JP2013162080A - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】モジュールにトラブルが発生したときに、スループットの低下を抑えながら、処理を行えずに回収される基板の枚数を少なくすることができる技術を提供すること
【解決手段】一の単位ブロックのトラブルモジュールよりも上流側のモジュールに置かれている待機基板に属するロットの次のロットの先頭基板が他の単位モジュールの上流端のモジュールに搬入される前であるか否かを判断し、前記搬入される前であると判断されたときには前記待機基板を他の単位モジュールの上流端のモジュールに搬入し、また前記搬入された後であると判断されたときには、前記次のロットの最後尾の基板が他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入された後に前記待機基板を他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入するように、搬送機構を制御する制御部が設けられる。
【選択図】図１０

Description

本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に処理を行う基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。前記レジストパターンを形成するための塗布、現像装置には、ウエハに各種の処理を行うための処理モジュールを備えた処理ブロックが設けられている。
処理ブロックは、例えば特許文献１に記載されるように、レジスト膜などの各種の塗布膜を形成する単位ブロック及び現像処理を行う単位ブロックを互いに積層することにより構成されている。これら単位ブロックには、レジスト液や現像液の塗布処理を行う複数個の液処理モジュールや、加熱処理を行う複数個の加熱モジュールが組み込まれている。
このようなレジストパターン形成装置では、スループット向上の観点からウエハに対して同一の処理を行う単位ブロックを複数設けられる。そして、同一の処理を行う単位ブロックを複数積層する場合には、特許文献２に示すように、夫々の単位ブロックに順番にウエハを払い出し、夫々の単位ブロックにて処理を行った後、前記払い出した順番に沿って夫々の単位ブロックからウエハを搬出している。
ところで、一つの単位ブロックにおいて、ウエハに対して所定の処理を行うモジュールが使用不可になり、他に同一の処理が行えるモジュールが無い場合には、この使用不可モジュールの上流側のウエハについては、当該単位ブロックで処理を継続することができない。この上流側のウエハは塗布、現像装置から回収され、例えば再度塗布、現像処理を行える状態にするために所定の処理（リワーク処理）を受けた後、再度塗布、現像装置に搬入される。しかし、このような一連の処理を行うことは手間であり、前記処理を行うウエハ（リワークウエハ）の枚数を少なくしたい要請がある。また、モジュールによってはウエハのロットの切り替わりに応じて、前記ロットの処理条件を変更するために準備動作が必要になる。この準備動作の回数を少なくして、処理が停滞することを防ぎながら前記リワークウエハの枚数を抑えることが求められる。
特許文献１では基板に互いに同じ処理を行うマルチモジュールが使用不可になった場合の対処方法について記載されているが、上記の問題を解決するには不十分である。
特開２０１１−１７６１２２
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、モジュールにトラブルが発生したときに、スループットの低下を抑えながら、処理を行えずに回収される基板の枚数を少なくすることができる技術を提供することである。
本発明の基板処理装置は、 基板のロットごとに処理ブロックに搬入されること、
処理ブロックは、互いに同一の一連の処理を行うための複数の単位ブロックを備えていること、
各単位ブロックは、基板に対して一連の処理を行うモジュール群と、これらモジュール群を構成する上流側のモジュールから下流側のモジュールに基板を順番に搬送するための第１の搬送機構と、を備えていること、
処理ブロックに搬入された基板は、第２の搬送機構により前記複数の単位ブロックの各々の上流端のモジュールに順番に振り分けられ、振り分けられた単位ブロックにて一連の処理が行われること、
装置を制御する制御部を設けたこと、を備えた基板処理装置において、
前記制御部は、
一の単位ブロックのモジュールにトラブルが発生したときに、当該一の単位ブロックへの基板の搬入を中止し、他の単位ブロックに搬入するように第２の搬送機構が動作するステップと、
前記一の単位ブロックのトラブルモジュールよりも上流側のモジュールに置かれている基板を待機基板と呼ぶとすると、当該待機基板に属するロットの次のロットの先頭基板が他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入される前であるか否かを判断するステップと、
このステップにより、前記搬入される前であると判断されたときには前記待機基板を他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入するように、また前記搬入された後であると判断されたときには、前記次のロットの最後尾の基板が他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入された後に前記待機基板を他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入するように、第１の搬送機構及び第２の搬送機構を制御するステップと、
前記他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入された前記待機基板を当該他の単位ブロックにて前記一連の処理を行うように当該他の単位ブロックの第１の搬送機構を制御するステップと、
を実行するよう制御信号を出力するものであることを特徴とする。
本発明の具体的な態様は、例えば下記の通りである。
（ａ）前記モジュール群の中には、基板の温度調整をするための温度調整モジュールが含まれ、
前記待機基板は、前記一の単位ブロックにて前記温度調整モジュールにて温度調整したか否かにかかわらず、前記他の単位ブロックにて温度調整モジュールに搬入される。
（ｂ）前記待機基板が複数枚あり、複数のロットからなる場合には、一の単位ブロックに先に搬入されたロットの待機基板から他の単位ブロックに搬入する。
（ｃ）前記モジュール群において、搬送の順番が同じであり、基板に対して同一の処理を行うマルチモジュールが設けられ、
他の単位ブロックの前記マルチモジュールのうち少なくとも一つは前記待機基板の搬入用に設定され、他のモジュールは一の単位ブロックを経由せずに受け渡される基板の搬入用に設定される。
（ｄ）各単位ブロックは、露光装置に接続され、
単位ブロックの処理モジュール群あるいは単位ブロックの上流側でレジストが塗布された基板を、予め設定した順番で前記露光装置に搬送するために、各単位ブロックの後段側には、複数枚の基板を待機させる待機用モジュールが設けられていることを特徴とする。
（ｅ）基板を格納するキャリアが搬入されるキャリアブロックと、露光装置との間で基板を受け渡すためのインターフェイスブロックと、が各単位ブロックを挟むように設けられ、
各単位ブロックは露光された基板を現像してキャリアブロックに受け渡すための現像モジュールを含み、
前記第２の搬送手段は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ、レジスト膜が形成された基板を直通搬送する直通搬送機構を含む。
本発明によれば、一の単位ブロックのモジュールにトラブルが発生したときに、トラブルモジュールよりも上流側のモジュールに置かれている待機基板を、当該待機基板が属するロットの次のロットが、他の単位ブロックに搬入される前、または前記次のロットが他の単位ブロックに搬入された後で、当該他の単位ブロックに搬入して処理を行う。これによって、ロットの切り替わりによるモジュールの調整動作の回数が増えてスループットが低下することを防ぎながら、処理を行えずに回収する基板の枚数を抑えることができる。
本発明が適用される塗布、現像装置の平面図である。 前記塗布、現像装置の斜視図である。 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。 前記塗布、現像装置による通常時のウエハの搬送経路の概略図である。 前記塗布、現像装置による異常時のウエハの搬送経路の概略図である。 前記塗布、現像装置による異常時のウエハの搬送経路の概略図である。 前記塗布、現像装置による異常時のウエハの搬送経路の概略図である。 前記塗布、現像装置の単位ブロックの概略展開図である。 前記塗布、現像装置の単位ブロックの概略展開図である。 前記塗布、現像装置の単位ブロックの概略展開図である。 前記塗布、現像装置の単位ブロックの概略展開図である。 前記塗布、現像装置の単位ブロックの概略展開図である。 前記塗布、現像装置の単位ブロックの概略展開図である。 前記塗布、現像装置の単位ブロックの概略展開図である。 前記塗布、現像装置の単位ブロックの概略展開図である。 前記塗布、現像装置の単位ブロックの概略展開図である。 前記塗布、現像装置の単位ブロックの概略展開図である。 前記塗布、現像装置の単位ブロックの概略展開図である。 前記塗布、現像装置の搬送経路の概略図である。 前記塗布、現像装置の搬送経路の概略図である。 前記塗布、現像装置の単位ブロックの概略展開図である。
本発明の基板処理装置の一実施形態である塗布、現像装置１について図１〜図３を参照しながら説明する。この塗布、現像装置１には露光装置１１が接続されてレジストパターン形成システムとして構成され、図１は、このシステムの平面図、図２は同概略斜視図である。図３は塗布、現像装置１の概略側面図である。前記システムは、キャリアブロックＳ１、処理ブロックＳ２、インターフェイスブロックＳ３、前記露光装置１１をこの順に直線状に接続して構成される。
キャリアブロックＳ１は、ウエハＷを複数枚格納したキャリアＣを外部から搬入するブロックであり、図中１２は前記キャリアＣの載置台である。図中１３は、キャリアＣと後述の棚ユニットＵ１との間でウエハＷを受け渡す第１の受け渡しアームである。
処理ブロックＳ２は、下方側から第１の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｇ１、第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｇ２、シャトル移動用ブロック２２、第３の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｇ３、第４の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｇ４、第５の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｇ５、第６の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｇ６の単位ブロックがこの順に積層されることにより構成されている。シャトル移動用ブロック２２には直通搬送機構であるシャトル２３が設けられる。シャトル２３は後述の棚ユニットＵ１の受け渡し部２１から後述の棚ユニットＵ６の受け渡し部２４へ移動して、ウエハＷを直通搬送する。
各単位ブロックＧについては互いにレイアウト及び構成が類似しているため、代表して図１に示す第５の単位ブロックＧ５を説明する。単位ブロックＧ５において、キャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側へ向かってウエハＷの搬送路１５が形成されている。搬送路１５にはウエハＷを搬送する搬送アームＦ５が設けられ、単位ブロックＧ５のモジュール間でウエハＷを受け渡すことができる。搬送アームＦ５は、前記棚ユニットＵ１にてこの単位ブロックＧ５の高さに設けられた各モジュールにアクセスし、ウエハＷの搬入出を行うことができる。また、搬送アームＦ５は各々独立してウエハＷを保持するための保持部を２つ備えており、一方の保持部でモジュールからウエハＷを受け取り、他方の保持部でモジュールに対してウエハＷを受け渡す。つまりモジュールに対して保持するウエハＷとを入れ替えるように動作する。ところでウエハＷが載置される場所をモジュールと記載し、ウエハＷに対して処理を行うモジュールを処理モジュールと記載する。
前記搬送路１５をキャリアブロックＳ１側から見て右側には、３基の液処理モジュールであるレジスト塗布モジュールＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３が当該搬送路１５に沿って設けられている。レジスト塗布モジュールＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３はレジスト膜の形成を行うためのモジュールであり、各々ウエハＷの側周を囲むカップを備えている。またＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３は、ウエハＷ表面にレジスト液を供給するノズルを備え、このノズルはＣＯＴ５０１〜５０３で共用される。ところで、ＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３はウエハＷにレジスト膜形成という同一の処理を行うことができ、塗布、現像装置１において夫々同一の順番でウエハＷが搬送される。このようなモジュールをマルチモジュールと呼ぶ。例えば、後述のＡＤＨ５１１〜ＡＤＨ５１２、ＨＰ５２１〜ＨＰ５２６も夫々マルチモジュールである。
前記搬送路１５をキャリアブロックＳ１側から見て左側には棚ユニットＵ２〜Ｕ５が、当該搬送路１５に沿って設けられている。これら棚ユニットＵ２〜Ｕ５は各々モジュールが２段に積層された構成になっている。棚ユニットＵ２は疎水化処理モジュールＡＤＨ５１１、ＡＤＨ５１２により構成され、これらモジュールはレジスト膜の形成前にウエハＷ表面に処理ガスを供給し、ウエハＷ表面の疎水化処理を行う。棚ユニットＵ３〜Ｕ６は、レジスト塗布後にウエハＷを加熱処理する加熱モジュールＨＰ５２１〜ＨＰ５２６により構成されている。加熱モジュールＨＰ５２１〜ＨＰ５２６は、温度変更自在な熱板を備え、当該熱板に載置されたウエハＷを所望の温度で加熱処理する。
単位ブロックＧ５以外の単位ブロックについて説明すると、単位ブロックＧ６は単位ブロックＧ５と同一の構成である。単位ブロックＧ５の各部と区別するために、単位ブロックＧ６においてレジスト塗布モジュールをＣＯＴ６０１〜ＣＯＴ６０３、疎水化処理モジュールをＡＤＨ６１１〜６１２、加熱モジュールをＨＰ６２１〜ＨＰ６２６、搬送アームをＡ６として夫々説明する。単位ブロックＧ３、Ｂ４は、液処理モジュールとしてレジスト塗布モジュールＣＯＴの代わりに反射防止膜形成モジュールＢＣＴが設けられることを除いて、単位ブロックＧ５、Ｂ６と同じ構成である。図３中、各単位ブロックＧ３、Ｂ４の搬送アームをＡ３、Ａ４として示している。
単位ブロックＧ１、Ｂ２については、液処理モジュールとしてレジスト塗布モジュールＣＯＴの代わりにウエハＷに現像液を供給する現像モジュールＤＥＶが設けられる。また、棚ユニットＵ４〜Ｕ５には露光後、現像前にウエハＷを加熱する加熱モジュールＰＥＢが設けられ、棚ユニットＵ２〜Ｕ３には現像後にウエハＷを加熱する加熱モジュールＰＯＳＴが設けられる。
処理ブロックＳ２においてキャリアブロックＳ１側には、単位ブロックＧ１〜Ｂ６にまたがるように棚ユニットＵ１が設けられる。棚ユニットＵ１は多数のモジュールが積層されて構成され、このモジュールとしては多数枚のウエハＷを載置することができるバッファモジュールＳＢＵ、ウエハＷが載置される受け渡しモジュールＴＲＳ、ＣＰＬである。ＣＰＬは、ウエハＷが載置される載置部と、この載置部に温度調整された冷却水を供給する流路とを備え、載置されたウエハＷの温度調整を行う。また棚ユニットＵ１には前記シャトル２３にウエハＷを受け渡すために当該シャトル２３が進入する受け渡し部２１が設けられている。
棚ユニットＵ１についてさらに説明する。図３に示すように単位ブロックＧ１、Ｇ２の高さにＣＰＬ１１、ＣＰＬ２１が夫々設けられている。単位ブロックＧ３の高さには受け渡しモジュールＣＰＬ３１、ＣＰＬ３２、ＴＲＳ３１、ＴＲＳ３２が設けられ、単位ブロックＧ４の高さには受け渡しモジュールＣＰＬ４１、ＣＰＬ４２、ＴＲＳ４１、ＴＲＳ４２が設けられている。単位ブロックＧ５の高さには受け渡しモジュールＣＰＬ５１、ＣＰＬ５２、ＴＲＳ５１及びバッファモジュールＳＢＵ５１が設けられ、単位ブロックＧ６の高さには受け渡しモジュールＣＰＬ６１、ＣＰＬ６２、ＴＲＳ６１及びバッファモジュールＳＢＵ５１が設けられている。
棚ユニットＵ１の近傍には、これらモジュール間及びモジュールとシャトルとの間でウエハＷを受け渡す昇降自在な第２の受け渡しアーム１６が設けられている。第２の搬送機構である前記第２の受け渡しアーム１６の昇降路に沿って設けられた棚ユニットＵ１において、各単位ブロックに対応する高さに設けられた上記の各受け渡しモジュールは、当該単位ブロックのモジュール群の一つを兼用する。
また、処理ブロックＳ２において、インターフェイスブロックＳ３側には、単位ブロックＧ１、Ｇ２、シャトル移動用ブロック２２にまたがるように棚ユニットＵ６が設けられる。棚ユニットＵ６には前記受け渡し部２４と、受け渡しモジュールＴＲＳ、ＣＰＬとが互いに積層されて構成されている。これら受け渡しモジュールＴＲＳ、ＣＰＬには、単位ブロックＧ１、Ｇ２の搬送アームＦ１、Ｆ２がアクセス可能に構成される。搬送アームＦ１、Ｆ２は単位ブロックＧ５の搬送アームＦ５と同様に構成される。棚ユニットＵ６においては、図３に示すように単位ブロックＧ１の高さに受け渡しモジュールＣＰＬ１２、ＴＲＳ１１が設けられ、単位ブロックＧ２の高さに受け渡しモジュールＣＰＬ２２、ＴＲＳ２１が設けられる。
インターフェイスブロックＳ３にはインターフェイスアーム２５と、露光装置１１に搬入する前に複数枚のウエハＷを待機させる待機用モジュールであるバッファモジュールＢＵＦが設けられる。インターフェイスアーム２５は、露光装置１１と棚ユニットＵ６の各モジュールと、受け渡し部２４に移動したシャトル２３と、前記バッファモジュールＢＵＦとの間でウエハＷを搬送可能に構成されている。露光装置１１はウエハＷを所定のパターンに従って露光し、露光されたウエハＷが前記現像モジュールＤＥＶで現像されて、レジストパターンが形成される。
この塗布、現像装置１には、コンピュータからなる制御部１００が設けられている。制御部１００はプログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部などを備えており、前記プログラムには制御部１００から塗布、現像装置１の各部に制御信号を送り、上記搬送アーム、受け渡しアーム及びインターフェイスアームの動作を制御してウエハＷの搬送を行い、後述の各処理工程を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。また制御部１００は、各単位ブロックにウエハＷのロットが搬入される前に当該ロットに応じたレシピを転送する。このレシピに従って、所定のモジュールでは後述の準備動作が行われ、前記ロットに応じた処理条件でウエハＷが処理される。このプログラム（処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムも含む）は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）、メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部１００にインストールされる。
前記キャリアＣから一のロットのウエハＷが連続して搬送された後、他のロットのウエハＷが搬送される。つまりロット毎にウエハＷが上記の塗布、現像装置１の処理ブロックＳ２へと搬送される。そして、キャリアＣから払い出されたウエハＷは一枚ずつ後述の順番でモジュール間を搬送されて処理を受ける。この通常時、キャリアＣから搬送されたウエハＷは、例えばＢＣＴ層Ｇ３→ＣＯＴ層Ｇ５→ＤＥＶ層Ｇ１を通過する経路１と、ＢＣＴ層Ｇ４→ＣＯＴ層Ｇ６→ＤＥＶ層Ｇ２を通過する経路２とに交互に振り分けられて搬送されるように設定されている。つまり、同一ロットのウエハＷが二重化されている各単位ブロックに振り分けられる。なお、下記の搬送経路についてモジュールがマルチモジュールとして構成される場合は、当該マルチモジュールを構成する一つのモジュールに搬送される。
前記経路１のウエハＷは、キャリアＣ→第１の受け渡しアーム１３により受け渡しモジュールＴＲＳ３１に搬送された後、単位ブロックＧ３の搬送アームＦ３により疎水化処理モジュールＡＤＨ→受け渡しモジュールＣＰＬ３２〜ＣＰＬ３３→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ→加熱モジュール→受け渡しモジュールＴＲＳ３２の順で搬送される。このように搬送されて反射防止膜が形成されたウエハＷは、第２の受け渡しアーム１６により受け渡しモジュールＴＲＳ３２から受け渡しモジュールＴＲＳ５１に搬送され、単位ブロックＧ５の搬送アームＦ５により単位ブロックＧ５内を疎水化処理モジュールＡＤＨ５１１〜５１２→受け渡しモジュールＣＰＬ５１〜ＣＰＬ５２→レジスト塗布モジュールＣＯＴ５０１〜５０３→加熱モジュールＨＰ５２１〜５２６→バッファモジュールＳＢＵ５１の順で搬送される。
上記のように搬送されてレジスト膜が形成されたウエハＷは、第２の受け渡しアーム１６によりバッファモジュールＳＢＵ５１から受け渡し部２１のシャトル２３に移載され、シャトル２３が受け渡し部２４に移動して、インターフェイスアーム２５に受け渡される。そして、前記ウエハＷは一旦バッファモジュールＢＵＦに搬送されて滞留した後、露光装置１１に搬送されて露光される。前記ウエハＷはインターフェイスアーム２５により受け渡しモジュールＴＲＳ１１に搬送され、単位ブロックＧ１の搬送アームＦ１により単位ブロックＧ１内を加熱モジュールＰＥＢ→受け渡しモジュールＣＰＬ１２→現像モジュールＤＥＶ→加熱モジュールＰＯＳＴ→受け渡しモジュールＣＰＬ１１の順で搬送されて、現像処理を受ける。その後ウエハＷは第１の受け渡しアーム１３により、受け渡しモジュールＣＰＬ１１からキャリアＣに戻される。
前記経路２のウエハＷの搬送については、搬送される単位ブロックが異なることを除き、経路１のウエハＷと同様である。簡単に説明すると、キャリアＣから、第１の受け渡しアーム１３により受け渡しモジュールＴＲＳ４１に搬送され、単位ブロックＧ４内のモジュールを第１の経路のウエハＷ同様の順番で搬送され、受け渡しモジュールＴＲＳ４２に払い出される。そして、第２の受け渡しアーム１６により前記受け渡しモジュールＴＲＳ４２から受け渡しモジュールＴＲＳ６１に搬送され、単位ブロックＧ６内を疎水化処理モジュールＡＤＨ６１１〜ＡＤＨ６１２→受け渡しモジュールＣＰＬ６１〜ＣＰＬ６２→レジスト塗布モジュールＣＯＴ６０１〜ＣＯＴ６０３→加熱モジュールＨＰ６２１〜ＨＰ６２６→バッファモジュールＳＢＵ６１の順で搬送される。
そして、前記ウエハＷは、経路１のウエハＷ同様に第２の受け渡しアーム１６、シャトル２３、インターフェイスアーム２５を介して露光装置１１に搬送された後、インターフェイスアーム２５により、受け渡しモジュールＴＲＳ２１に搬送され、単位ブロックＧ２の各モジュールを経路１のウエハＷと同様の順番で搬送され、受け渡しモジュールＣＰＬ２１から第１の受け渡しアーム１３によりキャリアＣに戻される。
上記の搬送において、ウエハＷ毎に搬送先のモジュールは予め設定されている。そして、マルチモジュールを構成する一のモジュールにトラブルが発生して当該一のモジュールへウエハＷの搬送が不可になっても前記マルチモジュールを構成する他のモジュールへの搬送が可能な場合は、その他のモジュールへウエハＷを搬送するように設定が変更される。しかし、一の単位ブロックＧにおいてマルチモジュールを構成するすべてのモジュールにトラブルが発生して搬送が不可になったり、マルチモジュールとして構成されていないモジュールへの搬送が不可になると、前記単位ブロックＧで既述の搬送経路を下流側へウエハＷを搬送することができなくなる。このような状態になったときに臨時の搬送が行われる。
図４〜図７は前記通常時の搬送から臨時の搬送に切り替わる様子を、極めて概略的に説明するための模式図である。図４は通常時の搬送、図５〜図７は臨時の搬送を夫々表している。各図中ウエハＷのロットをＡ、Ｂとし、キャリアＣから払い出された順にＡ、Ｂの後に番号を付している。各図で７Ａ、７Ｂは互いに同様に構成された単位ブロックであり、７１〜７４はモジュールを示している。モジュール７１、７４は、各単位ブロックＧの搬入口、搬出口を夫々構成するモジュールである。図中７５、７６は単位ブロック７Ａ、７Ｂの外部のモジュールであり、これらモジュール７５、７６から単位ブロック７Ａ、７Ｂへの搬送が行われる。通常時においてウエハＷはキャリアＣから連続して払い出されるため、単位ブロックにおける搬送が行えなくなったとき、搬送不可となるモジュール（トラブルモジュール）の上流側にもウエハＷ（待機基板）が搬送されている。
ここでは図４、５に示すようにロットＡを単位ブロック７Ａ、７Ｂに搬入中に、単位ブロック７Ａのモジュール７３への搬送が不可になることで単位ブロック７Ａにおける搬送が不可になり、モジュール内にウエハＡ７より前の番号のウエハＷが取り残されたとする。すると、前記搬送不可になった時点で制御部１００は、この取り残されたウエハＷの次のロットであるロットＢが単位ブロック７Ａのモジュール７１に搬入されているか否かを判定する。図４に示した例では、取り残されたウエハＷと同じロットＡのウエハＡ８が搬入されているため、この判定は否である。
すると、図５に示すようにモジュール７５から単位ブロック７Ａへの搬送が停止し、モジュール７５に搬送された後続のウエハＡ９も、モジュール７６に搬送されたウエハＡ１０と共に単位ブロック７Ｂへ搬送される。モジュール７５、７６からウエハＷの搬送が続けられ、単位ブロック７Ａに取り残されたウエハＷと同じロットＡの最後のウエハＡ２０が当該単位ブロック７Ｂへ搬入される。その後、後続のロットＢが単位ブロック７Ｂ搬入される前に、図６に示すように単位ブロック７Ａにおいて搬送不可になったモジュール７３の上流側にあるウエハＡ５、Ａ７が単位ブロック７Ｂのモジュール７１に搬送される。ウエハＡ５、Ａ７は単位ブロック７Ａを下流側へ搬送されて通常時と同様に処理を受ける。
制御部１００が、前記取り残されたウエハＷの次のロットであるロットＢが単位ブロック７Ａのモジュール７１に搬入されているか否かを判定したときに、搬入されていると判定されたときの動作を説明する。ロットＢは、上記ロットＡを搬送する場合と同様にモジュール７５、７６から単位ブロック７Ａには搬送されずに、単位ブロック７Ｂへのみ搬送される。そして、ロットＢの最後のウエハ（例えばウエハＢ２０）が単位ブロック７Ｂに搬入された後に図７に示すようにウエハＡ５、Ａ７が単位ブロック７Ｂのモジュール７１に搬送される。モジュール７１、７２のウエハＷから見れば、すでに搬入されていた単位ブロック７Ａから他の単位ブロック７Ｂの搬入口へ戻されて、改めて当該単位ブロック７Ｂを搬送されることから、以降このような別の単位ブロックへの搬送を巻き戻し搬送と記載する。
以下、塗布、現像装置１において、レジスト塗布モジュールＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３への搬送が不可になり、単位ブロックＧ５の下流側へウエハＷを搬送できなくなった場合を例に挙げて、前記巻き戻し搬送をより具体的に説明する。図８は、そのように搬送不可になったときの第５の単位ブロックＧ５及び第６の単位ブロックＧ６を平面に展開した概略構成を示している。既述の概略説明のモジュール７４はバッファモジュールＳＢＵ５１、ＳＢＵ６１に相当し、モジュール７１は受け渡しモジュールＴＲＳ５１、ＴＲＳ６１に相当し、モジュール７３はＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３、ＣＯＴ６０１〜ＣＯＴ６０３に相当する。モジュール７５、７６は受け渡しモジュールＴＲＳ５１、ＴＲＳ６１に夫々相当する。
単位ブロックＧ５において、レジスト塗布モジュールＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３の上流側のウエハＷについては、巻き戻し搬送を行うことができる。つまり、疎水化処理モジュールＡＤＨ５１１、５１２、受け渡しモジュールＴＲＳ５１、ＣＰＬ５１、ＣＰＬ５２に搬入されているウエハＷが巻き戻し搬送されることになる。また、この他に搬送アームＦ５がレジスト塗布モジュールＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３に搬入前のウエハＷを保持している場合には、当該ウエハＷについても巻き戻し搬送を行うことができる。以下、このように巻き戻し搬送が可能なウエハＷを巻き戻しウエハと記載し、以降の各図中に多数のドットを付した丸印により示す。巻き戻しウエハは、搬送の概略で説明したように巻き戻し搬送が開始されるタイミングになるまで、単位ブロックＧ５の下流側への搬送が不可になったときに搬入されていたモジュールで待機する。
図８中、レジスト塗布モジュールＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３のウエハＷ（置き去りウエハとする）には斜線を付している。この斜線を付したウエハＷは、これらレジスト塗布モジュールＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３に滞留されるか、あるいは、後段のモジュールには搬送されずに通常時と同様に層間を搬送されてキャリアＣに戻される。なお、巻き戻しウエハＷについては、装置のユーザがウエハごとに巻き戻し搬送を行うか否かを選択できるものとする。これはモジュールによっては長時間ウエハが滞在すると、当該ウエハＷがリワークウエハとなる場合があるためである。
前記巻き戻しウエハＷ及び置き去りウエハＷ以外の単位ブロックＧ５、Ｇ６の各モジュールに搬送されているウエハＷ（各図中に斜線やドットを付さない丸印として示している）は、通常時と同様に搬送される。例えば単位ブロックＧ５において、搬送不可となったレジスト塗布モジュール５０１〜５０３の下流側に位置するウエハＷ、つまり加熱モジュールＨＰ５２１〜ＨＰ５２６に位置するウエハＷは、通常時と同様にバッファモジュールＳＢＵ５１へ搬送されて、単位ブロックＧ５から搬出される。
このように単位ブロックＧ５の下流側への搬送が不可になると、概略図で説明したように、第２の受け渡しアーム１６が受け渡しモジュールＴＲＳ３２に搬送されたウエハＷを、受け渡しモジュールＴＲＳ５１に代わり受け渡しモジュールＴＲＳ６１に搬送する。それ以降このウエハＷは単位ブロックＧ６内を通常時と同様に搬送されて、バッファモジュールＳＢＵ６１を介して単位ブロックＧ６から搬出される。また、受け渡しモジュールＴＲＳ４２に搬送されたウエハＷは、通常時と同様に単位ブロックＧ６に搬送されて処理を受ける。つまり、単位ブロックＧ５を避けるように搬送が行われる。
このようにレジスト塗布モジュールＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３への搬送が不可になると、単位ブロックＧ６では各工程のマルチモジュールのうちの一つのモジュールが、巻き戻し搬送されるウエハＷを処理するためのモジュール（巻き戻し搬送用モジュールとする）として設定される。このように設定されたモジュール以外のモジュールに受け渡しモジュールＴＲＳ３２、ＴＲＳ４２を経由したウエハＷが搬送される。それによって、巻き戻しウエハＷの搬送経路が確保される。図９は、例えばＡＤＨ６１２、ＣＰＬ６２、ＣＯＴ６０３及びＨＰ６２６がそのように巻き戻し搬送用モジュールに設定された例を示している。概略図で説明したように、単位ブロックＧ６に搬入中のロットの切れ目まで受け渡しモジュールＴＲＳ３２、ＴＲＳ４２から単位ブロックＧ６へウエハＷの搬入が続けられるが、例えばマルチモジュールのうち前記ロットを早く処理し終えたモジュールが、このように巻き戻し搬送用のモジュールとして設定される。
ところで、後述のように巻き戻しウエハのロットと、受け渡しモジュールＴＲＳ３２、ＴＲＳ４２から単位ブロックＧ６へ搬入中のロットとが異なる場合には、前記巻き戻し搬送用モジュールとして設定された加熱モジュールＨＰ６２６及びレジスト塗布モジュールＣＯＴ６０３では、巻き戻しウエハＷを処理するための準備動作が行われる。レジスト塗布モジュールＣＯＴ６０３の準備動作としては、カップの洗浄処理と、ノズルから古いレジストを除去するための吐出処理、いわゆるダミーディスペンスとがある。また、加熱モジュールＨＰ６０２の準備動作としては、熱板の温度調整（整定）がある。これらの準備動作は、他のレジスト塗布モジュールＣＯＴ、加熱モジュールが通常のウエハＷを処理する間に行われる。
巻き戻し搬送の開始のタイミングとしては概略図で説明したように、単位ブロックへ搬入中のロットの最後のウエハＷが当該単位ブロックへ搬入された後である。従って図１０において、ウエハＡ２０がロットＡの最後のウエハＷでこのウエハＷが受け渡しモジュールＴＲＳ６１に搬送されて、単位ブロックＧ６に取り込まれたとするとき（図中ステップＴ１）、前記ウエハＡ２０に続いて第２の受け渡しアーム１６により、巻き戻しウエハＷがバッファモジュールＳＢＵ５１を経由してＴＲＳ６１に搬送される（図中ステップＴ２）。
このように巻き戻し搬送を制御する理由について説明する。上記のようにＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３が搬入不可になるタイミングによって単位ブロックＧ６に搬入中のウエハＷのロットと、巻き戻しウエハＷのロットとが異なる場合がある。前記巻き戻しウエハＷのロットをＡ、搬入中のウエハＷのロットをＢとすると、単位ブロックＧ６の巻き戻し搬送用モジュールにおいては、上記のようにロットＢのウエハＷを処理する状態からロットＡを処理する状態になるように前記準備動作を行う必要がある。そこで、単位ブロックＧ６に搬入中のロットＢについては、最後のウエハＷまで搬入を行って処理し、その後でロットＡのウエハＷを巻き戻して単位ブロックに搬入する。このとき単位ブロックＧ６の巻き戻し搬送用モジュールから見れば、ロットＢ、ロットＡがまとまって搬入されるので、ウエハＷが搬送されるたびに準備動作を行う必要が無い。そして、巻き戻し搬送が終われば、後続のロット（ロットＣとする）のウエハＷがまとまって搬送されることになるので、このロットＣに対する準備動作を行った後は当該ロットＣのウエハＷを連続して処理できるので、準備動作を行う回数が抑えられることになる。それによってスループットの低下を防いでいる。
続いて、巻き戻しウエハＷが経由するモジュールについて説明する。この経由するモジュールは、搬送不可の単位ブロックにおいて受け渡しモジュールＣＰＬによる処理前の巻き戻しウエハＷを搬送する場合（ケース１−１とする）と、受け渡しモジュールＣＰＬで処理済みの巻き戻しウエハＷを搬送する場合（ケース１−２とする）とで互いに異なる。
ケース１−１において巻き戻しウエハＷは、搬送不可になった単位ブロックから搬送可能な単位ブロックの搬入モジュールへ搬送された後、搬送不可になった単位ブロックで最後に搬送されたモジュールの次のステップのモジュールへと搬送される。ケース１−２では巻き戻しウエハＷは、搬送不可になった単位ブロックから搬送可能な単位ブロックの搬入モジュールへ搬送された後、受け渡しモジュールＣＰＬへ搬送される。このＣＰＬで温度調整された後、搬送不可になった単位ブロックで最後に搬送されたモジュールの次のステップのモジュールへと搬送される。つまり、いずれのケースも必ず受け渡しモジュールＣＰＬに搬送されて温度調整される。
図１１を参照しながら疎水化処理モジュールＡＤＨ５１１に搬入されているウエハ（図中Ｄ１として示している）を巻き戻し搬送する場合について、具体的に説明する。ＡＤＨ５１１は受け渡しモジュールＣＰＬ５１、ＣＰＬ５２よりも上流側のモジュールであるため、この場合は前記ケース１−１に相当する。先ず搬送アームＦ５により、ウエハＤ１はバッファモジュールＳＢＵ５１に搬送され（図中ステップＲ１）、然る後第２の受け渡しアーム１６により、単位ブロックＧ６の受け渡しモジュールＴＲＳ６１に搬送される（図中ステップＲ２）。ウエハＤ１は、モジュールＡＤＨによる疎水化処理までの各処理を既に受けており、モジュールＡＤＨの次の処理はＣＰＬによる温度調整である。従って、搬送アームＦ６はウエハＤ１を受け渡しモジュールＴＲＳ６１から、受け渡しモジュールＣＰＬ６１、ＣＰＬ６２のうちで巻き戻し搬送用モジュールとして設定されたＣＰＬ６２に受け渡す（図中ステップＲ３）。その後、ウエハＤ１は通常の搬送と同様にレジスト塗布モジュールＣＯＴ６０３→加熱モジュールＨＰ６２６→バッファモジュールＳＢＵ６１の順で搬送されて処理を受ける。
続いて図１２を参照しながら受け渡しモジュールＣＰＬ５２に搬入されているウエハ（図中Ｄ２として示している）を巻き戻し搬送する場合について具体的に説明する。この場合は前記ケース１−２に相当する。先ず、第２の受け渡しアーム１６により、ウエハＤ２はバッファモジュールＳＢＵ５１に一旦搬送され（図中ステップＶ１）、バッファモジュールＳＢＵ５１から単位ブロックＧ６の受け渡しモジュールＴＲＳ６１に搬送される（図中ステップＶ２）。ここで、ウエハＤ２は受け渡しモジュールＣＰＬ５２で既に温度調整処理を受けているが、搬送アームＦ６はウエハＤ２を受け渡しモジュールＣＰＬ６２に受け渡す（図中ステップＶ３）。これ以降、ウエハＤ２は通常の搬送と同様にレジスト塗布モジュールＣＯＴ６０３に受け渡され（図中ステップＶ４）、以降は加熱モジュールＨＰ６２６→バッファモジュールＳＢＵ６１の順で搬送されて処理を受ける。
このように第５の単位ブロックＧ５のＣＰＬで温度調整されたウエハＤ２を第６の単位ブロックのＣＰＬで再度温度調整する理由を説明する。仮に第６の単位ブロックＧ６で温度調整しないまま、ウエハＤ２がレジスト塗布モジュールＣＯＴ、加熱モジュールＨＰに夫々搬入されるとすると、他のウエハＷとの間で温度調整を行ってからレジスト塗布モジュールＣＯＴ、加熱モジュールＨＰに夫々搬入されるまでの時間が異なってしまい、それによってこれらのモジュールに搬入時の温度が他のウエハＷとの間で異なってしまう。その結果として他のウエハの処理状態とウエハＤ２の処理状態とが異なってしまうおそれがある。そこで、単位ブロックＧ６搬入後に再度温度調整を行うことで、そのような処理のばらつきが発生することを防いでいる。また、ＣＯＴが上記の準備動作を行っている場合でも、このように巻き戻しウエハＷをＣＰＬに搬入しておくことで、搬送アームＦ６が当該ウエハＷを保持したまま待機する必要が無くなる。そのため、搬送アームＦ６は他のウエハＷの搬送を行うことができるので効率的に搬送が行えるという利点もある。
ところで、ＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３が搬送不可の状態になった例について説明したが、ＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３の代わりにＨＰ５２１〜ＨＰ５２６が搬送不可になり、ＣＯＴ５０１のウエハＷを巻き戻す場合について説明する。この場合もケース１−２に該当するので、巻き戻しウエハＷは受け渡しモジュールＴＲＳ６１→ＣＰＬ６２の順で搬送されて、温度調整される。然る後、ＣＯＴ５０１の後段の処理は加熱モジュールＨＰによる処理なので、前記巻き戻しウエハＷはＣＰＬ６２からＨＰ６２６に搬送されて処理を受ける。
続いて、巻き戻しウエハＷが搬送される順番について場合を分けて説明する。先ず、単位ブロックが搬送停止になったときに、単位ブロック内の巻き戻しウエハＷが一つのロットだけからなり、当該単位ブロックの搬送アームが前記ロットのウエハＷを保持している場合（ケース２−１とする）を説明する。このケース２−１では搬送アームのロットＡのウエハＷから優先して巻き戻し搬送され、その後はキャリアＣから払い出された順に巻き戻される。このキャリアＣから払い出された順とは各ウエハＷに割り振られた番号順である。
また、単位ブロックが搬送停止になったときに、単位ブロック内の巻き戻しウエハＷが複数のロットにより構成されており、当該単位ブロックの搬送アームが後続のロットのウエハＷを保持している場合（ケース２−２とする）を説明する。巻き戻し搬送を行う前に搬送アームは、前記先発のロットが搬入されたモジュールにアクセスし、当該モジュールとの間でウエハＷの交換を行い、後続のロットの代わりに先発のロットを保持する。そして、保持した先発のロットが優先して巻き戻され、以降はケース２−１と同様にキャリアＣから払い出された順に巻き戻される。 単位ブロックが搬送停止になったときに、当該単位ブロックの搬送アームがウエハＷを保持していない場合（ケース２−３）は、キャリアＣから払い出された順にウエハＷが巻き戻される。
具体的に例を挙げて説明する。例えば図１３は、これまで説明してきたようにレジスト塗布モジュールＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３への搬送が不可になったときの状態を示している。搬送アームＦ５はレジスト塗布モジュールＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３で未処理のウエハＷを保持し、単位ブロックＧ５内の巻き戻しウエハＷは同一ロットであるものとする。つまり上記ケース２−１に該当する。受け渡しモジュールＣＰＬ及び疎水化処理モジュールＡＤＨにおいては、これらのモジュールのうち番号の若い方から先にウエハＷが搬入されたものとする。先ず、搬送アームＦ５が保持しているウエハＷが最初にバッファモジュールＳＢＵ５１に搬送されて、単位ブロックＧ６に搬入される。以降は受け渡しモジュールＣＰＬ５１、ＣＰＬ５２、疎水化処理モジュールＡＤＨ５１１、ＡＤＨ５１２、受け渡しモジュールＴＲＳ５１の各ウエハＷが、この順番でバッファモジュールＳＢＵ５１に搬送されて、単位ブロックＧ６に搬入される。図中のウエハＷには巻き戻し搬送が行われる順番に従ってＷ１〜Ｗ６の番号を付して示している。
このように搬送アームが保持しているウエハＷを優先的に巻き戻すのは、搬送アームがウエハＷを保持していると、モジュールからバッファモジュールＳＢＵ５１へ巻き戻しウエハＷを搬出できないためである。そして、ケース２−２で搬送アームが保持するロットを入れ替えること及び各ケースでキャリアＣから払い出し順に巻き戻すことについては、既述したように巻き戻し先の単位ブロックでは、同じロットのウエハＷを連続して処理することがモジュールの準備動作を行う回数を減らすために有効であり、そのように同じロットのウエハＷを続けて前記単位ブロックに搬送するためである。
巻き戻し搬送の順序と、巻き戻し先の搬送経路とについて、巻き戻しウエハが複数のロットからなる場合を例に挙げて、さらに具体的に説明しておく。図１４はこれまで挙げた例と同様に、レジスト塗布モジュールＣＯＴ５０１〜ＣＯＴ５０３への搬送が不可になった後に、ウエハＷの単位ブロックＧ６へのウエハＷの搬送が続けられた搬送状態を示している。搬送アームＦ５はウエハＷを保持していないものとする。つまり、上記２−３のケースである。図中のウエハＷは、ロットＡ，Ｂ、Ｃ毎に早くキャリアから払い出されたものから順に番号を付して示しており、ウエハＡ４、ウエハＢ１〜Ｂ４が巻き戻しウエハである。ロットＢの最終ウエハＷ（ウエハＢ１３としている）が受け渡しモジュールＴＲＳ６２に搬入された後、後続のロットＣの先頭のウエハＣ１が単位ブロックＧ６に搬入される前に巻き戻し搬送が開始される。
巻き戻しウエハの中で最も早く払い出されたものはウエハＡ４であるため、図１５に示すようにウエハＡ４は、滞留されていた受け渡しモジュールＣＰＬ５１からバッファモジュールＳＢＵ５１を介して受け渡しモジュールＴＲＳ６１に搬入される。前記ウエハＡ４は既述のケース１−２で説明したルールに従って、受け渡しモジュールＣＰＬ６１に搬送される。受け渡しモジュールＴＲＳ６１が空くと、単位ブロックＧ５に残った巻き戻しウエハの中で次に早く払い出されたものはウエハＢ１であるため、図１６に示すようにウエハＢ１が、滞留されていた受け渡しモジュールＣＰＬ５２からバッファモジュールＳＢＵ５１を介して受け渡しモジュールＴＲＳ６１に搬入される。
受け渡しモジュールＣＰＬ６１にて冷却されたウエハＡ４は、ロットＡを処理できるように準備動作が行われたレジスト塗布モジュールＣＯＴ６０１、加熱モジュールＨＰ６２１に搬入されて処理を受ける。その一方で、ウエハＢ１は受け渡しモジュールＣＰＬ６１に搬入されて温度調整される（図１７）。そして、ウエハＡ４を処理して払い出したレジスト塗布モジュールＣＯＴ６０１、加熱モジュールＨＰ６２１では、ロットＢを処理するための準備動作が行われる。準備動作が終わるとウエハＢ１がこれらレジスト塗布モジュールＣＯＴ６０１、加熱モジュールＨＰ６２１に搬送されて処理される。
そしてウエハＢ１が搬出されて空いた受け渡しモジュールＴＲＳ６１には、上記のルールに従ってウエハＢ２、Ｂ３、Ｂ４がこの順番に搬入される。ＡＤＨ５１１、ＡＤＨ５１２で夫々待機していたウエハＢ２、Ｂ３は、ウエハＢ１と同様にＣＰＬ６１に搬送後、ＣＯＴ６０１、加熱モジュールＨＰ６２１へ順に搬送される。ＴＲＳ５１で待機していたウエハＢ４は、ＡＤＨ６１１へ搬送されて処理後にＣＰＬ６１、ＣＯＴ６０１、ＨＰ６２１へ順に搬送される。
最後の巻き戻しウエハであるウエハＢ４が受け渡しモジュールＴＲＳ６１から払い出されると、当該ＴＲＳ６１へウエハＣ１の搬入が開始され、以降はロットＣの後続のウエハＷが受け渡しモジュールＴＲＳ６１に搬入される（図１８）。通常のロットＢのウエハＷを処理し終えたＨＰ６２２〜ＨＰ６２６及びＣＯＴ６０２、６０３は、ロットＢの処理を終えると、このロットＣを処理するために準備動作が行われる。ＣＯＴ６０１、ＨＰ６２１については前記巻き戻しウエハＢ４を処理後に準備動作が行われる。ただしＣＯＴの準備動作であるダミーディスペンスについては、ＣＯＴ６０１〜ＣＯＴ６０３でノズルが共有化されているため、ＣＯＴ６０１〜ＣＯＴ６０３のすべてにおいてロットＢの処理を終えた後に行われる。そして、このように準備動作を行った各モジュールにロットＣのウエハＷが搬入されて処理が行われる。
ところで、搬送制御が複雑化することを防ぐためにウエハＷはキャリアＣから払い出された順に露光装置１１に搬入される。しかし巻き戻し搬送が行われると、後から払い出されたウエハＷが、先に払い出されたウエハＷよりも後段のモジュールに搬送されることになる。このように単位ブロックＧ５、Ｇ６で巻き戻し搬送が行われるときの露光装置１１への搬送状況を、図１９、図２０の模式図を用いて説明する。これらの図では既述の図と同様に先発ロットＡ、後発ロットＢを示しており、各ロットは若い番号から順にキャリアＣから搬出されたものとする。また、巻き戻しウエハはＡ１とする。
この巻き戻しウエハＡ１よりも遅くキャリアから払い出されたロットＡのウエハ（図中Ａ２としている）及びロットＢの各ウエハ（図中Ｂ１、Ｂ２）は、露光装置１１に搬入される前にインターフェイスブロックＳ３のバッファモジュールＢＵＦにて待機される（図１９）。そして、前記巻き戻しウエハＡ１が巻き戻し搬送されて、前記バッファモジュールＢＵＦに搬送され、当該バッファモジュールＢＵＦから露光装置１１に払い出された後、待機されていたウエハはキャリアＣから払い出されたＡ２、Ｂ１、Ｂ２の順に露光装置１１に搬送される（図１９）。つまりバッファモジュールＢＵＦにより、ウエハＷはキャリアＣから払い出された順に露光装置１１に払い出されるように調整される。
このようにバッファモジュールＢＵＦで露光装置１１への搬入順序を調整するため、巻き戻しウエハを追い越して後段側のモジュールに搬送されたウエハＷの枚数はバッファモジュールＢＵＦ及びバッファモジュールＢＵＦに至るまでの各モジュールに載置されることになる。従って、前記バッファモジュールＢＵＦのウエハＷの収容枚数＋前記各モジュールの数−１以下の枚数のウエハＷが巻き戻しウエハＷを追い越して搬送を行えることになる。−１は、巻き戻しウエハＷが搬送される分である。従って、バッファモジュールＢＵＦの収容枚数は、巻き戻し搬送を行えるように適宜調整される。
ところで、巻き戻し搬送は、基板に同様の処理を行うことができる単位ブロックが複数設けられていれば行うことができる。従って、単位ブロックＧ３、Ｇ４でも行うことができるし、露光装置１１の後段側の現像用の単位ブロックＧ１、Ｇ２で行うこともできる。単位ブロックＧ１、Ｇ２のウエハＷは既に露光装置１１で処理済みであるため、そのように単位ブロックＧ１、Ｇ２で巻き戻し搬送を行う場合は、上記のバッファモジュールＢＵＦによりウエハＷの待機を行わなくてよい。
続いて、単位ブロックＧ１、Ｇ２で行われる巻き戻し搬送の一例について図２１を参照しながら説明する。説明の便宜上、単位ブロックＧ１において、現像モジュールＤＥＶをＤＥＶ１２１〜ＤＥＶ１２３とする。単位ブロックＧ１、Ｇ２への搬入モジュールは受け渡しモジュールＴＲＳ１１、ＴＲＳ２１である。この単位ブロックＧ１、Ｇ２での巻き戻し搬送は、インターフェイスアーム２５の搬送制御が複雑になることを防ぐために、ウエハＷはインターフェイスブロックＳ３から単位ブロックＧ１、Ｇ２へは搬送されないように行われる。ここでは単位ブロックＧ１のＤＥＶ１２１〜ＤＥＶ１２３への搬送が不可になり、その前段のモジュールであるＰＥＢのウエハＷを巻き戻しウエハＷとして搬送する場合について説明する。
ＤＥＶ１２１〜ＤＥＶ１２３がすべて搬送不可になったときに単位ブロックＧ２へ搬入中のロットの最後のウエハＷが受け渡しモジュールＴＲＳ２１に搬入されると、搬送アームＦ１により、前記加熱モジュールＰＥＢの巻き戻しウエハＷは受け渡しモジュールＣＰＬ１１に搬送され、第２の受け渡しアーム１６によりシャトル２３に受け渡される。シャトル２３からインターフェイスアーム２５がウエハＷを受け取り、前記受け渡しモジュールＴＲＳ２１に搬送する。その後、巻き戻しウエハＷは、搬送アームＦ２により加熱モジュールＰＥＢの後段の受け渡しモジュールＣＰＬ２２に搬送され、以降は通常時と同様に現像モジュールＤＥＶ→加熱モジュールＰＯＳＴ→受け渡しモジュールＣＰＬ２１→第１の受け渡しアーム１３→キャリアＣの順に搬送される。
このようにシャトル２３によりインターフェイスブロックＳ３へ巻き戻しウエハＷを搬送してもよいし、他の単位ブロックＧ３〜ＧＢ６の搬送アームにより前記棚ユニットＵ１から棚ユニットＵ６へウエハＷを搬送してもよい。具体的に説明すると、例えば棚ユニットＵ６において第３の単位ブロックＧ３に対応する高さに受け渡しモジュールＴＲＳ（ＴＲＳ３３とする）を設けておく。そして、上記のように単位ブロックＧ１の巻き戻しウエハＷについて巻き戻し搬送を行う場合には、単位ブロックＧ１の搬出モジュールである受け渡しモジュールＣＰＬ１１から、適切なタイミングで第３の単位ブロックＧ３の搬入モジュールである受け渡しモジュールＴＲＳ３１に当該ウエハＷを搬送する。そして、搬送アームＦ３により前記ウエハＷを前記受け渡しモジュールＴＲＳ３３へ搬送し、インターフェイスアーム２５が前記ウエハＷを受け渡しモジュールＴＲＳ２１に搬送して、単位ブロックＧ１に巻き戻しウエハＷが取り込まれる。
また、前記巻き戻しウエハＷは単位ブロックＧ１から一旦キャリアＣに戻して、その後前記単位ブロックＧ３、インターフェイスブロックＳ３を介して単位ブロックＧ２へ搬送してもよい。このように巻き戻し搬送を行う単位ブロックＧ以外のブロックの基板搬送機構を用いることで、シャトル２３が使用不可であったり、シャトル２３が設けられていない装置においても巻き戻し搬送を行うことができる。
このように各巻き戻し搬送を行うためには他に、単位ブロックにおいて液処理モジュールや加熱モジュールの上流側に受け渡しモジュールＣＰＬが設けられるように構成される。その理由は、上記のようにウエハＷの処理の不均一化を防いだり、搬送アームがウエハＷを保持した状態で待機することを防ぐためである。また、搬送不可となった単位ブロックからウエハＷを搬出するための搬出モジュールにウエハＷを搬送可能な状態であることが必要になる。
上記の塗布、現像装置１によれば二重化された単位ブロックＧのうちの一方が搬送不可になっても、そのように搬送不可になった単位ブロックＧに搬入されたウエハＷを他方の搬送可能な単位ブロックへ搬送して処理を行うことができる。従って搬送不可になった単位ブロックから回収して再度、塗布、現像処理を行えるように処理を行うウエハＷ（リワークウエハ）の枚数を減らすことができるため、生産コストや手間の低減を図ることができる。また、前記搬送不可になった単位ブロックからウエハＷを回収するための時間を抑えることができる。従って、装置１の生産効率の向上を図ることができる。そして、このように巻き戻し搬送を行うにあたり、搬送可能な単位ブロックに搬入中のロットの最後のウエハＷに続いて、巻き戻しウエハＷを当該単位ブロックに搬入しているため、モジュールの準備動作を行う回数を抑えることができ、スループットの低下を低減することができる。
上記の例では一つの単位ブロックで同じ処理を行うマルチモジュールがすべて停止した場合について説明しているが、モジュールはそのようにマルチモジュールとして構成されていなくてもよい。単位ブロックＧで一つしか設けられていないモジュールへの搬送が不可になり、前記単位ブロックＧでの搬送が不可になった場合には、同様に巻き戻し搬送を行うことができる。また、巻き戻しウエハＷとなるウエハＷの数は比較的少ないため、上記の例ではマルチモジュールのうち巻き戻しウエハの処理モジュールは１個に設定しているが、複数個に設定してもよい。また、上記の例では単位ブロックＢ５、Ｂ６で巻き戻し搬送を行うにあたり、巻き戻しウエハＷを一旦、単位ブロックＢ５の搬出モジュールであるＳＢＵ５１に搬送してから単位ブロックＧ６の搬入モジュールであるＴＲＳ６１に搬送しているが、第２の受け渡しアーム１６がアクセスできるモジュールで待機している巻き戻しウエハＷは、直接前記ＴＲＳ６１に搬送してもよい。
本発明は、ウエハＷを処理する基板処理装置に限られずＬＣＤ基板等を処理する処理装置にも適用される。また、ウエハＷに塗布及び現像を行う基板処理装置に適用することに限られず、例えば塗布または現像の一方のみを行う塗布装置及び現像装置に適用することもできる。このように基板処理装置を塗布、現像装置、塗布装置、現像装置として構成したいずれの場合にも、上記のようにシャトルを設けずに巻き戻し搬送を行うことができる。また、上記の例では同様に構成された単位ブロックを２つ設けて一方が搬送不可になったときに他方で搬送しているがこれに限られない。つまり、単位ブロックを３つ以上設けて、一つの単位ブロックが搬送不可になったときに２つ以上の単位ブロックに巻き戻しウエハＷを振り分けて搬送してもよい。単位ブロックの構成としても上記の構成に限られない。例えば、上記の塗布、現像装置１にレジストの塗布後、露光前にレジスト膜の上層に保護膜を形成するための複数の単位ブロックを設け、これらの単位ブロックで巻き戻し搬送を行ってもよい。
Ａ１〜Ａ６ 搬送アーム
Ｂ１〜Ｂ６ 単位ブロック
Ｃ キャリア
ＣＯＴ レジスト塗布モジュール
ＣＰＬ、ＴＲＳ 受け渡しモジュール
ＨＰ 加熱モジュール
ＳＢＵ バッファモジュール
Ｗ ウエハ
１ 塗布、現像装置
１６ 第２の受け渡しアーム
２３ シャトル
１００ 制御部

Claims (13)

  1. 基板のロットごとに処理ブロックに搬入されること、
    処理ブロックは、互いに同一の一連の処理を行うための複数の単位ブロックを備えていること、
    各単位ブロックは、基板に対して一連の処理を行うモジュール群と、これらモジュール群を構成する上流側のモジュールから下流側のモジュールに基板を順番に搬送するための第１の搬送機構と、を備えていること、
    処理ブロックに搬入された基板は、第２の搬送機構により前記複数の単位ブロックの各々の上流端のモジュールに順番に振り分けられ、振り分けられた単位ブロックにて一連の処理が行われること、
    装置を制御する制御部を設けたこと、を備えた基板処理装置において、
    前記制御部は、
    一の単位ブロックのモジュールにトラブルが発生したときに、当該一の単位ブロックへの基板の搬入を中止し、他の単位ブロックに搬入するように第２の搬送機構が動作するステップと、
    前記一の単位ブロックのトラブルモジュールよりも上流側のモジュールに置かれている基板を待機基板と呼ぶとすると、当該待機基板に属するロットの次のロットの先頭基板が他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入される前であるか否かを判断するステップと、
    このステップにより、前記搬入される前であると判断されたときには前記待機基板を他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入するように、また前記搬入された後であると判断されたときには、前記次のロットの最後尾の基板が他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入された後に前記待機基板を他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入するように、第１の搬送機構及び第２の搬送機構を制御するステップと、
    前記他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入された前記待機基板を当該他の単位ブロックにて前記一連の処理を行うように当該他の単位ブロックの第１の搬送機構を制御するステップと、
    を実行するよう制御信号を出力するものであることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記モジュール群の中には、基板の温度調整をするための温度調整モジュールが含まれ、
    前記待機基板は、前記一の単位ブロックにて前記温度調整モジュールにて温度調整したか否かにかかわらず、前記他の単位ブロックにて温度調整モジュールに搬入されることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記待機基板が複数枚あり、複数のロットからなる場合には、一の単位ブロックに先に搬入されたロットの待機基板から他の単位ブロックに搬入することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
  4. 前記モジュール群において、搬送の順番が同じであり、基板に対して同一の処理を行うマルチモジュールが設けられ、
    他の単位ブロックの前記マルチモジュールのうち少なくとも一つは前記待機基板の搬入用に設定され、他のモジュールは一の単位ブロックを経由せずに受け渡される基板の搬入用に設定されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  5. 各単位ブロックは、露光装置に接続され、
    単位ブロックの処理モジュール群あるいは単位ブロックの上流側でレジストが塗布された基板を、予め設定した順番で前記露光装置に搬送するために、各単位ブロックの後段側には、複数枚の基板を待機させる待機用モジュールが設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 基板を格納するキャリアが搬入されるキャリアブロックと、露光装置との間で基板を受け渡すためのインターフェイスブロックと、が各単位ブロックを挟むように設けられ、
    各単位ブロックは露光された基板を現像してキャリアブロックに受け渡すための現像モジュールを含み、
    前記第２の搬送手段は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ、レジスト膜が形成された基板を直通搬送する直通搬送機構を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  7. 請求項１の基板処理装置を用いた基板処理方法において、
    一の単位ブロックのモジュールにトラブルが発生したときに、当該一の単位ブロックへの基板の搬入を中止し、他の単位ブロックに搬入するように第２の搬送機構が動作する工程と、
    前記一の単位ブロックのトラブルモジュールよりも上流側のモジュールに置かれている基板を待機基板と呼ぶとすると、当該待機基板に属するロットの次のロットの先頭基板が他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入される前であるか否かを判断する工程と、
    このステップにより、前記搬入される前であると判断されたときには前記待機基板を他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入するように、また前記搬入された後であると判断されたときには、前記次のロットの最後尾の基板が他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入された後に前記待機基板を他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入するように、第１の搬送機構及び第２の搬送機構を制御する工程と、
    前記他の単位ブロックの上流端のモジュールに搬入された前記待機基板を当該他の単位ブロックにて前記一連の処理を行うように当該他の単位ブロックの第１の搬送機構を制御する工程と、
    を実行することを特徴とする基板処理方法。
  8. 前記モジュール群の中には、基板の温度調整をするための温度調整モジュールが含まれ、
    前記待機基板は、前記一の単位ブロックにて前記温度調整モジュールにて温度調整したか否かにかかわらず、前記他の単位ブロックにて温度調整モジュールに搬入される工程を含むことを特徴とする請求項７記載の基板処理方法。
  9. 前記待機基板が複数枚あり、複数のロットからなる場合には、一の単位ブロックに先に搬入されたロットの待機基板から他の単位ブロックに搬入することを特徴とする請求項７または８記載の基板処理装置。
  10. 前記モジュール群において、搬送の順番が同じであり、基板に対して同一の処理を行うマルチモジュールが設けられ、
    前記待機基板を、他の単位ブロックの前記マルチモジュールのうち当該待機基板の搬入用に設定されたモジュールに搬送する工程と、
    一の単位ブロックを経由せずに他の単位ブロックに受け渡される基板を、前記待機基板の搬入用に設定されるモジュール以外のモジュールに搬送する工程と、
    を含むことを特徴とする請求項７ないし９のいずれか一つに記載の基板処理方法。
  11. 各単位ブロックは、露光装置に接続され、
    各単位ブロックの後段側には、複数枚の基板を待機させる待機用モジュールが設けられ、
    各単位ブロックの処理モジュール群あるいは各単位ブロックの上流側でレジストが塗布された基板を前記待機用モジュールで待機させる工程と、
    前記待機基板と、前記待機用モジュールで待機する基板とを予め設定した順番で前記露光装置に搬送する工程と、
    を備えることを特徴とする請求項７ないし１０のいずれか一つに記載の基板処理方法。
  12. 基板を格納するキャリアが搬入されるキャリアブロックと、露光装置との間で基板を受け渡すためのインターフェイスブロックと、が各単位ブロックを挟むように設けられ、
    各単位ブロックは露光された基板を現像してキャリアブロックに受け渡すための現像モジュールを含み、
    前記第２の搬送手段は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ、レジスト膜が形成された基板を直通搬送する直通搬送機構を含み、前記直通搬送を行う工程を含むことを特徴とする請求項７ないし１１のいずれか一つに記載の基板処理方法。
  13. 基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項７ないし１２のいずれか一つに記載の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
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