JP3070309B2 - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばアモルファスシ
リコン (以下ａ−Siと記す) 系半導体薄膜によって形成
されるｐ−ｉ−ｎ接合を持つ薄膜太陽電池の製造方法に
関する。
リコン (以下ａ−Siと記す) 系半導体薄膜によって形成
されるｐ−ｉ−ｎ接合を持つ薄膜太陽電池の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体薄膜を積層してｐ−ｉ−ｎ接合を
形成する場合、異なる性質の薄膜ごとに成膜室を設けて
望ましくない不純物が室内の雰囲気中に混入するのを防
ぐのが理想的であるが、そのためには一つのｐ−ｉ−ｎ
接合を形成するのに少なくとも３成膜室を必要とするこ
とになり、製造設備が大型になる。そこで、一つの成膜
室で順次反応ガスを入れ換えてｐ−ｉ−ｎ接合を形成す
ることが行われる。そして、複数のｐ−ｉ−ｎ接合をも
つ薄膜太陽電池を製造する場合には、成膜室の数が形成
するｐ−ｉ−ｎ接合の数に等しく、第一の成膜室で第一
のｐ−ｉ−ｎ接合、第二の成膜室で第二のｐ−ｉ−ｎ接
合というように順次形成する装置を用いる。以下図１に
示す製造装置を例にとり、図２に示す断面構造をもつａ
−Si／ａ−Si２段タンデムセルの製造方法について説明
する。まず、ガラス等の透光性絶縁物10上にSnＯ2 、Ｉ
ＴＯ、ZnＯ等の透明導電膜20を形成した成膜基板１を装
着したサセプタ２を搬入室11に導入してバルブ５、真空
計６を介して接続された真空ポンプ７により10-4Torr程
度に真空引きを行う。同時に赤外線ランプ３等の加熱に
よりサセプタ２を150 〜200 ℃程度に加熱する。次に、
サセプタ２を第一成膜室12に搬送し、SiＨ4 またはSi2
Ｈ6 を主ガス、Ｈ2 を希釈ガスをとしてバルブ５を介し
て接続されたガス導入管８より導入し、ＲＦ電極４に電
圧を印加してプラズマＣＶＤ法によりｐ層21、ｐ／ｉ界
面層22、ｉ層23、ｎ層24をそれぞれ５〜30nm、50〜100n
m 、５〜30nmの厚さに成膜する。その際、光入射側の窓
層になるｐ層21の成膜時には、ドーピングガスとしてＢ
2 Ｈ6 を添加し、さらにワイドギャップ化のためにＣＨ
4 等の炭化水素を添加してａ−SiＣ膜とするか、ＣＯ2
等を添加してａ−SiＯ膜としている。また、ｎ層の成膜
時にはドーピングガスとしてＰＨ3 を添加する。このよ
うにして第一ｐ−ｉ−ｎ接合を形成した後に、サセプタ
２を第二成膜室13に搬送し、同様な方法で第二ｐ−ｉ−
ｎ接合を形成する。その際のｐ層25、ｐ／ｉ界面層26、
ｉ層27、ｎ層28の膜厚はそれぞれ５〜30nm、５〜30nm、
200 〜600nm 、５〜30nmである。このあと、サセプタを
取り出し室14に移し、この室を大気圧にしてから取り出
す。
形成する場合、異なる性質の薄膜ごとに成膜室を設けて
望ましくない不純物が室内の雰囲気中に混入するのを防
ぐのが理想的であるが、そのためには一つのｐ−ｉ−ｎ
接合を形成するのに少なくとも３成膜室を必要とするこ
とになり、製造設備が大型になる。そこで、一つの成膜
室で順次反応ガスを入れ換えてｐ−ｉ−ｎ接合を形成す
ることが行われる。そして、複数のｐ−ｉ−ｎ接合をも
つ薄膜太陽電池を製造する場合には、成膜室の数が形成
するｐ−ｉ−ｎ接合の数に等しく、第一の成膜室で第一
のｐ−ｉ−ｎ接合、第二の成膜室で第二のｐ−ｉ−ｎ接
合というように順次形成する装置を用いる。以下図１に
示す製造装置を例にとり、図２に示す断面構造をもつａ
−Si／ａ−Si２段タンデムセルの製造方法について説明
する。まず、ガラス等の透光性絶縁物10上にSnＯ2 、Ｉ
ＴＯ、ZnＯ等の透明導電膜20を形成した成膜基板１を装
着したサセプタ２を搬入室11に導入してバルブ５、真空
計６を介して接続された真空ポンプ７により10-4Torr程
度に真空引きを行う。同時に赤外線ランプ３等の加熱に
よりサセプタ２を150 〜200 ℃程度に加熱する。次に、
サセプタ２を第一成膜室12に搬送し、SiＨ4 またはSi2
Ｈ6 を主ガス、Ｈ2 を希釈ガスをとしてバルブ５を介し
て接続されたガス導入管８より導入し、ＲＦ電極４に電
圧を印加してプラズマＣＶＤ法によりｐ層21、ｐ／ｉ界
面層22、ｉ層23、ｎ層24をそれぞれ５〜30nm、50〜100n
m 、５〜30nmの厚さに成膜する。その際、光入射側の窓
層になるｐ層21の成膜時には、ドーピングガスとしてＢ
2 Ｈ6 を添加し、さらにワイドギャップ化のためにＣＨ
4 等の炭化水素を添加してａ−SiＣ膜とするか、ＣＯ2
等を添加してａ−SiＯ膜としている。また、ｎ層の成膜
時にはドーピングガスとしてＰＨ3 を添加する。このよ
うにして第一ｐ−ｉ−ｎ接合を形成した後に、サセプタ
２を第二成膜室13に搬送し、同様な方法で第二ｐ−ｉ−
ｎ接合を形成する。その際のｐ層25、ｐ／ｉ界面層26、
ｉ層27、ｎ層28の膜厚はそれぞれ５〜30nm、５〜30nm、
200 〜600nm 、５〜30nmである。このあと、サセプタを
取り出し室14に移し、この室を大気圧にしてから取り出
す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】複数のｐ−ｉ−ｎ接合
を持つ薄膜太陽電池では、各接合のｉ層膜厚は一定でな
く、一般に光入射側から順に厚くなっている。二段タン
デムセルの場合の典型的なｉ層膜厚としては、第一ｉ層
23の膜厚が70nm、第二ｉ層27の膜厚が300nm である。こ
の場合の各層成膜時間、すなわち純粋な成膜時間＋ガス
導入時間 (0.５分) ＋成膜後の真空引き時間 (0.５分)
を表１に示す。ここで、ｐ層、ｐ／ｉ界面層、ｉ層およ
びｎ層の成膜速度は、良好な膜特性が得られる妥当な値
として、それぞれ６nm／分、２nm／分、６nm／分、４nm
／分とした。
を持つ薄膜太陽電池では、各接合のｉ層膜厚は一定でな
く、一般に光入射側から順に厚くなっている。二段タン
デムセルの場合の典型的なｉ層膜厚としては、第一ｉ層
23の膜厚が70nm、第二ｉ層27の膜厚が300nm である。こ
の場合の各層成膜時間、すなわち純粋な成膜時間＋ガス
導入時間 (0.５分) ＋成膜後の真空引き時間 (0.５分)
を表１に示す。ここで、ｐ層、ｐ／ｉ界面層、ｉ層およ
びｎ層の成膜速度は、良好な膜特性が得られる妥当な値
として、それぞれ６nm／分、２nm／分、６nm／分、４nm
／分とした。
【０００４】
【表１】 表からわかるとおり、ｉ層成膜時間の違いによって第一
ｐ−ｉ−ｎ接合形成時間28分と第二ｐ−ｉ−ｎ接合形成
時間66分とは大きく異なり、これがタクトタイムを長く
する原因になっていた。すなわち、インライン型成膜装
置の場合のタクトタイムは、最も長いプロセス時間で決
まり、今回の例の場合は66分となっていた。
ｐ−ｉ−ｎ接合形成時間28分と第二ｐ−ｉ−ｎ接合形成
時間66分とは大きく異なり、これがタクトタイムを長く
する原因になっていた。すなわち、インライン型成膜装
置の場合のタクトタイムは、最も長いプロセス時間で決
まり、今回の例の場合は66分となっていた。
【０００５】本発明の目的は、上述の問題を解決し、イ
ンライン型の複数の成膜室を用いてｐ−ｉ−ｎ接合を形
成する場合にタクトタイムを短くすることのできる薄膜
太陽電池の製造方法を提供することにある。
ンライン型の複数の成膜室を用いてｐ−ｉ−ｎ接合を形
成する場合にタクトタイムを短くすることのできる薄膜
太陽電池の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、複数の成膜室を通じて搬送される基板
上に一つ以上のｐ−ｉ−ｎ接合を形成する薄膜太陽電池
の製造方法において、少なくとも一つのｉ層の成膜を一
つの成膜室に基板が搬入されてから最初に行い、その基
板上へのその成膜室内での成膜をドープ層の成膜で終
え、その基板をその成膜室外へ搬出したのち、その成膜
室のクリーニングを行うものとする。そして、複数のｐ
−ｉ−ｎ接合を形成する際に最も厚いｉ層の成膜を一つ
の成膜室に基板を搬入して最初に行うか、あるいは一つ
の成膜室と隣接した成膜室とに分割して行うことが有効
である。上記のクリーニングを真性半導体膜を成膜する
場合と同一の操作を成膜室内で実施することによって行
うことが有効である。その場合、10nm以上の厚さの真性
半導体膜を成膜する場合と同一の操作を行うことが効果
的である。さらに、成膜される半導体膜がアモルファス
シリコン系膜であることが有効である。
めに、本発明は、複数の成膜室を通じて搬送される基板
上に一つ以上のｐ−ｉ−ｎ接合を形成する薄膜太陽電池
の製造方法において、少なくとも一つのｉ層の成膜を一
つの成膜室に基板が搬入されてから最初に行い、その基
板上へのその成膜室内での成膜をドープ層の成膜で終
え、その基板をその成膜室外へ搬出したのち、その成膜
室のクリーニングを行うものとする。そして、複数のｐ
−ｉ−ｎ接合を形成する際に最も厚いｉ層の成膜を一つ
の成膜室に基板を搬入して最初に行うか、あるいは一つ
の成膜室と隣接した成膜室とに分割して行うことが有効
である。上記のクリーニングを真性半導体膜を成膜する
場合と同一の操作を成膜室内で実施することによって行
うことが有効である。その場合、10nm以上の厚さの真性
半導体膜を成膜する場合と同一の操作を行うことが効果
的である。さらに、成膜される半導体膜がアモルファス
シリコン系膜であることが有効である。
【０００７】
【作用】ｉ層成膜の際には成膜室に不純物が残存するこ
とが望ましくない。従ってｉ層単独の成膜室が必要とな
るが、前述のように製造設備の小型化には複数層を一つ
の成膜室で形成することが効果的である。しかし、例え
ば一つの太陽電池のためのｐ−ｉ−ｎ接合のうちのｉ層
と次のｎ層を成膜し、そのあとその室で次の太陽電池製
造のために上面にｐ層がある基板を搬入してｉ層を成膜
しようとすると残存するｎ層のための不純物がｐ−ｉ接
合特性を損なうことになる。ｎ層形成のためにクリーニ
ングを行えば、このような支障が生ずることがなく、良
好な太陽電池特性が得られる。従って、タンデムセル製
造の場合に最も厚いｉ層とその次の層を一つの成膜室で
成膜し、他の層をその前の成膜室で成膜すること、ある
いは最も厚い層を隣接する二つの成膜室で分割して行う
ことが可能となり、成膜室間の成膜時間の差が小さくな
り、特に成膜室を増加することなくタクトタイムを短縮
することができる。また、シングルセルの製造において
も、製造に要する時間短縮のためｉ層以後の各層の形成
をそれ以前の層の形成とを成膜室を別にして行う場合
に、本発明を適用すれば太陽電池特性を維持したまま生
産性を高めることができる。
とが望ましくない。従ってｉ層単独の成膜室が必要とな
るが、前述のように製造設備の小型化には複数層を一つ
の成膜室で形成することが効果的である。しかし、例え
ば一つの太陽電池のためのｐ−ｉ−ｎ接合のうちのｉ層
と次のｎ層を成膜し、そのあとその室で次の太陽電池製
造のために上面にｐ層がある基板を搬入してｉ層を成膜
しようとすると残存するｎ層のための不純物がｐ−ｉ接
合特性を損なうことになる。ｎ層形成のためにクリーニ
ングを行えば、このような支障が生ずることがなく、良
好な太陽電池特性が得られる。従って、タンデムセル製
造の場合に最も厚いｉ層とその次の層を一つの成膜室で
成膜し、他の層をその前の成膜室で成膜すること、ある
いは最も厚い層を隣接する二つの成膜室で分割して行う
ことが可能となり、成膜室間の成膜時間の差が小さくな
り、特に成膜室を増加することなくタクトタイムを短縮
することができる。また、シングルセルの製造において
も、製造に要する時間短縮のためｉ層以後の各層の形成
をそれ以前の層の形成とを成膜室を別にして行う場合
に、本発明を適用すれば太陽電池特性を維持したまま生
産性を高めることができる。
【０００８】
【実施例】図２に示した構造の２段タンデムセルを図１
に示した装置を用いて製造した本発明の実施例について
述べる。先ず、基板１を装着したサセプタ２を第一成膜
室12に搬送し、第一ｐ−ｉ−ｎ接合のｐ層21、ｐ／ｉ界
面層22、ｉ層23、ｎ層24、および第二ｐ層25、第二ｐ／
ｉ界面層26を順次形成する。つづいて、サセプタ２を第
二成膜室13に搬送し、第二ｉ層27、第二ｎ層28を順次形
成する。そしてサセプタ２を取り出し室14に搬送した後
に、第二成膜室13内のクリーニングを行う。クリーニン
グは、基板の存在しない第二成膜室13にSiＨ4 およびＨ
2 を導入し、プラズマＣＶＤ法により真性ａ−Si膜を成
膜するのと同じ操作を１分間行う。その際の操作条件
は、通常、基板上に25nm／分の成膜速度でｉ−ａ−Si膜
が堆積する条件になっている。次いでこの装置で次のセ
ルの製造を行った。クリーニングは、その際第二成膜室
13で形成される第二ｉ層27へのりんの混入を防ぐ効果が
ある。本発明の実施例の際の各成膜室でのプロセス時間
を示す。
に示した装置を用いて製造した本発明の実施例について
述べる。先ず、基板１を装着したサセプタ２を第一成膜
室12に搬送し、第一ｐ−ｉ−ｎ接合のｐ層21、ｐ／ｉ界
面層22、ｉ層23、ｎ層24、および第二ｐ層25、第二ｐ／
ｉ界面層26を順次形成する。つづいて、サセプタ２を第
二成膜室13に搬送し、第二ｉ層27、第二ｎ層28を順次形
成する。そしてサセプタ２を取り出し室14に搬送した後
に、第二成膜室13内のクリーニングを行う。クリーニン
グは、基板の存在しない第二成膜室13にSiＨ4 およびＨ
2 を導入し、プラズマＣＶＤ法により真性ａ−Si膜を成
膜するのと同じ操作を１分間行う。その際の操作条件
は、通常、基板上に25nm／分の成膜速度でｉ−ａ−Si膜
が堆積する条件になっている。次いでこの装置で次のセ
ルの製造を行った。クリーニングは、その際第二成膜室
13で形成される第二ｉ層27へのりんの混入を防ぐ効果が
ある。本発明の実施例の際の各成膜室でのプロセス時間
を示す。
【０００９】
【表２】 表からわかるように、第二ｐ−ｉ−ｎ接合形成の一部を
第一成膜室12に移したことによりタクトタイムが59分に
短縮された。
第一成膜室12に移したことによりタクトタイムが59分に
短縮された。
【００１０】ここで、クリーニングの効果について説明
する。図３にクリーニング時の成膜室において試料基板
上へのａ−Si形成膜厚と、そのあと作製された面積１cm
2 の２段タンデムセルの変換効率の関係を示す。クリー
ニングを全くしない場合、すなわちａ−Si形成膜厚の０
nmのあとのセルの変換効率は8.６％であり、従来のプロ
セスで形成したタンデムセルの変換効率11.8％に比べて
かなり低くなっている。これに対し、厚さ10nm成膜のク
リーニングを行うことで10.9％まで向上しており、厚さ
20nm以上成膜のクリーニングを行えば、従来のプロセス
と同等の11.5％以上の効率が得られることが分かった。
また、実線31で示した成膜速度25nm／分の場合と、点線
32で示した成膜速度５nm／分の場合で、挙動に大きな違
いが見られないことから、クリーニングの効果は処理時
間によらず、その間に形成されるべき真性ａ−Si膜の膜
厚によることがわかった。
する。図３にクリーニング時の成膜室において試料基板
上へのａ−Si形成膜厚と、そのあと作製された面積１cm
2 の２段タンデムセルの変換効率の関係を示す。クリー
ニングを全くしない場合、すなわちａ−Si形成膜厚の０
nmのあとのセルの変換効率は8.６％であり、従来のプロ
セスで形成したタンデムセルの変換効率11.8％に比べて
かなり低くなっている。これに対し、厚さ10nm成膜のク
リーニングを行うことで10.9％まで向上しており、厚さ
20nm以上成膜のクリーニングを行えば、従来のプロセス
と同等の11.5％以上の効率が得られることが分かった。
また、実線31で示した成膜速度25nm／分の場合と、点線
32で示した成膜速度５nm／分の場合で、挙動に大きな違
いが見られないことから、クリーニングの効果は処理時
間によらず、その間に形成されるべき真性ａ−Si膜の膜
厚によることがわかった。
【００１１】本発明の別の実施例の際の成膜では、上記
実施例における第一および第二成膜室12、13でのプロセ
ス時間にまだ22分の差があるのを解消するために、第二
ｉ層27の成膜の一部を第一成膜室12で行うようにした。
これにより、表３に示したとおり、第一、第二成膜室1
2、13でのプロセス時間が等しくなり、プロセス時間が4
8.5に短縮された。この実施例により製造された２段タ
ンデムセルでは12.0％の変換効率が得られており、太陽
電池の特性上も問題がないことがわかった。
実施例における第一および第二成膜室12、13でのプロセ
ス時間にまだ22分の差があるのを解消するために、第二
ｉ層27の成膜の一部を第一成膜室12で行うようにした。
これにより、表３に示したとおり、第一、第二成膜室1
2、13でのプロセス時間が等しくなり、プロセス時間が4
8.5に短縮された。この実施例により製造された２段タ
ンデムセルでは12.0％の変換効率が得られており、太陽
電池の特性上も問題がないことがわかった。
【００１２】
【表３】 さらに、本発明の別の実施例として、図４に示すように
金属基板９上に第一ｎ層28、第一ｉ層27、第一ｐ／ｉ界
面層26、第一ｐ層25、第二ｎ層24、第二ｉ層23、第二ｐ
／ｉ界面層22、第二ｐ層21の順にセルを形成した。各層
の膜厚は、図２のセル形成の場合の同一符号を付した層
の膜厚と成膜条件を同じにして全く等しくした。そし
て、第一ｉ層27の成膜を第一、第二成膜室12、13で分割
して行った。この場合のプロセス時間は表４に示すとお
りで、タクトタイムは従来の66分から48.5分に短縮され
た。
金属基板９上に第一ｎ層28、第一ｉ層27、第一ｐ／ｉ界
面層26、第一ｐ層25、第二ｎ層24、第二ｉ層23、第二ｐ
／ｉ界面層22、第二ｐ層21の順にセルを形成した。各層
の膜厚は、図２のセル形成の場合の同一符号を付した層
の膜厚と成膜条件を同じにして全く等しくした。そし
て、第一ｉ層27の成膜を第一、第二成膜室12、13で分割
して行った。この場合のプロセス時間は表４に示すとお
りで、タクトタイムは従来の66分から48.5分に短縮され
た。
【００１３】
【表４】 この実施例で上記の実施例と異なるのは、クリーニング
の役割がｉ層へほう素が混入するのを防ぐという点であ
る。クリーニングを行わない場合のセルの変換効率が7.
8 ％と低いのに対し、クリーニングを行った場合のセル
の効率は、11.1％に向上した。従来法により形成したセ
ルの効率が11.2％だったので、クリーニングは、ほう素
に対しても有効であることがわかった。
の役割がｉ層へほう素が混入するのを防ぐという点であ
る。クリーニングを行わない場合のセルの変換効率が7.
8 ％と低いのに対し、クリーニングを行った場合のセル
の効率は、11.1％に向上した。従来法により形成したセ
ルの効率が11.2％だったので、クリーニングは、ほう素
に対しても有効であることがわかった。
【００１４】以上、２段タンデムセルの成膜方法を例に
とって説明したが、本発明は、ａ−SiGe等をボトムセル
にもつ３段タンデムセルにも有効である。また、シング
ルセルの厚いｉ層を二つの成膜室で分割して形成し、実
成膜所要時間の短縮する場合にも有効である。
とって説明したが、本発明は、ａ−SiGe等をボトムセル
にもつ３段タンデムセルにも有効である。また、シング
ルセルの厚いｉ層を二つの成膜室で分割して形成し、実
成膜所要時間の短縮する場合にも有効である。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、ｐ−ｉ−ｎ接合のドー
プ膜成膜に使用した成膜室をそのあと真性半導体膜成膜
と同一の操作を行うなどの方法でクリーニングすること
により、次に搬入される基板上への真性薄膜の形成の際
の不純物混入が防止されるため、タンデムセルの最も厚
いｉ層を一つの成膜室で最初に形成する方法、あるいは
二つの成膜室で分割して形成する方法が実施可能とな
り、薄膜太陽電池の量産に用いるインライン型の成膜装
置における各成膜室のプロセス時間の均一化を図ること
によってタクトタイムが、例えば２段タンデムセルの場
合で73％短縮することができた。またシングルセルにお
いても厚いｉ層の分割形成による実成膜所要時間の短縮
も可能になった。
プ膜成膜に使用した成膜室をそのあと真性半導体膜成膜
と同一の操作を行うなどの方法でクリーニングすること
により、次に搬入される基板上への真性薄膜の形成の際
の不純物混入が防止されるため、タンデムセルの最も厚
いｉ層を一つの成膜室で最初に形成する方法、あるいは
二つの成膜室で分割して形成する方法が実施可能とな
り、薄膜太陽電池の量産に用いるインライン型の成膜装
置における各成膜室のプロセス時間の均一化を図ること
によってタクトタイムが、例えば２段タンデムセルの場
合で73％短縮することができた。またシングルセルにお
いても厚いｉ層の分割形成による実成膜所要時間の短縮
も可能になった。
【図１】本発明の実施例に用いる成膜装置の断面図
【図２】本発明の実施例により製造される薄膜太陽電池
の断面構造図
の断面構造図
【図３】本発明によるクリーニングの際のａ−Si成膜厚
さと製造された太陽電池の変換効率との関係線図
さと製造された太陽電池の変換効率との関係線図
【図４】本発明の別の実施例により製造される薄膜太陽
電池の断面構造図
電池の断面構造図
１ 成膜基板 ２ サセプタ ３ 赤外線ランプ ４ ＲＦ電極 ７ 真空ポンプ ８ ガス導入管 ９ 金属基板 １１ 搬入室 １２ 第一成膜室 １３ 第二成膜室 １４ 取り出し室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078 H01L 21/205
Claims (6)
- 【請求項１】複数の成膜室を通じて搬送される基板上に
一つ以上のｐ−ｉ−ｎ接合を形成する薄膜太陽電池の製
造方法において、少なくとも一つのｉ層の成膜を一つの
成膜室に基板が搬入されてから最初に行い、その基板上
へのその成膜室内での成膜をドープ層の成膜で終え、そ
の基板をその成膜室外へ搬出したのち、その成膜室のク
リーニングを行うことを特徴とする薄膜太陽電池の製造
方法。 - 【請求項２】複数のｐ−ｉ−ｎ接合を形成する際に最も
厚いｉ層の成膜を一つの成膜室に基板を搬入して最初に
行う請求項１記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項３】複数のｐ−ｉ−ｎ接合を形成する際に最も
厚いｉ層の成膜を一つの成膜室と隣接した成膜室とに分
割して行う請求項１記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項４】クリーニングを真性半導体膜を成膜する場
合と同一操作を成膜室内で実施することによって行う請
求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造
方法。 - 【請求項５】10nm以上の厚さの真性半導体膜を成膜する
場合と同一操作を行う請求項４記載の薄膜太陽電池の製
造方法。 - 【請求項６】成膜される半導体膜がアモルファスシリコ
ン系膜である請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜
太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4325865A JP3070309B2 (ja) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4325865A JP3070309B2 (ja) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177409A JPH06177409A (ja) | 1994-06-24 |
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