JPH08107062A

JPH08107062A - 塗布膜形成方法

Info

Publication number: JPH08107062A
Application number: JP6261916A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Fujimoto; 昭浩藤本; Takashi Takekuma; 貴志竹熊
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1994-09-30
Filing date: 1994-09-30
Publication date: 1996-04-23
Anticipated expiration: 2016-05-08
Also published as: JP3164739B2

Abstract

(57)【要約】【目的】高いスループットで被処理基板上に塗布膜例
えばレジスト膜を形成し、しかも塗布処理部のスペース
を小さくすること。【構成】塗布液を被処理基板上に塗布するための第１
の処理部３Ａと被処理基板の周縁部の塗布膜のリンスを
行う第２の処理部３Ｂとを隣接して設け、第１の処理部
３Ａで塗布工程を行った後第２の処理部３Ｂに搬送して
ここでリンス工程を行う。そして塗布工程の後塗布膜を
乾燥させるために例えばスピンチャックにより被処理基
板を回転させて乾燥工程を行うが、この乾燥工程を両処
理部３Ａ、３Ｂに振り分け（一方の処理部でのみ行う場
合も含む、）その時間配分を調整することにより両処理
部３Ａ、３Ｂの処理時間を揃える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】を本発明は、塗布膜形成方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程の中には、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小し
てフォトレジストに転写し、これを現像処理する一連の
工程がある。この一連の工程は、図７に示すように半導
体ウエハ（以下「ウエハ」という）にレジスト液を塗布
し、露光後のウエハに対して現像を行う塗布・現像装置
と、レジスト膜に露光を行う露光装置とを組み合わせ行
われる。

【０００３】図７のシステムでは、先ず塗布・現像装置
１Ａのアドヒージョン処理部１１にてウエハＷに対して
疎水化処理を施し、冷却部１２にて冷却した後、塗布処
理部１３にてレジスト膜を塗布形成する。そして加熱部
１４にて加熱しベーキング処理を施した後露光装置１Ｂ
にて所定のパターンを露光し、更に塗布・現像装置１Ａ
の現像処理部１５にて前記パターンを現像する。なお図
中１６はウエハを搬送するメインアーム、１７は塗布・
現像装置１Ａ及び露光装置１Ｂ間でウエハの移載を行う
インターフェイスである。

【０００４】前記塗布処理部１３は、ウエハの表面に例
えばスピンコーティング法によりレジスト液を塗布する
塗布機構と、この塗布機構で塗布形成された塗布膜（レ
ジスト膜）のうちウエハＷの両面周縁部の塗布膜をリン
ス液例えばシンナーにより除去するリンス機構とを備え
ている。ところで最近では露光装置１Ｂにおける露光処
理の時間が短縮されてきており、例えばタクトタイム
（１枚のウエハの処理時間）が３０秒程度もの高速な露
光装置も開発されている。従って露光処理の前処理であ
る、塗布処理部１３における塗布膜形成処理も、露光装
置のダクトタイム以下で行う必要がある。仮に塗布膜形
成処理が露光装置のダクトタイムよりも長いと、露光装
置のスループットが高いにもかかわらず露光装置側でウ
エハＷを待つ状態となり、結局システム全体のスループ
ットには反映されなくなるからである。

【０００５】一方塗布処理部１３では、例えばスピンコ
ーティング法によりレジスト液を塗布した後、ウエハＷ
を回転させてレジスト膜を乾燥させ、その後バックリン
ス、サイドリンスなどと呼ばれている、ウエハの両面周
縁部のレジスト膜のリンスを行っている。このようにリ
ンスを行う理由は、次の通りである。即ち塗布処理直後
における膜厚は均一であるが、時間が経つに従い表面張
力の影響でウエハ周縁部でレジスト液が盛り上がるよう
に厚くなり、また、レジスト液がウエハの下面周縁部に
まで回り込んで不要な膜が形成される現象が発生する。
このようにウエハの周縁部に不均一な厚い膜が形成され
ていると、集積回路パターン等の現像時に周縁部のレジ
スト膜が完全には除去されずに残存することになり、そ
の後のウエハの搬送工程中にその残存したレジストが剥
がれ、パーティクル発生の原因となる。なおリンスの前
にレジスト膜を乾燥させる理由は、レジスト膜が乾かな
いうちにリンスを行ってレジスト膜を除去すると、その
除去した部分の付近がダレてしまい、その後のパーティ
クルの原因となるからである。

【０００６】このように塗布処理部では、塗布、乾燥及
びリンスを行うため、ダクトタイムを短縮することには
限界があり、露光装置のダクトタイムの短縮化に対応す
るためには、塗布処理部１３を複数例えば２台を設け、
図８に示すようにパラレルに塗布膜形成処理を行ってい
た。

【０００７】

【発明が解決しようとしている課題】ここで露光される
パターンの線幅に応じてレジストの種類が異なるので、
塗布処理部１３においては、通常多種類のレジスト液を
塗布できるように、レジスト液の供給系が用意されてい
る。例えば４種類のレジスト液を塗布するためには、レ
ジスト液溜用の容器、配管、供給ポンプ、フィルタ及び
バルブなどの供給系統を４系統用意しなければならない
が、塗布処理部１３を２個設けると、その２倍（８系
統）必要となる。実際にはレジスト液の種類はかなり多
いため、塗布処理部１３を２個設けてパラレル処理する
手法では、レジスト液の供給系統に係る設備が多くな
り、そのため広いスペースを必要とする上、コストアッ
プにもなっている。塗布・現像装置はクリーンルーム内
に設置されるが、クリーンルームは、空気清浄装置を備
え、床等の構造も特殊であり、単位面積当りのコストが
非常に高価であることから、塗布処理部を２個設けるこ
とは、この点からも非常に不利である。

【０００８】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、高いスループットが得られ、し
かも塗布処理部のスペースを小さくできる塗布膜形成方
法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、被処
理基板の表面に、露光工程で露光されるレジスト膜を形
成する方法において、第１の処理部内にて塗布機構によ
り被処理基板の表面にレジスト液を塗布する塗布工程
と、次いで前記被処理基板を、前記第１の処理部に隣接
する第２の処理部内に搬送する搬送工程と、その後前記
第２の処理部内にてリンス機構により被処理基板の不要
なレジスト液を除去するリンス工程と、を備え、一の被
処理基板がリンス工程を終了してから次の被処理基板の
リンス工程を終了するまでの時間が、一の被処理基板に
ついて露光工程に要する時間以下であることを特徴とす
る。

【００１０】請求項２の発明は、被処理基板の表面に塗
布膜を形成する方法において、第１の処理部内にて塗布
機構により被処理基板の表面に塗布液を塗布する塗布工
程と、次いで前記被処理基板を、前記第１の処理部に隣
接する第２の処理部内に搬送する搬送工程と、この搬送
工程の前に前記第１の処理部内にて、及び／または前記
搬送工程の後に前記第２の処理部内にて被処理基板の塗
布液を乾燥する乾燥工程と、その後前記第２の処理部内
にてリンス機構により被処理基板の不要な塗布液を除去
するリンス工程と、を備え、第１の処理部及び第２の処
理部における前記乾燥工程の時間配分を調整することに
より第１の処理部における処理時間と第２の処理部にお
ける処理時間とを概揃えることを特徴とする。

【００１１】請求項３の発明は、請求項２の発明におい
て、第１の処理部及び第２の処理部における処理は、各
々被処理基板を回転自在な載置台の上に載置して行わ
れ、乾燥工程は、前記載置台により被処理基板を回転さ
せて塗布液を乾燥させる工程であることを特徴とする。

【００１２】

【作用】被処理体を第１の処理部、第２の処理部の順で
シリーズに通すことにより、塗布処理部における、一の
被処理基板の処理終了時点から次の被処理基板の処理終
了時点までの間隔Ｔが、従来のように塗布処理及びリン
ス処理を共通の処理部で行っていた場合に比べて短くな
る。そして前記時間間隔Ｔを露光装置のタクトタイム
（１枚のウエハの処理に要する時間）以下に設定するこ
とにより、露光装置の待機時間を少なくして高いスルー
プットで処理できる。

【００１３】更にレジスト液をウエハＷ表面に塗布した
後、リンス処理を行う前に塗布膜を乾燥させなければな
らないが、この乾燥工程を第１の処理部と第２の処理部
とに配分して、第１の処理部における処理時間（前段の
処理時間）と第２の処理部における処理時間（後段の処
理時間）とを概揃えているため、前記時間間隔Ｔを略最
短に近いものとすることができる。

【００１４】

【実施例】以下に本発明を、ウエハ上にレジストのマス
クを形成するための塗布・現像装置にて行われる塗布膜
形成方法に適用した実施例について説明する。先ず本発
明の実施例を実施するための塗布処理部を含む塗布・現
像装置の全体構成について図１を参照しながら簡単に述
べておく。図１中２ａはキャリアステージ、２ｂはウエ
ハ搬送機構であり、被処理基板、例えばウエハＷを複数
枚収納したキャリア２ｃがキャリアステージ２ａに載置
される。２１はウエハ搬送用のメインアームであり、キ
ャリア２ｃ内のウエハＷは、搬送機構２ｂ及びメインア
ーム２１を介して搬送され、アドヒージョン処理部２２
にて疎水化処理が施され、冷却部２３にて冷却された
後、本発明方法を実施する塗布処理部２４にてフォトレ
ジスト膜すなわち感光膜が塗布形成される。そして、こ
のフォトレジスト膜が加熱部２５にて加熱されてベーキ
ング処理が施された後、インターフェイス２７の搬送機
構２８により露光装置２６に搬送され、露光装置２６に
より所定のパターンが露光される。そして、露光後のウ
エハは現像処理部２９内へ搬送され、現像液により現像
された後、メインアーム２１及び搬送機構２ｂを通じて
例えば元のキャリア２ｃ内に戻される。

【００１５】次に本発明方法を実施するための塗布処理
部の一例について述べる。この塗布処理部は図１におい
て２４で示してあるが、第１の処理部３Ａ及び第２の処
理部３Ｂよりなる。図２及び図３は夫々前記塗布処理部
２４の側面図及び平面図であり、第１の処理部３Ａは、
開閉自在なカバー体３０Ａを有し、また、内部にウエハ
Ｗを水平に真空吸着して回転するスピンチャック４と、
このスピンチャック４を収容する処理容器４０と、塗布
液例えばレジスト液をウエハＷに塗布する塗布機構５と
を備えている。

【００１６】スピンチャック４は、回転軸４１の頂部に
設けられ、この回転軸４１は、モーター、エアシリンダ
ー等を使用した駆動部４２により垂直軸まわりに回転し
かつ昇降できるようになっている。処理容器４０は、ス
ピンチャック４上のウエハＷを囲むように設けられた外
容器４３と、ウエハＷの下方側に設けられ、上部に水平
な環状面部４４ａが形成された筒状部４４とを備え、外
容器４３の底部には、図示しない真空ポンプなどの吸引
手段が介設される排気管４５、及びレジスト液等が排出
される排液管４６が接続されている。

【００１７】処理容器４０の側方には、図２〜図４に示
すように複数例えば４種類のレジスト液をウエハＷに供
給するための４個のレジスト液供給部５１Ａ〜５１Ｄ
が、夫々載置カップ５２上に載置されている。レジスト
液供給部５１Ａ〜５１Ｄは、温調部５３を備えたノズル
５４を保持部材５５に取り付けて構成され、ノズル５４
の基端側はレジスト液供給管５６に接続されている。レ
ジスト液供給管５６には、図４に示すようにバルブＶ及
びポンプＰが介設されると共にその供給端側にはレジス
ト液を貯溜する容器５７が接続されており、こうして４
種類のレジスト液の供給系統（ただし便宜上各系統の部
材には共通の符号を付してある）が構成される。

【００１８】前記載置カップ５２は、ガイド部５８にガ
イドされながらＹ方向に移動するＹ方向移動部５９の上
に設けられている。更に処理容器４０の上方側には、レ
ジスト液供給部５１Ａ〜５１Ｄを、載置カップ５２と、
スピンチャック４上のウエハＷの上方領域との間で移動
させるためのアーム部材６１が設けられている。このア
ーム部材６１の先端部はレジスト液供給部５１Ａ〜５１
Ｄの保持部材５５の上面を例えば真空吸着して保持する
ように構成されると共に、アーム部材６１の基端部は、
昇降部６２により上下Ｚ方向に昇降される昇降軸６３に
取り付けられており、昇降部６２は、ガイド部６４によ
りガイドされながらＹ方向に移動できるように構成され
ている。なお前記Ｙ方向移動部５９及び昇降部６２は、
例えばボールネジやベルト、モーター、エアーシリンダ
ーなどを使用した駆動機構により夫々Ｙ方向、Ｘ，Ｚ方
向に移動制御される。この実施例ではレジスト液供給部
５１Ａ〜５１Ｄ及びアーム部材６１などにより塗布機構
５が構成される。

【００１９】そして前記第２の処理部３Ｂは、処理容器
４０にＸ方向に隣接して設けられ、開閉自在なカバー体
３０Ｂを有し、また、内部にウエハＷを水平に真空吸着
して回転するスピンチャック７と、第１の処理部３Ａに
てウエハＷ上に塗布形成されたレジスト膜の一部をリン
スするためのリンス機構８とを備えている。スピンチャ
ック７は回転軸７１の頂部に設けられ、この回転軸７１
はモーター、エアーシリンダー等を使用した駆動部７２
により垂直軸まわりに回転しかつ昇降できるようになっ
ている。

【００２０】リンス機構８はスピンチャック７上のウエ
ハＷを挟んで夫々上下に位置するように保持部材８１に
保持された上側ノズル８２及び下側ノズル８３を備えて
おり、両ノズル８２、８３は、リンス液をウエハＷの表
面周縁部及び裏面周縁部に吹き付けるように構成される
と共に、ノズル８２、８３の基端側は、リンス液供給管
８４を介してリンス液例えばシンナーの供給源（図示せ
ず）に接続されている。リンス機構８の役割について
は、ウエハＷの表面に形成されたレジスト膜のうち回路
パターン形成領域から外れている周縁部については、そ
の後剥がれてパーティクルの発生源となり、またレジス
ト液の塗布時にレジスト液の一部が裏面側にまわり込
み、この裏面側のレジスト膜もその後剥がれてパーティ
クルの発生源となるため、ウエハＷの周縁部及び裏面の
レジスト膜を除去するためのものである。保持部材８１
は、水平な回転アーム８５の一端側に設けられており、
回転アーム８５は、駆動部８６により垂直軸のまわりに
回転する回転軸８７の頂部に取り付けられている。

【００２１】更に上述の塗布処理部は、第１の処理部３
Ａ内の雰囲気と第２の処理部３Ｂ内の雰囲気とは連通状
態に構成されており、また、ウエハＷを第１の処理部３
Ａから第２の処理部３Ｂに直接搬送するための専用の搬
送機構９を備えている。この搬送機構９は、図２、図３
及び図５に示すように処理容器４０の上方位置におい
て、Ｘ方向に平行に伸びる一対のレール９１、９２と、
このレール９１、９２にガイドされながらＸ方向に移動
する搬送基台９３と、この搬送基台９３に設けられ、Ｙ
方向に同期して移動する、つまりＹ方向に開閉する、ウ
エハＷの周縁を把持する把持アーム９４、９５とを備え
ている。また、各処理部３Ａ、３Ｂのメインアーム２１
側には、ウエハＷ搬送用の開口部（図示せず）が各々設
けられている。

【００２２】次に上述の塗布処理部を用いて行われる塗
布膜形成方法について図６を参照しながら説明する。先
ず図１に示すメインアーム２１により第１の処理部３Ａ
のスピンチャック４上にウエハＷが受け渡される。この
受け渡しは、スピンチャック４の昇降動作及びメインア
ーム２１の進退動作の協働作用により行われる。そして
スピンチャック４によりウエハＷを真空吸着し、ウエハ
Ｗを回転させない状態であるいは所定の回転数で回転さ
せた状態で、図６（ａ）に示すように例えばレジスト液
供給部５１Ｂをアーム部材６１により保持してウエハＷ
の中心部上方に移動させて、処理液をウエハＷの中心部
に例えば３秒間滴下する。その後ウエハＷを例えば３０
００ｒｐｍで５秒間回転させてその遠心力によりレジス
ト液をウエハＷの中心部から周縁部方向に伸展させ、こ
うしてウエハＷの表面上にレジスト液が塗布される。な
おウエハＷをメインアーム２１からスピンチャック４上
に受け渡してから、前記塗布工程が終了するまで（スピ
ンチャック４を静止させるまで）の時間は例えば２０秒
程度とされる。

【００２３】しかる後スピンチャック４上のウエハＷ
は、図６（ｂ）に示すように把持アーム９４、９５に把
持されて第２の処理部３Ｂのスピンチャック７１上に受
け渡され、スピンチャック７１により真空吸着される。
この受け渡しは、スピンチャック４、７１の昇降動作及
び把持アーム９４、９５の開閉動作の協働作用により行
われる。レジスト液を塗布した後、このまま周縁部のレ
ジスト膜をリンスするとリンスされた縁部がダレを生じ
た状態となりその後のパーティクルの発生源となるた
め、乾燥工程が行われる。この乾燥工程は、図６（ｃ）
に示すように例えばウエハＷを例えば１０００ｒｐｍの
回転数で例えば１０秒間維持し、その遠心力により液分
を振り切って乾燥させることにより行われる。

【００２４】続いてウエハＷを例えば１５００ｒｐｍの
回転数で回転させると共に、保持部材８１が待機位置か
らウエハＷの周縁部を挟む位置まで回転し、上側ノズル
８２及び下側ノズル８３からリンス液例えばシンナーが
ウエハＷの周縁部に吹き付けられて、ウエハＷの表面周
縁部及び裏面周縁部のレジスト膜を除去し、こうしてレ
ジスト膜形成工程が終了する。この工程の後スピンチャ
ック７１上のウエハＷはメインアーム２１に受け渡され
て、図１に示す加熱部２５を介して露光装置２６へ搬送
されることになる。ここでウエハＷをスピンチャック７
１上に受け渡してから乾燥工程及びリンス工程が終了す
るまで（スピンチャック７１を静止させるまで）の時間
は例えば２０秒程度とされ、第１の処理部３Ａにおける
処理時間と第２の処理部３Ｂにおける処理時間とが揃え
られている。

【００２５】上述の実施例のように、塗布処理を行う第
１の処理部３Ａとリンス処理を行う第２の処理部３Ｂと
を隣接して設けて、一旦、ウエハＷを第１の処理部３Ａ
から搬出し第２の処理部３Ｂに搬入するようなことは行
わず、被処理基板を第１の処理部３Ａ、第２の処理部３
Ｂの順でシリーズに通すことにより、塗布処理部にて一
の被処理基板の処理終了時点から次の被処理基板の処理
終了時点までの時間間隔Ｔが、従来のように塗布処理及
びリンス処理を共通の処理部で（詳しくは共通の処理部
で共通のスピンチャックを用いて）行っていた場合に比
べて短くなる。また、処理部外の外気には触れないので
ウエハＷへの外気中のパーティクルの付着を無くすこと
が可能になる。

【００２６】そして前記時間間隔Ｔを露光装置のタクト
タイム（１枚のウエハの処理に要する時間）以下に設定
することにより、露光装置の待機時間を可能な限り少な
くしてフル稼動することができ、露光装置の本来持って
いるスループットを引き出すことができ、結局塗布・現
像装置全体の処理能力を向上させることができる。しか
もレジスト液供給系は塗布処理部１台分でよいから塗布
処理部を２台設ける場合に比べてレジスト液の供給系統
に係る設備を少なくできスペースが小さくて済むし、コ
ストも低くなる。

【００２７】更にレジスト液をウエハＷ表面に塗布した
後、リンス処理を行う前に塗布膜を乾燥させなければな
らないが、この乾燥工程を第１の処理部３Ａと第２の処
理部３Ｂとに配分して、第１の処理部３Ａにおける処理
時間（前段の処理時間）と第２の処理部３Ｂにおける処
理時間（後段の処理時間）とを揃えているため、前記時
間間隔Ｔを略最短に近いものとすることができる。例え
ばレジスト液を塗布するのに必要な時間とリンス処理を
行うのに必要な時間とが揃っていれば、乾燥に必要な時
間を略二分して前段の処理及び後段の処理に振り分けれ
ばよいし、あるいは例えばリンス処理の時間の方が短け
れば、後段の処理で行われる乾燥工程の時間を長くし
て、つまり第２の処理部３Ｂにて行われる、リンス処理
の前の乾燥工程の時間を長くして前段、後段の処理時間
を揃えればよい。

【００２８】ここで前段、後段の処理時間を揃えると
は、第１の処理部３Ａ内にウエハＷが搬入されてから、
塗布工程を経て乾燥が終るまでの時間と、第２の処理部
内にウエハＷが搬入されてから乾燥工程を経てリンスを
終了するまでの時間と、を揃えることである。なお上述
の前段、後段の処理時間を揃えるとは、完全に１秒たり
とも差がないという厳密なものではなく、両者の処理時
間が近くて略同じであるという程度の場合も含むもので
ある。仮に両者の処理時間が揃っておらず例えば前段の
処理時間が後段の処理時間よりも長いとすると、塗布処
理部における前記時間間隔Ｔは長い方の処理時間で決ま
ってしまい、塗布処理及びリンス処理のシリーズ化を有
効に活用できなくなってしまう。即ち前段、後段の処理
時間を、乾燥工程の振り分けにより調整して揃えること
で、はじめてシリーズ化を有効に活用することができ
る。ただし乾燥工程は必ずしも第１の処理部及び第２の
処理部に配分することに限定されるものではなく、例え
ば第１の処理部内にウエハＷが搬入されてから塗布工程
を終了するまでの時間と、乾燥に必要な時間及びリンス
に必要な時間の合計時間と、が揃っていれば第１の処理
部にて乾燥を行わなくてもよい。

【００２９】ここでリンスの前に行われる乾燥とは、例
えばウエハＷを回転させて塗布膜中の液分を飛ばす（蒸
発させる）工程であるが、ウエハＷを回転させる代り
に、あるいはウエハＷの回転と共にＮ₂ガスなどの不活
性ガスをウエハＷ表面に吹き付けるなどしてもよい。ま
た塗布液をウエハＷ上に滴下し、回転させて所定の膜厚
の塗布膜を形成した後、ウエハＷをそのときの回転数か
ら０にするまでの回転動作も乾燥工程に含まれる。

【００３０】以上において第１の処理部３Ａから第２の
処理部３ＢにウエハＷを搬送する手段としては、上述実
施例のように塗布処理部２４の内部に設けた搬送機構９
に限らず、メインアーム２１を利用してもよい。また本
発明方法は、ウエハＷ上にガラス膜（ＳＯＧ膜）となる
塗布液を塗布し、その後ＳＯＧ膜を加熱装置で焼き締め
るシステムにおいてＳＯＧ膜の形成工程に利用してもよ
い。なお被処理基板としてはウエハに限らずＬＣＤディ
スプレイ用のガラス基板などであってもよい。方形状の
ＬＣＤ基板の場合、例えばキャリア２Ｃ、メインアーム
２１、把持アーム９４、９５、リンス機構８やその他の
各部分は、ＬＣＤ基板に対応させて構成することは言う
までもない。

【００３１】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、露光装置の待
機時間をなくして高いスループットで全体の処理を行う
ことができ、塗布処理部のスペースも小さくて済む。そ
して請求項２、３の発明によれば、塗布工程とリンス工
程との間に行われる乾燥工程を第１の処理部と第２の処
置部とに振り分けて（一方の処理部で乾燥工程が行われ
ない場合も含む）第１の処理部の処理時間と第２の処理
部の処理時間とを揃えているため、高いスループットで
塗布膜形成工程を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法を実施する塗布処理部を適用した塗
布・現像装置及び露光装置を示す概略斜視図である。

【図２】本発明方法を実施する塗布処理部を示す側面図
である。

【図３】本発明方法を実施する塗布処理部を示す平面図
である。

【図４】塗布機構を示す斜視図である。

【図５】搬送機構を示す斜視図である。

【図６】本発明方法の一実施例を示す説明図である。

【図７】従来の塗布処理部を含む塗布・現像装置及び露
光装置の各部のレイアウトを示す説明図である。

【図８】従来の塗布膜形成方法を示す説明図である。

【符号の説明】

２４塗布処理部３Ａ第１の処理部３Ｂ第２の処理部４スピンチャック４０処理容器５塗布機構５１Ａ〜５１Ｂレジスト液供給部５４レジスト液供給用のノズル６１アーム部材７スピンチャック８リンス機構８１保持部材８２リンス液供給用のノズル９搬送機構９４、９５把持アーム

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理基板の表面に、露光工程で露光さ
れるレジスト膜を形成する方法において、第１の処理部内にて塗布機構により被処理基板の表面に
レジスト液を塗布する塗布工程と、次いで前記被処理基板を、前記第１の処理部に隣接する
第２の処理部内に搬送する搬送工程と、その後前記第２の処理部内にてリンス機構により被処理
基板の不要なレジスト液を除去するリンス工程と、を備
え、一の被処理基板がリンス工程を終了してから次の被処理
基板のリンス工程を終了するまでの時間が、一の被処理
基板について露光工程に要する時間以下であることを特
徴とする塗布膜形成方法。
【請求項２】被処理基板の表面に塗布膜を形成する方
法において、第１の処理部内にて塗布機構により被処理基板の表面に
塗布液を塗布する塗布工程と、次いで前記被処理基板を、前記第１の処理部に隣接する
第２の処理部内に搬送する搬送工程と、この搬送工程の前に前記第１の処理部内にて、及び／ま
たは前記搬送工程の後に前記第２の処理部内にて被処理
基板の塗布液を乾燥する乾燥工程と、その後前記第２の処理部内にてリンス機構により被処理
基板の不要な塗布液を除去するリンス工程と、を備え、第１の処理部及び第２の処理部における前記乾燥工程の
時間配分を調整することにより第１の処理部における処
理時間と第２の処理部における処理時間とを概揃えるこ
とを特徴とする塗布膜形成方法。
【請求項３】第１の処理部及び第２の処理部における
処理は、各々被処理基板を回転自在な載置台の上に載置
して行われ、乾燥工程は、前記載置台により被処理基板を回転させて
塗布液を乾燥させる工程であることを特徴とする請求項
２記載の塗布膜形成方法。