JPS6161416A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS6161416A JPS6161416A JP18250584A JP18250584A JPS6161416A JP S6161416 A JPS6161416 A JP S6161416A JP 18250584 A JP18250584 A JP 18250584A JP 18250584 A JP18250584 A JP 18250584A JP S6161416 A JPS6161416 A JP S6161416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- nozzle
- agent
- chemical
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置製造において、特に半導体基板の
表面に種々の薬剤を滴下あるいは噴霧して、該基板の表
面に所望のパターンを形成するのに使用される半導体製
造装置に関するものである。
表面に種々の薬剤を滴下あるいは噴霧して、該基板の表
面に所望のパターンを形成するのに使用される半導体製
造装置に関するものである。
従来、半導体基板の表面に所望のパターンを形成する場
会に、酸化工程を終了した半導体基板をフォトレジスト
工程にてパターン形成を行なう。
会に、酸化工程を終了した半導体基板をフォトレジスト
工程にてパターン形成を行なう。
パターン形成方法としては、半導体基板を回転軸の中央
に真空吸着して固定した後、上部あるいは側面に取付け
られたノズルより種々の薬剤を適量滴下あるいは噴霧す
ることにより、感光性樹脂膜を形成しく塗布処理）後に
フォトマスクパターンを介して焼き付は露光を行ない、
現像処理によって所望の感光性樹脂膜の形成を行なう。
に真空吸着して固定した後、上部あるいは側面に取付け
られたノズルより種々の薬剤を適量滴下あるいは噴霧す
ることにより、感光性樹脂膜を形成しく塗布処理）後に
フォトマスクパターンを介して焼き付は露光を行ない、
現像処理によって所望の感光性樹脂膜の形成を行なう。
従来の半導体製造装置の一例を第２図に示す。
第２図において、半導体基板１の表面上に感光性樹脂膜
を形成するのに用いられる半導体製造装置は、搬送部か
ら送られた半導体基板１を真空吸着し、これをパルスモ
ータ−２にて回転させる基体３と、排液口４を有する下
蓋５と、種々の薬剤６を滴下あるいは噴霧するノズル７
を有する上ＭＳとから構成されていた。
を形成するのに用いられる半導体製造装置は、搬送部か
ら送られた半導体基板１を真空吸着し、これをパルスモ
ータ−２にて回転させる基体３と、排液口４を有する下
蓋５と、種々の薬剤６を滴下あるいは噴霧するノズル７
を有する上ＭＳとから構成されていた。
しかしながら、半導体基板ｌの表面上へのパターン形成
後において、ノズル７の先端に溜っている薬剤が半導体
基板ｌ上に落下し、感光性樹脂膜の膜厚ばらつき、感光
性樹脂膜のパターン形成不良、現像処理工程における不
良等を銹発していた。
後において、ノズル７の先端に溜っている薬剤が半導体
基板ｌ上に落下し、感光性樹脂膜の膜厚ばらつき、感光
性樹脂膜のパターン形成不良、現像処理工程における不
良等を銹発していた。
又、薬剤の落下対策の為に、第３図のようにノズル７の
位置を半導体基板ｌ上から離れた上蓋８の側面方向より
薬剤６の滴下又は噴霧を行なう場合があるが、側面方向
から半導体基板１上へ薬剤６を滴下又は噴霧させると、
半導体基板１上にパターン形成した後にノズル７からの
薬剤６の落下を防止できるが、薬剤６を斜め上方から噴
射するため、半導体基板１上への薬剤の付着度合が悪く
、塗布工程においては感光性樹脂膜の膜厚ばらつき、又
現像処理工程においては感光性樹脂の残り（部分的現像
不足）等を誘発していた・更に、半導体基板１上を流れ
た薬剤６が半導体基板１の裏面に廻り込み、後工程のエ
ツチング処理工程でこれが原因で異常エッチを誘発し、
パターン形成不良となり１半導体装置の歩留を低下させ
ていた。
位置を半導体基板ｌ上から離れた上蓋８の側面方向より
薬剤６の滴下又は噴霧を行なう場合があるが、側面方向
から半導体基板１上へ薬剤６を滴下又は噴霧させると、
半導体基板１上にパターン形成した後にノズル７からの
薬剤６の落下を防止できるが、薬剤６を斜め上方から噴
射するため、半導体基板１上への薬剤の付着度合が悪く
、塗布工程においては感光性樹脂膜の膜厚ばらつき、又
現像処理工程においては感光性樹脂の残り（部分的現像
不足）等を誘発していた・更に、半導体基板１上を流れ
た薬剤６が半導体基板１の裏面に廻り込み、後工程のエ
ツチング処理工程でこれが原因で異常エッチを誘発し、
パターン形成不良となり１半導体装置の歩留を低下させ
ていた。
本発明の目的は係る従来技術の問題点を解決し、半導体
装置の歩留低下のない半導体製造装置を提供することに
ある。
装置の歩留低下のない半導体製造装置を提供することに
ある。
本発明は半導体基板を真空吸着しこれを回転運動させる
基体３と、半導体基板の表面に種々の薬剤を滴下あるい
は噴霧するノズル７とを有する半導体製造装置において
、前記ノズル７が半導体基板の真上に平行移動可能に設
置したことを特徴とする半導体製造装置である。
基体３と、半導体基板の表面に種々の薬剤を滴下あるい
は噴霧するノズル７とを有する半導体製造装置において
、前記ノズル７が半導体基板の真上に平行移動可能に設
置したことを特徴とする半導体製造装置である。
薬剤を滴下あるいは噴霧するノズル７は薬剤を滴下ある
いは噴霧させる場合に半導体基板の真上に移動させ、半
導体基板ｌの真上から薬剤を滴下する。
いは噴霧させる場合に半導体基板の真上に移動させ、半
導体基板ｌの真上から薬剤を滴下する。
次に本発明の一実施例を図により説明する・第１図にお
いて、本発明装置は搬送部から送られた半導体基板１ｉ
真空吸着してこれをパルスモータ−２にて回転させる基
体３と、排液口４を有する下蓋５と、薬剤６を滴下・噴
出するノズル７が平行移動するために開く扉９を側面に
有する上蓋８とから構成され、薬剤６を滴下あるいは噴
霧するノズル７は半導体基板ｌの真上に支持体ＬＯにて
平行移動可能に設置したものである。
いて、本発明装置は搬送部から送られた半導体基板１ｉ
真空吸着してこれをパルスモータ−２にて回転させる基
体３と、排液口４を有する下蓋５と、薬剤６を滴下・噴
出するノズル７が平行移動するために開く扉９を側面に
有する上蓋８とから構成され、薬剤６を滴下あるいは噴
霧するノズル７は半導体基板ｌの真上に支持体ＬＯにて
平行移動可能に設置したものである。
薬剤を塗布する際には、扉９を開きノズル７を支持体１
０に沿って平行移動させて半導体基板ｌの真上に配置す
る。そして、ノズル先端から薬剤６を噴射して、回転す
る半導体基板１の表面に塗布する。塗布終了後は、ノズ
ル７は支持体１０に沿って移動させて装置外に搬出する
。
０に沿って平行移動させて半導体基板ｌの真上に配置す
る。そして、ノズル先端から薬剤６を噴射して、回転す
る半導体基板１の表面に塗布する。塗布終了後は、ノズ
ル７は支持体１０に沿って移動させて装置外に搬出する
。
本発明は以上説明したように、薬剤を滴下あるいは噴霧
するノズルは薬剤を滴下・噴霧する必要時のみ半導体基
板の真上に平行移動して配置するようにしたため、パタ
ーン形成後のノズル先端に溜った薬剤の落下の問題を解
決することができ、しかも基板の真上から薬剤を滴下す
るため、薬剤の付着度合が高くなるばかりでなく、裏面
への薬剤の廻り込みを防止でき、後工程でのパターン形
成不良を低減でき、半導体装置の歩留向上に貢献できる
効果を有するものである。
するノズルは薬剤を滴下・噴霧する必要時のみ半導体基
板の真上に平行移動して配置するようにしたため、パタ
ーン形成後のノズル先端に溜った薬剤の落下の問題を解
決することができ、しかも基板の真上から薬剤を滴下す
るため、薬剤の付着度合が高くなるばかりでなく、裏面
への薬剤の廻り込みを防止でき、後工程でのパターン形
成不良を低減でき、半導体装置の歩留向上に貢献できる
効果を有するものである。
上述の実施例においては、フオトレジスト工程における
塗布工程、現像処理工程を例にあげて説明したが１本発
明は保設膜を利用したエツチング処理工程における半導
体製造装置にも同様に利用できるのはいうまでもない。
塗布工程、現像処理工程を例にあげて説明したが１本発
明は保設膜を利用したエツチング処理工程における半導
体製造装置にも同様に利用できるのはいうまでもない。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体製造装置の断面
図、第２図、第３図は従来装置を示す断面図である。
図、第２図、第３図は従来装置を示す断面図である。
Claims (1)
- （１）半導体基板を真空吸着しこれを回転させる基体と
、半導体基板の表面に種々の薬剤を滴下あるいは噴霧す
るノズルとを有する半導体製造装置において、前記ノズ
ルを半導体基板の真上に平行移動可能に設置したことを
特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18250584A JPS6161416A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18250584A JPS6161416A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6161416A true JPS6161416A (ja) | 1986-03-29 |
Family
ID=16119468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18250584A Pending JPS6161416A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6161416A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6338131A (ja) * | 1986-08-04 | 1988-02-18 | Nec Kyushu Ltd | 標準粒子塗布装置 |
| JPS6399527A (ja) * | 1986-10-16 | 1988-04-30 | Toshiba Corp | レジスト膜形成装置 |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP18250584A patent/JPS6161416A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6338131A (ja) * | 1986-08-04 | 1988-02-18 | Nec Kyushu Ltd | 標準粒子塗布装置 |
| JPH0529054B2 (ja) * | 1986-08-04 | 1993-04-28 | Kyushu Nippon Electric | |
| JPS6399527A (ja) * | 1986-10-16 | 1988-04-30 | Toshiba Corp | レジスト膜形成装置 |
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