 복수의 단위 블록 각각에 구비되는 모듈군 혹은 상기 복수의 단위 블록 각각의 상류측에서 레지스트가 도포된 기판을 상기 대기용 모듈에 대기시키는 공정과,
    상기 대기 기판과, 상기 대기용 모듈에서 대기하는 기판을 미리 설정한 순서로 상기 노광 장치에 반송하는 공정을 포함하는 기판 처리 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    기판을 저장하는 캐리어가 반입되는 캐리어 블록과, 노광 장치와의 사이에서 기판을 전달하기 위한 인터페이스 블록이 상기 복수의 단위 블록 각각을 사이에 두도록 설치되고,
    상기 복수의 단위 블록은 각각 노광된 기판을 현상하여 상기 캐리어 블록에 전달하기 위한 현상 모듈을 포함하고,
    상기 제2 반송 수단은, 상기 캐리어 블록측으로부터 상기 인터페이스 블록측으로, 레지스트막이 형성된 기판을 직통 반송하는 직통 반송 기구를 포함하는 기판 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 직통 반송을 행하는 공정을 더 포함하는 기판 처리 방법.
  14. 기판 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체로서,
    상기 컴퓨터 프로그램은, 제7항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법을 실시하기 위한 것인 기억 매체.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6250973B2 (ja) * 2013-08-08 2017-12-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6114151B2 (ja) * 2013-09-20 2017-04-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画装置、基板処理システムおよび描画方法
JP6292155B2 (ja) * 2015-03-19 2018-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4816217B2 (ja) * 2006-04-14 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
US20080025823A1 (en) * 2006-07-31 2008-01-31 Masahiko Harumoto Load lock device, and substrate processing apparatus and substrate processing system including the same
JP5116330B2 (ja) * 2007-03-26 2013-01-09 株式会社東京精密 電解加工ユニット装置及び電解加工洗浄乾燥方法
JP4388563B2 (ja) * 2007-03-27 2009-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP5006122B2 (ja) * 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) * 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4760919B2 (ja) * 2009-01-23 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP4985728B2 (ja) * 2009-08-24 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP5168300B2 (ja) * 2010-02-24 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP5348083B2 (ja) * 2010-07-16 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体

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