JP3358164B2 - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
- Publication number
- JP3358164B2 JP3358164B2 JP09344592A JP9344592A JP3358164B2 JP 3358164 B2 JP3358164 B2 JP 3358164B2 JP 09344592 A JP09344592 A JP 09344592A JP 9344592 A JP9344592 A JP 9344592A JP 3358164 B2 JP3358164 B2 JP 3358164B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous semiconductor
- film
- type amorphous
- photovoltaic device
- semiconductor film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光起電力装置の製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光起電力装置としては、例えば
ガラス等の絶縁性基板と、該基板上に順に積層された透
明電極と、ｐ−ｉ−ｎの順に積層した非晶質半導体と、
裏面電極とを有するものが知られている。
ガラス等の絶縁性基板と、該基板上に順に積層された透
明電極と、ｐ−ｉ−ｎの順に積層した非晶質半導体と、
裏面電極とを有するものが知られている。
【０００３】裏面電極としては光反射率の高い銀等が主
流を占めており、ｐ−ｉ−ｎの順に積層した非晶質半導
体としては、アモルファスシリコン、アモルファスシリ
コンカーバイド、アモルファスシリコンゲルマニウム等
が用いられる。また、透明電極としては、酸化錫（Ｓｎ
Ｏ2 ）、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）、酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等が用いられる。
流を占めており、ｐ−ｉ−ｎの順に積層した非晶質半導
体としては、アモルファスシリコン、アモルファスシリ
コンカーバイド、アモルファスシリコンゲルマニウム等
が用いられる。また、透明電極としては、酸化錫（Ｓｎ
Ｏ2 ）、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）、酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等が用いられる。
【０００４】この従来の光起電力装置においては、変換
効率を高めるため、光入射側の透明電極膜の表面に凹凸
を形成し、非晶質半導体層の表面と裏面の一方又は双方
を微細な凹凸を有する凹凸面、いわゆるテクスチャー構
造に形成して裏面電極の表面で光を散乱させ、非晶質半
導体を透過する裏面電極の反射光の光路長を長くするよ
うにして、いわゆる光閉じ込め効果を利用している。
効率を高めるため、光入射側の透明電極膜の表面に凹凸
を形成し、非晶質半導体層の表面と裏面の一方又は双方
を微細な凹凸を有する凹凸面、いわゆるテクスチャー構
造に形成して裏面電極の表面で光を散乱させ、非晶質半
導体を透過する裏面電極の反射光の光路長を長くするよ
うにして、いわゆる光閉じ込め効果を利用している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記光閉じ込め構造に
おいては、凹凸形状により、光活性層内での実行的な光
の走行距離を増加せしめ、光起電力装置の短絡電流は増
加できる。しかしその反面、開放電圧が著しく低下する
問題があった。
おいては、凹凸形状により、光活性層内での実行的な光
の走行距離を増加せしめ、光起電力装置の短絡電流は増
加できる。しかしその反面、開放電圧が著しく低下する
問題があった。
【０００６】この原因は、光入射側の透明電極膜の表面
に形成された凹凸の程度が、一導電型非晶質半導体の膜
厚と比較して非常に大きいものであることから、この一
導電型非晶質半導体膜が良好に形成出来ないからであ
る。
に形成された凹凸の程度が、一導電型非晶質半導体の膜
厚と比較して非常に大きいものであることから、この一
導電型非晶質半導体膜が良好に形成出来ないからであ
る。
【０００７】この発明は、光閉じ込め効果を十分に保つ
ことができ、開放電圧及び短絡電流とも大きな値を持つ
高性能な光起電力装置を提供することを目的とするもの
である。
ことができ、開放電圧及び短絡電流とも大きな値を持つ
高性能な光起電力装置を提供することを目的とするもの
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の光起電力装置
の製造方法は、光入射側より、一導電型非晶質半導体
膜、ｉ型非晶質半導体膜、他導電型非晶質半導体膜及び
裏面電極を積層してなる光起電力装置の製造方法におい
て、脱ガスした反応室に空気を導入し、反応室の脱ガス
状態を１０ -3 ｔｏｌｌ・リットル／秒オーダー変化さ
せ、前記ｉ型非晶質 半導体膜内の前記他導電型非晶質半
導体側近傍に、プラズマＣＶＤ法により酸素、炭素並び
に窒素の不純物を添加した非晶質シリコンゲルマニウム
膜を設け、この非晶質シリコンゲルマニウム膜の表面に
水素プラズマ処理を行うことにより凹凸形状を形成する
ことを特徴とする。
の製造方法は、光入射側より、一導電型非晶質半導体
膜、ｉ型非晶質半導体膜、他導電型非晶質半導体膜及び
裏面電極を積層してなる光起電力装置の製造方法におい
て、脱ガスした反応室に空気を導入し、反応室の脱ガス
状態を１０ -3 ｔｏｌｌ・リットル／秒オーダー変化さ
せ、前記ｉ型非晶質 半導体膜内の前記他導電型非晶質半
導体側近傍に、プラズマＣＶＤ法により酸素、炭素並び
に窒素の不純物を添加した非晶質シリコンゲルマニウム
膜を設け、この非晶質シリコンゲルマニウム膜の表面に
水素プラズマ処理を行うことにより凹凸形状を形成する
ことを特徴とする。
【０００９】また、この発明の光起電力装置の製造方法
は、光入射側より、一導電型非晶質半導体膜、ｉ型非晶
質半導体膜、他導電型非晶質半導体膜及び裏面電極を積
層してなる光起電力装置の製造方法において、反応室の
脱ガス状態を１０ -3 ｔｏｌｌ・リットル／秒オーダー変
化させ、前記他導電型非晶質半導体膜内の前記裏面電極
側近傍に、プラズマＣＶＤ法により酸素、炭素並びに窒
素の不純物を添加した非晶質シリコンゲルマニウム膜を
設け、この非晶質シリコンゲルマニウム膜の表面に水素
プラズマ処理を行うことにより凹凸形状を形成すること
を特徴とする。
は、光入射側より、一導電型非晶質半導体膜、ｉ型非晶
質半導体膜、他導電型非晶質半導体膜及び裏面電極を積
層してなる光起電力装置の製造方法において、反応室の
脱ガス状態を１０ -3 ｔｏｌｌ・リットル／秒オーダー変
化させ、前記他導電型非晶質半導体膜内の前記裏面電極
側近傍に、プラズマＣＶＤ法により酸素、炭素並びに窒
素の不純物を添加した非晶質シリコンゲルマニウム膜を
設け、この非晶質シリコンゲルマニウム膜の表面に水素
プラズマ処理を行うことにより凹凸形状を形成すること
を特徴とする。
【００１０】
【作用】この発明によれば、ｉ型非晶質半導体膜内の前
記他導電型非晶質半導体側近傍に、その表面に凹凸形状
が形成された不純物濃度の高い非晶質シリコンゲルマニ
ウム（以下、ａ−ＳｉＧｅという。）膜を介在させるこ
とができる。この結果、光入射側の透明電極の表面に形
成された凹凸の程度を一導電型非晶質半導体膜が良好に
形成できるように極力小さくしても、光閉じ込め効果を
充分保つことが出来、開放電圧、短絡電流とも大きな値
を持つ高性能な光起電力装置を提供することができる。
記他導電型非晶質半導体側近傍に、その表面に凹凸形状
が形成された不純物濃度の高い非晶質シリコンゲルマニ
ウム（以下、ａ−ＳｉＧｅという。）膜を介在させるこ
とができる。この結果、光入射側の透明電極の表面に形
成された凹凸の程度を一導電型非晶質半導体膜が良好に
形成できるように極力小さくしても、光閉じ込め効果を
充分保つことが出来、開放電圧、短絡電流とも大きな値
を持つ高性能な光起電力装置を提供することができる。
【００１１】
【実施例】この発明の実施例に係る光起電力装置の製造
方法を図面に基づき具体的に説明すれば、以下の通りで
ある。
方法を図面に基づき具体的に説明すれば、以下の通りで
ある。
【００１２】図１の模式図に示すように、この発明によ
り製造された光起電力装置は、ガラス等からなる透明基
板１と、これの一面に順に積層された透明電極としての
ＴＣＯ膜２、非晶質半導体層３及び裏面電極４とを備え
る。
り製造された光起電力装置は、ガラス等からなる透明基
板１と、これの一面に順に積層された透明電極としての
ＴＣＯ膜２、非晶質半導体層３及び裏面電極４とを備え
る。
【００１３】ＴＣＯ膜２は例えば酸化錫（ＳｎＯ2 ）、
酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）、酸化インジウム錫（Ｉ
ＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等で構成すればよいが、こ
こでは酸化錫（ＳｎＯ2 ）を用いている。
酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）、酸化インジウム錫（Ｉ
ＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等で構成すればよいが、こ
こでは酸化錫（ＳｎＯ2 ）を用いている。
【００１４】非晶質半導体層３は、それぞれプラズマＣ
ＶＤ法によって形成されたｐ型アモルファスシリコンカ
ーバイド（ａ−ＳｉＣ）からなるｐ型非晶質半導体層３
１、ｉ型アモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−Ｓｉ
Ｇｅ）からなるｉ型非晶質半導体層３２、ｎ型アモルフ
ァスシリコンからなるｎ型非晶質半導体層３３及びこの
ｎ型非晶質半導体層近傍に形成されたこの発明の特徴で
ある不純物が添加されたａ−ＳｉＧｅ層３５とを備え
る。
ＶＤ法によって形成されたｐ型アモルファスシリコンカ
ーバイド（ａ−ＳｉＣ）からなるｐ型非晶質半導体層３
１、ｉ型アモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−Ｓｉ
Ｇｅ）からなるｉ型非晶質半導体層３２、ｎ型アモルフ
ァスシリコンからなるｎ型非晶質半導体層３３及びこの
ｎ型非晶質半導体層近傍に形成されたこの発明の特徴で
ある不純物が添加されたａ−ＳｉＧｅ層３５とを備え
る。
【００１５】裏面電極４はアルミニウム（Ａｌ）を蒸着
法によって形成すればよい。
法によって形成すればよい。
【００１６】さて、この発明者等は、ａ−ＳｉＧｅに酸
素、炭素並びに窒素の不純物をバンドギャップの変化と
して１％以内に収まる量として添加し、水素のガス雰囲
気中でプラズマ放電を行うと、その表面に凹凸が形成さ
れることを見出した。この発明は、ａ−ＳｉＧｅ表面に
凹凸を形成し、この凹凸面を用いていわゆるテクスチャ
ー構造を形成し、裏面電極の表面で光を散乱させるよう
に構成したものである。
素、炭素並びに窒素の不純物をバンドギャップの変化と
して１％以内に収まる量として添加し、水素のガス雰囲
気中でプラズマ放電を行うと、その表面に凹凸が形成さ
れることを見出した。この発明は、ａ−ＳｉＧｅ表面に
凹凸を形成し、この凹凸面を用いていわゆるテクスチャ
ー構造を形成し、裏面電極の表面で光を散乱させるよう
に構成したものである。
【００１７】表１にアモルファスシリコンゲルマニウム
（ａ−ＳｉＧｅ）の形成条件を示し、表２にｉ型非晶質
半導体層３２とこの発明の特徴である不純物が添加され
たａ−ＳｉＧｅ層３５との不純物量を示す。
（ａ−ＳｉＧｅ）の形成条件を示し、表２にｉ型非晶質
半導体層３２とこの発明の特徴である不純物が添加され
たａ−ＳｉＧｅ層３５との不純物量を示す。
【００１８】不純物の添加方法としては、脱ガス／リー
ク量の少ないプラズマＣＶＤの反応室にリークポートを
設け、意図的に空気を導入し、脱ガス／リーク量を増や
すことによる。
ク量の少ないプラズマＣＶＤの反応室にリークポートを
設け、意図的に空気を導入し、脱ガス／リーク量を増や
すことによる。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【表２】
【００２１】図４はＳｉＧｅの組成及び膜中不純物の異
なるａ−ＳｉＧｅ膜の表面にＨ2〜１００ＳＣＣＭ、基
板温度〜１８０℃、パワー密度１７０ｍＷ／ｃｍ2の条
件で水素プラズマ処理を２分施し、ＳＴＭで観測した状
態を示す模式図である。図４（ａ）（ｂ）は上記ｉ層３
２に示す不純物濃度のものであり、（ａ）はａ−Ｓｉ
0.87Ｇｅ0.13の組成、（ｂ）はａ−Ｓｉ0.64Ｇｅ0.36の
組成のものである。図４（ｃ）（ｄ）は上記ａ−ＳｉＧ
ｅ層３５に示す不純物濃度のものであり、（ｃ）はａ−
Ｓｉ0.87Ｇｅ0.13の組成、（ｄ）はａ−Ｓｉ0.64Ｇｅ
0.36の組成のものである。この図４から分かるように不
純物の増加により、その部分が容易にエッチングされ表
面の凹凸が大きくなる。更にＧｅ量の多いほど凹凸が大
きくなる。従って、テクスチャ効果をより得ようとする
と、図４（ｄ）で示す組成並びに不純物濃度のものをａ
−ＳｉＧｅ層３５に用い。これに水素プラズマ処理を施
して、凹凸面を形成すれば良い。
なるａ−ＳｉＧｅ膜の表面にＨ2〜１００ＳＣＣＭ、基
板温度〜１８０℃、パワー密度１７０ｍＷ／ｃｍ2の条
件で水素プラズマ処理を２分施し、ＳＴＭで観測した状
態を示す模式図である。図４（ａ）（ｂ）は上記ｉ層３
２に示す不純物濃度のものであり、（ａ）はａ−Ｓｉ
0.87Ｇｅ0.13の組成、（ｂ）はａ−Ｓｉ0.64Ｇｅ0.36の
組成のものである。図４（ｃ）（ｄ）は上記ａ−ＳｉＧ
ｅ層３５に示す不純物濃度のものであり、（ｃ）はａ−
Ｓｉ0.87Ｇｅ0.13の組成、（ｄ）はａ−Ｓｉ0.64Ｇｅ
0.36の組成のものである。この図４から分かるように不
純物の増加により、その部分が容易にエッチングされ表
面の凹凸が大きくなる。更にＧｅ量の多いほど凹凸が大
きくなる。従って、テクスチャ効果をより得ようとする
と、図４（ｄ）で示す組成並びに不純物濃度のものをａ
−ＳｉＧｅ層３５に用い。これに水素プラズマ処理を施
して、凹凸面を形成すれば良い。
【００２２】このａ−ＳｉＧｅ層３５上に、ｎ型非晶質
半導体層３３及び裏面電極４を設けることで、光入射側
の透明電極２の表面に凹凸の程度をｐ型非晶質半導体膜
３１が良好に形成できるように極力小さくしても、光閉
じ込め効果を充分に保つことが出来る。
半導体層３３及び裏面電極４を設けることで、光入射側
の透明電極２の表面に凹凸の程度をｐ型非晶質半導体膜
３１が良好に形成できるように極力小さくしても、光閉
じ込め効果を充分に保つことが出来る。
【００２３】次に、この発明の光起電力装置の製造例を
図３を参照して説明すると、基板１上にｐ型非晶質半導
体膜３１が良好に形成できるように凹凸の程度を極力小
さくした透明電極２を形成し、その上にａ−ＳｉＣから
成るｐ型非晶質半導体膜３１を形成する。その後、ａ−
ＳｉＧｅからなるｉ型層３２の形成を所定膜厚行った
後、酸素等の不純物とＧｅの比率を上記の表２のように
増加させた膜３５を形成する。そして、Ｈ2〜１００Ｓ
ＣＣＭ、基板温度〜１８０℃、パワー密度１７０ｍＷ／
ｃｍ2の水素プラズマ処理を２分施して、その表面に凹
凸を形成する。その後、ｎ型非晶質半導体層３３及び裏
面電極４を形成する。
図３を参照して説明すると、基板１上にｐ型非晶質半導
体膜３１が良好に形成できるように凹凸の程度を極力小
さくした透明電極２を形成し、その上にａ−ＳｉＣから
成るｐ型非晶質半導体膜３１を形成する。その後、ａ−
ＳｉＧｅからなるｉ型層３２の形成を所定膜厚行った
後、酸素等の不純物とＧｅの比率を上記の表２のように
増加させた膜３５を形成する。そして、Ｈ2〜１００Ｓ
ＣＣＭ、基板温度〜１８０℃、パワー密度１７０ｍＷ／
ｃｍ2の水素プラズマ処理を２分施して、その表面に凹
凸を形成する。その後、ｎ型非晶質半導体層３３及び裏
面電極４を形成する。
【００２４】この発明の他の実施例を図２に示す。この
ではｎ型非晶質半導体層にｎ型ａ−ＳｉＧｅを用い、そ
の裏面電極４側に、酸素等の不純物を多くしたｎ型ａ−
ＳｉＧｅ膜３５を設けてその表面を水素プラズマ処理を
行うことで凹凸面を形成し、その後に裏面電極４を形成
している。この実施例のその他の構成は、上記実施例と
同じである。
ではｎ型非晶質半導体層にｎ型ａ−ＳｉＧｅを用い、そ
の裏面電極４側に、酸素等の不純物を多くしたｎ型ａ−
ＳｉＧｅ膜３５を設けてその表面を水素プラズマ処理を
行うことで凹凸面を形成し、その後に裏面電極４を形成
している。この実施例のその他の構成は、上記実施例と
同じである。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、光入射側の透明電極の表面に形成された凹凸の程度
を一導電型非晶質半導体膜が良好に形成できるように極
力小さくしても、光閉じ込め効果を充分保つことが出
来、開放電圧、短絡電流とも大きな値を持つ高性能な光
起電力装置を提供することができる。
ば、光入射側の透明電極の表面に形成された凹凸の程度
を一導電型非晶質半導体膜が良好に形成できるように極
力小さくしても、光閉じ込め効果を充分保つことが出
来、開放電圧、短絡電流とも大きな値を持つ高性能な光
起電力装置を提供することができる。
【図１】この発明の一実施例の模式図である。
【図２】この発明の他の実施例の模式図である。
【図３】この発明の光起電力装置の製造例を示す模式図
である。
である。
【図４】ＳｉＧｅの組成及び膜中不純物の異なるａ−Ｓ
ｉＧｅ膜の表面に水素プラズマ処理を施し、ＳＴＭで観
測した状態を示す模式図である。
ｉＧｅ膜の表面に水素プラズマ処理を施し、ＳＴＭで観
測した状態を示す模式図である。
１ 基板 ２ 透明電極 ３ 非晶質半導体層 ４ 裏面電極 ３１ ｐ型非晶質半導体層 ３２ ｉ型非晶質半導体層 ３３ ｎ型非晶質半導体層 ３５ ａ−ＳｉＧｅ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−224181（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−131073（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/04
Claims (2)
- 【請求項１】 光入射側より、一導電型非晶質半導体
膜、ｉ型非晶質半導体膜、他導電型非晶質半導体膜及び
裏面電極を積層してなる光起電力装置の製造方法におい
て、脱ガスした反応室に空気を導入し、反応室の脱ガス
状態を１０ -3 ｔｏｌｌ・リットル／秒オーダー変化さ
せ、前記ｉ型非晶質半導体膜内の前記他導電型非晶質半
導体側近傍に、プラズマＣＶＤ法により酸素、炭素並び
に窒素の不純物を添加した非晶質シリコンゲルマニウム
膜を設け、この非晶質シリコンゲルマニウム膜の表面に
水素プラズマ処理を行うことにより凹凸形状を形成する
ことを特徴とする光起電力装置の製造方法。 - 【請求項２】 光入射側より、一導電型非晶質半導体
膜、ｉ型非晶質半導体膜、他導電型非晶質半導体膜及び
裏面電極を積層してなる光起電力装置の製造方法におい
て、反応室の脱ガス状態を１０ -3 ｔｏｌｌ・リットル／
秒オーダー変化させ、前記他導電型非晶質半導体膜内の
前記裏面電極側近傍に、プラズマＣＶＤ法により酸素、
炭素並びに窒素の不純物を添加した非晶質シリコンゲル
マニウム膜を設け、この非晶質シリコンゲルマニウム膜
の表面に水素プラズマ処理を行うことにより凹凸形状を
形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09344592A JP3358164B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09344592A JP3358164B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267698A JPH05267698A (ja) | 1993-10-15 |
| JP3358164B2 true JP3358164B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=14082528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09344592A Expired - Fee Related JP3358164B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3358164B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4518731B2 (ja) * | 2002-05-15 | 2010-08-04 | シャープ株式会社 | 多結晶シリコン基板表面の凹凸形成方法 |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP09344592A patent/JP3358164B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05267698A (ja) | 1993-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7164150B2 (en) | Photovoltaic device and manufacturing method thereof | |
| EP1198013B1 (en) | Method of producing tandem thin-film solar cell | |
| KR101024288B1 (ko) | 실리콘계 박막 태양전지 | |
| US6878921B2 (en) | Photovoltaic device and manufacturing method thereof | |
| US6670542B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| EP2110859B1 (en) | Laminate type photoelectric converter and method for fabricating the same | |
| WO2012020682A1 (ja) | 結晶シリコン系太陽電池 | |
| KR20070119702A (ko) | 태양 전지 | |
| JP4171162B2 (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
| JPH11112011A (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| JP3702240B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| JP3358164B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP4243046B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH05275725A (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JP2011077454A (ja) | 結晶シリコン系太陽電池とその製造方法 | |
| JPS6132416A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPWO2006006368A1 (ja) | 薄膜光電変換装置の製造方法 | |
| JPS6152992B2 (ja) | ||
| JPH05175529A (ja) | アモルファスシリコン太陽電池 | |
| JP2958491B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPH0296381A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004179441A (ja) | 薄膜シリコン系太陽電池 | |
| JPH0548127A (ja) | 非晶質シリコン太陽電池及びその製造方法 | |
| JPH04299576A (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 | |
| JP3016950B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081011 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081011 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091011 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101011 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |