CN114843207B - 去环方法、系统及设备 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示了去环方法、系统及设备，其中去环方法通过去环设备进行去环，所述去环设备的控制系统控制第一移载组件及第二移载组件执行一系列移载指令以使晶圆在去环设备的料盒、过渡工位、切割工位、清洁工位、解胶工位及取环工位之间移动，所述控制系统根据接收的不同触发信号，控制第一移载组件和/或第二移载组件执行与每个触发信号对应的移载指令，所述触发信号是根据所述过渡工位、切割工位、清洁工位、解胶工位及取环工位上有无晶圆的状态确定得到。本方案的方法在设备实际工作时，控制系统只要根据接收的触发信号即可快速地确定对应的移载指令，从而控制两个移载组件使晶圆在不同工位间移动，极大地降低了控制难度。

Description

去环方法、系统及设备
技术领域
本发明涉及晶圆加工领域，尤其是去环方法、系统及设备。
背景技术
在Taiko减薄工艺中，需要通过环切和取环等处理以将太鼓环从晶圆上去除。实际加工时，通常采用环切机构及取环机构来实现上述过程。由于仅有两个工位，所以设备的控制非常简单。
但是，随着工艺的发展，除了对晶圆进行环切、取环处理外，还需要增加其他额外的处理步骤，例如清洁、解胶等。相应的，就需要增加多个工位来实现额外增加的处理步骤，这就增加了设备的控制难度，因此需要找到一种简单的方式来控制晶圆在各工位之间的流转。
进一步，使设备的多个工位能够同时加工以提高加工效率是期望得到的结果，想要提高效率，就必须要解决各工位的加工节拍的契合度问题及晶圆在各工位之间的合理流转问题。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种去环方法、系统及设备。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：
去环方法，通过去环设备进行晶圆加工，所述去环设备的控制系统控制第一移载组件及第二移载组件执行一系列移载指令以使晶圆在去环设备的料盒、过渡工位、切割工位、清洁工位、解胶工位及取环工位之间移动，所述控制系统根据接收的不同触发信号，控制第一移载组件和/或第二移载组件执行与每个触发信号对应的移载指令，所述触发信号是根据所述过渡工位、切割工位、清洁工位、解胶工位及取环工位上有无晶圆的状态确定得到。
优选的，所述过渡工位、切割工位、清洁工位、解胶工位及取环工位处分别设置有用于检测晶圆的检测装置。
优选的，控制系统在接收到一触发信号后，确定该触发信号对应的移载指令有效执行后应获取的下一触发信号的标准数据；在控制系统实际接收到下一触发信号时，判断所述下一触发信号与已确定的所述标准数据是否一致，当确定它们不一致时，停机并报警；反之，控制第一移载组件和/或第二移载组件执行该触发信号对应的移载指令。
优选的，控制系统在接收到每一触发信号时，确定该触发信号与预设数据表中与该触发信号对应顺序号的标准数据是否一致，当确定它们不一致时，停机并报警；反之，控制第一移载组件和/或第二移载组件执行该触发信号对应的移载指令。
优选的，在报警时，控制系统将执行失败的移载指令所移动的晶圆的ID号记录为异常ID号；
控制系统在确定异常ID号的晶圆移出去环设备且修正后的所述下一触发信号与所述标准数据一致时，使去环设备恢复工作；
恢复工作后，控制系统自接收到修正后的所述下一触发信号开始，至确定所述异常ID号的晶圆在程序中已回流到料盒为止，在接收到每个控制信号后，先确定当前控制信号对应的移载指令所要移动的晶圆的ID号是否为异常ID号；
若否，则控制第一移载组件和/或第二移载组件执行该移载指令，且在接收到下一触发信号时，将所述下一触发信号中该异常ID号的晶圆应在工位的工位状态参数修改为正确参数；
若是，则控制系统虚拟执行所述移载指令，且在虚拟执行完成后接收到下一触发信号时，将所述下一触发信号中该异常ID号的晶圆应在工位的工位状态参数修改为正确参数。
优选的，在确定人工处理后重新获得的所述下一触发信号与标准数据一致，且接收到复位信号时，控制系统控制第一移载组件和/或第二移载组件执行与所述下一触发信号对应的移载指令。
优选的，所述第一移载组件及第二移载组件在执行一系列移载指令后，使得在一时间段内，所述过渡工位、切割工位、清洁工位、解胶工位、取环工位中的3个或4个工位处同时具有晶圆。
优选的，所述控制系统控制所述第一移载组件及第二移载组件工作时包括如下过程：
S1,当接收到一触发信号对应为所述过渡工位及切割工位处无晶圆，所述清洁工位、解胶工位及取环工位处分别有一晶圆时，控制系统至少控制第一移载组件执行将一晶圆从料盒中移动至切割工位的移载指令；
S2，当接收到一触发信号对应为过渡工位处无晶圆，切割工位、清洁工位、解胶工位及取环工位处分别有一晶圆时，控制系统至少控制第二移载组件执行将取环工位处完成加工的晶圆移动到过渡工位的移载指令；
S3，当接收到一触发信号对应为取环工位处无晶圆，过渡工位、切割工位、清洁工位及解胶工位处分别有一晶圆时，控制系统至少控制第一移载组件执行将过渡工位上的晶圆移动到料盒的移载指令；
S4，当接收到一触发信号对应为过渡工位、取环工位处无晶圆，切割工位、清洁工位及解胶工位处分别有一晶圆时，控制系统至少控制第二移载组件执行将解胶工位中完成解胶的晶圆移动至取环工位的移载指令；
S5，当接收到一触发信号对应为过渡工位、解胶工位处无晶圆，切割工位、清洁工位及取环工位处分别有一晶圆时，控制系统至少控制第一移载组件执行将清洁工位中完成清洁的晶圆移动至过渡工位的移载指令；
S6，当接收到一触发信号对应为清洁工位、解胶工位处无晶圆，过渡工位、切割工位及取环工位处分别有一晶圆时，控制系统至少控制第二移载组件执行将过渡工位上的晶圆移动至解胶工位的移载指令；
S7，当接收到一触发信号对应为过渡工位、清洁工位处无晶圆，取环工位、切割工位、及解胶工位处分别有一晶圆时，控制系统至少控制第一移载组件执行将切割工位完成加工的晶圆移动至清洁工位的移载指令。
优选的，所述S1中，
控制系统在接收到一触发信号对应为所述过渡工位及切割工位处无晶圆，所述清洁工位、解胶工位及取环工位处分别有一晶圆时，控制第一移载组件执行将料盒中的一晶圆的晶圆外框夹取并拖移至过渡工位的移载指令；
控制系统在接收到下一触发信号对应为切割工位处无晶圆，过渡工位、清洁工位、解胶工位及取环工位处分别有一晶圆时，控制第一移载组件执行将过渡工位上的晶圆吸附并移动至切割工位上的移载指令。
控制系统，包括处理器及存储器，所述存储器存储有可被所述处理器调用的程序；其中，所述处理器执行所述程序时，实现如上任一所述的去环方法。
去环设备，包括上述的控制系统。
本发明技术方案的优点主要体现在：
本方案的方法，在根据多个工位处有无晶圆的状态形成一组触发信号的基础上构件一组触发信号、一组移载指令及移载组件的一对一关系，在设备实际工作时，控制系统只要根据接收的触发信号即可快速地确定对应的移载指令及执行移载指令的移载组件，从而能够快速、准确地确定要移动的晶圆、要移动到的位置及执行移动的移载组件并进行相应的控制，极大地降低了控制难度。同时，结合对晶圆的流转过程的合理设计，使得多个晶圆的流转能够有效的与不同工位的加工时间相匹配，充分地实现了多工位的同步协调加工，有利于提高整机的加工效率，同时实际控制时，只要循环几个移载指令即可，有效的简化了控制流程。
本方案的整体流程使取环后的晶圆回流到料盒中，能够使上、下料过程与其他加工过程更佳契合，同时，上料和下料可以共用一套料盒等机构，有利于简化配套结构，也能够减少料盒的动作，降低设备运行能耗。
本方案通过对各工位有无晶圆的检测来产生相应的触发信号，降低了控制难度，并且在执行过程中，增加了异常识别的过程，能够有效地保证相应移载指令执行的准确性，避免误操作，同时能够及时发现异常情况通知工作人员进行排除，并且排除异常后，可以继续后续加工流程，避免重启加工流程，降低后续流程发生错误的风险。
本方案通过对工位的整体布局、配合两套移载组件，并使两套移载组件分别实现晶圆在一个方向上的移动，且控制时两条移载组件基本上处于交替工作的状态，在一个移载组件执行相应移载指令的同时，另一个移载组件可以先移动到下一步要去的工位，改善了时间利用率，有效地提高了整机的加工效率。
通过两步法将晶圆从料盒移动到切割工位不仅能够有效地提高上料的柔性，降低晶圆损坏的风险，也使上料动作与其他工位的加工节拍能够更契合。
附图说明
图1是本发明的去环设备的俯视图；
图2是本发明的去环设备的隐去第一移动组件及第二移动组件的俯视图，图中切割台位于第一位置；
图3是本发明的清洁工位的立体图；
图4是本发明的清洁工位的剖视图；
图5是本发明的取环机构的局部立体图；
图6是本发明的第一移载组件的立体图；
图7是本发明的第二移载组件的立体图。
具体实施方式
本发明的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本发明技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。
在方案的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或工位关系为基于附图所示的方位或工位关系，仅是为了便于描述和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。并且，在方案的描述中，以操作人员为参照，靠近操作者的方向为近端，远离操作者的方向为远端。
实施例1
下面结合附图对本发明揭示的去环方法进行阐述，所述去环方法基于一去环设备，如附图1、附图2所示，所述去环设备包括切割工位、过渡工位、清洁工位3、解胶工位4、取环工位5、上下料工位8、第一移载组件6、第二移载组件7及控制系统(图中未示出)。
如附图2所示，所述切割工位用于对晶圆上的太鼓环进行环切，其包括作业台、切割机构13、检测机构等主要结构，其具体结构可以采用已知的Taiko减薄工艺中所使用的环切设备。
本实施例中，所述作业台包括切割台11，所述切割台11上形成有真空吸附孔(图中未示出)，所述真空吸附孔用于通过真空吸附将晶圆固定在切割台上。同时，所述切割台11的外周均匀设置有翻转压紧组件12，所述翻转压紧组件12为3-4个，所述翻转压紧组件采用翻板式压紧装置，所述翻转压紧组件12包括翻转气缸(图中未示出)及由所述翻转气缸驱动的压紧板(图中未示出)，所述翻转压紧组件12通过一连接件固定在所述切割台11的侧部。当然在其他实施例中，真空吸附固定和压紧固定不是必须同时具有，只有一种也可以。
所述切割台11设置在第一驱动组件(图中未示出)上，所述第一驱动组件驱动所述切割台11自转，所述第一驱动组件的其具体结构为已知技术，此处不作赘述。所述第一驱动组件设置在第一移动组件(图中未示出)上，所述第一移动组件驱动所述切割台11沿第一方向X在所述第一位置及第二位置间移动，所述第一移动组件的具体结构为已知技术，此处不作赘述。如附图2所示，在第一位置处，所述切割台位于所述过渡工位的下方且位于切割机构的右侧；在第二位置处，所述切割台位于切割机构处。
所述切割机构13可以采用已知的激光切割或切刀切割的方式，其具体结构为已知技术，不是本方案的创新点，此处不作赘述。所述检测装置可以采用视觉识别方法来确定所述晶圆9的圆心和太鼓环91的半径等参数，从而进行切刀的控制，相应的检测技术及控制技术为已知技术，此处不作赘述。
如附图2所示，所述过渡工位用于承接晶圆，其包括两条平行且位于所述切割台上方的L形限位杆2，它们沿第二方向Y延伸且对称设置在处于第一位置的切割台的顶面中心两侧，所述第二方向Y与第一方向X垂直，两个所述L形限位杆2分别连接驱动它们沿第一方向X方向往复移动的直线驱动机构(图中未示出)，在一位置处，两个所述L形限位杆的间距小于所述晶圆9的直径，从而可以对晶圆进行支撑和限位；在另一位置处，两个所述L形限位杆的间距大于所述晶圆9的直径，此时晶圆可以被向下移动到处于第一位置的切割台上。
如附图1、附图2所示，所述清洁工位3位于处于第一位置的作业台的上侧，其用于对切割后的晶圆进行清洁，其可以采用已知的清洁方式，例如可以采用水洗或气吹等方式。
如附图3、附图4所示，所述清洁工位3包括清洁台31，所述清洁台31可自转地设置于一清洁槽32中，所述清洁台31上还设置有位于其外周的抱持组件，所述抱持组件采用多个保持块对放置在所述清洁台31上的晶圆9进行抱持定位，所述抱持组件的具体结构为已知技术，此处不作赘述。
如附图3、附图4所示，所述清洁台31连接驱动其自转的第二驱动组件33，所述第二驱动组件33设置在升降组件34上，所述升降组件34驱动所述清洁台31在第一高度和第二高度之间移动，在第一高度时，所述清洁台31的顶面高于所述清洁槽32的顶部，此时可以方便将晶圆放置到清洁台上；在第二高度时，所述清洁台31的顶面低于所述清洁槽32的顶面，此时清洁台上的晶圆位于清洁槽内，避免水、废屑等溅到清洁槽外部。
如附图3所示，所述清洁工位3还包括清洁喷嘴35，所述清洁喷嘴35设置在一往复摆动组件36上，所述往复摆动组件包括设置在清洁槽32内壁的摆动电机或摆动气缸(图中未示出)及由其驱动的摆臂，所述摆臂的外端设置所述清洁喷嘴35，所述清洁喷嘴35的轴线与所述清洁台31的顶面垂直，且所述清洁喷嘴35的下端略高于第二高度的清洁台31的顶面，所述往复摆动组件驱动所述清洁喷嘴在清洁台31上的晶圆9的顶部沿弧形往复摆动，所述清洁喷嘴的摆动轨迹与所述清洁台31上的晶圆9上的投影跨过所述太鼓环91的内外侧，并且，在所述清洁台31升降时，所述清洁喷嘴可以摆动至所述清洁台31的外侧，从而避免干涉。
所述清洁喷嘴连接供水机构和/或供气机构(图中未示出)，供水机构及供气机构的具体结构为已知技术，此处不作赘述。清洁时，可以根据需要进行水洗或气吹或同时进行两种清洁。
如附图1、附图2所示，所述解胶工位4位于第一位置的所述切割台11的右侧，其用于通过UV照射使晶圆的太鼓环与晶圆外框之间的薄膜上的胶去除粘性。所述解胶工位4包括位于解胶仓内的解胶台41，所述解胶台41的直径与所述晶圆9的太鼓环91的外经相当，所述解胶台41的外围还间隙围设有辅助环台43，这样解胶台41及辅助环台43能够有效地对太鼓环91的外径覆盖区域内的胶层及晶圆外框覆盖区域的胶层进行保护，从而避免这些区域被所述紫外灯42解胶，所述解胶仓内还设置用于进行UV胶解胶的紫外灯42,所述紫外灯42的具体工位及数量可以根据实际加工时的需要进行设计，此处不作赘述。并且，所述解胶仓的顶部具有可开闭的门以供晶圆9的上料和下料。
如附图1、附图2所示，所述取环工位5位于所述解胶工位4的右侧，其用于将切割后的太鼓环从晶圆上取走，其同样可以采用已知的Taiko减薄工艺中所使用的取环结构。本实施例中，所述取环工位5包括与所述解胶工位4工位正对的取环台51，所述取环台51上形成有若干一端延伸到其顶面的气道(图中未示出)，所述气道的另一端连接抽真空装置(图中未示出)及供气装置(图中未示出)，所述取环台51的外周设置有升降台52，常态下，所述升降台52的顶面与取环台51的顶面平齐，所述升降台52上设置有用于固定晶圆9的晶圆外框92的晶圆压紧机构53，所述晶圆压紧机构53同样为翻板式固定机构，其具体结构与上述的翻转压紧组件12的结构相同，此处不作赘述，晶圆放置到取环台及升降台52上后，晶圆压紧机构将晶圆外框压紧，随后升降台52下降一定行程，从而使太鼓环与晶圆外框之间的薄膜变形以便于取环操作。
如附图2、附图5所示，所述取环工位5还包括取环机构，所述取环机构包括第三移动机构54，所述第三移动机构54可以是已知的三轴移动结构或四轴机械人或六轴机器人等，此处不作赘述。所述第三移动机构54连接旋转机构57并驱动所述旋转机构升降及沿第二方向Y往复平移。所述旋转机构57包括转轴(图中未示出)及驱动转轴的电机(图中未示出)等结构，所述转轴的下方设置取环机械手55，所述取环机械手55可以采用三爪定心电动卡盘结构或类似结构。
如附图5所示，所述取环机械手55可以采用三个独立的夹爪电机58来驱动三个呈三角形分布的取环夹爪56分别直线移动收缩从而实现抓取，所述夹爪电机58优选为直线电机，并且三个电机设置在一转盘59上，所述转盘59固定在所述旋转机构57的转轴的下端并由其驱动自转，且所述取环夹爪56位于所述转盘59的下方。所述取环夹爪56可以是工字轮状，当然，也可以采用L形或者其他可行的形状，并且所述转轴驱动三个所述取环夹爪56绕所述转轴公转。晶圆在取环工位处取环的具体加工过程为已知技术，此处不作赘述。
如附图1、附图2所示，所述上下料工位8用于供应待去环的晶圆及回收去环后的晶圆，所述上下料工位8包括料盒升降机构(图中未示出)及设置所述料盒升降机构上的料盒81，所述料盒升降机构可以是已知的可行结构，如液压缸或电动缸等结构。所述料盒81上形成有多个晶圆放置层，每个晶圆放置层包括等高且间隙的两个支撑板，两个所述支撑板之间的间距小于所述晶圆9的直径，从而晶圆9能够有效地架设在两个支撑板上。当料盒上的一个晶圆移动到去环设备中进行加工且一个完成去环的晶圆回流到料盒上后，所述料盒升降机构驱动所述料盒上升或下将一层，使另一个晶圆与两个所述L形限位杆的高度相当以便被上料。
如附图1、附图2所示，所述第一移载组件6用于将晶圆在料盒、切割工位、过渡工位、清洁工位3之间移动，如附图6所示，所述第一移载组件6包括第一抓取机构61及驱动所述第一抓取机构61移动的第一移动机构62，所述第一抓取机构61可以是已知的自动夹爪的结构，优选为气动夹爪，所述第一移动机构62可以是已知的各种可行结构，例如其包括电机63及由电机63驱动的丝杠64，所述丝杠64的活动螺母上设置有一安装板65，所述安装板65上设置有第一升降气缸66，所述第一升降气缸66连接一转接板67，所述转接板67的下方设置有载板68，所述载板68上设置所述第一抓取机构61，工作时，通过所述第一抓取机构61抓取晶圆的晶圆外框后，第一移动机构62驱动第一抓取机构将抓取的晶圆从料盒中拉出并拖移到两条L形限位杆上。
如附图6所示，所述载板68上还设置有第二抓取机构，所述第二抓取机构为一组吸取头69，所述吸取头69用于进行晶圆9的吸附从而实现移动，并且所述吸取头与晶圆9接触的工位为软质的喇叭口状，同时，所述吸取头可以通过弹性结构设置在所述载板上。为了避免吸取头与第一抓取机构61的干涉，使所述第一抓取机构61设置在一旋转驱动装置610上，所述旋转驱动装置610可以是旋转气缸，其设置在所述载板上并驱动所述第一抓取机构61整体转动，在第一状态下，所述第一抓取机构61的两个夹板的前端朝向所述料盒，在第二状态下，所述两个夹板的前端朝上。当晶圆位于两条L形限位杆上后，所述旋转驱动装置使第一抓取机构向上翻转以避让吸取头，随后，第一移动机构62驱动吸附头移动到两条L形限位杆上的晶圆上方并将其吸附，随后两条L形限位杆反向移动，此时，第一升降气缸66驱动吸附头下移将它们吸附的晶圆放置到第一位置的切割台上。
如附图6所示，所述第一移载组件6还包括辅助移载机构，所述辅助移载机构包括一组真空吸头601，所述真空吸头601的轴线与所述切割台11的轴线平行，一组所述真空吸头601设置在一第二移动机构602上，所述第二移动机构可以采用与所述第一移动机构62相同的结构并驱动所述吸嘴升降及沿第一方向X往复移动。具体的，所述第二移动机构602可以包括一能够产生直线移动的动力装置603，所述动力装置可以滑台气缸或直线电机等，所述动力装置的滑块上设置有一L形安装板604，所述L形安装板604的下方设置有第二升降气缸605，所述第二升降气缸605的下方设置有安装盘606，所述安装盘606上安装所述真空吸头601，所述第二升降气缸605可以驱动所述真空吸头601由与所述吸取头69相当的高度移动至所述第一移动机构62的载板68的上方，所述真空吸头601的下端同样是喇叭状软质材料，且其可以通过弹性缓冲结构设置在安装盘606上。所述辅助移载机构可以用于将晶圆在第一位置的切割台和清洁工位之间移动，从而在通过辅助移载机构将切割台上完成加工的晶圆向清洁工位移动时，可以同时使第一抓取机构移动至料盒处准备抓取一个新的晶圆，从而提高效率。当然辅助移载机构也不是必须的。
如附图1、附图2所示，所述第二移载组件7用于使晶圆在过渡工位、解胶工位4及取环工位5之间移动，同时所述第二移载组件7还可以对所述切割台及取环工位5处的晶圆进行对中操作。
如附图7所示，所述第二移载组件7包括三爪或四爪的卡盘71，所述卡盘通过一组对中夹爪72同步向中心移动实现晶圆的定位，所述卡盘71设置在第四移动机构73，所述第四移动机构的具体结构为已知技术，其用于驱动所述卡盘升降及沿第一方向X平移。
另外，在通过所述卡盘71对切割台及取环台上的晶圆进行对中调节时，可以通过切割台上的真空吸附孔及取环台上气道向晶圆的底部吹气，使晶圆能够轻微的悬浮于切割台和取环台以减小对中调整时晶圆与切割台及取环台之间的摩擦力，从而降低太鼓环损坏的风险。
如附图7所示，所述第四移动机构上还设置有一组真空吸嘴74，所述真空吸嘴74连接抽真空机构，从而可以采用真空吸附将晶圆9吸附并通过第四移动机构73驱动移动。两个所述真空吸嘴74设置在一板件75上，所述板件75连接气缸(图中未示出)，所述气缸设置在所述第四移动机构上，所述气缸驱动所述真空吸嘴在第三高度及第四高度之间移动，在第三高度时，所述真空吸嘴的下端高于所述卡盘的对中夹爪72的下端，在第四高度时，所述真空吸嘴的下端低于所述卡盘的对中夹爪的下端，从而避免对中夹爪与真空吸嘴的干涉。
所述去环设备工作时，所述控制系统控制所述第一移载组件及第二移载组件执行一系列移载指令以使晶圆在去环设备的料盒、过渡工位、切割工位、清洁工位、解胶工位及取环工位流转，所述控制系统根据接收到的不同触发信号，控制第一移载组件和/或第二移载组件执行与每个触发信号对应的移载指令，所述触发信号是根据所述过渡工位、切割工位、清洁工位、解胶工位及取环工位上有无晶圆的状态确定得到，即每个工位具有一个工位状态参数(工位状态参数可以采用)，五个工位的工位状态参数按照一定的顺序排列可以得到一个触发信号。
为了方便确定所述过渡工位、切割工位、清洁工位3、解胶工位4及取环工位5是否存在晶圆，所述过渡工位、切割工位、清洁工位3、解胶工位4及取环工位5处分别设置有用于检测晶圆的检测装置(图中未示出)，所述检测装置可以是接近传感器等可行元件。当一个工位处的所述检测装置检测到晶圆时，该工位处的工位状态参数例如可以设置为1，未检测到晶圆时，该工位处的工位状态参数可以设置为0，当然，工位状态参数也可以采用其他数字或字母或符号来代替。
每个触发信号对应的工位状态参数及每个触发信号要执行的移载指令可以参照下述的表1，例如表1中，当控制系统接收到编号2的触发信号时，表示过渡工位、清洁工位3、解胶工位4、取环工位5处均有晶圆，切割工位处无晶圆，此时，控制系统控制第一移载组件6执行将过渡工位处的晶圆移动到切割工位处进行加工的移载指令。
表1：触发信号及移载指令关系对应表(其中，带下划线的工位状态参数示出了一个晶圆在整个去环过程中在各工位的流转过程。)
Figure GDA0003972714350000111
Figure GDA0003972714350000121
为了提高所述去环设备的工作效率，较优的是使所述切割工位、清洁工位3、解胶工位4及取环工位5中的多个工位可以同时进行加工，如表1所示，所述控制系统控制所述第一移载组件及第二移载组件在执行一系列移载指令后，使得在一时间段内，所述过渡工位、切割工位、清洁工位、解胶工位、取环工位中的3个或4个工位处同时具有晶圆。
由于设备中需要长期同时具有多个晶圆，因此，多个晶圆需要在多个工位之间以科学地顺序进行流转，从而提高各工位之间的契合度及加工节拍。
如及表1所示，所述控制系统控制所述第一移载组件及第二移载组件工作时包括如下过程：
S1,当控制系统接收到的一触发信号对应为所述过渡工位及切割工位处无晶圆，所述清洁工位、解胶工位及取环工位处分别有一晶圆时，控制系统至少控制第一移载组件执行将一晶圆从料盒中移动至切割工位的移载指令。
S2，当控制系统接收到的一触发信号对应为过渡工位处无晶圆，切割工位、清洁工位、解胶工位及取环工位处分别有一晶圆时(S1的移载指令有效执行后应获得的下一触发信号)，控制系统至少控制第二移载组件执行将取环工位处完成加工的晶圆移动到过渡工位的移载指令。
S3，当控制系统接收到的一触发信号对应为取环工位处无晶圆，过渡工位、切割工位、清洁工位及解胶工位处分别有一晶圆时(S2的移载指令有效执行后应获得的下一触发信号)，控制系统至少控制第一移载组件执行将过渡工位上的晶圆移动到料盒的移载指令。
S4，当控制系统接收到的一触发信号对应为过渡工位、取环工位处无晶圆，切割工位、清洁工位及解胶工位处分别有一晶圆时(S3的移载指令有效执行后应获得的下一触发信号)，控制系统至少控制第二移载组件执行将解胶工位中完成解胶的晶圆移动至取环工位的移载指令。
S5，当控制系统接收到的一触发信号对应为过渡工位、解胶工位处无晶圆，切割工位、清洁工位及取环工位处分别有一晶圆时(S4的移载指令有效执行后应获得的下一触发信号)，控制系统至少控制第一移载组件执行将清洁工位中完成清洁的晶圆移动至过渡工位的移载指令。
S6，当控制系统接收到的一触发信号对应为清洁工位、解胶工位处无晶圆，过渡工位、切割工位及取环工位处分别有一晶圆时(S5的移载指令有效执行后应获得的下一触发信号)，控制系统至少控制第二移载组件执行将过渡工位上的晶圆移动至解胶工位的移载指令。
S7，当控制系统接收到的一触发信号对应为过渡工位、清洁工位处无晶圆，取环工位、切割工位、及解胶工位处分别有一晶圆时(S6的移载指令有效执行后应获得的下一触发信号)，控制系统至少控制第一移载组件执行将切割工位完成加工的晶圆移动至清洁工位的移载指令。
S7的移载指令有效执行后，控制系统应获得的下一触发信号对应为所述过渡工位及切割工位处无晶圆，所述清洁工位、解胶工位及取环工位处分别有一晶圆，从而可以循环进行S1-S7的步骤，区别在循环进行S1-S7时，所处理的晶圆ID号是不同的。
进一步，为了使上料更为平稳，降低晶圆损坏的风险，同时可以更好的与其他工位的加工时间相契合，所述S1中，
S11，控制系统在接收到一触发信号对应为所述过渡工位及切割工位处无晶圆，所述清洁工位、解胶工位及取环工位处分别有一晶圆时，通过第一移载组件6将料盒中的一晶圆的晶圆外框夹取并拖移至过渡工位上。
S12，在晶圆移动到过渡工位上后，控制系统接收到下一触发信号对应为切割工位处无晶圆，过渡工位、清洁工位、解胶工位及取环工位处分别有一晶圆，此时，控制系统控制第一移载组件6的第二抓取机构从晶圆的顶部将过渡工位上的晶圆吸附并移动至切割工位。
进一步，为了避免在某一步执行时出现错误，控制系统在接收到一触发信号后，确定该触发信号对应的移载指令有效执行后应获取的下一触发信号的标准数据；在实际接收到下一触发信号时，判断所述下一触发信号与上述标准数据是否一致，当确定它们一致时，执行所述下一触发信号相应的移载指令；反之，确定前一触发信号对应的移载指令执行失败，停机并报警。
或者，在另外的实施例中，控制系统中预存有预设数据表，所述预设数据表中按顺序存储有一组触发信号的标准数据，在实际接收到每一触发信号时，确定该触发信号与预设数据表中与该触发信号对应顺序号的标准数据是否一致，当确定它们不一致时，停机并报警；反之，控制第一移载组件和/或第二移载组件执行该触发信号对应的移载指令。
为了便于人工对异常情况的处理及对后续流程的控制，在异常时，控制系统同时将执行失败的移载指令所移动的晶圆的ID号(系统会根据晶圆进入到设备中的顺序为每个晶圆配置一ID号，例如第一个进行去环的晶圆的ID号为0001，第二个进行去环晶圆的ID号为0002等)记录为异常ID号，报警时的报警信息为：异常ID号的晶圆，在XXX移载指令下错误，从而工作人员能够直观、快速地确定错误的晶圆及其所处的工位。
在异常报警时，人工对异常情况进行处理可以采用以下方式：人工将异常ID号的晶圆从错误的工位取走并拿出去环设备，同时，人工将所述下一触发信号中错误的工位状态参数修改为正确的工位状态参数。
此时，控制系统在确定异常ID号的晶圆移出去环设备且修正后的所述下一触发信号与所述标准数据一致时，使去环设备恢复工作；
恢复工作后，控制系统自接收到修正后的所述下一触发信号开始，至确定所述异常ID号的晶圆在程序中已回流到料盒为止，在接收到每个控制信号后，先确定当前控制信号对应的移载指令所要移动的晶圆的ID号是否为异常ID号；
若否，则控制第一移载组件和/或第二移载组件执行该移载指令，且在接收到下一触发信号时，将所述下一触发信号中该异常ID号的晶圆应在工位的工位状态参数修改为正确参数；
若是，则控制系统虚拟执行所述移载指令，且在虚拟执行完成后接收到下一触发信号时，将所述下一触发信号中该异常ID号的晶圆应在工位的工位状态参数修改为正确参数。
举例来看：当表1中第一个编号5的触发信号(01110)对应的移载指令(把解胶工位4的ID号为0002的晶圆移动到取环工位)执行失败，例如，该移载指令执行时实际把ID号为0002的晶圆从解胶工位4移动到过渡工位上，此时，控制系统实际接收的下一触发信号为11100，其与应接收的下一触发信号的标准值(表1中第一个编号6的触发信号：01101)不同，此时，控制系统使设备停机并报警，由人工进行处理。
人工把过渡工位上的晶圆拿走并移出去环设备后，此时，过渡工位对应的工位状态参数由1调整为0(当然，在报警后，也可以屏蔽各工位处的检测装置的信号，人工将所述下一触发信号中过渡工位的工位状态参数由1调整为0)，同时人工在软件中，将所述下一触发信号中与ID号为0002的晶圆应移动到的工位(取环工位)的工位状态参数由0修改为1。此时，控制系统接收到修改后的所述下一触发信号01101与标准数据一致，使去环设备恢复工作，即继续执行触发信号01101(表1中第一个编号6的触发信号)对应的移载指令。
控制系统在接收到修改后的所述下一触发信号01101会后，先确定所述下一触发信号01101对应的移载指令要移动的晶圆的ID号为0003，不是错误ID(0002)，此时，控制系统控制第一移载组件正常执行表1中第一个编号6的触发信号对应的移载指令，即控制第一移载组件将ID号为0003的晶圆由清洁工位3移动到过渡工位上，同时在控制系统接收到下一个触发信号11000时，将该触发信号中错误ID的晶圆应在工位(取环工位5)的工位状态参数由0修改为1，从而将下一触发信号由11000修改为11001，并再次判断其与对应的标准数据(表1中第一个序号7的编号)是否一致。
后续接收到每个触发信号且确定其与对应的标准数据一致时，都需要确定该触发信号对应移载指令要移动的晶圆的ID是否是所述错误ID(0002)，例如，当控制系统再次获取到编号3(表1中第二个编号3)的触发信号(01111)时，对应的移载指令是将错误ID(0002)的晶圆从取环工位5移动到过渡工位上，此时，第二移载组件7可以虚拟执行相应的移载指令(即第二移载组件7实际不进行动作，仅记录虚拟执行的时间是否达到预设时间，所述预设时间是根据第二移载组件7将晶圆从取环工位5移动到过渡工位上实际所需时间来确定)，在虚拟执行完成后，由于错误ID的晶圆实际上不存在设备中，因此控制系统实际接收到的触发信号为01110，此时，控制系统自动将该触发信号中错误ID的晶圆应在的工位(过渡工位)的工位状态参数由0修改为1，从而得到修正后的触发信号11110，即可再次判断该触发信号与标准数据是否一致。由于下一移载指令仍然是要移动错误ID的晶圆，因此，同样进行虚拟执行，执行该移载指令后，已经被移除去环设备的所述错误ID号(0002)的晶圆在程序中来说已经虚拟完成去环并回流到料盒中，此时，后续触发指令中，不再涉及错误ID号的晶圆对应的工位，因此就无需再对后续的触发信号进行相应的修正，按照实际接收的触发信号确定相应的移载指令。
当然，在另外的实施例中，在出现异常报警时，可以人工将错误ID的晶圆移动到正确的工位，同时通过软件或按钮等发出复位信号，人工将错误ID的晶圆移动到正确工位后，控制系统再次获取到的所述下一触发信号与标准数据一致，且控制系统在接收到复位信号时，继续执行所述下一触发信号对应的移载指令。这样的修正方式更有利于简化后续的软件控制流程。
上面描述的是所述切割工位、过渡工位、清洁工位3、解胶工位4、取环工位5中已经有多个工位上存在晶圆进行加工的情况，但是在设备刚启动时，所述切割工位、过渡工位、清洁工位3、解胶工位4、取环工位5均无晶圆，为了方便按照表1中编号1-编号8的触发信号进行相应的加工控制，在设备初始启动时，程序中可以为清洁工位、解胶工位及去环工位分别分配一虚拟晶圆，从而在控制系统实际接收到的第一个触发信号00000时，控制装置将该触发信号修改为00111，此时，即可控制第一移载组件执行与表1中编号1的触发信号对应的移载指令；执行后，控制系统实际接收的触发信号为10000，此时，控制系统同样将该触发信号修改为10111，即可控制第一移载组件执行与表1中编号2触发信号对应的移载指令；执行后，控制系统实际接收到触发信号为01000，此时，控制系统再次将该触发信号修改01111，即可控制第二移载组件执行与表1中编号3的触发信号对应的移载指令，此时，同样可以虚拟执行该移载指令，在执行后，控制系统实际接收的触发信号仍为01000，此时，控制系统将该触发信号修改为11110，即可控制第二移载组件执行与表1中编号4的触发信号对应的移载指令，依次类推，直至为所述清洁工位、解胶工位及去环工位分配的虚拟晶圆在程序上回流料盒中后，则不再需要进行触发信号的修改，即按照实际接收到的触发信号确定相应的移载指令。
当然在其他实施例中，也可以按照其他预设的流程使取环工位5、清洁工位3及解胶工位4分别有一晶圆在处理，此处，各工位对应工位状态参数在触发信号中的位置顺序与表1相同，具体过程如下：
设备启动，控制系统接收到00000的触发信号后，控制第一移载组件6将第一个晶圆移动到过渡工位上；在接收到10000的触发信号时，再控制第一移载组件将第一个晶圆由过渡工位移动到切割工位进行加工；
控制系统在接收到01000的触发信号，且确定第一个晶圆在切割工位加工完成后，控制第一移载组件6将其移动到清洁工位3进行清洁。
控制系统在接收到00100的触发信号时，控制第一移载组件6将第二个晶圆从料盒移动到过渡工位上，然后在接收到10100的触发信号时，再控制第一移载组件6将过渡工位上的第二个晶圆移动到切割工位进行加工。
控制系统在接收到01100的触发信号时，且在确定第一个晶圆在清洁工位3完成清洁后，控制第一移载组件6将第一个晶圆由清洗工位移动至过渡工位上，此时，控制系统接收到11000的触发信号，再控制第二移载组件7将第一个晶圆由过渡工位移动至解胶工位4进行加工。
控制系统接收到01010的触发信号，且确定第二个晶圆在确定切割工位完成切割后，控制第一移载组件6将第二个晶圆从切割工位移动到清洁工位3进行清洁。
控制系统接收到00110的触发信号后，控制第一移载组件6将第三个晶圆由料盒移动到过渡工位上，在接收到10110的触发信号后，再控制第一移载组件将过渡工位的晶圆移动到切割工位进行加工。与此同时，如控制系统确定第一个晶圆在解胶工位处已完成解胶，可以控制第二个移载组件将第一个晶圆从解胶工位移动到取环工位5进行加工处进行加工。即控制系统在接收到00110的触发信号后，可以控制第一移载组件和第二移载组件同时进行两个晶圆的移载。
当然，控制系统也可以在接收到01110的触发信号，且确定解胶工位4完成第一个晶圆的加工后，再控制第二移载组件7将第一个晶圆从解胶工位移动到取环工位5进行加工。
控制系统接收到01101的触发信号，且确定清洁工位3完成第二个晶圆的加工后，控制第一移载组件6将第二个晶圆由清洗工位移动到过渡工位上；在接收到11001的触发信号后，控制第二移载组件7将第二个晶圆由过渡工位移动到解胶工位4。
控制系统接收到01011的触发信号，且确定切割工位完成第三个晶圆的加工后，控制第一移载组件6将第三个晶圆由切割工位移动到清洁工位3进行加工。此时，控制系统接收到00111的触发信号，后续即可按照表1中编号1-8的触发信号进行循环。并且上述流程满足，当第四个晶圆移动到切割工位进行切割时，第一个晶圆在取环工位处已完成取环。
当然，上述过程不是唯一的，可以根据实际情况进行适应性的调整，此处不作赘述。
实施例2
本实施例揭示了一种控制系统，包括处理器及存储器，所述存储器存储有可被所述处理器调用的程序；其中，所述处理器执行所述程序时，实现如上实施例的去环方法。
实施例3
本实施例揭示了去环设备，除了包括上述实施例1中的物理结构，还包括上述实施例2的控制系统。
本发明尚有多种实施方式，凡采用等同变换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.去环方法，通过去环设备进行去环，其特征在于：所述去环设备的控制系统控制第一移载组件及第二移载组件执行一系列移载指令以使晶圆在去环设备的料盒、过渡工位、切割工位、清洁工位、解胶工位及取环工位之间移动，所述控制系统根据接收的不同触发信号，控制第一移载组件和/或第二移载组件执行与每个触发信号对应的移载指令，所述触发信号是根据所述过渡工位、切割工位、清洁工位、解胶工位及取环工位上有无晶圆的状态确定得到；
在控制系统确定一移载指令执行失败报警时，控制系统将执行失败的移载指令所移动的晶圆的ID号记录为异常ID号；
控制系统在确定异常ID号的晶圆移出去环设备且修正后的下一触发信号与标准数据一致时，使去环设备恢复工作；
恢复工作后，控制系统自接收到修正后的所述下一触发信号开始，至确定所述异常ID号的晶圆在程序中已回流到料盒为止，在接收到每个控制信号后，先确定当前控制信号对应的移载指令所要移动的晶圆的ID号是否为异常ID号；
若否，则控制第一移载组件和/或第二移载组件执行该移载指令，且在接收到下一触发信号时，将所述下一触发信号中该异常ID号的晶圆应在工位的工位状态参数修改为正确参数；
若是，则控制系统虚拟执行所述移载指令，且在虚拟执行完成后接收到下一触发信号时，将所述下一触发信号中该异常ID号的晶圆应在工位的工位状态参数修改为正确参数。
2.根据权利要求1所述的去环方法，其特征在于：所述过渡工位、切割工位、清洁工位、解胶工位及取环工位处分别设置有用于检测晶圆的检测装置。
3.根据权利要求1所述的去环方法，其特征在于：
控制系统在接收到一触发信号后，确定该触发信号对应的移载指令有效执行后应获取的下一触发信号的标准数据；在控制系统实际接收到下一触发信号时，判断所述下一触发信号与已确定的所述标准数据是否一致，当确定它们不一致时，停机并报警；反之，控制第一移载组件和/或第二移载组件执行该触发信号对应的移载指令；
或，控制系统在接收到每一触发信号时，确定该触发信号与预设数据表中与该触发信号对应顺序号的标准数据是否一致，当确定它们不一致时，停机并报警；反之，控制第一移载组件和/或第二移载组件执行该触发信号对应的移载指令。
4.根据权利要求1所述的去环方法，其特征在于：在确定人工处理后重新获得的所述下一触发信号与标准数据一致，且接收到复位信号时，控制系统控制第一移载组件和/或第二移载组件执行与所述下一触发信号对应的移载指令。
5.根据权利要求1所述的去环方法，其特征在于：所述第一移载组件及第二移载组件在执行一系列移载指令后，使得在一时间段内，所述过渡工位、切割工位、清洁工位、解胶工位、取环工位中的3个或4个工位处同时具有晶圆。
6.根据权利要求1-5任一所述的去环方法，其特征在于：所述控制系统控制所述第一移载组件及第二移载组件工作时包括如下过程：
S1,当接收到一触发信号对应为所述过渡工位及切割工位处无晶圆，所述清洁工位、解胶工位及取环工位处分别有一晶圆时，控制系统至少控制第一移载组件执行将一晶圆从料盒中移动至切割工位的移载指令；
S2，当接收到一触发信号对应为过渡工位处无晶圆，切割工位、清洁工位、解胶工位及取环工位处分别有一晶圆时，控制系统至少控制第二移载组件执行将取环工位处完成加工的晶圆移动到过渡工位的移载指令；
S3，当接收到一触发信号对应为取环工位处无晶圆，过渡工位、切割工位、清洁工位及解胶工位处分别有一晶圆时，控制系统至少控制第一移载组件执行将过渡工位上的晶圆移动到料盒的移载指令；
S4，当接收到一触发信号对应为过渡工位、取环工位处无晶圆，切割工位、清洁工位及解胶工位处分别有一晶圆时，控制系统至少控制第二移载组件执行将解胶工位中完成解胶的晶圆移动至取环工位的移载指令；
S5，当接收到一触发信号对应为过渡工位、解胶工位处无晶圆，切割工位、清洁工位及取环工位处分别有一晶圆时，控制系统至少控制第一移载组件执行将清洁工位中完成清洁的晶圆移动至过渡工位的移载指令；
S6，当接收到一触发信号对应为清洁工位、解胶工位处无晶圆，过渡工位、切割工位及取环工位处分别有一晶圆时，控制系统至少控制第二移载组件执行将过渡工位上的晶圆移动至解胶工位的移载指令；
S7，当接收到一触发信号对应为过渡工位、清洁工位处无晶圆，取环工位、切割工位、及解胶工位处分别有一晶圆时，控制系统至少控制第一移载组件执行将切割工位完成加工的晶圆移动至清洁工位的移载指令。
7.根据权利要求6所述的去环方法，其特征在于：所述S1中，
控制系统在接收到一触发信号对应为所述过渡工位及切割工位处无晶圆，所述清洁工位、解胶工位及取环工位处分别有一晶圆时，控制第一移载组件执行将料盒中的一晶圆的晶圆外框夹取并拖移至过渡工位的移载指令；
控制系统在接收到下一触发信号对应为切割工位处无晶圆，过渡工位、清洁工位、解胶工位及取环工位处分别有一晶圆时，控制第一移载组件执行将过渡工位上的晶圆吸附并移动至切割工位上的移载指令。
8.控制系统，包括处理器及存储器，其特征在于：所述存储器存储有可被所述处理器调用的程序；其中，所述处理器执行所述程序时，实现如权利要求1-7任一所述的去环方法。
9.去环设备，其特征在于：包括如权利要求8所述的控制系统。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116117237A (zh) * 2022-12-20 2023-05-16 苏州镁伽科技有限公司 卸片方法、卸片装置、划片机、可读存储介质以及电子设备
CN117253829B (zh) * 2023-11-17 2024-01-19 沈阳和研科技股份有限公司 一种用于超薄晶圆去环的控制方法和系统

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6122566A (en) * 1998-03-03 2000-09-19 Applied Materials Inc. Method and apparatus for sequencing wafers in a multiple chamber, semiconductor wafer processing system
CN102280398A (zh) * 2010-06-13 2011-12-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆组分配方法
CN105097483A (zh) * 2014-05-13 2015-11-25 株式会社迪思科 晶片的加工方法
CN105304520A (zh) * 2014-07-23 2016-02-03 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶片的调度方法及系统
CN107644823A (zh) * 2016-07-21 2018-01-30 株式会社日立国际电气 衬底处理装置以及半导体器件的制造方法
CN111446182A (zh) * 2019-01-16 2020-07-24 北京北方华创微电子装备有限公司 一种机械手调度方法
CN112410765A (zh) * 2020-11-05 2021-02-26 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) 一种团簇式设备控制方法及装置及存储介质

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3212087B2 (ja) * 1988-10-21 2001-09-25 株式会社日立製作所 多品種搬送方法及び装置
US9659799B2 (en) * 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
CN104281095A (zh) * 2013-07-02 2015-01-14 中国科学院沈阳自动化研究所 一种多腔室晶圆加工设备传输控制系统
CN105069584B (zh) * 2015-08-27 2018-08-14 南京熊猫电子股份有限公司 液晶玻璃基板后加工生产信息管理系统与管理方法
CN105810618B (zh) * 2016-05-31 2018-08-10 北京七星华创电子股份有限公司 提高晶圆传输效率的系统及方法
CN112309887B (zh) * 2019-07-29 2023-03-21 华润微电子（重庆）有限公司 晶圆制造的预派工方法、电子装置、计算机设备和系统

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6122566A (en) * 1998-03-03 2000-09-19 Applied Materials Inc. Method and apparatus for sequencing wafers in a multiple chamber, semiconductor wafer processing system
CN102280398A (zh) * 2010-06-13 2011-12-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆组分配方法
CN105097483A (zh) * 2014-05-13 2015-11-25 株式会社迪思科 晶片的加工方法
CN105304520A (zh) * 2014-07-23 2016-02-03 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶片的调度方法及系统
CN107644823A (zh) * 2016-07-21 2018-01-30 株式会社日立国际电气 衬底处理装置以及半导体器件的制造方法
CN111446182A (zh) * 2019-01-16 2020-07-24 北京北方华创微电子装备有限公司 一种机械手调度方法
CN112410765A (zh) * 2020-11-05 2021-02-26 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) 一种团簇式设备控制方法及装置及存储介质

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