WO2012093609A1 - 塗布現像装置、塗布現像方法及び記憶媒体 - Google Patents

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WO2012093609A1
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substrate
coating
substrates
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module
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黒岩　慶造
久仁恵 緒方
松岡　伸明
信行 田崎
宮田　亮
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東京エレクトロン株式会社
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    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Definitions

  • the present invention relates to a coating and developing apparatus for coating a resist on a substrate and performing development, a coating and developing method, and a storage medium including a computer program for executing the method.
  • a resist is applied to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), the resist is exposed in a predetermined pattern, and then developed to form a resist pattern.
  • the resist pattern is formed by a system in which an exposure apparatus that performs exposure processing is connected to a coating and developing apparatus that performs formation processing and development processing of various coating films such as resist.
  • various maintenances such as confirmation of the state of a module for processing a wafer and replacement of parts may be performed. For this reason, the operation of the coating and developing apparatus may be stopped.
  • the operation of the coating and developing apparatus since the wafer is transported between the coating and developing apparatus and the exposure apparatus, when the operation of the coating and developing apparatus is stopped, the operation of the exposure apparatus is also stopped. However, by stopping the operation of the entire system as described above, the production efficiency of the semiconductor product is lowered.
  • Patent Document 1 describes that the wafers before exposure are stored in the buffer module provided in the coating and developing apparatus as described above, and the processing performed on the front side of the buffer module is temporarily stopped to perform maintenance. . Although it is shown that the wafer is transferred from the buffer module during maintenance and the subsequent processing is continued, all the wafers in the buffer module are taken out during maintenance and the subsequent processing can be performed. There is a risk of disappearing. Since the operation of the exposure apparatus requires a relatively high cost, there is a possibility that the production cost of the semiconductor product may be increased if the subsequent processing cannot be performed.
  • the present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to provide a coating and developing apparatus that does not reduce the production efficiency of an exposure apparatus.
  • the coating and developing apparatus forms a coating film including a resist film in a processing block from a substrate taken out from a carrier placed on a carrier block, and then transfers the substrate to an exposure apparatus.
  • the substrate before the exposure on which the coating film has been formed is temporarily set.
  • a temporary placement unit for placing, a stop time setting unit for setting a length of time for stopping transport of the substrate on the upstream side in order to perform maintenance on the module on which the substrate is placed in the substrate transport path, Monitor whether or not the number of substrates placed in the temporary placement unit has reached the number of substrates processed by the processing block according to the length of the stop time. Includes a control unit for outputting a control signal to stop the transport of the upstream side of the substrate than the temporary section after reaching.
  • the number of substrates processed by the processing block according to the stop time is not limited to the number of substrates processed during the stop time, but is the number of substrates processed during the stop time.
  • the number of sheets of 95% is also included in the claims. For example, if the stop time is set to 30 minutes and the number of substrates processed per unit time is 30 seconds, the number of substrates processed is 60, but the substrate is transported when 57 substrates are collected in the temporary placement section. May be stopped. In this case, when 57 substrates are transferred to the exposure apparatus, the processing block cannot resume the processing of the substrates. Therefore, the exposure apparatus performs 1 minute 30 seconds, which is the processing time for 3 substrates in the processing block. Only processing will be interrupted.
  • the apparatus when the apparatus is configured to set a time for stopping the conveyance of the substrate and monitor whether or not the number of substrates placed on the temporary placement unit has reached a predetermined processing number, the “predetermined processing” “Number of sheets” means that the number of substrates processed during the stop time is not limited to the number of substrates as long as it is judged that an effect can be obtained in the industry.
  • the “module” mentioned here includes a transport means for transporting the substrate.
  • a substrate taken out from a carrier placed on a carrier block is formed with a coating film including a resist film in the processing block, and then transferred to an exposure apparatus, and the processing block is applied to the substrate after exposure.
  • the coating film is formed before the exposure. Length of time to stop the upstream substrate transfer by the stop time setting unit in order to temporarily maintain the substrate in the temporary storage unit and to perform maintenance on the module on which the substrate is placed in the substrate transfer path And the processing of the substrate by the processing block according to the length of the stop time, the number of substrates placed in the temporary placement unit Monitors whether reach several, and a step of stopping the transport of the upstream side of the substrate than the temporary section after reaching.
  • the storage medium of the present invention is a storage medium that stores a computer program used in a coating and developing apparatus, and the computer program is for carrying out the above-described coating and developing method.
  • the upstream substrate transport of the temporary placement unit is performed. To stop. Therefore, the exposure processing can be performed by continuing to convey the substrate before exposure to the exposure apparatus during the stop time. Accordingly, it is possible to suppress a decrease in production efficiency of the exposure apparatus.
  • the coating and developing apparatus 1 according to the present invention will be described.
  • 1 is a plan view of the coating and developing apparatus
  • FIG. 2 is a schematic perspective view thereof
  • FIG. 3 is a schematic side view thereof.
  • the coating and developing apparatus 1 is configured by linearly connecting a carrier block S1, a processing block S2, and an interface block S3.
  • An exposure apparatus S4 is further connected to the interface block S3.
  • the arrangement direction of the blocks S1 to S3 is the front-rear direction.
  • the carrier block S1 has a role of carrying a carrier C including a plurality of wafers W, which are substrates of the same lot, into and out of the coating and developing apparatus 1, and has a mounting table 11, an opening / closing part 12, and an opening / closing part 12 for the carrier C. And a transfer arm 13 which is a transfer mechanism for transferring the wafer W from the carrier C via the.
  • the carrier block S ⁇ b> 1 includes a shelf 14 on the mounting table 11, and the carrier C is transferred between the mounting table 11 and the shelf 14 by the carrier transport mechanism 15.
  • the carrier C on which the wafer W has been taken out by being placed on the mounting table 11 stands by on the shelf 14 until the wafer W returns, thereby preventing the carrier C from occupying the mounting table 11 and removing the wafers W of a plurality of carriers C. Subsequently, it can be carried into the coating and developing apparatus 1.
  • the processing block S2 is configured by laminating first to sixth unit blocks B1 to B6 for performing liquid processing on the wafer W in order from the bottom, and each of the unit blocks B1 to B6 includes two from the lower layer side. It is constituted similarly. That is, the unit blocks B1 and B2 have the same configuration, the unit blocks B3 and B4 have the same configuration, and the unit blocks B3 and B4 have the same configuration.
  • the first unit block B1 shown in FIG. 1 will be described.
  • the liquid processing unit 20 and the shelf units U1 to U6 are arranged on the left and right of the transport area R1 from the carrier block S1 to the interface block S3.
  • the antireflection film forming module BCT includes two cups 21 for processing the wafer W, a spin chuck 22 for supporting the back surface of the wafer W in the cup 21 and rotating the wafer W about the vertical axis, and two cups. 21 is provided with a common processing liquid supply nozzle 23, and a processing liquid for forming an antireflection film is applied to the wafer W by spin coating.
  • the antireflection film forming module BCT includes a back surface cleaning nozzle that supplies a solvent to the back surface of the wafer W held by the spin chuck 22 and cleans the back surface of the wafer W. Yes.
  • the resist film forming module COT is configured in the same manner as the antireflection film forming module BCT except that the treatment liquid is a resist.
  • 24 is a cup-shaped standby part.
  • the processing liquid supply nozzle 23 is made to stand by and the cleaning liquid is supplied to the standby processing liquid supply nozzle 23 to clean the processing liquid supply nozzle 23.
  • a transfer arm A1 that is a transfer mechanism of the wafer W is provided.
  • the transfer arm A1 is configured to be movable back and forth, vertically movable, rotatable about a vertical axis, and movable in the length direction of the transfer region R1, and transfers the wafer W between all modules of the unit block B1. It can be carried out.
  • reference numeral 25 denotes a fork portion that surrounds the outer periphery of the wafer W, and includes a claw portion 25 a that supports the back surface of the wafer W.
  • shelf units U1 to U6 are arranged along the length direction of the transfer region R1, and the shelf units U1 to U5 are configured by, for example, two layers of heating modules that perform the heat treatment of the wafer W. Yes.
  • the shelf unit U6 includes two peripheral edge exposure modules WEE that are stacked on each other.
  • the peripheral edge exposure module WEE includes a lamp as a light source, and exposes the peripheral edge of the wafer W after resist application.
  • the unit blocks B3 to B6 are configured in the same manner as the unit blocks B1 and B2, except that the processing liquid supplied to the wafer W by the liquid processing unit 20 is different and a heating module is provided instead of the edge exposure module.
  • the unit blocks B3 and B4 include two protective film forming modules TCT instead of the antireflection film forming module BCT and the resist coating module COT.
  • the antireflection film forming module BCT, the resist coating module COT, and the protective film forming module TCT are used as the coating film forming module.
  • the unit blocks B5 and B6 include two developing modules DEV instead of the antireflection film forming module BCT and the resist film forming module COT.
  • the protective film forming module TCT and the developing module DEV are configured in substantially the same manner as the antireflection film forming module BCT except for the difference in the processing liquid supplied to the wafer W.
  • the protective film forming module TCT supplies a protective film forming processing liquid for protecting the surface of the wafer W during immersion exposure, and the developing module DEV supplies the developing liquid to the wafer W, respectively.
  • the transport arms of the unit blocks B1 to B6 are shown in FIG. 3 as A1 to A6.
  • a shelf unit U7 straddling each unit block B is provided on the carrier block S1 side of the transport region R1.
  • the shelf unit U7 includes a plurality of modules stacked on each other. These modules include delivery modules CPL11 to CPL13, delivery module CPL14, buffer module BU11, and hydrophobization module ADH provided at the height of each unit block.
  • the delivery module described as CPL includes a cooling stage for cooling the mounted wafer W.
  • the buffer module BU is configured to store a plurality of wafers W.
  • the hydrophobizing module ADH supplies a processing gas to the wafer W to make the surface of the wafer W hydrophobic.
  • a transfer arm 30 that can be moved up and down and is movable back and forth with respect to the shelf unit U7 is provided, and the wafer W is transferred between the modules of the shelf unit U7.
  • FIG. 4 is a longitudinal sectional front view of the interface block S3 as viewed toward the processing block S2.
  • the interface block S3 includes a shelf unit U8, and the shelf unit U8 is configured by stacking delivery modules TRS0 to TRS2, a delivery module CPL1, and a buffer module group 3.
  • the buffer module group 3 which is a temporary placement part of the wafer W, is configured by buffer modules BU1 to BU4 stacked on each other.
  • the delivery module TRS1 is provided at each height position of the third unit block B3 and the fourth unit block B4.
  • the delivery module TRS2 is provided at each height position of the fifth unit block B5 and the sixth unit block B6.
  • a delivery module TRS0 and a delivery module CPL1 are provided below the delivery modules TRS1, TRS2 and the buffer module group 3.
  • the buffer module BU1 will be described.
  • the buffer module BU1 includes a housing having left and right side openings, and a pair of standing plates 36 and 36 and a horizontal plate 37 extending inward from each standing plate 36 are provided in the housing as shown in FIG. Is provided.
  • Each horizontal plate 37 forms a standby area 38 for the wafer W, and the wafer W is supported on support pins 39 provided on the surface of the horizontal plate 37.
  • a plurality of standing plates 36 are provided in one buffer module BU, and 20 standby areas 38 are provided in the buffer module BU1. That is, for example, a maximum of 20 wafers W can be held in the buffer module BU1. it can.
  • the buffer modules BU2 to BU4 are configured similarly to the buffer module BU1.
  • shelf units U9 and U10 are provided so as to sandwich the shelf unit U8 from the left and right directions.
  • the shelf unit U9 is configured by stacking six back surface cleaning modules BST that clean the back surface of the wafer W with a brush before exposure.
  • the shelf unit U10 is configured by stacking four post-exposure cleaning modules PIR that clean the surface of the wafer W after exposure.
  • a first interface arm 3A is provided between the shelf units U8 and U9.
  • the first interface arm 3A includes a base 32 that can be moved up and down along a lift shaft 31, a turntable 33 that can rotate about the vertical axis on the base 32, and a wafer support that can be moved back and forth on the turntable 33. 34.
  • a second interface arm 3B is provided between the shelf units U8 and U10, and the second interface arm 3B is configured in the same manner as the first interface arm 3A.
  • a third interface arm 3C is provided below the second interface arm 3B, and the second interface arm 3B is provided except that the elevating shaft 31 is configured to be movable in the left-right direction by the horizontal moving portion 35. It is comprised similarly to the interface arm 3B.
  • the interface arms 3A and 3B output different signals to the control unit 100, which will be described later, depending on the height of the base 32, the direction of the turntable 33, and the position of the wafer support 34. That is, when accessing the pre-exposure cleaning module BST, accessing each delivery module TRS, accessing the post-exposure cleaning module PIR, accessing the delivery module CPL, and accessing the buffer module BU, respectively.
  • the signal is output to the control unit 100.
  • a different signal is output for each standby area 38 to be accessed.
  • the control unit 100 determines in which standby area 38 of which buffer module BU the wafer W before exposure is waiting, and in which standby area 38 the wafer after exposure. Whether W is waiting can be identified.
  • the transfer path of the wafer W at the normal time of the system including the coating and developing apparatus 1 and the exposure apparatus S4 will be described.
  • the wafer W is transferred by a path 1 that passes through the unit blocks B 1 ⁇ B 3 ⁇ B 5 and a path 2 that passes through the unit blocks B 2 ⁇ B 4 ⁇ B 6 and undergoes the same processing in each path.
  • the wafers W are taken out from the next carrier C.
  • the wafers W are alternately distributed to the first path and the second path in the order of being taken out from the carrier C, and returned to the taken out carrier C.
  • the conveyance of the first route will be described in detail.
  • Wafer W is carrier C ⁇ delivery arm 13 ⁇ buffer module BU11 ⁇ delivery arm 30 ⁇ hydrophobization module ADH ⁇ transfer arm A1 ⁇ antireflection film forming module BCT ⁇ transfer arm A1 ⁇ heating module ⁇ transfer arm A1 ⁇ resist coating module. It is transferred in the order of COT ⁇ transfer arm A1 ⁇ heating module HP ⁇ peripheral exposure module WEE ⁇ transfer arm A1 ⁇ delivery module CPL11, and a coating film is laminated on the surface of the wafer W from the lower layer in the order of antireflection film and resist film. .
  • the wafer W is transferred in the order of the transfer arm 30 ⁇ the transfer module CPL12 ⁇ the transfer arm A3 ⁇ the protective film forming module TCT ⁇ the transfer arm A3 ⁇ the heating module HP ⁇ the transfer arm A3 ⁇ the transfer module TRS1.
  • a protective film is formed on the upper layer of the resist film and the wafer W is carried into the interface block S3.
  • the wafer W includes the first interface arm 3A ⁇ the pre-exposure cleaning module BST ⁇ the first interface arm 3A ⁇ the buffer module group 3 ⁇ the second interface arm 3B ⁇ the delivery module CPL1 ⁇ the third interface arm 3C ⁇ the exposure apparatus. It is conveyed in the order of S4, and is subjected to an immersion exposure process following the back surface cleaning process.
  • the exposed wafer W is transferred in the order of the third interface arm 3C ⁇ the delivery module TRS0 ⁇ the second interface arm 3B ⁇ the post-exposure cleaning module PIR ⁇ the buffer module group 3 ⁇ the second interface arm 3B ⁇ the delivery module TRS2.
  • the wafer W transported by the second path is transported between modules in the same way as the first path, except that the passing unit blocks are different.
  • FIG. 6 shows the above-described normal transfer of the wafer W (normal transfer) in a very simplified manner.
  • the transfer of the unexposed wafer W taken from the carrier C toward the buffer module group 3 is defined as the forward path side transfer F1
  • the transfer of the exposed wafer W from the buffer module group 3 toward the carrier C is defined as the return path side transfer F2.
  • the conveyance returned from the buffer module group 3 to the buffer module group 3 after passing through the exposure device S4 is indicated by an arrow as an exposure conveyance F3.
  • the throughput of the coating and developing apparatus 1 (the number of processed wafers W in a predetermined time) is higher than the throughput of the exposure apparatus S4. Therefore, when the above-described normal conveyance is continued, the wafer W before exposure is accumulated in the buffer module group 3 at a speed corresponding to the throughput difference between the coating and developing apparatus 1 and the exposure apparatus S4.
  • the reason why the wafer W once stored in the buffer module group 3 is carried into the exposure apparatus S4 is to carry the wafer W continuously to the exposure apparatus S4 and perform the exposure process without delay.
  • the throughput of the forward pass F1 and the throughput of the return pass F2 may be the same or different from each other. In this example, it is assumed that the throughputs of the transports F1 and F2 are the same. Further, it is assumed that the number of wafers W exceeding the number of standby areas 38 of the buffer module group 3 are not taken out from the carrier C.
  • the forward transfer F1 is stopped when the number of wafers W corresponding to the length of time necessary for performing maintenance is accumulated in the buffer module group 3 so that the processing of the exposure apparatus S4 is not interrupted.
  • the module is a place where the wafer W is placed, and here, a transfer mechanism for transferring the wafer W is also included in the module.
  • the maintenance includes automatic maintenance, reservation maintenance, and manual maintenance.
  • the automatic maintenance is maintenance that is automatically performed periodically and repeatedly. Specifically, automatic cup cleaning in which a cleaning mechanism (not shown) automatically cleans the cup 21 in each coating film forming module, and each coating film forming module. There is automatic nozzle cleaning in which the processing liquid supply nozzle 23 is automatically cleaned by the standby unit 24.
  • Reservation maintenance is maintenance performed by the user setting the scheduled date and time for maintenance in advance and operating the device by the user. Specifically, the reserved maintenance includes replacement of the cup 21 of the resist coating module COT, replacement of the lamp of the peripheral exposure module WEE, and replacement of the claw portions 25a of the transfer arms A1 to A4.
  • Manual maintenance is maintenance that the user instructs to start at an arbitrary timing.
  • manual maintenance specifically, for example, there is maintenance in which a resist is discharged from the processing liquid supply nozzle 23 of the resist coating module COT, and the user confirms whether the discharge amount and the discharge state are appropriate.
  • the control unit 100 provided in the coating and developing apparatus 1 will be described.
  • the control unit 100 comprises a computer, and its configuration is shown in FIG.
  • reference numeral 41 denotes a bus, to which a CPU 42 for performing various calculations, a program storage unit 44 storing a program 43, a memory 45, a work memory 46, a setting unit 47, and a display unit 48 are connected.
  • the program 43 incorporates commands (steps) so that a control signal can be sent from the control unit 100 to each part of the coating and developing apparatus 1 to perform the above-described processes and control the transfer of the wafer W.
  • the program 43 is stored in, for example, a flexible disk, compact disk, hard disk, or MO (magneto-optical disk) memory card, installed in the control unit 100, and stored in the program storage unit 44.
  • the setting unit 47 includes a keyboard, a touch panel, and the like, and the contents set by the user using the setting unit 47 are stored in the memory 45.
  • the CPU 42 performs various calculations as described later. These constitute an arithmetic unit.
  • the memory 45 is provided with a throughput storage area 51, a buffer status storage area 52, and a maintenance setting storage area 53.
  • the throughput storage area 51 stores the throughput of the coating and developing apparatus 1 and the throughput of the exposure apparatus S4.
  • the buffer state storage area 52 includes a standby state storage area 52a for storing the presence / absence of a pre-exposure wafer W for each standby area 38 of the buffer module group 3, and a pre-exposure wafer W number storage area 52b. It consists of.
  • FIG. 9 shows data stored in the buffer state storage area 52. Based on the data stored in the standby state storage area 52a, the CPU 42 calculates the total number of pre-exposure wafers W waiting in the buffer module group 3, and stores the calculated value in the pre-exposure wafer W storage area 52b.
  • the maintenance setting storage area 53 includes setting storage areas 61, 62, and 63 for storing settings for automatic maintenance, reservation maintenance, and manual maintenance, respectively. 10 to 12 show data stored in these setting storage areas 61 to 63.
  • FIG. In the automatic maintenance setting storage area 61, the time required for maintenance (maintenance required time) and the time interval (maintenance time) for maintenance for each of the BCT, COT, and TCT coating processing modules for automatic cup cleaning and automatic nozzle cleaning, respectively. Interval), the number of pre-exposure wafers (necessary number of wafers) that need to be stored in the buffer module group 3 in accordance with the time required for maintenance, and the number of wafers that are insufficient in the buffer module group 3 (the number of insufficient wafers). ) And the estimated waiting time until the required number of wafers accumulates in the buffer module group 3 are stored in association with each other.
  • the required maintenance time and the maintenance time interval are set values set by the user.
  • the insufficient number of wafers is calculated by the following equation 3 using the required number of wafers calculated by equation 2 and the total number of pre-exposure wafers stored in the buffer state storage area 52.
  • the reservation maintenance setting storage area 62 Similar to the automatic maintenance setting storage area 61, the setting storage area 62 stores the maintenance required time, the required number of wafers, the number of insufficient wafers, and the estimated waiting time in association with each other. The setting storage area 62 stores the maintenance start date and time set for each maintenance.
  • the maintenance required time is set to 10 minutes, for example.
  • the maintenance required time, the required number of wafers, the number of insufficient wafers, and the estimated waiting time are stored in association with each other in the same manner as in the automatic maintenance setting storage area 61.
  • the process of calculating each calculation value in the setting storage area 63 will be described with specific examples of numerical values.
  • the maintenance required time is set to 5 minutes, for example.
  • the forward-side throughput, the throughput of the exposure apparatus S4, and the total number of pre-exposure wafers W in the buffer module group 3 are 330 / hour, 300 / hour, and 4 as in the previous example.
  • the display unit 48 is constituted by a display, for example, and the total number of pre-exposure wafers of the buffer module group 3 stored in the memory 45, the maintenance required time in each maintenance, the maintenance start date and time, the accumulation rate, the required number of wafers, the number of insufficient wafers And the estimated waiting time is displayed. Specifically, the tables shown in FIGS. 10 to 12 are displayed on the display unit 48. The display on the display unit 48 is updated in real time during the processing of the wafer W.
  • the user sets a maintenance required time and a maintenance time interval for each automatic maintenance before starting the processing of the wafer W by the coating and developing apparatus 1.
  • the user sets a maintenance required time and a maintenance start date and time for each reservation maintenance.
  • the control unit 100 calculates the accumulation rate, and further calculates the required number of wafers, the number of insufficient wafers, and the estimated waiting time for each maintenance. Then, these set values and calculated values are displayed on the display unit 48.
  • Each maintenance belonging to the above automatic maintenance and reservation maintenance is classified into a block evacuation maintenance and a module evacuation maintenance depending on a difference in the waiting method of the wafer W when performing the maintenance.
  • the block evacuation maintenance is maintenance in which all wafers W that are transporting the unit blocks B1 to B4 need to be evacuated to the buffer module group 3 in order to perform maintenance.
  • the module evacuation maintenance is maintenance that does not require such evacuation, and the maintenance of the module is performed in a state where the wafer W is waiting in the module on the front stage and the module on the rear stage of the module that performs the maintenance.
  • automatic cup cleaning and automatic nozzle cleaning given as examples of automatic maintenance correspond to module evacuation maintenance.
  • the cup replacement of the resist coating module COT and the lamp replacement of the edge exposure module WEE mentioned as examples of the reserved maintenance correspond to module retraction maintenance.
  • the replacement of the claw portions 25 of the transfer arms A1 to A4 mentioned as an example of reservation maintenance corresponds to block retraction maintenance.
  • step D1 determines whether or not the time set as the maintenance time interval has elapsed from the start of the processing. Transportation continues. If it is determined that the set time has elapsed, the controller 100 continues to determine whether or not the necessary number of wafers is accumulated in the buffer module group 3 (step D2).
  • step D3 When it is determined that the lot is not cut, normal transfer is continued. When it is determined that the lot is cut, the removal of the wafer W from the carrier C is stopped, and the forward transfer F1 is performed. Stop.
  • the resist coating module COT is emptied, and the preceding lot remains in the module preceding the resist coating module, and the subsequent lot remains in the subsequent stage of the resist coating module COT (step D4). Then, in the resist coating module COT that has become empty, the cup 21 is cleaned (step D5).
  • the post-exposure transport F3 and the return path-side transport F2 are continued as described with reference to FIG. It is transferred to blocks B5 and B6, processed, and returned to carrier C.
  • the forward transfer F1 is stopped, when the set maintenance required time has elapsed, the wafer W of the subsequent lot is taken out from the carrier C, and the forward transfer F1 in the processing block S2 Is resumed, and the wafer W of the subsequent lot is carried into the resist coating module COT for which maintenance has been completed.
  • the control unit 100 determines whether or not the set maintenance time interval has elapsed from the maintenance end time.
  • steps D1 to D5 are repeatedly executed, and the cup cleaning of the resist coating module COT is periodically repeated.
  • the cup cleaning is similarly performed according to steps D1 to D5.
  • the operation proceeds according to steps D1 to D5 in the same manner as when automatic cup cleaning is performed.
  • step D1 it is determined whether or not the date and time set to perform maintenance has come. Then, after the conveyance to the edge exposure module WEE is stopped in step D4, the operator replaces the lamp. Then, when the operator instructs as described later, the conveyance is resumed. Similarly, when replacing the cup 21 of the resist coating module COT, the process proceeds in accordance with steps D1 to D4, and the transfer of the wafer W to the resist coating module COT is stopped.
  • step E1 the control unit 100 determines whether or not the time set as the maintenance start date / time has come (step E1), and the set time is reached. If not, normal transport will continue. If it is determined that the set time has been reached, the controller 100 continues to determine whether or not the necessary number of wafers has accumulated in the buffer module group 3 (step E2).
  • step E3 the wafer W is continuously taken out from the carrier C.
  • step E4 the taking out of the wafer W of the subsequent lot from the carrier C is stopped.
  • step E5 When the final wafer W of the lot unloaded to the processing block S2 passes through the processing block S2 and is loaded into the buffer module group 3 (step E5), as shown in FIG. F1 stops (step E6).
  • the user exchanges the claw portion 25a of the transport arm A1 while the forward path side transport F1 is stopped.
  • the control unit 100 When the number of pre-exposure wafers W in the buffer module group 3 is equal to or less than the preset number, that is, when the maintenance time is nearing the end, the control unit 100 generates an alarm sound from an alarm generator (not shown).
  • the operator completes the maintenance work, performs a predetermined operation in the setting unit 47, and instructs the resumption of normal conveyance to resume normal conveyance.
  • the coating and developing apparatus 1 When the coating and developing apparatus 1 is activated and the normal conveyance of the wafer W is started, the user sets a maintenance required time at an arbitrary timing, and the control unit 100 based on that sets the required number of wafers and the number of insufficient wafers. The predicted waiting time is calculated, and these set values and calculated values are displayed on the display unit 48. Then, the control unit 100 determines whether or not the necessary number of wafers is accumulated in the buffer module group 3 (step F1). If it is not accumulated, the normal conveyance is continued.
  • step F3 the removal of the wafer W from the carrier C is stopped, and the forward-side conveyance F1 in the processing block S2 is stopped (step F3). Meanwhile, the user confirms the resist discharge amount and discharge state of the resist coating module COT. When the necessary maintenance time has elapsed since the stop of the forward path side conveyance F1, the normal conveyance is resumed.
  • this manual maintenance is performed in preference to the automatic maintenance and the scheduled maintenance.
  • the automatic maintenance and the scheduled maintenance are performed until the normal conveyance is resumed as described above after inputting the maintenance required time for performing the manual maintenance. Since the maintenance is performed, the removal of the wafer W from the carrier C does not stop. Further, either automatic maintenance or manual maintenance may be performed with priority.
  • the control unit 100 determines whether or not the number of pre-exposure wafers W corresponding to the maintenance time required for the maintenance performed in the processing block B2 has been accumulated in the buffer module group 3, and the accumulation is performed.
  • the removal of the wafer W from the carrier C and the forward transfer of the processing block S2 are stopped.
  • the transfer of the wafer W returned from the buffer module group 3 to the carrier C through the exposure device S4 is continued. Therefore, since the exposure process of the exposure apparatus S4 does not stop, it is possible to prevent the processing efficiency of the exposure apparatus S4 from decreasing. As a result, a decrease in the throughput of the wafer W can be prevented.
  • the display unit 48 displays a waiting time until the required number of wafers is accumulated. Since the user can see the display and know when the maintenance is started, during the maintenance, the carrier C is prevented from being transported to the coating and developing apparatus 1 and is transported to another coating and developing apparatus 1.
  • a transportation plan can be set in advance, and when performing the above-mentioned manual maintenance, it can be performed at an appropriate time without affecting other maintenance, and as a result, it contributes to an improvement in product productivity. Further, in the coating and developing apparatus 1, when the necessary number of wafers is accumulated for each maintenance, a sign indicating that fact is displayed on the display unit 48, and the user's attention is surely urged.
  • the coating and developing apparatus 1 maintenance is performed after the last wafer W of the lot passes through the processing block S2 or passes through a module to be maintained.
  • the environment for processing the wafers W of the same lot is prevented from being different depending on the wafers, so that the quality of products in the same lot can be prevented from varying. Accordingly, it is possible to prevent a decrease in yield.
  • module evacuation maintenance the wafer W stands by in a module other than the module to be maintained, so that the processing can be resumed promptly after the maintenance is completed. Therefore, it is possible to more reliably suppress a decrease in throughput.
  • module maintenance is one of reservation maintenance. This is because the carrier C in which the module inspection wafer W is stored is transferred to the carrier block S1, and the inspection wafer W is transferred to a desired module by using the transfer means of the carrier block S1 and the processing block S2. This is the content of returning to the carrier C after performing the inspection.
  • the inspection wafer W is transferred to, for example, an inspection mechanism outside the apparatus 1, and the operation of the module is inspected.
  • One of the protective film forming modules TCT provided in each of the unit blocks B3 and B4 is a back surface cleaning module BST. Then, the brush of the back surface cleaning module BST may be replaced as reserved maintenance.
  • the maintenance start timing is not limited to the above example. For example, after the last wafer W of the lot has passed through the processing block S2, the transfer of the processing block S2 may be stopped and the maintenance may be started before being loaded into the buffer module group 3. Further, for example, when performing automatic maintenance, the maintenance may be started when the last wafer W of the lot passes the module on which the maintenance is performed.
  • the wafer W is stored in the buffer module group 3. Therefore, if the number of wafers W in the apparatus is large and the number of carriers carried into the coating and developing apparatus 1 is insufficient, the wafer W cannot be supplied to each module, and the productivity may be reduced. Therefore, in consideration of the accumulation rate of the buffer module group 3, the number of carriers C carried into the carrier block S1 is set. It is also effective to increase the number of carriers C that can be placed on the shelf of the carrier block S1. Further, the control unit 100 outputs a signal to a computer that controls the operation of a transport mechanism outside the coating and developing apparatus 1, and the wafer W is loaded into the coating and developing apparatus 1 and is transported to the shelf 14 in an empty state. C may be retracted outside the coating and developing apparatus 1 by the transport mechanism. As a result, the number of carriers C in the carrier block S1 is controlled so as to be within the number on which the carrier C can be placed.
  • FIG. 16 shows an outline of conveyance in the case where the maintenance on the return path side is performed as described above. As shown in this figure, the conveyance of both the return path side conveyance F2 and the forward path side conveyance F1 is stopped. Then, the exposure conveyance F3 is continued while the conveyances F1 and F2 are stopped.
  • the switching from the normal conveyance to the conveyance at the time of maintenance in FIG. 16 will be specifically described by giving an example of replacing the claw portion 25a of the conveyance arm A6 that is reservation maintenance and block retraction maintenance.
  • the exposed wafer lots are A and B, and the lot B is the next lot after the lot A.
  • the steps E1 and E2 of the above-described block evacuation maintenance flow proceed and it is determined that the necessary number of wafers has accumulated in the buffer module group 3
  • the lot A being unloaded from the buffer module group 3 is transferred by the return path side conveyance F2. Transportation continues. After the last wafer W of the lot A is unloaded, the unloading of the exposed wafer W from the buffer module group 3 is stopped. That is, the lot B is not carried out of the buffer module group 3 and stays in the buffer module group 3.
  • the return path-side transfer F2 stops. Further, the forward path side conveyance F1 stops according to the above steps E3 to E6. During this time, in the buffer module group 3, the wafers W before exposure are transferred to the exposure apparatus S4, the number of the wafers is reduced, and the exposed wafers W transferred from the exposure apparatus S4 are accumulated.
  • the maintenance set time elapses from the stop time of the return-side transfer F2
  • the lot B is unloaded from the buffer module 3 and the wafer W is taken out from the carrier C. That is, normal conveyance is resumed.
  • the exposure apparatus S4 can continue the exposure process even when transporting in this way, so that the above effect can be obtained.
  • both the backward path F2 and the outward path F1 may be stopped.
  • FIG. 17 shows a disk 71 as a cleaning jig.
  • a circular ring portion 73 is provided so as to surround the outer periphery of the disc-shaped center portion 72.
  • the peripheral end portion of the ring portion 73 protrudes upward, and the outer peripheral surface 74 of the ring portion 73 stands up.
  • one shelf of the shelf units U1 to U6 is configured as a standby unit that stores the disk 71, and the disk 71 waits in the standby unit when the wafer W is processed.
  • the transfer arm A1 transfers the disk 71 from the shelf to the resist coating module COT, and the ring portion of the disk 71 73 is adsorbed to the spin chuck 22.
  • the spin chuck 22 rotates, and a solvent made of, for example, thinner is discharged from the back surface of the ring portion 73 of the disk 71 from the back surface cleaning nozzle 26 for cleaning the back surface of the wafer W.
  • the flow of the solvent is indicated by dotted arrows.
  • the discharged solvent moves upward on the back surface of the ring portion 73 by centrifugal force, and then rises on the outer peripheral surface 74 due to surface tension and viscosity. Spatters to the inner surface.
  • the scattered solvent travels along the inner peripheral surface of the cup 21, descends while washing away the resist adhering to the cup 21, flows into a drain path (not shown), and is drained.
  • the disk 21 is returned to the standby unit, and normal transfer of the wafer W is resumed.
  • the cup 21 is automatically cleaned during maintenance.
  • the standby unit is not limited to this example.
  • the disk 71 is transferred to the coating and developing apparatus 1 by the carrier C. That is, the carrier C may be a standby unit.

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Abstract

　本発明は、処理ブロックにおいて基板に塗布膜を形成された後、この基板を露光装置に受け渡し、露光後の基板に対して処理ブロックにおいて現像処理を行い、その後キャリアに受け渡すように構成され、同一時間あたりの基板の処理枚数が露光装置よりも多い塗布現像装置において、露光前の基板を一旦仮置きする仮置き部と、基板の搬送経路における、基板が置かれるモジュールについてメンテナンスを行うために、当該上流側の基板の搬送を停止する時間の長さを設定するための停止時間設定部と、仮置き部に置かれた基板の枚数が停止時間の長さに応じた、処理ブロックによる基板の処理枚数に達したか否かを監視し、所定の処理枚数に達した後に仮置き部の上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する制御部と、を備えている。

Description

塗布現像装置、塗布現像方法及び記憶媒体
　本発明は、基板にレジストを塗布し、現像を行う塗布現像装置、塗布現像方法及びこの方法を実行するコンピュータプログラムを含んだ記憶媒体に関する。
　半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このレジストパターンの形成は、レジストなどの各種の塗布膜の形成処理及び現像処理を行う塗布現像装置に露光処理を行う露光装置を接続したシステムにより行っている。
　ところで、塗布現像装置においてはウエハを処理するモジュールの状態の確認や部品の交換などの各種のメンテナンスを行うことがあり、そのために塗布現像装置の稼働を停止させる場合があった。上記のように塗布現像装置と露光装置との間でウエハが搬送されるため、塗布現像装置の稼働を停止させた場合には、露光装置の稼働も停止させていた。しかし、そのようにシステム全体の動作を停止することにより、半導体製品の生産効率が低下してしまう。
　特許文献１には、上記のように露光前のウエハを塗布現像装置に設けられたバッファモジュールに溜めて、バッファモジュールの前段側で行われる処理を一旦止めてメンテナンスを行うことが記載されている。そして、メンテナンス中にバッファモジュールからはウエハを搬送して、後段側の処理を継続することが示されているが、メンテナンス中にバッファモジュール内のウエハがすべて取り出されて、後段側の処理が行えなくなるおそれがある。露光装置の運用には比較的高いコストを要するため、このように後段側の処理が行えない場合、半導体製品の生産コストが高くなってしまうおそれがある。
日本国特開２００８－２７７５２８号公報（段落００４６）
　本発明はこのような事情の下になされたものであり、露光装置の生産効率を落とさない塗布現像装置を提供することにある。
　本発明の塗布現像装置は、キャリアブロックに載置されたキャリアから取り出された基板を処理ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、露光装置に受け渡し、露光後の基板に対して処理ブロックにおいて現像処理を行い、その後キャリアに受け渡すように構成され、同一時間あたりの基板の処理枚数が露光装置よりも多い塗布現像装置において、前記塗布膜が形成された、露光前の基板を一旦仮置きする仮置き部と、基板の搬送経路において基板が置かれるモジュールについてメンテナンスを行うために、当該上流側の基板の搬送を停止する時間の長さを設定するための停止時間設定部と、前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達したか否かを監視し、達した後に仮置き部よりも上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する制御部と、を備えている。
　「前記停止時間に応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数」とは、停止時間の間で処理できる基板の処理枚数そのものだけに限らず、停止時間の間で処理できる基板の処理枚数の例えば９５％の枚数も特許請求の範囲に含まれる。例えば停止時間を３０分に設定し、単位時間当たりの基板の処理枚数が３０秒であった場合には、処理枚数は６０枚となるが、仮置き部に５７枚溜まったときに基板の搬送を停止してもよい。この場合には、５７枚の基板を露光装置に搬送したときに、処理ブロックでは基板の処理を再開できないので、露光装置は、処理ブロックにおける基板の３枚分の処理時間である１分３０秒だけ処理が途切れることになる。しかしながらこのような場合でも本発明の手法の効果が実質得られることから、特許請求の範囲に含まれる。即ち、基板の搬送を停止する時間を設定し、仮置き部に置かれた基板の枚数が所定の処理枚数に達したか否かを監視するように装置を構成した場合、前記「所定の処理枚数」は、業界において効果が得られると判断される限り、停止時間の間で処理できる基板の処理枚数そのものだけに限らないということである。また、ここでいう「モジュール」には基板を搬送する搬送手段も含まれる。
　本発明の塗布現像方法は、キャリアブロックに載置されたキャリアから取り出された基板を処理ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、露光装置に受け渡し、露光後の基板に対して処理ブロックにおいて現像処理を行い、キャリアに受け渡すように構成され、同一時間あたりの基板の処理枚数が露光装置よりも多い塗布現像装置を用いた塗布現像方法において、前記塗布膜が形成された、露光前の基板を仮置き部に一旦仮置きする工程と、基板の搬送経路において基板が置かれるモジュールについてメンテナンスを行うために、停止時間設定部により当該上流側の基板の搬送を停止する時間の長さを設定する工程と、前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達したか否かを監視し、達した後に仮置き部よりも上流側の基板の搬送を停止する工程と、を有する。
　本発明の記憶媒体は、塗布現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、上述の塗布現像方法を実施するためのものである。
　本発明によれば、仮置き部に置かれた露光前の基板の枚数がメンテナンスを行うための停止時間の長さに応じた枚数に達した後に、仮置き部の前記上流側の基板の搬送を停止する。従って、停止時間の間に露光前の基板を露光装置へ搬送し続けて露光処理を行える。従って、露光装置の生産効率の低下を抑えることができる。
本発明の塗布現像装置の平面図である。 前記塗布現像装置の斜視図である。 前記塗布現像装置の縦断側面図である。 インターフェイスブロックの縦断正面図である。 バッファモジュールにおける待機領域の斜視図である。 塗布現像装置及び露光装置の搬送の概要を示した説明図である。 塗布現像装置及び露光装置の搬送の概要を示した説明図である。 塗布現像装置に設けられる制御部の説明図である。 前記制御部の記憶領域を示す説明図である。 前記制御部の記憶領域を示す説明図である。 制御部の記憶領域を示す説明図である。 制御部の記憶領域を示す説明図である。 塗布現像装置で自動メンテナンスが開始されるフロー図である。 予約メンテナンスを行うフロー図である。 手動メンテナンスを行うフロー図である。 塗布現像装置及び露光装置の搬送の概要を示した説明図である。 自動カップ洗浄に用いるディスクの斜視図である。 自動カップ洗浄時のレジスト塗布モジュールの縦断側面図である。
　本発明に係る塗布現像装置１について説明する。図１は、前記塗布現像装置の平面図、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この塗布現像装置１は、キャリアブロックＳ１と、処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックＳ３にはさらに露光装置Ｓ４が接続されている。以降の説明ではブロックＳ１～Ｓ３の配列方向を前後方向とする。
　キャリアブロックＳ１は、同一のロットの基板であるウエハＷを複数枚含むキャリアＣを塗布現像装置１に搬入出する役割を有し、キャリアＣの載置台１１と、開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを搬送するための搬送機構である受け渡しアーム１３とを備えている。また、キャリアブロックＳ１は、図２に示したように、載置台１１上に棚１４を備えており、キャリア搬送機構１５により載置台１１と棚１４との間でキャリアＣが受け渡される。載置台１１に置かれてウエハＷが取り出されたキャリアＣは、ウエハＷが戻るまで棚１４で待機することで、前記キャリアＣによる載置台１１の占有を防ぎ、複数のキャリアＣのウエハＷを続けて塗布現像装置１に搬入することができる。
　処理ブロックＳ２は、ウエハＷに液処理を行う第１～第６の単位ブロックＢ１～Ｂ６が下から順に積層されて構成されており、各単位ブロックＢ１～Ｂ６は、下層側から２つずつ、同様に構成されている。つまり、単位ブロックＢ１、Ｂ２が同じ構成であり、単位ブロックＢ３、Ｂ４が同じ構成であり、単位ブロックＢ３、Ｂ４が同じ構成である。
　図１に示す第１の単位ブロックＢ１について説明すると、キャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３へ向かう搬送領域Ｒ１の左右には液処理ユニット２０、棚ユニットＵ１～Ｕ６が夫々配置され、液処理ユニット２０には、反射防止膜形成モジュールＢＣＴと、レジスト膜形成モジュールＣＯＴとが設けられている。反射防止膜形成モジュールＢＣＴは夫々ウエハＷを処理するための２つのカップ２１と、カップ２１内でウエハＷの裏面を支持すると共にウエハＷを鉛直軸回りに回転させるスピンチャック２２と、２つのカップ２１で共用の処理液供給ノズル２３とを備え、スピンコーティングにより反射防止膜形成用の処理液をウエハＷに塗布する。また、図１では省略しているが反射防止膜形成モジュールＢＣＴは、スピンチャック２２に保持されたウエハＷの裏面に溶剤を供給して、当該ウエハＷの裏面を洗浄する裏面洗浄ノズルを備えている。
　レジスト膜形成モジュールＣＯＴは、前記処理液がレジストである他は反射防止膜形成モジュールＢＣＴと同様に構成されている。図１中、２４はカップ状の待機部である。待機部２４では、処理液供給ノズル２３を待機させると共に待機した処理液供給ノズル２３に洗浄液を供給して処理液供給ノズル２３を洗浄する。
　前記搬送領域Ｒ１には、図３に示したように、ウエハＷの搬送機構である搬送アームＡ１が設けられている。この搬送アームＡ１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、且つ搬送領域Ｒ１の長さ方向に移動自在に構成されており、単位ブロックＢ１の全てのモジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。図１において、２５はウエハＷの外周を囲むフォーク部であり、ウエハＷの裏面を支持する爪部２５ａを備えている。また、前記棚ユニットＵ１～Ｕ６は、搬送領域Ｒ１の長さ方向に沿って配列され、棚ユニットＵ１～Ｕ５は、ウエハＷの加熱処理を行う加熱モジュールが例えば２段に積層されて構成されている。棚ユニットＵ６は、互いに積層された２台の周縁露光モジュールＷＥＥにより構成される。この周縁露光モジュールＷＥＥは、光源としてランプを備え、レジスト塗布後のウエハＷの周縁部を露光する。
　単位ブロックＢ３～Ｂ６は、液処理ユニット２０でウエハＷに供給する処理液が異なること及び周縁露光モジュールの代わりに加熱モジュールが設けられることを除き、単位ブロックＢ１、Ｂ２と同様に構成される。単位ブロックＢ３、Ｂ４は、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト塗布モジュールＣＯＴの代わりに２台の保護膜形成モジュールＴＣＴを備えている。反射防止膜形成モジュールＢＣＴ、レジスト塗布モジュールＣＯＴ及び保護膜形成モジュールＴＣＴを塗布膜形成モジュールとする。単位ブロックＢ５、Ｂ６は、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴの代わりに２台の現像モジュールＤＥＶを備える。
　保護膜形成モジュールＴＣＴ、現像モジュールＤＥＶはウエハＷに供給する処理液の違いを除いて反射防止膜形成モジュールＢＣＴと、ほぼ同様に構成されている。保護膜形成モジュールＴＣＴは液浸露光時にウエハＷの表面を保護する保護膜形成用の処理液を、現像モジュールＤＥＶは現像液を夫々ウエハＷに供給する。なお、各単位ブロックＢ１～Ｂ６の搬送アームはＡ１～Ａ６として図３に示している。
　搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側には、図３に示したように、各単位ブロックＢに跨った棚ユニットＵ７が設けられている。棚ユニットＵ７は、互いに積層された複数のモジュールにより構成されている。これらのモジュールとしては、各単位ブロックの高さ位置に設けられた受け渡しモジュールＣＰＬ１１～ＣＰＬ１３と、受け渡しモジュールＣＰＬ１４と、バッファモジュールＢＵ１１と、疎水化処理モジュールＡＤＨとがある。
　説明中、ＣＰＬと記載した受け渡しモジュールは、載置したウエハＷを冷却する冷却ステージを備えている。バッファモジュールＢＵは、複数枚のウエハＷを格納できるように構成されている。また、疎水化処理モジュールＡＤＨは、ウエハＷに処理ガスを供給し、ウエハＷ表面を疎水化させる。棚ユニットＵ７の近傍には、図１に示したように、昇降自在且つ棚ユニットＵ７に対して進退自在な受け渡しアーム３０が設けられ、棚ユニットＵ７の各モジュール間でウエハＷを搬送する。
　続いて、図４も参照しながらインターフェイスブロックＳ３の構成について説明する。図４は、処理ブロックＳ２側へ向かって見たインターフェイスブロックＳ３の縦断正面図である。インターフェイスブロックＳ３は棚ユニットＵ８を備えており、棚ユニットＵ８は、受け渡しモジュールＴＲＳ０～ＴＲＳ２、受け渡しモジュールＣＰＬ１、バッファモジュール群３が互いに積層されて構成されている。
　ウエハＷの仮置き部であるバッファモジュール群３は、互いに積層されたバッファモジュールＢＵ１～ＢＵ４により構成されている。受け渡しモジュールＴＲＳ１は、第３の単位ブロックＢ３及び第４の単位ブロックＢ４の各高さ位置に設けられている。受け渡しモジュールＴＲＳ２は第５の単位ブロックＢ５及び第６の単位ブロックＢ６の各高さ位置に設けられている。受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２及びバッファモジュール群３の下方側には、受け渡しモジュールＴＲＳ０及び受け渡しモジュールＣＰＬ１が設けられている。
　バッファモジュールＢＵ１について説明する。バッファモジュールＢＵ１は左右の側面が開口した筐体を備えており、筐体内には図５に示すように対をなす立て板３６、３６と各立て板３６から内側方向に伸びる水平板３７とが設けられている。各水平板３７上はウエハＷの待機領域３８をなし、水平板３７の表面に設けられた支持ピン３９上にウエハＷが支持される。一つのバッファモジュールＢＵに立て板３６は複数設けられ、バッファモジュールＢＵ１に待機領域３８は、例えば２０個設けられる、つまり、バッファモジュールＢＵ１にはウエハＷを、例えば最大で、２０枚待機させることができる。バッファモジュールＢＵ２～ＢＵ４もバッファモジュールＢＵ１と同様に構成されている。
　図４に戻って棚ユニットＵ８を左右方向から挟むように棚ユニットＵ９、Ｕ１０が設けられている。棚ユニットＵ９は、露光前にウエハＷの裏面をブラシにより洗浄する裏面洗浄モジュールＢＳＴが６基積層されて構成されている。棚ユニットＵ１０は、露光後にウエハＷの表面を洗浄する露光後洗浄モジュールＰＩＲが４基積層されて構成されている。
　棚ユニットＵ８、Ｕ９間には第１のインターフェイスアーム３Ａが設けられている。第１のインターフェイスアーム３Ａは、昇降軸３１に沿って昇降自在な基台３２と、基台３２上を鉛直軸回りに回転自在な回転台３３と、回転台３３上を進退自在なウエハ支持部３４と、を備えている。棚ユニットＵ８、Ｕ１０間には第２のインターフェイスアーム３Ｂが設けられており、この第２のインターフェイスアーム３Ｂは第１のインターフェイスアーム３Ａと同様に構成されている。また、第２のインターフェイスアーム３Ｂの下方には、第３のインターフェイスアーム３Ｃが設けられており、水平移動部３５により昇降軸３１が左右方向に移動自在に構成されることを除き、第２のインターフェイスアーム３Ｂと同様に構成される。
　インターフェイスアーム３Ａ、３Ｂは、基台３２の高さ、回転台３３の向き及びウエハ支持部３４の位置により、夫々異なる信号を後述の制御部１００に出力する。つまり、露光前洗浄モジュールＢＳＴにアクセスするとき、各受け渡しモジュールＴＲＳにアクセスするとき、露光後洗浄モジュールＰＩＲにアクセスするとき、受け渡しモジュールＣＰＬにアクセスするとき、バッファモジュールＢＵにアクセスするときで、夫々異なる信号を制御部１００に出力する。また、バッファモジュールＢＵにアクセスするときは、アクセスする待機領域３８毎に異なる信号を出力する。このようにインターフェイスアーム３Ａ、３Ｂから出力される信号によって、制御部１００は、どのバッファモジュールＢＵのどの待機領域３８に露光前のウエハＷが待機しているか、どの待機領域３８に露光後のウエハＷが待機しているかを識別することができる。
　この塗布現像装置１及び露光装置Ｓ４からなるシステムの通常時におけるウエハＷの搬送経路について説明する。例えばウエハＷは単位ブロックＢ１→Ｂ３→Ｂ５を通過する経路１と、単位ブロックＢ２→Ｂ４→Ｂ６とを通過する経路２とによって搬送され、各経路で同様の処理を受ける。一のキャリアＣのウエハＷがすべて取り出されてから、次のキャリアＣからウエハＷが取り出される。また、例えばウエハＷは、キャリアＣから取り出された順に第１の経路、第２の経路へ交互に振り分けられ、取り出されたキャリアＣに戻される。以下、前記第１の経路の搬送について詳細に説明する。
　ウエハＷは、キャリアＣ→受け渡しアーム１３→バッファモジュールＢＵ１１→受け渡しアーム３０→疎水化処理モジュールＡＤＨ→搬送アームＡ１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ→搬送アームＡ１→加熱モジュール→搬送アームＡ１→レジスト塗布モジュールＣＯＴ→搬送アームＡ１→加熱モジュールＨＰ→周縁露光モジュールＷＥＥ→搬送アームＡ１→受け渡しモジュールＣＰＬ１１の順で搬送され、ウエハＷの表面に反射防止膜、レジスト膜の順に下層側から塗布膜が積層される。
　その後、ウエハＷは、受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＣＰＬ１２→搬送アームＡ３→保護膜形成モジュールＴＣＴ→搬送アームＡ３→加熱モジュールＨＰ→搬送アームＡ３→受け渡しモジュールＴＲＳ１の順に搬送される。これによってレジスト膜の上層に保護膜が形成されると共にウエハＷがインターフェイスブロックＳ３へと搬入される。
　前記ウエハＷは、第１のインターフェイスアーム３Ａ→露光前洗浄モジュールＢＳＴ→第１のインターフェイスアーム３Ａ→バッファモジュール群３→第２のインターフェイスアーム３Ｂ→受け渡しモジュールＣＰＬ１→第３のインターフェイスアーム３Ｃ→露光装置Ｓ４の順で搬送され、裏面洗浄処理に続いて液浸露光処理を受ける。
　露光済みのウエハＷは、第３のインターフェイスアーム３Ｃ→受け渡しモジュールＴＲＳ０→第２のインターフェイスアーム３Ｂ→露光後洗浄モジュールＰＩＲ→バッファモジュール群３→第２のインターフェイスアーム３Ｂ→受け渡しモジュールＴＲＳ２の順に搬送される。その後、搬送アームＡ５→加熱モジュールＨＰ→現像モジュールＤＥＶ→搬送アームＡ５→加熱モジュールＨＰ→搬送アームＡ５→受け渡しモジュールＣＰＬ１３→受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＣＰＬ１４→受け渡しアーム３０→キャリアＣの順に搬送される。第２の経路で搬送されるウエハＷは、通過する単位ブロックが異なる他は、この第１の経路と同様にモジュール間を搬送されて処理を受ける。
　続いて、この実施の形態におけるウエハＷの搬送方式の変更の概略について、ウエハＷの搬送経路を矢印で示した図６、図７を用いて説明する。図６は、上記の通常時のウエハＷの搬送（通常搬送）を極めて簡略化して示している。図中、キャリアＣから取り出された露光前のウエハＷがバッファモジュール群３に向かう搬送を往路側搬送Ｆ１、露光済みのウエハＷがバッファモジュール群３からキャリアＣに向かう搬送を復路側搬送Ｆ２として、夫々矢印で示している。また、バッファモジュール群３から露光装置Ｓ４を経た後にバッファモジュール群３に戻される搬送を、露光搬送Ｆ３として矢印で示している。
　この塗布現像装置１のスループット（所定の時間におけるウエハＷの処理枚数）は、露光装置Ｓ４のスループットよりも高い。従って、上記の通常搬送が続けられると、塗布現像装置１と露光装置Ｓ４とのスループット差に応じた早さで露光前のウエハＷがバッファモジュール群３に蓄積される。このようにバッファモジュール群３に一旦蓄積したウエハＷを露光装置Ｓ４に搬入するのは、露光装置Ｓ４に連続してウエハＷを搬送し、露光処理を滞りなく行うためである。なお、往路側搬送Ｆ１のスループットと復路側搬送Ｆ２のスループットとは同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。この例ではこれら各搬送Ｆ１、Ｆ２のスループットが同じであるものとする。また、キャリアＣからはバッファモジュール群３の待機領域３８の数を超える枚数のウエハＷは取り出されないものとする。
　往路側搬送Ｆ１に用いられる処理ブロックＳ２のモジュールのメンテナンスを行う場合がある。この場合、キャリアＣからのウエハＷの取り出しが停止し、往路側搬送Ｆ１の搬送が停止する。その一方で、図７に示すように露光搬送Ｆ３及び復路側搬送Ｆ２は継続される。このときに露光装置Ｓ４の処理が途切れないように、バッファモジュール群３にメンテナンスを行うために必要な時間の長さに対応した枚数のウエハＷが蓄積されたときに、往路側搬送Ｆ１が停止するように制御される。なお、モジュールとはウエハＷが置かれる場所であり、ここではウエハＷを搬送する搬送機構もモジュールに含まれる。
　前記メンテナンスとしては、自動メンテナンス、予約メンテナンス、手動メンテナンスがある。自動メンテナンスは、定期的に繰り返し自動で行われるメンテナンスであり、具体的には各塗布膜形成モジュールにおけるカップ２１を不図示の洗浄機構が自動で洗浄する自動カップ洗浄と、各塗布膜形成モジュールの待機部２４で処理液供給ノズル２３を自動で洗浄する自動ノズル洗浄とがある。
　予約メンテナンスは、メンテナンスを行う予定日時を予めユーザが設定し、ユーザが装置を操作して行うメンテナンスである。この予約メンテナンスとして、具体的にはレジスト塗布モジュールＣＯＴのカップ２１の交換、周縁露光モジュールＷＥＥのランプ交換、各搬送アームＡ１～Ａ４の爪部２５ａの交換がある。
　手動メンテナンスは、ユーザが任意のタイミングで開始を指示するメンテナンスである。手動メンテナンスとしては、具体的には例えばレジスト塗布モジュールＣＯＴの処理液供給ノズル２３からレジストを吐出させ、吐出量及び吐出状態の適否をユーザが確認するメンテナンスがある。
　塗布現像装置１に設けられる制御部１００について説明する。制御部１００はコンピュータからなり、図８にその構成を示している。図中４１はバスであり、バス４１には、各種の演算を行うＣＰＵ４２、プログラム４３を格納したプログラム格納部４４、メモリ４５、ワークメモリ４６、設定部４７及び表示部４８が接続されている。前記プログラム４３には、制御部１００から塗布現像装置１の各部に制御信号を送り、既述の各処理を行い、ウエハＷの搬送を制御できるように命令（各ステップ）が組み込まれている。前記プログラム４３は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）メモリーカードなどにより格納されて制御部１００にインストールされ、前記プログラム格納部４４に格納される。また、設定部４７はキーボードやタ
ッチパネルなどにより構成され、ユーザが、当該設定部４７で設定した内容がメモリ４５に記憶される。ワークメモリ４６ではＣＰＵ４２により、後述のように各種の演算が行われる。これらは演算部を構成する。
　続いて、メモリ４５について説明する。メモリ４５には、スループット記憶領域５１と、バッファ状態記憶領域５２と、メンテナンス設定記憶領域５３とが設けられる。スループット記憶領域５１には塗布現像装置１のスループット及び露光装置Ｓ４のスループットが記憶される。また、このスループット記憶領域５１には、１時間あたりにバッファモジュール群３に溜まるウエハＷ枚数である蓄積レートが記憶される。この蓄積レートは、下記の式１により演算される。
　［式１］蓄積レート（枚／分）＝［往路側スループット（枚／時間）－露光装置Ｓ４のスループット（枚／時間）］／６０
　バッファ状態記憶領域５２は、図９に示したように、バッファモジュール群３の待機領域３８毎に露光前ウエハＷの有無が記憶される待機状態記憶領域５２ａと、露光前ウエハＷ枚数記憶領域５２ｂとからなる。図９は、バッファ状態記憶領域５２に記憶されるデータを示している。待機状態記憶領域５２ａに記憶されるデータに基づいて、ＣＰＵ４２がバッファモジュール群３で待機する露光前ウエハＷの合計枚数を演算し、露光前ウエハＷ枚数記憶領域５２ｂに演算値を記憶する。
　メンテナンス設定記憶領域５３は、自動メンテナンス、予約メンテナンス、手動メンテナンスについての設定が夫々記憶される設定記憶領域６１、６２、６３を備えている。図１０～図１２は、これらの設定記憶領域６１～６３に記憶されるデータを示している。自動メンテナンスの設定記憶領域６１では、自動カップ洗浄、自動ノズル洗浄の夫々についてＢＣＴ、ＣＯＴ、ＴＣＴの塗布処理モジュール毎にメンテナンスに必要な時間（メンテナンス必要時間）と、メンテナンスを行う時間間隔（メンテナンス時間間隔）と、メンテナンス必要時間に対応してバッファモジュール群３に溜める必要がある露光前ウエハ枚数（必要ウエハ枚数）と、バッファモジュール群３において必要ウエハ枚数に不足しているウエハ枚数（不足ウエハ枚数）と、バッファモジュール群３に必要ウエハ枚数が溜まるまでの予測待ち時間と、が互いに対応付けられて記憶される。
　前記メンテナンス必要時間及びメンテナンス時間間隔は、ユーザが設定した設定値である。必要ウエハ枚数は、前記メンテナンス必要時間とスループット記憶領域５１に記憶される露光装置Ｓ４のスループットとを用いて、下記の式２により演算される。
［式２］必要ウエハ枚数（枚）＝メンテナンス必要時間（分）×露光装置Ｓ４のスループット（枚／分）
　不足ウエハ枚数は、式２で演算された必要ウエハ枚数とバッファ状態記憶領域５２に記憶される露光前ウエハの合計枚数とを用いて、下記の式３により演算される。
［式３］不足ウエハ枚数（枚）＝必要ウエハ枚数（枚）－露光前ウエハＷ合計枚数（枚）
　予測待ち時間は、式３で演算された不足ウエハ枚数と、スループット記憶領域５１に記憶される蓄積レートとを用いて、下記の式４により演算される。
［式４］予測待ち時間（分）＝不足ウエハ枚数（枚）／蓄積レート（枚／分）
　自動メンテナンスの一つであるレジスト塗布モジュールＣＯＴの自動カップ洗浄について、具体的に数値の例を挙げて、設定記憶領域６１の各演算値が演算される工程を説明する。塗布現像装置１のスループットが３３０枚／時間、露光装置Ｓ４のスループットが３００枚／時間であり、メンテナンス必要時間が２分に設定されているものとする。またバッファモジュール群３の露光前ウエハＷの合計枚数は４枚とする。
この場合、
［式１］より蓄積レート＝［３３０（枚／時間）－３００（枚／時間）］／６０＝０．５枚／分である。
［式２］より、必要ウエハ枚数＝２（分）×３００／６０（枚／分）＝１０枚である。
［式３］より、不足ウエハ枚数＝１０枚－４枚＝６枚である。
［式４］より、予測待ち時間＝６枚／０．５（枚／分）＝１２分である。
　続いて、予約メンテナンスの設定記憶領域６２について説明する。この設定記憶領域６２には、自動メンテナンスの設定記憶領域６１と同様にメンテナンス毎にメンテナンス必要時間、必要ウエハ枚数、不足ウエハ枚数及び予測待ち時間が互いに対応付けられて記憶される。また、この設定記憶領域６２には、各メンテナンス毎に設定されたメンテナンス開始日時が記憶される。
　予約メンテナンスの一つである周縁露光モジュールＷＥＥのランプ交換について、前記設定記憶領域６２の各演算値が演算される工程について具体的に数値の例を挙げて説明する。メンテナンス必要時間は例えば１０分に設定されたものとする。バッファモジュール群３の露光前ウエハＷ合計枚数は、先の例と同じく４枚とする。
この場合、
［式２］より、必要ウエハ枚数＝１０（分）×３００／６０（枚／分）＝５０枚である。
［式３］より、不足ウエハ枚数＝５０枚－４枚＝４６枚である。
［式４］より、予測待ち時間＝４６枚／０．５（枚／分）＝９２分である。
　手動メンテナンスの設定記憶領域６３には、自動メンテナンスの設定記憶領域６１と同様にメンテナンス毎にメンテナンス必要時間、必要ウエハ枚数、不足ウエハ枚数及び予測待ち時間が互いに対応付けられて記憶される。手動メンテナンスの一つであるレジスト吐出量及び吐出状態の確認作業について、前記設定記憶領域６３の各演算値が演算される工程について具体的に数値の例を挙げて説明する。メンテナンス必要時間は、例えば５分に設定されたものとする。往路側スループット、露光装置Ｓ４のスループット、バッファモジュール群３の露光前ウエハＷ合計枚数は夫々、先の例と同じく３３０枚／時間、３００枚／時間、４枚とする。この場合、
［式２］より、必要ウエハ枚数＝５（分）×３００／６０（枚／分）＝２５枚である。
［式３］より、不足ウエハ枚数＝２５枚－４枚＝２１枚である。
［式４］より、予測待ち時間＝２１枚／０．５（枚／分）＝４２分である。
　図８に戻って、表示部４８について説明する。表示部４８は例えばディスプレイにより構成され、メモリ４５に記憶されたバッファモジュール群３の露光前ウエハの合計枚数や、各メンテナンスにおけるメンテナンス必要時間、メンテナンス開始日時、蓄積レート、必要ウエハ枚数、不足ウエハ枚数及び予測待ち時間が表示される。具体的には、図１０～図１２で示した表が表示部４８に表示される。この表示部４８の表示は、ウエハＷの処理中にリアルタイムで更新される。
　ユーザは、塗布現像装置１でウエハＷの処理を開始する前に、各自動メンテナンスについてメンテナンス必要時間、メンテナンス時間間隔を設定する。また、ユーザは、各予約メンテナンスについて、メンテナンス必要時間及びメンテナンス開始日時を設定する。ユーザの設定に基づいて制御部１００が蓄積レートを演算し、さらに各メンテナンス毎に必要ウエハ枚数、不足ウエハ枚数及び予測待ち時間を演算する。そして、これら設定値及び演算値が表示部４８に表示される。
　上記の自動メンテナンス及び予約メンテナンスに属する各メンテナンスは、メンテナンスを行う際のウエハＷの待機手法の違いにより、ブロック退避メンテナンスとモジュール退避メンテナンスとに分類される。ブロック退避メンテナンスでは、メンテナンスを行うために単位ブロックＢ１～Ｂ４を搬送中のすべてのウエハＷをバッファモジュール群３へと退避させる必要があるメンテナンスである。モジュール退避メンテナンスは、そのような退避を行う必要が無いメンテナンスであり、メンテナンスを行うモジュールよりも前段側のモジュール及び後段側のモジュールにウエハＷが待機した状態で前記モジュールのメンテナンスが行われる。
　例えば自動メンテナンスの例として挙げた自動カップ洗浄及び自動ノズル洗浄はモジュール退避メンテナンスに該当する。予約メンテナンスの例として挙げたレジスト塗布モジュールＣＯＴのカップ交換及び周縁露光モジュールＷＥＥのランプ交換はモジュール退避メンテナンスに該当する。また、予約メンテナンスの例として挙げた搬送アームＡ１～Ａ４の爪部２５の交換は、ブロック退避メンテナンスに該当する。
　以降、図１３のフローチャートを参照しながら、モジュール退避メンテナンスの例としてレジスト塗布モジュールＣＯＴで自動カップ洗浄が行われる工程について説明する。ウエハＷの通常搬送及び処理が開始されると、制御部１００は処理の開始時点からメンテナンス時間間隔として設定した時間が経過したか否かを判定し（ステップＤ１）、経過していない場合は通常搬送が続けられる。そして、前記設定時間が経過したと判定した場合は、制御部１００は続けてバッファモジュール群３に必要ウエハ枚数が溜まっているか否かを判定する（ステップＤ２）。
　バッファモジュール群３に必要ウエハ枚数が溜まっていないと判定された場合は、通常搬送が続けられる。必要ウエハ枚数が溜まったと判定された場合は、メンテナンス対象のレジスト塗布モジュールＣＯＴで処理を受けて搬出されるウエハＷが、一のロットのウエハＷであり、且つその次に当該レジスト塗布モジュールＣＯＴに搬送されるウエハＷが次のロットのウエハＷであるか否かが判定される。つまり、前記レジスト塗布モジュールＣＯＴにロットの切れ目がかかっているか否かが判定される（ステップＤ３）。前記ロットの切れ目になっていないと判定された場合は通常搬送が続けられ、前記ロットの切れ目になったと判定された場合は、キャリアＣからのウエハＷの取り出しが停止し、往路側搬送Ｆ１が停止する。それによって、このレジスト塗布モジュールＣＯＴが空になり、先行ロットはこのレジスト塗布モジュールよりも前段のモジュールに、後続のロットはこのレジスト塗布モジュールＣＯＴの後段に留まることになる（ステップＤ４）。そして、空になった前記レジスト塗布モジュールＣＯＴではカップ２１の洗浄が行われる（ステップＤ５）。
　カップ２１の洗浄が行われる間、図７で説明したように露光後搬送Ｆ３及び復路側搬送Ｆ２が継続されるため、バッファモジュール群３に蓄えられた露光前ウエハＷは、露光装置Ｓ４及び単位ブロックＢ５、Ｂ６に搬送されて処理を受け、キャリアＣに戻される。カップ２１の洗浄が終了し、前記往路側搬送Ｆ１が停止してから、設定したメンテナンス必要時間が経過すると、キャリアＣから後続のロットのウエハＷの取り出しと、処理ブロックＳ２における往路側搬送Ｆ１とが再開され、メンテナンスを終えたレジスト塗布モジュールＣＯＴに後続のロットのウエハＷが搬入される。続けて、制御部１００は、このメンテナンス終了時刻から、設定したメンテナンス時間間隔が経過したか否かを判定する。つまり、上記のステップＤ１～Ｄ５が繰り返し実行され、レジスト塗布モジュールＣＯＴのカップ洗浄が周期的に繰り返し行われる。他の塗布膜形成モジュールにおいても、同様にステップＤ１～Ｄ５に従ってカップ洗浄が行われる。また、自動ノズル洗浄が行われる場合も自動カップ洗浄が行われる場合と同様にステップＤ１～Ｄ５に従って動作が進行する。
　モジュール退避メンテナンスのフローを説明するにあたり、自動メンテナンスである自動カップ洗浄の例について説明したが、予約メンテナンスである場合にも同様に図１３のステップＤ１～Ｄ４に従って処理が進行し、メンテナンス対象となるモジュールへのウエハＷの搬送が停止した後、作業者がメンテナンスを行う。例えば周縁露光モジュールＷＥＥのランプ交換を行う場合について説明すると、ステップＤ１ではメンテナンスを行うように設定した日時になったか否かが判定される。そして、ステップＤ４で周縁露光モジュールＷＥＥへの搬送が停止した後、作業者が前記ランプの交換を行う。そして、後述のように作業者が指示すると、搬送が再開される。レジスト塗布モジュールＣＯＴのカップ２１の交換を行う場合にも同様にステップＤ１～Ｄ４に従って処理が進行し、レジスト塗布モジュールＣＯＴへのウエハＷの搬送が停止する。
　続いて、ブロック退避メンテナンスの例として、搬送アームＡ１の爪部２５ａの交換を行う工程について図１４のフローを参照しながら自動メンテナンスのフローとの差異点を中心に説明する。塗布現像装置１が起動し、ウエハＷの通常搬送及び処理が開始されてから、制御部１００は、メンテナンス開始日時として設定した時間になったか否かを判定し（ステップＥ１）、設定時間になっていない場合は通常搬送が続けられる。そして、前記設定した時間になったと判定された場合、制御部１００は続けてバッファモジュール群３に必要ウエハ枚数が溜まっているか否かを判定する（ステップＥ２）。
　バッファモジュール群３に必要ウエハ枚数が溜まっていないと判定された場合は、通常搬送が続けられる。必要ウエハ枚数が溜まったと判定された場合は、表示部４８にそのように必要ウエハ枚数が溜まったことを示すサインが表示され、続いてキャリアＣから取り出し中のロットのウエハＷが、当該ロットの最終ウエハＷであるか否かが判定される。つまり、キャリアＣからのウエハＷの取り出しがロットの切れ目にかかっているか否かが判定される（ステップＥ３）。ロットの最終ウエハＷではないと判定された場合は、キャリアＣからのウエハＷの取り出しが続けられる。キャリアＣから取り出されるウエハＷがロットの最終ウエハＷであると判定された場合は、キャリアＣから後続のロットのウエハＷの取り出しが停止される（ステップＥ４）。
　そして、処理ブロックＳ２に搬出されたロットの最終ウエハＷが処理ブロックＳ２を通過し、バッファモジュール群３へ搬入されると（ステップＥ５）、図７で示したように処理ブロックＳ２では往路側搬送Ｆ１が停止する（ステップＥ６）。この往路側搬送Ｆ１が停止している間にユーザは搬送アームＡ１の爪部２５ａの交換を行う。バッファモジュール群３の露光前ウエハＷが予め設定された枚数以下になる、即ちメンテナンス時間が終了に近づくと、制御部１００は不図示のアラーム発生器からアラーム音を発生させる。作業者がメンテナンス作業を終え、設定部４７において所定の操作を行い、通常搬送の再開を指示することで、通常搬送が再開される。往路側搬送Ｆ１が停止してからメンテナンス必要時間が経過しても、このような作業者の指示があるまで通常搬送は再開されない。搬送アームＡ２～Ａ４の爪部２５ａの交換を行う場合もステップＥ１～Ｅ６に従って処理が行われる。
　続いて、手動メンテナンスの例としてレジスト吐出量及び吐出状態の確認を行う工程について図１５のフローを参照しながら説明する。塗布現像装置１が起動し、ウエハＷの通常搬送が開始されているときに、ユーザは任意のタイミングで、メンテナンス必要時間を設定し、それに基づいて制御部１００では、必要ウエハ枚数、不足ウエハ枚数及び予測待ち時間が演算され、これらの設定値及び演算値が表示部４８に表示される。そして、制御部１００は必要ウエハ枚数がバッファモジュール群３に溜まっているか否かを判定する（ステップＦ１）。溜まっていない場合には通常搬送が継続され、溜まっている場合にはキャリアＣからのウエハＷの取り出しが停止し、ステップＦ２）、処理ブロックＳ２における往路側搬送Ｆ１が停止する（ステップＦ３）。その間にユーザは、レジスト塗布モジュールＣＯＴのレジスト吐出量及び吐出状態を確認する。往路側搬送Ｆ１の停止時点からメンテナンス必要時間が経過すると、通常搬送が再開される。
　例えばこの手動メンテナンスは、自動メンテナンス及び予約メンテナンスに優先して行われ、手動メンテナンスを行うためにメンテナンス必要時間を入力してから上記のように通常搬送が再開されるまでの間、自動メンテナンス及び予約メンテナンスを行うためにキャリアＣからウエハＷの取り出しの停止が起こらない。また、自動メンテナンスと、手動メンテナンスについてもいずれかを優先して行うようにしてもよい。
　この塗布現像装置１によれば、処理ブロックＢ２で行われるメンテナンスに要するメンテナンス時間に対応した枚数の露光前ウエハＷが、バッファモジュール群３に蓄積されたか否かを制御部１００が判定し、蓄積されたと判定されたときに、キャリアＣからのウエハＷの取り出し及び処理ブロックＳ２の往路側搬送が停止する。その一方で、バッファモジュール群３から露光装置Ｓ４を経てキャリアＣに戻されるウエハＷの搬送が継続される。従って、露光装置Ｓ４の露光処理が停止しないため、露光装置Ｓ４の処理効率が低下することを防ぐことができる。その結果として、ウエハＷのスループットの低下を防ぐことができる。また、各メンテナンスにおいて、必要ウエハ枚数が溜まるまでの待ち時間が表示部４８に表示される。ユーザはこの表示を見て、いつからメンテナンスが開始されるか知ることができるので、メンテナンス中は塗布現像装置１へのキャリアＣの搬送を抑え、他の塗布現像装置１に搬送するというキャリアＣの搬送計画を予め立てることができるし、上記の手動メンテナンスを行う場合に他のメンテナンスに影響を与えない適切なときに行うことができるので、結果として製品の生産性の向上に寄与する。また、この塗布現像装置１では各メンテナンス毎に必要ウエハ枚数が溜まると、表示部４８にその旨を示すサインが表示され、ユーザの注意を確実に促すようになっている。
　また、塗布現像装置１ではロットの最後のウエハＷが処理ブロックＳ２を通過するか、あるいはメンテナンス対象となるモジュールを通過してからメンテナンスが行われるようになっている。これによって、同じロットのウエハＷを処理する環境が、ウエハによって異なることが防がれるので、同じロット内の製品の品質がばらつくことが抑えられる。従って、歩留りの低下を防ぐことができる。また、モジュール退避メンテナンスを行う場合には、メンテナンス対象となるモジュール以外のモジュールにウエハＷが待機するので、メンテナンス終了後に速やかに処理を再開できる。従って、スループットの低下をより確実に抑えることができる。
　メンテナンスの種類としては上記の例に限られない。例えば予約メンテナンスの一つとして、モジュールの検査がある。これはモジュール検査用のウエハＷが格納されたキャリアＣをキャリアブロックＳ１に搬送し、当該検査用ウエハＷをキャリアブロックＳ１及び処理ブロックＳ２の各搬送手段を用いて所望のモジュールに搬送し、所定の検査を行った後でキャリアＣに戻すという内容である。検査用ウエハＷは例えば装置１の外部の検査機構に搬送されて、モジュールの動作が検査される。また、単位ブロックＢ３、Ｂ４に各々２基設けられる保護膜形成モジュールＴＣＴのうちの１基を裏面洗浄モジュールＢＳＴとする。そして、予約メンテナンスとして当該裏面洗浄モジュールＢＳＴのブラシの交換を行ってもよい。
　メンテナンスの開始のタイミングとしては、上記の例に限られない。例えば、ロットの最後のウエハＷが処理ブロックＳ２を通過した後、バッファモジュール群３に搬入される前に処理ブロックＳ２の搬送を停止し、メンテナンスを開始してもよい。また、例えば自動メンテナンスを行う場合、メンテナンスが行われるモジュールをロットの最後のウエハＷが通過した時点でメンテナンスを開始してもよい。
　塗布現像装置１ではバッファモジュール群３にウエハＷを溜める。従って、装置内のウエハＷ枚数が多く、また、塗布現像装置１に搬入するキャリア数が不足すると、各モジュールへウエハＷの供給ができなくなり、生産性が低下するおそれがある。従って、前記バッファモジュール群３の前記蓄積レートを考慮した上で、キャリアブロックＳ１に搬入するキャリアＣの数を設定することになる。また、キャリアブロックＳ１の棚に載置できるキャリアＣの数を増やすことも有効である。また、制御部１００は、塗布現像装置１の外部の搬送機構の動作を制御するコンピュータに信号を出力し、ウエハＷが塗布現像装置１に搬入され、空の状態で棚１４に搬送されたキャリアＣを前記搬送機構により塗布現像装置１の外部に退避させてもよい。それによって、キャリアブロックＳ１におけるキャリアＣの数を、当該キャリアＣが載置可能な数に収めるように制御する。
　ところで、処理ブロックＳ２における往路側搬送経路Ｆ１のモジュールをメンテナンスする場合について説明してきたが、処理ブロックＳ２の復路側搬送経路Ｆ２のモジュールのメンテナンスを行う場合にも本発明が適用できる。図１６は、このように復路側のメンテナンスを行う場合の搬送の概略を示しており、この図に示すように、復路側搬送Ｆ２及び往路側搬送Ｆ１の両方の搬送が停止する。そして、搬送Ｆ１及びＦ２を停止させている間に露光搬送Ｆ３を継続する。
　予約メンテナンスであり、ブロック退避メンテナンスである搬送アームＡ６の爪部２５ａの交換を行う場合の例を挙げて、通常搬送から図１６のメンテナンス時の搬送への切り替わりを具体的に説明する。この説明では露光済みウエハのロットをＡ、Ｂとし、ロットＢはロットＡの次のロットである。上述したブロック退避メンテナンスのフローのステップＥ１、Ｅ２が進行し、バッファモジュール群３に必要ウエハ枚数が溜まったと判定されると、バッファモジュール群３から搬出中のロットＡについては、復路側搬送Ｆ２による搬送が継続される。ロットＡの最後のウエハＷが搬出された後、バッファモジュール群３からの露光済みウエハＷの搬出が停止する。つまり、ロットＢについては、バッファモジュール群３から搬出されず、バッファモジュール群３に滞留する。
　そして、ロットＡの最後のウエハＷがキャリアＣに戻されると、復路側搬送Ｆ２が停止する。また、往路側搬送Ｆ１は、上記のステップＥ３～Ｅ６に従って停止する。この間にバッファモジュール群３では、露光前のウエハＷが露光装置Ｓ４へ搬送されてその枚数が減少すると共に、露光装置Ｓ４から搬送された露光済みのウエハＷが蓄積していく。復路側搬送Ｆ２の停止時点からメンテナンス設定時間が経過すると、ロットＢがバッファモジュール３から搬出されると共にキャリアＣからのウエハＷの取り出しが行われる。つまり通常搬送が再開される。このように搬送を行う場合にも露光装置Ｓ４は露光処理を続けることができるので、上記の効果が得られる。なお、往路側搬送Ｆ１のモジュールのメンテナンスを行う場合に、同様に復路側搬送Ｆ２及び往路側搬送Ｆ１の両方を停止させてもよい。
　また、上記の自動カップ洗浄は、カップ２１に備え付けられている洗浄機構をなすノズルから直接カップ２１に洗浄液を供給してもよいが、洗浄用の冶具を用いてカップ２１に洗浄液を供給してもよい。図１７は、その洗浄用の冶具であるディスク７１を示している。円板状の中心部７２の外周を囲うように円形のリング部７３が設けられている。図１８に示すようにリング部７３の周端部は上方向に突出し、リング部７３の外周面７４は起立している。例えば棚ユニットＵ１～Ｕ６の一の棚がこのディスク７１を格納する待機部として構成され、ウエハＷの処理時にディスク７１は当該待機部にて待機する。
　上記のレジスト塗布モジュールＣＯＴのカップ洗浄を行う場合について説明すると、既述のフローＤ１～Ｄ４が進行すると、搬送アームＡ１が前記棚からディスク７１をレジスト塗布モジュールＣＯＴに搬送し、ディスク７１のリング部７３がスピンチャック２２に吸着される。スピンチャック２２が回転し、ウエハＷの裏面を洗浄するための裏面洗浄ノズル２６から、例えばシンナーからなる溶剤がディスク７１のリング部７３の裏面に吐出される。図１８では点線の矢印で溶剤の流れを示しており、吐出された溶剤は遠心力によりリング部７３の裏面を外側に向かった後、表面張力及び粘性により前記外周面７４を上り、カップ２１の内周面へ飛散する。そして、飛散した溶剤はカップ２１の内周面を伝わって、当該カップ２１に付着したレジストを洗い流しながら下降し、不図示の排液路に流れ込んで排液される。この洗浄作業が終了するとディスク２１は前記待機部に戻され、ウエハＷの通常搬送が再開される。
　他の塗布膜形成モジュールにおいても、メンテナンス時に同様にカップ２１の自動洗浄が行われる。また、待機部としてはこの例に限られない。例えばバッファモジュール群３に単位ブロックＢ１～Ｂ４のウエハＷを全て退避させた後、キャリアＣによりこのディスク７１を塗布現像装置１に搬送する。つまりキャリアＣを待機部としてもよい。
Ｗ　　　ウエハ
Ａ１～Ａ６　　　　　搬送アーム
ＢＣＴ　　　　　　　反射防止膜形成モジュール
ＢＵ　　　　　　　　バッファモジュール
ＣＯＴ　　　　　　　レジスト膜形成モジュール
ＤＥＶ　　　　　　　現像モジュール
ＴＣＴ　　　　　　　保護膜形成モジュール
Ｓ１　　　　　　　　キャリアブロック
Ｓ２　　　　　　　　処理ブロック
Ｓ３　　　　　　　　インターフェイスブロック
Ｓ４　　　　　　　　露光装置
ＷＥＥ　　　　　　　周縁露光モジュール
１　　　　　　　　　塗布現像装置
１００　　　　　　　制御部
３　　　　　　　　　バッファモジュール群
４５　　　　　　　　メモリ
４７　　　　　　　　設定部
４８　　　　　　　　表示部

Claims (17)

  1. キャリアブロックに載置されたキャリアから取り出された基板を処理ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、露光装置に受け渡し、露光後の基板に対して処理ブロックにおいて現像処理を行い、その後キャリアに受け渡すように構成され、同一時間あたりの基板の処理枚数が露光装置よりも多い塗布現像装置において、
    前記塗布膜が形成された、露光前の基板を一旦仮置きする仮置き部と、
    基板の搬送経路において基板が置かれるモジュールについてメンテナンスを行うために、当該上流側の基板の搬送を停止する時間の長さを設定するための停止時間設定部と、
    前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達したか否かを監視し、達した後に仮置き部よりも上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する制御部と、を備えている。
  2. 請求項１記載の塗布現像装置において、
    前記制御部は、前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、キャリアブロック側から処理ブロックヘの基板の取り出しを停止するための制御信号を出力し、その後、前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力するように構成されている。
  3. 請求項２記載の塗布現像装置において、
    前記制御部は、前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する前に、処理ブロック内に存在する基板を前記仮置き部に退避させるように制御信号を出力する。
  4. 請求項１記載の塗布現像装置において、
    前記制御部は、前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、その時点で処理ブロック内に存在する基板が属するロットの最終基板がキャリアブロック側から処理ブロックヘ取り出された後、後続の基板の取り出しを停止すると共に、当該最終基板が処理ブロックを通過した後、前記上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力するように構成されている。
  5. 請求項１記載の塗布現像装置において、
    前記停止時間の長さに応じた枚数の露光前の基板が仮置き部に置かれるまでの待ち時間を、仮置き部に置かれている露光前の基板の枚数と、塗布現像装置の基板の処理枚数とに基づいて演算する演算部と、
    演算された前記待ち時間を表示する表示部と、
    を備えている。
  6. 請求項１記載の塗布現像装置において、
    前記メンテナンスを開始するタイミングを設定するタイミング設定部を備え、
    前記制御部は前記タイミングの経過後に上流側の基板の搬送を停止するように制御信号を出力する。
  7. 請求項１記載の塗布現像装置において、
    前記モジュールは、基板に塗布膜を形成するための処理液を供給するノズルと、前記ノズルに洗浄液を供給するノズル洗浄機構と、を含み、
    前記制御部は、前記停止時間に前記ノズルを洗浄するために、ノズル洗浄機構から洗浄液を供給するように制御信号を出力する。
  8. 請求項１記載の塗布現像装置において、
    前記モジュールは、基板の載置部と、基板に塗布膜を形成するための処理液を供給するノズルと、前記載置部に載置された基板を囲むカップと、前記カップ内に洗浄液を供給する洗浄機構と、を備え、
    前記制御部は、前記停止時間にカップを洗浄するために洗浄液を供給するように制御信号を出力する。
  9. 請求項８記載の塗布現像装置において、
    前記モジュールにおいて基板を処理するときにはカップの外部に設けられた待機部に待機し、前記停止時間に前記カップに搬送される治具を備え、
    前記載置部は前記冶具を保持すると共に回転させるように構成され、
    前記洗浄機構は前記治具に洗浄液を吐出し、飛散させてカップ内を洗浄するように構成されている。
  10. キャリアブロックに載置されたキャリアから取り出された基板を処理ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、露光装置に受け渡し、露光後の基板に対して処理ブロックにおいて現像処理を行い、キャリアに受け渡すように構成され、同一時間あたりの基板の処理枚数が露光装置よりも多い塗布現像装置を用いた塗布現像方法において、
    前記塗布膜が形成された、露光前の基板を仮置き部に一旦仮置きする工程と、
    基板の搬送経路において基板が置かれるモジュールについてメンテナンスを行うために、停止時間設定部により当該上流側の基板の搬送を停止する時間の長さを設定する工程と、
    前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達したか否かを監視し、達した後に仮置き部よりも上流側の基板の搬送を停止する工程と、
    を有する。
  11. 請求項１０記載の塗布現像方法において、
    前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、キャリアブロック側から処理ブロックヘの基板の取り出しを停止する工程と、
    次いで、前記上流側の基板の搬送を停止する工程と、
    を有する。
  12. 請求項１０記載の塗布現像方法において、
    前記上流側の基板の搬送を停止する前に、処理ブロック内に存在する基板を前記仮置き部に退避させる工程を有する。
  13. 請求項１０記載の塗布現像方法において、
    前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達した後、その時点で処理ブロック内に存在する基板が属するロットの最終基板がキャリアブロック側から処理ブロックヘ取り出された後、後続の基板の取り出しを停止する工程と、
    前記最終基板が処理ブロックを通過した後、前記上流側の基板の搬送を停止する工程と、
    を有する。
  14. 請求項１０記載の塗布現像方法において、
    前記停止時間に、前記モジュールに設けられた基板に塗布膜を形成するための処理液を供給するノズルに洗浄液を供給して洗浄する工程を有する。
  15. 請求項１０記載の塗布現像方法において、
    前記停止時間に、前記モジュールに設けられた基板の載置部を囲むカップに洗浄液を供給して洗浄する工程を有する。
  16. 請求項１５記載の塗布現像方法において、
    前記カップを洗浄する工程は、
    前記停止時間にカップの外部に設けられた待機部から前記カップに冶具を搬送する工程と、
    前記載置部に冶具を保持し、回転させる工程と、
    洗浄機構から前記治具に洗浄液を吐出し、カップ内に飛散させる工程を含む。
  17. キャリアブロックに載置されたキャリアから取り出された基板を処理ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、露光装置に受け渡し、露光後の基板に対して処理ブロックにおいて現像処理を行い、その後キャリアに受け渡すように構成され、同一時間あたりの基板の処理枚数が露光装置よりも多い塗布現像装置によって、塗布現像方法を実施するために、塗布現像装置の制御部で用いられる、コンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
    前記塗布現像方法は、
    前記塗布膜が形成された、露光前の基板を仮置き部に一旦仮置きする工程と、
    基板の搬送経路において基板が置かれるモジュールについてメンテナンスを行うために、停止時間設定部により当該上流側の基板の搬送を停止する時間の長さを設定する工程と、
    前記仮置き部に置かれた基板の枚数が前記停止時間の長さに応じた、前記処理ブロックによる基板の処理枚数に達したか否かを監視し、達した後に仮置き部よりも上流側の基板の搬送を停止する工程と、
    を有する。
     
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