CN112151423A - 一种用于在硅片上沉积背封膜的方法和系统 - Google Patents
一种用于在硅片上沉积背封膜的方法和系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112151423A CN112151423A CN202011074146.2A CN202011074146A CN112151423A CN 112151423 A CN112151423 A CN 112151423A CN 202011074146 A CN202011074146 A CN 202011074146A CN 112151423 A CN112151423 A CN 112151423A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tray
- deposition
- unit
- thickness
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 134
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 74
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 74
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 114
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 41
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 75
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 92
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- H01L21/205—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种用于在硅片上沉积背封膜的方法和系统，所述方法可以包括：针对承载于第一托盘的硅片进行沉积作业；获取所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜的厚度；检测所述沉积膜的厚度是否达到设定的厚度值；相应于所述沉积膜的厚度达到设定的厚度值，清洗所述第一托盘以清除所述沉积膜，并在清洗所述第一托盘的过程中针对承载于第二托盘的硅片进行沉积作业。
Description
技术领域
本发明涉及外延硅片生产技术领域，尤其涉及一种用于在硅片上沉积背封膜的方法和系统。
背景技术
外延硅片半导体集成电路产业的关键基础材料，大规模集成电路多数产品工艺均使用外延硅片。外延硅片可以通过硅片的外延生长获得，但在该过程中可不避免地会存在自掺杂现象。自掺杂现象产生的一种可能的原因为：在硅片外延生长的高温环境下，硅片中含有的例如硼或磷的掺杂剂原子向外扩散并穿过硅片背面进入到用于外延生长的反应气体中，并沉积到硅片的外延层中。硅片的外延层中沉积有上述掺杂剂原子的情况下会导致电阻率漂移，从而严重影响外延硅片的品质。
硅片背封技术是一种常用的阻止自掺杂现象出现的手段，该技术是指在硅片背面沉积一层比如高纯二氧化硅薄膜之类的背封膜，以避免上述掺杂剂原子穿过硅片背面进入反应气体中，起到对掺杂剂原子封闭的作用，从而有效抑制自掺杂，减小对电阻率的影响，改善外延硅片的品质。
出于成本及成膜质量的考虑，通常采用常压化学气相沉积(AtmosphericPressure Chemical Vapor Deposition，APCVD)方式将背封膜沉积在将要进行外延生长的硅片的背面。现有的连续式APCVD系统一般包括硅片运送单元与沉积单元等，硅片被运送单元携带经过沉积单元以在硅片背面沉积背封膜。早期的APCVD系统运送单元采用合金材质的运送带，现出于金属污染的考虑更多选用非金属材料的硅片承载托盘。
如图1所示，在使用硅片承载托盘T对硅片W进行承载的情况下，在硅片W的背面沉积(如在图1中用向下的箭头示出的)背封膜F1时，托盘T的上表面中接触硅片W的区域T1不会被沉积薄膜，而除去接触硅片W的区域T1以外的区域T2不可避免地被沉积上一层沉积膜F2，沉积膜F2随着沉积次数的增加变厚，积累到一定程度时会对后续硅片的背封膜沉积造成不良影响。具体地，由于不同硅片的直径可能存在差别，且硅片被比如机械手放置在托盘的位置也不是完全一致，因此如在图2中示出的，硅片W可能通过沉积膜F2和区域T1被倾斜地支承在托盘T中，在沉积膜F2较厚的情况下将严重影响沉积在硅片W上的背封膜F1的均匀性。
因此，当如图2中示出的沉积膜F2积累到一定厚度(通常为10μm左右)时必须将其去除，以避免后续进行背封沉积时在硅片上形成均匀性差的背封膜。
通常，沉积在托盘上的沉积膜的厚度达到阈值时，需要将沉积系统中的所有托盘取下后置于清洗设备中进行清洗以将托盘上的沉积膜去除。在此期间，沉积系统处于停机状态，或者需要使用新的备用托盘来实现不停机生产。周期性的系统停机会导致生产效率的降低，而对额外的备用托盘的使用会导致生产成本的增加。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例期望提供一种用于在硅片上沉积背封膜的方法和系统，能够实现在背封膜沉积工艺中，对沉积在托盘表面的沉积膜进行及时清洗，以避免由于托盘上的沉积膜过厚而导致的在后续沉积过程中在硅片上形成均匀性差的背封膜，不需要系统周期性地停机以避免生产效率降低的问题，并且不需要提供额外的备用托盘以避免增大生产成本。
本发明的技术方案是这样实现的：
第一方面，本发明实施例提供了一种用于在硅片上沉积背封膜的方法，所述方法包括：
针对承载于第一托盘的硅片进行沉积作业；
获取所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜的厚度；
检测所述沉积膜的厚度是否达到设定的厚度值；
相应于所述沉积膜的厚度达到设定的厚度值，清洗所述第一托盘以清除所述沉积膜，并在清洗所述第一托盘的过程中针对承载于第二托盘的硅片进行沉积作业。
第二方面，本发明实施例提供了一种用于在硅片上沉积背封膜的系统，所述系统包括：沉积单元、获取单元、检测单元、清洗单元和运送单元，
所述沉积单元配置成针对承载于第一托盘的硅片进行沉积作业，
所述获取单元配置成获取所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜的厚度，
所述检测单元配置成检测所述沉积膜的厚度是否达到设定的厚度值，
所述清洗单元配置成相应于所述沉积膜的厚度达到设定的厚度值，清洗所述第一托盘以清除所述沉积膜，并且所述沉积单元还配置成在清洗所述第一托盘的过程中针对承载于第二托盘的硅片进行沉积作业，
所述运送单元配置成所述第一托盘的沉积作业完成后将所述第一托盘从所述沉积单元运送至所述清洗单元。
本发明实施例提供了一种用于在硅片上沉积背封膜的方法和系统，实现了在背封膜沉积工艺中，对沉积在托盘表面的沉积膜进行及时清洗，避免了由于托盘上的沉积膜过厚而导致的在后续沉积过程中在硅片上形成均匀性差的背封膜，不需要系统周期性地停机因此避免了生产效率降低的问题，并且在将清洗后的第一托盘运送至沉积单元的情况下不需要提供额外的备用托盘因此不会增大生产成本。
附图说明
图1为在硅片上沉积背封膜时会在托盘上沉积一层沉积膜的示意图；
图2为托盘沉积膜导致硅片上沉积的背封膜的厚度不均匀的示意图；
图3为常规的用于在硅片上沉积背封膜的系统的流程示意图；
图4为本发明实施例提供的一种用于在硅片上沉积背封膜的方法的示意图；
图5为本发明实施例提供的一种用于在硅片上沉积背封膜的系统的示意图；
图6为本发明实施例提供的一种用于在硅片上沉积背封膜的系统的流程示意图；
图7为本发明实施例提供的一种获取单元的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
参见图3，其示出了常规的用于在硅片W上沉积背封膜的系统的流程示意图。如图3所示，待背封的硅片W在上料口处被放置在托盘T上并随托盘一起运送至沉积单元以在硅片W上沉积背封膜。沉积完成之后，硅片W和托盘T一起被运送至下料口并且已背封的硅片W在下料口处被从托盘T取下，空托盘再次被运送至上料口处，以完成下一周期的沉积作业。
当沉积次数过多或者说沉积在托盘上的沉积膜的厚度太大比如大于10μm时，需要将托盘移送至清洗设备进行清洗，此时系统中没有托盘并处于停机状态，或者为了实现不间断生产需要换上额外的备用托盘，系统停机会造成生产效率降低，而为了实现连续生产需要额外的备用托盘，增大了生产成本。
为解决上述问题，参见图4，本发明实施例提供了一种用于在硅片上沉积背封膜的方法，所述方法可以包括：
S101：针对承载于第一托盘的硅片进行沉积作业；
S102：获取所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜的厚度；
S103：检测所述沉积膜的厚度是否达到设定的厚度值；
S104：相应于所述沉积膜的厚度达到设定的厚度值，清洗所述第一托盘以清除所述沉积膜，并在清洗所述第一托盘的过程中针对承载于第二托盘的硅片进行沉积作业。
优选地，所述方法还可以包括：所述第一托盘被清洗完成后，将所述第一托盘作为待沉积作业的托盘。
可以理解的是，当检测单元检测出沉积在第一托盘上的沉积膜的厚度没有达到设定厚度时，也可以对第一托盘进行及时清洗以使第一托盘在执行下一次的沉积作业时能够在承载的硅片上形成更好的背封膜。然而，在本发明的优选实施例中，所述方法还包括如果所述沉积膜的厚度没有达到所述设定厚度则在不对所述第一托盘进行清洗的情况下使所述第一托盘直接执行下一次的沉积作业。
在沉积作业的工艺参数比如每次沉积作业所经历的时间不发生变化的情况下，可以直接通过托盘执行的背封作业的次数来估计沉积在托盘上的沉积膜的厚度。然而，一种可能出现的情况是，在一种工艺参数下多次执行沉积作业后，沉积在托盘上的沉积膜的总厚度没有达到设定厚度，因此没有对托盘进行清洗。而在另一种工艺参数下执行沉积作业时，仍然使用该托盘对硅片进行承载以完成沉积作业，而两种工艺参数的不同之处在于托盘执行一次沉积作业所经历的时间发生了变化，比如在需要在硅片上沉积较厚的背封膜的情况下，可能需要承载硅片的托盘经历较长的沉积时间，这样一来，每次沉积作业过程中沉积在托盘上的沉积膜的厚度也会较厚。在这种情况下，如果仍然单纯按照托盘经历的沉积作业的次数来估计沉积在托盘上的沉积膜的厚度显然是不合理的。因此，在本发明的优选实施例中，所述获取所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜的厚度，包括：
记录所述第一托盘经历的沉积作业的次数；
监控所述第一托盘在每次沉积作业过程中经历的时间；
根据所述次数和所述时间计算所述沉积膜的厚度。
比如可以通过实验得出在沉积作业过程中单位时间内沉积在托盘上的沉积膜的厚度，则可以用该厚度乘以各次执行沉积作业所经历的总时间就可以得到当前沉积在托盘上的沉积膜的厚度。
可以理解的是，如果沉积膜的厚度还没有达到设定厚度就对托盘进行清洗，则会导致生产成本的增加，而如果沉积膜的厚度已达到设定厚度的情况下不对托盘进行清洗而使托盘执行下一次沉积作业，则会使沉积在硅片上的背封膜出现不均匀的情况。通过上述方式，所获得的沉积在托盘上的沉积膜的厚度能够更符合实际厚度，从而能够更准确地判断沉积膜的厚度是否达到设定厚度，降低生产成本的同时保证了沉积在硅片上的背封膜的均匀性。
优选地，所述清洗所述第一托盘以清除所述沉积膜，可以包括：用刻蚀液喷淋所述第一托盘。
优选地，所述清洗所述第一托盘以清除所述沉积膜，可以包括：将所述第一托盘浸入到刻蚀液中。
参见图5，本发明实施例还提供了一种用于在硅片上沉积背封膜的系统10，所述系统10可以包括：沉积单元100、获取单元200、检测单元300、清洗单元400和运送单元500，
所述沉积单元100配置成针对承载于第一托盘的硅片进行沉积作业，
所述获取单元200配置成获取所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜的厚度，
所述检测单元300配置成检测所述沉积膜的厚度是否达到设定的厚度值，
所述清洗单元400配置成相应于所述沉积膜的厚度达到设定的厚度值，清洗所述第一托盘以清除所述沉积膜，并且所述沉积单元100还配置成在清洗所述第一托盘的过程中针对承载于第二托盘的硅片进行沉积作业，
所述运送单元500配置成所述第一托盘的沉积作业完成后将所述第一托盘从所述沉积单元100运送至所述清洗单元400。
在利用根据本发明实施提供的系统10在硅片上沉积背封膜的作业中，由于对沉积在托盘表面的沉积膜进行及时清洗，因此避免了由于托盘上的沉积膜过厚而导致的在后续沉积过程中在硅片上形成均匀性差的背封膜，并且不需要系统周期性地停机以完成对托盘的清洗因此避免了生产效率降低的问题。
优选地，所述运送单元500还配置成所述第一托盘被清洗完成后，将所述第一托盘从所述清洗单元400运送至所述沉积单元100。这样，系统10使用数量较少的托盘即可实现不停机连续作业。举例来说，假设单个托盘每次进行沉积作业的时间为t，并根据限制的沉积膜的厚度得出该托盘可以执行n次沉积作业，则该托盘可以完成沉积作业的总时间为T1＝t×n，另外，假设清洗单个托盘所需时间为T2，那么，如果比如T2<T1，则需要2个托盘即可实现不停机连续作业，如果比如T2是T1的m倍，则在清洗作业可以同时针对多个托盘执行的情况下需要m+1个托盘即可实现不停机连续作业。通常，系统10中会使用数量较多的托盘进行沉积作业，因此，在将清洗后的第一托盘运送至沉积单元以再次进行沉积作业的情况下不需要对系统10提供额外的备用托盘因此不会增大生产成本。
以下结合图6描述本发明实施例提供的用于在硅片上沉积背封膜的系统10的流程与图3中示出的流程的不同之处。在硅片W的沉积完成并且已背封的硅片W在下料口处被从托盘T取下之后，空托盘并非直接再次被运送至上料口处，此时获取单元200获取托盘T上的沉积膜的厚度，并且检测单元300检测沉积膜的厚度是否达到设定的厚度。在托盘T上的沉积膜的厚度达到设定厚度的情况下，托盘T经由运送单元500被运送至清洗单元400，在托盘T上的沉积膜的厚度没有达到设定厚度的情况下，托盘T与图3中示出的情况一样被运送至上料口处。而且，被清洗单元400清洗完成的托盘T经由运送单元500被运送至上料口处。这样，在系统10采用多个托盘作业的情况下，当某一托盘的沉积膜的厚度达到设定厚度需要清洗时，可以利用另一托盘进行沉积作业。
优选地，参见图7，所述获取单元200可以包括：记录器210、监控器220和计算器230，
所述记录器210配置成记录所述第一托盘经历的沉积作业的次数；
所述监控器220配置成监控所述第一托盘在每次沉积作业过程中经历的时间；
所述计算器230配置成根据所述次数和所述时间计算所述沉积膜的厚度。
优选地，所述清洗单元400可以包括刻蚀液喷淋装置，通过用刻蚀液喷淋托盘将沉积膜去除。
优选地，所述清洗单元400可以包括容纳有刻蚀液的刻蚀槽，通过将托盘浸入到刻蚀液中将沉积膜去除。
需要说明的是：本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种用于在硅片上沉积背封膜的方法，其特征在于，包括：
针对承载于第一托盘的硅片进行沉积作业；
获取所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜的厚度；
检测所述沉积膜的厚度是否达到设定的厚度值；
相应于所述沉积膜的厚度达到设定的厚度值，清洗所述第一托盘以清除所述沉积膜，并在清洗所述第一托盘的过程中针对承载于第二托盘的硅片进行沉积作业。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：所述第一托盘被清洗完成后，将所述第一托盘作为待沉积作业的托盘。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜的厚度，包括：
记录所述第一托盘经历的沉积作业的次数；
监控所述第一托盘在每次沉积作业过程中经历的时间；
根据所述次数和所述时间计算所述沉积膜的厚度。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗所述第一托盘以清除所述沉积膜，包括：用刻蚀液喷淋所述第一托盘。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗所述第一托盘以清除所述沉积膜，包括：将所述第一托盘浸入到刻蚀液中。
6.一种用于在硅片上沉积背封膜的系统，其特征在于，包括：沉积单元、获取单元、检测单元、清洗单元和运送单元，
所述沉积单元配置成针对承载于第一托盘的硅片进行沉积作业，
所述获取单元配置成获取所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜的厚度，
所述检测单元配置成检测所述沉积膜的厚度是否达到设定的厚度值，
所述清洗单元配置成相应于所述沉积膜的厚度达到设定的厚度值，清洗所述第一托盘以清除所述沉积膜，并且所述沉积单元还配置成在清洗所述第一托盘的过程中针对承载于第二托盘的硅片进行沉积作业，
所述运送单元配置成所述第一托盘的沉积作业完成后将所述第一托盘从所述沉积单元运送至所述清洗单元。
7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述运送单元还配置成所述第一托盘被清洗完成后，将所述第一托盘从所述清洗单元运送至所述沉积单元。
8.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述获取单元包括：记录器、监控器和计算器，
所述记录器配置成记录所述第一托盘经历的沉积作业的次数；
所述监控器配置成监控所述第一托盘在每次沉积作业过程中经历的时间；
所述计算器配置成根据所述次数和所述时间计算所述沉积膜的厚度。
9.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述清洗单元包括刻蚀液喷淋装置。
10.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述清洗单元包括容纳有刻蚀液的刻蚀槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011074146.2A CN112151423A (zh) | 2020-10-09 | 2020-10-09 | 一种用于在硅片上沉积背封膜的方法和系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011074146.2A CN112151423A (zh) | 2020-10-09 | 2020-10-09 | 一种用于在硅片上沉积背封膜的方法和系统 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112151423A true CN112151423A (zh) | 2020-12-29 |
Family
ID=73952733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011074146.2A Pending CN112151423A (zh) | 2020-10-09 | 2020-10-09 | 一种用于在硅片上沉积背封膜的方法和系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112151423A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113725070A (zh) * | 2021-11-01 | 2021-11-30 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于背封硅片的方法和设备 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5190590A (en) * | 1990-04-10 | 1993-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Vacuum coating apparatus |
| JP2008021686A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 基板保持トレー |
| KR20090058931A (ko) * | 2007-12-05 | 2009-06-10 | 주식회사 실트론 | 상압 기상 증착 장치 |
| KR20110136956A (ko) * | 2010-06-16 | 2011-12-22 | 주식회사 원익아이피에스 | 태양전지용 박막증착공정장치의 트레이 세정방법 |
| CN102347233A (zh) * | 2011-08-14 | 2012-02-08 | 上海合晶硅材料有限公司 | 提高硅片背封时硅片厚度均匀性的方法及托盘 |
| CN102776488A (zh) * | 2011-05-10 | 2012-11-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 化学气相沉积反应腔装置及具有其的化学气相沉积设备 |
| CN102969229A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-03-13 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种重掺磷单晶硅晶圆片高致密性二氧化硅背封工艺 |
| JP2013237900A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置、薄膜形成方法および薄膜測定方法 |
| CN104073783A (zh) * | 2013-03-25 | 2014-10-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔室以及等离子体加工设备 |
| CN105762093A (zh) * | 2014-12-16 | 2016-07-13 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 工艺腔室及判断托盘上的晶片位置是否异常的方法 |
| CN109811323A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-05-28 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种磁控溅射装置和托盘检测方法 |
| CN110643974A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-01-03 | 苏州迈正科技有限公司 | 一种托盘回传清洗机构及一种对托盘进行清洗的方法 |
| KR20200013930A (ko) * | 2018-07-31 | 2020-02-10 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
-
2020
- 2020-10-09 CN CN202011074146.2A patent/CN112151423A/zh active Pending
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5190590A (en) * | 1990-04-10 | 1993-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Vacuum coating apparatus |
| JP2008021686A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 基板保持トレー |
| KR20090058931A (ko) * | 2007-12-05 | 2009-06-10 | 주식회사 실트론 | 상압 기상 증착 장치 |
| KR20110136956A (ko) * | 2010-06-16 | 2011-12-22 | 주식회사 원익아이피에스 | 태양전지용 박막증착공정장치의 트레이 세정방법 |
| CN102776488A (zh) * | 2011-05-10 | 2012-11-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 化学气相沉积反应腔装置及具有其的化学气相沉积设备 |
| CN102347233A (zh) * | 2011-08-14 | 2012-02-08 | 上海合晶硅材料有限公司 | 提高硅片背封时硅片厚度均匀性的方法及托盘 |
| JP2013237900A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置、薄膜形成方法および薄膜測定方法 |
| CN102969229A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-03-13 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种重掺磷单晶硅晶圆片高致密性二氧化硅背封工艺 |
| CN104073783A (zh) * | 2013-03-25 | 2014-10-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔室以及等离子体加工设备 |
| CN105762093A (zh) * | 2014-12-16 | 2016-07-13 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 工艺腔室及判断托盘上的晶片位置是否异常的方法 |
| KR20200013930A (ko) * | 2018-07-31 | 2020-02-10 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| CN109811323A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-05-28 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种磁控溅射装置和托盘检测方法 |
| CN110643974A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-01-03 | 苏州迈正科技有限公司 | 一种托盘回传清洗机构及一种对托盘进行清洗的方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113725070A (zh) * | 2021-11-01 | 2021-11-30 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于背封硅片的方法和设备 |
| CN113725070B (zh) * | 2021-11-01 | 2022-01-25 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于背封硅片的方法和设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20060081334A1 (en) | Substrate processing method | |
| US20160126090A1 (en) | Method for Processing a Semiconductor Wafer Using a Thin Edge Carrier Ring | |
| KR100506107B1 (ko) | 반도체 제조 장치의 드라이클리닝 시기 판정 시스템,반도체 제조 장치의 드라이클리닝 방법, 반도체 제조장치의 드라이클리닝 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| CN112151423A (zh) | 一种用于在硅片上沉积背封膜的方法和系统 | |
| US9633841B2 (en) | Methods for depositing amorphous silicon | |
| US20100240214A1 (en) | Method of forming multi metal layers thin film on wafer | |
| CN113725070B (zh) | 一种用于背封硅片的方法和设备 | |
| CN112151424A (zh) | 一种用于在硅片上沉积背封膜的方法和系统 | |
| US6796315B2 (en) | Method to remove particulate contamination from a solution bath | |
| CN105555684A (zh) | 基板处理系统 | |
| US20190237321A1 (en) | Method of wafer recycling | |
| CN114927429A (zh) | 半导体装置制造设备及其处理污染方法 | |
| CN106929822A (zh) | 一种薄膜沉积方法 | |
| CN115527903B (zh) | 一种用于背封硅片的设备和方法 | |
| CN113261082A (zh) | 附着物除去方法和成膜方法 | |
| KR102172753B1 (ko) | 반도체 제조 장비 운용 방법 | |
| US20230235457A1 (en) | Substrate processing method | |
| CN116487303B (zh) | 半导体产品制造过程中氮气吹扫实现方法及电子设备 | |
| US20160233114A1 (en) | Chambers for particle reduction in substrate processing systems | |
| US20230323533A1 (en) | Substrate processing method | |
| JP2017220536A (ja) | 成膜装置および太陽電池の製造方法 | |
| CN110670049A (zh) | 一种气相沉积方法及装置 | |
| JPH06151316A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2000235955A (ja) | Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ装置のクリーニング方法 | |
| CN117737710A (zh) | 检测pecvd设备气体管路堵塞的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20220801 Address after: Room 1-3-029, No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi 710065 Applicant after: Xi'an yisiwei Material Technology Co.,Ltd. Applicant after: XI'AN ESWIN SILICON WAFER TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi 710065 Applicant before: XI'AN ESWIN SILICON WAFER TECHNOLOGY Co.,Ltd. Applicant before: Xi'an yisiwei Material Technology Co.,Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: Room 1-3-029, No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi 710065 Applicant after: Xi'an Yisiwei Material Technology Co.,Ltd. Applicant after: XI'AN ESWIN SILICON WAFER TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: Room 1-3-029, No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi 710065 Applicant before: Xi'an yisiwei Material Technology Co.,Ltd. Applicant before: XI'AN ESWIN SILICON WAFER TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information |