JP2022139827A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】膜厚が均一な処理膜を基板に形成する。【解決手段】基板の表面に対して処理膜を形成する基板処理装置であって、処理膜を形成するための乾燥前の処理液が塗布された基板を保持する基板保持部としてのスピンチャック２１と、基板保持部に保持された基板の表面の周縁部に対して、常温よりも温度が高い第１温度の第１気体Ｆ１を供給する気体供給部４０と、を有する。【選択図】図３

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

特許文献１では、基板の表面周縁部に形成される塗布膜の凸部に塗布液の溶剤を供給することで、凸部を除去することが記載されている。

特開２０２０－１８１８５５号公報

本開示は、膜厚が均一な処理膜を基板に形成する技術を提供する。

本開示の一態様による基板処理装置は、基板の表面に対して処理膜を形成する基板処理装置であって、前記処理膜を形成するための乾燥前の処理液が塗布された基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板の表面の周縁部に対して、常温よりも温度が高い第１温度の第１気体を供給する第１ノズル部を含む気体供給部と、を有する。

本開示によれば、膜厚が均一な処理膜を基板に形成する技術が提供される。

図１は、基板処理システムの一例を示す斜視図である。 図２は、基板処理システムの内部の一例を概略的に示す側面図である。 図３は、塗布ユニットの一例を示す模式図である。 図４は、塗布ユニットにおける気体供給ノズルの一例を示す模式図である。 図５（ａ）、図５（ｂ）は、気体供給ノズルの開口の一例を示す模式図である。 図６は、制御装置による気体供給部の制御の一例を示す模式図である。 図７は、制御装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 図８は、基板処理方法の一例を示すフロー図である。 図９（ａ）は、ハンプの形成状態の一例を示す図であり、図９（ｂ）は、塗布ユニットによる処理の結果の一例を示す図である。 図１０（ａ）、図１０（ｂ）は、塗布ユニットの変形例の一例を示す図である。 図１１は、塗布ユニットの変形例の一例を示す図である。 図１２は、塗布ユニットの変形例の一例を示す図である。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

一つの例示的実施形態において、基板処理装置は、基板の表面に対して処理膜を形成する基板処理装置であって、前記処理膜を形成するための乾燥前の処理液が塗布された基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板の表面の周縁部に対して、常温よりも温度が高い第１温度の第１気体を供給する第１ノズル部を含む気体供給部と、を有する。

上記の基板処理装置によれば、基板保持部に保持された基板の表面の周縁部に対して、常温よりも温度が高い第１温度の第１気体が供給される。第１気体が供給されることによって、基板の周縁部の処理液と第１気体とが接触した状態で、処理液が乾燥するため、周縁部でのハンプの形成が抑制される。そのため、膜厚が均一な処理膜を基板に形成することが可能となる。

前記気体供給部は、前記基板の周縁部の各位置に対して、前記第１気体を間欠的に供給する態様としてもよい。

第１気体を間欠的に供給する構成とすることで、周縁部でのハンプの形成がさらに抑制され、膜厚がより均一な処理膜を基板に形成することが可能となる。

前記第１ノズル部は、前記基板の周縁部の上方から前記基板の周縁部に対して前記第１気体を供給する、態様としてもよい。

第１ノズル部によって、周縁部の上方から周縁部に対して第１気体を供給することで、周縁部でのハンプの形成がさらに抑制され、膜厚がより均一な処理膜を基板に形成することが可能となる。

前記気体供給部は、前記基板の周縁部の各位置に対して、前記第１気体と、前記第１温度よりも低い第２温度の第２気体とを交互に供給する態様としてもよい。

第１気体と第１温度よりも低い第２温度の第２気体とを交互に周縁部の各位置に対して供給することで、周縁部における処理液の乾燥速度が調整され、周縁部でのハンプの形成が抑制されるため、膜厚がより均一な処理膜を基板に形成することが可能となる。

前記気体供給部は、前記基板の表面の互いに異なる位置に対して前記第１気体と前記第２気体とを同時に供給可能である態様としてもよい。

気体供給部は、基板の表面の互いに異なる位置に対して第１気体と第２気体とを同時に供給可能であることで、基板の各位置に対する第１気体と第２気体との供給を速やかに行うことができる。

前記気体供給部は、前記基板の周縁部の上方に設けられた前記第２気体を供給する第２ノズル部をさらに有する態様としてもよい。

第２ノズル部を別途有していることにより第１気体および第２気体の供給を独立して行うことができる。

前記第１ノズル部および前記第２ノズル部をそれぞれ複数有し、前記基板の周縁部の上方において、前記周縁部に沿って前記第１ノズル部と前記第２ノズル部とが交互に配置される態様としてもよい。

基板の周縁部の上方において、周縁部に沿って第１ノズル部と第２ノズル部とが交互に配置されている場合、簡単に第１気体および第２気体を交互に供給する構成を実現することができる。例えば、周縁部の延在方向に沿って基板を相対的に移動させることで、周縁部の各位置に対して第１気体および第２気体を交互に供給する構成を実現することができる。

前記第１ノズル部に対して前記第１気体を供給する第１配管と、前記第１配管を流れる気体の温度を前記第１温度に調整する第１温度調整部と、前記第２ノズル部に対して前記第２気体を供給する第２配管と、前記第２配管を流れる気体を前記第２温度に調整する第２温度調整部と、を有する態様としてもよい。

上記の構成とすることで、第１気体および第２気体の温度調整を独立して行うことができる。

前記第１ノズル部は、前記基板の表面に対して前記第１気体と前記第２気体とを交互に供給する態様としてもよい。

上記の構成とすることで、１つのノズル部から、第１気体と第２気体とを交互に供給することができ、１つのノズルによって、基板の各位置に対する第１気体と第２気体との供給を行うことができる。

前記第１ノズル部に対して前記気体を供給する配管と、前記第１ノズル部から前記基板に対して供給される気体の温度を調整する温度調整部と、を有し、前記温度調整部は、前記配管を流れる気体の温度を前記第１温度と前記第２温度との間で切り替えることで、前記基板に対して供給される気体の温度を調整する態様としてもよい。

上記の構成とすることで、第１気体および第２気体を１つの温度調整部による温度調整によって準備し、供給することができる。

前記温度調整部は、前記配管の流れる気体を加温するヒータの電源のオン状態とオフ状態とを切り替えることで、前記配管を流れる気体の温度を前記第１温度と前記第２温度との間で切り替える態様としてもよい。

また、前記温度調整部は、前記配管の流れる気体を加温するヒータの設定を変更することで、前記配管を流れる気体の温度を前記第１温度と前記第２温度とに切り替える態様としてもよい。

前記第１ノズル部に対して前記第１気体を供給する第１配管と、前記第１ノズル部に対して前記第２気体を供給する第２配管と、前記第１ノズル部から前記基板に対して供給される気体の温度を調整する温度調整部と、を有し、前記温度調整部は、前記第１ノズル部に対して気体を供給する配管を前記第１配管と前記第２配管との間で切り替えることで、前記基板に対して供給される気体の温度を調整する態様としてもよい。

上記の構成とすることで、第１ノズル部に対して気体を供給する配管を切り替えるだけで、第１気体と第２気体との切替えを速やかに行うことができる。

前記基板保持部は、前記基板を吸着し水平に回転する回転機構である態様としてもよい。

また、前記基板保持部の周囲に、前記基板保持部において指示された前記基板の周囲を取り囲むように配置されたカップをさらに有し、前記気体供給部は、前記カップに取り付けられた供給口から、前記基板の表面の周縁部に対して前記第１気体を供給する態様としてもよい。

さらに、前記基板保持部は、前記基板を水平方向に搬送する搬送機構である態様としてもよい。

一つの例示的実施形態において、基板処理方法は、基板の表面に対して処理膜を形成する基板処理方法であって、前記処理膜を形成するための乾燥前の処理液が塗布された基板の表面の周縁部に対して、常温よりも温度が高い第１温度の第１気体を供給することを含む。

上記の基板処理方法によれば、基板の表面の周縁部に対して、常温よりも温度が高い第１温度の第１気体が供給される。第１気体が供給されることによって、基板の周縁部の処理液と第１気体とが接触した状態で、処理液が乾燥するため、周縁部でのハンプの形成が抑制される。そのため、膜厚が均一な処理膜を基板に形成することが可能となる。

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

［基板処理システム］

図１に示される基板処理システム１は、ワークＷに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、および当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜および回路等が形成された状態の基板である。ワークＷに含まれる基板は、一例として、シリコンを含むウェハである。ワークＷ（基板）は、円形に形成されていてもよい。処理対象のワークＷは、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよく、これらの基板等に所定の処理が施されて得られる中間体であってもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。

基板処理システム１は、塗布・現像装置２と、露光装置３と、制御装置１００（制御ユニット）を備える。露光装置３は、ワークＷ（基板）に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理前に、ワークＷの表面にレジスト（処理液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

（基板処理装置）
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１および図２に示されるように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６とを備える。

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのワークＷの導入および塗布・現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。

処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成することを含む液処理を行う。塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液（レジスト）を下層膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、被膜の形成に伴う各種熱処理を行う。なお、塗布ユニットＵ１は、ワークＷの周縁にレジスト液による保護膜（処理膜）を形成する機能を有する。

処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１４は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２により、露光処理が施されたレジスト膜の現像処理および現像処理に伴う熱処理を行う。塗布ユニットＵ１は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

［塗布ユニット］
処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１について詳細に説明する。図３に示すように、処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、スピンチャック２１（基板保持部）と、回転駆動部２２と、支持ピン２３と、ガイドリング２５と、カップ２６と、排気管２８と、排液口２９と、を含む。また、塗布ユニットＵ１は、処理液供給部３１を含む。処理液供給部３１は、ワークＷの表面に対してレジスト膜形成用の処理液を供給する機能を有する。さらに、塗布ユニットＵ１は、気体供給部４０をさらに有する。

スピンチャック２１は、ワークＷを水平に保持する。スピンチャック２１は、上下方向（鉛直方向）に延びるシャフトを介して回転駆動部２２に接続される。回転駆動部２２は、制御装置１００から出力される制御信号に基づいて、所定の回転速度でスピンチャック２１を回転させる。

支持ピン２３は、ワークＷの裏面を支持可能なピンであり、一例としてスピンチャック２１のシャフトの周囲に３つ設けられる。支持ピン２３は昇降機構（図示せず）によって昇降可能である。支持ピン２３によってワークＷの搬送機構（図示せず）とスピンチャック２１との間でワークＷが受け渡される。

ガイドリング２５は、スピンチャック２１によって保持されたワークＷの下方に設けられて、ワークＷの表面に対して供給される処理液を排液口へ向けてガイドする機能を有する。また、ガイドリング２５の外周の周囲を囲むように、処理液の飛散を抑制するためのカップ２６が設けられる。スピンチャック２１へのワークＷの受け渡しが可能なように、カップ２６の上方は開口している。また、カップ２６の上端２６ａは、ワークＷよりも上方に位置する。カップの２６の側周面とガイドリング２５の外周縁との間には液体の排出路となる空間２７が形成される。また、カップ２６の下方には、排気口２８ａを有する排気管２８と、空間２７を移動する液体を排出する排液口２９とが設けられる。

処理液供給部３１は、スピンチャック２１で支持されるワークＷの上方からワークＷの表面に向けて処理液を吐出する。

処理液供給部３１は、ノズル３１ａと、処理液供給源３１ｂと、配管３１ｃとを含んで構成される。処理液供給部３１の配管３１ｃ上には、制御装置１００によって制御される開閉バルブが設けられていてもよい。制御装置１００からの制御信号に基づいて開閉バルブの開状態と閉状態とを切り替えることで、処理液の供給／停止を切り替える構成としてもよい。処理液供給部３１から供給される処理液としては、例えば、ワークＷの周縁において保護膜を形成する際に使用される処理液（例えば、レジスト液）が挙げられる。

処理液供給部３１のノズル３１ａは、例えば、水平方向に伸びるアーム等に取り付けられ、水平方向に移動可能とされている。また、ノズル３１ａは、上下方向にも移動可能とされている。すなわち、図３には示されていないが、塗布ユニットＵ１には、ノズル３１ａを水平方向および上下方向に移動させるための移動機構が設けられている。そして、移動機構の動作によって、ノズル３１ａは、カップ２６外の待機位置とワークＷ上との間を移動することができる。

気体供給部４０は、ワークＷの周縁へ向けて気体を供給する機能を有する。気体供給部４０による気体の供給は、ワークＷ表面に供給された処理液（レジスト液）の表面形状の制御を目的として行われる。気体供給部４０は、温度が互いに異なる２種類の気体として、第１気体Ｆ１と第２気体Ｆ２とを供給する。そのため、気体供給部４０は、第１気体供給部４１と、第２気体供給部４２とを含んで構成される。なお、第１気体Ｆ１の温度を第１温度とし、第２気体Ｆ２の温度を第２温度とする。塗布ユニットＵ１では、ワークＷ表面の周縁の各位置に対して第１気体Ｆ１と第２気体Ｆ２とを交互に供給することで、ワークＷの周縁での処理液の乾燥状態を調整する。

第１気体供給部４１は、ノズル４１ａ（第１ノズル部）と、配管４１ｂ（第１配管）と、温度調整部４１ｃ（第１温度調整部）と、開閉弁４１ｄと、気体供給源４５とを含んで構成される。なお、気体供給源４５は、第２気体供給部４２の気体供給源４５としても機能する。温度調整部４１ｃおよび開閉弁４１ｄは、配管４１ｂ上に設けられる。温度調整部４１ｃは、配管４１ｂを流れる気体を導入し、温度調整を行った後の気体を下流の配管４１ｂへ供給する。また、開閉弁４１ｄは、開状態と閉状態とを切り替えることで、気体の供給／停止を切り替える機能を有する。

第２気体供給部４２についても、第１気体供給部４１と同様に、ノズル４２ａ（第２ノズル部）と、配管４２ｂ（第２配管）と、温度調整部４２ｃ（第２温度調整部）と、開閉弁４２ｄと、気体供給源４５とを含んで構成される。温度調整部４２ｃおよび開閉弁４２ｄは、配管４２ｂ上に設けられる。温度調整部４２ｃは、配管４２ｂを流れる気体を導入し、温度調整を行った後の気体を下流の配管４２ｂへ供給する。また、開閉弁４２ｄは、開状態と閉状態とを切り替えることで、気体の供給／停止を切り替える機能を有する。

第１気体Ｆ１および第２気体Ｆ２として同種の気体を供給する場合には、気体供給源４５を共用することができる。第１気体Ｆ１および第２気体Ｆ２としては、窒素（Ｎ_２）、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスを用いることができる。なお、第１気体Ｆ１および第２気体Ｆ２は互いに異なる気体であってもよい。その場合、第１気体供給部４１の気体供給源と第２気体供給部４２の気体供給源とが個別に準備される。

第１気体Ｆ１と第２気体Ｆ２とは、ワークＷに対して供給する際の温度が互いに異なる。一例として、第１気体Ｆ１の温度を５０℃～２００℃（温風）とし、第２気体Ｆ２の温度を１５℃～３０℃（冷風）としてもよい。少なくとも、第１気体Ｆ１の温度は、常温（ワークＷが配置されている処理空間内の雰囲気温度を「常温」とする）と比べて高久設定される。本実施形態では、第１気体Ｆ１が第２気体Ｆ２よりも温度が高いことを前提として説明する。

図３では、第１気体供給部４１のノズル４１ａに対して第２気体供給部４２のノズル４２ａがワークＷの内側に配置されている状態を模式的に示しているが、第１気体Ｆ１および第２気体Ｆ２は、ワークＷの周縁部Ｗ１（図４参照）の各位置に対して交互に供給される。したがって、ノズル４１ａ，４２ａの実際の配置は、図３に示す形態とは異なる。

一例として、ノズル４１ａ，４２ａは、例えば、水平方向に伸びるアーム等に取り付けられ、水平方向および上下方向に移動可能とされていてもよい。例えば、ノズル４１ａ，４２ａについて、それぞれ水平方向および上下方向に移動させるための移動機構が設けられてもよい。また、移動機構の動作によって、ノズル４１ａ，４２ａは、カップ２６外の待機位置とワークＷ上との間を移動可能であってもよい。

なお、ノズル４１ａ，４２ａを個別に設けることに代えて、ノズル４１ａ，４２ａを一体化した気体供給ノズル５０を用いてもよい。図４は、気体供給ノズル５０の一例を示している。また、図５は、気体供給ノズル５０の吐出口近傍の構成例を模式的に示している。

気体供給ノズル５０は、環状の本体部５１と、４つのノズル部５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄと、を含んで構成される。ノズル部５２ａ，５２ｃは第１気体Ｆ１を供給するノズル４１ａとして機能し、ノズル部５２ｂ，５２ｄは第２気体Ｆ２を供給するノズル４２ａとして機能する。

本体部５１は、ワークＷの外周形状に対応した径を有する環状の構造であり、ワークＷの周縁部Ｗ１と平面視で重なる程度の大きさとされる。本体部５１の内部には、第１気体Ｆ１に係る配管４１ｂに接続する流路と、第２気体Ｆ２に係る配管４２ｂに接続する流路と、が設けられる。図３では、本体部５１の上部に配管４１ｂ，４２ｂが接続されている状態を模式的に示しているが、気体供給ノズル５０と配管４１ｂ，４２ｂとの接続位置は特に限定されず、接続位置に応じて内部の流路の形状は変更され得る。

ワークＷに対して第１気体Ｆ１および第２気体Ｆ２を供給する際は、本体部５１は、図４に示すようにワークＷの上方において平面視においてワークＷに重なるような配置となる。なお、図４では、気体供給ノズル５０とワークＷとが上下方向に離間した状態を示しているが、第１気体Ｆ１および第２気体Ｆ２を供給する場合には、図４に示す状態よりもワークＷに対して気体供給ノズル５０が近接した状態となる。

ノズル部５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄは、本体部５１の下方に取り付けられ、周方向に沿って、ノズル部５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄがこの順に並ぶように、円周上に例えば等間隔で配置される。図４に示す例では、ノズル部５２ａ，５２ｃが本体部５１の中心（ワークＷの中心に対応する）を挟んで対向するとともに、ノズル部５２ｂ，５２ｄが本体部５１の中心（ワークＷの中心に対応する）を挟んで対向するように、各ノズル部が配置される。ノズル部５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄは、いずれも環状の本体部５１に沿った円弧状を呈している。なお、円弧状に沿ったノズル部５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄの長さは特に限定されず、ノズル部５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ同士が互いに重なり合わない範囲で適宜変更することができる。

ノズル部５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄは、それぞれ、第１気体Ｆ１または第２気体Ｆ２をワークＷに対して供給するために、下方に開口した形状を有する。

図５（ａ）、図５（ｂ）は、ノズル部５２ａの下面に形成される開口５２ｘの例を示している。図５（ａ）は、開口５２ｘが円弧状のノズル部５２ａの長手方向に沿って延びるスリット状である例を示している。また、図５（ｂ）は、開口５２ｘが円弧状のノズル部５２ａの長手方向に沿って並ぶ複数の小孔５２ｙを組み合わせた形状である例を示している。ノズル部５２ａの開口５２ｘの形状は、図５（ａ）に示すスリット状であってもよいし、図５（ｂ）に示す複数の小孔が配列された形状であってもよいし、これらを組み合わせた形状であってもよい。なお、図５では、ノズル部５２ａを例示しているが、ノズル部５２ｂ～５２ｄも図４に示すノズル部５２ａと同様の開口５２ｘを有する。

気体供給ノズル５０では、本体部５１の下方に図４に示すような開口５２ｘを有するノズル部５２ａ～５２ｄが図４に示すように円環状に配置されている。この気体供給ノズル５０への第１気体Ｆ１および第２気体Ｆ２の気体供給系統は、図４に示すように、互いに独立している。そのため、気体供給ノズル５０では、ノズル部５２ａ，５２ｃからの第１気体Ｆ１の供給と、ノズル部５２ｂ，５２ｄからの第２気体Ｆ２の供給と、を同時に行うことができる。

ノズル部５２ａ～５２ｄがそれぞれ第１気体Ｆ１または第２気体Ｆ２を供給した状態で、下方に配置したワークＷを回転させると、ワークＷの周縁部Ｗ１の各位置（各点）は、ノズル部５２ａ～５２ｄの下方を順に通過することになる。気体供給ノズル５０から供給された第１気体Ｆ１と第２気体Ｆ２とが交互に接触することになる。ワークＷの回転が継続される間は、この状態が継続される。

制御装置１００は、塗布・現像装置２を制御する。制御装置１００は、所定の条件に従って、処理モジュール１２によりワークＷに対して液処理を施すことを実行する。制御装置１００は、例えば、所定の条件に基づいて処理液供給部３１によりワークＷに処理液を供給すると共に、その際にワークＷの回転等を制御する。また、制御装置１００は、図６に示すように、第１気体供給部４１の温度調整部４１ｃおよび開閉弁４１ｄと、第２気体供給部４２の温度調整部４２ｃおよび開閉弁４２ｄと、を制御する。例えば、処理の条件に基づいて、ワークＷの回等を制御しながら、第１気体供給部４１の各部と第２気体供給部４２の各部とを制御する。

制御装置１００は、上記の液処理を実行するための複数の機能モジュールによって構成されていてもよい。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。

制御装置１００のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成されていてもよい。制御装置１００は、図７に示されるように、ハードウェア上の構成として回路２０１を含む。回路２０１は、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路２０１は、プロセッサ２０２と、メモリ２０３と、ストレージ２０４と、ドライバ２０５と、入出力ポート２０６とを含んでいてもよい。

プロセッサ２０２は、メモリ２０３およびストレージ２０４の少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポート２０６を介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。メモリ２０３およびストレージ２０４は、制御装置１００で使用される各種情報・プログラム等を記憶する。ドライバ２０５は、塗布・現像装置２の各種装置をそれぞれ駆動する回路である。入出力ポート２０６は、ドライバ２０５と塗布・現像装置２を構成する各部との間で、信号の入出力を行う。

基板処理システム１は、一つの制御装置１００を備えていてもよいし、複数の制御装置１００で構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理システム１がコントローラ群を備えている場合には、例えば、複数の機能モジュールのそれぞれが一つの互いに異なる制御装置によって実現されていてもよいし、２個以上の制御装置１００の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置１００が複数のコンピュータ（回路２０１）で構成されている場合には、複数の機能モジュールがそれぞれ一つのコンピュータ（回路２０１）によって実現されていてもよい。また、制御装置１００は、２つ以上のコンピュータ（回路２０１）の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置１００は、複数のプロセッサ２０２を有していてもよい。この場合、複数の機能モジュールがそれぞれ一つのプロセッサ２０２によって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサ２０２の組み合わせによって実現されていてもよい。基板処理システム１の制御装置１００の機能の一部を基板処理システム１とは別の装置に設けるとともに、基板処理システム１とネットワークを介して接続し、本実施形態における各種動作を実現してもよい。例えば、複数の基板処理システム１のプロセッサ２０２、メモリ２０３、ストレージ２０４の機能をまとめて１つまたは複数の別装置で実現すれば、複数の基板処理システム１の情報や動作を遠隔で一括的に管理および制御することも可能となる。

上記の基板処理システム１において実行されるワークＷの処理について説明する。制御装置１００は、例えば以下の手順でワークＷに対する処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２に配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。制御装置１００は、ワークＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。処理モジュール１２において行われる液処理方法の一例については後述する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１に収容されたワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。そして、露光装置３において、ワークＷに形成されたレジスト膜に露光処理が施される。その後制御装置１００は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、当該ワークＷを棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。そして、制御装置１００は、現像処理に伴う熱処理、および現像処理を実行するように塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。以上により、制御装置１００は、１枚のワークＷに対する基板処理を終了する。

［基板処理方法］
次に、処理モジュール１２において行われる基板処理方法の一例を説明する。ここでは、基板処理方法として、ワークＷの表面の周縁部Ｗ１にレジスト膜を形成する方法について説明する。

図８は、ワークＷの表面にレジスト膜を形成するための処理の手順の一例を示すフロー図である。

図８に示されるように、制御装置１００は、ステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、制御装置１００は、搬送装置Ａ３および塗布ユニットＵ１の支持ピン２３を制御し、ワークＷを塗布ユニットＵ１におけるスピンチャック２１上に支持する。その後、制御装置１００は、回転駆動部２２を駆動させることでワークＷの回転を開始する。一例として、このときのワークＷの回転数は１００ｒｐｍ～２０００ｒｐｍ程度とされる。

次に、制御装置１００は、ステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、制御装置１００は、回転駆動部２２を駆動させることでワークＷを回転させた状態で、処理液供給部３１を制御し、ノズル３１ａからワークＷの表面の中心へ向けて処理液を吐出する。ワークＷの表面の中心に供給された溶剤は、ワークＷの回転によってワークＷの径方向へ広がっていく。これにより、ワークＷの表面に全体的に処理液（レジスト液）が付着した状態が形成される。制御装置１００は、ノズル３１ａから所定量の処理液が吐出されたタイミングで、処理液供給部３１からの処理液の吐出を停止させる。

その後、制御装置１００は、ステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、制御装置１００は、気体供給部４０の第１気体供給部４１および第２気体供給部４２を制御し、ワークＷの周縁部Ｗ１に対して第１気体Ｆ１（温風）と第２気体Ｆ２（冷風）と供給する。具体的には、制御装置１００は、回転駆動部２２を駆動させることでワークＷを回転させた状態で、気体供給部４０の第１気体供給部４１からの第１気体Ｆ１の供給と、第２気体供給部４２からの第２気体Ｆ２の供給とを実行させる。この結果、気体供給ノズル５０のうちノズル４１ａとして機能するノズル部５２ａ，５２ｃから第１気体Ｆ１が供給され、ノズル４２ａとして機能するノズル部５２ｂ，５２ｄから第２気体Ｆ２が供給される。これにより、ワークＷの周縁部Ｗ１の各位置は、それぞれ第１気体Ｆ１および第２気体Ｆ２と交互に接触することになる。なお、ステップＳ０３での第１気体Ｆ１および第２気体Ｆ２の供給量は、例えば、ノズル部５２ａ～５２ｄからの風速が０．０５ｍ／ｓｅｃ～１ｍ／ｓｅｃとなるように調整してもよい。ノズル部５２ａ～５２ｄからの風速は互いに異ならせてもよい。

また、ワークＷの回転速度は、例えば、ワークＷの周縁部Ｗ１の各位置に対して、第１気体Ｆ１（温風）と第２気体Ｆ２（冷風）とが例えば１秒～１０秒ごとに交互に供給される程度に調整され得る。一例として、第１気体Ｆ１（温風）を５秒程度供給することと、第２気体Ｆ２（冷風）を５秒程度供給することと、を交互に繰り返してもよい。また、第１気体Ｆ１（温風）と第２気体Ｆ２（冷風）との供給時間は互いに異ならせてもよい。

上記のステップＳ０３は、ワークＷの表面に供給された処理液中の揮発成分を揮発させる。すなわち、ステップＳ０３は、処理液を乾燥し固化させる工程として機能し得る。この処理を経ることによって、ワークＷの表面に供給された処理液が乾燥し、処理膜（レジスト膜）が形成される。ステップＳ０３は、少なくとも処理液の表面が固化し、その形状が安定するまで実行され得る。

次に、制御装置１００は、ステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、制御装置１００は、予め設定された所定時間が経過するまでワークＷの回転と気体供給部４０からの気体の供給を実行した状態で待機する。所定時間が経過するまで（Ｓ０４－ＮＯの間）は、上記の状態を継続する。所定時間が経過した後（Ｓ０４－ＹＥＳ）、制御装置１００は、ワークＷの回転と気体供給部４０からの気体の供給とを終了する。

なお、ステップＳ０３（第１気体Ｆ１（温風）および第２気体Ｆ２（冷風）の供給）は、上述のように、ステップＳ０２（処理液の吐出）の処理後に行われてもよいが、ステップＳ０２（処理液の吐出）と一部同時に行われてもよい。

上記の一連の処理のうち、特に第１気体Ｆ１（温風）と第２気体Ｆ２（冷風）とをワークＷの周縁部Ｗ１に対して交互に供給することによって、ワークＷ表面の周縁部Ｗ１における処理膜（例えば、レジスト膜）の形状が変化する。図９はワークＷの周縁部Ｗ１に供給された処理液Ｒの変化を説明する図であり、ワークＷの周縁部付近を拡大した図である。図９（ａ）は、第１気体Ｆ１（温風）および第２気体Ｆ２（冷風）を供給することに代えて、ワークＷの裏面をヒータによって加熱して処理液Ｒの溶媒成分を揮発させ、処理液Ｒを乾燥する場合の例を示している。レジスト膜を形成する処理液Ｒ（レジスト液）は、上述のように例えば回転しているワークＷの中央に供給され、遠心力を利用してワークＷの周縁部Ｗ１まで広げられる。このとき、ワークＷの周縁部Ｗ１には、レジスト液によるハンプＲ１が形成される場合がある。ハンプＲ１は他の領域に対して極端に盛り上がった領域（突起）であり、ワークＷ上に広がった処理液Ｒの外周端に環状に形成され得る。ハンプＲ１は、ワークＷの表面に塗布された処理液におけるマランゴニ対流によって形成されると考えられる。

マランゴニ対流は、ワークＷの表面上に滞留する処理液Ｒ内（レジスト膜となる液体内部）で起きる流動であり、処理液が揮発する際に処理液Ｒの輪郭となる部分へ向けて処理液が横方向（水平方向）に移動するものである。図９（ａ）では、ワークＷの周縁部Ｗ１付近で発生するマランゴニ対流によってハンプＲ１が形成される様子の一例を模式的に示している。また、ワークＷの裏面に設けられたヒータＨによってワークＷを加熱する場合、処理液ＲでもワークＷの表面に近い部分と、ワークＷから離間した部分とで温度差が生じるため、マランゴニ対流が発生しやすくなる。ワークＷ上の処理液Ｒにおいてマランゴニ対流が発生すると、この対流に乗って、処理液を構成する固形成分（例えば、レジスト液の場合には樹脂粒子等）が処理液Ｒの輪郭となる部分へ移動する。処理液Ｒの輪郭となる部分とは、ワークＷの周縁部Ｗ１に対応する。ワークＷの周縁部Ｗ１において処理液Ｒ中の固形成分が集中し析出することによって、図９（ａ）に示すように、他の領域よりも厚みが大きいハンプＲ１が形成される場合がある。この状態で処理液Ｒが乾燥すると、ハンプＲ１が残存した状態で処理液による処理膜（例えば、レジスト膜）が形成される。この現象は、コーヒーステイン現象とも言われ、液体を乾燥させて固化させる場合に生じ得るものである。

これに対して、本実施形態で説明する手法では、処理液Ｒの乾燥方法（処理液中の溶媒の揮発方法）を変更することによって、マランゴニ対流を抑制している。図９（ｂ）は、本実施形態で説明したように、第１気体Ｆ１（温風）および第２気体Ｆ２（冷風）を交互にワークＷ上の処理液Ｒに対して接触させる手法を模式的に示している。この場合、ワークＷの表面上に滞留する処理液内でのマランゴニ対流の発生が抑制され得る。仮にマランゴニ対流が生じたとしても、ワークＷの周縁部Ｗ１において、上方からワークＷの表面に向けて第１気体Ｆ１（温風）および第２気体Ｆ２（冷風）が吹き込まれる。そのため、ワークＷの周縁部Ｗ１において処理液Ｒ中の固形成分が集中して析出することが防がれる。この結果、図９（ｂ）に示すように、ワークＷの周縁部Ｗ１におけるハンプＲ１の形成が抑制される。つまり、第１気体Ｆ１（温風）および第２気体Ｆ２（冷風）の供給によって、処理液Ｒによる処理膜の表面形状がなめらかとなるように、形状を整うことが可能となる。

なお、上記の手法では、周縁部Ｗ１の各点に対して、第１気体Ｆ１（温風）および第２気体Ｆ２（冷風）を交互に供給している。換言すると、ワークＷの周縁部Ｗ１の各点に対しては、第１気体Ｆ１（温風）が間欠的に供給される状態となっている。このような構成とすることで、処理液Ｒの固化の速度の調整が可能となっている。

ワークＷの裏面をヒータＨによって加熱する場合と同様に処理液Ｒ中の溶媒を揮発させて処理液Ｒを素早く乾燥させるためには、第１気体Ｆ１（温風）のみをワークＷの周縁部Ｗ１に対して継続して供給する手法も考えられる。このような構成とした場合でも、第１気体Ｆ１をワークＷの上方から周縁部Ｗ１に対して供給することになるので、ワークＷの周縁部Ｗ１での処理液ＲによるハンプＲ１の形成を抑制することができる。また、ヒータＨによる加熱と比較して、処理液Ｒ内での温度差（温度の偏り）が小さくなるため、ハンプＲ１の形成が抑制される。ただし、第１気体Ｆ１（温風）を継続してワークＷの表面に供給する構成とすると、処理液Ｒの乾燥速度（溶媒の揮発速度）が早くなる。この場合、ワークＷの周縁部Ｗ１について、他の領域と比べて処理液Ｒの乾燥が速くなる場合があり、ワークＷの表面での処理膜の表面形状のなめらかさに影響を与える可能性がある。したがって、上述したように、ワークＷの周縁部Ｗ１の各点に対して、第１気体Ｆ１（温風）を間欠的に供給して処理液Ｒの固化の速度を調整してもよい。

なお、第１気体Ｆ１（温風）を間欠的に供給する手法として、第２気体Ｆ２（冷風）を供給しない手法を用いてもよい。つまり、第２気体Ｆ２（冷風）を供給せず、ワークＷの周縁部Ｗ１の各位置において第１気体Ｆ１（温風）のみが間欠的に供給される構成を実現してもよい。気体供給ノズル５０を用いて、ワークＷの周縁部Ｗ１の各位置において第１気体Ｆ１（温風）のみが間欠的に供給される構成を実現する手法としては、例えば、ノズル部５２ａ～５２ｄの全てから第１気体Ｆ１（温風）を供給することが挙げられる。この場合、ワークＷの回転速度を調整することで、ワークＷの周縁部Ｗ１の各位置に対して第１気体Ｆ１が間欠的に供給され得る。

（変形例）
上述のように、処理膜におけるハンプの形成を抑制するためには、ワークＷの周縁部Ｗ１の各位置に対して少なくとも第１気体Ｆ１（温風）を供給することができればよい。また、第１気体Ｆ１（温風）をワークＷの周縁部Ｗ１の各位置に対して間欠的に供給することが可能であれば、ハンプの形成を更に抑制することができる。以下、変形例として、第１気体Ｆ１（温風）をワークＷの周縁部Ｗ１の各位置に対して間欠的に供給する構成の変形例について、説明する。

図１０（ａ）は、ノズル４１ａ，４２ａの設置位置の変更例を示した図である。上記実施形態では、気体供給ノズル５０を用いて第１気体Ｆ１および第２気体Ｆ２を供給する例について説明したが、別形状のノズルを用いてもよい。図１０（ａ）では、ノズル４１ａ，４２ａがカップ２６の上端２６ａに取り付けられている例を示している。この場合でも、ノズル４１ａ，４２ａの開口から供給されたがワークＷの周縁部に向かうように、ノズル４１ａ，４２ａの配置を調整することで、気体供給ノズル５０と同様にワークＷの周縁部に対して気体を供給することができる。なお、図１０（ａ）では、１つのノズルのみを示しているが、当然ながら複数のノズルを設けてもよい。

図１０（ｂ）は、気体供給ノズル５０に対してその形状を変更した気体供給ノズル５０Ｘを示している。気体供給ノズル５０Ｘは、第１気体Ｆ１および第２気体Ｆ２を供給するためのノズル部が環状に配置されている点で、気体供給ノズル５０と相違する。すなわち、気体供給ノズル５０Ｘでは、本体が実質的に複数のノズル部として機能している。このような形状を有した気体供給ノズル５０Ｘにおいても、第１気体Ｆ１を供給する開口と、第２気体Ｆ２を供給する開口と、の配置を調整することで、第１気体Ｆ１および第２気体Ｆ２の供給先を適宜調整することができる。一例として、図１０（ｂ）に示すように、第１気体Ｆ１および第２気体Ｆ２とが、ワークＷの周縁部Ｗ１に沿って交互に供給される構成とすることができる。なお、図１０（ｂ）では、第１気体Ｆ１および第２気体Ｆ２がそれぞれ環状の４箇所から供給される構成が示されているが、この数は適宜変更できる。

図１１は、第１気体供給部４１および第２気体供給部４２の構成を１つのノズル部で実現する場合の構成について説明する図である。図１１では、１つの配管４６を用いて、下流側のノズルに対して第１気体Ｆ１（温風）と第２気体Ｆ２（冷風）とを交互に供給する構成例を示している。この場合、制御装置１００によって配管４６上の温度調整部４７および開閉弁４８を制御することで、配管４６の下流に設けられるノズルから供給する気体の種類を変更することができる。温度調整部４７の制御例としては、例えば、温度調整部４７のヒータをオン状態とすることで第２気体Ｆ２の温度に調節し、オフ状態とすることで、第２気体Ｆ２の温度に調節することとしてもよい。また、温度調整部４７による設定温度を第１気体Ｆ１の温度と第２気体Ｆ２の温度との２種類設定しておくこととしてもよい。このように、１つの配管４６から第１気体Ｆ１（温風）と第２気体Ｆ２（冷風）とを交互に供給する場合、１つの温度調整部４７の設定を切り替えることで、ノズルから供給する気体の温度を制御してもよい。

なお、１つのノズルから第１気体Ｆ１（温風）と第２気体Ｆ２（冷風）とを交互に供給する際の構成として、２種類の気体に対応した配管４１ｂ，４２ｂを用いる方法も採ることができる。具体的には、図３に示すように２種類の気体に対応した配管４１ｂ，４２ｂをそれぞれ設けておき、ノズルの前段に切り替え弁をさらに設けることで、ノズルから供給する気体を第１気体Ｆ１（温風）および第２気体Ｆ２（冷風）から選択する構成としてもよい。このように、ワークＷの周縁部Ｗ１に対して第１気体Ｆ１（温風）および第２気体Ｆ２（冷風）を供給するための手法は適宜変更することができる。

図１２は、ワークＷを保持する機構を変形した例を示している。上記実施形態では、円板のワークＷをスピンチャック２１によって水平に保持し、ワークＷを回転させながら気体を供給する場合について説明した。このほか、処理液Ｒを供給した後のワークＷを乾燥する際の手法として、ワークＷを水平に搬送しながら気体を供給する場合がある。具体的には、図１２に示すようにワークＷは、搬送機構８０によって水平方向に搬送され得る。この場合、図１２に示すように、搬送されるワークＷの周縁部Ｗ１の上方にノズル４１ａ，４２ａを配置する。そして、各ノズルから第１気体Ｆ１（温風）および第２気体Ｆ２（冷風）を供給することで、搬送機構８０によって搬送されるワークＷの周縁部Ｗ１の各位置に対して第１気体Ｆ１（温風）と第２気体Ｆ２（冷風）とを交互に供給することができる。

なお、図１２に示すように、ワークＷの一方の周縁部に沿って、ノズル４１ａ，４２ａを交互に配置すると、ワークＷの周縁部Ｗ１の各位置に対して第１気体Ｆ１（温風）および第２気体Ｆ２（冷風）が交互に供給され得る。また、図１２に示すように、ワークＷの移動方向に沿ってノズル４１ａ，４２ａが長尺になるようにノズル４１ａ，４２ａを配置してもよい。このとき、その長手方向の長さ（開口が存在する領域の長さ）を調整することで、ワークＷの各位置に対する第１気体Ｆ１（温風）および第２気体Ｆ２（冷風）の供給時間を調整することができる。また、搬送機構８０によるワークＷの搬送速度も第１気体Ｆ１（温風）および第２気体Ｆ２（冷風）の供給時間の調整に利用することができる。

［作用］
上記の基板処理装置および基板処理方法によれば、基板保持部としてのスピンチャック２１に保持されたワークＷ（基板）の表面の周縁部Ｗ１に対して、常温よりも温度が高い第１温度の第１気体Ｆ１が供給される。第１気体Ｆ１が供給されることによって、ワークＷの周縁部Ｗ１の処理液と第１気体Ｆ１とが接触した状態で処理液が乾燥するため、従来の手法と比べて、処理液の乾燥速度が調整され、その結果、周縁部Ｗ１でのハンプの形成が抑制される。そのため、膜厚が均一な処理膜を基板に形成することが可能となる。

上述のように、ワークＷの周縁部にハンプＲ１が形成される原因は、ワークＷ上の処理液内の温度差である。これに対して、上記のように第１気体Ｆ１を供給しながら処理液Ｒを乾燥させることで、処理液Ｒ内の温度差を調整することができ、その結果、ハンプの形成が抑制される。そのため、膜厚が均一な処理膜をワークＷに形成することが可能となる。

なお、第１気体Ｆ１を間欠的に供給する構成とした場合、ワークＷの周縁部Ｗ１でのハンプの形成がさらに抑制され、膜厚がより均一な処理膜を基板に形成することが可能となる。

また、第１気体Ｆ１を供給する気体供給部４０は、周縁部Ｗ１の上方に設けられて第１気体Ｆ１を供給するノズル４１ａ（第１ノズル部）を有していてもよい。このように、ワークＷの上方から第１気体Ｆ１を供給する構成とするとこで、周縁部Ｗ１でのハンプの形成がさらに抑制され、膜厚がより均一な処理膜をワークＷに形成することが可能となる。

なお、気体供給部４０は、ワークＷの周縁部Ｗ１の各位置に対して、第１気体Ｆ１と、第１温度よりも低い第２温度の第２気体Ｆ２とを交互に供給してもよい。このような構成とすることで、周縁部Ｗ１における処理液の乾燥速度が調整され、周縁部Ｗ１でのハンプの形成が抑制される。そのため、膜厚がより均一な処理膜をワークＷに形成することが可能となる。

なお、気体供給部４０は、ワークＷの表面の互いに異なる位置に対して第１気体Ｆ１と第２気体Ｆ２とを同時に供給可能であってもよい。このような構成の場合、基板の各位置に対する第１気体と第２気体との供給を速やかに行うことができる。

また、第２気体を供給するノズル４２ａ（第２ノズル部）をさらに有していてもよい。第２ノズル部を別途有していることによって、第１気体Ｆ１および第２気体Ｆ２の供給を独立して行うことができる。

また、第１ノズル部および第２ノズル部をそれぞれ複数有し、基板の周縁部の上方において、周縁部に沿って第１ノズル部と第２ノズル部とが交互に配置される態様としてもよい。この場合、上記実施形態で説明したように、周縁部Ｗ１の延在方向に沿って基板を相対的に移動させる（例えば、ワークＷを回転させる）ことで、周縁部Ｗ１の各位置に対して第１気体および第２気体を交互に供給する構成を実現することができる。

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、および変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

例えば、上記実施形態では、円形のワークＷを回転しながら、中央から処理液を塗布する所謂スピンコート法について説明したが、上記で説明した手法は、ワークＷへの処理液の塗布方法とは関係なく適用ができる。すなわち、所謂スキージ法を用いてワークＷに対して処理液を塗布した場合にも適用できる。

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲および主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

１…基板処理システム、２…塗布・現像装置、３…露光装置、１１～１４…処理モジュール、２１…スピンチャック、２２…回転駆動部、２６…カップ、２６ａ…上端、３１…処理液供給部、４０…気体供給部、４１…第１気体供給部、４１ａ…ノズル、４１ｂ…配管、４１ｃ…温度調整部、４１ｄ…開閉弁、４２…第２気体供給部、４２ａ…ノズル、４２ｂ…配管、４２ｃ…温度調整部、４２ｄ…開閉弁、４５…気体供給源、４６…配管、４７…温度調整部、４８…開閉弁、５０，５０Ｘ…気体供給ノズル、５１…本体部、５２ａ～５２ｄ…ノズル部、８０…搬送機構、１００…制御装置。

Claims (17)

1. 基板の表面に対して処理膜を形成する基板処理装置であって、
   前記処理膜を形成するための乾燥前の処理液が塗布された基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された前記基板の表面の周縁部に対して、常温よりも温度が高い第１温度の第１気体を供給する第１ノズル部を含む気体供給部と、
   を有する、基板処理装置。
2. 前記気体供給部は、前記基板の周縁部の各位置に対して、前記第１気体を間欠的に供給する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記第１ノズル部は、前記基板の周縁部の上方から前記基板の周縁部に対して前記第１気体を供給する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記気体供給部は、前記基板の周縁部の各位置に対して、前記第１気体と、前記第１温度よりも低い第２温度の第２気体とを交互に供給する、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記気体供給部は、前記基板の表面の互いに異なる位置に対して前記第１気体と前記第２気体とを同時に供給可能である、請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記気体供給部は、前記基板の周縁部の上方に設けられた前記第２気体を供給する第２ノズル部をさらに有する、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記第１ノズル部および前記第２ノズル部をそれぞれ複数有し、前記基板の周縁部の上方において、前記周縁部に沿って前記第１ノズル部と前記第２ノズル部とが交互に配置される、請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記第１ノズル部に対して前記第１気体を供給する第１配管と、
   前記第１配管を流れる気体の温度を前記第１温度に調整する第１温度調整部と、
   前記第２ノズル部に対して前記第２気体を供給する第２配管と、
   前記第２配管を流れる気体を前記第２温度に調整する第２温度調整部と、
   を有する、請求項６または７に記載の基板処理装置。
9. 前記第１ノズル部は、前記基板の表面に対して前記第１気体と前記第２気体とを交互に供給する、請求項４に記載の基板処理装置。
10. 前記第１ノズル部に対して前記気体を供給する配管と、
    前記第１ノズル部から前記基板に対して供給される気体の温度を調整する温度調整部と、
    を有し、
    前記温度調整部は、前記配管を流れる気体の温度を前記第１温度と前記第２温度との間で切り替えることで、前記基板に対して供給される気体の温度を調整する、請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記温度調整部は、前記配管の流れる気体を加温するヒータの電源のオン状態とオフ状態とを切り替えることで、前記配管を流れる気体の温度を前記第１温度と前記第２温度との間で切り替える、請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 前記温度調整部は、前記配管の流れる気体を加温するヒータの設定を変更することで、前記配管を流れる気体の温度を前記第１温度と前記第２温度とに切り替える、請求項１０に記載の基板処理装置。
13. 前記第１ノズル部に対して前記第１気体を供給する第１配管と、
    前記第１ノズル部に対して前記第２気体を供給する第２配管と、
    前記第１ノズル部から前記基板に対して供給される気体の温度を調整する温度調整部と、
    を有し、
    前記温度調整部は、前記ノズル部に対して気体を供給する配管を前記第１配管と前記第２配管との間で切り替えることで、前記基板に対して供給される気体の温度を調整する、請求項９に記載の基板処理装置。
14. 前記基板保持部は、前記基板を吸着し水平に回転する回転機構である、請求項１～１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
15. 前記基板保持部の周囲に、前記基板保持部において指示された前記基板の周囲を取り囲むように配置されたカップをさらに有し、
    前記気体供給部は、前記カップに取り付けられた供給口から、前記基板の表面の周縁部に対して前記第１気体を供給する、請求項１４に記載の基板処理装置。
16. 前記基板保持部は、前記基板を水平方向に搬送する搬送機構である、請求項１～１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
17. 基板の表面に対して処理膜を形成する基板処理方法であって、
    前記処理膜を形成するための乾燥前の処理液が塗布された基板の表面の周縁部に対して、常温よりも温度が高い第１温度の第１気体を供給することを含む、基板処理方法。

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