JP5496479B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Description
以下において、本発明の実施形態に係る太陽電池の構成について、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施形態に係る太陽電池10の平面図である。図2は、図1のA−A線における断面図である。
次に、本発明の実施形態に係る太陽電池の製造方法について、図面を参照しながら説明する。以下の説明では、各半導体基板(n型単結晶シリコンウェハ21)について、HIT構造を形成した後に、BSF構造を形成するものとする。
〈1回目〉
図3は、n型単結晶シリコンウェハ21を固定するための第1基板トレー50の斜視図である。図4は、図3のB−B線における断面図である。
次に、第1基板トレー50を表裏反転させるとともに、図7に示すように、新たな複数のn型単結晶シリコンウェハ21を第2載置面50Bに形成された凹部50C内に載置する。なお、第1基板トレー50の第1載置面50Aのうち凹部50C以外には、i型非晶質シリコン層22及びp型非晶質シリコン層23が順次堆積されている。
次に、第1基板トレー50を表裏反転させるとともに、図8に示すように、新たな複数のn型単結晶シリコンウェハ21を第1載置面50Aに形成された凹部50C内に載置する。
4回目以降は、上述した3回目のHIT構造の形成工程と同様に行うことができる。すなわち、第1基板トレー50を表裏反転させるとともに、図9に示すように、新たなn型単結晶シリコンウェハ21をi型非晶質シリコン層28上に載置する。続いて、i型非晶質シリコン層22、p型非晶質シリコン層23、及びi型非晶質シリコン層28の形成を行う。
〈1回目〉
まず、図10に示すように、第2基板トレー51の第1載置面51A上に、n型単結晶シリコンウェハ21の他主面を上にした状態でHITウェハW1を載置する。なお、第2基板トレー51は、第1基板トレー50と同様の構成を有しており、HITウェハW1は、第1載置面51Aに形成された凹部51C内に固定される。
次に、第2基板トレー51を表裏反転させるとともに、図12に示すように、新たな複数のn型単結晶シリコンウェハ21を第2載置面51Bに形成された凹部51C内に載置する。なお、第2基板トレー51の第1載置面51Aのうち凹部51C以外には、i型非晶質シリコン層25及びn型非晶質シリコン層26が順次堆積されている。
次に、第2基板トレー51を表裏反転させるとともに、図13に示すように、新たな複数のn型単結晶シリコンウェハ21を第1載置面51Aに形成された凹部51C内に載置する。
4回目以降は、上述した3回目のHIT構造の形成工程と同様に行うことができる。すなわち、第2基板トレー51を表裏反転させるとともに、図14に示すように、新たなHITウェハW1をi型非晶質シリコン層29上に載置する。続いて、i型非晶質シリコン層25、n型非晶質シリコン層26、及びi型非晶質シリコン層29の形成を行う。
次に、スパッタ法などによって、各BSFウェハW2上に、約100nm厚のITO層24及びITO層27を形成する。以上により、本実施形態に係る太陽電池10が作製される。
本実施形態に係る太陽電池の製造方法では、HIT構造の3回目以降の形成において、n型単結晶シリコンウェハ21は、i型非晶質シリコン層28によって覆われた第1基板トレー50の第1載置面50A上に載置される。
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
Claims (3)
- 第1の載置面と、前記第1の載置面とは反対側の第2の載置面とを有する基板トレーの前記第1の載置面側に、CVD法により、実質的に真性の第1の非晶質系半導体層を形成する工程と、
前記基板トレーを反転させ、前記第1の非晶質系半導体層上に、一導電型を有する第1の結晶系半導体基板を載置する工程と、
前記第1の非晶質系半導体層上及び前記第1の結晶系半導体基板上に、CVD法によって、実質的に真性の第2の非晶質系半導体層を形成する工程と、
前記第2の非晶質系半導体層上に、CVD法によって、他導電型の第3の非晶質系半導体層を形成する工程と、
前記第2の載置面側に、CVD法により、実質的に真性の第4の非晶質系半導体層を形成する工程と、
前記基板トレーを反転させ、前記第1の結晶系半導体基板とは異なる一導電型を有する第2の結晶系半導体基板を前記第4の非晶質系半導体層上に載置する工程と、
前記第4の非晶質系半導体層上及び前記第2の結晶系半導体基板上に、CVD法によって、実質的に真性の第5の非晶質系半導体層を形成する工程と、
前記第5の非晶質系半導体層上に、CVD法によって、他導電型の第6の非晶質系半導体層を形成する工程と、を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記第1の非晶質系半導体層を形成する工程と、前記第5の非晶質系半導体層を形成する工程とを並行して行うことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1の非晶質系半導体層を形成する工程と、前記第6の非晶質系半導体層を形成する工程とを並行して行うことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
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