KR20200124166A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20200124166A
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텝페이 다카하시
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판을 처리하는 기판 처리 방법이며, (a) 스핀 도포법에 의해 기판의 표면에 도포액을 도포하여 도포막을 형성하는 공정과, (b) 상기 (a) 공정에 있어서 기판의 표면 주연부에 형성된 상기 도포막의 볼록부에 대해, 상기 도포액의 용제를 공급하는 공정과, (c) 상기 용제의 공급을 정지한 상태에서, 기판을 회전시켜, 상기 볼록부의 정점을 기판의 직경 방향 외측으로 이동시키는 공정을 갖고, 상기 (b) 공정과 상기 (c) 공정을 반복하여 행한다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}
본 개시는, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 웨이퍼의 표면에 노즐로부터 도포액을 토출하여 도포막을 형성한 후, 당해 웨이퍼의 표면 중 주연부에 대해 노즐로부터 유기 용제를 토출하고, 또한 웨이퍼를 단시간 고속 회전시키는 방법이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2017-191853호 공보
본 개시에 관한 기술은, 기판의 표면 주연부에 형성되는 도포막의 볼록부를 제거하여, 당해 도포막을 기판면 내에서 균일하게 형성한다.
본 개시의 일 형태는, 기판을 처리하는 기판 처리 방법이며, (a) 스핀 도포법에 의해 기판의 표면에 도포액을 도포하여 도포막을 형성하는 공정과, (b) 상기 (a) 공정에 있어서 기판의 표면 주연부에 형성된 상기 도포막의 볼록부에 대해, 상기 도포액의 용제를 공급하는 공정과, (c) 상기 용제의 공급을 정지한 상태에서, 기판을 회전시켜, 상기 볼록부의 정점을 기판의 직경 방향 외측으로 이동시키는 공정을 갖고, 상기 (b) 공정과 상기 (c) 공정을 반복하여 행한다.
본 개시에 의하면, 기판의 표면 주연부에 형성되는 도포막의 볼록부를 제거하고, 당해 도포막을 기판면 내에서 균일하게 형성할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 관한 도포 처리 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 2는 본 실시 형태에 관한 도포 처리 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도이다.
도 3은 도포 처리의 각 공정에서의 웨이퍼 상의 액막의 상태를 모식적으로 도시하는 설명도이다.
도 4는 종래의 도포 처리 방법을 행한 경우의, 웨이퍼의 표면 주연부에 있어서의 액막 상태를 도시하는 설명도이다.
도 5는 제1 실시 형태에 관한 도포 처리 방법을 행한 경우의, 웨이퍼의 표면 주연부에 있어서의 액막 상태를 도시하는 설명도이다.
도 6은 루프 횟수를 변화시킨 경우의, 웨이퍼의 표면 주연부에 있어서의 도포막의 막 두께의 변화를 도시하는 그래프이다.
도 7은 용제의 공급 시간을 변화시킨 경우의, 웨이퍼의 표면 주연부에 있어서의 도포막의 막 두께의 변화를 도시하는 그래프이다.
도 8은 용제의 공급 위치를 변화시킨 경우의, 웨이퍼의 표면 주연부에 있어서의 도포막의 막 두께의 변화를 도시하는 그래프이다.
도 9는 제2 실시 형태에 관한 도포 처리 방법을 행한 경우의, 웨이퍼의 표면 주연부에 있어서의 액막 상태를 도시하는 설명도이다.
도 10은 제3 실시 형태에 관한 도포 처리 방법을 행한 경우의, 웨이퍼의 표면 주연부에 있어서의 액막 상태를 도시하는 설명도이다.
도 11은 제4 실시 형태에 관한 도포 처리 방법을 행한 경우의, 웨이퍼의 표면 주연부에 있어서의 액막 상태를 도시하는 설명도이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서의 포토리소그래피 처리에서는, 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함) 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 당해 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 순차 행해지고, 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다.
상술한 레지스트 도포 처리에서는, 회전 중인 웨이퍼의 중심부에 노즐로부터 레지스트액을 공급하여, 원심력에 의해 웨이퍼 상에서 레지스트액을 확산시킴에 따라서 웨이퍼 상에 레지스트액을 도포하는, 소위 스핀 도포법이 많이 사용되고 있다.
그런데, 근년, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 등을 제조함에 있어서, 예를 들어 20㎛ 내지 80㎛ 정도의 막 두께의 큰 레지스트막을 웨이퍼의 표면에 형성하는 경우가 있다. 이 때, 레지스트막의 재료로서는, 예를 들어 1000cp 내지 10000cp정도의 높은 점도의 레지스트액이 사용된다.
이와 같이 두꺼운 막 두께의 레지스트막을 형성할 때 고점도의 레지스트액을 사용한 경우, 웨이퍼의 표면에서 레지스트액이 유동하기 어렵고, 당해 웨이퍼의 표면 주연부에 있어서 볼록형의 융기(소위 험프)가 생겨 레지스트막이 특히 두꺼워진다. 그래서, 예를 들어 상술한 특허문헌 1에 기재된 방법에서는, 웨이퍼의 표면 중 주연부에 대해 노즐로부터 유기 용제를 토출함으로써, 레지스트막의 주연부의 험프를 제거하는 것을 도모하고 있다. 또한 그 후, 웨이퍼를 단시간 고속 회전시킴(소위 쇼트 스핀)으로써, 레지스트막의 표면에 남아 있는 유기 용제 및 유기 용제에 의해 용해된 잔사가, 레지스트막의 표면으로부터 배출된다.
또한, 반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 웨이퍼의 표면에 디바이스를 형성한 후, 당해 디바이스를 보호하는 보호막을 형성한다. 이 보호막도 예를 들어 20㎛ 내지 80㎛ 정도의 두꺼운 막 두께이며, 또한 보호막의 재료에는 예를 들어 1000cp 내지 10000cp정도의 높은 점도의 도포액, 예를 들어 감광성 폴리이미드가 사용된다.
그리고, 스핀 도포법에 의해 고점도의 도포액을 사용하여 두꺼운 막 두께의 보호막을 형성하는 경우, 상술한 레지스트막과 마찬가지로, 역시 웨이퍼의 표면 주연부에 험프가 생긴다. 이 대책으로서는, 예를 들어 웨이퍼의 표면 주연부에 대한 유기 용제의 공급 및 쇼트 스핀에 의해 험프를 제거하는 것을 생각할 수 있다.
그러나, 이와 같이 유기 용제를 사용하여 레지스트막이나 보호막 등의 도포막의 험프를 제거하는 경우, 당해 유기 용제의 공급 시간이나 공급 위치를 최적화하기는 곤란하다. 즉, 유기 용제의 공급 시간이나 공급 위치를 변화시키면, 주연부에 있어서의 도포막의 막 두께가 복잡하게 변화하고, 그 거동의 예측이 어렵기 때문에, 시행 착오를 반복하여 유기 용제의 공급 시간이나 공급 위치를 설정할 필요가 있다. 따라서, 종래의 도포막 형성 방법에는 개선의 여지가 있다.
그래서, 본 개시에 관한 기술은, 기판의 표면 주연부에 형성되는 도포막의 볼록부를 제거하고, 당해 도포막을 기판면 내에서 균일하게 형성한다.
이하, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을, 도면을 참조하여 설명한다. 다만, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 있어서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
<도포 처리 장치(1)의 구성>
도 1은, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치로서의 도포 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다. 도 2는, 본 실시 형태에 관한 도포 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도이다. 본 실시 형태의 도포 처리 장치(1)에서는, 스핀 도포법에 의해 웨이퍼의 표면에 도포액을 도포하여 도포막을 형성한다. 이하에서는, 도포막이 웨이퍼 W의 표면에 형성된 디바이스(도시하지 않음)를 보호하는 보호막이며, 도포액이 예를 들어 1000cp 내지 10000cp정도인 고점도의 감광성 폴리이미드인 경우에 대해 설명한다.
도 1에 도시하는 바와 같이 도포 처리 장치(1)는, 내부를 폐쇄 가능한 처리 용기(10)를 갖고 있다. 도 2에 도시하는 바와 같이 처리 용기(10)의 측면에는, 웨이퍼 W의 반입출구(11)가 형성되고, 반입출구(11)에는, 개폐 셔터(12)가 마련되어 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이 처리 용기(10) 내의 중앙부에는, 웨이퍼 W를 보유 지지하여 회전시키는 기판 보유 지지부로서의 스핀 척(20)이 마련되어 있다. 스핀 척(20)은, 수평한 상면을 갖고, 당해 상면에는, 예를 들어 웨이퍼 W를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 웨이퍼 W를 스핀 척(20) 상에 흡착 보유 지지할 수 있다.
스핀 척(20)의 하방에는, 예를 들어 모터 등을 구비한 척 구동부(21)가 마련되어 있다. 스핀 척(20)은, 척 구동부(21)에 의해 소정의 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동부(21)에는, 예를 들어 실린더 등의 승강 구동원이 마련되어 있고, 스핀 척(20)은 승강 가능하게 되어 있다.
스핀 척(20)의 주위에는, 웨이퍼 W로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아, 회수하는 컵(22)이 마련되어 있다. 컵(22)의 하면에는, 회수한 액체를 배출하는 배출관(23)과, 컵(22) 내의 분위기를 배기하는 배기관(24)이 접속되어 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이 컵(22)의 X 방향 부방향(도 2의 하측 방향)측에는, Y 방향(도 2의 좌우 방향)을 따라 연신하는 레일(30)이 형성되어 있다. 레일(30)은, 예를 들어 컵(22)의 Y 방향 부방향(도 2의 좌측 방향)측의 외측으로부터 Y 방향 정방향(도 2의 우측 방향)측의 외측까지 형성되어 있다. 레일(30)에는, 예를 들어 2개의 암(31, 32)이 장착되어 있다.
도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이 제1 암(31)에는, 웨이퍼 W에 도포액을 공급하는 도포액 공급부로서의 도포액 노즐(40)이 지지되어 있다. 제1 암(31)은, 도 2에 도시하는 노즐 구동부(41)에 의해, 레일(30) 상을 이동 가능하다. 이에 따라, 도포액 노즐(40)은, 컵(22)의 Y 방향 정방향측의 외측에 설치된 대기부(42)로부터 컵(22) 내의 웨이퍼 W의 중심부의 상방까지 이동할 수 있고, 또한 당해 웨이퍼 W의 표면 상을 웨이퍼 W의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 제1 암(31)은, 노즐 구동부(41)에 의해 승강 가능하며, 도포액 노즐(40)의 높이를 조정할 수 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이 도포액 노즐(40)에는, 당해 도포액 노즐(40)에 도포액을 공급하는 공급관(43)이 접속되어 있다. 공급관(43)은, 내부에 도포액을 저류하는 도포액 공급원(44)에 연통되어 있다. 또한, 공급관(43)에는, 도포액의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(45)이 마련되어 있다.
도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이 제2 암(32)에는, 도포액의 용제, 예를 들어 시너를 공급하는 용제 공급부(제1 용제 공급부)로서의 제1 용제 노즐(50)이 지지되어 있다. 제2 암(32)은, 도 2에 도시하는 노즐 구동부(51)에 의해 레일(30) 상을 이동 가능하며, 제1 용제 노즐(50)을, 컵(22)의 Y 방향 부방향측의 외측에 마련된 대기부(52)로부터 컵(22) 내의 웨이퍼 W의 중심부의 상방까지 이동할 수 있고, 또한 당해 웨이퍼 W의 표면 상을 웨이퍼 W의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 노즐 구동부(51)에 의해, 제2 암(32)은 승강 가능하며, 제1 용제 노즐(50)의 높이를 조절할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 레일(30), 제2 암(32) 및 노즐 구동부(51)가, 본 개시에 있어서의 이동 기구를 구성하고 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이 제1 용제 노즐(50)에는, 당해 제1 용제 노즐(50)에 용제를 공급하는 공급관(53)이 접속되어 있다. 공급관(53)은, 내부에 용제를 저류하는 용제 공급원(54)에 연통되어 있다. 또한, 공급관(53)에는, 용제의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(55)이 마련되어 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 도포액 노즐(40)을 지지하는 제1 암(31)과 제1 용제 노즐(50)을 지지하는 제2 암(32)은 각각 동일한 레일(30)에 장착되어 있었지만, 별개의 레일에 장착되어 있어도 된다. 또한, 도포액 노즐(40)과 제1 용제 노즐(50)은 각각 별개의 암(31, 32)에 지지되어 있었지만, 동일한 암에 지지되어 있어도 된다.
도 1에 도시하는 바와 같이 스핀 척(20)의 하방에는, 도포액의 용제, 예를 들어 시너를 공급하는 다른 용제 공급부(제2 용제 공급부)로서의 제2 용제 노즐(60)이 마련되어 있다. 제2 용제 노즐(60)은, 스핀 척(20)에 보유 지지된 웨이퍼 W에 대해, 예를 들어 2군데에 마련되어 있다.
제2 용제 노즐(60)에는, 당해 제2 용제 노즐(60)에 용제를 공급하는 공급관(61)이 접속되어 있다. 공급관(61)은, 내부에 용제를 저류하는 용제 공급원(62)에 연통되어 있다. 또한, 공급관(61)에는, 용제의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(63)이 마련되어 있다. 다만, 본 실시 형태에서는, 용제 공급원(54)과 용제 공급원(62)은 별개로 마련되어 있었지만, 공통된 용제 공급원을 사용해도 된다.
이상의 도포 처리 장치(1)에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 제어부(100)가 마련되어 있다. 제어부(100)는, 예를 들어 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 도포 처리 장치(1)에 있어서의 웨이퍼 W의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 도포 처리 장치(1)의 동작을 제어하여, 도포 처리 장치(1)에 있어서의 후술하는 도포 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체 H에 기록되어 있던 것으로서, 당해 기억 매체 H로부터 제어부(100)에 인스톨된 것이어도 된다.
<도포 처리 장치(1)의 동작>
다음에, 이상과 같이 구성된 도포 처리 장치(1)에 있어서 행해지는 도포 처리에 대해 설명한다. 본 실시 형태의 도포 처리에서는, 웨이퍼 W 상에 예를 들어 20㎛ 내지 80㎛ 정도의 두꺼운 막 두께의 도포막을 형성한다. 도 3은, 도포 처리의 각 공정에서의 웨이퍼 W 상의 액막의 상태를 모식적으로 도시하고 있다.
도포 처리 장치(1)에 반입된 웨이퍼 W는, 우선, 스핀 척(20)에 흡착 보유 지지된다. 계속해서 제1 암(31)에 의해 대기부(42)의 도포액 노즐(40)이 웨이퍼 W의 중심부의 상방까지 이동한다. 이 때, 제1 용제 노즐(50)은 대기부(52)에 대기하고 있다.
다음으로, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 W를 회전시킨 상태에서, 도포액 노즐(40)로부터 웨이퍼 W의 중심부에 도포액 L이 공급된다. 그렇게 하면, 웨이퍼 W의 회전에 의한 원심력에 의해, 도포액 L은 웨이퍼 W 상에서 확산되어, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 W의 표면에 도포막 F가 형성된다. 또한, 도포액 L의 공급이 종료되면, 도포액 노즐(40)은 대기부(42)로 이동한다.
여기서, 고점도 도포액 L을 사용한 경우, 웨이퍼 W의 표면에서 도포액 L이 유동하기 어렵고, 당해 웨이퍼 W의 표면 주연부에 있어서, 평면으로 보아 환형으로, 볼록형 융기(이하, 험프 H라고 함)가 생겨 도포막 F가 두꺼워진다. 특히 두꺼운 막 두께의 도포막 F를 형성하는 경우, 도포액 L의 공급량이 많은만큼, 이 험프 H도 커진다. 그래서, 도포막 F를 웨이퍼 면 내에서 균일하게 형성하고자, 험프 H를 제거하기 위해, 당해 험프 H에 대해 도포액 L(도포막 F)의 용제를 공급한다.
구체적으로는, 제2 암(32)에 의해 대기부(52)의 제1 용제 노즐(50)이 웨이퍼 W의 주연부의 상방까지 이동한다. 다음에, 도 3의 (c)에 도시하는 바와 같이 제1 용제 노즐(50)로부터, 즉 웨이퍼 W의 표면측으로부터 험프 H에 대해 용제 S1이 공급된다. 이 때, 제2 용제 노즐(60)로부터, 즉 웨이퍼 W의 이면측으로부터도 험프 H에 대해 용제 S2를 공급해도 된다. 그리고, 도 3의 (d)에 도시하는 바와 같이 용제 S1(용제 S2)에 의해 험프 H가 용해하여 제거된다. 또한, 이 험프 H의 제거 처리에 대해서는, 이하에서 상세하게 설명한다.
이와 같이 하여 웨이퍼 면 내에서 균일한 막 두께의 도포막 F가 형성되고, 도포 처리 장치(1)에 있어서의 일련의 도포 처리가 종료된다.
<험프 H의 제거 처리>
다음으로, 상술한 웨이퍼 W의 표면 주연부의 험프 H의 제거 처리에 대해 설명한다. 또한, 본 실시 형태에 있어서 주연부란, 예를 들어 웨이퍼 W의 반경이 150㎜인 경우에, 당해 웨이퍼 W의 중심으로부터 반경 140㎜보다 외측의 범위의 원환부를 말한다.
(종래의 방법)
본 실시 형태와 같이 고점도의 도포액 L을 사용하여 두꺼운 막 두께의 도포막 F를 형성하는 경우, 험프 H가 커진다. 이 때문에, 종래의 특허문헌 1에 기재된 도포 처리 방법과 같이, 단순히 험프 H에 용제를 공급하는 공정(이하, 용제 공급 공정이라고 하는 경우가 있음)과, 웨이퍼 W를 단시간 고속 회전시키는 공정(이하, 쇼트 스핀 공정이라고 하는 경우가 있음)을 행하는 것만으로는, 당해 험프 H를 완전히 제거하기가 어려웠다. 이 점에 대해, 도 4를 사용하여 설명한다. 도 4는, 종래의 도포 처리 방법을 행한 경우의, 웨이퍼 W의 표면 주연부에 있어서의 액막 상태를 나타낸다.
도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이 도포 처리를 행하면, 웨이퍼 W의 표면 주연부에 도포막 F의 험프 H가 형성된다. 그 후, 도 4의 (b)에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 W를 회전시키면서, 제1 용제 노즐(50)로부터 험프 H에 용제 S를 공급하면, 험프 H의 전체 둘레에 걸쳐 용제 S가 공급된다. 그리고, 이 용제 S에 의해 험프 H의 일부가 용해된다. 이하, 이 험프 H에 있어서 용해된 부분을 잔사 M이라고 한다. 그 후, 웨이퍼 W를 단시간(예를 들어 0.5초간)에 고속 회전(예를 들어 1050rpm)시키면, 도 4의 (c)에 도시하는 바와 같이 도포막 F의 표면에 남아 있는 용제 S 및 잔사 M이, 원심력에 의해, 도포막 F의 표면으로부터 배출된다.
그러나, 이와 같이 단순히 용제 공급 공정과 쇼트 스핀 공정을 행한 것만으로는, 도 4의 (c)에 도시하는 바와 같이 험프 H가 작아지기는 하지만, 여전히 험프 H가 남는다. 도 4의 (a)에 나타낸 원래의 험프 H가 크기 때문에, 1회의 용제 S의 공급만으로는 완벽히 제거할 수는 없다. 게다가, 도 4의 (c)에 도시하는 바와 같이, 험프 H 외측의 잔사 M은 도포막 F의 표면으로부터 배출되지만, 험프 H 내측의 잔사 M은 외측을 향하여 흐르고(도 4의 (c) 중의 화살표 참조), 도포막 F의 표면에 머물러서 다시 험프 H를 형성한다. 따라서, 용제 공급 공정과 쇼트 스핀 공정을 행하면, 험프 H는 그 정점 위치가 직경 방향 외측으로 이동하면서, 웨이퍼 W의 표면 주연부에 잔존한다.
(제1 실시 형태)
그래서, 본 발명자들이 예의 검토한 결과, 용제 공급 공정과 쇼트 스핀 공정을 반복하여 행하는 것을 상도하였다. 이하의 설명에 있어서는, 용제 공급 공정과 쇼트 스핀 공정이 연속된 1회의 처리를 루프 처리(Loop 처리)라 하고, 루프 처리의 반복 횟수를 루프 횟수라고 하는 경우가 있다. 도 5는, 제1 실시 형태에 관한 도포 처리 방법을 행한 경우의, 웨이퍼 W의 표면 주연부에 있어서의 액막 상태를 나타낸다.
도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이 도포 처리를 행하면, 웨이퍼 W의 표면 주연부에 도포막 F의 험프 H가 형성된다. 또한, 도포 처리 종료 시에 있어서, 제1 용제 노즐(50)은, 예를 들어 웨이퍼 W의 외측 에지부로부터 1㎜의 위치로 이동하여 배치되어 있다.
그 후, 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 W를 회전시키면서, 제1 용제 노즐(50)로부터 험프 H에 용제 S를 공급하면, 험프 H의 전체 둘레에 걸쳐 용제 S가 공급된다. 이 때, 용제 S의 공급 위치는 예를 들어 웨이퍼 W의 외측 에지부로부터 7㎜이며, 용제 공급 공정에 있어서, 제1 용제 노즐(50)은 이 용제 S의 공급 위치까지 이동한다. 또한, 용제 S의 공급 시간은 예를 들어 10초이며, 웨이퍼 W의 회전 속도는 예를 들어 200rpm이다. 그리고, 용제 S에 의해 험프 H의 일부가 용해된다.
또한, 용제 공급 공정에서의 웨이퍼 W의 회전 속도는 500rpm 이하가 바람직하고, 또한 용제 S의 공급 시간은 10초 이하가 바람직하다. 도포막 F의 목표 막 두께는 두꺼운 막 두께이기 때문에, 용제 S에 의해 너무 용해시키지 않도록 하기 위해서는, 웨이퍼 W의 회전 속도와 용제 S의 공급 시간을 낮게 하는 것이 좋다.
그 후, 용제 S의 공급을 정지함과 함께, 웨이퍼 W의 회전을 가속시킨다. 그리고, 웨이퍼 W를 단시간 고속 회전시킨다. 이 때, 웨이퍼 W의 회전 시간은 예를 들어 0.5초이며, 회전 속도는 예를 들어 2000rpm이다. 쇼트 스핀 공정을 행하면, 도 5의 (c)에 도시하는 바와 같이 도포막 F의 표면에 남아 있는 용제 S 및 잔사 M이, 원심력에 의해, 도포막 F의 표면으로부터 배출된다. 그리고, 험프 H는 그 정점 위치가 직경 방향 외측으로 이동하면서, 게다가 작아진다. 또한, 쇼트 스핀 공정에서는, 제1 용제 노즐(50)은, 예를 들어 원래의 웨이퍼 W의 외측 에지부로부터 1㎜의 위치로 복귀되어 있다.
또한, 쇼트 스핀 공정에서의 웨이퍼 W의 회전 속도는 2000rpm 이하가 바람직하다. 예를 들어, 2000rpm을 초과하는 회전 속도로 웨이퍼 W를 고속 회전하면, 잔사 M이 이동하기 쉬워지고, 잔존하는 험프 H가 커진다. 또한, 웨이퍼 W를 고속 회전시키면, 도포막 F 중에 기포가 발생하기 쉬워진다. 그래서, 본 실시 형태에서는 웨이퍼 W의 회전 속도를 2000rpm으로 하고 있다.
도 4에 도시하는 바와 같이 종래의 도포 처리 방법에서는, 용제 공급 공정과 쇼트 스핀 공정을 1회로 종료하고 있었지만, 본 실시 형태에서는, 이들 용제 공급 공정과 쇼트 스핀 공정을 반복하여 행한다. 즉, 도 5의 (d)에 도시하는 용제 공급 공정과 도 5의 (e)에 도시하는 쇼트 스핀 공정의 루프 처리를 반복하여 행한다. 각 루프 처리에 있어서의 용제 공급 공정과 쇼트 스핀 공정은 각각 도 5의 (b)와 도 5의 (c)를 사용하여 설명한 방법과 같다.
또한, 루프 처리간, 즉 쇼트 스핀 공정이 종료되고 나서 다음의 용제 공급 공정을 행할 때까지의 동안, 웨이퍼 W의 회전은 계속한 상태에서, 그 회전 속도를 500rpm 이하로 하는 것이 바람직하다. 루프 처리간에서 웨이퍼 W를 고속 회전시키면, 도포막 F의 막 두께가 전체적으로 작아질 우려가 있다.
그리고, 도 5의 (d)와 도 5의 (e)에 도시하는 바와 같이 루프 처리를 반복하여 행하면, 루프 처리마다 험프 H의 정점 위치가 직경 방향 외측으로 이동하면서, 점차 험프 H가 제거된다. 그 결과, 도 5의 (f)에 도시하는 바와 같이 도포막 F의 주연부를 평탄화할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에 의하면, 웨이퍼 W의 표면에 균일한 막 두께의 도포막 F를 형성할 수 있다.
또한, 도 4에 도시한 종래의 도포 처리 방법에서는, 용제 S의 공급 시간이나 용제 S의 직경 방향 공급 위치를 변화시키면, 주연부에 있어서의 도포막 F의 막 두께가 복잡하게 변화하고, 그 거동의 예측이 어려운 시행 착오를 반복하여 유기 용제의 공급 시간이나 공급 위치를 설정할 필요가 있었다. 이 때문에, 이들 용제 S의 공급 시간이나 공급 위치를 최적화하여 조건 제시를 하기는 곤란하였다.
이와 같은 점에서, 본 실시 형태와 같이 루프 처리를 반복하여 행하는 방법에서는, 조건 제시 시의 파라미터를 최소한으로 할 수 있고, 처리 조건의 최적화를 간이적으로 할 수 있다. 구체적으로 조건 제시 시의 파라미터는, 루프 횟수, 용제 S의 공급 시간, 용제 S의 직경 방향 공급 위치의 셋이다. 도 6 내지 도 8은 각각 루프 횟수, 용제 S의 공급 시간, 용제 S의 공급 위치를 변화시킨 경우의, 웨이퍼 W의 표면 주연부에 있어서의 도포막 F의 막 두께 변화를 도시하는 그래프이다. 도 6 내지 도 8에 있어서, 횡축은 웨이퍼 W의 직경 방향의 위치를 나타내고, 종축은 도포막 F의 막 두께를 나타낸다. 본 실시 형태에서는, 웨이퍼 W의 반경은 150㎜이며, 횡축 150㎜의 위치는 웨이퍼 W의 외측 에지부를 나타낸다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 루프 횟수를 5회로 일정하게 하고, 용제 S의 공급 위치를 웨이퍼 W의 외측 에지부로부터 7㎜의 위치에 일정하게 한 조건에서, 용제 S의 공급 시간을 4초, 5초, 6초, 7초로 변화시킨다. 이와 같은 경우, 용제 S의 공급 시간을 길게 하면, 용제 S의 공급 위치에서 직경 방향 외측에 있어서의 도포막 F의 막 두께가 감소한다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 루프 횟수를 4회로 일정하게 하고, 용제 S의 공급 시간을 4초로 일정하게 한 조건에서, 용제 S의 공급 위치를 웨이퍼 W의 외측 에지부로부터 5㎜, 7㎜, 9㎜로 변화시킨다. 이와 같은 경우, 용제 S의 공급 위치를 직경 방향 내측으로 이동시킴에 따라, 험프 H의 정점 위치도 직경 방향 내측으로 이동한다.
이와 같이 용제 S의 공급 시간 또는 공급 위치를 변화시키면, 주연부에 있어서의 도포막 F의 막 두께가 복잡하게 변화된다.
한편, 도 6에 도시하는 바와 같이, 용제 S의 공급 시간을 4초로 일정하게 하고, 용제 S의 공급 위치를 웨이퍼 W의 외측 에지부로부터 7㎜의 위치에 일정하게 한 조건에서, 루프 횟수를 4회, 5회, 6회로 변화시킨다. 이러한 경우, 루프 횟수를 증가시키면, 주연부에 있어서의 도포막 F의 막 두께가 전체적으로 감소한다. 즉, 용제 S의 공급 시간 또는 공급 위치를 변화시킨 경우처럼, 도포막 F가 국소적으로 변화하는 것이 아니라, 루프 횟수를 제어함으로써, 주연부에 있어서의 도포막 F를 전체적으로 변화시킬 수 있다.
이상에 의해, 용제 S의 공급 시간과 공급 위치에 따라 루프 횟수를 제어함으로써, 주연부에 있어서의 도포막 F를 전체적으로 변화시켜, 험프 H를 제거할 수 있다. 이와 같이 본 실시 형태에서는, 조건 제시의 최적화를 간이적으로 행할 수 있다.
다음으로, 험프 H의 제거 처리의 다른 실시 형태에 대해 설명한다. 상기 제1 실시 형태에서는 루프 처리를 반복하여 행했지만, 다른 제2 내지 제4 실시 형태에서도 루프 처리를 반복하여 행한 후, 또 다른 처리를 행한다. 이하의 설명에 있어서는, 제1 실시 형태와의 상위점을 중심으로 설명한다.
(제2 실시 형태)
제2 실시 형태에 대해 설명한다. 도 9는, 제2 실시 형태에 관한 도포 처리 방법을 행한 경우의, 웨이퍼 W의 표면 주연부에 있어서의 액막 상태를 나타낸다. 상기 제1 실시 형태에서는, 루프 처리에 있어서의 용제 공급 공정을 행할 때, 웨이퍼 W의 표면측으로부터 험프 H에 용제 S를 공급하였지만, 제2 실시 형태에서는, 웨이퍼 W의 표면측과 이면측의 양쪽으로부터 험프 H에 용제 S를 공급한다.
도 9의 (b)에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 W를 회전시키면서, 웨이퍼 W의 표면측의 제1 용제 노즐(50)로부터 험프 H에 용제 S1을 공급함과 함께, 웨이퍼 W의 이면측의 제2 용제 노즐(60)로부터 험프 H에 용제 S2를 공급한다. 이 때, 용제 S1과 용제 S2의 공급 시간은 모두 예를 들어 10초이며, 웨이퍼 W의 회전 속도는 예를 들어 200rpm이다. 제1 용제 노즐(50)로부터의 용제 S1은, 험프 H의 상부를 용해시킨다. 도 9의 (b)에서는, 용제 S1에 의해 용해된 부분을 잔사 M1에서 도시하고 있다. 제2 용제 노즐(60)로부터의 용제 S2는, 웨이퍼 W의 이면으로부터 외측면을 따라 표면으로 돌아 들어가, 험프 H의 하부를 용해시킨다. 특히 용제 공급 공정에서는, 웨이퍼 W를 저속 회전시키고 있기 때문에, 이면측으로부터의 용제 S2는 표면측의 험프 H에 돌아 들어가기 쉽다. 도 9의 (b)에서는, 용제 S2에 의해 용해된 부분을 잔사 M2로 도시하고 있다.
그 후, 용제 S1과 용제 S2의 공급을 정지하고, 웨이퍼 W를 단시간 고속 회전시킨다. 이 때, 웨이퍼 W의 회전 시간은 예를 들어 0.5초이며, 회전 속도는 예를 들어 2000rpm이다. 쇼트 스핀 공정을 행하면, 도 9의 (c)에 도시하는 바와 같이 도포막 F의 표면에 남아 있는 용제 S1, S2 및 잔사 M1, M2가, 원심력에 의해, 도포막 F의 표면으로부터 배출된다. 그리고, 험프 H는 그 정점 위치가 직경 방향 외측으로 이동하면서, 게다가 작아진다.
그 후, 도 9의 (d)에 도시하는 용제 공급 공정과 도 9의 (e)에 도시하는 쇼트 스핀 공정의 루프 처리를 반복하여 행한다. 각 루프 처리에 있어서의 용제 공급 공정과 쇼트 스핀 공정은 각각 도 9의 (b)와 도 9의 (c)를 사용하여 설명한 방법과 같다. 그리고 루프 처리를 반복하여 행하면, 루프 처리마다 험프 H의 정점 위치가 직경 방향 외측으로 이동하면서, 점차 험프 H가 제거된다. 그 결과, 도 9의 (f)에 도시하는 바와 같이 도포막 F의 주연부를 평탄화할 수 있다.
본 실시 형태에 있어서도, 웨이퍼 W의 표면에 균일한 막 두께의 도포막 F를 형성할 수 있다. 게다가, 각 루프 처리에 있어서 용제 공급 공정을 행할 때, 웨이퍼 W의 표면측과 이면측의 양쪽으로부터 험프 H에 용제 S1, S2를 공급하므로, 험프 H의 용해도를 보다 향상시킬 수 있다. 특히 용제 공급 공정에서는, 웨이퍼 W를 저속 회전시키면서, 또한 용제 S1, S2의 공급 시간이 짧기 때문에, 용제 S1, S2에 의한 험프 H의 용해도 향상의 효과는 크다. 또한 험프 H의 용해도가 향상되므로, 잔사 M1, M2의 유동성이 높아지고, 쇼트 스핀 공정에 있어서 잔사 M1, M2를 배출하기 쉬워진다. 따라서, 도포막 F의 평탄성을 더 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 험프 H에 대해, 용제 S1과 용제 S2를 동시에 공급하고 있었지만, 그 공급 타이밍은 달라도 된다. 예를 들어, 제1 용제 노즐(50)로부터 험프 H에 용제 S1을 공급한 후, 제2 용제 노즐(60)로부터 험프 H에 용제 S2를 공급해도 된다.
이러한 경우에도, 험프 H를 용제 S1과 용제 S2의 양쪽으로 용해시킬 수 있다. 단, 용제 S1과 용제 S2를 동시에 공급하게 되면, 험프 H의 용해도는 높아진다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 제1 용제 노즐(50)로부터 용제 S1을 공급하는 위치와, 제2 용제 노즐(60)로부터 용제 S2를 공급하는 위치란, 둘레 방향으로 어긋나 있어도 된다.
(제3 실시 형태)
제3 실시 형태에 대해 설명한다. 도 10은, 제3 실시 형태에 관한 도포 처리 방법을 행한 경우의, 웨이퍼 W의 표면 주연부에 있어서의 액막 상태를 나타낸다. 제3 실시 형태에서는, 루프 처리를 반복하여 행함에 있어서, 용제 공급 공정마다의 용제 S의 공급 위치를 직경 방향 내측으로부터 외측으로 이동시킨다.
도 10의 (a)에 도시하는 바와 같이 도포 처리를 행한 후, 웨이퍼 W의 표면 외주부에는 험프 H가 광폭으로 직경 방향 내측까지 퍼져 있다. 또한, 이 험프 H의 형상 및 위치는, 도포액 L의 종류에 따라 결정된다.
또한, 도포 처리 종료 시에 있어서, 제1 용제 노즐(50)은, 예를 들어 웨이퍼 W의 외측 에지부로부터 1㎜의 위치에 배치되어 있다. 이하, 이 제1 용제 노즐(50)의 위치를 홈 위치 P0이라 한다.
그 후, 도 10의 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 W를 회전시키면서, 제1 용제 노즐(50)로부터 험프 H에 용제 S를 공급한다. 이 때, 용제 S의 공급 위치 P1은, 예를 들어 웨이퍼 W의 외측 에지부로부터 7㎜이다. 즉, 이 용제 공급 공정에서는, 제1 용제 노즐(50)은, 홈 위치 P0으로부터 공급 위치 P1로 이동하고, 또한 공급 위치 P1로부터 홈 위치 P0으로 복귀한다. 그리고, 이 홈 위치 P0→공급 위치 P1→홈 위치 P0의 이동 중, 제1 용제 노즐(50)로부터 용제 S를 공급한다.
또한, 본 실시 형태의 용제 공급 공정에서는, 제1 용제 노즐(50)의 이동 중에도 용제 S를 공급하고 있었지만, 제1 용제 노즐(50)이 공급 위치 P1에 정지하고 있는 경우만, 용제 S를 공급해도 된다. 단, 제1 용제 노즐(50)이 공급 위치 P1에 정지된 상태로부터 용제 S를 공급하기 시작하면, 험프 H의 1개소에 대한 영향이 커서 용제 S가 비산될(스플래시) 우려도 있다. 그래서, 제1 용제 노즐(50)을 직경 방향 외측으로부터 내측으로 이동시킬 때에도 용제 S를 공급함으로써, 이와 같은 스플래시를 확실하게 방지할 수 있다.
그 후, 용제 S의 공급을 정지하고, 웨이퍼 W를 단시간 고속 회전시킨다. 쇼트 스핀 공정을 행하면, 도 10의 (c)에 도시하는 바와 같이 도포막 F의 표면에 남아 있는 용제 S 및 잔사 M이, 원심력에 의해, 도포막 F의 표면으로부터 배출된다. 그리고, 험프 H는 그 정점 위치가 직경 방향 외측으로 이동하면서, 게다가 작아진다. 또한, 쇼트 스핀 공정에서는, 제1 용제 노즐(50)은 홈 위치 P0으로 복귀하고 있다.
그리고, 본 실시 형태에서는, 도 10의 (b)에 도시하는 용제 공급 공정과 도 10의 (c)에 도시하는 쇼트 스핀 공정의 루프 처리를 2회 반복한다.
그 후, 도 10의 (d)에 도시하는 용제 공급 공정을 행한다. 이 때, 용제 S의 공급 위치 P2를 공급 위치 P1보다 외측으로 하고, 예를 들어 웨이퍼 W의 외측 에지부로부터 5㎜로 한다. 또한, 이 용제 공급 공정에서도, 제1 용제 노즐(50)은, 홈 위치 P0으로부터 공급 위치 P2로 이동하고, 또한 공급 위치 P2로부터 홈 위치 P0으로 복귀한다. 그리고, 이 홈 위치 P0→공급 위치 P2→홈 위치 P0의 이동 중, 제1 용제 노즐(50)로부터 용제 S를 공급한다.
그 후, 도 10의 (e)에 도시하는 쇼트 스핀 공정을 행한다. 그리고, 도 10의 (d)에 도시하는 용제 공급 공정과 도 10의 (e)에 도시하는 쇼트 스핀 공정의 루프 처리를 3회 반복한다.
본 실시 형태에서는, 이와 같이 용제 S의 공급 위치를 직경 방향 내측(공급 위치 P1)으로부터 외측(공급 위치 P2)으로 이동시킴으로써, 도 10의 (a)에 나타낸 폭 넓게 직경 방향 내측으로 퍼지는 험프 H에 대해, 먼저 내측 부분의 험프 H를 제거하고, 그 후 전체적으로 평탄화시켜 험프 H를 제거할 수 있다. 바꾸어 말하면, 도포 처리 후의 험프 H의 형상에 따라, 용제 S의 공급 위치를 조정함으로써, 당해 험프 H를 적절하게 제거할 수 있다.
게다가, 루프 처리를 반복하여 행하면, 험프 H는 정점 위치가 직경 방향 외측으로 이동한다. 이와 같은 점에서, 용제 S의 공급 위치를 직경 방향 내측으로부터 외측으로 이동시킴으로써, 험프 H에 대해 용제 S를 확실하게 공급할 수 있다.
그리고 그 결과, 도 10의 (f)에 도시하는 바와 같이 도포막 F의 주연부를 평탄화할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에 의하면, 웨이퍼 W의 표면에 균일한 막 두께의 도포막 F를 형성할 수 있다.
(제4 실시 형태)
제4 실시 형태에 대해 설명한다. 도 11은, 제4 실시 형태에 관한 도포 처리 방법을 행한 경우의, 웨이퍼 W의 표면 주연부에 있어서의 액막 상태를 나타낸다. 상기 제3 실시 형태에서는, 용제 공급 공정마다의 용제 S의 공급 위치를 직경 방향 내측으로부터 외측으로 이동시켰지만, 제4 실시 형태에서는, 용제 공급 공정마다 있어서의 용제 S의 공급 위치를 직경 방향 외측으로부터 내측으로 이동시킨다.
도 11의 (a)에 도시하는 바와 같이 도포 처리를 행한 후, 웨이퍼 W의 표면 외주부에는 험프 H가 폭 좁게 직경 방향 외측에만 존재하고 있다.
그 후, 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 W를 회전시키면서, 제1 용제 노즐(50)로부터 험프 H에 용제 S를 공급한다. 이 때, 용제 S의 공급 위치 P3은, 예를 들어 웨이퍼 W의 외측 에지부로부터 3㎜이다. 그리고, 제1 용제 노즐(50)은, 홈 위치 P0으로부터 공급 위치 P3으로 이동하고, 또한 공급 위치 P3으로부터 홈 위치 P0으로 이동하고, 이동 중에 용제 S를 공급한다.
그 후, 용제 S의 공급을 정지하고, 웨이퍼 W를 단시간 고속 회전시킨다. 쇼트 스핀 공정을 행하면, 도 11의 (c)에 도시하는 바와 같이 도포막 F의 표면에 남아 있는 용제 S 및 잔사 M이, 원심력에 의해, 도포막 F의 표면으로부터 배출된다. 그리고, 험프 H는 그 정점 위치가 직경 방향 외측으로 이동하면서, 게다가 작아진다. 또한, 쇼트 스핀 공정에서는, 제1 용제 노즐(50)은 홈 위치 P0으로 복귀되어 있다.
그리고, 본 실시 형태에서는, 도 11의 (b)에 도시하는 용제 공급 공정과 도 11의 (c)에 도시하는 쇼트 스핀 공정의 루프 처리를 2회 반복한다.
그 후, 도 11의 (d)에 도시하는 용제 공급 공정을 행한다. 이 때, 용제 S의 공급 위치 P4를 공급 위치 P3보다 내측으로 하고, 예를 들어 웨이퍼 W의 외측 에지부로부터 7㎜로 한다. 또한, 이 용제 공급 공정에서도, 제1 용제 노즐(50)은, 홈 위치 P0으로부터 공급 위치 P4로 이동하고, 또한 공급 위치 P4로부터 홈 위치 P0으로 이동하고, 이동 중에 용제 S를 공급한다.
그 후, 도 10의 (e)에 도시하는 쇼트 스핀 공정을 행한다. 그리고, 도 10의 (d)에 도시하는 용제 공급 공정과 도 10의 (e)에 도시하는 쇼트 스핀 공정의 루프 처리를 3회 반복한다.
본 실시 형태에서는, 이와 같이 용제 S의 공급 위치를 직경 방향 외측(공급 위치 P3)으로부터 내측(공급 위치 P4)으로 이동시킴으로써, 도 11의 (a)에 나타낸 폭이 좁아서 직경 방향 외측에만 있는 험프 H에 대해, 먼저 외측 부분의 험프 H를 제거하고, 그 후 전체적으로 적응시켜 험프 H를 제거할 수 있다. 바꾸어 말하면, 도포 처리 후의 험프 H의 형상에 따라, 용제 S의 공급 위치를 조정함으로써, 당해 험프 H를 적절하게 제거할 수 있다.
그리고 그 결과, 도 11의 (f)에 도시하는 바와 같이 도포막 F의 주연부를 평탄화할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에 의하면, 웨이퍼 W의 표면에 균일한 막 두께의 도포막 F를 형성할 수 있다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이지, 제한적인 것은 아니라고 생각해야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하는 일 없이, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 웨이퍼의 표면에 보호막을 형성하는 예에 대해 설명하였지만, 본 개시는, 웨이퍼의 표면에 다른 도포액, 예를 들어 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 도포 처리에도 적용할 수 있다. 또한, 상술한 실시 형태는, 웨이퍼에 도포 처리를 행하는 예였지만, 본 개시는, 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.
또한, 이하와 같은 구성도 본 개시의 기술적 범위에 속한다.
(1) 기판을 처리하는 기판 처리 방법이며,
(a) 스핀 도포법에 의해 기판의 표면에 도포액을 도포하여 도포막을 형성하는 공정과,
(b) 상기 (a) 공정에 있어서 기판의 표면 주연부에 형성된 상기 도포막의 볼록부에 대해,
상기 도포액의 용제를 공급하는 공정과,
(c) 상기 용제의 공급을 정지한 상태에서, 기판을 회전시켜, 상기 볼록부의 정점을 기판의 직경 방향 외측으로 이동시키는 공정을 갖고,
상기 (b) 공정과 상기 (c) 공정을 반복하여 행하는, 기판 처리 방법.
상기 (1)에 의하면, (b) 공정과 (c) 공정이 연속된 루프 처리를 반복하여 행하면, 루프 처리마다 볼록부의 정점 위치가 직경 방향 외측으로 이동하면서, 점차 볼록부가 제거된다. 그 결과, 도포막의 주연부를 평탄화할 수 있고, 기판의 표면에 균일한 막 두께의 도포막 F를 형성할 수 있다. 또한, 이와 같이 루프 처리를 반복하여 행하면, 조건 제시 시의 파라미터를 최소한으로 할 수 있어, 처리 조건의 최적화를 간이적으로 할 수 있다.
(2) 상기 (b) 공정에 있어서, 기판의 표면측으로부터 상기 볼록부에 상기 용제를 공급하고, 또한 기판의 이면측으로부터 상기 볼록부에 상기 용제를 공급하는, 상기 (1)에 기재된 기판 처리 방법.
상기 (2)에 의하면, 기판의 표면측과 이면측의 양쪽으로부터 볼록부에 용제를 공급하기 때문에, 볼록부의 용해도를 보다 향상시킬 수 있다. 또한 볼록부의 용해도가 향상되기 때문에, 볼록부가 용해된 잔사의 유동성이 높아지고, (c) 공정에 있어서 잔사를 배출하기 쉬워진다. 따라서, 도포막의 평탄성을 더 향상시킬 수 있다.
(3) 상기 (b) 공정에 있어서, 기판의 표면측으로부터의 상기 용제의 공급과, 기판의 이면측으로부터의 상기 용제의 공급을 동시에 행하는, 상기 (2)에 기재된 기판 처리 방법.
(4) 상기 (b) 공정과 상기 (c) 공정을 반복하여 행함에 있어서, 상기 (b) 공정에서의 상기 용제의 공급 위치를 기판의 직경 방향으로 이동시키는, 상기 (1) 내지 (3)의 어느 하나에 기재된 기판 처리 방법.
상기 (4)에 의하면, 볼록부의 형상에 따라, (b) 공정에서의 용제의 공급 위치를 기판의 직경 방향으로 이동시키기 위해, 당해 볼록부를 적절하게 제거할 수 있다.
(5) 상기 (b) 공정에서의 상기 용제의 공급 위치를 기판의 직경 방향 내측으로부터 외측으로 이동시키는, 상기 (4)에 기재된 기판 처리 방법.
(6) 상기 (b) 공정에서의 상기 용제의 공급 위치를 기판의 직경 방향 외측으로부터 내측으로 이동시키는, 상기 (4)에 기재된 기판 처리 방법.
(7) 상기 (b) 공정에서의 상기 용제의 공급 시간과 공급 위치에 따라, 상기 (b) 공정과 상기 (c) 공정의 반복 횟수를 제어하여, 상기 도포막의 막 두께를 제어하는, 상기 (1) 내지 (6)의 어느 하나에 기재된 기판 처리 방법.
(8) 상기 (b) 공정에서의 상기 용제의 공급은, 기판을 회전시키면서 행해지고,
상기 (c) 공정에서의 기판의 회전 속도는, 상기 (b) 공정에서의 기판의 회전 속도보다 크고,
상기 (c) 공정에서의 기판의 회전 속도는 2000rpm 이하인, 상기 (1) 내지 (7)의 어느 하나에 기재된 기판 처리 방법.
(9) 상기 도포액의 점도는 1000cp 내지 10000cp인, 상기 (1) 내지 (8)의 어느 하나에 기재된 기판 처리 방법.
(10) 기판에 도포액을 도포하는 도포 처리 장치이며,
기판을 보유 지지하여 회전시키도록 구성되는 기판 보유 지지부와,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판에 대해 도포액을 도포하도록 구성되는 도포액 공급부와,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 주연부에 대해 기판의 표면측으로부터 상기 도포액의 용제를 공급하도록 구성되는 용제 공급부와,
제어부를 가지며,
상기 제어부는,
(a) 스핀 도포법에 의해 기판의 표면에 도포액을 도포하여 도포막을 형성하는 공정과,
(b) 상기 (a) 공정에 있어서 기판의 표면 주연부에 형성된 상기 도포막의 볼록부에 대해, 상기 도포액의 용제를 공급하는 공정과,
(c) 상기 용제의 공급을 정지한 상태에서, 기판을 회전시켜, 상기 볼록부의 정점을 기판의 직경 방향 외측으로 이동시키는 공정을 갖고,
상기 (b) 공정과 상기 (c) 공정을 반복하여 행하도록, 상기 기판 보유 지지부, 상기 도포액 공급부 및 상기 용제 공급부를 제어하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
(11) 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 주연부에 대해 기판의 이면측에서 상기 용제를 공급하도록 구성되는 다른 용제 공급 부재를 추가로 갖고,
상기 제어부는, 상기 (b) 공정에 있어서, 기판의 표면측으로부터 상기 볼록부에 상기 용제를 공급하고, 또한 기판의 이면측으로부터 상기 볼록부에 상기 용제를 공급하도록, 상기 용제 공급부와 상기 다른 용제 공급부를 제어하도록 구성되는, 상기 (10)에 기재된 기판 처리 장치.
(12) 상기 용제 공급부를 수평 방향으로 이동시키도록 구성되는 이동 기구를 추가로 갖고,
상기 제어부는, 상기 (b) 공정과 상기 (c) 공정을 반복하여 행함에 있어서, 상기 (b) 공정에서의 상기 용제의 공급 위치를 기판의 직경 방향으로 이동시키도록, 상기 용제 공급부와 상기 이동 기구를 제어하도록 구성되는, 상기 (10) 또는 (11)에 기재된 기판 처리 장치.

Claims (12)

  1. 기판을 처리하는 기판 처리 방법이며,
    (a) 스핀 도포법에 의해 기판의 표면에 도포액을 도포하여 도포막을 형성하는 공정과,
    (b) 상기 (a) 공정에 있어서 기판의 표면 주연부에 형성된 상기 도포막의 볼록부에 대해,
    상기 도포액의 용제를 공급하는 공정과,
    (c) 상기 용제의 공급을 정지한 상태에서, 기판을 회전시켜, 상기 볼록부의 정점을 기판의 직경 방향 외측으로 이동시키는 공정을 갖고,
    상기 (b) 공정과 상기 (c) 공정을 반복하여 행하는, 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 (b) 공정에 있어서, 기판의 표면측으로부터 상기 볼록부에 상기 용제를 공급하고, 또한 기판의 이면측으로부터 상기 볼록부에 상기 용제를 공급하는, 기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 (b) 공정에 있어서, 기판의 표면측으로부터 상기 용제의 공급과, 기판의 이면측으로부터의 상기 용제의 공급을 동시에 행하는, 기판 처리 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (b) 공정과 상기 (c) 공정을 반복하여 행함에 있어서, 상기 (b) 공정에서의 상기 용제의 공급 위치를 기판의 직경 방향으로 이동시키는, 기판 처리 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 (b) 공정에서의 상기 용제의 공급 위치를 기판의 직경 방향 내측으로부터 외측으로 이동시키는,
    기판 처리 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 (b) 공정에서의 상기 용제의 공급 위치를 기판의 직경 방향 외측으로부터 내측으로 이동시키는,
    기판 처리 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (b) 공정에서의 상기 용제의 공급 시간과 공급 위치에 따라, 상기 (b) 공정과 상기 (c) 공정의 반복 횟수를 제어하여, 상기 도포막의 막 두께를 제어하는, 기판 처리 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (b) 공정에서의 상기 용제의 공급은, 기판을 회전시키면서 행해지고,
    상기 (c) 공정에서의 기판의 회전 속도는, 상기 (b) 공정에서의 기판의 회전 속도보다 크고,
    상기 (c) 공정에서의 기판의 회전 속도는 2000rpm 이하인, 기판 처리 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도포액의 점도는 1000cp 내지 10000cp인, 기판 처리 방법.
  10. 기판에 도포액을 도포하는 도포 처리 장치이며,
    기판을 보유 지지하여 회전시키도록 구성되는 기판 보유 지지부와,
    상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판에 대해 도포액을 도포하도록 구성되는 도포액 공급부와,
    상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 주연부에 대해 기판의 표면측으로부터 상기 도포액의 용제를 공급하도록 구성되는 용제 공급부와,
    제어부를 가지며,
    상기 제어부는,
    (a) 스핀 도포법에 의해 기판의 표면에 도포액을 도포하여 도포막을 형성하는 공정과,
    (b) 상기 (a) 공정에 있어서 기판의 표면 주연부에 형성된 상기 도포막의 볼록부에 대해, 상기 도포액의 용제를 공급하는 공정과,
    (c) 상기 용제의 공급을 정지한 상태에서, 기판을 회전시켜, 상기 볼록부의 정점을 기판의 직경 방향 외측으로 이동시키는 공정을 갖고,
    상기 (b) 공정과 상기 (c) 공정을 반복하여 행하도록, 상기 기판 보유 지지부, 상기 도포액 공급부 및 상기 용제 공급부를 제어하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 주연부에 대해 기판의 이면측에서 상기 용제를 공급하도록 구성되는 다른 용제 공급 부재를 추가로 갖고,
    상기 제어부는, 상기 (b) 공정에 있어서, 기판의 표면측으로부터 상기 볼록부에 상기 용제를 공급하고, 또한 기판의 이면측으로부터 상기 볼록부에 상기 용제를 공급하도록, 상기 용제 공급부와 상기 다른 용제 공급부를 제어하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 용제 공급부를 수평 방향으로 이동시키도록 구성되는 이동 기구를 추가로 갖고,
    상기 제어부는, 상기 (b) 공정과 상기 (c) 공정을 반복하여 행함에 있어서, 상기 (b) 공정에서의 상기 용제의 공급 위치를 기판의 직경 방향으로 이동시키도록, 상기 용제 공급부와 상기 이동 기구를 제어하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017191853A (ja) 2016-04-13 2017-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5819350B2 (ja) * 1976-04-08 1983-04-18 富士写真フイルム株式会社 スピンコ−テイング方法
JP3059423B2 (ja) * 1998-10-19 2000-07-04 松下電子工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP3593527B2 (ja) * 2001-09-28 2004-11-24 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランクの製造方法
JP2004310068A (ja) * 2003-03-27 2004-11-04 Hoya Corp 不要膜除去装置及びマスクブランクスの製造方法
US20100264566A1 (en) * 2009-03-17 2010-10-21 Suss Microtec Inc Rapid fabrication of a microelectronic temporary support for inorganic substrates
JP5807622B2 (ja) * 2012-07-03 2015-11-10 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置、基板処理装置及び記憶媒体
DE112014006368B4 (de) * 2014-02-13 2024-05-08 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtungsfertigungsverfahren
US11062899B2 (en) * 2017-01-26 2021-07-13 Tokyo Electron Limited Coated film removing apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017191853A (ja) 2016-04-13 2017-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

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