CN102315091B - 涂敷显影装置和涂敷显影方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种涂敷显影装置、涂敷显影方法和存储介质，在单位块发生异常时，进行维修时，抑制涂敷显影装置的生产率降低并且抑制处理块的设置面积。构成涂敷显影装置，具备：层叠的前段处理用的单位块；在各个对应的层叠的后段处理用的单位块之间设置、在两单位块的搬送机构之间进行基板的交接用的涂敷处理用的交接部；在各段的涂敷处理用的交接部之间进行基板的搬送用的能够自由升降的辅助移载机构；在上述前段处理用的单位块层叠的显影处理用的单位块。在各层之间交接基板，能够避免不可以使用的单位块搬送基板。此外，显影用的单位块和前段处理用的单位块层叠，抑制设置面积。

Description

涂敷显影装置和涂敷显影方法
技术领域
本发明涉及在基板上涂敷抗蚀剂，进行显影的涂敷显影装置、涂敷显影方法和存储介质。
背景技术
在作为半导体制造工序的一个的光敏蚀刻工序中，半导体晶片(以下，称为晶片)的表面涂敷抗蚀剂，在规定图案曝光该抗蚀剂之后，进行显影，形成抗蚀剂图案。形成上述抗蚀剂图案用的涂敷显影装置中，设置具备在晶片上进行各种处理用的处理模块的处理块。
处理块，例如专利文献1所记载，通过相互层叠形成抗蚀剂膜等的各种涂敷膜的单位块和进行显影处理的单位块构成。各单位块上设置晶片的搬送机构，通过该搬送机构，晶片依次交接至各单位块上设置的处理模块接受处理。
在此，为了形成更细微的图案，进一步降低成品率，上述处理块上设置的处理模块需要多样化。例如，在晶片上涂敷抗蚀剂的抗蚀剂膜形成模块和供给显影液的显影模块之外，还有设置对涂敷了抗蚀剂的晶片的背面进行清洁的背面清洁模块、向抗蚀剂的上层供给药液进一步形成膜的上层用的液处理块等的情况。研究这些各种处理模块搭载在处理块上，如何抑制涂敷显影装置的占地面积。
上述层叠单位块的结构，用于抑制上述占地面积很有效，但是晶片依次向各单位块搬送，因此，1个处理模块或单位块发生异常，进行维修时，就不得不停止涂敷显影装置的整个处理。如此，会有装置的生产率降低的问题。
专利文献：【专利文献1】日本特开2007-115831
发明内容
本发明是由此而发明的，提供一种在单位块发生异常进行维修时，能够抑制涂敷显影装置的生产率的降低并且抑制处理块的设置面积的技术。
本发明的涂敷显影装置，将通过载体搬入载体块的基板交接至处理块，该基板在该处理块中形成含有抗蚀剂膜的涂敷膜之后，通过相对于上述处理块位于与载体块相反侧的接口块(即接口快位于处理块与载体块之间)搬送到曝光装置，对通过上述接口块返回的曝光后的基板在上述处理块进行显影处理，并将其交接至上述载体块，该涂敷显影装置的特征在于，包括：
a)上述处理块，上述处理块包括：
上下层叠多个前段处理用的单位块形成的部件，该前段处理用的单位块具备：为了在基板上形成下层侧的防反射膜而供给药液的下层用的液处理模块；为了在上述防反射膜上形成抗蚀剂膜而供给抗蚀剂液的涂敷模块；对基板进行加热的加热模块；用于在这些模块之间搬送基板，在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构；
多个后段处理用的单位块，具备：在多个前段处理用的单位块的接口块侧与该前段处理用的单位块相邻地分别设置、为了在形成有抗蚀剂膜的基板上形成上层侧膜而供给药液的上层用的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；用于在这些模块之间搬送基板，在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构；
在前段处理用的单位块和对应的后段处理用的单位块之间分别设置、在两单位块的搬送机构之间进行基板的交接用的涂敷处理用的交接部；
在各段的涂敷处理用的交接部之间和各段的显影处理用的交接部之间进行基板的搬送用的能够自由升降而设置的辅助移载机构；
上下层叠多个显影处理用的单位块形成的部件，该显影处理用的单位块具备：相对于上下层叠多个前段处理用的单位块形成的部件，在上下方向层叠，向基板供给显影液的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构；
具备在多个显影处理用的单位块的接口块侧与该显影处理用的单位块相邻地分别设置的、在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动、用于搬送基板的单位块用的搬送机构的辅助用的单位块；
设置在显影处理用的单位块和对应的辅助用的单位块之间、用于在两单位块的搬送机构之间进行基板的交接的显影处理用的交接部，
b)按照各单位块设置在载体块侧，在各单位块的搬送机构之间进行基板的交接的搬入搬出用的交接部，
c)用于从载体将基板分配并交接至对应于前段处理用的各单位块的上述搬入搬出用的交接部，并且从对应于显影处理用的各单位块的搬入搬出用的交接部使基板返回载体的第一交接机构，
d)用于接收在上述处理块中处理后的曝光前的基板，将曝光后的基板分配并交接至显影处理用的单位块的第二交接机构。
本发明的具体实施方式，例如如下：
(1)辅助用的单位块具备：通过该辅助用的单位块内的搬送机构，进行基板的搬送，对形成有抗蚀剂膜的基板的背面侧进行清洁用的背面清洁模块。
(2)具备控制部，执行如下模式，该模式包括：在前段处理用的单位块发生故障时或进行维修时，不使用该单位块，通过其它的前段处理用的单位块在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的步骤；该步骤之后，通过上述辅助移载机构，将该基板搬送到不使用的单位块的接口块侧的后段处理用的单位块的步骤。
(3)具备控制部，执行如下模式，该模式包括：在后段处理用的单位块发生故障或进行维修时，不使用该单位块，在不使用的单位块的载体块侧的前段处理用的单位块在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的步骤；和该步骤之后，通过上述辅助移载机构，将该基板搬送到其它阶层的后段处理用的单位块的步骤。
(4)前端处理用的单位块的层叠数和后段处理用的单位块的各个的层叠数为3层。
(5)显影处理用的单位块的层叠数为3层。
(6)上述辅助搬送机构，具备：用于在各段涂敷处理用的交接部之间进行搬送的第一辅助移载机构；和用于在各段的显影处理用的交接部之间进行搬送的第二辅助移载机构。
本发明的涂敷显影方法，其特征在于，使用上述涂敷显影，实施：在前段处理用的单位块发生故障或进行维修时，不使用该单位块，通过其它的前段处理用的单位块在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的工序；
接着，通过辅助移载机构，将该基板搬送到不使用的单位块的接口块侧的后段处理用的单位块的工序；
其后，通过该后段处理用的单位块内的模块，形成上层侧的膜的工序。
本发明的其它的涂敷显影方法，其特征在于，使用上述涂敷显影装置，实施：在后段处理用的单位块发生故障或进行维修时，不使用该单位块，通过不使用的单位块的载体块侧的前段处理用的单位块在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的工序；
接着，通过辅助移载机构，将该基板搬送到其它的阶层的后段处理用的单位块的工序；
然后，通过该后段处理用的单位块内的模块，形成上层侧的膜的工序。
本发明的存储介质，是存储有涂敷显影装置用的计算机程序的存储介质，
上述计算机程序，为实施上述涂敷显影方法用的程序。
本发明具备多个层叠在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜用的前段处理用的单位块，多个层叠在抗蚀剂膜上形成上层侧膜用的后段处理用的单位块，前后连接这些层叠体，并且在前段处理用的单位块和对应的后段处理用的单位块之间交接基板的交接部，能够在各层的交接部之间通过辅助移载机构进行基板的交接。因此，即使前段处理用的单位块和后段处理用的单位块的任意一个都不能使用，也能够利用上述辅助移载机构，通过另一个单位块进行处理，实现防止生产率的降低。此外，上述层叠体上层叠多个进行显影处理用的单位块，不仅能够抑制装置的设置面积，还能够抑制装置的进深尺寸(沿着连接载体块和接口块的方向的尺寸)。
附图说明
图1为本发明的涂敷显影装置的平面图。
图2为上述涂敷显影装置的立体图。
图3为上述涂敷显影装置的纵截侧面图。
图4为上述涂敷显影装置的液处理模块的纵截侧面图。
图5为后方侧处理块的纵截正面图。
图6为接口块的纵截正面图。
图7为上述涂敷显影装置的控制部的结构图。
图8为表示上述涂敷显影装置中的晶片的搬送路径的流程图。
图9为表示上述涂敷显影装置中的晶片的搬送路径的流程图。
图10为表示上述涂敷显影装置中的晶片的搬送路径的流程图。
图11为接口块的纵截正面图。
图12为接口块的纵截正面图。
图13为涂敷显影装置的概略纵截侧面图。
具体实施方式
说明本发明的涂敷显影装置1。图1为本发明的涂敷显影装置1适用于抗蚀剂图案形成装置的情况的一个实施方式的平面图，图2为其概略立体图，图3为其概略侧面图。该涂敷显影装置1，直线状地排列搬入搬出密闭收纳有例如25个作为基板的晶片W的载体C用的载体块S1、对晶片W进行处理的处理块S20、接口块S4而构成。接口块S4上连接有进行液浸曝光的曝光装置S5。
在上述载体块S1设置有载置上述载体C的载置台11、从该载置台11观察设置在前方壁面的开闭部12、通过开闭部12从载体C取出晶片W用的交接臂13。交接臂13在上下方向具备5个晶片保持部14，能够自由进退、自由升降、围绕铅直方向(垂直方向)自由旋转、在载体C的排列方向自由移动。后述的控制部51，分配给载体C的晶片W序号，交接臂13从序号小的开始每5个依次将晶片W一起交接至处理块S20的交接模块BU1。此外，能够载置晶片W的场所记为模块，该模块中对晶片W进行加热、液处理、气体供给或周边曝光等的处理的模块记为处理模块。此外，处理模块中，向晶片W供给药液、清洁液的模块记为液处理模块。
处理模块S20由设置在载体块S1侧的前方侧处理块S2和接口块S4侧设置的后方侧处理块S3构成。参考前方侧处理块S2和后方侧处理块S3的概略纵截侧面图的图4继续进行说明。前方侧处理块S2从下依次层叠对晶片W进行液处理的第一～第六前方侧单位块B1～B6而构成。这些前方侧单位块B1～B6具备液处理模块、加热模块、单位块用的搬送单元的主臂A、上述主臂A移动的搬送区域R1，各前方侧单位块B与这些配置的布置同样构成。各前方侧单位块B通过主臂A相互独立搬送晶片W，进行处理。
图1中，表示第一前方侧单位块B1，以下，以该第一前方侧单位块B1为代表进行说明。该第一前方侧单位块B1的中央形成从载体块S1向着后方侧处理块S3的上述搬送区域R1。该搬送区域R1从载体块S1向第二处理块S3侧看在左右分别配置液处理单元21、架单元U1～U6。
液处理单元21上设置防反射膜形成模块BCT1、抗蚀剂膜形成模块COT1，从载体块S1侧向第二处理块S3侧依次排列BCT1、COT1。防反射膜形成模块BCT1沿着搬送区域R1的形成方向具备2个旋转夹具22，旋转夹具22吸附保持晶片W的背面中央部并且围绕铅直轴自由旋转。图中23为处理罩(处理杯)，上侧开口。处理罩23包围旋转夹具22的周围，抑制药液的飞散。处理晶片W时，在该处理罩23内收容晶片W，晶片W的背面中央部保持在旋转夹具22上。
此外，防反射膜形成模块BCT1上设置各处理罩23共用的喷嘴24。图中25为支撑喷嘴24的臂，图中26为驱动机构。驱动机构26通过臂25使喷嘴24在各处理罩23的排列方向移动，并且通过臂25使得喷嘴24升降。通过驱动机构26，喷嘴24在防反射膜形成模块BCT1的各处理罩23之间移动，向交接至各旋转夹具22的晶片W的中心喷出防反射膜形成用的药液。供给的药液通过上述旋转夹具22围绕铅直轴(垂直轴)旋转的晶片W的离心力，向晶片W的周边延伸，形成防反射膜。此外，图示虽然省略，但防反射膜形成模块BCT1具备向晶片W的周端部供给溶剂，除去该周端部不需要的膜的喷嘴。
抗蚀剂膜形成模块COT1、COT2，与防反射膜形成模块BCT1、BCT2同样结构。即，抗蚀剂膜形成模块COT1每2个具备用于处理各个晶片W的处理罩23和旋转夹具(旋转卡盘、spin chuck)22，2个处理罩23和旋转夹具22共有喷嘴24。只是，从上述喷嘴24供给抗蚀剂代替防反射膜形成用的药液。
架单元U1～U6从载体块S1侧向着接口块S3侧依次排列。各架单元U1～U6例如层叠2段进行晶片W的加热处理的加热模块。由此，前方侧单位块B1具备12个加热模块27。上述搬送区域R1上设置上述主臂A1。该主臂A1能够自由进退、自由升降、围绕铅直轴自由旋转，从载体块S1侧向后方侧处理块S3侧能够自由移动，单位块B1的全部的模块之间进行晶片W的交接。
说明前方侧单位块B2～B3。第二前方侧单位块B2和第三前方侧单位块B3与已述的第一前方侧单位块B1同样结构。如图4所示，第二前方侧单位块B2上设置的防反射膜形成模块为BCT2、2个抗蚀剂膜形成模块为COT2。第三前方侧单位块B3上设置的防反射膜形成模块为BCT3，防反射膜形成模块为COT3。前方侧单位块B1～B3构成前段处理用的单位块。
接着，对作为显影处理用的单位块的前方侧单位块B4～B6进行说明。第四前方侧单位块B4与第一前方侧单位块B1的差异点在于，代替防反射膜形成模块BCT和抗蚀剂膜形成模块COT，具备显影模块DEV1、DEV2。第五前方侧单位块B5和第六前方侧单位块B6与第四前方侧单位块B4同样构成，各个具备2个显影模块DEV。第五前方侧单位块B5上设置的显影模块为DEV3、DEV4。第六前方侧单位块B6上设置的显影模块为DEV5、DEV6。显影模块DEV与抗蚀剂膜形成模块COT同样结构，但是代替抗蚀剂向晶片W供给显影液。
各层的搬送区域R1的载体块S1侧，如图1和图3所示，横跨各单位块B1～B6设置架单元U7。架单元U7由相互层叠的多个模块构成，关于这些模块，进行以下说明。第一前方侧单位块B1的高度位置设置疏水化处理模块ADH1、ADH2和交接模块CPL1～CPL3。第二前方侧单位块B2的高度位置设置疏水化处理模块ADH3、ADH4和交接模块CPL4～CPL6。第三前方侧单位块B3的高度位置设置疏水化处理模块ADH5、ADH6和交接模块CPL7～CPL9。
第四前方侧单位块B4的高度位置设置交接模块CPL21和交接模块BU11。第五前方侧单位块B5的高度位置设置交接模块CPL22和交接模块BU12。第六前方侧单位块B6的高度位置上设置交接模块CPL23和交接模块BU13。说明中，记载为CPL的交接模块，具备对载置的晶片W进行冷却的冷却工作台。记载为BU的交接模块构成为收容多个晶片W，能够滞留。
此外，疏水化处理模块ADH1～ADH6，向包括晶片W的斜角部的表面供给处理气体，提高疏水性。由此，即使在各液处理模块除去该周端部的膜、晶片W的表面成为剥离状态，该表面也具有防水作用，抑制在液浸曝光时从该周端部剥离各膜。
此外，架单元U7中，载体S1的交接臂13能够访问的高度位置设置构成搬入搬出用交接部的交接模块BU1和CPL10。交接模块BU1为了从已述的交接臂13一起接收搬送的晶片W，在上下方向具备5个晶片W的保持部。搬送到交接模块BU1的晶片W，从通过控制部51分配的序号小的开始依次分配到各单位块。交接模块CPL10用于将晶片W返回载体C。
架单元U7上设置检查模块31。检查模块31对显影处理后的晶片W进行检查，检查图像倒置、线宽异常、抗蚀剂溶解不好等的各种的检查项目有无异常。从前方侧单位块B4～B6搬出晶片W时，搬入检查模块31的晶片W例如搬送到交接模块BU11～BU13。没有搬送到检查模块31的晶片W，从交接模块CPL不通过交接模块BU11～BU13，返回载体C。如此，控制晶片W的搬送，使得通过分别使用交接模块，按照上述序号小的顺序，即，从载体C搬出的顺序，晶片W返回载体C。
此外，前方侧处理块S2中，在架单元U7附近，设置能够自由升降、自由进退的第一交接机构的交接臂30。该交接臂30在架单元U7的各模块之间搬送晶片W。
图5为后方侧处理块S3的纵截正面图，如该图所示，后方侧处理块S3从下依次层叠对晶片W进行液处理的第一～第六后方侧单位块D1～D6分别位于与前方侧单位块B1～B6相同的高度。这些后方侧单位块D1～D6具备：液处理模块、加热模块、作为单位块用的搬送单元的主臂E、上述主臂E移动的搬送区域R2，各后方侧单位块D1～D6的配置布局俯视同样构成。各单位块D通过主臂E相互独立的搬送晶片W，进行处理。以下，参照图1，以第一后方侧单位块D1为代表进行说明。
在该第一后方侧单位块D1的中央形成从前方侧处理块S2向着接口块S4的上述搬送区域R2。从第二处理块S3侧向接口块S4侧看该搬送区域R2，在左右分别配置液处理模块32、架单元U8～U9。
液处理单元32上设置保护膜形成模块TCT1。该保护膜形成模块TCT1除去向晶片W供给防水性的保护膜的形成用的药液，与防反射膜形成模块BCT1同样结构。即，保护膜形成模块TCT1每2个具备用于处理各晶片W的处理罩23和旋转夹具22，2个处理罩23和旋转夹具22共有喷嘴24。
架单元U8～U9，从载体块S1侧向着接口块S3侧依次排列。各架单元U1～U6例如2段层叠对晶片W进行加热处理的加热模块33而构成。因此，后方侧单位块D1具备4个加热模块33。上述搬送区域R2上设置主臂E1。该主臂E1能够自由进退、自由升降、围绕铅直轴自由旋转、从前方侧处理块S2侧到接口块S4侧自由移动，在第一后方侧单位块D1的全部的模块之间能够进行晶片W的交接。
对后方侧单位块D2～D3进行说明。第二后方侧单位块D2与已述的第一后方侧单位块D1同样构成。第二后方侧单位块D2上设置的保护膜形成模块为TCT2。第三后方侧单位块D3上设置的保护膜形成模块为TCT3。后方侧单位块D1～D3构成后段处理用的单位块。
接着，对构成辅助用的单位块的后方侧单位块D4～D6进行说明。第四后方侧单位块D4与第一后方侧单位块D1的差异点在于：具备背面清洁模块BST1代替保护膜形成模块。背面清洁模块BST，代替向晶片W的表面供给药液的喷嘴24，分别设置向晶片W的背面和斜角部供给清洁液、对晶片W的背面进行清洁的喷嘴。除去此点差异，背面清洁模块BST与防反射膜形成模块BCT同样构成。此外，背面清洁模块BST也可以构成为只清洁晶片W的背面侧或只清洁上述斜角部。此外，构成架单元U8、U9的加热模块33，各自只设置一段。除去此点差异，第四后方侧单位块D4与第一后方侧单位块D1同样构成。
第五后方侧单位块D5和第六后方侧单位块D6与第四后方侧单位块D4同样结构。第五后方侧单位块D5具备背面清洁模块BST2，第六后方侧单位块D6具备背面清洁模块BST3。
各层的搬送区域R2的前方侧处理模块S2侧，如图1和图3所示，设置横跨各后方侧单位块D1～D6的架单元U10。说明该架单元U10的结构。架单元U10由相互层叠的多个模块构成。第一后方侧单位块D1的高度位置设置交接模块CPL31。第二后方侧单位块D2的高度位置设置交接模块CPL32，第三后方侧单位块D3的高度位置设置交接模块CPL33。此外，第四后方侧单位块D4的高度位置设置交接模块CPL41。第五后方侧单位块D5的高度位置设置交接模块CPL42，第六后方侧单位块D6的高度位置设置交接模块CPL43。
构成架单元U10的模块上，与该模块相同高度位置的后方侧单位块D的主臂E和前方侧单位块B的主臂A能够访问。此外，后方侧处理块S3中，在架单元U10的附近设置构成辅助移载机构的交接臂40。交接臂40能够自由升降、相对于架单元U10能够自由进退。交接臂40在位于架单元U10的单位块B1～B6的高度位置的各模块之间搬送晶片W。
接着，参照图6，说明接口块S4的结构。接口块S4各单位块的主臂A1～A6能够访问的位置上设置架单元U11。架单元U11在单位块B4、B5、B6的高度位置分别具备TRS1～TRS3、TRS4～TRS6、TRS7～TRS9。单位块B1、B2、B3的高度位置分别具备CPL51、CPL52、CPL53。此外，架单元U11具备交接模块BU21～23、CPL54。这些模块相互层叠设计。
此外，接口块S4上层叠设置例如4个曝光后清洁模块PIR1～PIR4。各曝光后清洁模块PIR与抗蚀剂膜形成模块COT同样构成，向晶片W表面供给保护膜除去和清洁用的药液代替抗蚀剂。
此外，接口块S4上设置3个接口臂35、36、37。接口臂35、36、37自由升降、自由进退构成。接口臂35能够在水平方向自由移动。接口臂35能够访问曝光装置S5、交接模块BU21、CPL52、51，在这些之间让渡晶片W。接口臂36访问交接模块BU22、BU23、TRS1～6，在这些之间让渡晶片W。接口臂37访问构成架单元U11的各模块和曝光后清洁模块PIR1～PIR4，在这些之间让渡晶片W。
接着，参照图7对涂敷显影装置1上设置的控制部51进行说明。图中的52为总线，图中的53为CPU，54为程序。该程序54上编入了向涂敷显影装置1的各部输出控制信号，如后所述在模块之间搬送晶片W，对各晶片W进行药液、清洁液的供给、加热等的处理的命令(各步骤)。该程序54，例如存储在软磁盘、光盘、硬盘、MO(光磁盘)存储卡等的存储介质，安装在控制部51上。
此外，总线52与存储器55连接。例如，存储器55具备写入处理温度、处理时间、各药液的供给量或电力值等的处理参数的值的区域，CPU53执行程序54的各命令时，读出这些的处理参数，对应于该参数值的控制信号输入该涂敷显影装置1的各部位。
此外，存储器55上设置搬送时间存储区域56。该存储区域56存储与晶片W的ID、该晶片W的搬送目的地的模块、被搬送的模块的顺序相互对应的搬送时间。此外，该搬送时间表中存储各液处理模块中2个处理罩23中，搬入哪个。该搬送时间表，在晶片W处理前预先设定，但是如后所述，决定向单位块或模块的搬送停止时，与其对应变更。
此外，在总线52上连接设定部57。设定部57例如由键盘、鼠标、触摸屏等构成，用户能够选择晶片W的搬送模式。后述的搬送模式，除了用户能够任意切换的情况之外，也有能够自动切换的情况。搬送模式切换，对应于切换的搬送模式，向各主臂A、E、交接臂13、30、40和接口臂35～37输送控制信号，切换晶片W的搬送目的地。此外，用户从设定部57指定晶片W的ID，能够设定在检查模块31进行检查的晶片W。
主臂A、E，向控制部51输出例如对应于其位置的位置信号，基于该位置信号，控制部51判定主臂A、E的动作有无异常。此外，各处理模块对应于其动作向控制部51输出信号，基于该信号，控制部51判定主臂A、E的动作有无异常。控制部51判定主臂A、E、各单位块的处理模块动作异常时，进行搬送模式变更。
(通常搬送模式)
接着，对执行通常搬送模式时的涂敷显影装置1中的晶片W的搬送路径进行说明。图8为表示该搬送路径的概略的图，从载体C取出到缓冲模块BU1的晶片W，分配到第一～第三的前方侧单位块B1～B3，分别接受处理，之后，以第一前方侧单位块B1→第一后方侧单位块D1、第二前方侧单位块B2→第二后方侧单位块D2、第三前方侧单位块B3→第三后方侧单位块D3的路径分别搬送。在第一～第三后方侧单位块D1～D3接受处理的晶片W，搬入曝光装置S5，分配到第四～第五后方侧单位块D4～D6，接受显影处理。接着，以第四后方侧单位块D4→第四前方侧单位块B4、第五后方侧单位块D5→第五前方侧单位块B5、第六后方侧单位块D6→第六前方侧单位块B6的路径分别搬送，返回载体C。
在该例中，分配到后方侧单位块D1、D2、D3的晶片W，分别分配到后方侧单位块D4、D5、D6。此外，晶片W，从控制部51分配的序号小的开始依次，例如以单位块B1、B2、B3、B1、B2、B3、B1……的顺序，循环着分配到单位块B1～B3。
晶片W的搬送路径，以模块单位详细说明，分配到第一前方侧单位块B1的晶片W，以缓冲模块BU1→交接臂30→疏水化处理模块ADH1、ADH2的顺序被搬送，进行疏水化处理。之后，主臂A1，以交接模块CPL11→防反射膜形成模块BCT1→加热模块27→交接模块CPL12→抗蚀剂膜形成模块COT1→加热模块27→交接模块CPL31的顺序搬送，在晶片W上依次形成防反射膜、抗蚀剂膜，搬入第一后方侧单位块D1。
上述晶片W，由主臂E1依次搬送到保护膜形成模块TCT1→加热模块33，形成保护膜，接着，晶片W搬送到交接模块CPL51，搬入接口块S4，交接至接口臂37→交接模块TRS1→主臂E4，搬送到背面清洁模块BST1，接受背面清洁处理。其后，晶片W以主臂E4→交接模块TRS2的顺序搬送，再次搬入接口块S4。其后，以接口臂36→交接模块BU22、BU23→接口臂37→交接模块CPL54→接口臂35→曝光装置S5的顺序搬送晶片W，进行液浸曝光。
液浸曝光后的晶片W，以接口臂35→交接模块BU21→接口臂37→曝光后清洁模块PIR1～PIR4→接口臂37→交接模块TRS3的顺序被搬送。然后，上述晶片W，由主臂E4，再次搬送到第四后方侧单位块D4，以加热模块33→交接模块CPL41的顺序被搬送。
其后，晶片W由主臂A4搬入第四前方侧单位块B4，以显影模块DEV1、DEV2→加热模块27→交接模块CPL21→交接臂30→交接模块BU12→交接臂30→检查模块31的顺序被搬送，检查后，以交接臂30→交接模块CPL10→交接臂13的顺序搬送，交接臂13使得该晶片W返回载体C。其中，不是检查对象的晶片W，在显影、加热处理后，以交接模块CPL21→交接臂30→交接臂13→载体C的顺序被搬送。
分配给第二前方侧单位块B2的晶片W，以与分配给第一前方侧单位块B1的晶片W同样的顺序，在模块之间被搬送。以下，简单说明搬送路径。上述晶片W，以缓冲模块BU1→交接臂30→疏水化处理模块ADH3、ADH4的顺序被搬送，之后，主臂A2以交接模块CPL13→防反射膜形成模块BCT2→加热模块27→交接模块CPL14→抗蚀剂膜形成模块COT2→加热模块27→交接模块CPL32的顺序搬送。
其后，以主臂E2→保护膜形成模块TCT2→主臂E2→加热模块33→主臂E2→交接模块CPL52→接口臂37→交接模块TRS4→主臂E5→背面清洁模块BST2→主臂E5→交接模块TRS5的顺序被搬送，晶片W搬入接口块S4。
在接口块S4，上述晶片W，与分配到第一前方侧单位块B1的情况同样搬送，进行曝光后清洁后，交接至交接模块TRS6。其后，晶片W，搬送到主臂E5→加热模块33→主臂E5→交接模块CPL42→主臂A5→显影模块DEV3、DEV4→加热模块27→交接模块CPL22→交接臂30→交接模块BU12→交接臂30→检查模块31，然后以与分配到单位块B4的情况相同的路径，返回载体C。对于不是检查对象的晶片W，显影、加热处理后，搬送到交接模块CPL22，然后，以与分配到单位块B4的情况同样的路径，返回载体C。
分配给第三前方侧单位块B3的晶片W，与分配给第一前方侧单位块B1的晶片W同样的顺序在模块之间搬送。以下，简单说明搬送路径。上述晶片W，以缓冲模块BU1→交接臂30→疏水化处理模块ADH5、ADH6的顺序被搬送后，主臂A3按照交接模块CPL15→防反射膜形成模块BCT3→加热模块27→交接模块CPL16→抗蚀剂膜形成模块COT3→加热模块27→交接模块CPL35的顺序被搬送。
其后，晶片W以主臂E3→保护膜形成模块TCT3→主臂E3→加热模块33→交接模块CPL53→接口臂37→交接模块TRS7→主臂E6→背面清洁模块BST3→主臂E6→交接模块TRS8的顺序被搬送，搬入接口块S4。
在接口块S4，上述晶片W，与分配到第一前方侧单位块B1的情况相同被搬送，进行曝光后清洁后，交接至交接模块TRS9。其后，被搬入主臂E6→加热模块33→主臂E6→交接模块CPL43→主臂A6→显影模块DEV5、DEV6→加热模块27→交接模块CPL23→交接臂30→交接模块BU13→交接臂30→检查模块31，之后，以与分配到单位块B4的情况同样的路径返回载体C。不是检查对象的晶片W，显影、加热处理后，搬送到交接模块CPL23，然后以与分配到单位块B4的情况同样的路径，返回载体C。
(搬送模式A)
接着，对执行搬送模式A的情况进行说明。该搬送模式A，是在前方侧单位块B1、B2、B3中，任一不进行处理的情况下执行的搬送模式，在能够处理的前方侧单位块B1～B3进行处理后，晶片W分配到单位块D1～D3进行搬送。以下，参照图9，对例如控制部51检测出搬送臂A1异常的情况进行说明。检测出上述异常，控制部51停止搬送臂A1的动作和前方侧单位块B1的各处理模块的动作。交接臂30将后续的晶片W在第二、第三前方侧单位块B2、B3交替搬送，在已述的搬送路径，各晶片W搬送到各前方侧单位块B2、B3，接受处理，然后，搬送到架单元U10的交接模块CPL32、CPL33。
搬送到交接模块CPL32、CPL33的晶片W中，例如在通常搬送模式执行时预定在单位块B1被处理的晶片W，通过交接臂40搬送到交接模块CPL31，通过主臂E1搬入后方侧单位块D1。其它的晶片W，从交接模块CPL32、CPL33通过主臂E2、E3分别搬入后方侧单位块D2、D3。以下，与通常搬送模式执行时同样，各晶片W被搬送，接受处理。晶片W的搬送停止的第一前方侧单位块B1，用户能够进行在故障时的修理、定期检查、调整确认等的维修。
前方侧单位块B2、B3中，不进行晶片W的处理的情况，也与该例相同，通过能够使用的前方侧单位块B进行处理，然后，通过交接臂40，将晶片W分配给将晶片W搬入各后方侧单位块B4～B6用的交接模块CPL。
(搬送模式B)
接着，对执行搬送模式B的情况进行说明。该搬送模式B，是后方侧单位块D1、D2、D3中的任一不进行处理的情况下执行的搬送模式，在前方侧单位块B1～B3接受处理的晶片W，分配到上述D1～D3的后方侧单位块中能够处理的后方侧单位块，其后分配到后方侧单位块D4～D6。
以下，参照图10，对例如主臂E1检测出异常的情况进行说明。控制部51停止主臂E1的动作和后方侧单位块D1的各处理模块的动作。在前方侧单位块D1处理，后续的晶片W搬送到交接模块CPL31，该晶片W，通过交接臂40，交替分配到架单元U10的交接模块CPL32、CPL33。之后，从交接模块CPL32、CPL33搬入后方侧单位块D2、D3，接受处理，然后搬送到架单元U11的交接模块CPL52、CPL53。
让渡到该交接模块CPL52、53的晶片W中，例如通常搬送模式执行时预定分别搬入后方侧单位块D1的晶片W，搬送到与单位块D4对应的交接模块TRS1，在该单位块D4接受处理。搬送到交接模块CPL52、53的其它的晶片W，与通常搬送模式执行时同样，分别搬送到对应于单位块D5、D6的交接模块TRS4、TRS7，在该单位块D5、D6接受处理。单位块D4～D5以后，晶片W与通常搬送模式执行时同样搬送。对于晶片W的搬送停止的第一后方侧单位块D1，用户能够进行已述的维修。
在后方侧单位块D2、D3，不进行晶片W的处理的情况下与该例同样，通过交接臂40将晶片W分配到D1～D3中能够使用的后方侧单位块D，晶片W在该单位块D处理后，分配到各后方侧单位块B4～B6。
示例了晶片W的处理中自动切换搬送模式的例子，但是，用户能够例如从设定部57选择停止晶片W的搬送的单位块，指示向搬送模式A～D的切换。用户能够对停止搬送的单位块进行已述的维修。
上述例子中，示例了停止向3个层叠相同结构的单位块中的1个的搬送的例子，但是，也可以停止向相同的结构的单位块中的2个的搬送。此外，也可以组合搬送模式A、B执行。因此，也可以同时停止晶片W向前方侧单位块B1～B3中1个或2个，后方侧单位块D1～D3中1个或2个的搬送。
此外，涂敷显影装置1中，能够依照在检查模块31检查晶片W的结果，停止向单位块的晶片W的搬送。具体说明如下，在晶片W检查出异常时，控制部51，将异常的检查项目、该晶片W的ID、搬送路径相互对应作为检查的履历存储在存储器55。接着，控制部51，基于直到此时存储器55中存储的过去的检查履历，判定通过相同单位块的规定个数的晶片W，相同的检查项目检查是否异常。
在判定为检查出异常的个数比规定的个数少的情况下，继续进行处理。在判定检查出异常的个数在规定的个数以上的情况下，决定停止向该单位块的晶片W的搬送。进行了如此决定，控制部51控制各交接臂和接口臂的动作，使得晶片W分配到没有停止搬送的单位块，使用这些单位块继续进行晶片W的处理。此外，控制部51，停止决定停止搬送的单位块中的各处理模块的动作和主臂的动作。由此，用户能够对该单位块进行已述的维修。
根据如此检查结果，停止单位块的搬送的情况下，与上述搬送模式A、B等的执行时不同，例如对通过发生异常的晶片W全部的单位块，停止搬送。即，单位块B1～B3和D1～D3之外，单位块B4～B6和D4～D6也一样，向通过异常发生的晶片W的单位块的搬送停止。
此外，涂敷显影装置1，能够停止向每个处理模块的晶片W的搬送。具体说明如下：控制部51检查出晶片W异常时，存储已述的检查的履历。接着，参照过去的检查的履历，通过相同处理模块的晶片W中，规定个数的晶片W针对相同的检查项目判定检测出异常的情况下，控制部51停止向该处理模块的晶片W的搬送。即，单位块中，晶片W搬送到停止搬送的处理模块以外的同种处理模块，在单位块继续晶片W的搬送。但是，对于BCT、COT、TCT和BST，各单位块每个只设置1个，因此决定停止对这些液处理模块的搬送的情况下，例如停止向包括该液处理模块的单位块的晶片W的搬送。用户能够从设定部57设定，是对每个这样的单位块停止晶片W的搬送，还是停止处理模块单位的晶片W的搬送。
根据该涂敷显影装置1，层叠用于在晶片W上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的前方侧单位块B1～B3、层叠用于在抗蚀剂膜上形成上层侧的膜的后方侧单位块D1～D3，前后连接这些层叠体，并且，通过在前方侧单位块B1～B3和对应的后段处理用的后方侧单位块D1～D3之间进行基板的交接的交接模块，和在各层的交接模块之间的交接臂40能够进行晶片W的交接。因此，即使前方侧单位块B1～B3的任一个故障或维修等不能使用，在能够使用的前方侧单位块B1～B3进行处理后，也能够将晶片W分配到后方侧单位块D1～D3的各层。此外，即使后方侧单位块D1～D3中的任一个，由于故障和维修不能使用，在前方侧单位块B1～B3进行处理后，也能够将晶片W分配到后方侧单位块D1～D3中的能够使用的各层。由此，能够实现避免生产效率的降低。此外，在前方侧单位块B1～B3的层叠体上层叠用于进行显影处理的前方侧单位块B4～B6，能够抑制装置的设置面积，抑制从装置的载体块S1向着接口块S3的长度尺寸。
上述涂敷显影装置1中，后方侧单位块B1～B3的各架单元U8～U9，除了加热模块33，也可以具备在抗蚀剂涂敷后的晶片W上进行周边曝光的周边曝光模块WEE和检查模块。这种情况下，搬入后方侧单位块B1～B3的晶片W，例如以周边曝光模块WEE→检查模块→保护膜形成模块TCT的顺序被搬送。
上述检查模块，例如检查抗蚀剂膜的表面的异物有无和抗蚀剂的膜厚。在晶片W检查出异常的情况下，如已述，停止向处理该晶片W的单位块或处理模块的搬送。此外，在后方侧单位块B1～B3，以保护膜形成模块TCT→加热模块33→检查模块的顺序搬送晶片W，对保护膜形成后的晶片W检查异物和各膜的膜厚也可以。这种情况下，在晶片W检查出异常时，控制部51基于搬送时间表，进行已述的判定，通过检查出异常的晶片W的处理模块或单位块进行后续的晶片W的搬送的停止。
此外，通过各检查模块的检查结果，停止向各处理模块的搬送，对于液处理模块BCT、COT、TCT、BST和DEV，例如能够控制向各处理罩每个的晶片W的搬送的停止。即，这些各处理模块中，向处理发生异常的晶片W的处理罩23的晶片W的搬送停止，而能够继续进行与该处理罩23共有喷嘴24的处理罩23的晶片W的搬送。如此，向处理罩23停止搬送晶片W的情况下，在装置内，为了调整晶片W的处理个数，例如不使用1个BCT的处理罩23的情况下，设定为不使用相同单位块的1个COT处理罩23。同样，例如不使用1个COT处理罩23的情况下，也不使用相同的单位块的1个BCT。即使是与如此向COT和BCT的处理罩23的搬送停止的单位块相同结构的单位块，停止向COT的1个处理罩23和BCT的1个处理罩23的搬送，调整晶片W的处理个数也可以。
此外，上述涂敷显影装置1中，TCT不是保护膜形成模块，而是在抗蚀剂膜的上层形成防反射膜的模块也可以。此外，在疏水化处理模块ADH的疏水化处理，代替在防反射膜形成模块BCT中形成防反射膜之前进行，在上述防反射膜形成后、抗蚀剂涂敷前形成也可以，在抗蚀剂涂敷后、向单位块B3、B4搬送晶片W之前进行也可以。
在第一前方侧单位块B1的液处理单元21中，向晶片W供给的药液，例如向涂敷显影装置1的下方侧设置的未图示的排液路径排出。在防反射膜形成模块BCT、抗蚀剂膜形成模块COT向晶片W供给的药液的粘度，比显影液的粘度高，因此，该实施方式中，将显影模块DEV配置为上侧的单位块，其它的液处理模块配置为下侧的单位块，各药液能够迅速排出。作为其结果，各处理模块中，能够防止药液的挥发，能够防止液处理单元21内的处理环境发生变化。但是，包括显影模块DEV的单位块，也可以位于包括防反射膜形成模块BCT、抗蚀剂膜形成模块COT的单位块的下方。
图11表示其它的接口块S4的结构。该图11的接口块S4，层叠设置曝光前清洁模块RD1～RD4。曝光前清洁模块RD1～RD4，向曝光前的晶片W的表面供给清洁液，对该晶片W的表面溶出物进行清洗。除了设置该曝光前清洁模块RD1～RD4，图11的接口块S4与图6的接口块S4同样构成。
在后方侧单位块B4～B6进行处理，分别搬入图11的接口块S4的交接模块TRS2、TRS5、TRS8的晶片W，通过接口臂36被搬送到曝光前清洁模块RD1～RD4，被清洁。清洁后，晶片W以接口臂36→交接模块BU22、交接模块BU23→接口臂37→交接模块CPL54→曝光处理S5的顺序被搬送。
此外，图12表示其它的接口块S4的结构。该接口块S4上层叠设置背面清洁模块BST1～BST4。代替如此在接口块S4上何止背面清洁模块BST，在与该接口块S4连接的后方侧处理块S3上不设置背面侧清洁模块BST。
在该接口块S4中，分别搬入交接模块CPL51、CPL52、CPL53的晶片W，例如搬送到接口臂37→交接模块BU22→背面清洁模块BST1～BST4进行背面清洁，依次搬送到接口臂36→交接模块BU23→接口臂37，以下，按照已述的搬送路径交接至曝光处理S5。此外，如此将背面清洁模块BST配置在接口块S4的情况下，也可以代替背面清洁模块BST在后方侧单位块D4～D6配置曝光后清洁模块PIR。
此外，上述涂敷显影装置1，也可以具备避开后方侧单位块D4～D6中不能使用的单位块进行搬送的搬送模式C。该搬送模式C，停止向后方侧单位块的架单元U10和接口块S4的架单元U11中，不能使用的上述单位块交接晶片W用的交接模块的搬送。曝光后，搬送到架单元U10的晶片W，分配到各前方侧单位块B4～B6。
例如，后方侧单位块D4的搬送臂E4故障，接口臂37，停止向对应于该后方侧单位块D4的交接模块TRS1～TRS3的访问。在后方侧单位块D1～D3被处理、搬入交接模块CPL51～53的晶片W，分配到与后方侧单位块D5、D6对应的交接模块TRS4、TRS7。此外，接口臂37，将曝光完成的晶片W，分配到后方侧单位块D5、D6对应的交接模块TRS6、TRS9。从后方侧单位块D5～D6搬送到交接模块CPL42、CPL43的曝光完成的晶片W中，例如预定在后方侧单位块D4处理的晶片W，通过交接臂40交接至CPL41。各交接模块CPL41、42、43的晶片W搬送到前方侧单位块B4～B6，接受显影处理。
此外，上述涂敷显影装置1也可以具备避开前方侧单位块B4～B6中不能使用的单位块进行搬送的搬送模式D。该搬送模式D，接受曝光处理，搬送到架单元U10的交接模块CPL41、CPL42、CPL43的晶片W中，将交接至与不能使用的上述单位块对应的交接模块CPL的晶片W，通过交接臂40搬送到其它的交接模块CPL。由此，通过前方侧单位块B4～B6中能够使用的单位块进行显影处理。
例如前方侧单位块B4的搬送臂A4故障，交接臂40，将接受曝光处理、搬送到交接模块CPL41的晶片W例如交替搬送到交接模块CPL42、CPL43。搬送到CPL42、CPL43的晶片W，在前方侧单位块B5、B6分别接受显影处理。搬送模式C、D与搬送模式A、B同样，用户能够从通常搬送模式任意切换。此外，能够与搬送模式A、B同时执行。
此外，图13所示，代替例如交接臂40，设置在架单元U10将晶片W搬送到对应于单位块B1～B3的各交接模块的第一交接臂41和例如将晶片W搬送到对应于单位块B4～B6的各交接模块的第二交接臂42也可以。这些第一和第二交接臂41、42相互分体构成，独立搬送晶片W，能够抑制各臂的搬送负荷，实现生产率的提高。
符号说明
A1～A6 主臂
BCT 防反射膜形成模块
B1～B6 前方侧单位块
COT 抗蚀剂膜形成模块
DEV 显影模块
D1～D6 后方侧单位块
TCT 保护膜形成模块
S1 载体块
S2 前方侧处理块
S3 后方侧处理块
S4 接口块
W 晶片
1 涂敷显影装置
27、33 加热模块
30、40 交接臂
51 控制部

Claims (9)

1.一种涂敷显影装置，包括：载体块，该载体块具有保持涂覆显影对象的基板的载体；处理块，该处理块的一端与所述载体块连接，在由载体所搬入的基板上形成含有抗蚀剂膜的涂敷膜；曝光装置，该曝光装置对基板进行曝光；和接口块，该接口块与所述处理块的另一端及所述曝光装置连接，
被所述处理块形成了包括抗蚀剂膜的涂覆膜的基板经由所述接口块被搬送到曝光装置，对通过所述接口块返回的曝光后的基板在所述处理块中进行显影处理，并将其交接至所述载体块，该涂敷显影装置的特征在于，包括：
a)所述处理块，所述处理块包括：
上下层叠多个前段处理用的单位块而形成的部件，该前段处理用的单位块具备：用于在基板上形成下层侧的防反射膜供给药液的下层用液处理模块；用于在所述防反射膜上形成抗蚀剂膜供给抗蚀剂液的涂敷模块；对基板进行加热的加热模块；和用于在这些模块之间搬送基板，在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构；
多个后段处理用的单位块，其在多个前段处理用的单位块的接口块侧与该前段处理用的单位块分别相邻地设置，该后段处理用的单位块包括：用于在形成有抗蚀剂膜的基板上形成抗蚀剂膜的上层侧的保护膜供给药液的上层用液处理模块；对基板进行加热的加热模块；和用于在这些模块之间搬送基板，在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构；
在前段处理用的单位块和对应的后段处理用的单位块之间分别设置的、在两单位块的搬送机构之间进行基板的交接用的涂敷处理用的交接部；
在各段的涂敷处理用的交接部之间和各段的显影处理用的交接部之间进行基板的搬送用的能够自由升降而设置的辅助移载机构；
上下层叠多个显影处理用的单位块而形成的部件，该显影处理用的单位块具备：相对于上下层叠多个前段处理用的单位块而形成的部件，在上下方向层叠，向基板供给显影液的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；和在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构；
具备在多个显影处理用的单位块的接口块侧与该显影处理用的单位块相邻地分别设置的、在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动、用于搬送基板的单位块用的搬送机构的辅助用的单位块；和
设置在显影处理用的单位块和对应的辅助用的单位块之间，用于在两单位块的搬送机构之间进行基板的交接的显影处理用的交接部，
b)按照各单位块设置在载体块侧，在各单位块的搬送机构之间进行基板的交接的搬入搬出用的交接部，
c)用于从载体将基板分配并交接至对应于前段处理用的各单位块的所述搬入搬出用的交接部，并且从对应于显影处理用的各单位块的搬入搬出用的交接部使基板返回载体的第一交接机构，和
d)用于接收在所述处理块处理后的曝光前的基板，将曝光后的基板分配并交接至显影处理用的单位块的第二交接机构。
2.如权利要求1所述的涂敷显影装置，其特征在于：
辅助用的单位块具备：通过该辅助用的单位块内的搬送机构进行基板的搬送，对形成有抗蚀剂膜的基板的背面侧进行清洁用的背面清洁模块。
3.如权利要求1或2所述的涂敷显影装置，其特征在于：
该涂敷显影装置具备控制部，其执行如下模式，该模式包括：在前段处理用的单位块发生故障时或进行维修时，不使用该单位块，通过其它的前段处理用的单位块在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的步骤；和在该步骤之后，通过所述辅助移载机构，将该基板搬送到不使用的单位块的接口块侧的后段处理用的单位块的步骤。
4.如权利要求1或2所述的涂敷显影装置，其特征在于：
该涂敷显影装置具备控制部，其执行如下模式，该模式包括：在后段处理用的单位块发生故障或进行维修时，不使用该单位块，通过不使用的单位块的载体块侧的前段处理用的单位块在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的步骤；和该步骤之后，通过所述辅助移载机构，将该基板搬送到其它层的后段处理用的单位块的步骤。
5.如权利要求1或2所述的涂敷显影装置，其特征在于：
前段处理用的单位块的层叠数和后段处理用的单位块的层叠数为3层。
6.如权利要求1或2所述的涂敷显影装置，其特征在于：
显影处理用的单位块的层叠数为3层。
7.如权利要求1或2所述的涂敷显影装置，其特征在于：
所述辅助搬送机构具备：用于在各段涂敷处理用的交接部之间进行搬送的第一辅助移载机构；和用于在各段的显影处理用的交接部之间进行搬送的第二辅助移载机构。
8.一种涂敷显影方法，其特征在于：
使用权利要求1所述的涂敷显影装置，实施下述工序：
在前段处理用的单位块发生故障或进行维修时，不使用该单位块，通过其它的前段处理用的单位块在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的工序；
接着，通过辅助移载机构，将该基板搬送到不使用的单位块的接口块侧的后段处理用的单位块的工序；和
其后，通过该后段处理用的单位块内的模块，形成抗蚀剂膜的上层侧的保护膜的工序。
9.一种涂敷显影方法，其特征在于：
使用权利要求1所述的涂敷显影装置，实施下述工序：
在后段处理用的单位块发生故障或进行维修时，不使用该单位块，通过不使用的单位块的载体块侧的前段处理用的单位块在基板上形成下层侧的防反射膜和抗蚀剂膜的工序；
接着，通过辅助移载机构，将该基板搬送到其它层的后段处理用的单位块的工序；和
然后，通过该后段处理用的单位块内的模块，形成抗蚀剂膜的上层侧的保护膜的工序。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5408059B2 (ja) * 2010-07-09 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5397399B2 (ja) * 2010-07-09 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP5212443B2 (ja) * 2010-09-13 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5588469B2 (ja) * 2012-02-09 2014-09-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6292155B2 (ja) * 2015-03-19 2018-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6426223B2 (ja) * 2017-03-31 2018-11-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6863114B2 (ja) * 2017-06-16 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP7251673B2 (ja) * 2017-06-16 2023-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6955922B2 (ja) * 2017-07-14 2021-10-27 株式会社ディスコ インラインシステム
KR20200108876A (ko) * 2018-01-26 2020-09-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
JP7105135B2 (ja) * 2018-08-17 2022-07-22 東京エレクトロン株式会社 処理条件補正方法及び基板処理システム
JP7232737B2 (ja) * 2019-08-07 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
TW202111796A (zh) * 2019-08-19 2021-03-16 日商東京威力科創股份有限公司 塗布顯影裝置
JP7360849B2 (ja) * 2019-08-30 2023-10-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システムおよび基板搬送方法
JP6994489B2 (ja) * 2019-10-02 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008124869A (ja) * 2006-11-14 2008-05-29 Sony Corp 撮像装置
JP2008251810A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Fujitsu Microelectronics Ltd 塗布液の塗布方法及び半導体装置の製造方法
CN101750898A (zh) * 2008-12-16 2010-06-23 东京毅力科创株式会社 涂敷处理方法及涂敷处理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004087675A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4577886B2 (ja) * 2005-01-21 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
JP4356936B2 (ja) 2005-01-21 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4685584B2 (ja) 2005-03-11 2011-05-18 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP4450784B2 (ja) 2005-10-19 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4542984B2 (ja) * 2005-11-24 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
JP4816217B2 (ja) * 2006-04-14 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP4805758B2 (ja) * 2006-09-01 2011-11-02 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び塗布処理装置
JP4805769B2 (ja) * 2006-09-14 2011-11-02 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法
JP2008258208A (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体
JP4877075B2 (ja) 2007-05-29 2012-02-15 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体
JP5128918B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4985728B2 (ja) * 2009-08-24 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP5348083B2 (ja) * 2010-07-16 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008124869A (ja) * 2006-11-14 2008-05-29 Sony Corp 撮像装置
JP2008251810A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Fujitsu Microelectronics Ltd 塗布液の塗布方法及び半導体装置の製造方法
CN101750898A (zh) * 2008-12-16 2010-06-23 东京毅力科创株式会社 涂敷处理方法及涂敷处理装置

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