CN112445086A - 显影处理方法和显影处理装置 - Google Patents

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Abstract

涉及显影处理方法和显影处理装置。降低形成对水的接触角大的抗蚀膜时的缺陷数。显影处理方法对基板上的抗蚀膜进行显影处理，包括：工序(A)，向前述基板供给显影液以使前述抗蚀膜进行显影，形成抗蚀图案；工序(B)，向显影后的前述基板供给水系清洗液，用该水系清洗液对该基板进行清洗；工序(C)，在用前述水系清洗液清洗了的前述基板上涂布水溶性聚合物的水溶液，在前述基板表面形成具有亲水性的亲水性层；和，工序(D)，对形成有前述亲水性层的基板用冲洗液进行清洗，前述工序(B)包括使前述基板的转速加速的工序(a)和在前述工序(a)后直至前述工序(C)开始之间使前述基板的转速减速的工序(b)，前述工序(b)中的减速度小于前述工序(a)中的加速度。

Description

显影处理方法和显影处理装置
技术领域
本公开涉及显影处理方法和显影处理装置。
背景技术
专利文献1中，为了防止形成线/空间的抗蚀图案时产生图案倒塌，公开了如下方案：在抗蚀图案显影时的冲洗工序中使用2种以上的冲洗液。专利文献1公开的方法中，在冲洗工序的前半工序所使用的冲洗液中，暴露受到显影液的处理的抗蚀剂表面，促进该抗蚀剂表面的改质，调整后半工序中使用的冲洗液与该抗蚀剂表面的接触角至期望的角度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平5-29936号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的技术可以降低在形成对冲洗液的接触角大的抗蚀膜时的缺陷数。
用于解决问题的方案
本公开的一方案为一种显影处理方法，其为对基板上的抗蚀膜进行显影处理的显影处理方法，其包括如下工序：工序(A)，向前述基板供给显影液以使前述抗蚀膜进行显影，形成抗蚀图案；工序(B)，向显影后的前述基板供给水系清洗液，用该水系清洗液对该基板进行清洗；工序(C)，在用前述水系清洗液清洗了的前述基板上涂布水溶性聚合物的水溶液，在前述基板的表面形成具有亲水性的亲水性层；和，工序(D)，对形成有前述亲水性层的基板用冲洗液进行清洗，前述(B)工序包括如下工序：工序(a)，使前述基板的转速加速；和，工序(b)，在前述(a)工序后，直至前述(C)工序开始为止的期间，使前述基板的转速减速，前述(b)工序中的减速度小于前述(a)工序中的加速度。
发明的效果
根据本公开，可以降低在形成对冲洗液的接触角大的抗蚀膜时的缺陷数。
附图说明
图1为示出第1实施方式的显影处理装置的构成的概要的纵剖视图。
图2为示出第1实施方式的显影处理装置的构成的概要的横剖视图。
图3为示出图1的显影处理装置中的显影处理的一例的流程图。
图4为示出清洗工序以及其之后的显影处理中的各时刻点的晶圆转速的图。
图5为示出显影处理时的晶圆的样子的部分放大剖视图。
图6为示出显影处理的后述干燥工序中的晶圆的样子的剖视图。
图7为用于说明第1实施方式的效果的图。
图8为示出第2实施方式的显影处理装置的构成的概要的横剖视图。
图9为示出图8的显影处理装置的显影处理中的、清洗工序以及其之后的各时刻点的晶圆转速的图。
附图标记说明
1、1a 显影处理装置
20 旋转卡盘
21 卡盘驱动部
33 显影液供给喷嘴
36 DIW供给喷嘴
37 水溶液供给喷嘴
38 混合液供给喷嘴
40 喷嘴驱动部
200 控制部
F1 亲水性层
R 抗蚀图案
W 晶圆
具体实施方式
半导体器件等的制造工艺的光刻工序中，为了在半导体晶圆(以下，称为“晶圆”)上形成规定的抗蚀图案，进行了一系列的处理。上述一系列的处理包括例如：向晶圆上供给抗蚀液形成抗蚀膜的抗蚀剂涂布处理；将抗蚀膜进行曝光的曝光处理；向曝光后的抗蚀膜供给显影液以进行显影的显影处理等。
上述显影处理中，例如向晶圆上供给显影液，在晶圆表面上形成显影液的液膜，将晶圆进行显影。之后向晶圆上供给纯水等清洗液，晶圆进行高速旋转而被清洗。通过该清洗，在显影时晶圆上的显影液中生成的溶解产物被去除。
然而，近年来，随着曝光技术等的进步，半导体器件的微细化进一步进行，出现了微细且高长宽比的抗蚀图案。微细的抗蚀图案、长宽比高的抗蚀图案中，在上述显影时如果清洗液残留于晶圆上则产生问题。例如，抗蚀图案为线/空间图案的情况下，在图案间残留有清洗液时，由于该残留了的清洗液而产生所谓图案倒塌。
专利文献1中，为了防止如前述那样线/空间图案的图案倒塌的发生，公开了如下方案：抗蚀图案显影时利用冲洗液进行清洗的冲洗工序中使用2种以上的冲洗液。专利文献1公开的方法中，在冲洗工序的前半工序所使用的冲洗液中，暴露受到显影液的处理的抗蚀剂表面，促进抗蚀剂表面的改质，调整后半工序中使用的冲洗液与该抗蚀剂表面的接触角至期望的角度。
需要说明的是，残留于图案间的冲洗液中产生的应力σ、即残留于图案间的清洗液在图案中产生的与基板平行方向的力与抗蚀膜相对于冲洗液的接触角θ和清洗液的表面张力γ处于以下的关系。
σ∝γcosθ…(式1)
因而，作为抗蚀膜的材料，有时使用有拒水性高的材料。
然而，专利文献1的技术为涉及与作为冲洗液的水的接触角为0°的抗蚀膜、即、拒水性低的抗蚀膜的技术。
另外，即使使用拒水性高的抗蚀膜，如果推进微细化，则显影时在线/空间图案的图案间残留有冲洗液时也发生图案倒塌。
进而，冲洗液如果残留于图案间、即晶圆上，则冲洗液中所含的溶解产物也会残留于晶圆上。残留于晶圆上的溶解产物成为缺陷的原因。源自残留于晶圆上的溶解产物的缺陷在抗蚀图案为线/空间图案以外的情况(例如孔图案、柱图案的情况)下也是共通的问题，另外，无论图案的密集度，亦即，无论某个面积中的图案的凹部和凸部的存在数均成为问题。
因此，本公开的技术降低在使用拒水性高的抗蚀膜时的缺陷数、即降低在形成对冲洗液的接触角大的抗蚀膜时的缺陷数。
以下，对本实施方式的显影处理方法和显影处理装置，边参照附图边进行说明。需要说明的是，本说明书和附图中，对实质上具有同一功能构成的要素，标注同一符号，从而省略重复说明。
(第1实施方式)
图1和图2为示出第1实施方式的显影处理装置1的构成的概要的纵剖视图和横剖视图。
显影处理装置1如图1所示那样，具有能密闭内部的处理容器10。在处理容器10的侧面形成有作为基板的晶圆W的搬入/搬出口(未作图示)。
在处理容器10内，设有保持晶圆W、使其沿垂直轴周围旋转的旋转卡盘20。旋转卡盘20通过作为旋转机构的卡盘驱动部21(例如发动机等)以各种速度旋转自由地构成。另外，在卡盘驱动部21上设有未图示的机筒等升降驱动机构，旋转卡盘20由升降驱动机构升降自由地构成。
以包围保持于旋转卡盘20的晶圆W的周围的方式设有杯22。杯22用于阻挡从晶圆W飞散或落下的液体并回收。
如图2所示那样，在杯22的X方向负方向(图2的下方向)侧，形成有沿Y方向(图2的左右方向)延伸的轨道30A、30B。轨道30A、30B例如从杯22的Y方向负方向(图2的左方向)侧的外方至Y方向正方向(图2的右方向)侧的外方形成。轨道30A、30B分别安装有对应的臂31、32。
由第1臂31支撑供给显影液的显影液供给喷嘴33。第1臂31利用作为移动机构的喷嘴驱动部34在轨道30A上成为移动自由。由此，显影液供给喷嘴33可以从设置于杯22的Y方向负方向侧的外侧的待机部35移动至杯22内的晶圆W的中央部上方。另外，利用喷嘴驱动部34，第1臂31升降自由，可以调节显影液供给喷嘴33的高度。作为显影液，例如使用有四甲基氢氧化铵(TMAH)。
由第2臂32支撑DIW供给喷嘴36、水溶液供给喷嘴37、混合液供给喷嘴38、气体供给喷嘴39。
第2臂32利用作为移动机构的喷嘴驱动部40在轨道30B上成为移动自由。由此，喷嘴36～39可以从设置于杯22的Y方向正方向侧的外侧的待机部41移动至杯22内的晶圆W的中央部上方。另外，利用喷嘴驱动部40，第2臂32升降自由，可以调节喷嘴36～39的高度。
DIW供给喷嘴36供给DIW(去离子水(Deionized Water))。DIW作为水系清洗液、冲洗液使用。亦即，DIW供给喷嘴36作为清洗液供给喷嘴、冲洗液供给喷嘴发挥功能。
水溶液供给喷嘴37供给水溶性聚合物的水溶液。水溶性聚合物的水溶液用于减少利用显影液将抗蚀膜显影而形成的抗蚀图案对水的接触角。
水溶性聚合物的水溶液中所含的水溶性聚合物例如为包含亲水性基团的单体的均聚物或共聚物或具有亲水性基团的缩聚物等。水溶性聚合物的具体例可以举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、氟丙烯酸、全氟烷基酸、乙烯醇、乙烯基吡咯烷酮、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇(包含部分皂化物)、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚乙烯基甲基醚、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙二醇、聚乙烯醇缩醛(包含部分缩醛化物)、聚乙烯亚胺、聚环氧乙烷、苯乙烯-马来酸酐共聚物、聚乙烯基胺、聚烯丙基胺、含噁唑啉基水溶性树脂、水溶性三聚氰胺树脂、水溶性脲树脂、醇酸树脂或磺酰胺、和它们形成的盐。而且，作为水溶性聚合物，也可以使用聚甘油。这些水溶性聚合物可以单独使用，也可以组合2种以上而使用。上述水溶液中的水溶性聚合物的浓度优选低于10％、更优选低于5％。
在上述水溶液中可以添加表面活性剂。表面活性剂的具体例可以举出：山梨糖醇酐单油酸酯、甘油α-单油酸酯、聚乙二醇山梨糖醇酐脂肪酸酯、聚乙二醇直链烷基醚、聚乙二醇苯基醚直链烷基加成型、支链烷基加成型、乙炔二醇、阴离子系的月桂酸钠、硬脂酸钠、油酸钠、十二烷基硫酸钠或十二烷基苯磺酸钠等。这些表面活性剂可以单独使用，也可以组合2种以上而使用。上述水溶液中的表面活性剂的浓度优选低于5％。
进而，上述水溶液优选为酸性，具体而言，上述水溶液的pH优选3～6。
混合液供给喷嘴38供给混合有表面活性剂溶液与纯水的混合液。上述混合液作为冲洗液使用。亦即，混合液供给喷嘴38作为冲洗液供给喷嘴发挥功能。作为该冲洗液使用的混合液由于混合有表面活性剂，因此，对晶圆W的接触角小于水系冲洗液。表面活性剂溶液中融化的表面活性剂的具体例与上述同样。需要说明的是，以下中，将混合有表面活性剂溶液与纯水的混合液有时称为“含表面活性剂的冲洗液”。
气体供给喷嘴39供给气体。具体而言，气体供给喷嘴39在使晶圆W上的冲洗液干燥时向该晶圆W供给气体(例如N2气体)。
在显影液供给喷嘴33、DIW供给喷嘴36、水溶液供给喷嘴37和混合液供给喷嘴38上连接有对各喷嘴供给对应的液体的液供给机构100。液供给机构100在每个喷嘴上具有：压送各液的泵(未作图示)、切换各液的供给和供给停止的供给阀(未作图示)等。
另外，在气体供给喷嘴39上，连接有对该喷嘴供给气体的气体供给机构110。气体供给机构110具有：切换气体的供给和供给停止的供给阀(未作图示)等。
以上的显影处理装置1中，如图1所示那样，设有控制部200。控制部200例如为具备CPU、存储器等的计算机，具有程序存储部(未作图示)。程序存储部中存储有控制显影处理装置1中的各种处理的程序。另外，程序存储部中，还存储有用于控制上述喷嘴驱动部34、40、液供给机构100、气体供给机构110等、实现后述的显影处理的程序。需要说明的是，上述程序被记录于计算机能读取的存储介质中，可以从该存储介质安装于控制部200。程序的一部分或全部可以在专用硬晶圆(电路基板)中实现。
此处，对显影处理装置1中的显影处理的一例，利用图3～图5进行说明。图3为示出显影处理的一例的流程图。图4为示出显影处理中的各时刻下的晶圆W的转速(以下，称为“晶圆转速”)的图，示出后述的清洗工序以及其之后。图5为示出显影处理时的晶圆W的样子的部分放大剖视图。图6为示出显影处理的后述干燥工序中的晶圆W的样子的剖视图。
需要说明的是，以下的说明中，在搬入至处理容器10内的晶圆W的表面形成有SiARC(含硅防反射涂层(Silicon-containing Anti-Reflective Coating))等下层膜，在该下层膜上预先形成有抗蚀膜。另外，对该抗蚀膜的曝光处理和之后的加热处理结束，上述曝光处理中，进行了线/空间图案形成用的曝光。需要说明的是，形成于晶圆W的下层膜上的抗蚀膜的对水的接触角大。另外，以下的各工序中的各液的流量如下：DIW为350ml/分钟、水溶性聚合物的水溶液和混合液为80ml/分钟。需要说明的是，DIW的流量可以为250～450ml/分钟，另外，水溶性聚合物的水溶液和混合液的流量可以为50ml/分钟～100ml/分钟，优选75-90ml/分钟。
(步骤S1：显影液积液形成工序)
显影处理中，首先，如图3所示那样，在晶圆W整面形成显影液积液(步骤S1)。具体而言，将晶圆W搬入至处理容器10内，且载置于旋转卡盘20上并吸附。接着，显影液供给喷嘴33向晶圆W的上方移动，从该显影液供给喷嘴33以带状排出显影液，晶圆W例如旋转1次，由此，在晶圆W整面形成显影液积液。
(步骤S2：静止显影工序)
形成显影液积液后，停止显影液的供给，进行使晶圆W静止预先设定好的时间的静止显影(步骤S2)。通过该工序，晶圆W上的抗蚀膜的显影进行，如图5的(A)所示那样，在晶圆W的下层膜U上形成抗蚀图案R。需要说明的是，在该静止显影中，DIW供给喷嘴36向晶圆W的中央部上方移动代替显影液供给喷嘴33退避至杯22外。
(步骤S3：清洗工序)
静止显影后，使晶圆W旋转，对于该晶圆W，从DIW供给喷嘴36供给作为水系清洗液的DIW，晶圆W被清洗(步骤S3)。通过该工序，显影液和溶解产物被去除。另外，如图5的(A)和图5的(B)所示那样，抗蚀图案R上的显影液的膜D被DIW所置换，成为形成有DIW的膜E的状态，可以维持基于液体的覆盖状态。该步骤S3的清洗工序如图4所示那样，包括以下的加速工序(步骤S3a)和减速工序(步骤S3b)。
(步骤S3a：加速工序)
清洗工序中，首先，向旋转的晶圆W供给DIW，在该DIW的供给中，晶圆转速被加速至预先设定好的转速(步骤S3a)。具体而言，如图4所示那样，DIW的供给刚刚开始后，将晶圆转速维持为低转速(例如50～200rpm)，之后，加速至预先设定好的高转速HRS1(例如700rpm以上且1800rpm以下)。由此，将DIW在晶圆W上进行面内均匀地扩展。然后，加速后，晶圆转速以上述高转速维持预先设定好的时间。由此，晶圆W上的显影液、溶解产物有效地被排出。需要说明的是，本例中，加速工序中的加速度为恒定。
(步骤S3b：减速工序)
步骤S3a的加速工序后，在紧接着步骤S3的清洗工序的步骤S4的亲水性层形成工序开始为止的期间，使晶圆转速减速(步骤S3b)。减速工序即将开始前的步骤S3a的加速工序中，为了排出显影液等，晶圆转速需要较高。与此相对，减速工序刚刚结束后的步骤S4的亲水性层形成工序中，如后述，为了面内均匀地形成水溶性聚合物的水溶液的膜，亲水性层形成工序刚刚开始后的晶圆转速需要较低。因此，设置该减速工序，在步骤S3a的加速工序结束后，减速至步骤S4的亲水性层形成工序开始时的预先设定好的低转速(例如50～200rpm)。需要说明的是，本例中，减速工序中的减速度为恒定。
另外，步骤S3b的减速工序中的减速度小于步骤S3a的加速工序中的加速度，具体而言，设为200rpm/s以下。这是由于，防止在晶圆W的周缘部产生不由DIW的膜E覆盖的部分。
减速工序结束时，停止来自DIW供给喷嘴36的DIW的供给后，水溶液供给喷嘴37向晶圆W的中央部上方移动。
(步骤S4：亲水性层形成工序)
清洗工序后，对于旋转中的晶圆W，涂布水溶性聚合物的水溶液(以下，有时简称为“聚合物水溶液”)，在包含抗蚀图案的表面的晶圆W的表面形成具有亲水性的层(步骤S4)。该步骤S4的亲水性层形成工序如图4所示那样，包括水溶液供给工序(步骤S4a)和旋转维持工序(步骤S4b)。
另外，从步骤S3的清洗工序中的DIW的供给停止至该步骤S4的工序中的聚合物水溶液的供给开始为止的时间例如为0.7秒以下。
(步骤S4a：水溶液供给工序)
亲水性层形成工序中，首先，从水溶液供给喷嘴37向旋转中的晶圆W供给聚合物水溶液，换言之，边向晶圆W供给聚合物水溶液，边使该晶圆W旋转。通过该工序，抗蚀图案R上的DIW的膜E被聚合物水溶液所置换，如图5的(C)所示那样，成为形成有聚合物水溶液的膜F的状态。
该工序中，聚合物水溶液的供给刚刚开始后，将晶圆转速维持为低转速(例如50～200rpm)，之后，加速至预先设定好的高转速(例如1000～2000rpm)。由此，聚合物水溶液在晶圆W上进行面内均匀地扩展，面内均匀地形成该液的膜。上述加速后，停止来自水溶液供给喷嘴37的聚合物水溶液的供给。
需要说明的是，步骤S3的清洗工序中的DIW的供给时间Tw1长于该水溶液供给工序中的聚合物水溶液的供给时间Tp。
(步骤S4b：旋转维持工序)
步骤S4a的水溶液供给工序后，在不供给聚合物水溶液的状态下，使晶圆旋转预先设定好的时间(步骤S4b)。通过该工序，如图5的(D)所示那样，在包含抗蚀图案R的表面的晶圆W的表面形成亲水性层F1。
该工序中，将晶圆转速例如维持为步骤S4a的水溶液供给工序中的上述高转速(例如1000～2000rpm)。因此，晶圆周缘部的液膜被吸引到晶圆中央部，可以防止发生晶圆周缘部露出的退却。
然后，旋转维持工序的执行时间设定为长于步骤S4a的水溶液供给工序的执行时间。另外，旋转维持工序的执行时间例如为6秒以上。
需要说明的是，旋转维持工序中，DIW供给喷嘴36向晶圆W的中央部上方移动。
(步骤S5：冲洗工序)
亲水性层形成工序后，对于旋转中的晶圆W，供给冲洗液，晶圆W被清洗(步骤S5)。该步骤S5的冲洗工序如图4所示那样，包括冲洗液供给工序(步骤S5a)和干燥工序(步骤S5b)。然后，冲洗液供给工序包括：第1冲洗液供给工序(步骤S5a1)和第2冲洗液供给工序(步骤S5a2)，干燥工序包括第1干燥工序(步骤S5b1)和第2干燥工序(步骤S5b2)。
(步骤S5a：冲洗液供给工序)
步骤S5a的冲洗液供给工序为边向形成有亲水性层的晶圆W供给冲洗液边使该晶圆W旋转的工序。
(步骤S5a1：第1冲洗液供给工序)
然后，作为冲洗液供给工序的最初工序的步骤S5a1的第1冲洗液供给工序中，对于旋转中的晶圆W，从DIW供给喷嘴36供给作为第1冲洗液的DIW(步骤S5a1)。通过该工序，抗蚀图案R上的聚合物水溶液被DIW所置换，如图5的(E)所示那样，成为形成有DIW的膜G的状态。该第1冲洗液供给工序中，为了聚合物水溶液的排出等，晶圆转速需要较高。与此相对，该工序刚刚结束后的步骤S5a2的第2冲洗液供给工序中，为了面内均匀地形成含表面活性剂的冲洗液的膜，第2冲洗液供给工序刚刚开始后(即，含表面活性剂的冲洗液供给刚刚开始后)的晶圆转速需要较低。具体而言，需要使第2冲洗液供给工序刚刚开始后晶圆转速为低于第1干燥工序中的最高转速的转速(500rpm以上且1000rpm以下)。因此，第1冲洗液供给工序中，将晶圆转速维持为预先设定好的高转速(例如1000～1500rpm)预先设定好的时间后，进行减速。具体而言，将晶圆转速减速至第1冲洗液供给工序结束为止，设为低于第1干燥工序中的最高转速HRS2的、第2冲洗液供给工序开始时的预先设定好的低转速LRS(500rpm以上且1000rpm以下)。该减速后，停止来自DIW供给喷嘴36的DIW的供给，代替该喷嘴36，混合液供给喷嘴38向晶圆W的中央部上方移动。
需要说明的是，该第1冲洗液供给工序中，已经在抗蚀图案R的表面形成亲水性层，因此，可以使晶圆转速的减速度大于步骤S3b的减速工序，即，可以使晶圆转速急速降低。如此，通过使第2冲洗液供给工序中的晶圆转速的减速度大于步骤S3b的减速工序，从而可以缩短第1冲洗液供给工序所需的时间。
(步骤S5a2：第2冲洗液供给工序)
第1冲洗液供给工序后，对于旋转中的晶圆W，从混合液供给喷嘴38供给作为第2冲洗液的含表面活性剂的冲洗液(步骤S5a2)。通过该工序，抗蚀图案R上的DIW的水溶液被含表面活性剂的冲洗液所置换，如图5的(F)所示那样，成为形成有该冲洗液的膜H的状态。该工序中，对于晶圆W的转速，在含表面活性剂的冲洗液的供给刚刚开始后，设为低转速LRS(例如500rpm以上且1000rpm以下)，之后，加速至预先设定好的高转速(例如1000rpm)后，以该高转速，维持预先设定好的时间。由此，含表面活性剂的冲洗液在晶圆W上进行面内均匀地扩展，面内均匀地形成该冲洗液的膜。上述膜形成后，停止来自混合液供给喷嘴38的供给，代替该喷嘴38，气体供给喷嘴39向晶圆W的中央部上方移动。
需要说明的是，第1冲洗液供给工序中的DIW的供给时间Tw2长于该第2冲洗液供给工序中的含表面活性剂的冲洗液的供给时间Tr。
(步骤S5b：干燥工序)
步骤S5b的干燥工序为在步骤S5a的冲洗液供给工序后，在不供给冲洗液的状态下使晶圆旋转的工序。通过该工序，晶圆W上的冲洗液被干燥，如图5的(G)所示那样，抗蚀图案R露出。
(步骤S5b1：第1干燥工序)
然后，作为干燥工序的最初工序的步骤S5b1的第1干燥工序中，如图6的(A)所示那样，在晶圆W的中央部，边供给气体，使得在上述冲洗液的膜中形成凹部M，边将晶圆转速加速，扩展上述凹部M。上述凹部M成为干燥的起点。该工序中，对于晶圆转速，例如加速至该工序中的最高转速HRS2，之后，在该最高转速HRS2下维持预先设定好的时间。上述最高转速例如为700rpm以上且1800rpm以下，更优选800rpm以上且1500rpm以下。另外，该工序中，晶圆转速可以以恒定的加速度加速至上述最高转速HRS2，也可以阶段性地进行加速。
需要说明的是，在第1干燥工序结束时，停止气体供给，气体供给喷嘴39向杯22外退避。另外，该工序中的气体供给喷嘴39的位置固定在晶圆W的中央部上方。
(步骤S5b2：第2干燥工序)
第1干燥工序后，如图6的(B)所示那样，随着凹部M扩展，晶圆转速减速至预先设定好的转速RS(步骤S5b2)。该工序中，晶圆转速优选减速至例如600rpm以上的预先设定好的转速。上述预先设定好的转速优选1500rpm以下。减速后，晶圆转速在该转速RS下维持预先设定好的时间，之后，停止晶圆W的旋转。
需要说明的是，第2干燥工序中的晶圆转速的减速可以以恒定的减速度进行，也可以阶段性地进行。
步骤S5的冲洗工序后，将晶圆W从处理容器10搬出，显影处理结束。
如以上，本实施方式的显影处理方法包括如下工序：向晶圆W供给显影液以使抗蚀膜进行显影，形成抗蚀图案的工序；向显影后的晶圆供给DIW，用DIW对晶圆W进行清洗的工序；在用DIW清洗过的晶圆W上涂布聚合物水溶液，在晶圆W的表面形成亲水性层的工序；和，对形成有亲水性层的晶圆W用冲洗液进行清洗的工序。根据该显影处理方法，在晶圆W上形成对水的接触角大的抗蚀膜的情况下，也在晶圆W上形成亲水性层，晶圆W对水的接触角变低。因此，变得不易发生使晶圆旋转并干燥时的冲洗液的除液，亦即，冲洗液变得容易残留于晶圆W上。因此，不易产生残留于晶圆W上的冲洗液所导致的图案倒塌、源自残留的冲洗液中所含的溶解产物的缺陷。
此处，不同于本实施方式，不进行步骤S3b的减速工序，步骤S4的亲水性层形成工序开始时的晶圆转速保持高转速的状态。上述情况下，由于图案表面为高接触角等，而步骤S4的亲水性层形成工序中聚合物水溶液在晶圆面内整个区域难以扩展，因此，在由聚合物水溶液形成的亲水性层的形成状态中产生不均。与此相对，本实施方式中，进行步骤S3b的减速工序，步骤S4的亲水性层形成工序开始时，使晶圆W的转速从上述高转速减速。因此，可以将聚合物水溶液暂时积存在晶圆W的中央部，另外，之后提高转速，从而可以将聚合物水溶液在晶圆W的整面扩展。因此，可以使亲水性层的形成状态在晶圆面内均匀。
另外，不同于本实施方式，使步骤S3b的减速工序中的减速度与步骤S3a的加速工序中的加速度等同。上述情况下，由于急剧的减速和DIW的表面张力，被膜直至晶圆周缘部的DIW会向晶圆中央侧集中，在晶圆周缘部会产生未被DIW覆盖的部分。如此，接着DIW，步骤S4的亲水性被膜形成工序中，涂布聚合物水溶液时，该水溶液不充分扩展至晶圆周缘部，在亲水性层的形成状态上产生不均。与此相对，本实施方式中，使步骤S3b的减速工序中的减速度小于步骤S3a的加速工序中的加速度，因此，接着DIW涂布聚合物水溶液时，晶圆W整体被DIW所覆盖，因此，可以使亲水性层的形成状态在晶圆面内均匀。
亦即，根据本实施方式，事先形成晶圆W上被DIW均匀地覆盖的状态，对以低转速旋转的晶圆W，逐渐开始聚合物水溶液的涂布，因此，在晶圆面内更均匀地形成亲水性层，可以抑制冲洗时的除液。其结果，可以降低缺陷。
进而，鉴于DIW下的覆盖性，事先减小步骤S3b的减速工序中的减速度，不同于本实施方式，使步骤S3a的加速工序中的加速度为与该减速度等同以下。上述情况下，步骤S3的清洗工序中的处理效率(溶解性产物的排出效率和从显影液的膜向DIW的膜的置换效率)降低，上述清洗工序所需的时间会变长。本实施方式中，步骤S3a的加速工序中的加速度大于步骤S3b的减速工序中的减速度，因此，可以兼顾DIW下的覆盖状态的维持与步骤S3的清洗工序的时间的长期化防止。
另外，本实施方式中，步骤S5b的干燥工序包括如下第1干燥工序：在晶圆W的中央部，边供给气体使得在冲洗液的膜中形成凹部，边将晶圆转速加速，上述凹部被扩展。另外，步骤S5b的干燥工序包括如下第2干燥工序：边维持气体的供给，边随着凹部扩展而将晶圆转速减速。通过在晶圆W的中央部形成凹部，从而离心力小的晶圆W的中央部的冲洗液的量减少。另外，之后的、通过旋转排出冲洗液，使晶圆W干燥时，凹部成为干燥的起点，容易施加离心力，液体变得容易被排出，因此，可以降低发生液体残留的风险。
另外，线/空间图案的情况下，通过形成上述凹部，从而在之间夹持线图案的空间之间，可以防止产生冲洗液残留较大的差异。上述产生“较大的差异”的状态是指如下状态：例如如图7所示那样，与有线/空间图案的线图案P1的一侧面相邻的空间P2中残留有大量的冲洗液L，而与另一侧面相邻的空间P3中完全不残留冲洗液。如果产生上述“在之间夹持线图案的空间之间的、冲洗液的残留的较大差异”，则作用于该线图案的表面张力在该线图案的一侧面和另一侧面会产生较大差异而成为图案倒塌的原因。根据本实施方式，如上述那样可以防止产生上述冲洗液残留的较大差异，因此，可以防止产生上述表面张力的较大差异，可以防止图案倒塌的发生。
进而，本实施方式中，在凹部以某种程度向外侧扩展后，为了对凹部与其外侧界面附近的图案的离心力不变得过度，使转速减速，因此，不易产生图案倒塌。
需要说明的是，供给气体而形成凹部后，在停止了气体的供给的状态下，使晶圆W旋转，可以使凹部扩展。
需要说明的是，第1干燥工序和第2干燥工序中的气体的流量优选的是，不大到将被气体吹送的部分的含表面活性剂的冲洗液吹飞而露出抗蚀图案的程度。这是由于，越露出流量越高时，在上述凹部的界面附近，产生上述冲洗液的残留的较大差异，变得容易产生图案倒塌，另外，存在在气体本身的压力下产生图案倒塌的风险。
另外，本实施方式中，第1干燥工序中的晶圆W的最高转速HRS2为700rpm以上且1800rpm以下。
本发明人等改变第1干燥工序中的晶圆W的最高转速HRS2的条件，重复进行显影处理。进行的显影处理中，其他处理条件设为涉及本实施方式的以上说明的范围内的条件。根据本发明人等的研究结果，最高转速低于700rpm时，在晶圆整体产生较多的缺陷，如果超过1800rpm，则在晶圆中央部缺陷少，但在晶圆周缘部产生较多的缺陷。与此相对，最高转速为700rpm以上且1800rpm以下时，至少在通过气体供给而使冲洗液的膜上形成凹部的晶圆W的中央部中缺陷少。作为低于700rpm时，在晶圆整体产生较多的缺陷的理由，认为：晶圆转速低，因此，作用于晶圆W上的冲洗液的离心力小，该冲洗液较多地残留于晶圆上。另外，作为在超过1800rpm的情况下在晶圆周缘部产生较多的缺陷的理由，认为：在晶圆周缘部产生冲洗液的除液，该冲洗液残留于晶圆周缘部上。
进而，本实施方式中，第2干燥工序中，使晶圆转速从第1干燥工序中的上述最高转速减速至600rpm以上的预先设定好的速度(以下，最终达到晶圆转速)。
本发明人等为了研究第2干燥工序中的最终达到晶圆转速的范围，改变上述最终达到晶圆转速而重复进行显影处理。进行的显影处理中，将第1干燥工序中的最高转速设为1800rpm，其他处理条件设为涉及本实施方式的以上的说明的范围内的条件。根据本发明人等的研究结果，第2干燥工序中的最终达到晶圆转速低于600rpm时，在晶圆整体中产生较多的缺陷，如果为600rpm以上，则缺陷少。低于600rpm的情况下，作为在晶圆整体产生较多的缺陷的理由，认为其原因在于，第2干燥工序中，虽然形成于冲洗液的膜的凹部的边界扩展至外侧，但是如果晶圆转速低，则作用于冲洗液的离心力小，因此，该冲洗液较多地残留于晶圆W上。
需要说明的是，第2干燥工序中，使晶圆转速从第1干燥工序中的最高转速减速的理由是由于，不减速的情况下，在晶圆周缘部产生冲洗液的除液，该冲洗液残留于晶圆周缘部上，成为缺陷的原因。需要说明的是，第2干燥工序中的最终达到晶圆转速优选1500rpm以下。根据本发明人等的研究结果，这是由于，最终达到晶圆转速如果超过1500rpm，则在晶圆外周部产生较多的缺陷。
进而另外，本实施方式的显影处理方法具备如下工序：第1冲洗液供给工序，边向形成有亲水性层的晶圆W供给DIW，边使晶圆W旋转；和，第2冲洗液供给工序，在第1冲洗液供给工序之后，边向晶圆供给含表面活性剂的冲洗液，边使晶圆W旋转。而且，第1冲洗液供给工序中，以预先设定好的转速，使晶圆W旋转后，使晶圆W的转速减速至第1冲洗液工序结束，设为低于第1干燥工序中的最高转速的、第2冲洗液供给工序开始时的预先设定好的低转速。由此，可以维持以DIW的覆盖状态不变地，切换为低表面张力的含表面活性剂的冲洗液的供给。
上述第2冲洗液供给工序开始时的预先设定好的低转速例如为500rpm以上且1000rpm以下。
本发明人等为了研究第2冲洗液供给工序开始时的预先设定好的低转速的范围，改变上述低转速而重复进行显影处理。进行的显影处理中，其他处理条件设为涉及本实施方式的以上的说明范围内的条件。其中，在第2冲洗液供给工序中，晶圆转速设为恒定而不加速。根据本发明人等的研究结果，第2冲洗液供给工序中的转速如果为500～1000rpm，则缺陷少。低于500rpm的情况下，产生较多的缺陷，但认为其原因在于，晶圆转速低，因此，含表面活性剂的冲洗液不在晶圆面内整体扩展。另外，超过1000rpm的情况下，产生较多的缺陷，但认为其原因在于，晶圆转速高，因此，在晶圆周缘部产生冲洗液的除液，该冲洗液残留于晶圆周缘部上。
需要说明的是，第2冲洗液供给工序中的晶圆转速更优选始终为1000rpm以下。这是由于，根据本发明人等的评价，第2冲洗液在晶圆W上扩展时，晶圆转速如果过大，则由于除液而判断成为覆盖不良的情况，而如果为100rpm以下，则无成为该覆盖不良的情况，可以无问题地进行处理。
另外，本实施方式中，步骤S4的亲水性层形成工序包括如下工序：水溶液供给工序，边向用DIW清洗过的晶圆W供给聚合物水溶液，边使该晶圆W旋转；和，旋转维持工序，在水溶液供给工序之后，在不供给聚合物水溶液的状态下，使晶圆W旋转。
形成亲水性层时，如果使聚合物水溶液的供给为长时间，则水溶性聚合物的绝对量变多，存在该水溶性聚合物作为残渣而残留的风险。但是，停止水溶性聚合物的供给，停止至晶圆W的旋转时，产生退却，基于聚合物水溶液的覆盖的面内均匀性会受损。与此相对，本实施方式中，停止聚合物水溶液的供给后，也持续晶圆W的旋转，因此，可以降低上述残渣的风险，另外，防止退却的发生，可以在晶圆面内均匀地形成亲水性层。
进而，为了改善清洗性，将含表面活性剂的冲洗液调整为酸性的情况也较多，于此相符地，聚合物水溶液也有时被调整为酸性，但上述情况下，如果持续供给聚合物水溶液，则也有图案细化推进的担心。如本实施方式，通过停止聚合物水溶液的供给，也可以防止该图案细化。
另外，本实施方式中，步骤S3的清洗工序中的DIW的供给时间Tw1长于步骤S4a的水溶液供给工序中的聚合物水溶液的供给时间Tp。步骤S3的清洗工序中的DIW是为了排出显影液、溶解产物而使用的，结果还考虑了用聚合物水溶液进行上述排出。然而，上述情况下，聚合物水溶液的供给变得过多，有时产生与前述同样的残渣的风险、聚合物水溶液为酸性时的图案细化。与此相对，本实施方式中，事先延长DIW的供给时间Tw1，用DIW进行上述排出，因此，无需延长聚合物水溶液的供给时间Tp，上述残渣的风险等不提高。另外，通过延长DIW的供给时间，从而为了下一工序，可以以与其他液体的反应性低的DIW的液膜覆盖晶圆整体。
需要说明的是，本实施方式中，第1冲洗液供给工序中的DIW的供给时间Tw2长于第2冲洗液供给工序中的含表面活性剂的冲洗液的供给时间Tr。含表面活性剂的冲洗液的供给时间Tr如果长，则该冲洗液的供给变得过多，该冲洗液为酸性时有时产生图案细化。根据本实施方式，可以防止该图案细化。
另外，本实施方式中，从步骤S3的清洗工序中的DIW的供给停止至步骤S4的亲水性层形成工序中的聚合物水溶液的供给开始为止的时间(以下，有时称为“对水溶液的切换时间”)设为0.7秒以下。
而且，从第1冲洗液供给工序中的DIW的供给停止至第2冲洗液供给工序中的含表面活性剂的冲洗液的供给开始为止的时间(以下，“冲洗液切换时间”)也优选设为0.7秒以下。
本发明人等为了研究上述冲洗液切换时间的范围，改变上述冲洗液切换时间而重复进行显影处理。进行的显影处理中，其他处理条件设为涉及本实施方式的以上的说明范围内的条件。根据本发明人等的研究结果，上述冲洗液切换时间如果为0.7秒以下，则缺陷少。超过0.7秒的情况下，在晶圆周缘部中产生较多的缺陷，但认为其原因在于，上述冲洗液切换时间长，因此，晶圆周缘部的DIW干燥，含表面活性剂的冲洗液不扩展至晶圆周缘部。
该冲洗液切换时间的研究结果也可以应用于上述对水溶液的切换时间。这是由于，无论是冲洗液的切换的情况还是水溶液的切换的情况，切换之前使用的液体对DIW来说都是共通的，并且切换后的晶圆W的转速都相同。
另外，本实施方式中，步骤S3的清洗工序的步骤S3a的加速工序中的、晶圆W的最高转速为700rpm以上且1800rpm以下。
本发明人等为了研究步骤S3a的加速工序中的晶圆W的最高转速的范围，改变上述最高转速而重复进行显影处理。进行的显影处理中，其他处理条件设为涉及本实施方式的以上的说明范围内的条件。根据本发明人等的研究结果，加速工序中的最高转速如果为700rpm以上且1800rpm以下，则缺陷少。低于700rpm的情况下，产生了较多的缺陷，但认为其原因在于，晶圆转速低，因此，作用于DIW等的离心力小，溶解产物无法被排出。另外，超过1800rpm的情况下，产生较多的缺陷，但认为其原因在于，晶圆转速高，因此，在晶圆周缘部，产生未以DIW覆盖的部分，无法面内均匀地形成亲水性层。
(第2实施方式)
图8为示出第2实施方式的显影处理装置1a的构成的概要的横剖视图。
图8的显影处理装置1a省略了图2等第1实施方式的显影处理装置1的混合液供给喷嘴38。第1实施方式的显影处理装置1中，作为冲洗液，使用DIW和含表面活性剂的冲洗液这2种，但显影处理装置1a中，作为冲洗液，仅使用DIW这1种。
接着，对显影处理装置1a中的显影处理的一例，利用图9进行说明。图9为示出清洗工序以及其之后的显影处理中的各时刻点的晶圆转速的图。
需要说明的是，以下中，仅对显影处理装置1a的显影处理中、不同于图2等显影处理装置1中的显影处理的部分进行说明，具体而言，仅对冲洗工序进行说明。
显影处理装置1a的显影处理中，依次进行前述步骤S1的显影液积液形成工序、步骤S2的静止显影工序、步骤S3的清洗工序和步骤S4的亲水性层形成工序后，进行以下的冲洗工序(步骤S10)。
(步骤S10：冲洗工序)
步骤S10的冲洗工序中，步骤S4的亲水性层形成工序后，对旋转中的晶圆W供给冲洗液，对晶圆W进行清洗。该冲洗工序如图9所示那样，包括冲洗液供给工序(步骤S10a)和干燥工序(步骤S10b)。而且，干燥工序包括第1干燥工序(步骤S10b1)和第2干燥工序(步骤S10b2)。
(步骤S10a：冲洗液供给工序)
步骤S10a的冲洗液供给工序为边对形成有亲水性层的晶圆W供给冲洗液边使该晶圆W旋转的工序。具体而言，对于旋转中的晶圆W，从DIW供给喷嘴36供给作为冲洗液的DIW。该工序中，将晶圆转速维持为例如与步骤S4b的旋转维持工序相同的转速(例如1000～2000rpm)。从冲洗液供给开始经过预先设定好的时间后，停止来自DIW供给喷嘴36的冲洗液的供给，代替该喷嘴36，气体供给喷嘴39向晶圆W的中央部上方移动。
(步骤S10b：干燥工序)
步骤S10b的干燥工序为在步骤S10a的冲洗液供给工序后、在不供给冲洗液的状态下使晶圆旋转的工序。通过该工序，将晶圆W上的冲洗液干燥。
(步骤S10b1：第1干燥工序)
然后，作为干燥工序的最初工序的步骤S10b1的第1干燥工序中，与前述步骤S5b1的第1干燥工序同样地，在晶圆W的中央部，边供给气体使得在DIW的膜中形成凹部，边使晶圆转速加速，上述凹部被扩展(步骤S10b1)。该工序中，对于晶圆转速，例如从冲洗液供给工序中的晶圆转速(例如1000～2000rpm)被加速，设为该工序中的最高转速HRS2(例如1500rpm以上)，之后，在该最高转速HRS2下维持预先设定好的时间。需要说明的是，该工序中，晶圆转速可以以恒定的加速度加速至上述最高转速HRS2，也可以阶段性地进行加速。
需要说明的是，在第1干燥工序结束时，停止气体供给，气体供给喷嘴39退避至杯22外。另外，该工序中的气体供给喷嘴39的位置固定在晶圆W的中央部上方。
(步骤S10b2：第2干燥工序)
在第1干燥工序后，与前述步骤S5b2的第2干燥工序同样地，随着形成于晶圆W上的DIW的膜的上述凹部扩展，晶圆转速减速至预先设定好的转速RS(步骤S10b2)。该工序中，晶圆转速例如优选被减速至800以上且1800rpm以下，更优选被减速至800rpm以上且1500rpm以下。减速后、晶圆转速在该转速RS下维持预先设定好的时间，之后，停止晶圆W的旋转。
需要说明的是，第2干燥工序中的晶圆转速的减速以恒定的减速度进行，也可以阶段性地进行。
本实施方式中，不进行含表面活性剂的冲洗液的供给，但与第1实施方式同样地，在晶圆W上形成对水的接触角大的抗蚀膜的情况下，也可以在晶圆W上形成亲水性层，晶圆W的对水的接触角变低。因此，本实施方式中，也变得不易产生使晶圆旋转并干燥时的冲洗液的除液，不易产生缺陷。
另外，本实施方式中，也进行了步骤S3b的减速工序，使该工序中的减速度小于步骤S3a的加速工序中的加速度，因此，在晶圆面内更均匀地形成亲水性层，可以抑制冲洗时的除液。其结果，可以降低缺陷。
另外，本实施方式中，进行了与步骤S5b的干燥工序同样的步骤S10的干燥工序。因此，可以降低量多的冲洗液残留部产生的风险，进而，抗蚀图案为线/空间图案的情况下，可以防止图案倒塌的发生。进而另外，本实施方式中，凹部以某种程度向外侧扩展后，使转速减速，使得对凹部与其外侧的界面附近的图案的力不变得过度，因此，不易产生图案倒塌。
以上的说明中，抗蚀图案为线/空间图案。但是，以上的实施方式也可以应用于孔图案等其他抗蚀图案。
另外，以上中，作为显影的方式，采用的是如下静止显影方式：在形成显影液的积液后停止显影液的供给和晶圆W的旋转。本公开的技术也可以应用于边使晶圆W旋转边持续供给显影液的旋转显影方式(也被称为无积液显影)。
需要说明的是，以上的说明中，使用DIW作为水系清洗液、第1冲洗液即水系冲洗液。然而，作为水系清洗液、水系冲洗液，可以使用纯水，另外，也可以使用在纯水添加了一些其他物质者，只要为以水为主成分的物质(例如水的含有率为50质量％以上)即可。
此次公开的实施方式在全部方面为示例，应认为没有限制。上述实施方式可以在不脱离所附的权利要求书和其主旨的情况下，以各种形态省略、置换、变更。
需要说明的是，以下的构成也属于本公开的保护范围。
(1)一种显影处理方法，其为对基板上的抗蚀膜进行显影处理的显影处理方法，其包括如下工序：
工序(A)，向前述基板供给显影液以使前述抗蚀膜进行显影，形成抗蚀图案；
工序(B)，向显影后的前述基板供给水系清洗液，用该水系清洗液对该基板进行清洗；
工序(C)，在用前述水系清洗液清洗了的前述基板上涂布水溶性聚合物的水溶液，在前述基板的表面形成具有亲水性的亲水性层；和，
工序(D)，对形成有前述亲水性层的基板用冲洗液进行清洗，
前述(B)工序包括如下工序：
工序(a)，使前述基板的转速加速；和，
工序(b)，在前述(a)工序后，直至前述(C)工序开始为止的期间，使前述基板的转速减速，
前述(b)工序中的减速度小于前述(a)工序中的加速度。
根据前述(1)，在基板上形成对水的接触角大的抗蚀膜的情况下，使基板旋转而将冲洗液排出并干燥时，也变得不易产生冲洗液的除液，亦即，冲洗液变得不易残留于基板上。因此，不易产生源自残留于基板上的冲洗液的缺陷。
另外，可以在基板面内更均匀地形成亲水性层，可以抑制冲洗时的除液。其结果，可以降低缺陷。
(2)根据前述(1)所述的显影处理方法，其中，
前述(D)工序包括如下工序：
工序(c)，边向形成有前述亲水性层的基板供给前述冲洗液，边使该基板旋转；和，
工序(d)，在前述(c)工序后，在不供给前述冲洗液的状态下使前述基板旋转并干燥，
前述(d)工序包括如下工序：
工序(m)，边在基板上中央供给气体使得在前述冲洗液的膜中形成凹部，边使前述基板的转速加速，扩大前述凹部；和，
工序(n)，在前述(m)工序后，随着前述凹部扩大而使前述基板的转速减速。
根据前述(2)，可以降低量多的冲洗液残留部产生的风险，进而，抗蚀图案为线/空间图案的情况下，可以防止图案倒塌的发生。进而另外，根据前述(2)，凹部以某种程度向外侧扩展后，使转速减速，使得对凹部与其外侧的界面附近的图案的力不变得过度，因此，不易产生图案倒塌。
(3)根据前述(2)所述的显影处理方法，其中，
前述(m)工序中的前述基板的最高转速为700rpm以上且1800rpm以下，
前述(n)工序如下：使前述基板的转速从前述(m)工序的前述基板的最高转速减速至600rpm以上的预先设定好的转速。
(4)根据前述(2)或(3)所述的显影处理方法，其中，
前述(D)工序的前述(c)工序包括如下工序：
工序(x)，边向形成有前述亲水性层的基板供给水系冲洗液，边使该基板旋转；和，
工序(y)，在前述(x)工序后，边向前述基板供给含表面活性剂的冲洗液，边使该基板旋转，
前述(x)工序中，以预先设定好的转速使前述基板旋转，然后，使前述基板的转速减速直至该(x)工序结束，并且前述(y)工序的开始时的转速设为低于前述(m)工序中的最高转速。
根据前述(4)，维持水系冲洗液下的覆盖状态不变地，可以向低表面张力的含表面活性剂的冲洗液的供给切换。
(5)根据前述(1)～(4)中的任一者所述的显影处理方法，其中，
前述(C)工序包括如下工序：
工序(e)，边向用前述水系清洗液清洗了的前述基板供给前述水溶性聚合物的水溶液，边使该基板旋转；和，
工序(f)，在前述(e)工序后，在不供给前述水溶性聚合物的水溶液的状态下使前述基板旋转。
根据前述(5)，可以降低水溶性聚合物作为残渣而残留的风险，另外，防止退却的发生，可以在基板面内均匀地形成亲水性层。进而，可以防止将水溶性聚合物的水溶液调整为酸性时的图案细化。
(6)根据前述(1)～(5)中的任一者所述的显影处理方法，其中，前述(B)工序中的前述水系清洗液的供给时间长于前述(C)工序中的前述水溶性聚合物的水溶液的供给时间。
根据前述(6)，水溶性聚合物作为残渣而残留的风险、产生水溶性聚合物的水溶液为酸性时的图案细化的风险不提高。另外，通过延长水系清洗液的供给时间，从而为了接下来的工序，可以以与其他液体的反应性低的水系清洗液的液膜覆盖基板整体。
(7)根据前述(1)～(6)中的任一者所述的显影处理方法，其中，从前述(B)工序中的前述水系清洗液的供给停止至前述(C)工序中的前述水溶性聚合物的水溶液的供给开始为止的时间为0.7秒以下。
(8)根据前述(1)～(7)中的任一者所述的显影处理方法，其中，前述(B)工序的前述(a)工序中的、前述基板的最高转速为700rpm以上且1800rpm以下。
(9)一种显影处理装置，其为对基板上的抗蚀膜进行显影处理的显影处理装置，其具备：
基板保持部，其用于保持前述基板；
旋转机构，其用于使前述基板保持部旋转；
显影液供给喷嘴，其用于向保持于前述基板保持部的前述基板供给显影液；
水系清洗液供给喷嘴，其用于向保持于前述基板保持部的前述基板供给水系清洗液；
水溶液供给喷嘴，其用于向保持于前述基板保持部的前述基板供给水溶性聚合物的水溶液；
冲洗液供给喷嘴，其用于向保持于前述基板保持部的前述基板供给冲洗液；
移动机构，其用于使前述显影液供给喷嘴、前述水系清洗液供给喷嘴、前述水溶液供给喷嘴和前述冲洗液供给喷嘴移动；和，
控制部，其以进行前述旋转机构、来自前述显影液供给喷嘴的供给、来自前述水系清洗液供给喷嘴的供给、来自前述水溶液供给喷嘴的供给、来自前述冲洗液供给喷嘴的供给和前述移动机构的控制的方式构成，
前述控制部以进行如下控制的方式构成：
执行
工序(A)，向前述基板供给显影液以使前述抗蚀膜进行显影，形成抗蚀图案；
工序(B)，向显影后的前述基板供给水系清洗液，用该水系清洗液对该基板进行清洗；
工序(C)，在用前述水系清洗液清洗了的前述基板上涂布水溶性聚合物的水溶液，在前述基板的表面形成具有亲水性的亲水性层；和，
工序(D)，对形成有前述亲水性层的基板用冲洗液进行清洗，
前述(B)工序中，执行
工序(a)，使前述基板的转速加速；和，
工序(b)，在前述(a)工序后，直至前述(C)工序开始为止的期间，使前述基板的转速减速，
使前述(b)工序中的减速度小于前述(a)工序中的加速度。
(10)根据前述(9)所述的显影处理装置，其中，
具有向保持于前述基板保持部的前述基板供给气体的气体供给喷嘴，
前述移动机构使前述气体供给喷嘴移动，
前述控制部以控制来自前述气体供给喷嘴的供给的方式构成，且
以进行如下控制的方式构成：
前述(D)工序中，执行
工序(c)，边向形成有前述亲水性层的基板供给前述冲洗液，边使该基板旋转；和，
工序(d)，在前述(c)工序后，在不供给前述冲洗液的状态下使前述基板旋转并干燥，
前述(d)工序中，执行
工序(m)，边在基板上中央供给气体使得在前述冲洗液的膜中形成凹部，边使前述基板的转速加速，扩大前述凹部；和，
工序(n)，在前述(m)工序后，随着前述凹部扩大而使前述基板的转速减速。
(11)根据前述(10)所述的显影处理装置，其中，
前述控制部以进行如下控制的方式构成：
前述(D)工序的前述(c)工序中，执行
工序(x)，边向形成有前述亲水性层的基板供给水系冲洗液，边使该基板旋转；和，
工序(y)，在前述(x)工序后，边向前述基板供给含表面活性剂的冲洗液，边使该基板旋转，
前述(x)工序中，以预先设定好的转速使前述基板旋转，然后，使前述基板的转速减速直至该(x)工序结束，并且前述(y)工序的开始时的转速设为低于前述(m)工序中的最高转速。

Claims (12)

1.一种显影处理方法，其为对基板上的抗蚀膜进行显影处理的显影处理方法，其包括如下工序：
工序(A)，向所述基板供给显影液以使所述抗蚀膜进行显影，形成抗蚀图案；
工序(B)，向显影后的所述基板供给水系清洗液，用该水系清洗液对该基板进行清洗；
工序(C)，在用所述水系清洗液清洗了的所述基板上涂布水溶性聚合物的水溶液，在所述基板的表面形成具有亲水性的亲水性层；和，
工序(D)，对形成有所述亲水性层的基板用冲洗液进行清洗，
所述工序(B)包括如下工序：
工序(a)，使所述基板的转速加速；和，
工序(b)，在所述工序(a)后，直至所述工序(C)开始为止的期间，使所述基板的转速减速，
所述工序(b)中的减速度小于所述工序(a)中的加速度。
2.根据权利要求1所述的显影处理方法，其中，
所述工序(D)包括如下工序：
工序(c)，边向形成有所述亲水性层的基板供给所述冲洗液，边使该基板旋转；和，
工序(d)，在所述工序(c)后，在不供给所述冲洗液的状态下使所述基板旋转并干燥，
所述工序(d)包括如下工序：
工序(m)，边在基板上中央供给气体使得在所述冲洗液的膜中形成凹部，边使所述基板的转速加速，扩大所述凹部；和，
工序(n)，在所述工序(m)后，随着所述凹部扩大而使所述基板的转速减速。
3.根据权利要求2所述的显影处理方法，其中，
所述工序(m)中的所述基板的最高转速为700rpm以上且1800rpm以下，
所述工序(n)如下：使所述基板的转速从所述工序(m)的所述基板的最高转速减速至600rpm以上的预先设定好的转速。
4.根据权利要求2所述的显影处理方法，其中，
所述工序(D)的所述工序(c)包括如下工序：
工序(x)，边向形成有所述亲水性层的基板供给水系冲洗液，边使该基板旋转；和，
工序(y)，在所述工序(x)后，边向所述基板供给含表面活性剂的冲洗液，边使该基板旋转，
所述工序(x)中，以预先设定好的转速使所述基板旋转，然后，使所述基板的转速减速直至该工序(x)结束，并且所述工序(y)的开始时的转速设为低于所述工序(m)中的最高转速。
5.根据权利要求3所述的显影处理方法，其中，
所述工序(D)的所述工序(c)包括如下工序：
工序(x)，边向形成有所述亲水性层的基板供给水系冲洗液，边使该基板旋转；和，
工序(y)，在所述工序(x)后，边向所述基板供给含表面活性剂的冲洗液，边使该基板旋转，
所述工序(x)中，以预先设定好的转速使所述基板旋转，然后，使所述基板的转速减速直至该工序(x)结束，并且所述工序(y)的开始时的转速设为低于所述工序(m)中的最高转速。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的显影处理方法，其中，
所述工序(C)包括如下工序：
工序(e)，边向用所述水系清洗液清洗了的所述基板供给所述水溶性聚合物的水溶液，边使该基板旋转；和，
工序(f)，在所述工序(e)后，在不供给所述水溶性聚合物的水溶液的状态下使所述基板旋转。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的显影处理方法，其中，
所述工序(B)中的所述水系清洗液的供给时间长于所述工序(C)中的所述水溶性聚合物的水溶液的供给时间。
8.根据权利要求1～5中任一项所述的显影处理方法，其中，
从所述工序(B)中的所述水系清洗液的供给停止至所述工序(C)中的所述水溶性聚合物的水溶液的供给开始为止的时间为0.7秒以下。
9.根据权利要求1～5中任一项所述的显影处理方法，其中，
所述工序(B)的所述工序(a)中的、所述基板的最高转速为700rpm以上且1800rpm以下。
10.一种显影处理装置，其为对基板上的抗蚀膜进行显影处理的显影处理装置，其具备：
基板保持部，其用于保持所述基板；
旋转机构，其用于使所述基板保持部旋转；
显影液供给喷嘴，其用于向保持于所述基板保持部的所述基板供给显影液；
水系清洗液供给喷嘴，其用于向保持于所述基板保持部的所述基板供给水系清洗液；
水溶液供给喷嘴，其用于向保持于所述基板保持部的所述基板供给水溶性聚合物的水溶液；
冲洗液供给喷嘴，其用于向保持于所述基板保持部的所述基板供给冲洗液；
移动机构，其用于使所述显影液供给喷嘴、所述水系清洗液供给喷嘴、所述水溶液供给喷嘴和所述冲洗液供给喷嘴移动；和，
控制部，其以进行所述旋转机构、来自所述显影液供给喷嘴的供给、来自所述水系清洗液供给喷嘴的供给、来自所述水溶液供给喷嘴的供给、来自所述冲洗液供给喷嘴的供给和所述移动机构的控制的方式构成，
所述控制部以进行如下控制的方式构成：
执行
工序(A)，向所述基板供给显影液以使所述抗蚀膜进行显影，形成抗蚀图案；
工序(B)，向显影后的所述基板供给水系清洗液，用该水系清洗液对该基板进行清洗；
工序(C)，在用所述水系清洗液清洗了的所述基板上涂布水溶性聚合物的水溶液，在所述基板的表面形成具有亲水性的亲水性层；和，
工序(D)，对形成有所述亲水性层的基板用冲洗液进行清洗，
所述(B)工序中，执行
工序(a)，使所述基板的转速加速；和，
工序(b)，在所述工序(a)后，直至所述工序(C)开始为止的期间，使所述基板的转速减速，
使所述工序(b)中的减速度小于所述工序(a)中的加速度。
11.根据权利要求10所述的显影处理装置，其中，
具有向保持于所述基板保持部的所述基板供给气体的气体供给喷嘴，
所述移动机构使所述气体供给喷嘴移动，
所述控制部以控制来自所述气体供给喷嘴的供给的方式构成，且
以进行如下控制的方式构成：
所述工序(D)中，执行
工序(c)，边向形成有所述亲水性层的基板供给所述冲洗液，边使该基板旋转；和，
工序(d)，在所述工序(c)后，在不供给所述冲洗液的状态下使所述基板旋转并干燥，
所述工序(d)中，执行
工序(m)，边在基板上中央供给气体使得在所述冲洗液的膜中形成凹部，边使所述基板的转速加速，扩大所述凹部；和，
工序(n)，在所述工序(m)后，随着所述凹部扩大而使所述基板的转速减速。
12.根据权利要求11所述的显影处理装置，其中，
所述控制部以进行如下控制的方式构成：
所述工序(D)的所述工序(c)中，执行
工序(x)，边向形成有所述亲水性层的基板供给水系冲洗液，边使该基板旋转；和，
工序(y)，在所述工序(x)后，边向所述基板供给含表面活性剂的冲洗液，边使该基板旋转，
所述工序(x)中，以预先设定好的转速使所述基板旋转，然后，使所述基板的转速减速直至该工序(x)结束，并且所述工序(y)的开始时的转速设为低于所述工序(m)中的最高转速。
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