KR101638639B1

KR101638639B1 - 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체

Info

Publication number: KR101638639B1
Application number: KR1020110043717A
Authority: KR
Inventors: 노부아끼 마쯔오까; 아끼라 미야따; 신이찌 하야시; 스구루 에노끼다
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2010-07-09
Filing date: 2011-05-11
Publication date: 2016-07-11
Also published as: KR20120005938A; CN102315091B; TWI440121B; SG177839A1; EP2405476A3; JP5338757B2; JP2012019130A; CN102315091A; EP2405476A2; US20120009528A1; US8888387B2; TW201222702A

Abstract

본 발명의 과제는, 단위 블록에 이상이 발생하거나, 메인터넌스를 행할 때에, 도포, 현상 장치의 처리량의 저하를 억제하는 동시에 처리 블록의 설치 면적을 억제하는 것이다.
적층된 전단 처리용 단위 블록과, 각각 대응하는 적층된 후단 처리용 단위 블록 사이에 설치되고, 양 단위 블록의 반송 기구 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 도포 처리용 전달부와, 각 단의 도포 처리용 전달부 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능하게 설치된 보조 이동 탑재 기구와, 상기 전단 처리용 단위 블록에 적층된 현상 처리용 단위 블록을 구비하는 도포, 현상 장치를 구성한다. 각 층 사이에서 기판을 전달할 수 있으므로, 사용 불가능해진 단위 블록을 피하여 기판을 반송할 수 있다. 또한, 현상용 단위 블록과 전단 처리용 단위 블록이 적층되어 있으므로 설치 면적이 억제된다.

Description

도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체 {COATING-DEVELOPING APPARATUS, COATING-DEVELOPING METHOD AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은 기판에 레지스트를 도포하고, 현상을 행하는 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.

반도체 제조 공정 중 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 상기 레지스트 패턴을 형성하기 위한 도포, 현상 장치에는, 웨이퍼에 각종 처리를 행하기 위한 처리 모듈을 구비한 처리 블록이 설치되어 있다.

처리 블록은, 예를 들어 특허 문헌 1에 기재되는 바와 같이, 레지스트막 등의 각종 도포막을 형성하는 단위 블록 및 현상 처리를 행하는 단위 블록을 서로 적층함으로써 구성되어 있다. 각 단위 블록에는 웨이퍼의 반송 기구가 설치되고, 당해 반송 기구에 의해 웨이퍼는 차례로 각 단위 블록에 설치되는 처리 모듈이 전달되어 처리를 받는다.

그런데, 보다 미세한 패턴을 형성하고, 또한 수율을 저하시키기 위해, 상기 처리 블록에 설치되는 처리 모듈은 다양화되고 있다. 예를 들어, 웨이퍼에 레지스트를 도포하는 레지스트막 형성 모듈이나 현상액을 공급하는 현상 모듈 외에, 레지스트가 도포된 웨이퍼의 이면을 세정하는 이면 세정 모듈, 레지스트막의 상층에 약액을 공급하여 막을 더 형성하는 상층용 액처리 모듈 등이 설치되는 경우가 있다. 이들 각종 처리 모듈을 처리 블록에 탑재한 후에, 어떻게 도포, 현상 장치의 점유 바닥 면적을 억제할지가 검토되고 있다.

상기한 단위 블록을 적층하는 구성은, 상기 점유 바닥 면적을 억제하기 위해 유효하지만, 웨이퍼는 차례로 각 단위 블록으로 반송되므로, 1개의 처리 모듈 또는 단위 블록에 이상이 발생하거나, 메인터넌스를 행할 때에, 도포, 현상 장치의 처리 전체를 정지시켜야 하는 경우가 있다. 그렇게 되면, 장치의 처리량이 저하되어 버린다는 문제가 있다.

일본 특허 출원 공개 제2007-115831호

본 발명은 이러한 사정하에 이루어진 것으로, 단위 블록에 이상이 발생하거나 메인터넌스를 행할 때에, 도포, 현상 장치의 처리량의 저하를 억제하는 동시에 처리 블록의 설치 면적을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 데 있다.

본 발명의 도포, 현상 장치는, 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에 의해 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치로 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 되돌아 온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에 의해 현상 처리하여 상기 캐리어 블록으로 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,

a) 상기 처리 블록은,

기판에 하층측의 반사 방지막을 형성하기 위해 약액을 공급하는 하층용 액처리 모듈과, 상기 반사 방지막 상에 레지스트막을 형성하기 위해 레지스트액을 공급하는 도포 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 신장되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 전단 처리용 단위 블록을 복수 상하로 적층한 것과,

복수의 전단 처리용 단위 블록의 인터페이스 블록측에 당해 전단 처리용 단위 블록에 인접하여 각각 설치되고, 레지스트막이 형성된 기판에 상층측의 막을 형성하기 위해 약액을 공급하는 상층용 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 신장되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 복수의 후단 처리용 단위 블록과,

전단 처리용 단위 블록과, 대응하는 후단 처리용 단위 블록 사이에 각각 설치되고, 양 단위 블록의 반송 기구 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 도포 처리용 전달부와,

각 단의 도포 처리용 전달부 사이 및 각 단의 현상 처리용 전달부 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능하게 설치된 보조 이동 탑재 기구와,

전단 처리용 단위 블록을 복수 상하로 적층한 것에 대해, 상하 방향으로 적층되고, 기판에 현상액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 신장되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 현상 처리용 단위 블록이 복수 상하로 적층된 것과,

복수의 현상 처리용 단위 블록의 인터페이스 블록측에 당해 현상 처리용 단위 블록에 인접하여 각각 설치되고, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 신장되는 직선 반송로 상을 이동하여, 기판을 반송하기 위한 단위 블록용 반송 기구를 구비한 보조용 단위 블록과,

현상 처리용 단위 블록과, 대응하는 보조용 단위 블록 사이에 설치되고, 양 단위 블록의 반송 기구 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 현상 처리용 전달부를 구비한 것과,

b) 각 단위 블록마다 캐리어 블록측에 설치되고, 각 단위 블록의 반송 기구와의 사이에서 기판의 전달을 행하는 반입출용 전달부와,

c) 캐리어로부터 전단 처리용 각 단위 블록에 대응하는 상기 반입출용 전달부에 기판을 배분하여 전달하는 동시에, 현상 처리용 각 단위 블록에 대응하는 반입출용 전달부로부터 기판을 캐리어로 복귀시키기 위한 제1 전달 기구와,

d) 상기 처리 블록에서 처리된 노광 전의 기판을 수취하여, 노광 후의 기판을 현상 처리용 단위 블록에 배분하여 전달하기 위한 제2 전달 기구와,
e) 상기 보조용 단위 블록은, 당해 보조용 단위 블록 내의 반송 기구와 상기 후단 처리용 단위 블록으로 처리된 기판의 이면측을 세정하기 위한 이면 세정 모듈을 구비하고 있는 것과,
f) 상기 보조용 단위 블록 내의 반송 기구와 상기 제2 전달 기구 사이에서 기판의 전달을 행하기 위해서 각 보조용 단위 블록들에 설치된 보조용 단위 블록 반출입용 전달부와,
g) 상기 제2 전달 기구는 각 후단 처리용 단위 블록으로 처리된 노광 전의 기판을 수취하고, 상기 각 보조용 단위 블록 반출입용 전달부에 기판을 할당하여 반송함과 함께, 상기 이면 세정 모듈에서 처리된 기판을 노광 장치에 반송하기 위하여 상기 보조용 단위 블록 반출입용 전달부에서 반출하는 것과,
h) 상기 제2 전달 기구는 노광 완료 기판을 각 현상 처리용 단위 블록에 할당하여 반송하기 위하여 상기 보조용 단위 블록 반출입용 전달부에 반송하는 것과,
i) 상기 보조용 단위 블록 내의 반송 기구는 상기 노광 전의 기판을 상기 보조용 단위 블록 반출입용 전달부와 상기 이면 세정 모듈 사이에서 반송하고, 상기 노광 완료 기판을 상기 보조용 단위 블록 반출입용 전달부와 상기 현상 처리용 전달부 사이에서 반송하는 것을 구비한 것을 특징으로 한다.

본 발명의 구체적인 형태로서는, 예를 들어 하기와 같다.

삭제

(1) 전단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생하였을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않고, 다른 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 스텝과, 이 스텝 후, 당해 기판을 상기 보조 이동 탑재 기구를 통해, 사용 불가로 된 단위 블록의 인터페이스 블록측의 후단 처리용 단위 블록으로 반송하는 스텝을 포함하는 모드를 실행하는 제어부를 구비하고 있다.

(2) 후단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생하였을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않고, 사용 불가로 된 단위 블록의 캐리어 블록측의 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 스텝과, 이 스텝 후, 당해 기판을 상기 보조 이동 탑재 기구를 통해, 다른 계층의 후단 처리용 단위 블록으로 기판을 반송하는 스텝을 포함하는 모드를 실행하는 제어부를 구비하고 있다.

(3) 전단 처리용 단위 블록의 적층수 및 후단 처리용 단위 블록의 각각의 적층수는 3층이다.

(4) 현상 처리용 단위 블록의 적층수는 3층이다.

(5) 상기 보조 반송 기구는, 각 단의 도포 처리용 전달부 사이의 반송을 행하기 위한 제1 보조 이동 탑재 기구와, 각 단의 현상 처리용 전달부 사이의 반송을 행하기 위한 제2 보조 이동 탑재 기구를 구비하고 있다.
(6) 상기 처리 블록에는 당해 처리 블록으로 처리된 기판에 대해서 미리 설정된 검사를 행하는 검사 모듈이 설치되고,
상기 검사 모듈에 의해 기판에 이상이 검출되면 상기 제어부는 당해 검사 모듈에 반송될 때까지 상기 기판이 통과한 단위 블록에 기초하여 상기 문제가 발생한 단위 블록을 특정한다.
(7)상기 하층용 액 처리 모듈 및 레지스트 액을 공급하는 도포 모듈은 각각 복수의 처리 컵을 구비하고,
1개의 전단 처리용 단위 블록 내에 있어서의 상기 액 처리 모듈 및 상기 도포 모듈 중 한쪽의 모듈의 1개의 처리 컵이 사용 불가가 되었을 때에 상기 액 처리 모듈 및 상기 도포 모듈 가운데 다른 쪽의 모듈의 1개의 처리 컵을 사용 불가로 하는 제어부가 설치된다.

본 발명의 도포, 현상 방법은,

상기한 도포, 현상 장치를 사용하여,

전단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생하였을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않고, 다른 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 공정과,

계속해서 당해 기판을 보조 이동 탑재 기구를 통해, 사용 불가로 된 단위 블록의 인터페이스 블록측의 후단 처리용 단위 블록으로 반송하는 공정과,

그 후, 당해 후단 처리용 단위 블록 내의 모듈에 의해, 상층측의 막을 형성하는 공정을 실시하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 다른 도포, 현상 방법은, 상기한 도포, 현상 장치를 사용하여,

후단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생하였을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않고, 사용 불가로 된 단위 블록의 캐리어 블록측의 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 공정과,

계속해서 당해 기판을 보조 이동 탑재 기구를 통해, 다른 계층의 후단 처리용 단위 블록으로 반송하는 공정과,

본 발명의 기억 매체는, 도포, 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,

상기 컴퓨터 프로그램은, 상기한 도포, 현상 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 한다.

본 발명은, 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하기 위한 전단 처리용 단위 블록을 복수 적층하고, 레지스트막 상에 상층측의 막을 형성하기 위한 후단 처리용 단위 블록을 복수 적층하고, 이들 적층체를 전후로 연결하는 동시에, 전단 처리용 단위 블록과, 대응하는 후단 처리용 단위 블록 사이에서 기판의 전달을 행하는 전달부를 구비하여, 각 층의 전달부 사이에서 보조 이동 탑재 기구에 의해 기판의 전달을 할 수 있도록 구성하고 있다. 따라서 전단 처리용 단위 블록 및 후단 처리용 단위 블록 중 어느 하나를 사용할 수 없게 되어도, 상기 보조 이동 탑재 기구를 이용하여 다른 쪽의 단위 블록에 의해 처리를 행할 수 있어, 처리량의 저하를 방지하는 것이 도모된다. 또한 상기 적층체에, 현상 처리를 행하기 위한 단위 블록을 복수 적층하고 있으므로, 장치의 설치 면적을 억제하면서, 장치의 깊이 치수(캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 방향을 따른 길이 치수)도 억제할 수 있다.

도 1은 본 발명의 도포, 현상 장치의 평면도.
도 2는 상기 도포, 현상 장치의 사시도.
도 3은 상기 도포, 현상 장치의 종단 측면도.
도 4는 상기 도포, 현상 장치의 액처리 모듈의 종단 측면도.
도 5는 후방측 처리 블록의 종단 정면도.
도 6은 인터페이스 블록의 종단 정면도.
도 7은 상기 도포, 현상 장치의 제어부의 구성도.
도 8은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 나타내는 흐름도.
도 9는 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 나타내는 흐름도.
도 10은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 나타내는 흐름도.
도 11은 인터페이스 블록의 종단 정면도.
도 12는 인터페이스 블록의 종단 정면도.
도 13은 도포, 현상 장치의 개략 종단 측면도.

본 발명에 관한 도포, 현상 장치(1)에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 도포, 현상 장치(1)를 레지스트 패턴 형성 장치에 적용한 경우의 일 실시 형태의 평면도를 도시하고, 도 2는 동 개략 사시도, 도 3은 동 개략 측면도이다. 이 도포, 현상 장치(1)는, 기판인 웨이퍼(W)가 예를 들어 25매 밀폐 수납된 캐리어(C)를 반입출하기 위한 캐리어 블록(S1)과, 웨이퍼(W)에 대해 처리를 행하기 위한 처리 블록(S20)과, 인터페이스 블록(S4)을 직선 형상으로 배열하여 구성되어 있다. 인터페이스 블록(S4)에는, 액침 노광을 행하는 노광 장치(S5)가 접속되어 있다.

상기 캐리어 블록(S1)에는, 상기 캐리어(C)를 적재하는 적재대(11)와, 이 적재대(11)로부터 보아 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(12)와, 개폐부(12)를 통해 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 전달 아암(13)이 설치되어 있다. 전달 아암(13)은, 상하 방향으로 5개의 웨이퍼 보유 지지부(14)를 구비하고, 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 캐리어(C)의 배열 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 후술하는 제어부(51)는, 캐리어(C)의 웨이퍼(W)에 번호를 할당하여, 전달 아암(13)은 번호가 작은 것으로부터 5매씩 차례로 웨이퍼(W)를 처리 블록(S20)의 전달 모듈(BU1)에 일괄적으로 전달한다. 또한, 웨이퍼(W)를 적재할 수 있는 장소를 모듈이라 기재하고, 이 모듈 중 웨이퍼(W)에 대해 가열, 액처리, 가스 공급 또는 주연 노광 등의 처리를 행하는 모듈을 처리 모듈이라 기재한다. 또한, 처리 모듈 중, 웨이퍼(W)에 약액이나 세정액을 공급하는 모듈을 액처리 모듈이라 기재한다.

처리 블록(S20)은, 캐리어 블록(S1)측에 설치된 전단측 처리 블록(S2) 및 인터페이스 블록(S4)측에 설치된 후단측 처리 블록(S3)으로 이루어진다. 전방측 처리 블록(S2) 및 후방측 처리 블록(S3)의 개략 종단 측면도인 도 4도 참조하면서 설명을 계속한다. 전단측 처리 블록(S2)은, 웨이퍼(W)에 액처리를 행하는 제1 내지 제6 전방측 단위 블록(B1 내지 B6)이 아래부터 차례로 적층되어 구성되어 있다. 이들 전방측 단위 블록(B1 내지 B6)은, 액처리 모듈과, 가열 모듈과, 단위 블록용 반송 수단인 메인 아암(A)과, 상기 메인 아암(A)이 이동하는 반송 영역(R1)을 구비하고 있고, 각 전방측 단위 블록(B)에서는, 이들의 배치 레이아웃이 동일하게 구성되어 있다. 각 전방측 단위 블록(B)에서는, 메인 아암(A)에 의해 서로 독립적으로 웨이퍼(W)가 반송되어, 처리가 행해진다.

도 1에서는 제1 전방측 단위 블록(B1)에 대해 도시되어 있고, 이하, 대표하여 이 제1 전방측 단위 블록(B1)에 대해 설명한다. 이 제1 전방측 단위 블록(B1)의 중앙에는, 캐리어 블록(S1)으로부터 후방측 처리 블록(S3)을 향하는 상기 반송 영역(R1)이 형성되어 있다. 이 반송 영역(R1)을 캐리어 블록(S1)으로부터 제2 처리 블록(S3)측으로 본 상기 액처리 유닛(21), 선반 유닛(U1 내지 U6)이 각각 배치되어 있다.

액처리 유닛(21)에는, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)과, 레지스트막 형성 모듈(COT1)이 설치되어 있고, 캐리어 블록(S1)측으로부터 제2 처리 블록(S3)측을 향해 BCT1, COT1이, 이 순서로 배열되어 있다. 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)은, 반송 영역(R1)의 형성 방향을 따라 2개의 스핀 척(22)을 구비하고 있고, 스핀 척(22)은, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착 유지하는 동시에 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다. 도면 중 부호 23은 처리 컵으로, 상측이 개방되어 있다. 처리 컵(23)은, 스핀 척(22)의 주위를 둘러싸, 약액의 비산을 억제한다. 웨이퍼(W)를 처리할 때에는, 당해 처리 컵(23) 내에 웨이퍼(W)가 수용되고, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부는 스핀 척(22)에 보유 지지된다.

또한, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)에는, 각 처리 컵(23)에 의해 공용되는 노즐(24)이 설치되어 있다. 도면 중 부호 25는, 노즐(24)을 지지하는 아암이고, 도면 중 부호 26은 구동 기구이다. 구동 기구(26)는, 아암(25)을 통해 노즐(24)을 각 처리 컵(23)의 배열 방향으로 이동시키는 동시에 아암(25)을 통해 노즐(24)을 승강시킨다. 구동 기구(26)에 의해, 노즐(24)은 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)의 각 처리 컵(23) 사이를 이동하여, 각 스핀 척(22)에 전달된 웨이퍼(W)의 중심에 반사 방지막 형성용 약액을 토출한다. 공급된 약액은, 상기 스핀 척(22)에 의해 연직축 주위로 회전하는 웨이퍼(W)의 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 주연으로 신전되어, 반사 방지막이 성막된다. 또한, 도시는 생략하고 있지만, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)은, 웨이퍼(W)의 주위 단부에 용제를 공급하여, 당해 주위 단부의 불필요한 막을 제거하는 노즐을 구비하고 있다.

레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2)은, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2)과 마찬가지로 구성되어 있다. 즉, 레지스트막 형성 모듈(COT1)은 각각 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 처리 컵(23) 및 스핀 척(22)을 2개씩 구비하고 있고, 2개의 처리 컵(23) 및 스핀 척(22)에 대해 노즐(24)이 공유되어 있다. 단, 상기 노즐(24)로부터는 반사 방지막 형성용 약액 대신에 레지스트가 공급된다.

선반 유닛(U1 내지 U6)은, 캐리어 블록(S1)측으로부터 인터페이스 블록(S3)측을 향해 차례로 배열되어 있다. 각 선반 유닛(U1 내지 U6)은, 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 가열 모듈이 예를 들어 2단으로 적층되어 구성되어 있다. 따라서 전방측 단위 블록(B1)은, 12기의 가열 모듈(27)을 구비하고 있다. 상기 반송 영역(R1)에는, 상기 메인 아암(A1)이 설치되어 있다. 이 메인 아암(A1)은, 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 캐리어 블록(S1)측으로부터 후방측 처리 블록(S3)측으로 이동 가능하게 구성되어 있어, 단위 블록(B1)의 모든 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다.

전방측 단위 블록(B2 내지 B3)에 대해 설명한다. 제2 전방측 단위 블록(B2) 및 제3 전방측 단위 블록(B3)은, 상술한 제1 전방측 단위 블록(B1)과 마찬가지로 구성되어 있다. 도 4에 도시하는 바와 같이 제2 전방측 단위 블록(B2)에 설치되어 있는 반사 방지막 형성 모듈을 BCT2로 하고, 2기의 레지스트막 형성 모듈을 COT2로 한다. 제3 전방측 단위 블록(B3)에 설치되어 있는 반사 방지막 형성 모듈을 BCT3으로 하고, 레지스트막 형성 모듈을 COT3으로 한다. 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)은 전단 처리용 단위 블록을 구성한다.

계속해서, 현상 처리용 단위 블록인 전방측 단위 블록(B4 내지 B6)에 대해 설명한다. 제4 전방측 단위 블록(B4)은, 제1 전방측 단위 블록(B1)과의 차이점으로서, 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트막 형성 모듈(COT) 대신에, 현상 모듈(DEV1, DEV2)을 구비하고 있다. 제5 전방측 단위 블록(B5) 및 제6 전방측 단위 블록(B6)은, 제4 전방측 단위 블록(B4)과 마찬가지로 구성되어 있고, 각각 2기의 현상 모듈(DEV)을 구비하고 있다. 제5 전방측 단위 블록(B5)에 설치되어 있는 현상 모듈을 DEV3, DEV4로 한다. 제6 전방측 단위 블록(B6)에 설치되어 있는 현상 모듈을 DEV5, DEV6으로 한다. 현상 모듈(DEV)은 레지스트막 형성 모듈(COT)과 마찬가지로 구성되어 있지만, 레지스트 대신에 현상액을 웨이퍼(W)에 공급한다.

각 층의 반송 영역(R1)의 캐리어 블록(S1)측에는, 도 1 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 각 단위 블록(B1 내지 B6)에 걸친 선반 유닛(U7)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U7)은, 서로 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되고, 이들 각 모듈에 대해 이하에 설명한다. 제1 전방측 단위 블록(B1)의 높이 위치에는 소수화 처리 모듈(ADH1, ADH2) 및 전달 모듈(CPL1 내지 CPL3)이 설치되어 있다. 제2 전방측 단위 블록(B2)의 높이 위치에는, 소수화 처리 모듈(ADH3, ADH4) 및 전달 모듈(CPL4 내지 CPL6)이 설치되어 있다. 제3 전방측 단위 블록(B3)의 높이 위치에는, 소수화 처리 모듈(ADH5, ADH6) 및 전달 모듈(CPL7 내지 CPL9)이 설치되어 있다.

제4 전방측 단위 블록(B4)의 높이 위치에는 전달 모듈(CPL21) 및 전달 모듈(BU11)이 설치되어 있다. 제5 전방측 단위 블록(B5)의 높이 위치에는, 전달 모듈(CPL22) 및 전달 모듈(BU12)이 설치되어 있다. 제6 전방측 단위 블록(B6)의 높이 위치에는, 전달 모듈(CPL23) 및 전달 모듈(BU13)이 설치되어 있다. 설명 중, CPL이라 기재한 전달 모듈은, 적재한 웨이퍼(W)를 냉각시키는 냉각 스테이지를 구비하고 있다. BU라 기재한 전달 모듈은, 복수매의 웨이퍼(W)를 수용하고, 체류시킬 수 있도록 구성되어 있다.

또한, 소수화 처리 모듈(ADH1 내지 ADH6)은, 웨이퍼(W)의 베벨부를 포함하는 표면에 처리 가스를 공급하여, 소수성을 향상시킨다. 이에 의해, 각 액처리 모듈에서 당해 주위 단부의 막이 제거되어 웨이퍼(W)의 표면이 드러난 상태라도, 당해 표면이 발수 작용을 가져, 액침 노광시에 당해 주위 단부로부터 각 막의 박리가 억제된다.

또한, 선반 유닛(U7)에 있어서, 캐리어 블록(S1)의 전달 아암(13)을 액세스할 수 있는 높이 위치에, 반입출용 전달부를 구성하는 전달 모듈(BU1 및 CPL10)이 설치되어 있다. 전달 모듈(BU1)은, 상술한 전달 아암(13)으로부터 반송된 웨이퍼(W)를 일괄적으로 수취하기 위해, 상하 방향으로 5개의 웨이퍼(W)의 보유 지지부를 구비하고 있다. 전달 모듈(BU1)로 반송된 웨이퍼(W)는, 제어부(51)에 의해 할당된 번호가 작은 것으로부터 차례로 각 단위 블록으로 배분된다. 전달 모듈(CPL10)은 웨이퍼(W)를 캐리어(C)로 복귀시키기 위해 사용된다.

또한, 선반 유닛(U7)에는 검사 모듈(31)이 설치되어 있다. 검사 모듈(31)은 현상 처리 후의 웨이퍼(W)를 검사하고, 패턴 쓰러짐, 선폭 이상, 레지스트 용해 불량 등의 각종 검사 항목에 대해 이상의 유무를 검사한다. 전방측 단위 블록(B4 내지 B6)으로부터 웨이퍼(W)를 반출할 때에, 검사 모듈(31)에 반입되는 웨이퍼(W)는, 예를 들어 전달 모듈(BU11 내지 BU13)로 반송된다. 검사 모듈(31)로 반송되지 않는 웨이퍼(W)는, 전달 모듈(CPL)로부터 전달 모듈(BU11 내지 BU13)을 거치지 않고 캐리어(C)로 복귀된다. 이와 같이 전달 모듈을 구분하여 사용함으로써, 상기 번호의 작은순, 즉 캐리어(C)로부터의 반출순으로 웨이퍼(W)를 캐리어(C)로 복귀시키도록 웨이퍼(W)의 반송이 제어된다.

또한, 전방측 처리 블록(S2)에 있어서, 선반 유닛(U7)의 근방에는, 승강 가능, 진퇴 가능한 제1 전달 기구인 전달 아암(30)이 설치되어 있다. 당해 전달 아암(30)은, 선반 유닛(U7)의 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.

도 5는 후방측 처리 블록(S3)의 종단 정면도로, 이 도면에 도시하는 바와 같이 후방측 처리 블록(S3)은, 웨이퍼(W)에 액처리를 행하는 제1 내지 제6 후방측 단위 블록(D1 내지 D6)이 아래부터 차례로 적층되어 구성되어 있다. 후방측 단위 블록(D1 내지 D6)은, 각각 전방측 단위 블록(B1 내지 B6)과 동일한 높이에 위치하고 있다. 이들 후방측 단위 블록(D1 내지 D6)은, 액처리 모듈과, 가열 모듈과, 단위 블록용 반송 수단인 메인 아암(E)과, 상기 메인 아암(E)이 이동하는 반송 영역(R2)을 구비하고 있고, 각 후방측 단위 블록(D1 내지 D6)에서는, 이들의 배치 레이아웃이 평면에서 볼 때와 마찬가지로 구성되어 있다. 각 단위 블록(D)에서는, 메인 아암(E)에 의해 서로 독립적으로 웨이퍼(W)가 반송되어, 처리가 행해진다. 이하, 도 1을 참조하면서, 대표하여 제1 후방측 단위 블록(D1)에 대해 설명한다.

이 제1 후방측 단위 블록(D1)의 중앙에는, 전방측 처리 블록(S2)으로부터 인터페이스 블록(S4)을 향하는 상기 반송 영역(R2)이 형성되어 있다. 이 반송 영역(R2)을 제2 처리 블록(S3)측으로부터 인터페이스 블록(S4)측으로 본 좌우에는 액처리 유닛(32), 선반 유닛(U8 내지 U9)이 각각 배치되어 있다.

액처리 유닛(32)에는, 보호막 형성 모듈(TCT1)이 설치되어 있다. 이 보호막 형성 모듈(TCT1)은, 웨이퍼(W)에 발수성의 보호막 형성용 약액을 공급하는 것을 제외하고, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)과 동일한 구성이다. 즉, 보호막 형성 모듈(TCT1)은 각각 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 처리 컵(23) 및 스핀 척(22)을 2개씩 구비하고 있고, 2개의 처리 컵(23) 및 스핀 척(22)에 대해 노즐(24)이 공유되어 있다.

선반 유닛(U8 내지 U9)은, 캐리어 블록(S1)측으로부터 인터페이스 블록(S3)측을 향해 이 순서로 배열되어 있다. 각 선반 유닛(U1 내지 U6)은, 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 가열 모듈(33)이 예를 들어 2단으로 적층되어 구성되어 있다. 따라서, 후방측 단위 블록(D1)은, 4기의 가열 모듈(33)을 구비하고 있다. 상기 반송 영역(R2)에는, 메인 아암(E1)이 설치되어 있다. 이 메인 아암(E1)은, 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 전방측 처리 블록(S2)측으로부터 인터페이스 블록(S4)측을 향해 이동 가능하게 구성되어 있고, 제1 후방측 단위 블록(D1)의 모든 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다.

후방측 단위 블록(D2 내지 D3)에 대해 설명한다. 제2 후방측 단위 블록(D2)은, 상술한 제1 후방측 단위 블록(D1)과 마찬가지로 구성되어 있다. 제2 후방측 단위 블록(D2)에 설치되어 있는 보호막 형성 모듈을 TCT2로 한다. 제3 후방측 단위 블록(D3)에 설치되어 있는 보호막 형성 모듈을 TCT3으로 한다. 후방측 단위 블록(D1 내지 D3)은 후단 처리용 단위 블록을 구성한다.

계속해서 보조용 단위 블록을 구성하는 후방측 단위 블록(D4 내지 D6)에 대해 설명한다. 제4 후방측 단위 블록(D4)은, 제1 후방측 단위 블록(D1)과의 차이점으로서, 보호막 형성 모듈 대신에, 이면 세정 모듈(BST1)을 구비하고 있다. 이면 세정 모듈(BST)은, 웨이퍼(W)의 표면에 약액을 공급하는 노즐(24)이 설치되는 대신에, 웨이퍼(W)의 이면 및 베벨부에 세정액을 공급하여, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 노즐이 각각 개별로 설치된다. 이러한 차이를 제외하고, 이면 세정 모듈(BST)은 반사 방지막 형성 모듈(BCT)과 동일한 구성이다. 또한, 이면 세정 모듈(BST)은, 웨이퍼(W)의 이면측만, 또는 상기 베벨부만을 세정하도록 구성되어 있어도 된다. 또한, 선반 유닛(U8, U9)을 구성하는 가열 모듈(33)은, 각각 1단만 설치되어 있다. 이러한 차이를 제외하고, 제4 후방측 단위 블록(D4)은, 제1 후방측 단위 블록(D1)과 동일하게 구성되어 있다.

제5 후방측 단위 블록(D5) 및 제6 후방측 단위 블록(D6)은, 제4 후방측 단위 블록(D4)과 동일하게 구성되어 있다. 제5 후방측 단위 블록(D5)은, 이면 세정 모듈로서 BST2를 구비하고 있고, 제6 후방측 단위 블록(D6)은, 이면 세정 모듈로서 BST3을 구비하고 있다.

각 층의 반송 영역(R2)의 전방측 처리 블록(S2)측에는, 도 1 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 각 후방측 단위 블록(D1 내지 D6)에 걸친 선반 유닛(U10)이 설치되어 있다. 이 선반 유닛(U10)의 구성에 대해 설명한다. 선반 유닛(U10)은, 서로 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되어 있다. 제1 후방측 단위 블록(D1)의 높이 위치에는 전달 모듈(CPL31)이 설치되어 있다. 제2 후방측 단위 블록(D2)의 높이 위치에는 전달 모듈(CPL32)이 설치되고, 제3 후방측 단위 블록(D3)의 높이 위치에는 전달 모듈(CPL33)이 설치되어 있다. 또한, 제4 후방측 단위 블록(D4)의 높이 위치에는 전달 모듈(CPL41)이 설치되어 있다. 제5 후방측 단위 블록(D5)의 높이 위치에는 전달 모듈(CPL42)이 설치되고, 제6 후방측 단위 블록(D6)의 높이 위치에는 전달 모듈(CPL43)이 설치되어 있다.

선반 유닛(U10)을 구성하는 모듈에는, 당해 모듈과 동일한 높이 위치에 있는 후방측 단위 블록(D)의 메인 아암(E)과, 전방측 단위 블록(B)의 메인 아암(A)이 액세스할 수 있다. 또한, 후방측 처리 블록(S3)에 있어서, 선반 유닛(U10)의 근방에는, 보조 이동 탑재 기구를 이루는 전달 아암(40)이 설치되어 있다. 전달 아암(40)은, 승강 가능, 선반 유닛(U10)에 대해 진퇴 가능하게 구성된다. 전달 아암(40)은, 선반 유닛(U10)의 단위 블록(B1 내지 B6)의 높이 위치에 있는 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.

계속해서, 인터페이스 블록(S4)의 구성에 대해, 도 6도 참조하면서 설명한다. 인터페이스 블록(S4)에는, 각 단위 블록의 메인 아암(A1 내지 A6)이 액세스 할 수 있는 위치에 선반 유닛(U11)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U11)은, 단위 블록(B4, B5, B6)의 높이 위치에 각각 TRS1 내지 TRS3, TRS4 내지 TRS6, TRS7 내지 TRS9(보조용 단위 블록 반출입용 전달부)를 구비하고 있다. 단위 블록(B1, B2, B3)의 높이 위치에는, 각각 CPL51, CPL52, CPL53을 구비하고 있다. 또한, 선반 유닛(U11)은, 전달 모듈 BU21 내지 23, CPL54를 구비하고 있다. 이들 모듈은 서로 적층되어 설치되어 있다.

또한, 인터페이스 블록(S4)에는 예를 들어 4기의 노광 후 세정 모듈(PIR1 내지 PIR4)이 적층되어 설치되어 있다. 각 노광 후 세정 모듈(PIR)은, 레지스트막 형성 모듈(COT)과 마찬가지로 구성되어 있고, 웨이퍼(W) 표면에 레지스트 대신에 보호막 제거 및 세정용 약액을 공급한다.

또한, 인터페이스 블록(S4)에는, 3기의 인터페이스 아암(35, 36, 37)이 설치되어 있다. 인터페이스 아암(35, 36, 37)은 승강 가능 및 진퇴 가능하게 구성되어 있고, 또한 인터페이스 아암(35)은 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 인터페이스 아암(35)은 노광 장치(S5), 전달 모듈(BU21, CPL52, 51)에 액세스하여, 이들 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 인터페이스 아암(36)은 전달 모듈(BU22, BU23, TRS1 내지 6)에 액세스하여, 이들 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 인터페이스 아암(37)은, 선반 유닛(U11)을 구성하는 각 모듈 및 노광 후 세정 모듈(PIR1 내지 PIR4)에 액세스하여, 이들 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다.

계속해서, 도포, 현상 장치(1)에 설치된 제어부(51)에 대해 도 7을 참조하면서 설명한다. 도면 중 부호 52는 버스이고, 도면 중 부호 53은 CPU, 54는 프로그램이다. 이 프로그램(54)에는, 도포, 현상 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 출력하고, 후술하는 바와 같이 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하고, 각 웨이퍼(W)에 대해 약액이나 세정액의 공급, 가열 등의 처리를 행하도록 명령(각 스텝)이 짜여져 있다. 이 프로그램(54)은, 예를 들어 가요성 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되어 제어부(51)에 인스톨된다.

또한, 버스(52)에는 메모리(55)가 접속되어 있다. 예를 들어, 메모리(55)에는 처리 온도, 처리 시간, 각 약액의 공급량 또는 전력치 등의 처리 파라미터의 값이 기입되는 영역을 구비하고 있고, CPU(53)가 프로그램(54)의 각 명령을 실행할 때, 이들의 처리 파라미터가 판독되어, 그 파라미터 값에 따른 제어 신호가 이 도포, 현상 장치(1)의 각 부위로 보내지게 된다.

또한, 메모리(55)에는 반송 스케줄 기억 영역(56)이 형성되어 있다. 이 기억 영역(56)에서는, 웨이퍼(W)의 ID와, 당해 웨이퍼(W)의 반송처의 모듈과, 반송되는 모듈의 순서가 서로 대응된 반송 스케줄이 기억되어 있다. 또한, 이 반송 스케줄에 있어서, 각 액처리 모듈에 대해서는 2개 있는 처리 컵(23) 중, 어느 쪽에 반입되는지에 대해서도 기억되어 있다. 이 반송 스케줄은, 웨이퍼(W)의 처리 전에 미리 설정되어 있지만, 후술하는 바와 같이 단위 블록이나 모듈로의 반송 정지가 결정되면, 그것에 따라서 변경된다.

또한, 버스(52)에는 설정부(57)가 접속되어 있다. 설정부(57)는, 예를 들어 키보드나 마우스, 터치 패널 등에 의해 구성되고, 사용자가 웨이퍼(W)의 반송 모드를 선택할 수 있도록 되어 있다. 또한, 후술하는 바와 같이 반송 모드는, 사용자가 임의로 전환하는 경우 외에, 자동으로 전환되는 경우도 있다. 반송 모드가 전환되면, 전환된 반송 모드에 따라서 각 메인 아암(A, E), 전달 아암(13, 30, 40) 및 인터페이스 아암(35 내지 37)에 제어 신호가 송신되어, 웨이퍼(W)의 반송처가 전환된다. 또한, 사용자는 설정부(57)로부터 웨이퍼(W)의 ID를 지정하여, 검사 모듈(31)에서 검사를 행하는 웨이퍼(W)를 설정할 수 있다.

메인 아암(A, E)은, 예를 들어 그 위치에 따른 위치 신호를 제어부(51)에 출력하고, 이 위치 신호에 기초하여, 제어부(51)는 메인 아암(A, E)의 동작 이상의 유무를 판정한다. 또한, 각 처리 모듈은 그 동작에 따라서 제어부(51)에 신호를 출력하고, 이 신호에 기초하여, 제어부(51)는 메인 아암(A, E)의 동작 이상의 유무를 판정한다. 그리고 제어부(51)는 메인 아암(A, E)이나 각 단위 블록의 처리 모듈에 동작 이상이 있다고 판정하였을 때에, 반송 모드의 변경을 행한다.

(통상 반송 모드)

계속해서, 통상 반송 모드가 실행되어 있을 때의 도포, 현상 장치(1)에서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해 설명한다. 도 8은 이 반송 경로의 개략을 도시한 것으로, 캐리어(C)로부터 버퍼 모듈(BU1)로 취출된 웨이퍼(W)는, 제1 내지 제3 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)으로 배분되고, 각각 처리를 받은 후, 제1 전방측 단위 블록(B1)→제1 후방측 단위 블록(D1), 제2 전방측 단위 블록(B2)→제2 후방측 단위 블록(D2), 제3 전방측 단위 블록(B3)→제3 후방측 단위 블록(D3)의 경로로 각각 반송된다. 제1 내지 제3 후방측 단위 블록(D1 내지 D3)에서 처리를 받은 웨이퍼(W)는, 노광 장치(S5)에 반입 후, 제4 내지 제5 후방측 단위 블록(D4 내지 D6)으로 배분된다. 그리고 제4 후방측 단위 블록(D4)→제4 전방측 단위 블록(B4), 제5 후방측 단위 블록(D5)→제5 전방측 단위 블록(B5), 제6 후방측 단위 블록(D6)→제6 전방측 단위 블록(B6)의 경로로 각각 반송되고, 캐리어(C)로 복귀된다.

이 예에서는, 후방측 단위 블록(D1, D2, D3)으로 배분된 웨이퍼(W)는, 후방측 단위 블록(D4, D5, D6)으로 각각 배분된다. 또한, 웨이퍼(W)는 제어부(51)에 할당된 번호가 작은 것으로부터 차례로, 예를 들어 단위 블록(B1, B2, B3, B1, B2, B3, B1 …)의 순으로 사이클릭하게 단위 블록(B1 내지 B3)으로 배분된다.

웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해 모듈 단위로 상세하게 설명하면, 제1 전방측 단위 블록(B1)으로 배분되는 웨이퍼(W)는, 버퍼 모듈(BU1)→전달 아암(30)→소수화 처리 모듈(ADH1, ADH2)의 순으로 반송되어, 소수화 처리된다. 그 후 메인 아암(A1)이, 전달 모듈(CPL11)→반사 방지막 형성 모듈(BCT1)→가열 모듈(27)→전달 모듈(CPL12)→레지스트막 형성 모듈(COT1)→가열 모듈(27)→전달 모듈(CPL31)의 순으로 반송되어, 웨이퍼(W)에 반사 방지막, 레지스트막이 차례로 형성되고, 제1 후방측 단위 블록(D1)으로 반입된다.

상기 웨이퍼(W)는, 메인 아암(E1)에 의해 보호막 형성 모듈(TCT1)→가열 모듈(33)의 순으로 반송되어, 보호막이 형성된다. 계속해서, 웨이퍼(W)는 전달 모듈(CPL51)로 반송되어, 인터페이스 블록(S4)에 반입되고, 인터페이스 아암(37)→전달 모듈(TRS1)→메인 아암(E4)에 전달되고, 또한 이면 세정 모듈(BST1)로 반송되어 이면 세정 처리를 받는다. 그 후, 웨이퍼(W)는 메인 아암(E4)→전달 모듈(TRS2)의 순으로 반송되고, 다시 인터페이스 블록(S4)으로 반입된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(36)→전달 모듈(BU22, BU23)→인터페이스 아암(37)→전달 모듈(CPL54)→인터페이스 아암(35)→노광 장치(S5)의 순으로 반송되어, 액침 노광된다.

액침 노광 후의 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(35)→전달 모듈(BU21)→인터페이스 아암(37)→노광 후 세정 모듈(PIR1 내지 PIR4)→인터페이스 아암(37)→전달 모듈(TRS3)의 순으로 반송된다. 그런 연후에, 상기 웨이퍼(W)는, 메인 아암(E4)에 의해 제4 후방측 단위 블록(D4)으로 다시 반입되고, 가열 모듈(33)→전달 모듈(CPL41)의 순으로 반송된다.

그 후, 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A4)에 의해 제4 전방측 단위 블록(B4)으로 반입되고, 현상 모듈(DEV1, DEV2)→가열 모듈(27)→전달 모듈(CPL21)→전달 아암(30)→전달 모듈(BU12)→전달 아암(30)→검사 모듈(31)의 순으로 반송되고, 검사 후, 전달 아암(30)→전달 모듈(CPL10)→전달 아암(13)의 순으로 반송되고, 전달 아암(13)이 당해 웨이퍼(W)를 캐리어(C)로 복귀시킨다. 또한, 검사 대상이 아닌 웨이퍼(W)는, 현상, 가열 후 처리, 전달 모듈(CPL21)→전달 아암(30)→전달 아암(13)→캐리어(C)의 순으로 반송된다.

제2 전방측 단위 블록(B2)으로 배분되는 웨이퍼(W)는, 제1 전방측 단위 블록(B1)으로 배분된 웨이퍼(W)와 동일한 순서로 모듈 사이를 반송된다. 이하에, 간단히 반송 경로를 설명한다. 상기 웨이퍼(W)는, 버퍼 모듈(BU1)→전달 아암(30)→소수화 처리 모듈(ADH3, ADH4)의 순으로 반송된 후, 메인 아암(A2)이, 전달 모듈(CPL13)→반사 방지막 형성 모듈(BCT2)→가열 모듈(27)→전달 모듈(CPL14)→레지스트막 형성 모듈(COT2)→가열 모듈(27)→전달 모듈(CPL32)의 순으로 반송한다.

그 후, 메인 아암(E2)→보호막 형성 모듈(TCT2)→메인 아암(E2)→가열 모듈(33)→메인 아암(E2)→전달 모듈(CPL52)→인터페이스 아암(37)→전달 모듈(TRS4)→메인 아암(E5)→이면 세정 모듈(BST2)→메인 아암(E5)→전달 모듈(TRS5)의 순으로 반송되고, 웨이퍼(W)는 인터페이스 블록(S4)으로 반입된다.

인터페이스 블록(S4)에서 상기 웨이퍼(W)는, 제1 전방측 단위 블록(B1)으로 배분된 경우와 마찬가지로 반송되고, 노광 후 세정된 후, 전달 모듈(TRS6)에 전달된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 메인 아암(E5)→가열 모듈(33)→메인 아암(E5)→전달 모듈(CPL42)→메인 아암(A5)→현상 모듈(DEV3, DEV4)→가열 모듈(27)→전달 모듈(CPL22)→전달 아암(30)→전달 모듈(BU12)→전달 아암(30)→검사 모듈(31)로 반송된 후, 단위 블록(B4)으로 배분된 경우와 동일한 경로로 캐리어(C)로 복귀된다. 또한, 검사 대상이 아닌 웨이퍼(W)에 대해서는, 현상, 가열 처리 후, 전달 모듈(CPL22)로 반송 후, 단위 블록(B4)으로 배분된 경우와 동일한 경로로 캐리어(C)로 복귀된다.

제3 전방측 단위 블록(B3)으로 배분되는 웨이퍼(W)도, 제1 전방측 단위 블록(B1)으로 배분된 웨이퍼(W)와 동일한 순서로 모듈 사이에서 반송된다. 이하에, 간단히 반송 경로를 설명하면, 상기 웨이퍼(W)는, 버퍼 모듈(BU1)→전달 아암(30)→소수화 처리 모듈(ADH5, ADH6)의 순으로 반송된 후, 메인 아암(A3)이, 전달 모듈(CPL15)→반사 방지막 형성 모듈(BCT3)→가열 모듈(27)→전달 모듈(CPL16)→레지스트막 형성 모듈(COT3)→가열 모듈(27)→전달 모듈(CPL35)의 순으로 반송한다.

그 후, 웨이퍼(W)는 메인 아암(E3)→보호막 형성 모듈(TCT3)→메인 아암(E3)→가열 모듈(33)→메인 아암(E3)→전달 모듈(CPL53)→인터페이스 아암(37)→전달 모듈(TRS7)→메인 아암(E6)→이면 세정 모듈(BST3)→메인 아암(E6)→전달 모듈(TRS8)의 순으로 반송되고, 인터페이스 블록(S4)으로 반입된다.

인터페이스 블록(S4)에서 상기 웨이퍼(W)는, 제1 전방측 단위 블록(B1)으로 배분된 경우와 마찬가지로 반송되고, 노광 후 세정된 후, 전달 모듈(TRS9)에 전달된다. 그 후, 메인 아암(E6)→가열 모듈(33)→메인 아암(E6)→전달 모듈(CPL43)→메인 아암(A6)→현상 모듈(DEV5, DEV6)→가열 모듈(27)→전달 모듈(CPL23)→전달 아암(30)→전달 모듈(BU13)→전달 아암(30)→검사 모듈(31)로 반송된 후, 단위 블록(B4)으로 배분된 경우와 동일한 경로로 캐리어(C)로 복귀된다. 또한, 검사 대상이 아닌 웨이퍼(W)에 대해서는, 현상, 가열 처리 후, 전달 모듈(CPL23)로 반송 후, 단위 블록(B4)으로 배분된 경우와 동일한 경로로 캐리어(C)로 복귀된다.

(반송 모드 A)

계속해서, 반송 모드 A가 실행된 경우에 대해 설명한다. 이 반송 모드 A는, 전방측 단위 블록(B1, B2, B3) 중, 어느 하나에서 처리를 행할 수 없게 된 경우에 실행되는 반송 모드로, 처리 가능한 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)에서 처리를 행한 후, 웨이퍼(W)를 단위 블록(D1 내지 D3)으로 배분하여 반송을 행하는 모드이다. 이후, 도 9를 참조하면서, 예를 들어 제어부(51)가 반송 아암(A1)에 이상을 검출한 경우에 대해 설명한다. 상기 이상이 검출되면, 제어부(51)는 반송 아암(A1)의 동작 및 전방측 단위 블록(B1)의 각 처리 모듈의 동작을 정지시킨다. 그리고 전달 아암(30)은 후속의 웨이퍼(W)를 제2, 제3 전방측 단위 블록(B2, B3)으로 교대로 반송하고, 상술한 반송 경로로 각 웨이퍼(W)는 각 전방측 단위 블록(B2, B3)으로 반송되어 처리를 받고, 그런 연후에, 선반 유닛(U10)의 전달 모듈(CPL32, CPL33)로 반송된다.

그리고 전달 모듈(CPL32, CPL33)로 반송된 웨이퍼(W) 중, 예를 들어 통상 반송 모드 실행시에는 단위 블록(B1)에서 처리될 예정이었던 웨이퍼(W)는, 전달 아암(40)에 의해 전달 모듈(CPL31)로 반송되고, 메인 아암(E1)에 의해 후방측 단위 블록(D1)으로 반입된다. 그 밖의 웨이퍼(W)에 대해서는, 전달 모듈(CPL32, CPL33)로부터 메인 아암(E2, E3)에 의해 후방측 단위 블록(D2, D3)으로 각각 반입된다. 이후는, 통상 반송 모드 실행시와 마찬가지로 각 웨이퍼(W)는 반송되어, 처리를 받는다. 그리고 웨이퍼(W)의 반송이 정지한 제1 전방측 단위 블록(B1)에 대해, 사용자는 고장시의 수리나 정기 점검, 조정 확인 등의 메인터넌스를 행할 수 있다.

전방측 단위 블록(B2, B3)에서 웨이퍼(W)의 처리를 행할 수 없게 된 경우도 이 예와 마찬가지로, 사용 가능한 전방측 단위 블록(B)에 의해 처리가 행해지고, 그런 연후에, 전달 아암(40)에 의해, 각 후방측 단위 블록(B4 내지 B6)에 웨이퍼(W)를 반입하기 위한 전달 모듈(CPL)로 웨이퍼(W)가 배분된다.

(반송 모드 B)

계속해서, 반송 모드 B가 실행된 경우에 대해 설명한다. 이 반송 모드 B는, 후방측 단위 블록(D1, D2, D3) 중 어느 하나에서 처리를 행할 수 없게 된 경우에 실행되는 반송 모드로, 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)에서 처리를 받은 웨이퍼(W)를, 상기 D1 내지 D3의 후방측 단위 블록 중, 처리 가능한 후방측 단위 블록으로 배분하고, 그 후, 후방측 단위 블록(D4 내지 D6)으로 배분한다.

이후, 도 10을 참조하면서, 예를 들어 메인 아암(E1)에 이상이 검출된 경우에 대해 설명한다. 제어부(51)는, 메인 아암(E1)의 동작 및 후방측 단위 블록(D1)의 각 처리 모듈의 동작을 정지시킨다. 그리고 전방측 단위 블록(D1)에서 처리되고, 전달 모듈(CPL31)에 후속의 웨이퍼(W)가 반송되면, 이 웨이퍼(W)는 전달 아암(40)에 의해, 선반 유닛(U10)의 전달 모듈(CPL32, CPL33)로 교대로 배분된다. 그 후, 전달 모듈(CPL32, CPL33)로부터 후방측 단위 블록(D2, D3)으로 반입되어 처리를 받은 후, 선반 유닛(U11)의 전달 모듈(CPL52, CPL53)로 반송된다.

이 전달 모듈(CPL52, 53)에 전달된 웨이퍼(W) 중, 예를 들어 통상 반송 모드 실행시에 후방측 단위 블록(D1)으로 각각 반입될 예정이었던 웨이퍼(W)는, 단위 블록(D4)에 대응한 전달 모듈(TRS1)로 반송되고, 당해 단위 블록(D4)에서 처리를 받는다. 전달 모듈(CPL52, 53)로 반송된 다른 웨이퍼(W)에 대해서는, 통상 반송 모드 실행시와 마찬가지로 단위 블록(D5, D6)에 대응한 전달 모듈(TRS4, TRS7)로 각각 반송되고, 당해 단위 블록(D5, D6)에서 처리를 받는다. 단위 블록(D4 내지 D5) 이후, 웨이퍼(W)는 통상 반송 모드 실행시와 마찬가지로 반송된다. 그리고 웨이퍼(W)의 반송이 정지한 제1 후방측 단위 블록(D1)에 대해, 사용자는 상술한 바와 같은 메인터넌스를 행할 수 있다.

후방측 단위 블록(D2, D3)에서 웨이퍼(W)의 처리를 행할 수 없게 된 경우도 이 예와 마찬가지로, 전달 아암(40)에 의해 D1 내지 D3 중 중 사용 가능한 후방측 단위 블록(D)으로 웨이퍼(W)가 배분되고, 웨이퍼(W)는 당해 단위 블록(D)에서 처리 후, 각 후방측 단위 블록(B4 내지 B6)으로 배분된다.

웨이퍼(W)의 처리 중에 자동으로 반송 모드가 전환되는 예에 대해 나타냈지만, 사용자가 예를 들어 설정부(57)로부터 웨이퍼(W)의 반송을 정지시키는 단위 블록을 선택하여, 반송 모드 A 내지 D로의 전환을 지시할 수도 있다. 그리고 사용자는 반송을 정지시킨 단위 블록을 상술한 바와 같이 메인터넌스할 수 있다.

상기한 예에서는 3중화된 동일한 구성의 단위 블록 중 1개로의 반송이 정지되는 예에 대해 나타내고 있지만, 동일한 구성의 단위 블록 중 2개로의 반송을 정지시켜도 된다. 또한, 반송 모드 A, B는 조합하여 실행되어도 된다. 따라서, 전방측 단위 블록(B1 내지 B3) 중 1개 또는 2개, 후방측 단위 블록(D1 내지 D3) 중 1개 또는 2개로의 웨이퍼(W)의 반송이 동시에 정지되어도 된다.

또한, 도포, 현상 장치(1)에서는, 검사 모듈(31)에서 웨이퍼(W)를 검사한 결과에 따라서, 단위 블록으로의 웨이퍼(W)의 반송을 정지시킬 수 있다. 구체적으로 설명하면, 웨이퍼(W)에 이상이 검출되었을 때에, 제어부(51)는 이상으로 된 검사 항목과, 당해 웨이퍼(W)의 ID와, 반송 경로를 서로 대응시켜 검사의 이력으로서 메모리(55)에 기억시킨다. 그리고 제어부(51)는, 지금까지 메모리(55)에 기억된 과거의 검사의 이력에 기초하여, 동일한 단위 블록을 통과한 소정의 매수의 웨이퍼(W)에, 동일한 검사 항목에 대해 이상이 검출되어 있는지 여부를 판정한다.

이상이 검출된 매수가 소정의 매수보다 적다고 판정된 경우는 처리가 속행된다. 이상이 검출된 매수가 소정의 매수 이상이라고 판정된 경우에는, 당해 단위 블록으로의 웨이퍼(W)의 반송을 정지시키도록 결정한다. 이와 같이 결정하면, 제어부(51)는 반송 정지로 되어 있지 않은 단위 블록에 웨이퍼(W)를 배분하도록, 각 전달 아암 및 인터페이스 아암의 동작을 제어하고, 이들 단위 블록을 사용하여 웨이퍼(W)의 처리가 계속된다. 또한 제어부(51)는, 반송 정지를 결정한 단위 블록에 있어서의 각 처리 모듈의 동작 및 메인 아암의 동작을 정지시킨다. 이에 의해, 사용자가 당해 단위 블록에 대해 상술한 메인터넌스를 행할 수 있다.

이와 같이 검사 결과에 따라 단위 블록의 반송을 정지시키는 경우는, 상기한 반송 모드 A, B 실행시와 달리, 예를 들어 이상이 발생한 웨이퍼(W)가 통과하는 모든 단위 블록에 대해 반송이 정지된다. 즉, 단위 블록(B1 내지 B3 및 D1 내지 D3) 외에, 단위 블록(B4 내지 B6 및 D4 내지 D6)에 대해서도, 이상으로 된 웨이퍼(W)가 통과한 단위 블록으로의 반송이 정지된다.

또한, 도포, 현상 장치(1)에서는, 처리 모듈마다 웨이퍼(W)의 반송을 정지시킬 수 있다. 구체적으로 설명하면, 제어부(51)는 웨이퍼(W)에 이상이 검출되었을 때에, 상술한 바와 같이 검사의 이력을 기억시킨다. 계속해서, 과거의 검사의 이력을 참조하여, 동일한 처리 모듈을 통과한 웨이퍼(W) 중, 소정의 매수의 웨이퍼(W)에 동일한 검사 항목에 대해 이상이 검출되어 있다고 판정한 경우에, 제어부(51)가 당해 처리 모듈로의 웨이퍼(W)의 반송을 정지시킨다. 즉, 단위 블록에 있어서, 반송 정지로 된 처리 모듈 이외의 동종의 처리 모듈로 웨이퍼(W)가 반송되어, 단위 블록에서의 웨이퍼(W)의 반송이 계속된다. 단, BCT, COT, TCT 및 BST에 대해서는, 각 단위 블록에 1기씩 설치되어 있으므로, 이들 액처리 모듈로의 반송 정지가 결정된 경우에는, 예를 들어 당해 액처리 모듈을 포함하는 단위 블록으로의 웨이퍼(W)의 반송이 정지한다. 이와 같이 단위 블록마다 웨이퍼(W)의 반송을 정지시킬지, 처리 모듈 단위로 웨이퍼(W)의 반송을 정지시킬지에 대해서는, 설정부(57)로부터 사용자가 설정할 수 있다.

이 도포, 현상 장치(1)에 따르면, 웨이퍼(W)에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하기 위한 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)을 적층하고, 레지스트막 상에 상층측의 막을 형성하기 위한 후방측 단위 블록(D1 내지 D3)을 적층하고, 이들 적층체를 전후로 연결하는 동시에, 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)과, 대응하는 후단 처리용 후방측 단위 블록(D1 내지 D3) 사이에서 기판의 전달을 행하는 전달 모듈과, 각 층의 전달 모듈 사이에서 전달 아암(40)에 의해 웨이퍼(W)의 전달을 할 수 있도록 구성되어 있다. 따라서, 전방측 단위 블록(B1 내지 B3) 중 어느 하나를 고장이나 메인터넌스 등에 의해 사용할 수 없게 되어도, 사용 가능한 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)에서 처리를 행한 후, 후방측 단위 블록(D1 내지 D3)의 각 층에 웨이퍼(W)를 배분할 수 있다. 또한, 후방측 단위 블록(D1 내지 D3) 중 어느 하나를, 고장이나 메인터넌스 등에 의해 사용할 수 없게 되어도, 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)에서 처리를 행한 후, 후방측 단위 블록(D1 내지 D3) 중, 사용 가능한 각 층으로 웨이퍼(W)를 배분할 수 있다. 그것에 의해, 처리량의 저하를 도모할 수 있다. 또한, 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)의 적층체에, 현상 처리를 행하기 위한 전방측 단위 블록(B4 내지 B6)을 적층하고 있으므로, 장치의 설치 면적을 억제하면서, 장치의 캐리어 블록(S1)으로부터 인터페이스 블록(S3)을 향하는 길이 치수도 억제할 수 있다.

상기한 도포, 현상 장치(1)에 있어서, 후방측 단위 블록(B1 내지 B3)의 각 선반 유닛(U8 내지 U9)은, 가열 모듈(33) 외에 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)에 주연 노광을 행하는 주연 노광 모듈(WEE) 및 검사 모듈을 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 후방측 단위 블록(B1 내지 B3)에 반입된 웨이퍼(W)는, 주연 노광 모듈(WEE)→검사 모듈→보호막 형성 모듈(TCT)의 순으로 반송된다.

상기 검사 모듈에서는, 예를 들어 레지스트막의 표면의 이물질의 유무 및 레지스트의 막 두께가 검사된다. 그리고 웨이퍼(W)에 이상이 검출된 경우에는, 상술한 바와 같이 당해 웨이퍼(W)를 처리한 단위 블록 또는 처리 모듈로의 반송이 정지된다. 또한, 후방측 단위 블록(B1 내지 B3)에서 보호막 형성 모듈(TCT)→가열 모듈(33)→검사 모듈의 순으로 웨이퍼(W)를 반송하여, 보호막 형성 후의 웨이퍼(W)에 대해 이물질이나 각 막의 막 두께를 검사해도 된다. 이 경우도, 웨이퍼(W)에 이상이 검출되면, 제어부(51)가 반송 스케줄에 기초하여 상술한 판정을 행하여, 이상이 검출된 웨이퍼(W)가 통과한 처리 모듈이나 단위 블록에 대해 후속의 웨이퍼(W)의 반송의 정지가 행해진다.

또한, 각 검사 모듈의 검사 결과에 의해 각 처리 모듈로의 반송을 정지하는 데 있어서, 액처리 모듈(BCT, COT, TCT, BST 및 DEV)에 대해서는, 예를 들어 각 처리 컵마다 웨이퍼(W)의 반송의 정지를 제어할 수도 있다. 즉, 이들 각 처리 모듈에 있어서, 이상이 발생한 웨이퍼(W)를 처리한 쪽의 처리 컵(23)으로의 웨이퍼(W)의 반송이 정지하고, 당해 처리 컵(23)과 노즐(24)을 공유하고 있는 처리 컵(23)으로의 웨이퍼(W)의 반송은 계속시킬 수 있다. 이와 같이 처리 컵마다 웨이퍼(W)의 반송을 정지시키는 경우, 장치 내에서의 웨이퍼(W)의 처리 매수를 조정하기 위해, 예를 들어 1개의 BCT의 처리 컵(23)을 사용 불가로 한 경우에, 동일한 단위 블록 중 1개의 COT의 처리 컵(23)을 사용 불가로 하도록 설정할 수 있다. 마찬가지로 예를 들어 1개의 COT의 처리 컵(23)을 사용 불가로 한 경우에 동일한 단위 블록 중 1개의 BCT도 사용 불가로 설정할 수 있다. 또한, 이와 같이 COT 및 BCT의 처리 컵(23)으로의 반송이 정지된 단위 블록과 마찬가지로 구성된 단위 블록이라도, COT의 1개의 처리 컵(23) 및 BCT의 1개의 처리 컵(23)으로의 반송을 정지시킴으로써, 웨이퍼(W)의 처리 매수를 조정해도 된다.

또한, 상기한 도포, 현상 장치(1)에 있어서, TCT는 보호막 형성 모듈이 아닌, 레지스트막의 상층에 반사 방지막을 형성하는 모듈이라도 좋다. 또한, 소수화 처리 모듈(ADH)에 의한 소수화 처리는, 반사 방지막 형성 모듈(BCT)에 의해 반사 방지막의 형성 전에 행하는 대신에, 상기 반사 방지막의 형성 후, 레지스트 도포 전에 행해도 되고, 레지스트 도포 후, 웨이퍼(W)를 단위 블록(B3, B4)으로 반송하기 전에 행해도 된다.

제1 전방측 단위 블록(B1)의 액처리 유닛(21)에 있어서, 웨이퍼(W)에 공급된 약액은, 예를 들어 도포, 현상 장치의 하방측에 설치된 도시하지 않은 배액로를 향해 배액된다. 반사 방지막 형성 모듈(BCT), 레지스트막 형성 모듈(COT)에 의해 웨이퍼(W)에 공급되는 약액의 점도는, 현상액의 점도보다도 높다. 따라서, 이 실시 형태와 같이 현상 모듈(DEV)을 상측의 단위 블록에 배치하고, 다른 액처리 모듈을 하측의 단위 블록에 배치함으로써, 각 약액을 빠르게 배출시킬 수 있다. 그 결과로서, 각 처리 모듈에 있어서 약액이 휘발하는 것을 방지할 수 있으므로, 액처리 유닛(21) 내의 처리 환경이 변화되는 것을 방지할 수 있다. 단, 현상 모듈(DEV)을 포함하는 단위 블록이, 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트막 형성 모듈(COT)을 포함하는 단위 블록보다도 하방에 위치하고 있어도 된다.

도 11에는, 다른 인터페이스 블록(S4)의 구성을 도시하고 있다. 이 도 11의 인터페이스 블록(S4)에서는, 노광 전 세정 모듈(RD1 내지 RD4)이 적층되어 설치되어 있다. 노광 전 세정 모듈(RD1 내지 RD4)은, 노광 전의 웨이퍼(W)의 표면에 세정액을 공급하여, 당해 웨이퍼(W)의 표면 용출물을 씻어낸다. 이 노광 전 세정 모듈(RD1 내지 RD4)이 설치되는 것을 제외하고, 도 11의 인터페이스 블록(S4)은, 도 6의 인터페이스 블록(S4)과 동일하게 구성되어 있다.

후방측 단위 블록(B4 내지 B6)에서 처리되고, 도 11의 인터페이스 블록(S4)의 전달 모듈(TRS2, TRS5, TRS8)로 각각 반송된 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(36)에 의해 노광 전 세정 모듈(RD1 내지 RD4)로 반송되어 세정된다. 세정 후, 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(36)→전달 모듈(BU22, BU23)→인터페이스 아암(37)→전달 모듈(CPL54)→노광 처리(S5)의 순으로 반송된다.

또한, 도 12에는 다른 인터페이스 블록(S4)의 구성을 도시하고 있다. 이 인터페이스 블록(S4)에는, 이면 세정 모듈(BST1 내지 BST4)이 적층되어 설치되어 있다. 이와 같이 인터페이스 블록(S4)에 이면 세정 모듈(BST)이 설치되는 대신에, 당해 인터페이스 블록(S4)에 접속되는 후방측 처리 블록(S3)에는, 이면 세정 모듈(BST)이 설치되어 있지 않다.

이 인터페이스 블록(S4)에 있어서, 전달 모듈(CPL51, CPL52, CPL53)로 각각 반송된 웨이퍼(W)는, 예를 들어 인터페이스 아암(37)→전달 모듈(BU22)→이면 세정 모듈(BST1 내지 BST4)로 반송되어 이면 세정되고, 인터페이스 아암(36)→전달 모듈(BU23)→인터페이스 아암(37)의 순으로 반송되고, 이후는 상술한 반송 경로로 노광 처리(S5)로 전달된다. 또한, 이와 같이 이면 세정 모듈(BST)을 인터페이스 블록(S4)에 배치한 경우, 노광 후 세정 모듈(PIR)을 이면 세정 모듈(BST) 대신에 후방측 단위 블록(D4 내지 D6)에 배치해도 된다.

또한, 상기한 도포, 현상 장치(1)는, 후방측 단위 블록(D4 내지 D6) 중 사용 불가로 된 단위 블록을 피하여 반송을 행하는 반송 모드 C를 구비하고 있어도 된다. 이 반송 모드 C에서는, 후방측 단위 블록의 선반 유닛(U10) 및 인터페이스 블록(S4)의 선반 유닛(U11) 중, 사용 불가로 된 상기 단위 블록으로 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달 모듈로의 반송이 정지된다. 그리고 노광 후, 선반 유닛(U10)으로 반송된 웨이퍼(W)에 대해서는, 각 전방측 단위 블록(B4 내지 B6)으로 배분된다.

예를 들어, 후방측 단위 블록(D4)의 반송 아암(E4)이 고장나면, 인터페이스 아암(37)은, 당해 후방측 단위 블록(D4)에 대응하는 전달 모듈(TRS1 내지 TRS3)로의 액세스를 정지시킨다. 그리고 후방측 단위 블록(D1 내지 D3)에서 처리되어, 전달 모듈(CPL51 내지 53)로 반입된 웨이퍼(W)를, 후방측 단위 블록(D5, D6)에 대응한 전달 모듈(TRS4, TRS7)로 배분한다. 또한, 인터페이스 아암(37)은, 노광 완료된 웨이퍼(W)를, 후방측 단위 블록(D5, D6)에 대응한 전달 모듈(TRS6, TRS9)로 배분한다. 그리고 후방측 단위 블록(D5 내지 D6)으로부터 전달 모듈(CPL42, CPL43)로 반송된 노광 완료된 웨이퍼(W) 중, 예를 들어 후방측 단위 블록(D4)에서 처리될 예정이었던 웨이퍼(W)는, 전달 아암(40)에 의해 CPL41로 전달된다. 그리고 각 전달 모듈(CPL41, 42, 43)의 웨이퍼(W)는, 전방측 단위 블록(B4 내지 B6)으로 반송되어 현상 처리를 받는다.

또한, 상기한 도포, 현상 장치(1)는, 전방측 단위 블록(B4 내지 B6) 중 사용 불가로 된 단위 블록을 피하여 반송을 행하는 반송 모드 D를 구비하고 있어도 된다. 이 반송 모드 D에서는, 노광 처리를 받아, 선반 유닛(U10)의 전달 모듈(CPL41, CPL42, CPL43)로 반송된 웨이퍼(W) 중, 사용 불가로 된 상기 단위 블록에 대응하는 전달 모듈(CPL)로 전달된 웨이퍼(W)를, 전달 아암(40)에 의해 다른 전달 모듈(CPL)로 반송한다. 그리고 전방측 단위 블록(B4 내지 B6) 중 사용 가능한 단위 블록에서 현상 처리한다.

예를 들어, 전방측 단위 블록(B4)의 반송 아암(A4)이 고장나면, 전달 아암(40)은, 노광 처리를 받아 전달 모듈(CPL41)로 반송된 웨이퍼(W)를 예를 들어 전달 모듈(CPL42, CPL43)로 교대로 반송한다. CPL42, CPL43으로 반송된 웨이퍼(W)는, 전방측 단위 블록(B5, B6)에서 각각 현상 처리를 받는다. 반송 모드 C, D는 반송 모드 A, B와 마찬가지로, 사용자가 임의로 통상 반송 모드로부터 전환할 수 있다. 또한, 반송 모드 A, B와 동시에 실행할 수도 있다.

또한, 도 13에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 전달 아암(40) 대신에, 선반 유닛(U10)에 의해 단위 블록(B1 내지 B3)에 대응하는 각 전달 모듈에 웨이퍼(W)를 반송하는 제1 전달 아암(41)과, 예를 들어 단위 블록(B4 내지 B6)에 대응하는 각 전달 모듈에 웨이퍼(W)를 반송하는 제2 전달 아암(42)을 설치해도 된다. 이들 제1 및 제2 전달 아암(41, 42)은 서로 별개로 구성되고, 독립적으로 웨이퍼(W)를 반송함으로써, 각 아암의 반송의 부하를 억제하여, 처리량의 향상을 도모할 수 있다.

A1 내지 A6 : 메인 아암
BCT : 반사 방지막 형성 모듈
B1 내지 B6 : 전방측 단위 블록
COT : 레지스트막 형성 모듈
DEV : 현상 모듈
D1 내지 D6 : 후방측 단위 블록
TCT : 보호막 형성 모듈
S1 : 캐리어 블록
S2 : 전방측 처리 블록
S3 : 후방측 처리 블록
S4 : 인터페이스 블록
W : 웨이퍼
1 : 도포, 현상 장치
27, 33 : 가열 모듈
30, 40 : 전달 아암
51 : 제어부

Claims

캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에 의해 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치로 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 되돌아온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
a) 상기 처리 블록은,
기판에 하층측의 반사 방지막을 형성하기 위해 약액을 공급하는 하층용 액처리 모듈과, 상기 반사 방지막 상에 레지스트막을 형성하기 위해 레지스트액을 공급하는 도포 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 신장되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 전단 처리용 단위 블록을 복수 상하로 적층한 것과,
복수의 전단 처리용 단위 블록의 인터페이스 블록측에 당해 전단 처리용 단위 블록에 인접하여 각각 설치되고, 레지스트막이 형성된 기판에 상층측의 막을 형성하기 위해 약액을 공급하는 상층용 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 신장되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 복수의 후단 처리용 단위 블록과,
전단 처리용 단위 블록과, 대응하는 후단 처리용 단위 블록 사이에 각각 설치되고, 양 단위 블록의 반송 기구 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 도포 처리용 전달부와,
각 단의 도포 처리용 전달부 사이 및 각 단의 현상 처리용 전달부 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능하게 설치된 보조 이동 탑재 기구와,
전단 처리용 단위 블록을 복수 상하로 적층한 것에 대해, 상하 방향으로 적층되고, 기판에 현상액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 신장되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 현상 처리용 단위 블록이 복수 상하로 적층된 것과,
복수의 현상 처리용 단위 블록의 인터페이스 블록측에 당해 현상 처리용 단위 블록에 인접하여 각각 설치되고, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 신장되는 직선 반송로 상을 이동하고, 기판을 반송하기 위한 단위 블록용 반송 기구를 구비한 복수의 보조용 단위 블록과,
현상 처리용 단위 블록과, 대응하는 보조용 단위 블록 사이에 설치되고, 양 단위 블록의 반송 기구 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 현상 처리용 전달부를 구비한 것과,
b) 각 단위 블록마다 캐리어 블록측에 설치되고, 각 단위 블록의 반송 기구와의 사이에서 기판의 전달을 행하는 반입출용 전달부와,
c) 캐리어로부터 전단 처리용 각 단위 블록에 대응하는 상기 반입출용 전달부에 기판을 배분하여 전달하는 동시에, 현상 처리용 각 단위 블록에 대응하는 반입출용 전달부로부터 기판을 캐리어로 복귀시키기 위한 제1 전달 기구와,
d) 상기 처리 블록에서 처리된 노광 전의 기판을 수취하여, 노광 후의 기판을 현상 처리용 단위 블록에 배분하여 전달하기 위한 제2 전달 기구와,
e) 상기 보조용 단위 블록은, 당해 보조용 단위 블록 내의 반송 기구와 상기 후단 처리용 단위 블록으로 처리된 기판의 이면측을 세정하기 위한 이면 세정 모듈을 구비하고 있는 것과,
f) 상기 보조용 단위 블록 내의 반송 기구와 상기 제2 전달 기구 사이에서 기판의 전달을 행하기 위해서 각 보조용 단위 블록들에 설치된 보조용 단위 블록 반출입용 전달부와,
g) 상기 제2 전달 기구는 각 후단 처리용 단위 블록으로 처리된 노광 전의 기판을 수취하고, 상기 각 보조용 단위 블록 반출입용 전달부에 기판을 할당하여 반송함과 함께, 상기 이면 세정 모듈에서 처리된 기판을 노광 장치에 반송하기 위하여 상기 보조용 단위 블록 반출입용 전달부에서 반출하는 것과,
h) 상기 제2 전달 기구는 노광 완료 기판을 각 현상 처리용 단위 블록에 할당하여 반송하기 위하여 상기 보조용 단위 블록 반출입용 전달부에 반송하는 것과,
i) 상기 보조용 단위 블록 내의 반송 기구는 상기 노광 전의 기판을 상기 보조용 단위 블록 반출입용 전달부와 상기 이면 세정 모듈 사이에서 반송하고, 상기 노광 완료 기판을 상기 보조용 단위 블록 반출입용 전달부와 상기 현상 처리용 전달부 사이에서 반송하는 것을 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
제1항에 있어서, 전단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생하였을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않고, 다른 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 스텝과, 이 스텝 후, 당해 기판을 상기 보조 이동 탑재 기구를 통해, 사용 불가로 된 단위 블록의 인터페이스 블록측의 후단 처리용 단위 블록으로 반송하는 스텝을 포함하는 모드를 실행하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 후단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생하였을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않고, 사용 불가로 된 단위 블록의 캐리어 블록측의 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 스텝과, 이 스텝 후, 당해 기판을 상기 보조 이동 탑재 기구를 통해, 다른 계층의 후단 처리용 단위 블록으로 기판을 반송하는 스텝을 포함하는 모드를 실행하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
제2항에 있어서, 상기 처리 블록에는 당해 처리 블록으로 처리된 기판에 대해서 미리 설정된 검사를 행하는 검사 모듈이 설치되고,
상기 검사 모듈에 의해 기판에 이상이 검출되면 상기 제어부는 당해 검사 모듈에 반송될 때까지 상기 기판이 통과한 단위 블록에 기초하여 상기 문제가 발생한 단위 블록을 특정하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 하층용 액 처리 모듈 및 레지스트 액을 공급하는 도포 모듈은 각각 복수의 처리 컵을 구비하고,
1개의 전단 처리용 단위 블록 내에 있어서의 상기 액 처리 모듈 및 상기 도포 모듈 중 한쪽의 모듈의 1개의 처리 컵이 사용 불가가 되었을 때에 상기 액 처리 모듈 및 상기 도포 모듈 가운데 다른 쪽의 모듈의 1개의 처리 컵을 사용 불가로 하는 제어부가 설치되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 전단 처리용 단위 블록의 적층수 및 후단 처리용 단위 블록의 각각의 적층수는 3층인 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 현상 처리용 단위 블록의 적층수는 3층인 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 보조용 단위 블록 내의 반송 기구는, 각 단의 도포 처리용 전달부 사이의 반송을 행하기 위한 제1 보조 이동 탑재 기구와, 각 단의 현상 처리용 전달부 사이의 반송을 행하기 위한 제2 보조 이동 탑재 기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
제1항에 기재된 도포, 현상 장치를 이용한 도포, 현상 방법에 있어서,
상기 복수의 전단 처리용 단위 블록 중 어느 하나의 전단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생하였을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않고, 상기 복수의 전단 처리용 단위 블록 중 다른 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 단계와,
계속해서 당해 기판을 상기 보조 이동 탑재 기구를 통해, 사용 불가로 된 단위 블록의 인터페이스 블록측의 후단 처리용 단위 블록으로 반송하는 단계와,
그 후, 당해 후단 처리용 단위 블록 내의 모듈에 의해, 상층측의 막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 방법.
제1항에 기재된 도포, 현상 장치를 이용한 도포, 현상 방법에 있어서,
상기 복수의 후단 처리용 단위 블록 중 어느 하나의 후단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생하였을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않고, 사용 불가로 된 단위 블록의 캐리어 블록측의 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 단계와,
계속해서 당해 기판을 상기 보조 이동 탑재 기구를 통해, 다른 계층의 후단 처리용 단위 블록으로 반송하는 단계와,
그 후, 당해 후단 처리용 단위 블록 내의 모듈에 의해, 상층측의 막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 방법.
도포, 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
상기 컴퓨터 프로그램은, 제9항 또는 제10항에 기재된 도포, 현상 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 하는, 기억 매체.