JP2573108B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はプラズマ気相法により、
特性が良く、しかも再現性に優れた被膜を作製する方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来プラズマＣＶＤ法に関しては、ひと
つの反応炉にてＰＩＮ接合等を有する半導体装置の作製
が行われていた。しかしこの半導体装置の作製を繰り返
し行うと、全くわけのわからない劣化、バラツキに悩ま
されてしまい、半導体装置としての信頼性に不適当なも
のしかできなかった。

【０００３】この原因としては、反応炉内に付着してい
る酸素、アルカリ金属が半導体層中に混入して、電気伝
導度の低下してしまう現象を指摘することができる。特
に酸素にあっては１ＰＰＭの混入であっても、暗伝導度
が１０^−６（Ωｃｍ）^−１から１０^−８（Ωｃｍ）^−１
へと１／１００にまで低下してしまうことが明らかにな
っている。

【０００４】またアルカリ金属にあっても、５ＰＰＭの
混入で、Ｐ型、Ｉ型の伝導度の低下または透明導電膜の
伝導度が低下してしまう。さらに再現性特性劣化の原因
としては、以下の理由が考えられる。すなわち、ひとつ
の半導体装置の作製に際し、その最後の工程（第１の工
程という）においてＮ型半導体層を作り、また次の最初
の工程（第２の工程という）においてＰ型の半導体層を
作った場合、第１の工程におけるドーピング材料である
リンが１０^１５〜１０^１８ｃｍ^−３の濃度に第２の工程
においてＰ型半導体層中に混入してしまい、このＰ型半
導体層がホウ素の１０^１８〜１０^２１ｃｍ^−３の濃度の
添加によりＰ型の導電型としても、その電気伝導度はリ
ンの混入により再結合中心が増加するためきわめて特性
が悪く、混入がない場合の１０^−２〜１０^＋１（Ωｃ
ｍ）^−１に対し、１０^−６〜１０^−４（Ωｃｍ）^−１と
１／１００〜１／１０００も低下してしまうのである。

【０００５】そして上記の再現性特性劣化のため、ＰＩ
Ｎ型光電変換装置においては２〜４％の変換効率しか得
られず。そのバラツキも±２００％も有して得られたに
すぎず好ましくなかった。

【０００６】またこの不純物酸素ドーピングの効果を少
なくするため、本発明人の出願になる特許願（半導体装
置作製方法 ５６−５５６０８（原表示５３−１５２８
８７昭和５３年１２月１０日出願））が知られている。
これは例えばＰＩＮ半導体装置を作ろうとする時、各Ｐ
層、Ｉ層、Ｎ層をそれぞれ独立の反応炉で作り、基板を
各反応炉間において成膜毎に移動させる方式である。

【０００７】この方法にあっては、それぞれの反応炉が
独立に存在し、しかもその真空度を保つことができるの
で、不純物酸素のドーピングが少なく、また各反応間に
おける不本意な不純物のドーピングを抑えることができ
るという効果を有している。

【０００８】しかしながら、上記の独立な反応炉を用い
た場合、半導体製造装置における反応炉の数はひとつの
反応炉の方法の３倍必要であり、製造コストが２．５〜
３倍も高価になってしまう。さらに多量生産向きでない
等の欠点もあった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、不純物の混
入に対して敏感に特性を変化させる被膜を形成する際、
その被膜に反応炉内壁や基板のホルダーからの不純物
が、混入してしまうことを防止することを目的とするも
のである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】プラズマ気相法により反
応炉内に配設された基板上に被膜を形成するに際し、上
記被膜を形成する前に、前記反応炉内壁または基板ホル
ダの表面に、次の工程で形成される被膜を形成すること
により、反応炉内壁に付着した不純物が、新たに形成す
べき基板上の被膜へ混入するのを防止する。

【００１１】被膜を形成する前に反応炉内壁または基板
ホルダーの表面に次の工程で形成されるべき被膜を形成
するのは次の理由による。反応炉内には、酸素やアルカ
リ金属その他の不純物、また前の工程で例えばＰまたは
Ｎ型の半導体層の形成を行っている場合には、導電型を
付与する不純物が付着している。

【００１２】プラズマ気相反応による被膜形成では、被
膜形成に必要な反応性気体がプラズマ化されている。そ
のためプラズマ化された反応性気体が反応炉内壁に付着
している前記不純物をスパッタするという現象が生じ
る。その結果反応炉内壁に付着している不純物は、反応
炉内空間に拡がるため、形成中の被膜の中に不純物が混
入することになるのである。

【００１３】このような不純物の混入を防止するため
に、次の工程で形成されるべき被膜を形成するのであ
る。予め反応炉内壁または基板ホルダにＩ層を形成する
再には、その厚さを０．２〜２μｍの厚さに形成させ、
コーティングしてしまうのが効果的である。以下実施例
を示し、本発明を用いた例を示す。

【００１４】

【実施例】図１に本実施例で用いた半導体層作製装置の
概要を示す。図１に示す装置は、基板（１）、基板ホル
ダ（２）、基板ホルダ（２）を支えるジグ（３）、電磁
エネルギを供給するための電源（４）、加熱用の電気炉
（５）、排気口（６）、気体導入口（７）、混合室
（８）、一対の電極（９）並びに（１０）、バルブ（１
１）並びに（１９）、ロータリーポンプ（１２）、ヘリ
ューム導入系（１３）、ジボラン導入系（１４）、フォ
スフィン導入系（１５）、シラン導入系（１６）、フッ
化物気体導入系（１７）、流量計（１８）、ＴＭＳ（テ
トラメチルシラン）（２０）、ＴＭＳの容器（２１）、
電子恒温槽（２２）、バルブ（２３）、反応筒（２
５）、励起室（２６）、別室（２９）、入口（３０）、
気体導入系（３１）、バルブ（３２）、ロータリーポン
プ（３３）、開閉とびら（３４）、ミキサ用混合板（３
５）を有している。

【００１５】また図２は図１の図面における排気口
（６）方向からみた基板（１）の配置と電極（９），
（１０）との位置的関係を示したものである。本実施例
は、ＰＩＮの順序にて積層形成せしめ、これを繰り返
し、安定して作製することを目的とするものである。

【００１６】本実施例においては、半導体として珪素半
導体を形成し、珪素半導体を形成する出発材料である反
応性気体に３価の不純物であるＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎを
含む不純物気体例えばジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）を添加する
ことによりＰ型の半導体層を形成し、また５価の不純物
を含む不純物気体例えばフォスヒン（ＰＨ_３）またはア
ルシン（ＡｓＨ_３）を漸次添加することによって、Ｎ型
の半導体層を形成した。また反応性気体として、炭素−
珪素結合を有する材料であるテトラメチルシラン（Ｓｉ
（ＣＨ_３）_４）（単にＴＭＳという）、テトラエチルシ
ラン（Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５）_４）、Ｓｉ（ＣＨ_３）ｘＣｌ
_４−ｘ（１≦ｘ≦３）、Ｓｉ（ＣＨ_３）ｘＨ_４−ｘ（１
≦ｘ≦３）等の反応性気体を用いることもできる。

【００１７】炭素を得ようとする時は、アセチレン（Ｃ
_２Ｈ_２）またはエチレン（Ｃ_２Ｈ_４）を主として用いれ
ばよい。こうすることにより、炭化珪素（ＳｉｘＣ_１−
ｘ）（０≦ｘ＜０．５）または炭素（Ｃ）（これらを合
わせるとＳｉｘＣ_１−ｘ（０≦ｘ＜０．５）と示すこと
ができるため、以下炭化珪素という時はＳｉｘＣ_１−ｘ
（０≦ｘ＜０．５）を意味するものとする）を作製する
ことができる。

【００１８】さらにここに３価または５価の不純物を添
加して被形成面よりＰ型、Ｉ型（真性またはオートドー
ピング等を含む人為的に不純物を添加しない実質的に真
性）さらにＮ型の半導体または半絶縁体を作製すること
ができる。

【００１９】図１において被形成面を有する基板（１）
は角型の石英ホルダ（２）にて保持され、図面では７段
２列計１４枚の構成をさせている。基板（１）およびホ
ルダ（２）は反応炉の前方の別室（２９）に入口（３
０）より予め配置され、バルブ（３２）、ロータリーポ
ンプ（３３）により真空引きがなされる。さらに開閉扉
（３４）を開けて、反応炉内に自動送り装置により移動
させられ、さらにミキサー用混合板（３５）も同時に配
置される。これらは反応炉、別室ともに真空状態におい
てなされ、反応炉内に酸素（空気）が少しでも混入しな
いように努めた。さらに開閉扉（３４）を閉じたことに
より、図面の如く電極（９），（１０）の間に基板を配
置した。

【００２０】図１は、反応系を上方より眺めた構造を示
したものであり、基板（１）は互いに裏面を合わせて垂
直に配置させている。かくの如く重力を利用してフレイ
クを下部に除去することは、量産歩留まりを考慮するの
に有用である。さらにこの基板（１）を折入させた反応
炉（２５）には、この基板に垂直または平行（特に平行
にすると膜の均一性が得やすい）に電磁エネルギの電界
が図２（Ａ）または（Ｂ）特に（Ｂ）の如くに加わるよ
うに一対の電極（９）．（１０）を上下または左右に配
置して設けた。この電極の外側に電気炉（５）が設けら
れており、基板（１）が１００〜４００℃代表的には３
００℃に加熱することができる。

【００２１】反応性気体は水素またはヘリウムのキャリ
アガス例えばヘリウムを（１３）より、３価の不純物で
あるジボランを（１４）より、５価の不純物であるフォ
スヒンを（１５）より、４価の添加物である珪化物気体
のシランを（１６）より導入した。

【００２２】また炭素−珪素結合を有する反応性気体Ｔ
ＭＳ（２０）を用いる場合は、ＴＭＳが初期状態におい
て液体であるため電子恒温槽（２２）によって所定の温
度に制御されたステンレス容器（２１）にＴＭＳを保存
して用いた。

【００２３】このＴＭＳは沸点が２５℃であり、ロータ
リーポンプ（１２）をバルブ（１１）をへて排気させ、
反応炉内を０．０１〜１０ｔｏｒｒ特に０．０２〜０．
４ｔｏｒｒに保持させた。こうすることにより、１気圧
より低い圧力により結果として特に加熱しなくともＴＭ
Ｓを気化させることができる。この気化したＴＭＳを１
００％の濃度で流量計を介して反応炉に導入すること
は、従来の如く容器（２１）をバブルして反応性気体を
放出するやり方に比較して、その流量制御が精度よく可
能であるという特徴を有する。

【００２４】また流量計が詰まった場合は、図面におい
て（２４）よりヘリウムを導入した。また反応筒（２
５）またはホルダ（２）の内壁または表面に付着した反
応生成物を除去する場合は（１７）より弗素化合物気体
であるＣＦ_４または酸素との混合気体ＣＦ_４＋Ｏ_２（２
〜５％）を導入し、電磁エネルギを加えてフッ素ラジカ
ル、酸素ラジカルを発生させて気相エッチングを施し
た。本実施例におけるプラズマ放電においては、反応性
気体が混合室（８）をへて混合された後、励起室（２
６）において分解または反応をおこせしめた。

【００２５】電磁エネルギは電源（４）より一対の電極
（９）並びに（１０）を経て、直流または高周波を印加
した。本実施例における膜形成においては、ＰＩＮ接
合、ＰＩ、ＮＩ接合、ＰＩＮＰＩＮ接合等をその必要に
応じて、必要な厚さに基板上に漸次積層して形成させ
た。

【００２６】このようにして被形成面上に膜を形成した
後、反応性気体を反応筒より十分にパージし、開閉扉
（３４）を開け、ミキサ用混合板（３５）、ジグ（３）
上の基板を別室（２９）に自動引き出し管より反応筒お
よび別室をともに真空（０．０１ｔｏｒｒ以下）にして
移動させた。さらに開閉扉（３４）を閉じた後、別室に
（３１）よりバルブを開けて空気を充填し大気圧とした
後、外部にジグおよび膜の形成された基板を取り出し
た。

【００２７】以上の実施例より明らかな如く、本実施例
においては反応性気体をミキサ（８）にて混合した後、
排気口（６）に層状（ミクロにはプラズマ化された状態
ではランダム運動をしていた）に流し、この流れに平行
に基板を配置して被形成面上にその膜厚が±５％以内の
バラツキで０．１〜３μｍの厚さに膜を形成せしめた。

【００２８】図２は、図１の図面における排気口（６）
方向よりみた基板（１）の配置と電極（９）、（１０）
との関係を示すものである。図面において（Ａ）は基板
を水平に配置し、電極（９）、（１０）を水平方向に配
置したものである。この場合一度に導入できる基板の枚
数を増やすことができる。

【００２９】図２（Ｂ）は電極（９）、（１０）と基板
（１）とをともに垂直にしたもので、基板の配置数が
（Ａ）の２倍になる。図４（Ｂ）は、Ｐ型の珪素半導体
を作る工程の後に、Ｉ型の珪素半導体を作った場合にお
けるＩ型珪素半導体の電気伝導度の値を示すものであ
る。

【００３０】前工程でＰ型半導体を作り、本発明方法の
中間処理法（Ｉ層の反応炉またはホルダへのコーティン
グ）を行わない場合、Ｐ型の珪素半導体上に形成された
Ｉ型の珪素半導体のＡＭ１の光照射における電気伝導度
（光伝導度）は図４（Ｂ）の（６５）で示され、暗伝導
度は（６４）で示される。

【００３１】図４（Ｂ）を見れば明らかなように、作製
工程の毎に電気伝導度は１０^２のオーダーで大きくばら
つくことがわかる。他方本発明の前処理をおこなった場
合、光伝導度（７０）、暗伝導度（７０’）が得られ
た。また一連の作製工程毎の中間処理を行った場合は、
光伝導度のプロット点として（６２）、暗伝導度のプロ
ット点として（６３）が得られた。

【００３２】上記のデータを見れば明らかように、本発
明の構成を採用することにより、Ｉ層中への不本意な不
純物ドーピングを抑えることができ、しかも半導体装置
の作製毎における特性のばらつきも小さくできる。

【００３３】〔参考例〕この参考例は、本発明の真性ま
たは実質的に真性の半導体層（Ｉ層）の代わりに、炭化
珪素の層をコーティング層として用い、また半導体装置
を作製する毎に、反応炉内壁およびホルダーにコーティ
ング用の半導体被膜を形成した例である。

【００３４】また本参考例においては、図１に示すプラ
ズマ気相反応装置を用いた。図３は本参考例における半
導体層の作製における操作手順チャートを示したもので
ある。図面において“０”で示される（４９）は反応炉
の真空引きによる０．０１ｔｏｒｒ以下に保持された状
態を示す。“１”で示される（４０）は反応炉または反
応筒（以下反応炉という）およびホルダに炭素または炭
化珪素のコーティングをする状態を示す。

【００３５】このコーティングの詳細を図３（Ｂ）、
（Ｃ）に示す。図３（Ｂ）に示されているのは、まず真
空引きにより（４９）で示される工程において、０．０
１ｔｏｒｒ以下の状態を１０〜３０分保持し、その後
（５０）で示される工程で、水素を導入し、電磁エネル
ギを０〜３０分、３０〜５０Ｗの出力で加えることによ
りプラズマクリーニングを行い、反応筒およびホルダに
吸着している、水分、酸素を除去する。

【００３６】さらにその水素を除去した後、（５１）で
示される工程でヘリウムを導入し、電磁エネルギを３０
〜５０Ｗの出力で１０〜３０分加えることによりこのヘ
リウムをプラズマ化し、さらに表面の水素を除去した。
（５０）における水素プラズマ発生においては、水素中
に１〜５％の濃度でＨＣｌまたはＣｌを添加すると、塩
素ラジカルが同時に発生し、このラジカルが石英等ホル
ダの内側に存在しているナトリウムの如きアルカリ金属
を吸いだす作用を有するので、バックグラウンドレベル
でのナトリウム、水分、酸素の濃度を形成された膜中に
て１０^１４ｃｍ^−３以下にすることができる。

【００３７】この塩素を添加した場合、さらにこの壁面
に残留吸着した塩素を除去するため（５１）の不活性気
体によるスパッタリングによる除去も有効である。 か
かる反応炉は内壁を十分プラズマクリーニングすること
により、この反応炉の内壁に吸着した不純物が後のプラ
ズマ気相反応において放出されることを低減することが
できる。

【００３８】上記工程の後、反応炉内部を真空引きし、
炭化物気体であるエチレンまたは炭化珪素化物であるＴ
ＭＳを導入し、プラズマエネルギにより分解して、反応
炉内壁およびホルダに０．１〜２μｍ代表的には０．２
〜０．５μｍの厚さに炭化珪素膜を形成した。これらの
膜形成をさせる際、高い電磁エネルギが加わる領域即ち
スパッタ効果によって不純物が再放出されやすい領域に
は特に厚くつき成膜が行われるので、二重に好ましい結
果をもたらした。かかる複雑な前処理工程を行わない場
合であっても、図３（Ｃ）に示す如く（４９）で示され
る真空引きの後、（５２）において炭素または炭化珪素
を反応炉およびホルダの内壁に０．１〜２μｍコーティ
ングすることによって、反応炉内壁さらにはホルダより
の酸素、アルカリ金属の再放出を防ぐことができ有効で
ある。

【００３９】図３（Ａ）に示されるのは、半導体装置の
作製の工程である。図３（Ａ）には、基板のコーティン
グ、（４１）で示される系の真空引き、（４２）で示さ
れるＰ型半導体の作製、（４３）で示されるＩ型半導体
層の作製、（４４）で示されるＮ型半導体の作製を行
い、（４８）で示される一連の工程で第１の装置を作製
する工程が示されている。この第１の装置は前記したＰ
Ｉ、ＮＩ、ＰＩＮ、ＰＮ等の接合を少なくとも１つ有す
るディバイス設計仕様によって作られなければならない
ことはいうまでもない。

【００４０】さらにこの後、この系に対し、反応炉のみ
またはこの反応炉とホルダとが挿入設置された反応系に
対し（４６）で示される工程で、Ｉ型半導体層または
（４２）の工程で形成された層と同じ層をコーティング
することにより、前の装置作製の際用いられた工程（４
４）の履歴が次のランに対して影響を与えないようにし
た。その詳細を図３（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）に
示す。即ち図３（Ｂ）は前記した前処理と同じく（４
９）で示される真空引き、（５０）で示される水素プラ
ズマ放電、（５１）で示されるヘリウムプラズマ処理、
（５２）で示される半導体装置を作製するランの最初の
工程の半導体層を形成する工程を有する。しかしこの
（５０），（５１）で示される工程の代わりとして、一
般には（Ｃ）の（５２）で示される反応炉内壁およびホ
ルダへの０．１〜２μｍの厚さの半導体層の形成で十分
であった。

【００４１】またこの前の装置の作製でのランの履歴を
なくすため、（Ｄ）、（Ｅ）に示すブラズマエッチング
工程を行ってもよい。すなわち図３（Ｄ）に示されるの
は、（４９）で示される真空引き、（５３）で示される
ＣＦ_４またはＣＦ_４＋Ｏ（約５％）による２０分〜１時
間のプラズマエッチングの工程である。さらに真空引き
をしてその後Ｃ、Ｆの残留物を除去するため（５０）で
示される水素プラズマ処理を１０〜３０分行い、さらに
０．０５〜０．５μｍの厚さにＩ型または次の工程の最
初のランの半導体層と同様の導電型、成分の半導体層の
作製を行う方法が、最も徹底して再現性を保証すること
ができる処理方法である。簡単な方法としては（Ｅ）に
示す（４９）の真空引き、（５３）のプラズマエッチン
グ、（５０）の残部吸着ガスの除去を行うだけの工程で
もよい。

【００４２】以上のような処理を行うことにより、図１
（Ａ）に示す、第１の半導体装置の作製（４８）の最後
工程（４４）と次の工程（４８’）の最初の工程（４
２’）との間で、ＰまたはＮ型の不純物が互いに混入す
る可能性を除去することができた。

【００４３】以上の本参考例において作製した半導体装
置を評価した結果を図４（Ａ）に示す。図４（Ａ）に示
す半導体装置は、光電変換装置であり、以下の構成を有
している。この光電変換装置は、基板として金属例えば
ステンレス基板または透光性基板であるガラス基板を用
い、このガラス基板上にＩＴＯを５００〜２０００Å形
成し、さらにこの上に酸化スズまたは酸化アンチモンを
１００〜５００Åの厚さに形成させた多重膜の電極を有
している。前記多重膜の電極上にＰ型炭素を主成分とす
る炭化珪素（ＳｉｘＣ_１−Ｘ ０≦Ｘ＜１）（例えばＸ
＝０．３〜０．５）を１００〜３００Åの厚さに、また
この上面に真性または実質的に真性のアモルファスまた
はセミアモルファスの珪素半導体を０．４〜０．７μｍ
の厚さに、さらにこの上面にＮ型炭素を主成分とする炭
化珪素（ＳｉｘＣ_１−Ｘ ０≦Ｘ＜１）（例えばＸ＝
０．３〜０．５）を１００〜３００Åの厚さに形成し、
ＰＩＮ構造を有せしめた。

【００４４】このＰ、Ｉ、Ｎ型半導体の作製工程は、図
３（Ａ）のチャートにおける（４２）（Ｐ型）、（４
３）（Ｉ型）、（４４）（Ｎ型）・・・・に対応させ
た。さらにこの後ＩＴＯを６００〜８００Åの厚さにま
たはアルミニウム金属膜を真空蒸着法で形成して光電変
換装置を完成させたものである。上記光電変換装置の変
換効率を図４（Ａ）に示す。１ｃｍ^２のセルの大きさで
ＡＭ１（１００ｍＷ／ｃｍ^２）の条件にて前処理（図３
（Ａ）の（４０）の工程）をいれない場合、図４の
（Ａ）の（７１）で示される如く３％の変換効率しか有
していなかったものが、図３（Ａ）の（４０）で示され
る前処理を行うと図４（Ａ）の（７０）で示される高い
変換効率を実現することができた。

【００４５】さらに図３（Ａ）の（４６）で示される半
導体装置を作製する一連の工程の間に行われる（４６）
の工程を加えることによるラン（製造日毎）の効率の変
化も（６０）で示されるようになり、上記（４６）の工
程を加えない場合の（６１）に比較してそのバラツキを
抑えることができた。さらにこのセル面積を１００ｃｍ
^２にすると、従来は０〜３％の変換効率しか有していな
かったのに対して、本参考例においては７〜９％の効率
を得ることができた。

【００４６】本参考例は、同一反応炉を用いて光電変換
装置または発光素子のみならず、電界効果半導体装置、
フォトセンサアレー等の各種の半導体装置を作製する上
にきわめて重要な製造装置および製造方法を提供したも
のであり、これにより従来縦型のプラズマＣＶＤ装置に
て１０ｃｍ平方を４枚作ると同じ時間で、１００〜５０
０枚の基板上に非単結晶半導体膜を作ることができ、き
わめて多量生産向きである。本参考例においては炭化珪
素（ＳｉｘＣ_１−Ｘ ０≦Ｘ＜０．５）を中心として記
した。本参考例は、図１に示す横型のプラズマＣＶＤ装
置を中心として示した。しかしその電極の作り方を誘電
型としたり、またアーク放電を利用するプラズマＣＶＤ
装置であっても有効である。また縦型、縦横型のベルジ
ャー型のプラズマＣＶＤ装置であっても同様に適用する
ことができる。

【００４７】

【発明の効果】本発明の構成である、基板上に真性また
は実質的に真性な半導体層を形成する前に、予め反応炉
内壁または基板ホルダに真性または実質的に真性な半導
体層を形成しておくことにより、基板上に形成される真
性または実質的に真性な半導体層中に不純物が混入する
ことを防ぐことができ、製造毎にばらつきや不良を低減
することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例で用いた半導体層作製装置である。

【図２】 図１の一部を示す。

【図３】 図１の装置を用い、参考例におけるプラズマ
気相法を用いるチャーである。

【図４】 （Ａ）は図３のチャートに従って得られた光
電変換装置の効率および（Ｂ）は本発明方法のドーピン
グ防止効果を示す他の資料である。

【符号の説明】

（１）・・・・・・基板 （２）・・・・・・ホルダ （３）・・・・・・ジグ （４）・・・・・・電源 （５）・・・・・・電気炉 （６）・・・・・・排気口 （７）・・・・・・気体導入口 （８）・・・・・・混合室 （９），（１０）・・・・電極 （１１），（１９）・・・・バルブ （１２）・・・・・・ロータリーポンプ （１３）・・・・・・ヘリューム導入系 （１４）・・・・・・ジボラン導入系 （１５）・・・・・・フォスフィン導入系 （１６）・・・・・・シラン導入系 （１７）・・・・・・フッ化物導入系 （１８）・・・・・・流量系 （２０）・・・・・・ＴＭＳ （２１）・・・・・容器 （２２）・・・・・電子恒温層 （２５）・・・・・反応筒 （２６）・・・・・励起室 （２９）・・・・・別室 （３１）・・・・・気体導入系 （３２）・・・・・バルブ （３３）・・・・・ロータリーポンプ （３４）・・・・・開閉扉 （３５）・・・・・ミキサ用混合板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−110374（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−130927（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−122129（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−92218（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−4230（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−138237（ＪＰ，Ａ) 特公 昭58−41766（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭59−14549（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭60−29296（ＪＰ，Ｂ１)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被膜を形成する反応炉内に弗化物気体を
   導入した後、該弗化物気体をプラズマ化させ、予め反応
   室内に形成された反応生成物を除去する工程と、その後
   水素をプラズマ化させて反応室内に存在する不純物を除
   去する工程とを特徴とするプラズマ処理方法。