JPH01138765A - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
光電変換装置の製造方法Info
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- JPH01138765A JPH01138765A JP62298183A JP29818387A JPH01138765A JP H01138765 A JPH01138765 A JP H01138765A JP 62298183 A JP62298183 A JP 62298183A JP 29818387 A JP29818387 A JP 29818387A JP H01138765 A JPH01138765 A JP H01138765A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野 〕
本発明は、プラズマＣＶＤ法による光電変換装置の製造
方法に関する。
方法に関する。
近年、非晶質シリコン（ａ−８ｉ）を初めとする非晶質
半導体を用いた光電変換装置は、可視光に対する光吸収
係数が大である、光伝導度が高い、＋Ａ材料費安価であ
る、基板の自由度が大である等の理由がら低価格太陽電
池、イメージセンサ、合膜トランジスタ等に実用化され
てきている。
半導体を用いた光電変換装置は、可視光に対する光吸収
係数が大である、光伝導度が高い、＋Ａ材料費安価であ
る、基板の自由度が大である等の理由がら低価格太陽電
池、イメージセンサ、合膜トランジスタ等に実用化され
てきている。
その主たる製造方法は、真空槽内に所定のガスを導入し
て所定の内圧とし、該真空槽内におけるグロー放電によ
り膜形成を行うプラズマＣＶ Ｄ法である。
て所定の内圧とし、該真空槽内におけるグロー放電によ
り膜形成を行うプラズマＣＶ Ｄ法である。
プラズマＣＶＤ装置は、開発当初は反応室力ｆ１室であ
りガスを交換しなからＰ型、Ｉ型、Ｎ型の半導体層を形
成していた。 しかし、多量生産および各半導体層に
不必要な不純物の混入防止、信頼性向上、特性向上を目
的として反応室が２室以上ある装置が量産機として用い
られるようになってきた。 （例えば、特公昭６２−３
７５２８を参照）参考例１ 第３図は、ＰＩＮ接合を連続的に形成するたｙ）の装置
の概略図で３つの反応室からなっている。
りガスを交換しなからＰ型、Ｉ型、Ｎ型の半導体層を形
成していた。 しかし、多量生産および各半導体層に
不必要な不純物の混入防止、信頼性向上、特性向上を目
的として反応室が２室以上ある装置が量産機として用い
られるようになってきた。 （例えば、特公昭６２−３
７５２８を参照）参考例１ 第３図は、ＰＩＮ接合を連続的に形成するたｙ）の装置
の概略図で３つの反応室からなっている。
第３図の構成は基本的には後述する第１図と反応室の数
を除いておなじである。３０１は排気および予備加熱を
する取入れ室、３０２は第１の反応室でＰ層を、３０３
は第２の反応室で１層を、３０４は第３の反応室はＮ層
をそれぞれ形成する。 ３０５は冷却および大気ヘリー
クする取り出し室である。
を除いておなじである。３０１は排気および予備加熱を
する取入れ室、３０２は第１の反応室でＰ層を、３０３
は第２の反応室で１層を、３０４は第３の反応室はＮ層
をそれぞれ形成する。 ３０５は冷却および大気ヘリー
クする取り出し室である。
各室はゲートバルブと呼ばれる開閉器３０６によって分
離されている。 上記の例は、反応室を分離すること
によって各半導体層に不必要な不純物の混入を防止する
ものである。 一般的には、ＰＩＮ各層の厚みが著し
く異なり、生産性は最も堆積時間の長い反応室の時間で
決まるため、量産装置では堆積時間の長い反応室を複数
設けて連続的に生産している。
離されている。 上記の例は、反応室を分離すること
によって各半導体層に不必要な不純物の混入を防止する
ものである。 一般的には、ＰＩＮ各層の厚みが著し
く異なり、生産性は最も堆積時間の長い反応室の時間で
決まるため、量産装置では堆積時間の長い反応室を複数
設けて連続的に生産している。
しかし、前述の従来技術では、特性を満足するために反
応室を２室以上にすると生産能力は最も堆積時間の長い
、例えば１層できまるため生産性は高くない。 生産
性を同時に満足させるためにさらに反応室を増やした場
合は生産能力は増加するが大規模て・高価な装置になる
という欠点をイｆしていた。 本発明はこのような間顧
点を解決するもので、その目的とするところは、最小の
装置で特性と生産性を同時に達成できる光電変換装、置
の製造方法を提供するところにある。
応室を２室以上にすると生産能力は最も堆積時間の長い
、例えば１層できまるため生産性は高くない。 生産
性を同時に満足させるためにさらに反応室を増やした場
合は生産能力は増加するが大規模て・高価な装置になる
という欠点をイｆしていた。 本発明はこのような間顧
点を解決するもので、その目的とするところは、最小の
装置で特性と生産性を同時に達成できる光電変換装、置
の製造方法を提供するところにある。
本発明の光電変換装置の製造方法は、Ｐ型、■型、Ｎを
の半導体層を有する光電変換装置を、２つ以上の反応室
からなるプラズマＣＶＤ装置で形成する製造方法におい
て、第１の反応室でＰ型とＩ型の一部を形成し、第２の
反応室以降て何型の残部とＮ型を形成することあるいは
、第１の反応室でＮ型と■型の一部を形成し、第２の反
応室以降で■型の残部とＰ型を形成することを特徴とす
る。
の半導体層を有する光電変換装置を、２つ以上の反応室
からなるプラズマＣＶＤ装置で形成する製造方法におい
て、第１の反応室でＰ型とＩ型の一部を形成し、第２の
反応室以降て何型の残部とＮ型を形成することあるいは
、第１の反応室でＮ型と■型の一部を形成し、第２の反
応室以降で■型の残部とＰ型を形成することを特徴とす
る。
以下に本発明の詳細な説明する。 ここではＰ型半導
体層としてポロンをドープしたａ−９ｉ＋−ｘｃｘ：Ｈ
，Ｉ型半導体層としてａ−８ｉ：Ｈ。
体層としてポロンをドープしたａ−９ｉ＋−ｘｃｘ：Ｈ
，Ｉ型半導体層としてａ−８ｉ：Ｈ。
Ｎ型半導体層としてリンをドープしたａ−９ｉドｘＣ：
Ｈを用いたが他の半導体層についても同様に実施できる
。 なお、Ｘの値はＯ＜Ｘ≦１をとる。
Ｈを用いたが他の半導体層についても同様に実施できる
。 なお、Ｘの値はＯ＜Ｘ≦１をとる。
（実施例１）
第１図に本発明方法を実施する製造装置の平面図の概略
図を示す。 以下に図面に従って説明する。
図を示す。 以下に図面に従って説明する。
ゲートバルブ１０５を開いて、取入れ室１０１に基板を
七ツ）、したホルダー１１１．１１１ ′を入れ、ゲー
トバルブ１０５を閉じて真空ポンプ１１５で真空に引く
。
七ツ）、したホルダー１１１．１１１ ′を入れ、ゲー
トバルブ１０５を閉じて真空ポンプ１１５で真空に引く
。
基板は下電極としてＩＴＯを形成したものを用いた。
また、基板はホルダー１１１．１１１ ′には互いに背
を向けてセットされる。 次に赤外線加熱ヒーター
１１０で基板を所定の温度に加熱する。 本実施例
の場合は、２５０°Ｃに加熱した。 次にゲートバルブ
１０６を開けて、予め真空に引いてあった第１の反応室
１０２へ基板ホルダーＬ１１ＪＩＩ−を入オーしゲート
バルブ１０６を閉じる。 第１の反応室１０２と第２の
反応室１０３には、基板を背面から加熱するヒーター１
１２があり基板の温度を２５０°Ｃに保持している。
ガス系列１１６からＮ２ガスを０．５ＴＯＲＲで５分間
流し熱伝導を良くして反応室内を更に灼熱化した後真空
に引く。 この時、余熱したガスを導入すればより効
果的である。 次にガス系列１１７からモノシラン（Ｓ
ｉＨｊ）、同１１８からメタン（ＣＨ４） 、同１１９
からジボラン（Ｂ２Ｈ６）を１：５．５：０．４の比で
０．５ＴＯＲＲ導入し、平行平板型電極１１３．１１３
′に１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、９５Ｗ
で９０秒プラズマを発生させＰ層を約５００人形成する
。 この時、基板ホルダー１１１．１１１ ＝は対向
電極となる。また、高周波電圧は電極１１３．１１３′
について独立に印加することができるため基板ホルダー
１１１．１１１ ”にセットされた基板に対してほぼ同
一条件で膜を形成することができる。
を向けてセットされる。 次に赤外線加熱ヒーター
１１０で基板を所定の温度に加熱する。 本実施例
の場合は、２５０°Ｃに加熱した。 次にゲートバルブ
１０６を開けて、予め真空に引いてあった第１の反応室
１０２へ基板ホルダーＬ１１ＪＩＩ−を入オーしゲート
バルブ１０６を閉じる。 第１の反応室１０２と第２の
反応室１０３には、基板を背面から加熱するヒーター１
１２があり基板の温度を２５０°Ｃに保持している。
ガス系列１１６からＮ２ガスを０．５ＴＯＲＲで５分間
流し熱伝導を良くして反応室内を更に灼熱化した後真空
に引く。 この時、余熱したガスを導入すればより効
果的である。 次にガス系列１１７からモノシラン（Ｓ
ｉＨｊ）、同１１８からメタン（ＣＨ４） 、同１１９
からジボラン（Ｂ２Ｈ６）を１：５．５：０．４の比で
０．５ＴＯＲＲ導入し、平行平板型電極１１３．１１３
′に１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、９５Ｗ
で９０秒プラズマを発生させＰ層を約５００人形成する
。 この時、基板ホルダー１１１．１１１ ＝は対向
電極となる。また、高周波電圧は電極１１３．１１３′
について独立に印加することができるため基板ホルダー
１１１．１１１ ”にセットされた基板に対してほぼ同
一条件で膜を形成することができる。
次に、反応室１０２内を真空引きしたのちガス系列１２
０からＩ−Ｉ ２ガスを０．６７ＯＲＲで５分導入して
反応室内をＨ２で置換し、再び真空引きする。 Ｉ■
２ガス置換はＰ層と１層の界面を活性にするためである
が、特に必要不可欠な工程ではない。
０からＩ−Ｉ ２ガスを０．６７ＯＲＲで５分導入して
反応室内をＨ２で置換し、再び真空引きする。 Ｉ■
２ガス置換はＰ層と１層の界面を活性にするためである
が、特に必要不可欠な工程ではない。
次に、ガス系列１１７から５ｉＨａ 、同１１８から水
素ガス（Ｈ２）を１：４の比で０．９ＴＯＲＲ導入し、
９５Ｗで１９分ブラズマを発生させ１層を約４５００人
形成する。
素ガス（Ｈ２）を１：４の比で０．９ＴＯＲＲ導入し、
９５Ｗで１９分ブラズマを発生させ１層を約４５００人
形成する。
次に、第１の反応室１０２を真空に引いた後ゲートバル
ブ１０７を開けて、予め真空に引いてあった第２の反応
室１０３へ基板ホルダー１１１．１１１ ′を移動して
ゲートバルブ１０７を閉じる。 ガス系列１２２から
ＳｉＨ４、同１２３からＮ２を１：４の比で０．９ＴＯ
ＲＲ導入し、９５Ｗで１５分プラズマを発生させ１層の
残り約３５００Ａを形成する。 １層を形成後、反応
室１０３内を真空に引いた後ガス系列１２２から５ｉＨ
ａ、同１２３からＮ２、同１２４からＣＨａ、同１２５
からホスフィン（ＰＨ１）を１：２．１：１．７：０．
５の比で０．５ＴＯＲＲ導入し、９５Ｗで５．５分プラ
ズマを発生させＮ層を約５００人形成する。次に、第２
の反応室１０３を真空引した後ゲートバルブ１０８を開
けて、予め真空に引いてあった取り出し室１０４へ基板
ホルダー１１１．１１１ ′を移動してゲートバルブ１
０８を閉じる。 取り出し室１０４には、冷却ユニッ
ト１１４．１１４ ′、１１５があり基板および基板ホ
ルダー１１１゜１１１′を両側から冷却する。 この
時ガス系列１２８からＮ２を導入して真空度を低下させ
て冷却効率をよくする。 次に、リーク系列１２９が
ら空気を導入し大気圧になったところでゲートバルブ１
０９を開けて基板ホルダー１１１．１１１ ”を外部に
取り出す。
ブ１０７を開けて、予め真空に引いてあった第２の反応
室１０３へ基板ホルダー１１１．１１１ ′を移動して
ゲートバルブ１０７を閉じる。 ガス系列１２２から
ＳｉＨ４、同１２３からＮ２を１：４の比で０．９ＴＯ
ＲＲ導入し、９５Ｗで１５分プラズマを発生させ１層の
残り約３５００Ａを形成する。 １層を形成後、反応
室１０３内を真空に引いた後ガス系列１２２から５ｉＨ
ａ、同１２３からＮ２、同１２４からＣＨａ、同１２５
からホスフィン（ＰＨ１）を１：２．１：１．７：０．
５の比で０．５ＴＯＲＲ導入し、９５Ｗで５．５分プラ
ズマを発生させＮ層を約５００人形成する。次に、第２
の反応室１０３を真空引した後ゲートバルブ１０８を開
けて、予め真空に引いてあった取り出し室１０４へ基板
ホルダー１１１．１１１ ′を移動してゲートバルブ１
０８を閉じる。 取り出し室１０４には、冷却ユニッ
ト１１４．１１４ ′、１１５があり基板および基板ホ
ルダー１１１゜１１１′を両側から冷却する。 この
時ガス系列１２８からＮ２を導入して真空度を低下させ
て冷却効率をよくする。 次に、リーク系列１２９が
ら空気を導入し大気圧になったところでゲートバルブ１
０９を開けて基板ホルダー１１１．１１１ ”を外部に
取り出す。
なお、第２の反応室１０３のガス系列１２６は反応室内
を置換するためのＮ２である。 また、第１の反応室
１０２のガス系列１２１と第２の反応室１０３のガス系
列１２７は、反応室内の堆積物をエツチングするための
ＣＦ４である。
を置換するためのＮ２である。 また、第１の反応室
１０２のガス系列１２１と第２の反応室１０３のガス系
列１２７は、反応室内の堆積物をエツチングするための
ＣＦ４である。
第２図に、本実施例による光電変換装置の製造フローチ
ャー１・を示す。 （ａ）に示すように透明石英基板
２０１に透明電極２０２としてＩＴＯを形成し、（ｂ）
に示すように第１の反応室で２層２０３およびＩ Ｆ’
ｌの一部２０４を形成し、（ｃ）で示すように第２の反
応室で１層の残部２０５および】〕層を形成する。
本実施例で光電変換層を形成したのち、（ｄ）で示すよ
うに上部電極２０７としてＡｌ−５ｉを形成した。
ャー１・を示す。 （ａ）に示すように透明石英基板
２０１に透明電極２０２としてＩＴＯを形成し、（ｂ）
に示すように第１の反応室で２層２０３およびＩ Ｆ’
ｌの一部２０４を形成し、（ｃ）で示すように第２の反
応室で１層の残部２０５および】〕層を形成する。
本実施例で光電変換層を形成したのち、（ｄ）で示すよ
うに上部電極２０７としてＡｌ−５ｉを形成した。
ガス置換、ガス導入、真空引き、搬送時間を含めると、
ＰＩＮの形成時間はそれぞれ２１分、５３分、１３分で
ある。 従来の方法では、第１の反応室でＰ層を第２
の反応室で１層およびＮ層を形成した場合生産能力は第
２の反応室での形成時間６６分で決まる。 一方、本実
施例では第１の反応室でＰ層及び１層の一部を、第２の
反応室で１層の残部とＮ層を形成し、それぞれの形成時
間は約４４分であるため生産能力は５０％増加する。
ＰＩＮの形成時間はそれぞれ２１分、５３分、１３分で
ある。 従来の方法では、第１の反応室でＰ層を第２
の反応室で１層およびＮ層を形成した場合生産能力は第
２の反応室での形成時間６６分で決まる。 一方、本実
施例では第１の反応室でＰ層及び１層の一部を、第２の
反応室で１層の残部とＮ層を形成し、それぞれの形成時
間は約４４分であるため生産能力は５０％増加する。
また、本実施例で形成した光７Ｎ、変換装置は第１の反
応室で形成した１層に微量のポロンがドープされ、第２
の反応室で形成した１層に微量のリンがドープされるこ
とにより疑似１”Ｎ接合が形成されるため、光が入射し
たとき１層で生ずるホールとエレクトロンを外部に取り
出す量子効率が従来の方法より約５％高くなるという効
果も確認された。
応室で形成した１層に微量のポロンがドープされ、第２
の反応室で形成した１層に微量のリンがドープされるこ
とにより疑似１”Ｎ接合が形成されるため、光が入射し
たとき１層で生ずるホールとエレクトロンを外部に取り
出す量子効率が従来の方法より約５％高くなるという効
果も確認された。
（実施例２）
第３図に、本発明方法を実施する別の装置の概略図を示
す。 これは、従来例でＰ層、■層、Ｎ層をそれぞれ
別の反応室で形成した時に用いた装置である。
す。 これは、従来例でＰ層、■層、Ｎ層をそれぞれ
別の反応室で形成した時に用いた装置である。
基本的な製造方法は上述した実施例１と同じである。
取入れ室３０１で真空引き、加熱を行い、第１の反応
室３０２でＰ層と１層の一部を、第２の反応室３０３で
１層の一部を、第３の反応室３０４で１層の残部とＮ層
をそれぞれ形成し、取り出し室３０５で冷月１後基板を
取り出す。
取入れ室３０１で真空引き、加熱を行い、第１の反応
室３０２でＰ層と１層の一部を、第２の反応室３０３で
１層の一部を、第３の反応室３０４で１層の残部とＮ層
をそれぞれ形成し、取り出し室３０５で冷月１後基板を
取り出す。
各反応室での堆積条件を以下に示す。
第１反応室 ＰＫｆ１５００人 ９０秒Ｉ層 ２５０
０人９分２０秒 １１１０分５０秒第２反応室 １層
３３００人 計１２分２０秒第３反応室 ＩＰ
′ｆＩ２２００人８分１５秒Ｎ層 ５００Ａ ５分３０
秒 計１３分４５抄第４図に本実施例の方法で形成した
光電変換装置の断面構造を示す。 ４０１は基板でここ
では透明石英を用いた。４０２は下部電極のＩＴＯ１４
０３，４０４はそれそ°れ第１の反応室で形成したＰ層
および１層、４０５は第２の反応室で形成した１層、４
０６．４０７はそれそ゛れ第３の反応室で形成した１層
およびＮ層、４０８は上部電極のＡｌ−３ｉである。
０人９分２０秒 １１１０分５０秒第２反応室 １層
３３００人 計１２分２０秒第３反応室 ＩＰ
′ｆＩ２２００人８分１５秒Ｎ層 ５００Ａ ５分３０
秒 計１３分４５抄第４図に本実施例の方法で形成した
光電変換装置の断面構造を示す。 ４０１は基板でここ
では透明石英を用いた。４０２は下部電極のＩＴＯ１４
０３，４０４はそれそ°れ第１の反応室で形成したＰ層
および１層、４０５は第２の反応室で形成した１層、４
０６．４０７はそれそ゛れ第３の反応室で形成した１層
およびＮ層、４０８は上部電極のＡｌ−３ｉである。
従来の方法ではＰＩＮをそれぞれ別の反応室で形成して
いたため生産性は最も時間の長いＩＩで決っており、本
実施例の厚みを同一条件で形成する場合はＰＩＮＭ形成
時間をそれそ゛れ２１分、５３分、１３分とすると約５
３分がサイクルタイムとなる。 本実施例では、１層を
３つの反応室に分けたのでそれそ゛れの反応室での時間
約２９分がサイクルタイムであり、従来例に比べて１．
８倍以上の生産性向上をはかることかできた。 また
、実施例１で述べた量子効率についても従来の方法より
約４％向上した。
いたため生産性は最も時間の長いＩＩで決っており、本
実施例の厚みを同一条件で形成する場合はＰＩＮＭ形成
時間をそれそ゛れ２１分、５３分、１３分とすると約５
３分がサイクルタイムとなる。 本実施例では、１層を
３つの反応室に分けたのでそれそ゛れの反応室での時間
約２９分がサイクルタイムであり、従来例に比べて１．
８倍以上の生産性向上をはかることかできた。 また
、実施例１で述べた量子効率についても従来の方法より
約４％向上した。
実施例１および実施例２はともに基板側から順にＩ”
Ｉ Ｎの構造であるが、本発明の方法では逆のＮ Ｔ
Ｐ ９７７造についても同様に形成することができる。
Ｉ Ｎの構造であるが、本発明の方法では逆のＮ Ｔ
Ｐ ９７７造についても同様に形成することができる。
また、各反応室に導入するガスを余熱することによ
って形成される膜厚、膜質の均一性が向上する。
って形成される膜厚、膜質の均一性が向上する。
本発明の方法では、１層を２つ以上の反応室に分離して
形成するが、これによる光電変換装置の特性劣下や信頼
性の低下は全く認められない。
形成するが、これによる光電変換装置の特性劣下や信頼
性の低下は全く認められない。
以上に実施例に従って本発明の製造方法を説明したが、
本発明の効果を以下に述べる。
本発明の効果を以下に述べる。
（１）Ｐ層とＮ層を分離するため、ドープ剤による汚染
がなく、光電変換装置の信頼性が高い。
がなく、光電変換装置の信頼性が高い。
（２）１層を自由に分割できるため、最も生産性の高い
堆積方法を選択することができる。
堆積方法を選択することができる。
（３）第１の反応室は常に１層で終るため、反応室の壁
からの（η染が少なくドープ量の制御が容易である。
からの（η染が少なくドープ量の制御が容易である。
（４）Ｐ層と１層あるいはＮ層と１層が同一反応室で形
成されるため、１層の一部がＰ型またはＮ型になり量子
効率が上がる。
成されるため、１層の一部がＰ型またはＮ型になり量子
効率が上がる。
（５）生産１１ヒカが向」ニするため、装置のコストパ
フォーマンスが高い。
フォーマンスが高い。
第１図は、本発明の方法を実施するためのプラズマＣＶ
Ｄ装置の概略図、第２図（ａ）・ν（ｄ）は本発明の方
法による光電変換装置の製造工程図、第３図は反応室が
３室のプラズマＣＶＤ装置の概略図、第４図は第３図の
装置を用いた時の本発明の方法による光電変換装置の断
面構造図である。 以上 第１図 第３０ 第２図
Ｄ装置の概略図、第２図（ａ）・ν（ｄ）は本発明の方
法による光電変換装置の製造工程図、第３図は反応室が
３室のプラズマＣＶＤ装置の概略図、第４図は第３図の
装置を用いた時の本発明の方法による光電変換装置の断
面構造図である。 以上 第１図 第３０ 第２図
Claims (1)
- Ｐ型、Ｉ型、Ｎ型の半導体層を有する光電変換装置を
、２つ以上の反応室からなるプラズマＣＶＤ装置で形成
する光電変換装置の製造方法において、第１の反応室で
Ｐ型とＩ型の一部を形成し、第２の反応室以降でＩ型の
残部とＮ型を形成することあるいは、第１の反応室でＮ
型とＩ型の一部を形成し、第２の反応室以降でＩ型の残
部とＰ型を形成することを特徴とする光電変換装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62298183A JPH01138765A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 光電変換装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62298183A JPH01138765A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 光電変換装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01138765A true JPH01138765A (ja) | 1989-05-31 |
Family
ID=17856290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62298183A Pending JPH01138765A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 光電変換装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01138765A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5378639A (en) * | 1992-07-24 | 1995-01-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin-film photovoltaic conversion device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169980A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-26 JP JP62298183A patent/JPH01138765A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169980A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5378639A (en) * | 1992-07-24 | 1995-01-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin-film photovoltaic conversion device |
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