JPH04167517A - 現像装置 - Google Patents
現像装置Info
- Publication number
- JPH04167517A JPH04167517A JP29500090A JP29500090A JPH04167517A JP H04167517 A JPH04167517 A JP H04167517A JP 29500090 A JP29500090 A JP 29500090A JP 29500090 A JP29500090 A JP 29500090A JP H04167517 A JPH04167517 A JP H04167517A
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- JP
- Japan
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- wafer
- developing solution
- developer
- spin chuck
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- Pending
Links
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｒ産業上の利用分野〕
本発明は、フォトリソグラフィー工程でのフォトレジス
トの現像を行う現像装置に関する。
トの現像を行う現像装置に関する。
［従来の技術］
従来のパドル型現像装置は、第３図（ａ）に示すように
、カップ５内にて、スピンチャック４上に真空吸着によ
り保持された半導体ウェハー１上に現像液ノズル３より
現像液２が滴下され、その表面張力により半導体ウェハ
ー１上に現像液２が液盛りされ、所定の時間の現像を行
うものであった。そして、ウェハー裏面に廻り込んだ現
像液の除去は、現像が終了し、ウェハー上の現像液２を
除去するときに同時に、スピンチャック４により回転す
る半導体ウェハー１の裏面に裏面洗浄ノズル１１から純
水を吹き付けて行っていた。図中、７は排気孔、８はド
レインである。
、カップ５内にて、スピンチャック４上に真空吸着によ
り保持された半導体ウェハー１上に現像液ノズル３より
現像液２が滴下され、その表面張力により半導体ウェハ
ー１上に現像液２が液盛りされ、所定の時間の現像を行
うものであった。そして、ウェハー裏面に廻り込んだ現
像液の除去は、現像が終了し、ウェハー上の現像液２を
除去するときに同時に、スピンチャック４により回転す
る半導体ウェハー１の裏面に裏面洗浄ノズル１１から純
水を吹き付けて行っていた。図中、７は排気孔、８はド
レインである。
この従来のパドル型現像装置では、現像液の表面張力に
よって半導体ウェハー上に液盛りしているため、ウェハ
ー中央部に比ベウェハー周辺部の現像液の量が少なくな
り現像速度が低下して、ウェハー面内の現像均一性が悪
くなっていた。また、現像液がウェハー裏面に廻り込ん
でウェハーを保持しているスピンチャック部にまで達し
た場合、後の純水による裏面洗浄にても、第３図（ｂ）
に示すようにウェハー裏面１５の中央部の現像液が取れ
ずに残り、スピンチャックの跡１６となって、次工程以
降の装置を汚染してしまうという問題点があった。
よって半導体ウェハー上に液盛りしているため、ウェハ
ー中央部に比ベウェハー周辺部の現像液の量が少なくな
り現像速度が低下して、ウェハー面内の現像均一性が悪
くなっていた。また、現像液がウェハー裏面に廻り込ん
でウェハーを保持しているスピンチャック部にまで達し
た場合、後の純水による裏面洗浄にても、第３図（ｂ）
に示すようにウェハー裏面１５の中央部の現像液が取れ
ずに残り、スピンチャックの跡１６となって、次工程以
降の装置を汚染してしまうという問題点があった。
本発明の目的は、ウェハー面内での現像液を均一化し、
かつウェハー裏面への現像液の廻り込みを防止した現像
装置を提供することにある。
かつウェハー裏面への現像液の廻り込みを防止した現像
装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段］
前記目的を達成するため、本発明に係る現像装置におい
ては、内カップと、現像液建込防止機構とを有し、スピ
ンチャックに保持された半導体ウェハー上のフォトレジ
ストに現像液を滴下して現像を行う現像装置であって、 内カップは、スピンチャック上の半導体ウェハーの裏面
に対して昇降し、ウェハー裏面にて底面が閉塞されて現
像液を収容し、ウェハー表面のフォトレジストを現像液
中に浸漬させるものであり、現像液建込防止機構は、ウ
ェハー外周縁から裏面に浸出する内カップ内の現像液を
除去して、ウェハー裏面のスピンチャック側への現像液
の廻込みを防止するものである。
ては、内カップと、現像液建込防止機構とを有し、スピ
ンチャックに保持された半導体ウェハー上のフォトレジ
ストに現像液を滴下して現像を行う現像装置であって、 内カップは、スピンチャック上の半導体ウェハーの裏面
に対して昇降し、ウェハー裏面にて底面が閉塞されて現
像液を収容し、ウェハー表面のフォトレジストを現像液
中に浸漬させるものであり、現像液建込防止機構は、ウ
ェハー外周縁から裏面に浸出する内カップ内の現像液を
除去して、ウェハー裏面のスピンチャック側への現像液
の廻込みを防止するものである。
ウェハーを内カップの現像液中に浸漬させることにより
、ウェハー面内での現像均一性を保ち、かつ、ウェハー
裏面へ廻り込む現像液をウェハーの外周部分で除去し、
スピンチャックへの浸出を防止する。
、ウェハー面内での現像均一性を保ち、かつ、ウェハー
裏面へ廻り込む現像液をウェハーの外周部分で除去し、
スピンチャックへの浸出を防止する。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は、本発明の実施例１を示す断面図である。
図において、カップ５の中央部にスピンチャック４が回
転可能に設けられ、スピンチャック４に沿って内カップ
６が昇降可能に設けられている。
転可能に設けられ、スピンチャック４に沿って内カップ
６が昇降可能に設けられている。
３は現像液ノズル、７はカップ５に設けた排気孔、８は
カップ５に設けたドレインである。
カップ５に設けたドレインである。
内カップ６は、スピンチャック４上の半導体ウェハー１
の裏面で底部が閉塞され、その内部に現像液２を収容し
、ウェハー１の表面上のフォトレジストを現像液２中に
浸漬させるものである。
の裏面で底部が閉塞され、その内部に現像液２を収容し
、ウェハー１の表面上のフォトレジストを現像液２中に
浸漬させるものである。
また、内カップ６は、ウェハー裏面の外周部を内カップ
底部に吸着させる同心円状の真空排気ライン９と、ウェ
ハー裏面の現像液を吸引して排液する同心円状の排気ラ
イン１０とを有する。
底部に吸着させる同心円状の真空排気ライン９と、ウェ
ハー裏面の現像液を吸引して排液する同心円状の排気ラ
イン１０とを有する。
また、裏面洗浄ノズル１１は、内カップ６に取付けられ
、ウェハー裏面の外周部に向けて位置している。
、ウェハー裏面の外周部に向けて位置している。
現像装置のカップ５内において、直径６ｃｍのスピンチ
ャック４上に真空吸着によって保持されたフォトレジス
ト塗布及び露光の施されたウェハー１の現像を行う場合
、まず、内カップ６がシリンダー駆動により上昇し、ウ
ェハー１の外周からｌｌの部分を真空排気ライン９によ
り吸着し、ウェハー１を固定する。次に上方の現像液ノ
ズル３より現像液２を滴下し、内カップ６内で液面の高
さをウェハー上で約３閣となるように一定に保つ。
ャック４上に真空吸着によって保持されたフォトレジス
ト塗布及び露光の施されたウェハー１の現像を行う場合
、まず、内カップ６がシリンダー駆動により上昇し、ウ
ェハー１の外周からｌｌの部分を真空排気ライン９によ
り吸着し、ウェハー１を固定する。次に上方の現像液ノ
ズル３より現像液２を滴下し、内カップ６内で液面の高
さをウェハー上で約３閣となるように一定に保つ。
このとき、ウェハー１の下方の内カップ６内においては
、ウェハー外周より３ｃｍの部分にウェハーと同心円状
に排気溝１３がウェハー裏面からのギャップ０−０．５
ｍｍにて設けられているため、現像液２がウェハー１の
裏面に廻り込んだ場合も排気ライン１０を通じて排液さ
れて、スピンチャック４までは達しない。そして、所定
時間の現像終了後、内カップ６が下降し、ウェハー１上
の現像液を除去する際に、裏面洗浄ノズル１１より純水
を噴呂し、ウェハー１の外周より３ｃｍまでの裏面洗浄
を行う。尚、ミスト防止のためのカップ５内の排気は、
排気孔７を通じてなされ、現像液及び純水の排液は、内
カップ６内の排液孔からドレイン８を通じてなされる。
、ウェハー外周より３ｃｍの部分にウェハーと同心円状
に排気溝１３がウェハー裏面からのギャップ０−０．５
ｍｍにて設けられているため、現像液２がウェハー１の
裏面に廻り込んだ場合も排気ライン１０を通じて排液さ
れて、スピンチャック４までは達しない。そして、所定
時間の現像終了後、内カップ６が下降し、ウェハー１上
の現像液を除去する際に、裏面洗浄ノズル１１より純水
を噴呂し、ウェハー１の外周より３ｃｍまでの裏面洗浄
を行う。尚、ミスト防止のためのカップ５内の排気は、
排気孔７を通じてなされ、現像液及び純水の排液は、内
カップ６内の排液孔からドレイン８を通じてなされる。
（実施例２）
第２図は、本発明の実施例２を示す断面図である。
本実施例では、現像中に現像液の裏面廻り込みがスピン
チャック部まで達するのを防止するため、ウェハーと同
心円状に設置された純水噴出＊１４から純水を噴出し、
ウェハー外周より３ｃｒｎから外側のウェハー裏面に当
てていること、純水噴呂溝１４が裏面洗浄ノズルを兼ね
ていること以外は、先の実施例と同様である。
チャック部まで達するのを防止するため、ウェハーと同
心円状に設置された純水噴出＊１４から純水を噴出し、
ウェハー外周より３ｃｒｎから外側のウェハー裏面に当
てていること、純水噴呂溝１４が裏面洗浄ノズルを兼ね
ていること以外は、先の実施例と同様である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は、ウェハー上の現像液の液
面の高さを一定とすることにより、ウェハー面内の現像
速度が一定となるため、ウェハー面内のパターン寸法の
均一性を向上できる（Ｒ／Ｘ：１０％−５％）。また、
内カップ内の現像液裏面廻り込み防止機構により、ウェ
ハー裏面スピンチャック部の現像液残りをなくすことが
でき（発生率１．５％→０％）、従って半導体装置の製
造において、製造歩留りの向上、品質の向上を図ること
ができるという効果を有する。
面の高さを一定とすることにより、ウェハー面内の現像
速度が一定となるため、ウェハー面内のパターン寸法の
均一性を向上できる（Ｒ／Ｘ：１０％−５％）。また、
内カップ内の現像液裏面廻り込み防止機構により、ウェ
ハー裏面スピンチャック部の現像液残りをなくすことが
でき（発生率１．５％→０％）、従って半導体装置の製
造において、製造歩留りの向上、品質の向上を図ること
ができるという効果を有する。
第１図は、本発明の実施例１を示す断面図、第２図は、
本発明の実施例２を示す断面図、第３図（ａ）は、従来
例を示す断面図、第３図（ｂ）は、従来装置によるウェ
ハー裏面を示す図である。
本発明の実施例２を示す断面図、第３図（ａ）は、従来
例を示す断面図、第３図（ｂ）は、従来装置によるウェ
ハー裏面を示す図である。
Claims (1)
- （１）内カップと、現像液廻込防止機構とを有し、スピ
ンチャックに保持された半導体ウェハー上のフォトレジ
ストに現像液を滴下して現像を行う現像装置であって、 内カップは、スピンチャック上の半導体ウェハーの裏面
に対して昇降し、ウェハー裏面にて底面が閉塞されて現
像液を収容し、ウェハー表面のフォトレジストを現像液
中に浸漬させるものであり、現像液廻込防止機構は、ウ
ェハー外周縁から裏面に浸出する内カップ内の現像液を
除去して、ウェハー裏面のスピンチャック側への現像液
の廻込みを防止するものであることを特徴とする現像装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29500090A JPH04167517A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29500090A JPH04167517A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04167517A true JPH04167517A (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=17815043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29500090A Pending JPH04167517A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04167517A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100626350B1 (ko) * | 1999-07-02 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 마스크 현상 장치 |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP29500090A patent/JPH04167517A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100626350B1 (ko) * | 1999-07-02 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 마스크 현상 장치 |
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