JP3268965B2 - 基板上に半導体膜を形成するための装置および方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は基板上に半導体膜を
形成するための装置と方法に関し、特に、減圧下におい
て半導体膜を形成するための装置と方法の改善に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】非晶質シリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と
も表示する）に代表される非晶質半導体は、太陽電池を
はじめとする薄膜半導体装置に用いられている。また最
近は、結晶シリコンを基板に用いてａ−Ｓｉとの半導体
接合を形成したヘテロ接合型太陽電池も開発されてい
る。このようなヘテロ接合型太陽電池の例としては、Ｈ
ＩＴ（heterojunction with intrinsic thin layer）構
造太陽電池がたとえば特開平４−１３０６７１，特開平
４−１９９７５０，特開平５−１０２５０４等において
開示されている。これらの半導体装置に用いられる非晶
質半導体膜は、通常は減圧下におけるプラズマＣＶＤ法
などの方法によって半導体基板上に形成される。また、
これらの半導体装置は通常は複数の半導体膜を含んでお
り、それぞれの膜は連続分離形成法によって対応する個
別の減圧反応室で順次形成される。

【０００３】この場合、半導体基板の対向する両主面上
に半導体膜を形成する必要がある場合には、減圧反応室
内で基板の一方の主面上に半導体膜を形成した後に、そ
の基板は減圧反応室から大気中へ一旦取り出される。そ
して、大気中に取り出された基板の表裏を反転させた後
に、その基板は再度減圧反応室内へ導入され、基板の他
方の主面上に半導体膜が形成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述のような先行技術
によれば、減圧反応室から基板を大気中に一旦取り出し
てその基板を再度反応室内にセットしてその反応室を減
圧しなければならない。したがって、先行技術によるこ
のプロセスは、基板を反応室にリセットした後にその反
応室を再度減圧するためのエネルギと時間を要し、半導
体装置の製造コストが高くなるという課題を含んでい
る。

【０００５】また、減圧状態の反応室から基板を一旦大
気中に取り出すためにその反応室を大気圧状態にするた
めには、大量の気体をその反応室内へ導入する必要があ
る。このとき、反応室内への気体の導入に伴って基板表
面には半導体装置の特性低下をもたらすような微粉の付
着が生じやすくなる。したがって、製造される半導体装
置の特性の低下を防止するために基板の表面状態の管理
を厳しくする必要があり、これはさらに半導体装置の製
造コストの上昇の原因ともなる。

【０００６】さらに、半導体結晶基板を用いる場合、そ
の軽量性や脆弱性から、基板単体で輸送などの取扱を安
全に行なうことは容易ではない。また、基板単体で取扱
う場合、さらに、基板の一方の主面上に形成される半導
体膜が他方の主面の周辺部にも回り込んで形成されると
いう課題もある。

【０００７】上述のような先行技術の課題に鑑み、本発
明は、基板の両主面上に半導体膜を形成する必要がある
場合に、製造される半導体装置の特性を低下させること
なく、製造コストと製造時間を低減しかつ容易に基板の
両主面上に半導体膜を形成することを可能にする装置と
方法を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様によ
る基板上に半導体膜を形成するための装置は、対向する
２つの主面を有する基板の開放された一方の主面上に少
なくとも１つの半導体膜を減圧下で形成するための少な
くとも１つの減圧反応室と、その一方の主面上に少なく
とも１つの半導体膜が形成された基板の他方の主面が開
放面になるようにその基板を減圧下で反転するための基
板反転用減圧室と、反転された基板のその他方の主面上
に少なくとも１つの半導体膜を減圧下で形成するための
少なくとももう１つの減圧反応室と、基板を少なくとも
１つの減圧反応室から基板反転用減圧室へ輸送するとと
もに基板反転用減圧室から少なくとももう１つの減圧反
応室へ輸送するための基板輸送手段とを含んでいること
を特徴としている。

【０００９】この膜形成装置によれば、基板の一方の主
面上に半導体膜が形成された後にその基板は大気中に取
り出されることなく減圧下においてその基板の他方の主
面が開放面になるように反転させられる。そして、その
反転された基板の他方の主面上に引き続いて減圧下で半
導体膜が形成される。したがって、基板の両主面上に半
導体膜が形成される途中において基板を大気中に取り出
す必要がなく、半導体装置の製造のためのエネルギと時
間を低減して製造コストを削減することができ、さらに
減圧反応室への気体の導入に伴う基板表面上の不所望な
微粉の付着を防止して半導体装置の特性の低下を防止す
ることができる。

【００１０】本発明の第２の態様による基板上に半導体
膜を形成するための装置は、対向する２つの主面を有す
る基板の開放された一方の主面上に少なくとも１つの半
導体膜を減圧下で形成するための少なくとも１つの減圧
反応室と、その一方の主面上に少なくとも１つの半導体
膜が形成された基板の他方の主面が開放面になるように
基板を減圧下で反転するための基板反転用減圧室と、基
板を減圧反応室から基板反転用減圧室へ輸送するととも
に反転された基板を減圧反応室へ輸送し戻すための基板
輸送手段とを含むことを特徴としている。

【００１１】この膜形成装置によれば、減圧反応室から
基板反転用減圧室へ輸送された基板を再度元の減圧反応
室へ輸送し戻すことができるので、１つの減圧反応室を
基板の両主面上に半導体膜を形成するステップに併用す
ることができ、膜形成装置のコストを低減することもで
きる。なお、本発明の第１と第２の態様においては、基
板はその基板と実質的に同じ寸法形状と良好な熱伝導性
を有する平坦な窪みを含む保持枠に保持されることが好
ましい。これによって、軽量で脆弱な基板の取扱が容易
となり、さらに、基板の一方の主面上に形成されるべき
膜が他方の主面の周辺部にも回り込んで形成されること
が防止され得る。

【００１２】本発明の第３の態様による基板上に半導体
膜を形成するための方法は、対向する２つの主面を有す
る基板をその基板と実質的に同じ寸法形状と良好な熱伝
導性を有する平坦な窪みを含む保持枠に保持するステッ
プと、基板の開放された一方の主面上に減圧下で少なく
とも１つの半導体膜を形成するステップと、その一方の
主面上に少なくとも１つの半導体膜が形成された基板の
他方の主面が開放面になるようにその基板を減圧下で反
転させてもう一つの保持枠に移し変えるステップと、反
転された基板のその他方の主面上に減圧下で少なくとも
１つの半導体膜を形成するステップを含むことを特徴と
している。

【００１３】この膜形成方法によれば、基板の両主面上
に半導体膜が形成される途中において基板を減圧下から
大気中に取り出すことなく連続分離形成法によって形成
することができるので、半導体装置の特性を低下させる
ことなく低コストで短時間に基板の両主面上に半導体膜
を形成することが可能となる。また、基板はその基板と
実質的に同じ寸法形状と良好な熱伝導性を有する平坦な
窪みを含む保持枠に保持されるので、軽量で脆弱な基板
の取扱が容易となり、さらに、基板の一方の主面上に形
成されるべき膜が他方の主面の周辺部にも回り込んで形
成されることが防止され得る。

【００１４】

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一例が、図
１の膜形成装置を用いて図７の光起電力装置を作成する
場合について説明される。

【００１６】図７においては、半導体光起電力装置の断
面構造が概略的に図解されている。この光起電力装置に
は左側から光７１が入射し、ｎ型の半導体単結晶基板７
６において光電変換が生じる。基板７６の光入射側の前
面上には、非晶質ｉ層７５，非晶質ｐ層７４，透明電極
（ＩＴＯ：インジューム・スズ酸化物）７３，および前
面集電極７２が順次形成されている。他方、基板７６の
背面側には、非晶質ｉ層７７，非晶質ｎ層７８，および
裏面電極（アルミニウム）７９が形成されている。

【００１７】図１において概略的に図解されている半導
体薄膜形成装置は、図７の光起電力装置における非晶質
半導体層７４，７５，７７，および７８を形成するため
に用いることができる。この半導体薄膜形成装置は、基
板１１（図７中の半導体基板７６に対応）を挿入するた
めのロード室０と、基板１１の一方の主面上に半導体膜
を形成するための第１および第２の減圧反応室１および
２と、基板の開放された一方の主面上に半導体膜が形成
された他方の主面を開放面にするようにその基板を反転
するための基板反転用減圧室５と、反転された基板のそ
の他方の主面上に半導体膜を形成するための第３と第４
の減圧反応室３および４と、両主面上に半導体膜が形成
された基板１１を大気中に取り出すためのアンロード室
６とを含んでいる。

【００１８】ロード室０内には基板を輸送するための基
板輸送ベルト０ｄと基板を加熱するための基板ヒータ０
ｂが設けられている。同様に、減圧反応室１〜４のそれ
ぞれ内において、基板輸送ベルト１ｄ〜４ｄおよび基板
ヒータ１ｂ〜４ｂが設けられている。基板反転用減圧室
５内においては、２つの基板輸送ベルト５−１ｄと５−
２ｄが設けられており、それらの基板輸送ベルトの間に
２つの基板反転用ベルト５−１ｅおよび５−２ｅが設け
られている。また、基板輸送ベルト５−１ｄと５−２ｄ
に対応して基板ヒータ５−１ｂと５−２ｂが設けられて
いる。アンロード室６においては、基板輸送ベルト６ｄ
と基板冷却機構６ｂが設けられている。

【００１９】さらに、減圧反応室１〜４のそれぞれ内は
ＲＦ（高周波）放電電極１ａ〜４ａが設けられ、それら
のＲＦ放電電極は対応するＲＦ電源１ｃ〜４ｃに接続さ
れている。そして、減圧反応室１〜４内の基板輸送ベル
ト１ｄ〜４ｄと基板ヒータ１ｂ〜４ｂがＲＦ放電電極１
ａ〜４ａに対向する放電電極として作用するように接地
電位に接続されている。

【００２０】表１は、図１の装置を用いて基板の両主面
上に半導体膜を形成した場合の成膜条件の一例を要約し
て示している。

【００２１】

【表１】

【００２２】表１の例では、基板１１（図７の７６）と
して（１００）結晶面を有する１０センチ角サイズの単
結晶シリコン基板が用いられた。ｎ型の単結晶基板１１
がロード室０内へ導入され、そのロード室０は１×１０
^-4Ｐａ以下に減圧された。その後、表１に示された通常
のプラズマＣＶＤ法の条件によって、第１の減圧反応室
１内で非晶質ｉ層７５が形成され、第２の減圧反応室２
内で非晶質ｐ層７４が形成された。その後、基板反転用
減圧室５内において基板の表裏が自動的に反転され、第
３の減圧反応室３内で非晶質ｉ層７７が形成され、第４
の減圧反応室４内で非晶質ｎ層７８が形成された。両主
面上に半導体膜が形成された基板１１はアンロード室６
内に輸送され、アンロード室６は大気圧になるように窒
素が導入され、その後に基板１１が大気中に取り出され
た。

【００２３】非晶質半導体膜の形成について、第１減圧
反応室１内における非晶質ｉ層の形成を代表としてもう
少し詳細に説明する。基板１１は、不純物の混入を抑制
するためにステンレスで作成された基板輸送ベルト１ｄ
によって減圧反応室１の中央付近に移動させられ、予め
加熱された基板ヒータ１ｂによって基板の温度が表１に
示されているように２００℃まで昇温される。減圧反応
室１内には図示されていない原料ガス導入部からＳｉＨ
₄ 原料ガスが１００ＳＣＣＭ（標準ｃｍ³ ／ｍｉｎ）の
流量で導入され、５０Ｐａのガス圧の下で、ＲＦ電極１
ａと接地された電極１ｂおよび１ｄとの間にＲＦ電源１
ｃから８０ｍＷ／ｃｍ² のＲＦ電力を印加して原料ガス
を分解し、基板１１の上側の主面上に非晶質ｉ層７５が
形成された。同様に、減圧反応室２，３，および４内に
おいては、表１に示された半導体薄膜の形成条件のもと
に、それぞれ非晶質ｐ型半導体層７４，非晶質ｉ型半導
体層７７，および非晶質ｎ型半導体層７８が形成され
た。

【００２４】次に、図２を参照して、基板反転用減圧室
５内において基板の対向する両主面を入替えるように自
動的に基板を反転させる手順について説明する。図２
（Ａ）に示されているように基板反転用減圧室５内の第
１輸送ベルト５−１ｄによって輸送された基板１１が図
２（Ｂ）に示されているように第１基板反転ベルト５−
１ｅ上に移った後に所定の位置に達したときにその反転
ベルト５−１ｅが停止させられる。そして、基板１１は
図示されていないマニピュレータの矢印２Ａで表わされ
ているような動作または図示されていないピストンの２
Ｂで表わされているような動作によって第２基板反転ベ
ルト５−２ｅ側に移される（ベルト５−１ｅは基板の両
側縁を保持する１対のベルトであり、それらの１対のベ
ルト間にピストン２Ｂの挿入が可能）。図２（Ｃ）に示
されているように第２基板反転ベルト５−２ｅに移され
た基板１１は、基板反転用減圧室５内の第２の輸送ベル
ト５−２ｄ上に移され、図２（Ｄ）に示されているよう
にその第２の輸送ベルト５−２ｄによって第３の減圧反
応室３内へ輸送される。

【００２５】ここで、基板反転用減圧室５内では薄膜形
成反応が行なわれず、基板の表面が不純物や微粉末によ
って汚染される心配がないので、基板へのショックを吸
収するために輸送ベルト５−１ｄ，５−２ｄおよび反転
ベルト５−１ｅ，５−２ｅはいずれも耐熱ゴムによって
形成されることが好ましい。

【００２６】なお、ロード室０内の輸送ベルト０ｄはス
テンレスと耐熱ゴムのいずれで形成されてもよいが、基
板１１が膜形成に備えてヒータ０ｂによって加熱される
ことから、ステンレスで形成される方が好ましい。他
方、アンロード室６内の輸送ベルト６ｄは、冷却機構６
ｂによって冷却されるので、耐熱ゴムで形成されること
がコスト面から好ましい。

【００２７】また、膜形成時に基板１１の周辺部の裏側
に回り込んで薄膜が形成されるのを防止するとともに、
膜形成時における基板の均熱性を得るために、図３に示
されているような基板輸送用保持枠１１Ａを用いること
が好ましい。これらの基板輸送用枠はアルミナで形成す
ることができる。図３（Ａ）においては、基板輸送用枠
１１Ａの両面には半導体基板と同一の寸法形状である１
０センチ角で深さ１ミリの窪み１１Ｂが形成されてい
る。そして、これらの窪みは、基板の均熱性を保証する
ために、アルミニウムによってコーティングされてい
る。図２（Ｂ）の基板保持枠１１Ａにおいては、窪み１
１Ｂが基板の右辺端部まで貫通している。この図２
（Ｂ）の基板保持枠においては、図２（Ａ）の基板保持
枠に比べて基板を反転させる際の位置合わせを容易にす
ることができる。このような基板保持枠１１Ａを用いる
ことによって、脆弱な基板を保護して輸送中の基板の割
れを防止することができる。

【００２８】ところで、図３に示されているような基板
保持枠１１Ａを用いる場合、基板反転用減圧室５におい
て第１基板反転ベルト５−１ｅの所定の位置に基板を入
れた保持枠がきたときに第２基板反転ベルト５−２ｅ上
の対向する位置に空の基板保持枠を待たせておき、マニ
ピュレータを用いて基板１１のみを第１基板反転ベルト
５−１ｅ上の枠から第２基板反転ベルト５−２ｅ上の枠
の窪み内へ移送させる。このとき、２つの基板保持枠の
位置合せを正確にするためにガイドが設けられてもよ
い。さらに、第２基板反転ベルト５−２ｅ上で基板を受
取った枠が第２輸送ベルト５−２ｄ上に移動した後に、
第１基板反転ベルト５−１ｅ上に残っている基板保持枠
を第２基板反転ベルト５−２ｅ上に移して次の基板を受
取るように待機させる。

【００２９】図１の膜形成装置において図３（Ｂ）の基
板保持枠１１Ａを用いて基板１１の両面に半導体膜を形
成した後に、別のＲＦスパッタ装置を用いて図７中のＩ
ＴＯ透明電極７３を形成し、さらに別の抵抗加熱蒸着装
置を用いて前面集電極７２と裏面電極７９が形成され
た。このような、実施の形態の一例に従って形成された
半導体光起電力装置は、標準太陽光（ＡＭ１．５，１０
０ｍＷ／ｃｍ² ）のもとで１．７１Ｗの出力を有してい
た。これに対する、比較例として、図１に示された膜形
成装置に類似しているが基板反転用減圧室５を有してい
ない従来の膜形成装置を用いて半導体光起電力装置が作
成された。すなわち、そのような従来の膜形成装置にお
いて、光入射側のｉ層７５とｐ層７４が形成された後に
基板１１が一旦大気中に取り出され、その基板の両主面
を反転させた後に再度膜形成装置内へ基板１１を導入し
て裏面側のｉ層７７とｎ層７８が形成された。このよう
に従来の膜形成装置を利用して得られた半導体光起電力
装置は、上述の標準太陽光のもとにおいて１．７２Ｗの
出力を有していた。すなわち、光起電力装置の出力に関
しては、本発明によるものと従来の技術によるものとの
間で大きな相違は見られない。

【００３０】しかし、１枚の基板１１を処理するのに要
する時間は本発明の実施の形態による場合には３５分で
あったのに対して、従来技術による場合には５５分であ
った。また、本発明の実施の形態による場合の光起電力
装置の製造歩留りは９９％であったのに対して、従来技
術によって作成される光起電力装置の歩留りを同じ９９
％に維持するためには、作業員による検査および清浄化
の工程を必要とする結果、製造コストが１．８倍になる
ことがわかった。

【００３１】図４は、本発明のもう１つの実施の形態に
よる膜形成装置を概略的に図解している。この図４の膜
形成装置は図１のものに類似しているが、１対の基板反
転用ベルト５−１ｅおよび５−２ｅの代わりに基板反転
用ドラム５ｅが設けられている点においてのみ異なって
いる。

【００３２】図５は、図４の膜形成装置における基板反
転用ドラム５ｅの動作を概略的に図解している。図５
（Ａ）に示されているように、ドラム５ｅ内には予め空
の基板保持枠１１Ａが配置されている。そして、第１輸
送ベルト５−１ｄ上を輸送されてきた基板１１および保
持枠１１Ａが図５（Ｂ）に示されているようにドラム５
ｅ内に挿入されれば、ドラム５ｅは矢印で示されている
ように１８０°回転させられる。そうすれば、図５
（Ｃ）に示されているように、基板１１は予めドラム内
に配置されていた空の基板保持枠１１Ａの窪み１１Ｂ内
へ移される。このとき、２つの基板保持枠の２つの窪み
を正確に位置合わせするために位置合わせガイドが設け
られてもよい。図５（Ｃ）および（Ｄ）に示されている
ように、基板１１を受取った基板保持枠１１Ａは第２の
輸送ベルト５−２ｄ上に排出され、その第２の輸送ベル
ト５−２ｄによって第３の減圧反応室３内へ輸送され
る。なお、図５に示されているような基板反転用ドラム
が設けられている場合、基板保持枠１１Ａはその両面に
窪み１１Ｂを有する必要はなく、片面のみに窪み１１を
有すればよいことが理解されよう。

【００３３】図４に示された膜形成装置を用いた場合に
は、１枚の基板を処理するのに要する時間は従来例の５
５分に比べて短い３５分であり、製造コストも従来例の
場合の６０％に低減されることがわかった。

【００３４】図６は本発明のさらにもう１つの実施の形
態による膜形成装置を概略的に図解している。図６の膜
形成装置も図１および図２のものに類似しているが、図
６の膜形成装置においては第３と第４の減圧反応室３と
４およびアンロード室６が設けられていない。また、図
６の膜形成装置においては、基板反転ドラム５ｅの代わ
りに基板反転カセット５ｆが設けられており、ロード室
０はアンロード室としての機能をも兼ね備えている。

【００３５】図６の膜形成装置のロード室０内に挿入さ
れた基板１１の１つの主面上には減圧反応室１および２
内で光入射側のｉ層７５とｐ層７４が順次形成され、基
板反転用減圧室５内の輸送ベルト５ｄによって基板反転
用カセット５ｆ内のスロットへ基板１１が挿入される。
カセット５ｆ内に所定数の基板１１が挿入されれば、カ
セット５ｆの上下が反転するように回転させられ、カセ
ット５ｆから基板１１が輸送ベルト５ｄによって逆方向
に輸送され、裏面側のｉ層７７とｎ層７８がそれぞれ減
圧反応室２および１内で形成される。そして、基板１１
の両主面上に半導体膜が形成された後に、アンロード室
を兼ねたロード室０から基板１１が順次大気中に送り出
される。

【００３６】なお、図６の膜形成装置において前述の基
板保持枠１１Ａを用いる場合には、図５中の基板反転ド
ラムで説明した場合と同様に、カセット５ｆを反転した
場合に基板を受取るための保持枠を予め待機させるよう
にセットしておけばよい。

【００３７】図６の膜形成装置を用いた場合も１枚の基
板を処理するのに要する時間は３５分であり、製造コス
トは従来の場合の８０％になることがわかった。さら
に、図６の膜形成装置においては、図１や図４の装置に
比べて２つの減圧反応室およびアンロード室を省略させ
ることができるので、膜形成装置としてのコストが６０
％に削減され得る。

【００３８】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、基板の
両主面上に半導体膜を形成する必要がある場合に、製造
される半導体装置の特性を低下させることなく、製造コ
ストと製造時間を低減しかつ容易に基板の両主面上に半
導体膜を形成することを可能にする装置と方法を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１つの実施の形態による半導体膜形成
装置を示す概略図である。

【図２】図１の膜形成装置中の基板反転ベルトの動作を
説明する概略図である。

【図３】基板保持枠の概略的な斜視図である。

【図４】本発明のもう１つの実施の形態による半導体膜
形成装置の概略図である。

【図５】図４の膜形成装置における基板反転用ドラムの
動作を説明するための概略図である。

【図６】本発明のさらにもう１つの実施の形態による半
導体膜形成装置を示す概略図である。

【図７】完成された半導体光起電力装置を示す概略的な
断面図である。

【符号の説明】

０ ロード室 １，２，３，４ 減圧反応室 ５ 基板反転用減圧室 ６ アンロード室 １ａ，２ａ，３ａ，４ａ ＲＦ放電電極 ０ｂ，１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂ，５ｂ，５−１ｂ，５−
２ｂ 基板ヒータ ６ｂ 基板冷却機構 １ｃ，２ｃ，３ｃ，４ｃ ＲＦ電源 ０ｄ，１ｄ，２ｄ，３ｄ，４ｄ，５ｄ，５−１ｄ，５−
２ｄ，６ｄ 基板輸送ベルト ５−１ｅ，５−２ｅ 基板反転ベルト ５ｅ 基板反転ドラム ５ｆ 基板反転カセット １１ 基板 １１Ａ 基板保持枠 １１Ｂ 基板保持枠の窪み ７１ 入射光 ７２ 前面集電極 ７３ 前面ＩＴＯ透明電極 ７４ 前面ｐ層 ７５ 前面ｉ層 ７６ ｎ単結晶半導体基板 ７７ 裏面ｉ層 ７８ 裏面ｎ層 ７９ 裏面電極

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−25915（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−251356（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−63223（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−125222（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−343414（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−136233（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−54442（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/68 H01L 31/04

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対向する２つの主面を有する基板の開放
   された一方の主面上に少なくとも１つの半導体膜を減圧
   下で形成するための少なくとも１つの減圧反応室と、 前記一方の主面上に前記少なくとも１つの半導体膜が形
   成された前記基板の他方の主面が開放面になるように前
   記基板を減圧下で反転するための基板反転用減圧室と、 前記反転された基板の前記他方の主面上に少なくとも１
   つの半導体膜を減圧下で形成するための少なくとももう
   １つの減圧反応室と、 前記基板を前記少なくとも１つの減圧反応室から前記基
   板反転用減圧室へ輸送するとともに前記基板反転用減圧
   室から前記少なくとももう１つの減圧反応室へ輸送する
   ための基板輸送手段とを含むことを特徴とする基板上に
   半導体膜を形成するための装置。
2. 【請求項２】 対向する２つの主面を有する基板の開放
   された一方の主面上に少なくとも１つの半導体膜を減圧
   下で形成するための少なくとも１つの減圧反応室と、 前記一方の主面上に前記少なくとも１つの半導体膜が形
   成された前記基板の他方の主面が開放面になるように前
   記基板を減圧下で反転するための基板反転用減圧室と、 前記基板を前記減圧反応室から前記基板反転用減圧室へ
   輸送するとともに前記反転された基板を前記減圧反応室
   へ輸送し戻すための基板輸送手段とを含むことを特徴と
   する基板上に半導体膜を形成するための装置。
3. 【請求項３】 前記基板輸送手段は、前記基板と実質的
   に同じ寸法形状と良好な熱伝導性を有する平坦な窪みを
   有する保持枠に保持された前記基板を輸送することを特
   徴とする請求項１または２に記載の基板上に半導体膜を
   形成するための装置。
4. 【請求項４】 対向する２つの主面を有する基板をその
   基板と実質的に同じ寸法形状と良好な熱伝導性を有する
   平坦な窪みを含む保持枠に保持するステップと、 前記基板の 開放された１つの主面上に減圧下で少なくと
   も１つの半導体膜を形成するステップと、 前記一方の主面上に前記少なくとも１つの半導体膜が形
   成された前記基板の他方の主面が開放面になるように、
   前記基板を減圧下で反転させてもう一つの前記保持枠に
   移し変えるステップと、 前記反転された基板の前記他方の主面上に減圧下で少な
   くとも１つの半導体膜を形成するステップとを含むこと
   を特徴とする基板上に半導体膜を形成するための方法。