CN106128930A - 等离子体刻蚀炉 - Google Patents
等离子体刻蚀炉 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106128930A CN106128930A CN201610585048.2A CN201610585048A CN106128930A CN 106128930 A CN106128930 A CN 106128930A CN 201610585048 A CN201610585048 A CN 201610585048A CN 106128930 A CN106128930 A CN 106128930A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heater
- mounting table
- wafer
- wafer mounting
- radio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Abstract
本发明公开了一种等离子体刻蚀炉,包括圆柱状的炉体;所述炉体的一端的上侧开放有气体进入通道;所述炉体下侧开放有真空排气通道;所述炉体中固定有晶圆放置台;所述晶圆放置台为倾斜状,由炉体的气体进入通道一端到炉体的另一端,晶圆放置台的位置越来越高;晶圆放置于晶圆放置台之上;晶圆垂直于晶圆放置台的上表面,且面向圆柱状炉体的地面;炉体周围包围有两个相对的弧状射频电极;射频发生器连接于其中一个射频电极之上。本发明通过改变晶圆放置台的角度,使得当晶圆放置台上放置有多个晶圆的时候,位于后方的晶圆也可以均匀接触产生等离子体的气体,使得反应更加均匀。本发明尤其适用于炉体较长的等离子体反应炉。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域,具体涉及一种等离子体刻蚀炉。
背景技术
现有的等离子体刻蚀炉,有的也可以放置多片晶圆,以便同时对多片晶圆进行刻蚀过程,但是现有的等离子体刻蚀炉中,多片晶圆一般都层叠放置,而反应气体的通入孔只能是偏置在炉体的一端,则如果刻蚀过程中有气体通入后,则处于后方的晶圆对气体的接触面较少,会造成反应不均匀。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明公开了一种等离子体刻蚀炉。
本发明的技术方案如下:
一种等离子体刻蚀炉,包括圆柱状的炉体;所述炉体的一端的上侧开放有气体进入通道;所述炉体下侧开放有真空排气通道;所述炉体中固定有晶圆放置台;所述晶圆放置台为倾斜状,由炉体的气体进入通道一端到炉体的另一端,晶圆放置台的位置越来越高;晶圆放置于晶圆放置台之上;晶圆垂直于晶圆放置台的上表面,且面向圆柱状炉体的地面;炉体周围包围有两个相对的弧状射频电极;射频发生器连接于其中一个射频电极之上。
本发明的有益技术效果是:
本发明通过改变晶圆放置台的角度,使得当晶圆放置台上放置有多个晶圆的时候,位于后方的晶圆也可以均匀接触产生等离子体的气体,使得反应更加均匀。本发明尤其适用于炉体较长的等离子体反应炉。
附图说明
图1是本发明的侧视图。
图2是本发明的正视图。
具体实施方式
图1是本发明的侧视图。图2是本发明的正视图。如图1、图2所示,本发明包括圆柱状的炉体1。炉体1的一端的上侧开放有气体进入通道3。炉体1下侧开放有真空排气通道2。炉体1中固定有晶圆放置台4。晶圆放置台4为倾斜状,由炉体1的气体进入通道3一端到炉体1的另一端,晶圆放置台4的位置越来越高。晶圆5放置于晶圆放置台4之上。晶圆5垂直于晶圆放置台4的上表面,且面向圆柱状炉体1的地面。炉体1周围包围有两个相对的弧状射频电极6。射频发生器7连接于其中一个射频电极6之上。
在反应时,用于产生等离子体的气体由气体进入通道3进入炉体1,射频发生器7开始工作,两个相对的弧状射频电极6使得位于炉体1中的气体被激发为等离子体,对位于晶圆放置台4之上的晶圆5进行影响。
在本发明中,晶圆放置台4呈倾斜状,离气体进入通道3较近的的地方位置较低,而离气体进入通道3较远的地方位置较高,那么相对于现有技术来说,处于位置较高地方的晶圆5所接触的用于产生等离子体的气体面积更大一些,反应更加均匀。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式,本发明不限于以上实施例。可以理解,本领域技术人员在不脱离本发明的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化,均应认为包含在本发明的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种等离子体刻蚀炉,其特征在于,包括圆柱状的炉体(1);所述炉体(1)的一端的上侧开放有气体进入通道(3);所述炉体(1)下侧开放有真空排气通道(2);所述炉体(1)中固定有晶圆放置台(4);所述晶圆放置台(4)为倾斜状,由炉体(1)的气体进入通道(3)一端到炉体(1)的另一端,晶圆放置台(4)的位置越来越高;晶圆(5)放置于晶圆放置台(4)之上;晶圆(5)垂直于晶圆放置台(4)的上表面,且面向圆柱状炉体(1)的地面;炉体(1)周围包围有两个相对的弧状射频电极(6);射频发生器(7)连接于其中一个射频电极(6)之上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610585048.2A CN106128930A (zh) | 2016-07-22 | 2016-07-22 | 等离子体刻蚀炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610585048.2A CN106128930A (zh) | 2016-07-22 | 2016-07-22 | 等离子体刻蚀炉 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106128930A true CN106128930A (zh) | 2016-11-16 |
Family
ID=57289333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610585048.2A Pending CN106128930A (zh) | 2016-07-22 | 2016-07-22 | 等离子体刻蚀炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106128930A (zh) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05251391A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 半導体ウエハーのプラズマ処理装置 |
JP2009206489A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2011061037A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
CN102691100A (zh) * | 2011-03-22 | 2012-09-26 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 工艺腔室装置和具有该工艺腔室装置的外延设备 |
CN103060774A (zh) * | 2011-10-24 | 2013-04-24 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 腔室装置及具有其的基片处理设备 |
US20130160710A1 (en) * | 2011-12-26 | 2013-06-27 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Plasma film deposition device |
CN103898473A (zh) * | 2012-12-27 | 2014-07-02 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 工艺反应腔及工艺设备 |
CN104073783A (zh) * | 2013-03-25 | 2014-10-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔室以及等离子体加工设备 |
-
2016
- 2016-07-22 CN CN201610585048.2A patent/CN106128930A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05251391A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 半導体ウエハーのプラズマ処理装置 |
JP2009206489A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2011061037A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
CN102691100A (zh) * | 2011-03-22 | 2012-09-26 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 工艺腔室装置和具有该工艺腔室装置的外延设备 |
CN103060774A (zh) * | 2011-10-24 | 2013-04-24 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 腔室装置及具有其的基片处理设备 |
US20130160710A1 (en) * | 2011-12-26 | 2013-06-27 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Plasma film deposition device |
CN103898473A (zh) * | 2012-12-27 | 2014-07-02 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 工艺反应腔及工艺设备 |
CN104073783A (zh) * | 2013-03-25 | 2014-10-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔室以及等离子体加工设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104002003B (zh) | 一种无需负载低空洞率的真空钎焊装片工艺方法 | |
CN105122430B (zh) | 用于等离子体蚀刻操作的基板支撑件 | |
CN102163538A (zh) | 多电感耦合等离子体反应器及其方法 | |
EP1215710A3 (en) | Method and apparatus for vacuum processing, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device | |
WO2010005930A3 (en) | Capacitively-coupled electrostatic (cce) probe arrangement for detecting strike step in a plasma processing chamber and methods thereof | |
CN103870813A (zh) | 指纹传感器和电子设备 | |
CN106128930A (zh) | 等离子体刻蚀炉 | |
CN101197251B (zh) | 用于衬底的边缘的蚀刻设备 | |
CN102891071A (zh) | 一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪 | |
CN102981114A (zh) | 晶圆中芯片的测试方法 | |
CN201904966U (zh) | 一种等离子体处理装置 | |
CN209982804U (zh) | 一种改善等离子体启辉及稳定性的装置 | |
WO2013039325A3 (ko) | 의료용 대면적 마이크로웨이브 플라즈마 발생기 및 이를 이용한 의료기기 | |
CN104008957B (zh) | 基片补偿刻蚀的方法 | |
TW200618105A (en) | Plasma chamber system and method of ashing photoresist pattern formed on substrate having low-k dielectric layer using the same | |
WO2009063629A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
CN105080922A (zh) | 等离子体清洗设备 | |
CN104847775A (zh) | 真空吸板、真空吸盘以及该真空吸盘的使用方法 | |
WO2003019168A1 (fr) | Capteur de gaz mos | |
CN109686650A (zh) | 一种适于集成电路金属外壳氮-氢混合等离子清洗方法 | |
CN206412614U (zh) | 一种新型快速接线装置 | |
CN104368482B (zh) | 电热膜的内壁喷涂装置及其喷涂方法 | |
CN102694525B (zh) | 双频滤波装置及其处理方法和半导体设备 | |
CN202601554U (zh) | 一种射频组合装置以及等离子体处理设备 | |
CN203466163U (zh) | 反应腔室和干法刻蚀设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20161116 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |