CN104073783A - 反应腔室以及等离子体加工设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种反应腔室以及等离子体加工设备，其包括沿其轴向间隔设置的多层托盘以及检测单元，在每层托盘的上表面形成有未被所有的位于其上方的托盘覆盖的检测位置，多层托盘的检测位置与反应腔室的中心线之间的水平间距由下而上逐渐减小，置于每层托盘上的被加工工件的下表面的部分区域与其所在托盘的检测位置重叠；检测单元用于检测部分区域叠置在检测位置上的被加工工件的温度和/或薄膜厚度。本发明提供的反应腔室，其可以同时对不同托盘上的被加工工件的温度和/或薄膜沉积厚度进行实时检测，从而可以根据检测结果及时地对设备进行相应的调试，以改善被加工工件的温度均匀性和/或薄膜沉积厚度的均匀性。

Description

反应腔室以及等离子体加工设备

技术领域

本发明涉及微电子加工技术领域，具体地，涉及一种反应腔室以及等离子体加工设备。

背景技术

采用金属有机化合物化学气相沉积（Metal Organic ChemicalVapor Deposition，以下简称MOCVD）设备制备薄膜的原理是将Ⅱ或Ⅲ族金属有机化合物与Ⅳ或Ⅴ族元素的氢化物相混合后通入反应腔室，混合后的气体在加热的衬底表面发生热分解反应，并在衬底表面外延生长形成薄膜。

图1为MOCVD设备的结构示意图。请参阅图1，MOCVD设备包括由外石英管16、上法兰10和下法兰17形成的反应腔室1。其中，在反应腔室1中设置有沿竖直方向间隔设置的多层托盘11，每层托盘11上承载有多个衬底片13。而且，在反应腔室1内的中心位置处设置有自下而上贯穿多层托盘11的进气装置12，该进气装置12的工艺气体进气口121位于相邻的两层托盘11之间，用以沿水平方向向四周喷出工艺气体；在进气装置12上，且位于靠近下法兰17的位置处设置有保护气体进气口122，以及在上法兰10的中心位置处设置有保护气体中央进气口18，保护气体进气口122和保护气体中央进气口18用于沿水平方向向四周喷出保护气体；在外石英管16的内侧且位于多层托盘11的外围设置有内石英管14，并且在内石英管14上且位于相邻的两层托盘11之间设置有排气口141。此外，在外石英管16的外侧还设置有感应线圈15，用以在工艺时采用感应加热的方式加热托盘11，从而间接加热衬底片13，以使其达到工艺所需的温度。在进行工艺的过程中，工艺气体自工艺气体进气口121进入反应腔室1中，并沿水平方向朝四周流动；在工艺气体流经位于每层托盘11上的衬底片13的表面时，工艺气体会与衬底片13发生化学反应，并在衬底片13的表面沉积薄膜；反应后的废气以及保护气体会自排气口141以及分别设置在上法兰10和下法兰17上的排气管道排出反应腔室1。

上述MOCVD设备由于设置了能够承载多个衬底片13（一般每层托盘11可放置16～18个）的多层托盘11，其单次工艺能够处理的衬底片数量较多，从而能够满足大批量生产的需求。然而，在实际应用中，不同托盘11上的衬底片13之间以及同一托盘11上的各个衬底片13之间，温度和薄膜沉积厚度往往存在差异，而且由于多层托盘11沿竖直方向间隔设置，上述MOCVD设备很难同时对各层托盘11上的衬底片13的温度和薄膜沉积厚度进行实时监测，导致操作人员无法实时获知衬底片13的温度均匀性和薄膜沉积厚度的均匀性，以及时地对设备进行相应的调试，从而给控制衬底片13的温度均匀性和薄膜沉积厚度的均匀性带来了难度。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应腔室以及等离子体加工设备，其可以同时对不同托盘上的被加工工件的温度和/或薄膜沉积厚度进行实时检测，从而可以根据检测结果及时地对设备进行相应的调试，以改善被加工工件的温度均匀性和/或薄膜沉积厚度的均匀性。

为实现本发明的目的而提供一种反应腔室，在所述反应腔室内设置有沿竖直方向间隔设置的多层托盘，每层所述托盘承载有多个被加工工件，在每层所述托盘的上表面上形成有未被所有的位于其上方的所述托盘覆盖的检测位置，所述多层托盘的检测位置与所述反应腔室在竖直方向上的中心线之间的水平间距由下而上逐渐减小；在所述多层托盘中的最上层托盘的上方，且与每层所述托盘的检测位置相对应的位置处设置有检测单元，用以检测设置在每层托盘上，且部分区域叠置在所述检测位置上的被加工工件的温度和/或薄膜厚度。

其中，除最底层的托盘之外，在每层托盘上设置有贯穿其厚度的通槽，每层托盘的通槽的位置和相邻的且位于该层托盘下方的托盘的检测位置相对应，并且，所述多层托盘的外径自下而上逐渐减小，以使每层所述托盘的通槽未被与之相邻的且位于该层托盘上方的所述托盘覆盖；每个所述通槽在所述反应腔室的径向截面上的投影形状为由多个沿所述托盘的周向间隔设置的弧形段组成的环形。

其中，所述多层托盘的外径相等；并且，除最底层的托盘之外，在每层托盘上设置有贯穿其厚度的通槽，每层托盘的通槽的数量和位置与位于该层托盘下方的所有托盘的检测位置的数量和位置一一对应；每个所述通槽在所述反应腔室的径向截面上的投影形状为由多个沿所述托盘的周向间隔设置的弧形段组成的环形。

其中，所述多层托盘的外径自下而上逐渐减小，以使每层所述托盘的检测位置未被相邻的且位于该层托盘上方的托盘覆盖。

其中，所述检测单元设置在所述反应腔室的腔室顶壁上方，并且在所述腔室顶壁上设置有贯穿其厚度的通孔，所述通孔的数量和位置与所述检测单元的数量和位置一一对应。

其中，所述反应腔室的腔室顶壁上，且位于所有的检测单元的下方设置有透明的石英窗；所述检测单元经由所述石英窗检测设置在每层托盘上，且部分区域叠置在所述检测位置上的被加工工件的温度和/或薄膜厚度。

其中，所述反应腔室还包括进气装置，所述进气装置自下而上贯穿所述多层托盘，且包括用于向所述反应腔室内输送工艺气体的第一进气口，所述第一进气口位于相邻的两层托盘之间，并且各个所述第一进气口和相邻的且位于其下方的所述托盘的检测位置之间的水平间距相等。

其中，所述进气装置还包括用于向所述反应腔室内输送保护气体的第二进气口，所述第二进气口位于所述多层托盘中的最下层托盘的下方；并且在所述反应腔室的腔室顶壁上，且靠近其中心位置处设置有第三进气口，所述第三进气口用于沿水平方向朝向所述反应腔室的四周输送保护气体。

其中，所述反应腔室还包括透明的环形内壁，所述环形内壁设置在所述反应腔室的腔室侧壁内侧，且位于所述多层托盘的外围，并且在所述环形内壁上且位于相邻的两层托盘之间设置有排气口，并且各个所述排气口和相邻的且位于其下方的所述托盘的检测位置之间的水平间距相等。

其中，所述反应腔室还包括感应线圈，其环绕所述反应腔室的腔室侧壁的外侧设置，用以采用感应加热的方式加热所述多层托盘，并且所述感应线圈与各层所述托盘的检测位置之间的水平间距相等；所述腔室侧壁采用石英制作。

本发明还提供一种等离子体加工设备，其包括反应腔室，所述反应腔室采用了本发明提供的上述反应腔室。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的反应腔室，其通过在每层托盘的上表面上形成未被所有的位于其上方的托盘覆盖的检测位置，且使多层托盘的检测位置与所述反应腔室在竖直方向上的中心线之间的水平间距由下而上逐渐减小，可以借助设置在最上层托盘的上方，且位于与每层托盘的检测位置相对应的位置处的检测单元，实时检测设置在每层托盘上，且部分区域叠置在检测位置上的被加工工件的温度和/或薄膜厚度，从而可以根据检测结果及时地对设备进行相应的调试，以改善被加工工件的温度均匀性和/或薄膜沉积厚度的均匀性。

本发明提供的等离子体加工设备，其通过采用本发明提供的反应腔室，可以同时对不同托盘上的被加工工件的温度和/或薄膜沉积厚度进行实时检测，从而可以根据检测结果及时地对设备进行相应的调试，以改善被加工工件的温度均匀性和/或薄膜沉积厚度的均匀性。

附图说明

图1为MOCVD设备的结构示意图；

图2A为本发明第一实施例提供的反应腔室的半剖图；

图2B为图2A中托盘在A-A沿线的俯视图；

图3A为本发明第二实施例提供的反应腔室的半剖图；

图3B为图3A中托盘在A-A沿线的俯视图；

图4A为本发明第三实施例提供的反应腔室的半剖图；以及

图4B为图4A中托盘在A-A沿线的俯视图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的反应腔室以及等离子体加工设备进行详细描述。

图2A为本发明第一实施例提供的反应腔室的半剖图。图2B为图2A中托盘在A-A沿线的俯视图。请一并参阅图2A和图2B，本发明第一实施例提供的反应腔室20，其包括腔室顶壁21、腔室侧壁22、多层托盘24和检测单元（261，262，263）。其中，多层托盘24位于反应腔室20的内部，且沿其轴向间隔设置，并且每层托盘24承载有多个被加工工件25；在本实施例中，托盘24的层数为五层，即：由上而下依次设置的第一层托盘至第五层托盘，在第二层托盘至第四层托盘中，在每层托盘24的上表面上形成有未被所有的位于其上方的托盘24覆盖的检测位置，每层托盘24的检测位置与反应腔室20在竖直方向上的中心线之间的水平间距由下而上逐渐减小。

下面对实现每层托盘24的检测位置不被所有的位于其上方的托盘24覆盖的方式进行详细地描述。具体地，除最底层的托盘24之外，在每层托盘24上设置有贯穿其厚度的通槽，即：依次设置在第一层托盘至第三层托盘上的通槽（241，242，243），通槽（241，242，243）在反应腔室20的径向截面上的投影形状为由多个沿托盘24的周向间隔设置的弧形段组成的环形，例如，如图2B所示，通槽（241，242，243）为由四个沿托盘24的周向间隔设置的弧形段组成的环形。而且，第一层托盘至第四层托盘的外径自下而上逐渐减小，以使通槽（241，242，243）未被与之相邻的且位于其上方的托盘24覆盖，从而可以实现每层托盘24的检测位置不被所有的位于其上方的托盘24覆盖。

检测单元（261，262，263）设置在腔室顶壁21的上方，且位于与每层托盘24的检测位置相对应的位置处，即，检测单元（261，262，263）的位置与通槽（241，242，243）的位置一一对应；并且，在腔室顶壁21上设置有贯穿其厚度的通孔（211，212，213），且通孔（211，212，213）的数量位置与检测单元（261，262，263）的数量和位置一一对应，在进行工艺的过程中，检测单元（261，262，263）依次经由通孔（211，212，213）和通槽（241，242，243）检测部分区域重叠在检测位置上的被加工工件25的温度和/或薄膜厚度。在实际应用中，检测单元可以包括采用红外、激光探测等的方式进行检测的温度传感器和/或距离传感器。

通过在每层托盘24的上表面上形成未被所有的位于其上方的托盘24覆盖的检测位置，且使多层托盘24的检测位置与反应腔室20在竖直方向上的中心线之间的水平间距由下而上逐渐减小，可以在进行工艺的过程中借助检测单元实时检测设置在每层托盘上，且部分区域叠置在检测位置上的被加工工件的温度和/或薄膜厚度，以获知各层托盘24上的被加工工件25的温度和/或薄膜厚度是否均匀，从而可以根据检测结果及时地对设备进行相应的调试，以改善被加工工件的温度均匀性和/或薄膜沉积厚度的均匀性。

在本实施例中，反应腔室20还包括托盘驱动装置（图中未示出），其与多层托盘24连接，用以在进行工艺的过程中驱动多层托盘24围绕反应腔室20的轴线（即，反应腔室20在竖直方向上的中心线）旋转，以提高工艺均匀性。在这种情况下，通过将通槽（241，242，243）在反应腔室20的径向截面上的投影形状设置为由多个沿托盘24的周向间隔设置的弧形段组成的环形，可以使检测单元在托盘24旋转时仍可以对相应的被加工工件25进行检测，从而可以实现检测单元的实时检测。容易理解，在每个通槽中，相邻的两个弧形段之间的间隙应在保证托盘强度的前提下尽量减小，以在托盘24旋转时最大限度地降低该间隙对检测过程的影响。

在本实施例中，反应腔室20还包括进气装置29，进气装置29自下而上穿过各层托盘24的中心孔，进气装置29包括用于向反应腔室20内输送工艺气体的第一进气口291，第一进气口291位于相邻的两层托盘24之间，在进行工艺的过程中，工艺气体自第一进气口291沿水平方向朝向反应腔室20的四周流动，并在经过相应的被加工工件25的上表面时与之发生化学反应，并在该被加工工件25的表面沉积薄膜。优选地，各个第一进气口291和相邻的且位于其下方的托盘24的检测位置之间的水平间距相等，以使各个第一进气口291能够与相应的被加工工件25之间的水平间距相等，从而可以保证工艺气体在反应腔室20内分布的气流场的稳定性和均匀性。具体地，多层托盘24的中心孔的孔径由下至上逐渐减小，对应地，第一进气口291的端部与反应腔室20的轴线之间的水平间距逐渐减小，从而可以实现各个第一进气口291和相邻的且位于其下方的托盘24的检测位置之间的水平间距相等。

在本实施例中，为了保护反应腔室20的腔室壁在工艺过程中不被工艺气体腐蚀，在进气装置29上且位于靠近腔室底部的位置处，即，位于第四层托盘的下方设置有用于向反应腔室20内输送保护气体的第二进气口292；而且，在腔室顶壁21上，且靠近其中心位置处设置有用于沿水平方向朝向反应腔室20的四周输送保护气体的第三进气口23。保护气体可以为氮气或氢气等的不与腔室壁发生反应的气体。

在本实施例中，反应腔室20还包括透明的环形内壁27，环形内壁27设置在反应腔室20的腔室侧壁22内侧，且位于多层托盘24的外围，并且，在环形内壁27上且位于相邻的两层托盘24之间设置有排气口271，在进行工艺的过程中，反应后的废气以及保护气体经由排气口271和腔室顶壁21的排气通道排出反应腔室20。优选地，各个排气口271和相邻的且位于其下方的托盘24的检测位置之间的水平间距相等，以使各个排气口271能够与相应的被加工工件25之间的水平间距相等，从而可以保证工艺气体在反应腔室20内分布的气流场的稳定性和均匀性。在实际应用中，环形内壁27可以采用透明且耐高温的材料制作，以保证检测单元发射的红外光或激光能够穿透环形内壁27，例如，环形内壁27可以采用透明的石英制作。

在本实施例中，反应腔室20还包括感应线圈28，其环绕腔室侧壁22的外侧设置，用以采用感应加热的方式加热多层托盘24。优选地，感应线圈28与各层托盘24的检测位置之间的水平间距相等，以使感应线圈28能够与相应的被加工工件25之间的水平间距相等，从而可以保证在反应腔室20内产生的磁场的磁场强度在竖直方向上分布均匀。容易理解，由于反应腔室20借助感应线圈28采用感应加热的方式加热托盘24，腔室侧壁22应采用石英等的不导磁的隔热材料制作，以防止感应线圈28加热腔室侧壁22。

需要说明的是，在本实施例中，反应腔室20借助感应线圈28采用感应加热的方式加热托盘24，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，反应腔室还可以借助电阻丝、红外辐射灯等加热装置采用热辐射的方式加热托盘24，在这种情况下，腔室侧壁22应采用透明且耐高温的材料制作。

还需要说明的是，在本实施例中，通过在腔室顶壁21上设置有贯穿其厚度的通孔（211，212，213）来使检测单元能够穿透腔室顶壁21进行检测，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，也可以通过在反应腔室的腔室顶壁21上，且位于所有检测单元的下方设置透明的石英窗来代替通孔，在这种情况下，检测单元可以经由石英窗穿透腔室顶壁21。容易理解，石英窗可以为一整体结构，或者由数量和位置与检测单元的数量和位置一一对应的多个石英窗组成。此外，还可以将检测单元设置在反应腔室20的内部，且位于多层托盘中的最上层托盘的上方。

进一步需要说明的是，在实际应用中，可以设置多个检测单元实时检测置于同层托盘上的被加工工件，这可以获得置于同层托盘上的不同的被加工工件的温度和/或薄膜厚度，和/或置于同层托盘上的被加工工件的不同位置的温度和/或薄膜厚度，从而可以获得更全面的检测数据，进而可以提高等离子体加工设备的控制灵活性。

图3A为本发明第二实施例提供的反应腔室的半剖图。图3B为图3A中托盘在A-A沿线的俯视图。请一并参阅图3A和图3B，本实施例提供的反应腔室与第一实施例相比，同样包括腔室顶壁21、腔室侧壁22、多层托盘24、检测单元、托盘驱动装置（图中未示出）、进气装置29、第三进气口23、透明的环形内壁27和感应线圈28。由于上述部件、装置或单元的结构和功能在第一实施例中已有了详细的描述，在此不再赘述。

本实施例与上述第一实施例相比，二者的区别仅在于：实现每层托盘24的检测位置不被所有的位于其上方的托盘24覆盖的方式不同。具体地，各层托盘24的外径相等，并且，除最底层的托盘之外，在每层托盘上设置有贯穿其厚度的通槽，每层托盘的通槽的数量和位置与位于该层托盘下方的所有托盘的检测位置的数量和位置一一对应。如图3A所示，就第一层托盘而言，在其下方具有三层托盘，即，第二层托盘至第四层托盘，因此，就需要在第一层托盘上设置有三个通槽（2411，2412，2413），且通槽（2411，2412，2413）的位置与第二层托盘至第四层托盘的检测位置一一对应；就第二层托盘而言，在其下方具有两层托盘，即，第三层托盘和第四层托盘，因此，就需要在第二层托盘上设置有两个通槽（2422，2423），且通槽（2422，2423）的位置与第三层托盘和第四层托盘的检测位置一一对应；就第三层托盘而言，在其下方具有一层托盘，即，第四层托盘，因此，就需要在第三层托盘上设置有一个通槽2433，且通槽2433的位置与第四层托盘的检测位置一一对应。

在使用检测单元进行检测的过程中，检测单元261经由通孔211和第一层托盘的通槽2411检测部分区域重叠在第二层托盘的检测位置上的被加工工件25的温度和/或薄膜厚度；检测单元262经由通孔212、第一层托盘的通槽2412和第二层托盘的通槽2422检测部分区域重叠在第三层托盘的检测位置上的被加工工件25的温度和/或薄膜厚度；检测单元263经由通孔213、第一层托盘的通槽2413、第二层托盘的通槽2423和第三层托盘的通槽2433检测部分区域重叠在第四层托盘的检测位置上的被加工工件25的温度和/或薄膜厚度，从而可以实现对各个托盘24上的被加工工件的温度和/或薄膜沉积厚度进行实时检测。

图4A为本发明第三实施例提供的反应腔室的半剖图。图4B为图4A中托盘在A-A沿线的俯视图。请一并参阅图4A和图4B，本实施例提供的反应腔室与第一实施例相比，同样包括腔室顶壁21、腔室侧壁22、多层托盘24、检测单元、托盘驱动装置（图中未示出）、进气装置29、第三进气口23、透明的环形内壁27和感应线圈28。由于上述部件、装置或单元的结构和功能在第一实施例中已有了详细的描述，在此不再赘述。

与上述第一、第二实施例相比，本实施例提供的反应腔室仅通过使多层托盘24的外径自下而上逐渐减小，来实现每层托盘24的检测位置未被相邻的且位于其上方的托盘24覆盖。具体地，检测单元261经由通孔211检测部分区域重叠在第二层托盘的检测位置上的被加工工件25的温度和/或薄膜厚度；检测单元262经由通孔212检测部分区域重叠在第三层托盘的检测位置上的被加工工件25的温度和/或薄膜厚度；检测单元263经由通孔213检测部分区域重叠在第四层托盘的检测位置上的被加工工件25的温度和/或薄膜厚度，从而可以实现对各个托盘24上的被加工工件的温度和/或薄膜沉积厚度进行实时检测。

作为另一个技术方案，本发明还提供一种等离子体加工设备，其包括反应腔室，该反应腔室采用了本发明实施例提供的上述反应腔室。

本实施例提供的等离子体加工设备，其通过采用本发明实施例提供的上述反应腔室，可以同时对不同托盘上的被加工工件的温度和/或薄膜沉积厚度进行实时检测，从而可以根据检测结果及时地对设备进行相应的调试，以改善被加工工件的温度均匀性和/或薄膜沉积厚度的均匀性。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种反应腔室，在所述反应腔室内设置有沿竖直方向间隔设置的多层托盘，每层所述托盘承载有多个被加工工件，其特征在于，在每层所述托盘的上表面上形成有未被所有的位于其上方的所述托盘覆盖的检测位置，所述多层托盘的检测位置与所述反应腔室在竖直方向上的中心线之间的水平间距由下而上逐渐减小；

在所述多层托盘中的最上层托盘的上方，且与每层所述托盘的检测位置相对应的位置处设置有检测单元，用以检测设置在每层托盘上，且部分区域叠置在所述检测位置上的被加工工件的温度和/或薄膜厚度。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，除最底层的托盘之外，在每层托盘上设置有贯穿其厚度的通槽，每层托盘的通槽的位置和相邻的且位于该层托盘下方的托盘的检测位置相对应，并且，所述多层托盘的外径自下而上逐渐减小，以使每层所述托盘的通槽未被与之相邻的且位于该层托盘上方的所述托盘覆盖；

每个所述通槽在所述反应腔室的径向截面上的投影形状为由多个沿所述托盘的周向间隔设置的弧形段组成的环形。

3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述多层托盘的外径相等；并且，除最底层的托盘之外，在每层托盘上设置有贯穿其厚度的通槽，每层托盘的通槽的数量和位置与位于该层托盘下方的所有托盘的检测位置的数量和位置一一对应；

每个所述通槽在所述反应腔室的径向截面上的投影形状为由多个沿所述托盘的周向间隔设置的弧形段组成的环形。

4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述多层托盘的外径自下而上逐渐减小，以使每层所述托盘的检测位置未被相邻的且位于该层托盘上方的托盘覆盖。

5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述检测单元设置在所述反应腔室的腔室顶壁上方，并且在所述腔室顶壁上设置有贯穿其厚度的通孔，所述通孔的数量和位置与所述检测单元的数量和位置一一对应。

6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室的腔室顶壁上，且位于所有的检测单元的下方设置有透明的石英窗；

所述检测单元经由所述石英窗检测设置在每层托盘上，且部分区域叠置在所述检测位置上的被加工工件的温度和/或薄膜厚度。

7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括进气装置，所述进气装置自下而上贯穿所述多层托盘，且包括用于向所述反应腔室内输送工艺气体的第一进气口，所述第一进气口位于相邻的两层托盘之间，并且各个所述第一进气口和相邻的且位于其下方的所述托盘的检测位置之间的水平间距相等。

8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述进气装置还包括用于向所述反应腔室内输送保护气体的第二进气口，所述第二进气口位于所述多层托盘中的最下层托盘的下方；并且

在所述反应腔室的腔室顶壁上，且靠近其中心位置处设置有第三进气口，所述第三进气口用于沿水平方向朝向所述反应腔室的四周输送保护气体。

9.根据权利要求3或4所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括透明的环形内壁，所述环形内壁设置在所述反应腔室的腔室侧壁内侧，且位于所述多层托盘的外围，并且

在所述环形内壁上且位于相邻的两层托盘之间设置有排气口，并且各个所述排气口和相邻的且位于其下方的所述托盘的检测位置之间的水平间距相等。

10.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括感应线圈，其环绕所述反应腔室的腔室侧壁的外侧设置，用以采用感应加热的方式加热所述多层托盘，并且

所述感应线圈与各层所述托盘的检测位置之间的水平间距相等；

所述腔室侧壁采用石英制作。

11.一种等离子体加工设备，其包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求1-10任意一项权利要求所述的反应腔室。