JP2002057138A - 回転式基板処理装置 - Google Patents
回転式基板処理装置Info
- Publication number
- JP2002057138A JP2002057138A JP2000238578A JP2000238578A JP2002057138A JP 2002057138 A JP2002057138 A JP 2002057138A JP 2000238578 A JP2000238578 A JP 2000238578A JP 2000238578 A JP2000238578 A JP 2000238578A JP 2002057138 A JP2002057138 A JP 2002057138A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- rotor
- cleaning
- back surface
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板をロータで回転させながらその表面に薬
液を供給する基板処理において、基板の洗浄・乾燥後に
その裏面に薬液が残る現象を回避する。 【解決手段】 洗浄手段として、基板１０の表面に純水
を吹き付けるスプレーノズル８０と、基板１０の裏面に
純水を吹き付ける純水ノズル５０と、ロータ２０の裏面
外周部に純水を吹き付ける純水ノズル６０とを設ける。
洗浄時にロータ２０の裏面外周部を洗浄することによ
り、回転乾燥時に、ロータ２０の裏面外周部から基板１
０の裏面への薬液の再付着が防止される。
液を供給する基板処理において、基板の洗浄・乾燥後に
その裏面に薬液が残る現象を回避する。 【解決手段】 洗浄手段として、基板１０の表面に純水
を吹き付けるスプレーノズル８０と、基板１０の裏面に
純水を吹き付ける純水ノズル５０と、ロータ２０の裏面
外周部に純水を吹き付ける純水ノズル６０とを設ける。
洗浄時にロータ２０の裏面外周部を洗浄することによ
り、回転乾燥時に、ロータ２０の裏面外周部から基板１
０の裏面への薬液の再付着が防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶用ガラス基板
や半導体ウエーハにウエット処理を行う回転式基板処理
装置に関する。
や半導体ウエーハにウエット処理を行う回転式基板処理
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶用ガラス基板の製造においては、素
材であるガラス基板の表面にレジスト塗布、エッチン
グ、レジスト剥離等の処理が繰り返される。このような
ガラス基板の処理に使用される基板処理装置の一つとし
て回転式のものがある。
材であるガラス基板の表面にレジスト塗布、エッチン
グ、レジスト剥離等の処理が繰り返される。このような
ガラス基板の処理に使用される基板処理装置の一つとし
て回転式のものがある。
【０００３】回転式の基板処理装置は、基板をロータ上
で回転させながら、スプレーユニットにより上方から基
板の表面にエッチング液、剥離液等の薬液を供給する。
薬液による処理が終わると、別のスプレーユニットによ
り上方から基板の表面に洗浄用の純水を吹き付ける。洗
浄が終わると、基板を高速で回転させて乾燥する。
で回転させながら、スプレーユニットにより上方から基
板の表面にエッチング液、剥離液等の薬液を供給する。
薬液による処理が終わると、別のスプレーユニットによ
り上方から基板の表面に洗浄用の純水を吹き付ける。洗
浄が終わると、基板を高速で回転させて乾燥する。
【０００４】洗浄については、基板の裏面の薬液による
汚れを除去するために、裏面にも洗浄液を吹き付ける場
合が多い。また、乾燥に関しては、遠心力が作用しない
回転中心部の乾燥を促進するために、その中心部に表面
側及び裏面側から窒素ガスを吹き付ける場合が多い。
汚れを除去するために、裏面にも洗浄液を吹き付ける場
合が多い。また、乾燥に関しては、遠心力が作用しない
回転中心部の乾燥を促進するために、その中心部に表面
側及び裏面側から窒素ガスを吹き付ける場合が多い。
【０００５】一方、ロータについては、使用後の液体を
回収するために、その外径を基板の回転円の最大径より
大きくし、使用後の液体を基板上から外周側へ排出する
際の液ガイドを兼ねる構造が通常採用されている。
回収するために、その外径を基板の回転円の最大径より
大きくし、使用後の液体を基板上から外周側へ排出する
際の液ガイドを兼ねる構造が通常採用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の回転式基板処理装置においては、基板の裏面
を洗浄する場合にあっても、乾燥後の基板の裏面、特に
中央部裏面に薬液のミストが付着残存する問題のあるこ
とが判明した。この現象は、乾燥時に基板の回転中心部
裏面に窒素ガスを吹き付ける場合に特に顕著であり、基
板の裏面へ吹き付ける洗浄液を増量しても一向に解消さ
れないことも明らかになった。
うな従来の回転式基板処理装置においては、基板の裏面
を洗浄する場合にあっても、乾燥後の基板の裏面、特に
中央部裏面に薬液のミストが付着残存する問題のあるこ
とが判明した。この現象は、乾燥時に基板の回転中心部
裏面に窒素ガスを吹き付ける場合に特に顕著であり、基
板の裏面へ吹き付ける洗浄液を増量しても一向に解消さ
れないことも明らかになった。
【０００７】本発明の目的は、洗浄液の増量によっても
除去されない基板裏面の汚れを確実に除去できる回転式
基板処理装置を提供することにある。
除去されない基板裏面の汚れを確実に除去できる回転式
基板処理装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは洗浄・乾燥後の基板の中央部裏面に薬
液のミストが付着残存する現象の原因を子細に調査し
た。その結果、基板を回転させるロータの裏面、とりわ
け外周縁部の裏面に付着残存する薬液によるものである
ことが判明した。
に、本発明者らは洗浄・乾燥後の基板の中央部裏面に薬
液のミストが付着残存する現象の原因を子細に調査し
た。その結果、基板を回転させるロータの裏面、とりわ
け外周縁部の裏面に付着残存する薬液によるものである
ことが判明した。
【０００９】即ち、ロータは、前述したように、使用後
の液体を基板上から外周側へ排出する際の液ガイドを兼
ねることもあって、薬液による処理中に薬液による汚れ
を生じる。ロータの表面に付着する汚れは、洗浄中に基
板の裏面に吹き付けられ純水により除去されるが、この
汚れは、ロータの裏面、とりわけ外周縁部の裏面に及ん
でおり、このロータ裏面の汚れは、洗浄中に基板の裏面
に吹き付けられる純水によっては除去されない。その結
果、洗浄後もロータ裏面に薬液が残存し、洗浄に続く回
転乾燥時にミストとなって拡散し、基板の回転中心部裏
面に窒素ガスを吹き付ける場合に、その中央部裏面に特
に顕著に薬液ミストが再付着する。
の液体を基板上から外周側へ排出する際の液ガイドを兼
ねることもあって、薬液による処理中に薬液による汚れ
を生じる。ロータの表面に付着する汚れは、洗浄中に基
板の裏面に吹き付けられ純水により除去されるが、この
汚れは、ロータの裏面、とりわけ外周縁部の裏面に及ん
でおり、このロータ裏面の汚れは、洗浄中に基板の裏面
に吹き付けられる純水によっては除去されない。その結
果、洗浄後もロータ裏面に薬液が残存し、洗浄に続く回
転乾燥時にミストとなって拡散し、基板の回転中心部裏
面に窒素ガスを吹き付ける場合に、その中央部裏面に特
に顕著に薬液ミストが再付着する。
【００１０】本発明の回転式基板処理装置は、かかる知
見に基づいて開発されたものであり、基板を処理槽内で
ほぼ水平に支持して回転させるロータと、基板の表面に
薬液を供給する薬液供給手段と、基板の少なくとも表面
に洗浄液を吹き付ける基板洗浄手段と、ロータの裏面に
洗浄液を吹き付けるロータ洗浄手段とを具備しており、
これにより、洗浄液の増量によっても解消されない基板
裏面の汚れを確実に除去し得る。
見に基づいて開発されたものであり、基板を処理槽内で
ほぼ水平に支持して回転させるロータと、基板の表面に
薬液を供給する薬液供給手段と、基板の少なくとも表面
に洗浄液を吹き付ける基板洗浄手段と、ロータの裏面に
洗浄液を吹き付けるロータ洗浄手段とを具備しており、
これにより、洗浄液の増量によっても解消されない基板
裏面の汚れを確実に除去し得る。
【００１１】ロータ洗浄手段は、ロータの少なくとも外
周縁部を含む裏面に洗浄液を散布する構成が好ましい。
これにより基板裏面の汚れが特に効果的に除去され得
る。
周縁部を含む裏面に洗浄液を散布する構成が好ましい。
これにより基板裏面の汚れが特に効果的に除去され得
る。
【００１２】ロータは、基板に散布された薬液及び洗浄
液を外周側へ排出する際の液ガイドを兼ねる構成が好ま
しい。この場合にあっても、基板裏面の汚れが確実に除
去され得る。
液を外周側へ排出する際の液ガイドを兼ねる構成が好ま
しい。この場合にあっても、基板裏面の汚れが確実に除
去され得る。
【００１３】基板洗浄手段は、基板の表面及び裏面に洗
浄液を散布する構成が好ましい。また、基板の回転中心
部裏面にガスを吹き付けるガスパージ手段と組み合わせ
るのが好ましい。この場合にあっても、基板裏面の汚れ
が確実に除去され得る。
浄液を散布する構成が好ましい。また、基板の回転中心
部裏面にガスを吹き付けるガスパージ手段と組み合わせ
るのが好ましい。この場合にあっても、基板裏面の汚れ
が確実に除去され得る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は本発明の１実施形態を示す回
転式基板処理装置の主要部の側面図である。
基づいて説明する。図１は本発明の１実施形態を示す回
転式基板処理装置の主要部の側面図である。
【００１５】本実施形態の回転式基板処理装置は、液晶
用ガラス基板１０のエッチング処理又はレジスト剥離処
理に使用される。この回転式基板処理装置は、図示され
ない処理槽の中心部に配置されたロータ２０及びその回
転駆動機構３０を備えている。
用ガラス基板１０のエッチング処理又はレジスト剥離処
理に使用される。この回転式基板処理装置は、図示され
ない処理槽の中心部に配置されたロータ２０及びその回
転駆動機構３０を備えている。
【００１６】ロータ２０は、水平な円板であって、その
上に複数のピン２１により基板１０を水平に支持する。
このロータ２０は、基板１０に供給された薬液及び洗浄
液を回収する際の液ガイドを兼ねており、その外径は、
基板１０の回転円の最大径（対角寸法）より若干大きく
されている。
上に複数のピン２１により基板１０を水平に支持する。
このロータ２０は、基板１０に供給された薬液及び洗浄
液を回収する際の液ガイドを兼ねており、その外径は、
基板１０の回転円の最大径（対角寸法）より若干大きく
されている。
【００１７】回転駆動機構３０は、円筒状の回転軸３１
の内側に固定軸３２を組み合わせた２重構造になってい
る。外側の回転軸３１は、そのヘッド部に同心状に取り
付けられた前記ロータ２０を回転させる。固定軸３２の
ヘッド部には、ガスパージ手段としての窒素ガスノズル
４０と、基板洗浄手段を構成する複数の純水ノズル５０
とが取り付けられている。
の内側に固定軸３２を組み合わせた２重構造になってい
る。外側の回転軸３１は、そのヘッド部に同心状に取り
付けられた前記ロータ２０を回転させる。固定軸３２の
ヘッド部には、ガスパージ手段としての窒素ガスノズル
４０と、基板洗浄手段を構成する複数の純水ノズル５０
とが取り付けられている。
【００１８】窒素ガスノズル４０は、ヘッド部の中心位
置に真上を向いて設けられており、乾燥工程において基
板１０の回転中心部裏面に窒素ガスを吹き付ける。複数
の純水ノズル５０は、窒素ガスノズル４０の周囲に外周
側へ傾斜して設けられており、洗浄工程において基板１
０の裏面に純水を洗浄液として吹き付ける。
置に真上を向いて設けられており、乾燥工程において基
板１０の回転中心部裏面に窒素ガスを吹き付ける。複数
の純水ノズル５０は、窒素ガスノズル４０の周囲に外周
側へ傾斜して設けられており、洗浄工程において基板１
０の裏面に純水を洗浄液として吹き付ける。
【００１９】回転駆動機構３０には又、ロータ洗浄手段
としての純水ノズル６０が取り付けられている。純水ノ
ズル６０は、ロータ２０の外周部裏面に下方から対向す
るように、回転駆動機構３０の固定部に支持部材６１に
より取り付けられている。この純水ノズル６０は、洗浄
工程においてロータ２０の外周部裏面に純水を洗浄液と
して吹き付ける。
としての純水ノズル６０が取り付けられている。純水ノ
ズル６０は、ロータ２０の外周部裏面に下方から対向す
るように、回転駆動機構３０の固定部に支持部材６１に
より取り付けられている。この純水ノズル６０は、洗浄
工程においてロータ２０の外周部裏面に純水を洗浄液と
して吹き付ける。
【００２０】ロータ２０及び回転駆動機構３０の外側に
は、液回収カップ７０が設けられている。液回収カップ
７０は、外カップ７１と内カップ７２を組み合わせた２
重構造である。内カップ７２は昇降式で、ロータ２０の
外径より僅かに大きい開口部を有し、薬液処理時は、基
板１０上に供給された薬液を外カップ７１内に導くため
に、開口部をロータ２０の僅か下方に位置させる。洗浄
時は、その廃液を内カップ７２内に導くために上昇す
る。
は、液回収カップ７０が設けられている。液回収カップ
７０は、外カップ７１と内カップ７２を組み合わせた２
重構造である。内カップ７２は昇降式で、ロータ２０の
外径より僅かに大きい開口部を有し、薬液処理時は、基
板１０上に供給された薬液を外カップ７１内に導くため
に、開口部をロータ２０の僅か下方に位置させる。洗浄
時は、その廃液を内カップ７２内に導くために上昇す
る。
【００２１】図示されない処理槽には更に、第１のスプ
レーユニット８０と、図示されない第２のスプレーユニ
ットとが設けられている。第１のスプレーユニット８０
は、複数の純水ノズル５０と共に基板洗浄手段を構成す
る。このスプレーユニット８０は、水平なヘッド８１
と、ヘッド８１を支持する支持機構８２とを備えてい
る。ヘッド８１は、基板１０の回転円の半径方向に並ぶ
複数の純水ノズル８３から基板１０の表面に純水を吹き
付ける。支持機構８２は、ヘッド８１を基板１０の表面
に対向するカップ内の使用位置とカップ外の退避位置に
移動させる。
レーユニット８０と、図示されない第２のスプレーユニ
ットとが設けられている。第１のスプレーユニット８０
は、複数の純水ノズル５０と共に基板洗浄手段を構成す
る。このスプレーユニット８０は、水平なヘッド８１
と、ヘッド８１を支持する支持機構８２とを備えてい
る。ヘッド８１は、基板１０の回転円の半径方向に並ぶ
複数の純水ノズル８３から基板１０の表面に純水を吹き
付ける。支持機構８２は、ヘッド８１を基板１０の表面
に対向するカップ内の使用位置とカップ外の退避位置に
移動させる。
【００２２】図示されない第２のスプレーユニットは、
薬液供給手段であって、第１のスプレーユニット８０と
ほぼ同じ構成であり、カップ内の使用位置でヘッドを基
板１０の表面に対向させて、その表面に薬液としてエッ
チング液又は剥離液を散布供給する。
薬液供給手段であって、第１のスプレーユニット８０と
ほぼ同じ構成であり、カップ内の使用位置でヘッドを基
板１０の表面に対向させて、その表面に薬液としてエッ
チング液又は剥離液を散布供給する。
【００２３】次に、本実施形態の回転式基板処理装置の
機能について説明する。
機能について説明する。
【００２４】処理すべき基板１０がロータ２０上にセッ
トされると、図示されない第２のスプレーユニットのヘ
ッドを基板１０の表面に対向させる。ロータ２０を駆動
して基板１０を回転させながら、基板１０の表面にヘッ
ドから薬液を供給する。基板１０の表面に供給された薬
液は、基板１０の回転に伴う遠心力により外周側へ移動
し、ロータ２０の表面を介して外カップ７１内に回収さ
れる。このとき、薬液の一部がロータ２０の裏面側へ回
りこみ、その外周縁部に付着する。
トされると、図示されない第２のスプレーユニットのヘ
ッドを基板１０の表面に対向させる。ロータ２０を駆動
して基板１０を回転させながら、基板１０の表面にヘッ
ドから薬液を供給する。基板１０の表面に供給された薬
液は、基板１０の回転に伴う遠心力により外周側へ移動
し、ロータ２０の表面を介して外カップ７１内に回収さ
れる。このとき、薬液の一部がロータ２０の裏面側へ回
りこみ、その外周縁部に付着する。
【００２５】薬液による処理が終わると、図示されない
第２のスプレーユニットのヘッドを基板１０の表面上か
ら退避させ、代わりに、第１のスプレーユニット８０の
ヘッド８１を基板１０の表面に対向させ、そのヘッド８
１から、回転中の基板１０の表面に純水を吹き付ける。
また、複数の純水ノズル５０から、その基板１０の裏面
に純水を吹き付ける。更に、純水ノズル６０から、ロー
タ２０の外周部裏面にも純水を吹き付ける。
第２のスプレーユニットのヘッドを基板１０の表面上か
ら退避させ、代わりに、第１のスプレーユニット８０の
ヘッド８１を基板１０の表面に対向させ、そのヘッド８
１から、回転中の基板１０の表面に純水を吹き付ける。
また、複数の純水ノズル５０から、その基板１０の裏面
に純水を吹き付ける。更に、純水ノズル６０から、ロー
タ２０の外周部裏面にも純水を吹き付ける。
【００２６】基板１０の表面及び裏面に純水が吹き付け
られることにより、その両面が洗浄される。洗浄により
生じる廃液は、ロータ２０の表面を介して内カップ７２
内に回収される。このとき、ロータ２０の表面に付着す
る薬液も除去される。特に、基板１０の裏面から反射す
る純水によってその表面が洗浄される。ロータ２０の外
周縁部裏面に付着する薬液は、基板１０の表面及び裏面
に吹き付けられる純水によっては殆ど除去されないが、
その除去のための専用の純水ノズル６０から噴出される
純水により、ほぼ完全に除去される。
られることにより、その両面が洗浄される。洗浄により
生じる廃液は、ロータ２０の表面を介して内カップ７２
内に回収される。このとき、ロータ２０の表面に付着す
る薬液も除去される。特に、基板１０の裏面から反射す
る純水によってその表面が洗浄される。ロータ２０の外
周縁部裏面に付着する薬液は、基板１０の表面及び裏面
に吹き付けられる純水によっては殆ど除去されないが、
その除去のための専用の純水ノズル６０から噴出される
純水により、ほぼ完全に除去される。
【００２７】洗浄が終わると、ロータ２０を高速で回転
させることにより、基板１０の表面及び裏面から残存水
を除去する。また、遠心力が作用しない基板１０の中心
部裏面に窒素ガスノズル７０から窒素ガスを吹き付け
る。また、図示されない同様の窒素ガスノズルから、基
板１０の中心部表面に窒素ガスを吹き付ける。このと
き、ロータ２０の外周縁部裏面に薬液が残存している
と、その薬液がミストになって拡散し、基板１０の中心
部裏面に再付着するが、その薬液が事前に除去されてい
るので、このミスト付着の懸念がない。
させることにより、基板１０の表面及び裏面から残存水
を除去する。また、遠心力が作用しない基板１０の中心
部裏面に窒素ガスノズル７０から窒素ガスを吹き付け
る。また、図示されない同様の窒素ガスノズルから、基
板１０の中心部表面に窒素ガスを吹き付ける。このと
き、ロータ２０の外周縁部裏面に薬液が残存している
と、その薬液がミストになって拡散し、基板１０の中心
部裏面に再付着するが、その薬液が事前に除去されてい
るので、このミスト付着の懸念がない。
【００２８】
【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明の回転式
基板処理装置は、ロータの裏面に洗浄液を吹き付けるロ
ータ洗浄手段を装備することにより、洗浄液の増量によ
っても除去されない基板裏面の汚れを確実に除去でき
る。特に、ガスパージによって回転中心部の乾燥効果を
高める場合に、その汚れを確実に除去できるので、処理
品質の向上に大きな効果を発揮する。
基板処理装置は、ロータの裏面に洗浄液を吹き付けるロ
ータ洗浄手段を装備することにより、洗浄液の増量によ
っても除去されない基板裏面の汚れを確実に除去でき
る。特に、ガスパージによって回転中心部の乾燥効果を
高める場合に、その汚れを確実に除去できるので、処理
品質の向上に大きな効果を発揮する。
【図１】本発明の１実施形態を示す回転式基板処理装置
の主要部の側面図である。
の主要部の側面図である。
【符号の説明】 １０ 基板 ２０ ロータ ３０ 回転駆動機構 ４０ 窒素ガスノズル ５０ 純水ノズル（基板洗浄手段） ６０ 純水ノズル（ロータ洗浄手段） ７０ 液回収カップ ８０ スプレーノズル（基板洗浄手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３Ｚ ５Ｆ０４６ Ｈ０１Ｌ 21/027 ６４３Ａ 21/304 ６４３ 21/306 Ｒ 21/30 ５７２Ｂ Ｆターム(参考） 2H025 AA18 AB16 EA10 2H088 FA21 FA30 HA01 2H090 JC19 3B201 AA02 AB01 AB34 BB24 BB92 BB93 CB12 CC12 5F043 AA37 AA40 BB25 DD30 EE07 EE08 GG10 5F046 MA10
Claims (5)
- 【請求項１】 基板を処理槽内でほぼ水平に支持して回
転させるロータと、基板の表面に薬液を供給する薬液供
給手段と、基板の少なくとも表面に洗浄液を吹き付ける
基板洗浄手段と、ロータの裏面に洗浄液を吹き付けるロ
ータ洗浄手段とを具備することを特徴とする回転式基板
処理装置。 - 【請求項２】 前記ロータは、基板に供給された薬液及
び洗浄液を外周側へ排出する際の液ガイドを兼ねる請求
項１に記載の回転式基板処理装置。 - 【請求項３】 前記ロータ洗浄手段は、ロータの少なく
とも外周部を含む裏面に洗浄液を吹き付ける請求項１に
記載の回転式基板処理装置。 - 【請求項４】 前記基板洗浄手段は、基板の表面及び裏
面に洗浄液を吹き付ける請求項１に記載の回転式基板処
理装置。 - 【請求項５】 前記基板洗浄手段は、基板の回転中心部
裏面にガスを吹き付けるガスパージ手段と組み合わされ
る請求項４に記載の回転式基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000238578A JP3559228B2 (ja) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | 回転式基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000238578A JP3559228B2 (ja) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | 回転式基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002057138A true JP2002057138A (ja) | 2002-02-22 |
| JP3559228B2 JP3559228B2 (ja) | 2004-08-25 |
Family
ID=18730263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000238578A Expired - Fee Related JP3559228B2 (ja) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | 回転式基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3559228B2 (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003303804A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2007044686A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-02-22 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板のスピン処理装置 |
| CN100345258C (zh) * | 2002-12-25 | 2007-10-24 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体器件的制造方法 |
| CN102140669A (zh) * | 2011-03-17 | 2011-08-03 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 硅片电镀铜后的清洗方法 |
| JP2012033961A (ja) * | 2007-09-19 | 2012-02-16 | Semes Co Ltd | 基板加工装置 |
| JP2013239491A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2018037448A (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置およびノズル洗浄方法 |
| CN111001606A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-14 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种半导体清洗设备 |
| CN111112186A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-05-08 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种晶圆片清洗设备 |
| KR20200078128A (ko) * | 2018-12-21 | 2020-07-01 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| CN112652560A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-13 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种晶圆清洗系统 |
| CN112735986A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种晶圆复合清洗方法 |
| CN112736017A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-30 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种用于单晶圆片背面清洁机构及其使用方法 |
| CN112736019A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-30 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种用于提升单晶圆背面清洁度的装置 |
| CN112735985A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种单片式湿法清洗设备 |
| CN112735989A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种适用于供酸系统的高洁净湿法设备 |
| CN112750688A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-04 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种晶圆清洗方法 |
| CN112786493A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-11 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种有效防止晶圆交叉污染的气流控制模组 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105552007B (zh) * | 2016-02-24 | 2019-05-10 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种提高晶片腐蚀均匀性的装置及方法 |
-
2000
- 2000-08-07 JP JP2000238578A patent/JP3559228B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003303804A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| CN100345258C (zh) * | 2002-12-25 | 2007-10-24 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体器件的制造方法 |
| JP2007044686A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-02-22 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板のスピン処理装置 |
| JP2012033961A (ja) * | 2007-09-19 | 2012-02-16 | Semes Co Ltd | 基板加工装置 |
| CN102140669A (zh) * | 2011-03-17 | 2011-08-03 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 硅片电镀铜后的清洗方法 |
| JP2013239491A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2018037448A (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置およびノズル洗浄方法 |
| KR102139606B1 (ko) * | 2018-12-21 | 2020-07-30 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| KR20200078128A (ko) * | 2018-12-21 | 2020-07-01 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| CN111112186A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-05-08 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种晶圆片清洗设备 |
| CN111001606A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-14 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种半导体清洗设备 |
| CN111112186B (zh) * | 2019-12-27 | 2022-08-09 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种晶圆片清洗设备 |
| CN112736019A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-30 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种用于提升单晶圆背面清洁度的装置 |
| CN112736017A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-30 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种用于单晶圆片背面清洁机构及其使用方法 |
| CN112652560A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-13 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种晶圆清洗系统 |
| CN112652560B (zh) * | 2020-12-30 | 2023-03-14 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种晶圆清洗系统 |
| CN112735986A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种晶圆复合清洗方法 |
| CN112735985A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种单片式湿法清洗设备 |
| CN112735989A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种适用于供酸系统的高洁净湿法设备 |
| CN112750688A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-04 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种晶圆清洗方法 |
| CN112786493A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-11 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种有效防止晶圆交叉污染的气流控制模组 |
| CN112786493B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-12-20 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种有效防止晶圆交叉污染的气流控制模组 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3559228B2 (ja) | 2004-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3559228B2 (ja) | 回転式基板処理装置 | |
| JP3322853B2 (ja) | 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法 | |
| JP5730298B2 (ja) | 粒子汚染物除去方法およびそのシステム | |
| JP2002057088A (ja) | 基板処理装置および現像処理装置 | |
| JP2001319908A (ja) | 被処理物のウエット処理方法及びその装置 | |
| JPH10189511A (ja) | ウェーハ洗浄装置 | |
| JP2003332287A (ja) | 基板洗浄方法及びその装置 | |
| JP2000114219A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH10199852A (ja) | 回転式基板処理装置 | |
| JP2002143749A (ja) | 回転塗布装置 | |
| JP3425895B2 (ja) | 回転式基板乾燥装置および乾燥方法 | |
| JPH09162159A (ja) | 回転式基板乾燥装置 | |
| JP3321658B2 (ja) | 液晶表示装置の製法 | |
| JP2891951B2 (ja) | フォトレジスト現像装置 | |
| JP3330002B2 (ja) | 回転式基板乾燥方法および回転式基板乾燥装置 | |
| WO2020095582A1 (ja) | 処理カップユニットおよび基板処理装置 | |
| JP2002208580A (ja) | スクラバー洗浄装置 | |
| JP2002124508A (ja) | 基板用スピン処理装置 | |
| JP3903879B2 (ja) | 半導体基板のエッチング処理方法 | |
| JP2978806B2 (ja) | 基板の処理方法 | |
| JP2922754B2 (ja) | 回転式基板乾燥装置及び回転式基板乾燥方法 | |
| JP2624426B2 (ja) | 角形基板の洗浄装置 | |
| JP2001334219A (ja) | スピン処理装置及びスピン処理方法 | |
| JP2003243349A (ja) | 基板処理方法 | |
| JP3145177B2 (ja) | スピン洗浄乾燥装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040202 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040520 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090528 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090528 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100528 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100528 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100528 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110528 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110528 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120528 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120528 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |