TWI384579B - Substrate processing device - Google Patents

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TWI384579B
TWI384579B TW099103527A TW99103527A TWI384579B TW I384579 B TWI384579 B TW I384579B TW 099103527 A TW099103527 A TW 099103527A TW 99103527 A TW99103527 A TW 99103527A TW I384579 B TWI384579 B TW I384579B
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Description

基板處理裝置
本發明，例如係有關於對於半導體晶圓或是LCD基板(液晶顯示器用玻璃基板)等之基板而進行光阻液之塗布處理或者是曝光後之顯像處理等之處理的基板處理裝置。
在半導體裝置或是LCD基板的製造製程中，係藉由被稱作光微影法之技術而進行對於基板之光阻圖案的形成。此技術，例如係藉由下述之一連串的工程而進行：亦即是，在半導體晶圓(以下，稱作晶圓)等的基板上，將光阻液作塗布並在該晶圓之表面上形成液膜，並在使用光罩而對於該光阻膜作了曝光後，藉由進行顯像處理，而得到所期望之圖案。
此種處理，一般係使用在將進行光阻液之塗布或是顯像的塗布、顯像裝置處而連接了曝光裝置所成的光阻圖案形成裝置，而進行之。在此裝置中，例如係如同圖15中所示一般，將收容了多數枚之晶圓的載體10搬入至載體區塊1A之載體平台11處，並藉由授受臂12而將載體10內之晶圓交付至處理區塊1B處。而，在處理區塊1B內，係在進行了於反射防止膜形成模組(未圖示)處所進行之反射防止膜的形成、或是在塗布模組13處所進行之光阻膜的形成後，經由介面區塊1C而被搬送至曝光裝置1D處。
另一方面，曝光處理後之晶圓，係成為再度被回送至處理區塊1B處，並藉由顯像模組14而被進行顯像處理，之後再被回送至原本之載體10內。在前述之反射防止膜或是光阻膜之形成處理的前後、或者是顯像處理的前後，係被進行有晶圓之加熱處理或是冷卻處理，進行此些之加熱處理的加熱模組或是進行冷卻處理的冷卻模組等，係在棚模組15(15a～15c)處而被作多段配列，晶圓係成為藉由被設置在處理區塊1B處之主臂16(16A、16B)而在各模組彼此之間被作搬送。
對於通常處理之每一批次，係分別被準備有載體10，從1個的載體10而被送出至處理區塊1B處的晶圓，係藉由該處理區塊B以及曝光裝置1D而被進行特定之處理，之後，再被收容於原本的載體10中。此時，在前述載體平台11處，係被載置有複數個(例如4個)的載體10，並例如被構成為使前述授受臂12能夠對於此些之全部的載體10作存取。而，將晶圓送出至處理區塊1B處後之空的載體10，係在載體平台11上作待機，直到晶圓結束特定之處理為止，並成為在結束處理後的晶圓W被回送到了前述載體10內之後，將收容了處理完畢之晶圓的載體10與收容了未處理之晶圓的載體10作交換。
另外，該被搬入至塗布、顯像裝置中之載體10，係預先對於被搬入至載體平台11處之順序作了決定，並依據載體10所被搬入之順序，而從載體10來經由授受臂12而進行對於處理區塊1B之晶圓的送出，並在該處理區塊1B處而被進行處理，再將處理後之晶圓回送至原本的載體10處，如此這般，而進行晶圓之搬送。
然而，亦會有產生例如評價測試用基板、研究開發用基板、試作基板等之無視於前述所預先決定之載體10的搬入順序而優先性地進行處理之特急批次的情況。於此情況，係將收容了特急批次之晶圓的載體(以下，稱作「特急載體」)插入至前述所預先決定了的載體10之搬入順序中，並搬入至載體平台11處，且將該特急載體之晶圓藉由授受臂12來優先性地送出至處理區塊B1處而進行處理。
此時，若是在載體平台11處存在有用以將該特急載體作搬入之載置部，則係能夠立即將特急載體搬入至該載置部處，並將該載體內之晶圓送出至處理部1B處，因此，係不會發生問題。然而，當載體平台11之載置部被其他之載體10所佔據的情況時，若是不等到對於此些之載體10的晶圓之全部的處理結束並將該載體10與未處理之載體10作交換的時序，則無法將特急載體搬入至載體平台11中。在此種情況中，特急載體之晶圓的對於處理區塊1B之送出係會延遲，而有著雖然是特急載體但仍會使對於處理開始作待機之時間變長的問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]　日本特開2004-193597號公報
本發明，係有鑑於此種事態而進行者，其目的，係在於提供一種：當產生有相對於其他之批次而優先性地進行處理的特急批次之情況時，能夠將該特急批次之基板的對於處理之開始的待機時間縮短之技術。
因此，本發明之基板處理裝置，係具備有：授受用載置部，係被載置有將複數枚之基板作收容的載體，並且該授受用載置部係為對於每一載體而被各別作了準備者，該基板處理裝置，係對於藉由授受手段而從被載置在該授受用載置部上之載體處所送出的基板進行處理，之後，將該基板藉由前述授受手段來回送至前述授受用載置部上之原本的載體處，該基板處理裝置，其特徵為，具備有：複數之退避用載置部，係為用以將前述載體作載置者，並為與前述授受用載置部相獨立地而被設置；和搬入用載置部，係為用以從外部來對於該基板處理裝置而將前述載體作搬入者，並為與前述授受用載置部相獨立地而被設置；和載體移載手段，係在此些之授受用載置部和退避用載置部以及搬入用載置部之間而進行前述載體之移載；和對載體移載手段作控制之手段，係以下述之方式來對於載體移載手段作控制：在通常時，根據被搬入至前述搬入用載置部處的載體之搬入順序，來將此些之載體直接地或者是經由退避用載置部地而依序移載至前述授受用載置部處，並在收容有進行優先性處理之特急批次的基板之特急載體被搬入至前述搬入用載置部時，若是前述授受用載置部之全部係已被載體所佔據，則將該載體的其中1個移載至前述退避用載置部處，並將前述特急載體載置於藉由此所空出了的授受用載置部處；和對前述授受手段作控制之手段，係以下述之方式來對於授受手段作控制：在通常時，根據被載置於前述授受用載置部上之載體的搬入順序，來將基板從載體而送出，當前述特急載體被載置於前述授受用載置部上時，則將該特急載體之基板相較於其他之載體而更先作送出。
較理想，前述對於載體移載手段作控制之手段，係構成為以下述方式來對於前述載體移載手段作控制：當前述特急載體被搬入至前述搬入用載置部處時，若是前述授受用載置部有空出者，則立即將該特急載體載置於該授受用載置部處。
又，較理想，前述對於載體移載手段作控制之手段，係以構成為下述方式而對於前述載體移載手段作控制：當前述授受用載置部存在有複數個，且前述特急載體被搬入至前述搬入搬出用載置部處時，若是此些之前述授受用載置部的全部係被載體所佔據，且在此些載體中係存在有正藉由前述授受手段而進行基板之送出的載體，則係將該載體以外之載體移載至前述載置部處。
進而，較理想，前述對於授受手段作控制之手段，係構成為以下述之方式來對於前述授受手段作控制：當前述特急載體被搬入至前述授受用載置部處時，若是並未從其他之載體而進行有基板之送出，則優先性地進行從該特急載體處之基板的送出；當前述特急載體被搬入至前述授受用載置部處時，若是係從其他之載體而進行有基板之送出，則在從該載體處的全部之基板的送出結束後，優先性地進行從前述特急載體處之基板的送出。
進而，亦可構成為：係具備有用以將前述複數之載體作暫時性保管的保管部，前述退避用載置部，係將被設置於此保管部處之前述載體的載置部作兼用。又進而，係可構成為：係具備有對於藉由授受手段而從前述載體所送出之基板而進行處理的處理部，此處理部，係包含有：為了對於前述基板而形成塗布膜，並且進行對於曝光後之基板的顯像，而對於基板進行處理或者是使基板被作載置之複數的模組、和在此些複數之模組間而進行基板的搬送之基板搬送手段。
若依據本發明，則當產生有相對於其他之批次而更優先性地進行之特急批次的情況時，若是當前述特急批次之特急載體被搬入至搬入搬出用載置部中時，授受用載置部係全部被載體所佔據，則係將該載體移載至退避用載置部處，並將前述特急載體載置在藉由此而空出了的授受用載置部處。因此，僅需要些許的待機時間，便能夠將特急載體載置在授受用載置部上，並將特急載體之基板更快速地藉由授受手段來作送出，故而，能夠將該特急載體之基板的對於處理開始之待機時間縮短。
以下，針對將本發明之基板處理裝置適用在塗布、顯像裝置中的情況為例而作說明。首先，參考圖面，針對將曝光裝置連接在前述塗布、顯像裝置處的光阻圖案形成裝置作說明。圖1，係展示前述光阻圖案形成裝置之其中一種實施形態的平面圖，圖2，係為同圖之概略立體圖。圖中之B1，係為用以對於將例如13枚之基板(例如晶圓W)作了密閉收容的載體C作搬入搬出之載體區塊，B2係為對於前述晶圓W而進行塗布、顯像處理之處理區塊，B3係為介面區塊，B4係為曝光裝置。前述載體區塊B1，例如係如圖3中所示一般，被設置有：將載體C之授受用載置部21(211～214)和退避用載置部22(221～228)作了多段設置之載體平台2、和被設置在對於此載體平台2而言之前方的壁面處的開閉部23、和用以在被放置於前述授受用載置部21之載體C以及後述之處理區塊B2之間而進行晶圓W之授受的授受手段A1。前述載體區塊B1，例如係藉由筐體20而將其之周圍作包圍。
前述載體平台2，例如係具備有：被設置有複數個的前述授受用載置部21(211～214)之載置平台24、和被設置在此載置平台24之上方側，並成為將載體C作暫時性保管之保管部的儲料器25。此儲料器25，係具備有涵蓋複數段(例如2段)地被設置之棚部26、27。前述授受用載置部21，係為對於每一載體而被各別作了準備、並且藉由前述授受手段A1而被作存取之載置部，在前述載置平台24上，係於圖中之Y方向上而被配列有複數個(例如4個)，且在將被作載置之載體C作固定的同時，被構成為可在圖中X方向上而自由作滑動，並成為能夠將被設置在載體C處之未圖示的晶圓取出口與前述開閉部23作連接。
於此例中，在前述載置平台24上之授受用載置部211～214之中，例如2個的授受用載置部211、212，係被作為用以將晶圓W從載體C而送出至處理區塊B2處的晶圓搬入部，而剩餘的2個之授受用載置部213、214，係被作為用以將晶圓W從處理區塊B2而回送至載體C內的晶圓搬出部。而，前述授受手段A1，係為了對於此些之4個的授受用載置部211～214來進行晶圓W之授受，而被構成為可在圖中Y方向上而自由移動、自由進退以及在鉛直軸周圍作自由旋轉。
又，在前述儲料器25處，係被配列有多數之對於每一載體C而分別作了準備的用以將載體C載置於其上並暫時性地作保管之載置部。於此例中，儲料器25內之載置部，係兼用為前述退避用載置部22。前述退避用載置部22，係在前述儲料器25內之例如下段側的棚部26處，而在前述Y方向上被並排配列有複數個(例如4個)的退避用載置部221～224，並且，在上段側之棚部27處，而在前述Y方向上被並排配列有複數個(例如4個)的退避用載置部225～228。
於此，在該上段側之退避用載置部225～228之內，例如2個的退避用載置部225、226，係作為被當作從外部而將載體C搬入至該光阻圖案形成裝置中的搬入用載置部之載體搬入部而被作使用，剩餘之2個的退避用載置部227、228，係作為當將載體C從該光阻圖案形成裝置而搬出至外部時而將載體C作載置的載體搬出部227、228而被作使用。又，此些之退避用載置部221～228，係被構成為於其上而被載置有載體C並將該些作固定。
在前述上段側之棚部27的上方側處，係如圖4中所示一般而被配設有在圖中Y方向上而延伸的軌道R，在此軌道R處，係被設置有在該光阻圖案形成裝置與外部之其他處理裝置之間而將載體C作搬送的外部載體搬送手段200。此外部載體搬送手段200，係具備有將載體C作保持之把持部201，此把持部201，係被構成為以從左右方向來將載體C之側方向作挾持的方式而將其作支持。又，外部載體搬送手段200，係被構成為可沿著軌道R而自由作移動，並且能夠經由升降手段202來自由地作升降，以對於上段側之棚部27的載體搬入部225、226而將載體C作載置，或者是從載體搬出部227、228來接收載體C。
進而，載體區塊B1，係如圖1～圖3中所示一般，具備有用以對於載體平台2之授受載置部211～214以及退避用載置部221～228之各部而進行載體C之授受的載體移載手段3。此載體移載手段3，例如係為由第1臂31、第2臂32、保持臂33所成之多關節臂，並被構成為在可自由進退的同時，亦可藉由旋轉機構34來在鉛直軸周圍自由作旋轉。
於此，若是對於載體C之形狀作說明，則如圖2～圖5中所示一般，在該載體C之上面，係隔著支持部41而被設置有板狀之保持板42。而，前述保持臂33，例如係如圖5中所示一般，而構成為將前述載體C之保持板42的周圍作包圍，並以將載體C吊下了的狀態來作支持。
此種載體移載手段3，係被構成為能夠沿著升降軸35而自由作升降，並且，該升降軸35，係被構成為能夠沿著例如在載體區塊B1之頂面部而沿著圖中之Y方向而延伸設置的導引軌36(參考圖1)來自由移動，如此這般，而構成為能夠對於載體平台2之授受用載置部211～214以及退避用載置部221～228之各個，來進行載體C之移載。又，載體移載手段3，係構成為：當並不進行載體C之移載作業時，則在退避區域30處作待機。此退避區域30，例如係如圖1中所示一般，當從載體移載手段3側來對於載體平台2作觀察時，係被設置在載體平台2之左右方向的其中一方側處。
在此種授受用載置部211～214以及上段之退避用載置部225～228處，例如係如圖3中所示一般，而分別被設置有用以對於載體C之載置位置作確認的位置感測器231、以及用以對於載體C之有無作確認的有無感測器232，並且，在中段之退避用載置部221～224處，係被設置有前述位置感測器231。作為此些之位置感測器231或是有無感測器232，係可使用反射型光感測器、或是對於當將載體C載置在此些之載置部211～214、221～228處時而與該載體C之底部作接觸並將其之位置或是有無檢測出來的撞針(striker)的動作作觀察之感測器等。
在前述載體區塊B1之深處側，係被連接有處理區塊B2，在此處理區塊B2處，從前方側起而依序將加熱、冷卻系之模組作了多段化的棚模組U1～U3、和進行此些之棚模組U1～U3以及後述之液處理模組U4、U5的各模組間之晶圓W的授受之主臂A2、A3，係被交互地配列並被作設置。亦即是，從載體區塊B1側而作觀察時，棚模組U1、U2、U3以及主臂A2、A3係被配列成前後一列，在各個的連接部位處，係被形成有未圖示之晶圓搬送用的開口部，晶圓W，係成為在處理區塊B2中而能夠從其中一端側之棚模組U1起直到另外一端側之棚模組U3為止地來自由作移動。
前述棚模組U1～U3，係為將用以進行在液處理模組U4、U5處所進行之處理的前處理以及後處理之各種模組，作複數段(例如10段)之層積所構成者，並包含有：授受模組TRS、用以將晶圓W調整為特定溫度之溫調模組CPL、用以進行晶圓之加熱處理的加熱模組CLH、用以在光阻液之塗布後而進行晶圓W之加熱處理的加熱模組CPH、在顯像處理前而對晶圓W進行加熱處理之加熱模組PEB、以及對於顯像處理後之晶圓W進行加熱處理的加熱模組POST等。
又，液處理模組U4、U5，例如係如圖2中所示一般，將對於晶圓W而塗布反射防止膜形成用之藥液的反射防止膜形成模組BCT、對於晶圓W而塗布光阻液的塗布模組COT、對於晶圓W而供給顯像液並進行顯像處理之顯像模組DEV等，作複數段(例如5段)層積，而構成之。
在前述處理區塊B2中之棚模組U3的深處側，係經由介面區塊B3而被連接有曝光裝置B4。此介面區塊B3，係藉由在處理區塊B2與曝光裝置B4之間而被作前後設置的第1搬送室51以及第2搬送室52而構成之，並分別具備有能夠作自由升降以及在鉛直軸周圍作自由旋轉且能夠自由進退之第1搬送臂53以及第2搬送臂54。進而，在第1搬送室51處，例如係被設置有將授受模組等作上下層積而設置了的棚模組U6。
前述主臂A(A2、A3)，係被構成為能夠在前述處理區塊B2內之所有的模組(晶圓W所被放置的場所)、例如在棚模組U1～U3之各模組、液處理模組U4、U5之各模組之間，而進行晶圓之授受。因此，其係具備有：被構成為能夠自由進退、自由升降、在鉛直軸周圍自由旋轉，在Y方向上自由移動，並且用以將晶圓W之背面側週緣區域作支持的2根之保持臂，而此些之保持臂，係被構成為能夠相互獨立地作進退。
若是參考圖6並針對在此種光阻圖案形成系統中的晶圓之流程的其中一例作說明，則被載置在載置區塊B1之晶圓搬入部211(212)處的載體C內之晶圓W，係被授受至處理區塊B2之棚模組U1的授受模組TRS處，並從此處而被以溫調模組CPL1→反射防止膜形成模組BCT→加熱模組CLH→溫調模組CPL2→塗布模組COT→加熱模組CPH→介面區塊B3→曝光裝置B4之路徑來作搬送，並於此進行曝光處理。另一方面，曝光處理後之晶圓W，係被回送至處理區塊B2處，並以加熱模組PEB→溫調模組CPL3→顯像模組DEV→加熱模組POST→溫調模組CPL4的路徑而被作搬送，再從此處而被回送至被載置於載體區塊B1之晶圓搬出部213(214)處的原本之載體C內。
此時，主臂A2、A3，係以進行下述之一連串操作(搬送循環)的方式而被作控制，亦即是：以在處理區塊B2內，從棚模組U1之授受模組TRS而接收晶圓，並將該晶圓經由溫調模組CPL等而沿著前述之搬送路徑來依序一直搬送至加熱模組CPH處，之後，再從介面區塊B3而接收曝光處理後之晶圓W，並將該晶圓經由加熱模組PEB等而沿著前述之搬送路徑來依序一直搬送至溫調模組CPL4處的方式，來將被放置在各模組處之晶圓W，一次一枚地來從下流側之模組而移動至上流側之模組處。
而，上述之光阻圖案形成裝置，係具備有控制部6，該控制部6，係為由電腦所成，並進行各處理模組之處方(recipe)的管理、或是晶圓W之搬送流程(搬送路徑)的處方之管理、在各處理模組處之處理、或者是對於外部載體搬送手段200、載體移載手段3、授受手段A1、主臂A2、A3等之驅動控制。此控制部6，係具備有例如由電腦程式所成之程式儲存部，在此程式儲存部中，係被收容著具備有為了實施光阻圖案裝置全體之作用(亦即是對於晶圓W而形成特定之光阻圖案)而在各模組處來實施處理或是晶圓W之搬送等的步驟(命令)群之例如由軟體所成的程式。而，藉由將此些程式讀出至控制部6處，而經由控制部6來對於光阻圖案形成裝置全體之作用作控制。另外，此程式，例如係以被收容在軟碟、硬碟、CD、光磁碟、記憶卡等之記憶媒體中的狀態下，而被儲存於程式儲存部中。
圖7，係為對於此控制部之構成作展示者，實際上，雖係藉由CPU(中央處理模組)、程式以及記憶體等所構成，但是，在本發明中，由於係以當特急批次發生時之收容有該特急批次之晶圓W的載體之搬送作為特徵，因此，於此係將與其有所關連之構成要素的一部份作區塊化並進行說明。圖7中之60，係為匯流排，在此匯流排60處，係被連接有處方儲存部61、處方選擇部62、搬送排程表儲存部63、移載排程表儲存部64、特急批次處理控制部65、以及搬送控制部66。
處方儲存部61，例如係被儲存有：記錄有晶圓W搬送路徑的搬送處方、或是記錄有對於晶圓W所進行之處理條件等的複數之處方。所謂搬送排程表63，係為將搬送排程表作儲存的手段，該搬送排程表，係為記載有根據前述搬送處方而對於批次內之全部的晶圓來以何種之時序而搬送至何者之模組處的內容之排程表，例如，係將對於晶圓而決定順序，並將晶圓之順序與各模組相附加對應且對於搬送循環而作了指定的搬送循環資料，以時間系列來作排列所作成者。
所謂移載排程表儲存部64，係為將在載體平台2處之載體C的移載排程表作儲存之手段。於此，由於在前述授受用載置部211～214以及退避用載置部221～228處，係分別被附加有位址，並且在載體C處，亦係被附加有固有的ID，因此，在此移載排程表中，係將載體C與授受退避用載置部221～214以及退避用載置部221～228以時間系列來附加對應關係，並對於在何一時序下來將何者之載體C移載至何者之載置部211～214、221～228處一事，以時間系列而作了記載。
所謂特急批次處理控制部65，係當發生有優先性進行處理之特急批次時，以對於該特急批次之晶圓而進行最優先處理的方式，來對於載體移載手段3或是授受手段A1作控制之手段。於此，所謂特急批次，係指相較於先被搬入至前述載體搬入部225、226中並且尚未使晶圓被授受至前述處理區塊B2處的先行載體，而更先被進行有對於前述處理區塊B2之晶圓的授受之批次，並將收容此特急批次之晶圓的載體，稱作特急載體。
因此，針對載體移載手段3，係以下述之方式來作控制：亦即是，當前述特急載體被搬入至前述載體搬入部225、226處時，若是前述晶圓搬入部211、212之全部係已被載體C所佔據，則將該載體之其中一個移載至前述退避用載置部22處，並在藉由此所空出了的晶圓搬入部211、212處，而將前述特急載體作載置。
更具體而言，係如圖8中所示一般：
(1)當特急載體被載置於載體搬入部225(226)處時，若是存在有並未被載置載體之晶圓搬入部211、212，則以立即將特急載體移載至該晶圓搬入部211(212)處的方式來作控制；
(2)當特急載體被載置於載體搬入部225(226)處時，若是晶圓搬入部211、212之全部係已被載體所佔據，則以使被載置在該晶圓搬入部211、212處之其中一方的載體退避至退避用載置部22處，並將特急載體移載至空出了的晶圓搬入部211(212)處的方式來作控制。此時，當如同該實施形態一般之複數的晶圓搬入部211、212係全部被載體所佔據之情況，並且其中一個的載體係正在進行晶圓W之送出的情況時，係立即使並未進行晶圓W之送出的載體退避至退避用載置部22處。又，當晶圓搬入部211、212係為1個的情況，並且於此所載置之載體係正在進行晶圓W之送出的情況時，則係以在從該載體而進行了全部的晶圓W之送出後，立即使該載體退避至退避用載置部22處的方式，來進行控制。
又，針對授受手段A1，當前述特急載體被載置於前述晶圓搬入部211、212處時，係以使該特急載體之晶圓相較於其他之載體C而更先被送出的方式來作控制。更具體而言，係如圖8中所示一般：
(1)當特急載體被載置於晶圓搬入部211、212處時，若是授受手段A1並未進行從其他載體而來之晶圓的送出，則係以立即進行特急載體之晶圓W之送出的方式來作控制；
(2)當特急載體被載置於晶圓搬入部211、212處時，若是授受手段A1正在進行從其他載體而來之晶圓的送出，則係以在從此載體而進行了全部之晶圓W的送出後，優先性地從特急載體而將晶圓W作送出的方式，來進行控制。
前述搬送控制部66，係為對於載體移載手段3或是授受手段A1、主臂A2、A3等作控制的手段，並被構成為參考搬送排程表或是移載排程表來實行特定之搬送作業。
接著，對於本實施形態之作用進行說明。首先，若是針對通常之處理作說明，則在開始對於身為基板之晶圓W的處理之前，作業員係先對於進行處理之批次、處理處方、搬送排程表以及移載排程表作選擇。藉由此，批次之處理順序係被決定，並依據該處理順序而從載體C來將晶圓W對於處理區塊B2送出，控制部6，係一面對於所選擇了的搬送排程表以及移載排程表作參考，一面對於各部而輸出指示，而以預先決定了的順序來將晶圓送出至處理區塊B2處，並實行處理。
於此例中，例如針對批次L1～批次L6，而假設以批次L1→批次L2→批次L3→批次L4→批次L5→批次L6的順序來進行處理。於此，由於係對於每一批次而分別準備有載體，因此，批次之處理順序，係分別與各批次所對應之載體的被搬入至載體搬入部225、226中之順序、以及前述載體被搬入至晶圓搬入部211、212中之順序相互對應。
故而，在載體區塊B1處，首先係藉由外部載體搬送手段200，而從批次L1之載體C1起來依序以批次L2之載體C2→批次L3之載體C3→批次L4之載體C4→批次L5之載體C5→批次L6之載體C6的順序而依序被搬入至載體搬入部225、226中，並從此處起，載體C1～C6而藉由載體移載手段3，來例如依據移載排程表而直接地或者是經由儲料器25內之其他的退避用載置部地，來從前述載體C1起而依序按照載體C2→載體C3→載體C4→載體C5→載體C6的順序來依序移載至搬入至晶圓搬入部211、212中。
如此這般，首先，載體C1係被移載至晶圓搬入部211處，並在蓋體被打開後，將載體C1內之晶圓W1藉由授受手段A1來作接收，而送出至處理區塊B2處。接著，藉由載體移載手段3，來將下一個載體C2移載至例如晶圓搬入部212上，並將載體C2之晶圓W2送出至處理區塊B2處。如此這般，依據載體C3→載體C4→載體C5→載體C6的順序，載體C係被移載至晶圓搬入部211、212之任一者處，並藉由授受手段A1而依序被送出至處理區塊B2處，但是，此時，晶圓W被作了送出並變空了的載體C，係被移載至預先藉由移載排程表所決定了的空出的退避載置部22處，在晶圓搬入部211、212處，係被搬入有下一個的載體。
另一方面，在處理區塊B2處，係依據從載體區塊B1而被送出的順序，亦即是從載體C1之晶圓起，而依序依據前述搬送排程表來藉由主臂A2、A3而搬送至特定之模組處。於此，在主臂A2、A3處，係如同前述一般，藉由2根以上的保持臂，而從下流側之模組內的晶圓起來依序移載至後一個順序的模組處，藉由此，而形成使順序較小之晶圓相較於順序較大之晶圓而位置在較下流側的模組處之狀態，並藉由此，來實行1個的循環(搬送循環)，而在該循環結束後，移行至下一個循環，並依序實行各循環，藉由此，而成為以前述之路徑來依序地將晶圓作搬送，並實行特定之處理。
如此這般而結束了處理之載體C1內的晶圓，係藉由授受手段A1，而被回送至被放置在晶圓搬出部213、214處的原本之載體C1內。於此，載體C1，係在載體平台2內，藉由載體移載手段3而根據移載排程表來以晶圓搬入部211→退避用載置部22→晶圓搬出部213(214)的路徑而被作移載。如此這般，針對載體C2～C6之晶圓W，亦係在處理結束後，依序被回送至被移載到晶圓搬出部213、214處之原本的載體C2～C6內。
接著，參考圖9～圖12，針對發生有特急批次的情況作說明。另外，圖11、圖12，係為從載體移載手段3側而對於載體平台2作了觀察的圖。於此情況，例如，作業員係對於進行包含有該光阻圖案形成裝置之複數的裝置之控制的主電腦，而對於發生有特急批次一事作指示，在主電腦處，係對於將特急批次之特急載體搬入至該光阻圖案形成裝置中的順序作決定，並將此載體之搬入順序輸出至該光阻圖案形成裝置之控制部6處。例如，如圖9中所示一般，針對以載體C1→載體C2→載體C3→載體C4→載體C5→載體C6之順序來將載體從外部而搬入至載體搬入部225、226中的情況下，在載體C4與載體C5之間被搬送有特急載體E的情況為例，而進行說明。於此情況，被搬入至載體搬入部225(226)中之載體的順序，係如圖9中所示一般，而成為C1→C2→C3→C4→E→C5→C6。
而後，若是特急載體E被搬入至該載體搬入部225(226)處(步驟S1)，則係藉由載體移載手段3，來優先性地將特急載體E移載至晶圓搬入部211(212)處(步驟S2)。亦即是，如圖11(a)中所示一般，若是存在並未被載置有載體C之晶圓搬入部211，則係將特急載體E移載至該晶圓搬入部211處(參考圖11(b))。又，如圖12(a)中所示一般，若是晶圓搬入部211、212係全部被載體C1、C2所佔據，則係使該載體C1、C2之其中一方作退避，並將特急載體E移載至空出了的晶圓搬入部211、212處。於此例中，由於係正藉由授受手段A1而從載體C1來進行晶圓W之送出，因此，係如圖12(b)中所示一般，使另外一方之載體C2退避至空的退避用載置部223處，並將特急載體移載至空出了的晶圓搬入部212處(參考圖12(c))。
如此這般，若是特急載體E被搬入至晶圓搬入部211(212)處，則係藉由授受手段A而優先性地進行從特急載體E而來之晶圓W的送出(步驟S3)。亦即是，當特急載體E被載置於晶圓搬入部211(212)處時，若是授受手段A1並未從其他之載體C而進行晶圓W之送出，則係立即從特急載體E而進行晶圓W之送出，而當特急載體E被載置於晶圓搬入部211(212)處時，若是授受手段A1正在從其他之載體C而進行晶圓W之送出，則係在從該載體而將全部的晶圓W作了送出後，立即從特急載體E而進行晶圓W之送出。
如此這般而被送出至處理區塊B2處的特急載體E之晶圓W，係依照被送出至處理區塊B2處的順序，而沿著特定之搬送路徑來在各模組間被作搬送，並被進行特定之處理(步驟S4)，處理後之晶圓，係被回送至原本之特急載體E內(步驟S5)。如此這般，收容了處理後之晶圓W的特急載體E，係藉由載體移載手段3而被迅速地移載至載體搬出部227(228)處(步驟S6)，並藉由外部載體搬送手段200而被從該光阻圖案形成裝置搬出(步驟S7)，而被搬送至下一工程處。
於此例中，特急載體E之晶圓，係接在載體C1之後而被送出至處理區塊B1處，在此特急載體E之後，例如係如圖9中所示一般，以載體C2→載體C3→載體C4→載體C5→載體C6的順序而將晶圓送出至處理區塊B1處，並進行處理。故而，於此例中，特急載體E之晶圓，係較先被搬入至前述載體搬入部225、226中之載體C2~C4，而更優先性地被移載至晶圓搬入部211、212處，特急載體E內之晶圓，係成為較此些之載體C2~C4內的晶圓而更優先性地被送出至前述處理區塊B2處並被進行處理。
此時，在特急載體E之全部的晶圓經由授受手段A1而被送出至處理區塊B2處之後，係如圖11(c)或是圖13(a)中所示一般，進行從下一個處理順序的載體C2之對於處理區塊B2的晶圓送出，並且，將該特急載體E移載至退避用載置部224處。如此這般，如圖13(a)~圖14(b)中所示一般，將載體C3~C6依序移載至晶圓搬入部211、212處，並從此些之載體C3~C6而依序進行對於處理區塊B2之晶圓的送出。
於此情況，配合於在處理區塊B2處之晶圓W的處理結束之時序，而亦進行有將與正進行該處理之晶圓W相對應的載體移載至晶圓搬出部213、214處的處理，例如，如圖13(b)、(c)中所示一般，配合於特急載體E之晶圓的處理結束之時序，特急載體E係從退避用載置部224而被移載至晶圓搬出部214處。而後，結束處理之晶圓被作了回送的特急載體E，係如圖14(a)、(b)中所示一般，被移載至載體搬出部227處，並從此處而藉由外部載體搬送手段200來搬送至下一工程處。
此種載體移載手段3以及授受手段A1的控制，例如係藉由將發生有特急批次一事之內容從主電腦而輸出至該塗布、顯像裝置之控制部6處，並在特急載體E被搬入至載體搬入部225、226處之前，而對於前述移載排程表或是搬送排程表作改寫一事，而進行之。
亦即是，由於特急載體E之搬入順序係為已知，因此，係根據特急載體E被作搬入前之通常處理下的移載排程表或是搬入排程表，來對於當特急載體E被搬入至載體搬入部225、226中的時序時之載體平台2內的載體之載置狀況作掌握，並以在如同已述一般地而將特急載體優先性地搬入至晶圓搬入部211、212中或者是暫時退避至退避用載置部22處之後，在處理後之特急載體的晶圓被作回送的時序處而移載至晶圓搬入部211、212處的方式，來對於移載排程表作改寫，並且，以使特急載體內之晶圓被優先性地送出至處理區塊B2處的方式，來進行搬送排程表之改寫。
而後，若是特急載體E被搬入至載體搬入部225、226處，則係根據被作了改寫的移載排程表以及搬送排程表，來藉由載體移載手段3以及授受手段A1、主臂A2、A3，而進行載體之移載作業以及晶圓之搬送。
又，代替將移載排程表作改寫，亦可設為：根據被附加在前述授受用載置部21以及退避用載置部22處的位址、和從被設置在該些處之載體C的有無感測器232而來之資訊、以及被附加在載體C處的ID，來對於在晶圓搬入部211、212處是否存在有載體C一事、以及何者之退避用載置部22係為空的一事作判斷，並進行特急載體以及載體C之移載。
若依據此種實施形態，則由於係在載體平台2處設置將載體C作暫時性保管之儲料器25，並於此處將載體C之載置部作多數配列，而將此載置部兼用為使載體C作退避之退避用載置部，因此，儲料器25之利用價值係被提升。亦即是，當產生有相對於其他之批次而更優先性地進行處理之特急批次的情況時，若是當前述特急批次之特急載體E被搬入至載體區塊B1之載體搬入部225、226中時，晶圓搬入部211、212係全部被載體所佔據，則係能夠將該載體移載至退避用載置部22處，並將前述特急載體E載置在藉由此而空出了的晶圓搬入部211、212處。因此，由於僅需要些許的待機時間，便能夠將特急載體E移載至晶圓搬入部211、212處，並將特急載體E之晶圓迅速地授受至處理區塊B2處，故而，能夠將該特急載體E之晶圓的對於處理開始之待機時間縮短。
進而，當發生有特急載體E的情況時，藉由將結束了晶圓的送出之特急載體E或是載體C1～C6移載至退避用載置部22處，亦能夠將特急載體E或是其他的載體C1～C6依序移載至晶圓搬入部211、212處，並依序進行晶圓之送出，因此，能夠迅速地將晶圓W供給至處理區塊B2處，而能夠對於產率之降低作抑制。
更進而，特急載體E，由於係在晶圓之送出結束後而被移載至退避用載置部22處，並在處理後之晶圓W被回送至該特急載體E處的時序處而再度被移載至晶圓搬出部213、214處，因此，處理後之晶圓W係迅速地被回收至特急載體E中。又，將此結束處理之晶圓作了收容的特急載體E，由於係迅速地被移載至載體搬出部226、227處，因此，係藉由外部載體搬送手段200而被順暢地搬送至下一工程處。
本發明，不僅是可適用於半導體晶圓，亦可適用在對於像是液晶顯示器用之玻璃基板(LCD基板)之類的基板而進行處理的光阻圖案形成裝置中。又，載體移載手段3之形狀，係並不被限定於上述構成。進而，將載體作暫時性保管之保管部(儲料器)的構成，係並不被限定於上述之例，而亦可設為在授受平台24之下方側處來設置載體用之載置部，亦能夠以與授受平台24相對向的方式來設置載體用之載置部。又，關於此保管部之載置部，係為將收容有未處理之晶圓W的載體C、或是收容有結束處理之晶圓W的載體、或者是空的載體等作暫時性的保管者，而並不需要將全部的載置部作為退避用載置部來使用。
更進而，授受用載置部，係亦可設成兼用為當從載體區塊B1而將晶圓W送出至處理區塊B2處時所使用的載置部、和當從處理區塊B2而將晶圓W回送至載體區塊B1處時所使用的載置部，藉由授受手段1而作存取之授受用載置部的個數，係被適宜作選擇。
又更進而，本發明之基板處理裝置，係亦可適用在縱型熱處理裝置或者是其他之對於數枚的晶圓作批次處理的形態之洗淨裝置中。
W．．．半導體晶圓
C．．．載體
B1．．．載體區塊
B2．．．處理區塊
B3．．．介面區塊
B4．．．曝光裝置
A1．．．授受手段
A2、A3．．．主臂
21(211～214)．．．授受用載置部
22(221～228)．．．退避用載置部
3．．．載體移載手段
6．．．控制部
63．．．搬送排程表儲存部
64．．．移載排程表儲存部
65．．．特急批次處理控制部
[圖1]對於本發明之光阻圖案形成裝置的實施形態作展示之平面圖。
[圖2]對於前述光阻圖案形成裝置作展示之立體圖。
[圖3]對於前述光阻圖案形成裝置中之載體區塊作展示之立體圖。
[圖4]從載體移載手段側而對於前述載體區塊作了觀察的正面圖。
[圖5]對載體作展示的正面圖。
[圖6]對於前述光阻圖案形成裝置中之處理區塊內的晶圓W之搬送路徑作展示之平面圖。
[圖7]對於前述光阻圖案形成裝置中之控制部的一部份作展示之構成圖。
[圖8]用以對於前述光阻圖案形成裝置之作用作說明的側面圖。
[圖9]用以對於前述光阻圖案形成裝置之作用作說明的說明圖。
[圖10]用以對於前述光阻圖案形成裝置之作用作說明的流程圖。
[圖11]用以對於前述光阻圖案形成裝置之作用作說明的工程圖。
[圖12]用以對於前述光阻圖案形成裝置之作用作說明的工程圖。
[圖13]用以對於前述光阻圖案形成裝置之作用作說明的工程圖。
[圖14]用以對於前述光阻圖案形成裝置之作用作說明的工程圖。
[圖15]對於先前技術之塗布、顯像裝置作展示的平面圖。
2．．．載體平台
3．．．載體移載手段
6．．．控制部
24．．．載置平台
25．．．儲料器
211、212．．．晶圓搬入部
225、226．．．退避用載置部
A1．．．授受手段
C．．．載體

Claims (6)

  1. 一種基板處理裝置，係具備有：授受用載置部，係被載置有將複數枚之基板作收容的載體，並且該授受用載置部係為對於每一載體而被各別作了準備者，該基板處理裝置，係對於藉由授受手段而從被載置在該授受用載置部上之載體處所送出的基板進行處理，之後，將該基板藉由前述授受手段來回送至前述授受用載置部上之原本的載體處，該基板處理裝置，其特徵為，具備有：複數之退避用載置部，係為用以將前述載體作載置者，並為與前述授受用載置部相獨立地而被設置；和搬入用載置部，係為用以從外部來對於該基板處理裝置而將前述載體作搬入者，並為與前述授受用載置部相獨立地而被設置；和載體移載手段，係在此些之授受用載置部和退避用載置部以及搬入用載置部之間而進行前述載體之移載；和對載體移載手段作控制之手段，係以下述之方式來對於載體移載手段作控制：在通常時，根據被搬入至前述搬入用載置部處的載體之搬入順序，來將此些之載體直接地或者是經由退避用載置部地而依序移載至前述授受用載置部處，並在收容有進行優先性處理之特急批次的基板之特急載體被搬入至前述搬入用載置部時，若是前述授受用載 置部之全部係已被載體所佔據，則將該載體的其中1個移載至前述退避用載置部處，並將前述特急載體載置於藉由此所空出了的授受用載置部處；和對前述授受手段作控制之手段，係以下述之方式來對於授受手段作控制：在通常時，根據被載置於前述授受用載置部上之載體的搬入順序，來將基板從載體而送出，當前述特急載體被載置於前述授受用載置部上時，則將該特急載體之基板相較於其他之載體而更先作送出。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中，前述對於載體移載手段作控制之手段，係以下述方式來對於前述載體移載手段作控制：當前述特急載體被搬入至前述搬入用載置部處時，若是前述授受用載置部為空的，則立即將該特急載體載置於該授受用載置部處。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之基板處理裝置，其中，前述對於載體移載手段作控制之手段，係以下述方式而對於前述載體移載手段作控制：當前述授受用載置部存在有複數個，且前述特急載體被搬入至前述搬入搬出用載置部處時，若是此些之前述授受用載置部的全部係被載體所佔據，且在此些載體中係存在有正藉由前述授受手段而進行基板之送出的載體，則係將該載體以外之載體移載至前述載置部處。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之基板處理裝置，其中，前述對於授受手段作控制之手段，係以下述之方式來對於前述授受手段作控制：當前述特急載體被 搬入至前述授受用載置部處時，若是並未從其他之載體而進行有基板之送出，則優先性地進行從該特急載體之基板的送出；當前述特急載體被搬入至前述授受用載置部處時，若是係從其他之載體而進行有基板之送出，則在從該載體的全部之基板的送出結束後，優先性地進行從前述特急載體之基板的送出。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之基板處理裝置，其中，係具備有用以將前述複數之載體作暫時性保管的保管部，前述退避用載置部，係將被設置於此保管部處之前述載體的載置部作兼用。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之基板處理裝置，其中，係具備有對於藉由授受手段而從前述載體所送出之基板而進行處理的處理區塊，此處理區塊，係包含有：為了對於前述基板而形成塗布膜，並且進行對於曝光後之基板的顯像，而對於基板進行處理或者是使基板被作載置之複數的模組；和在此些複數之模組間而進行基板的搬送之基板搬送手段。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103439893B (zh) * 2013-08-16 2016-04-27 上海华力微电子有限公司 设备装载端口的预约使用控制方法
TWI549217B (zh) * 2014-01-10 2016-09-11 華亞科技股份有限公司 載具重組系統以及載具重組方法
CN107481963B (zh) * 2016-06-07 2020-01-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种控制晶圆排队等待时间的方法和系统
CN106449488A (zh) * 2016-11-23 2017-02-22 上海华力微电子有限公司 槽式湿法清洗设备的控制方法
TW202137380A (zh) * 2019-12-13 2021-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
CN111276429B (zh) * 2020-01-19 2021-07-20 长江存储科技有限责任公司 半导体机台控制方法、装置及存储介质

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200849369A (en) * 2002-11-15 2008-12-16 Ebara Corp Apparatus and method for substrate processing
TW200901353A (en) * 2007-03-27 2009-01-01 Dainippon Screen Mfg Substrate treating apparatus
TW200903624A (en) * 2007-04-16 2009-01-16 Shibaura Mechatronics Corp Apparatus for treating substrates
TW200905736A (en) * 2007-03-29 2009-02-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing system and substrate cleaning apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04326509A (ja) * 1991-04-26 1992-11-16 Hitachi Ltd ホトレジスト処理方法および装置ならびに基板保管装置
JP2004015019A (ja) * 2002-06-11 2004-01-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4087328B2 (ja) 2002-11-28 2008-05-21 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法
JP4705753B2 (ja) * 2003-12-05 2011-06-22 村田機械株式会社 搬送システム
JP4342921B2 (ja) * 2003-12-09 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の制御方法及び基板処理装置
JP4577886B2 (ja) * 2005-01-21 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
JP4845553B2 (ja) * 2006-03-27 2011-12-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置のスケジュール実行方法及びそのプログラム
JP4893425B2 (ja) * 2007-03-30 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 枚葉式の基板処理装置、枚葉式の基板処理装置の運転方法及び記憶媒体
JP4877075B2 (ja) * 2007-05-29 2012-02-15 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200849369A (en) * 2002-11-15 2008-12-16 Ebara Corp Apparatus and method for substrate processing
TW200901353A (en) * 2007-03-27 2009-01-01 Dainippon Screen Mfg Substrate treating apparatus
TW200905736A (en) * 2007-03-29 2009-02-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing system and substrate cleaning apparatus
TW200903624A (en) * 2007-04-16 2009-01-16 Shibaura Mechatronics Corp Apparatus for treating substrates

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