JPH08260155A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH08260155A JPH08260155A JP6721295A JP6721295A JPH08260155A JP H08260155 A JPH08260155 A JP H08260155A JP 6721295 A JP6721295 A JP 6721295A JP 6721295 A JP6721295 A JP 6721295A JP H08260155 A JPH08260155 A JP H08260155A
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- film
- gas
- susceptor
- frequency electrode
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波電極およびサセプタへの膜の付着を防
止できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。 【構成】 筐体21内に反応室22を形成し、上部にシャワ
ー孔を有する高周波電極23を配設し、接地電極25および
ヒータ26を一体に形成したサセプタ27を下部に配設す
る。反応室22には、成膜用ガスを供給するバルブ311 〜
316 を有するガス供給装置321 〜326 を配設し、ガス供
給装置321 〜326 から高周波電極23のシャワー孔に連通
する流入管33を介して、シャワー孔から流出する。被成
膜のクリーニング用ガスを供給するバルブ317 を有する
ガス供給装置327 を配設し、ガス供給装置327 は流出管
46を介して、サセプタ27の側面に形成したガス流出孔45
に接続し、ガス流出孔45から非成膜ガスのＮ2 を流出す
る。反応室22に、ドライポンプなどの排気装置38を有す
る排気系39を接続する。
止できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。 【構成】 筐体21内に反応室22を形成し、上部にシャワ
ー孔を有する高周波電極23を配設し、接地電極25および
ヒータ26を一体に形成したサセプタ27を下部に配設す
る。反応室22には、成膜用ガスを供給するバルブ311 〜
316 を有するガス供給装置321 〜326 を配設し、ガス供
給装置321 〜326 から高周波電極23のシャワー孔に連通
する流入管33を介して、シャワー孔から流出する。被成
膜のクリーニング用ガスを供給するバルブ317 を有する
ガス供給装置327 を配設し、ガス供給装置327 は流出管
46を介して、サセプタ27の側面に形成したガス流出孔45
に接続し、ガス流出孔45から非成膜ガスのＮ2 を流出す
る。反応室22に、ドライポンプなどの排気装置38を有す
る排気系39を接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、サセプタおよび高周
波電極間に高周波を供給して成膜するプラズマＣＶＤ装
置に関する。
波電極間に高周波を供給して成膜するプラズマＣＶＤ装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶を用いた表示素子としては、テレビ
ジョン表示やグラフィックディスプレイなどを指向した
大容量、高密度化の点から、たとえばラビングによる配
向処理が施された２枚の基板を、配向方向が互いに９０
°をなすように平行に対向配置し、この対向基板間にネ
マチックタイプの液晶組成物を挟持させたいわゆるツイ
ストネマチック（ＴＮ型）のアクティブマトリクス型の
液晶表示素子が注目されている。
ジョン表示やグラフィックディスプレイなどを指向した
大容量、高密度化の点から、たとえばラビングによる配
向処理が施された２枚の基板を、配向方向が互いに９０
°をなすように平行に対向配置し、この対向基板間にネ
マチックタイプの液晶組成物を挟持させたいわゆるツイ
ストネマチック（ＴＮ型）のアクティブマトリクス型の
液晶表示素子が注目されている。
【０００３】そして、このアクティブマトリクス型の液
晶表示素子では、クロストークの無い高コントラスト表
示が得られるように、マトリクスアレイ基板に形成され
る各画素の駆動および制御を半導体スイッチング素子で
行なう方式が採用されている。また、半導体スイッチン
グ素子としては、透過型表示が可能であり大面積化も容
易であるなどの理由から、透明絶縁基板上に形成された
非晶質硅素（ａ−Ｓｉ）系の薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）が用いられている。そして、このａ−Ｓｉ系の薄膜
トランジスタは、活性層であるａ−Ｓｉ膜を挟んで、下
層にゲート電極、上層にソース電極およびドレイン電極
を配置した逆スタガード構造が多く用いられている。
晶表示素子では、クロストークの無い高コントラスト表
示が得られるように、マトリクスアレイ基板に形成され
る各画素の駆動および制御を半導体スイッチング素子で
行なう方式が採用されている。また、半導体スイッチン
グ素子としては、透過型表示が可能であり大面積化も容
易であるなどの理由から、透明絶縁基板上に形成された
非晶質硅素（ａ−Ｓｉ）系の薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）が用いられている。そして、このａ−Ｓｉ系の薄膜
トランジスタは、活性層であるａ−Ｓｉ膜を挟んで、下
層にゲート電極、上層にソース電極およびドレイン電極
を配置した逆スタガード構造が多く用いられている。
【０００４】ここで、この逆スタガード構造のａ−Ｓｉ
系の薄膜トランジスタについて、図６を参照して説明す
る。
系の薄膜トランジスタについて、図６を参照して説明す
る。
【０００５】図６に示すように、透明絶縁性基板のガラ
ス絶縁基板１の一主面上にモリブデン−タンタル膜（Ｍ
ｏ−Ｔａ膜）からなる所定形状のゲート電極２が形成さ
れ、このゲート電極２を覆うようにガラス絶縁基板１上
に酸化シリコン膜（ＳｉＯ2膜）からなるゲート絶縁膜
３が形成されている。また、このゲート絶縁膜３上に
は、ゲート電極２に対応して膜厚０．０５μｍの窒化シ
リコン膜（ＳｉＮx 膜）４と、膜厚０．０５μｍのａ−
Ｓｉ膜からなる半導体膜５とが積層形成されている。
ス絶縁基板１の一主面上にモリブデン−タンタル膜（Ｍ
ｏ−Ｔａ膜）からなる所定形状のゲート電極２が形成さ
れ、このゲート電極２を覆うようにガラス絶縁基板１上
に酸化シリコン膜（ＳｉＯ2膜）からなるゲート絶縁膜
３が形成されている。また、このゲート絶縁膜３上に
は、ゲート電極２に対応して膜厚０．０５μｍの窒化シ
リコン膜（ＳｉＮx 膜）４と、膜厚０．０５μｍのａ−
Ｓｉ膜からなる半導体膜５とが積層形成されている。
【０００６】さらに、この半導体膜５上のチャネル領域
には膜厚０．３μｍのＳｉＮx 膜からなるチャネル保護
膜６が形成され、このチャネル領域以外の部分には膜厚
０．０５μｍの燐ドープ非晶質シリコン膜（Ｐドープａ
−Ｓｉ膜）からなる低抵抗半導体膜７が形成され、この
低抵抗半導体膜７上のソース領域およびドレイン領域に
はクロム（Ｃｒ）またはアルミニウム（Ａｌ）などから
なるソース電極８およびドレイン電極９が形成されてい
る。
には膜厚０．３μｍのＳｉＮx 膜からなるチャネル保護
膜６が形成され、このチャネル領域以外の部分には膜厚
０．０５μｍの燐ドープ非晶質シリコン膜（Ｐドープａ
−Ｓｉ膜）からなる低抵抗半導体膜７が形成され、この
低抵抗半導体膜７上のソース領域およびドレイン領域に
はクロム（Ｃｒ）またはアルミニウム（Ａｌ）などから
なるソース電極８およびドレイン電極９が形成されてい
る。
【０００７】また、チャネル保護膜６、ソース電極８お
よびドレイン電極９を覆って膜厚０．３μｍのＳｉＮｘ
膜からなる保護膜10が形成されて、薄膜トランジスタ11
を構成している。
よびドレイン電極９を覆って膜厚０．３μｍのＳｉＮｘ
膜からなる保護膜10が形成されて、薄膜トランジスタ11
を構成している。
【０００８】さらに、ソース電極８は、ゲート絶縁膜３
上に積層形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）からなる画素電極12に接続され、マトリクス
アレイ基板13を形成している。
上に積層形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）からなる画素電極12に接続され、マトリクス
アレイ基板13を形成している。
【０００９】従来、このようなマトリクスアレイ基板13
の製造方法として、一度に６〜８枚のガラス絶縁基板１
をトレイに搭載し、ＳｉＮx 膜、ａ−Ｓｉ膜、Ｐドープ
ａ−Ｓｉ膜などの成膜を、トレイを搬送して連続処理す
るインライン式のプラズマＣＶＤ装置により形成してい
る。
の製造方法として、一度に６〜８枚のガラス絶縁基板１
をトレイに搭載し、ＳｉＮx 膜、ａ−Ｓｉ膜、Ｐドープ
ａ−Ｓｉ膜などの成膜を、トレイを搬送して連続処理す
るインライン式のプラズマＣＶＤ装置により形成してい
る。
【００１０】ところが、このインライン式のプラズマＣ
ＶＤ装置は、量産性にはすぐれているものの、装置が巨
大で大きな設置スペースが必要である。
ＶＤ装置は、量産性にはすぐれているものの、装置が巨
大で大きな設置スペースが必要である。
【００１１】また、搬送用のトレイにも膜が付着し、こ
の付着した膜が剥がれてパーティクルの原因となり、歩
留まりを低下させる。
の付着した膜が剥がれてパーティクルの原因となり、歩
留まりを低下させる。
【００１２】さらに、装置の内壁などに付着した膜の剥
がれを防止するために、定期的に装置を冷却して、クリ
ーニングを行なう必要があるため、装置の稼働率が低
い。
がれを防止するために、定期的に装置を冷却して、クリ
ーニングを行なう必要があるため、装置の稼働率が低
い。
【００１３】これに対し、半導体素子の製造分野では、
トレイを用いることなくガラス絶縁基板１のみを搬送
し、１つの反応室で一度に１枚の基板を処理する枚葉プ
ロセスが主流となっている。そして、この枚葉プロセス
では、通常、成膜とプラズマエッチングによる反応室の
クリーニングとを交互に周期的に行なっている。
トレイを用いることなくガラス絶縁基板１のみを搬送
し、１つの反応室で一度に１枚の基板を処理する枚葉プ
ロセスが主流となっている。そして、この枚葉プロセス
では、通常、成膜とプラズマエッチングによる反応室の
クリーニングとを交互に周期的に行なっている。
【００１４】そこで、近年、大型のガラス絶縁基板１を
用いるａ−Ｓｉ系の薄膜トランジスタ11の製造に、この
枚葉プロセスを導入する図７に示すようなＣＶＤ装置が
用いられている。この枚葉プロセスでは、処理装置が小
型化でき、設置スペースを小さくすることが可能であ
る。また、トレイを用いることなくガラス絶縁基板１の
みを搬送することにより、パーティクルの発生を低減で
きる。さらに、プラズマエッチングにより反応室をクリ
ーニングすることにより、パーティクルを低減できるば
かりでなく、装置の稼働率の大幅な向上が見込まれる。
用いるａ−Ｓｉ系の薄膜トランジスタ11の製造に、この
枚葉プロセスを導入する図７に示すようなＣＶＤ装置が
用いられている。この枚葉プロセスでは、処理装置が小
型化でき、設置スペースを小さくすることが可能であ
る。また、トレイを用いることなくガラス絶縁基板１の
みを搬送することにより、パーティクルの発生を低減で
きる。さらに、プラズマエッチングにより反応室をクリ
ーニングすることにより、パーティクルを低減できるば
かりでなく、装置の稼働率の大幅な向上が見込まれる。
【００１５】この図７に示すＣＶＤ装置は、筐体21内に
反応室22が形成され、この反応室22の上部にはシャワー
孔を有する高周波電極23が配設され、この高周波電極23
は高周波電源24に接続されている。また、高周波電極23
に対向して、接地電極25およびヒータ26が一体に形成さ
れたサセプタ27が反応室22の下部に配設され、このサセ
プタ27は昇降装置28により昇降され、高周波電極23との
距離を任意の距離に設定する。
反応室22が形成され、この反応室22の上部にはシャワー
孔を有する高周波電極23が配設され、この高周波電極23
は高周波電源24に接続されている。また、高周波電極23
に対向して、接地電極25およびヒータ26が一体に形成さ
れたサセプタ27が反応室22の下部に配設され、このサセ
プタ27は昇降装置28により昇降され、高周波電極23との
距離を任意の距離に設定する。
【００１６】さらに、この反応室22には、シラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）、水素（Ｈ2 ）、アンモニアガス（ＮＨ3 ）、窒
素（Ｎ2 ）、フォスフィン（ＰＨ3 ）、アルゴン（Ａ
ｒ）、ふっ化窒素（ＮＦ3 ）などの成膜またはクリーニ
ング用ガスを供給するバルブ311 〜317 を有するガス供
給装置321 〜327 が配設され、ガス供給装置321 〜327
から高周波電極23のシャワー孔に連通する流入管33を介
して、高周波電極23に設けられているシャワー孔より流
出される。
Ｈ4 ）、水素（Ｈ2 ）、アンモニアガス（ＮＨ3 ）、窒
素（Ｎ2 ）、フォスフィン（ＰＨ3 ）、アルゴン（Ａ
ｒ）、ふっ化窒素（ＮＦ3 ）などの成膜またはクリーニ
ング用ガスを供給するバルブ311 〜317 を有するガス供
給装置321 〜327 が配設され、ガス供給装置321 〜327
から高周波電極23のシャワー孔に連通する流入管33を介
して、高周波電極23に設けられているシャワー孔より流
出される。
【００１７】また、反応室22には、排気孔34が形成さ
れ、この排気孔34には排気管35が接続され、この排気管
35には逆止弁36およびバルブ37を有しており、ドライポ
ンプなどの排気装置38により排気され、排気系39を形成
している。
れ、この排気孔34には排気管35が接続され、この排気管
35には逆止弁36およびバルブ37を有しており、ドライポ
ンプなどの排気装置38により排気され、排気系39を形成
している。
【００１８】そして、ガラス絶縁基板１は、このサセプ
タ27の高周波電極23との対向面に固定される。また、ガ
ラス絶縁基板１はヒータ26により所定温度に加熱され、
高周波電極23のシャワー孔から成膜用のガスを供給し、
高周波電極23およびサセプタ27間でプラズマ放電を行な
い、ガラス絶縁基板１上に成膜する。なお、排気系39に
より反応室22内の排気を行なう。
タ27の高周波電極23との対向面に固定される。また、ガ
ラス絶縁基板１はヒータ26により所定温度に加熱され、
高周波電極23のシャワー孔から成膜用のガスを供給し、
高周波電極23およびサセプタ27間でプラズマ放電を行な
い、ガラス絶縁基板１上に成膜する。なお、排気系39に
より反応室22内の排気を行なう。
【００１９】ところで、この枚葉プロセスにおいて、パ
ーティクルの発生を抑制するためには、反応室の内壁な
ど反応室内のすべての部分に付着した膜を十分に除去す
ることが必要である。このため、この枚葉プロセスでの
反応室のクリーニングは、ふっ化窒素（ＮＦ3 ）などの
エッチング性ガスであるクリーニングガスを供給してプ
ラズマ放電により付着した膜を除去する方法を採用して
いる。
ーティクルの発生を抑制するためには、反応室の内壁な
ど反応室内のすべての部分に付着した膜を十分に除去す
ることが必要である。このため、この枚葉プロセスでの
反応室のクリーニングは、ふっ化窒素（ＮＦ3 ）などの
エッチング性ガスであるクリーニングガスを供給してプ
ラズマ放電により付着した膜を除去する方法を採用して
いる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
７に示すＣＶＤ装置では、高周波電極23の上側およびサ
セプタ27の下側にも膜の付着が起こる。
７に示すＣＶＤ装置では、高周波電極23の上側およびサ
セプタ27の下側にも膜の付着が起こる。
【００２１】また、高周波電極23の上側およびサセプタ
27の下側に付着した膜は、ＮＦ3 を用いた反応室22のク
リーニングを行なっても十分に除去できず、この膜が堆
積していくとパーティクルとなり、歩留まり低下の原因
となる問題を有している。
27の下側に付着した膜は、ＮＦ3 を用いた反応室22のク
リーニングを行なっても十分に除去できず、この膜が堆
積していくとパーティクルとなり、歩留まり低下の原因
となる問題を有している。
【００２２】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
であり、高周波電極およびサセプタへの膜の付着を防止
できるプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とす
る。
であり、高周波電極およびサセプタへの膜の付着を防止
できるプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とす
る。
【００２３】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のプラズマ
ＣＶＤ装置は、接地電極およびこの接地電極を加熱する
加熱手段が一体化されたサセプタと、このサセプタに対
して平行に対向して設けられた高周波電極と、前記サセ
プタおよび高周波電極間に位置する空間を除いた部分か
ら非成膜ガスを流出するガス流出孔とを備えた反応室を
具備したものである。
ＣＶＤ装置は、接地電極およびこの接地電極を加熱する
加熱手段が一体化されたサセプタと、このサセプタに対
して平行に対向して設けられた高周波電極と、前記サセ
プタおよび高周波電極間に位置する空間を除いた部分か
ら非成膜ガスを流出するガス流出孔とを備えた反応室を
具備したものである。
【００２４】請求項２記載のプラズマＣＶＤ装置は、請
求項１記載のプラズマＣＶＤ装置において、非成膜ガス
は、Ｎ2 、Ｈ2 、Ｈｅ、Ａｒのうち少なくともいずれか
１つ、もしくは、いずれかを主成分とする混合ガスであ
るものである。
求項１記載のプラズマＣＶＤ装置において、非成膜ガス
は、Ｎ2 、Ｈ2 、Ｈｅ、Ａｒのうち少なくともいずれか
１つ、もしくは、いずれかを主成分とする混合ガスであ
るものである。
【００２５】請求項３記載のプラズマＣＶＤ装置は、請
求項１または２記載のプラズマＣＶＤ装置において、ガ
ス流出孔は、サセプタの側面に設けられているものであ
る。
求項１または２記載のプラズマＣＶＤ装置において、ガ
ス流出孔は、サセプタの側面に設けられているものであ
る。
【００２６】請求項４記載のプラズマＣＶＤ装置は、請
求項１または２記載のプラズマＣＶＤ装置において、ガ
ス流出孔は、サセプタより下側の部分に設けられている
ものである。
求項１または２記載のプラズマＣＶＤ装置において、ガ
ス流出孔は、サセプタより下側の部分に設けられている
ものである。
【００２７】請求項５記載のプラズマＣＶＤ装置は、請
求項１または２記載のプラズマＣＶＤ装置において、ガ
ス流出孔は、高周波電極の側面に設けられているもので
ある。
求項１または２記載のプラズマＣＶＤ装置において、ガ
ス流出孔は、高周波電極の側面に設けられているもので
ある。
【００２８】請求項６記載のプラズマＣＶＤ装置は、請
求項１または２記載のプラズマＣＶＤ装置において、ガ
ス流出孔は、高周波電極の上側の部分に設けられている
ものである。
求項１または２記載のプラズマＣＶＤ装置において、ガ
ス流出孔は、高周波電極の上側の部分に設けられている
ものである。
【００２９】
【作用】本発明は、サセプタと高周波電極との間の空間
を除いた部分にガス流出孔を設け、このガス流出孔より
非成膜ガスを流出するさせることにより、成膜時にサセ
プタおよび高周波電極のそれぞれ対向しない面への膜付
着を防止できるとともに、プラズマクリーニングによ
り、反応室内の膜の除去も行なえる。
を除いた部分にガス流出孔を設け、このガス流出孔より
非成膜ガスを流出するさせることにより、成膜時にサセ
プタおよび高周波電極のそれぞれ対向しない面への膜付
着を防止できるとともに、プラズマクリーニングによ
り、反応室内の膜の除去も行なえる。
【００３０】
【実施例】以下、本発明のプラズマＣＶＤ装置の一実施
例を図面を参照して説明する。なお、従来例に対応する
部分には、同一符号を付して説明する。
例を図面を参照して説明する。なお、従来例に対応する
部分には、同一符号を付して説明する。
【００３１】図２に枚葉式のプラズマＣＶＤ装置は、た
とえば図６に示すマトリクスアレイ基板を形成するもの
で、中央にガラス絶縁基板１を搬送する搬送機構が設け
られた共通室41を備え、この共通室41を取り囲むように
成膜を行なう４つの反応室221 〜224 と、１つの加熱室
42と、２つの搬送入室431 ，432 とが配置されている。
とえば図６に示すマトリクスアレイ基板を形成するもの
で、中央にガラス絶縁基板１を搬送する搬送機構が設け
られた共通室41を備え、この共通室41を取り囲むように
成膜を行なう４つの反応室221 〜224 と、１つの加熱室
42と、２つの搬送入室431 ，432 とが配置されている。
【００３２】その各反応室221 〜224 内には、図１に示
すように、筐体21内に反応室22が形成され、この反応室
22の上部にはシャワー孔を有する高周波電極23が配設さ
れ、この高周波電極23は高周波電源24に接続されてい
る。また、高周波電極23に対向して、接地電極25および
ヒータ26が一体に形成されたサセプタ27が反応室22の下
部に配設され、このサセプタ27は昇降装置28により昇降
され、高周波電極23との距離を任意の距離に設定する。
すように、筐体21内に反応室22が形成され、この反応室
22の上部にはシャワー孔を有する高周波電極23が配設さ
れ、この高周波電極23は高周波電源24に接続されてい
る。また、高周波電極23に対向して、接地電極25および
ヒータ26が一体に形成されたサセプタ27が反応室22の下
部に配設され、このサセプタ27は昇降装置28により昇降
され、高周波電極23との距離を任意の距離に設定する。
【００３３】さらに、この反応室22には、シラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）、水素（Ｈ2 ）、アンモニアガス（ＮＨ3 ）、フ
ォスフィン（ＰＨ3 ）、アルゴン（Ａｒ）、あるいは、
ふっ化窒素（ＮＦ3 ）などの成膜用ガスを供給するバル
ブ311 〜316 を有するガス供給装置321 〜326 が配設さ
れ、ガス供給装置321 〜326 から高周波電極23のシャワ
ー孔に連通する流入管33を介して、高周波電極23に設け
られているシャワー孔より流出される。
Ｈ4 ）、水素（Ｈ2 ）、アンモニアガス（ＮＨ3 ）、フ
ォスフィン（ＰＨ3 ）、アルゴン（Ａｒ）、あるいは、
ふっ化窒素（ＮＦ3 ）などの成膜用ガスを供給するバル
ブ311 〜316 を有するガス供給装置321 〜326 が配設さ
れ、ガス供給装置321 〜326 から高周波電極23のシャワ
ー孔に連通する流入管33を介して、高周波電極23に設け
られているシャワー孔より流出される。
【００３４】また、窒素Ｎ2 である被成膜のクリーニン
グ用ガスを供給するバルブ317 を有するガス供給装置32
7 が配設され、ガス供給装置327 は流出管46を介して、
サセプタ27および高周波電極23の間の空間を除いた部
分、たとえばサセプタ27の側面に形成されたガス流出孔
45に接続され、このガス流出孔45から非成膜ガスのＮ2
を流出する。
グ用ガスを供給するバルブ317 を有するガス供給装置32
7 が配設され、ガス供給装置327 は流出管46を介して、
サセプタ27および高周波電極23の間の空間を除いた部
分、たとえばサセプタ27の側面に形成されたガス流出孔
45に接続され、このガス流出孔45から非成膜ガスのＮ2
を流出する。
【００３５】さらに、反応室22には、排気孔34が形成さ
れ、この排気孔34には排気管35が接続され、この排気管
35には逆止弁36およびバルブ37を有しており、ドライポ
ンプなどの排気装置38により排気され、排気系39を形成
している。
れ、この排気孔34には排気管35が接続され、この排気管
35には逆止弁36およびバルブ37を有しており、ドライポ
ンプなどの排気装置38により排気され、排気系39を形成
している。
【００３６】また、共通室41、加熱室42および搬出入室
431 ，432 にも、それぞれＮ2 ガスを供給する図示しな
いガス供給装置および排気系が付設されている。
431 ，432 にも、それぞれＮ2 ガスを供給する図示しな
いガス供給装置および排気系が付設されている。
【００３７】次に、上記実施例の動作について説明す
る。
る。
【００３８】ガラス絶縁基板１を、このサセプタ27の高
周波電極23との対向面に固定させる。また、ガラス絶縁
基板１はヒータ26により所定温度に加熱され、高周波電
極23のシャワー孔からガス供給装置321 〜326 の成膜用
のガスを供給し、高周波電極23およびサセプタ27間でプ
ラズマ放電を行ない、ガラス絶縁基板１上に成膜する。
なお、排気系39により反応室22内の排気を行なう。ま
た、ガス流出孔45からガス供給装置327 のたとえばＮ2
の非成膜ガスを流出する。これにより、サセプタ27の側
面への膜付着を防止するとともに、サセプタ27の下側へ
の成膜用ガスの流入が抑えられ、サセプタ27の下側への
膜付着も抑えられる。
周波電極23との対向面に固定させる。また、ガラス絶縁
基板１はヒータ26により所定温度に加熱され、高周波電
極23のシャワー孔からガス供給装置321 〜326 の成膜用
のガスを供給し、高周波電極23およびサセプタ27間でプ
ラズマ放電を行ない、ガラス絶縁基板１上に成膜する。
なお、排気系39により反応室22内の排気を行なう。ま
た、ガス流出孔45からガス供給装置327 のたとえばＮ2
の非成膜ガスを流出する。これにより、サセプタ27の側
面への膜付着を防止するとともに、サセプタ27の下側へ
の成膜用ガスの流入が抑えられ、サセプタ27の下側への
膜付着も抑えられる。
【００３９】次に、他の実施例を図３を参照して説明す
る。
る。
【００４０】この図３に示す実施例は、図１に示す実施
例において、サセプタ27の下側にガス流出孔51を設け、
このガス流出孔51からたとえばＮ2 ガスを流出するもの
である。
例において、サセプタ27の下側にガス流出孔51を設け、
このガス流出孔51からたとえばＮ2 ガスを流出するもの
である。
【００４１】これにより、サセプタ27の下側への成膜用
ガスの流入を抑え、サセプタ27の側面およびサセプタ27
の下側への膜付着を防止できる。
ガスの流入を抑え、サセプタ27の側面およびサセプタ27
の下側への膜付着を防止できる。
【００４２】また、他の実施例を図４を参照して説明す
る。
る。
【００４３】この図４に示す実施例は、図１に示す実施
例において、高周波電極23の側面にガス流出孔52を設
け、このガス流出孔52からたとえばＮ2 ガスを流出する
ものである。
例において、高周波電極23の側面にガス流出孔52を設
け、このガス流出孔52からたとえばＮ2 ガスを流出する
ものである。
【００４４】これにより、高周波電極23の側面への膜付
着を防止するとともに、高周波電極23の上側への成膜用
ガスの流入が抑えられ、高周波電極23の上側への膜付着
も抑えられる。
着を防止するとともに、高周波電極23の上側への成膜用
ガスの流入が抑えられ、高周波電極23の上側への膜付着
も抑えられる。
【００４５】さらに、他の実施例を図５を参照して説明
する。
する。
【００４６】この図５に示す実施例は、図１に示す実施
例において、高周波電極23の上側にガス流出孔53を設
け、このガス流出孔53からたとえばＮ2 ガスを流出する
ものである。
例において、高周波電極23の上側にガス流出孔53を設
け、このガス流出孔53からたとえばＮ2 ガスを流出する
ものである。
【００４７】これにより、高周波電極23の上側への成膜
用ガスの流入を抑え、高周波電極23の側面および高周波
電極23の上側への膜付着を防止できる。
用ガスの流入を抑え、高周波電極23の側面および高周波
電極23の上側への膜付着を防止できる。
【００４８】ここで、図１に示すサセプタ27の側面のガ
ス流出孔45、図３に示すサセプタ27の下側のガス流出孔
51、図４に示す高周波電極23の側面のガス流出孔52、お
よび、高周波電極23の上側のガス流出孔53から流出され
るガスは、Ｎ2 以外のＨ2 、Ｈｅ、Ａｒのいずれか１
種、もしくは、これら４種のいずれかのガスを主成分と
する混合ガスであってもよい。
ス流出孔45、図３に示すサセプタ27の下側のガス流出孔
51、図４に示す高周波電極23の側面のガス流出孔52、お
よび、高周波電極23の上側のガス流出孔53から流出され
るガスは、Ｎ2 以外のＨ2 、Ｈｅ、Ａｒのいずれか１
種、もしくは、これら４種のいずれかのガスを主成分と
する混合ガスであってもよい。
【００４９】また、サセプタ27および高周波電極23が垂
直に対向して配置された平行平板型のプラズマＣＶＤ装
置においても、サセプタと高周波電極との間の空間を除
いた部分にガス流出孔を設け、そのガス流出孔より非成
膜ガスを流出することで、同様の効果を得ることもでき
る。
直に対向して配置された平行平板型のプラズマＣＶＤ装
置においても、サセプタと高周波電極との間の空間を除
いた部分にガス流出孔を設け、そのガス流出孔より非成
膜ガスを流出することで、同様の効果を得ることもでき
る。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、サセプタと高周波電極
との間の空間を除いた部分にガス流出孔を設け、このガ
ス流出孔より非成膜ガスを流出するさせることにより、
成膜時にサセプタおよび高周波電極のそれぞれ対向しな
い面への膜付着を防止できるとともに、プラズマクリー
ニングにより、反応室内の膜の除去も行なえ、歩留まり
の向上などを図れる。
との間の空間を除いた部分にガス流出孔を設け、このガ
ス流出孔より非成膜ガスを流出するさせることにより、
成膜時にサセプタおよび高周波電極のそれぞれ対向しな
い面への膜付着を防止できるとともに、プラズマクリー
ニングにより、反応室内の膜の除去も行なえ、歩留まり
の向上などを図れる。
【図１】本発明のプラズマＣＶＤ装置の一実施例の反応
室を示す説明図である。
室を示す説明図である。
【図２】同上プラズマＣＶＤ装置の配設状態を示す説明
図である。
図である。
【図３】同上他の実施例のプラズマＣＶＤ装置の反応室
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図４】同上また他の実施例のプラズマＣＶＤ装置の反
応室を示す説明図である。
応室を示す説明図である。
【図５】同上さらに他の実施例のプラズマＣＶＤ装置の
反応室を示す説明図である。
反応室を示す説明図である。
【図６】アクティブマトリクス型の液晶表示装置のマト
リクスアレイ基板の構造を示す断面図である。
リクスアレイ基板の構造を示す断面図である。
【図７】従来例のプラズマＣＶＤ装置の反応室を示す説
明図である。
明図である。
22 反応室 23 高周波電極 25 接地電極 26 加熱手段としてのヒータ 27 サセプタ 45，51，52，53 ガス流出孔
Claims (6)
- 【請求項１】 接地電極およびこの接地電極を加熱する
加熱手段が一体化されたサセプタと、 このサセプタに対して平行に対向して設けられた高周波
電極と、前記サセプタおよび高周波電極間に位置する空
間を除いた部分から非成膜ガスを流出するガス流出孔と
を備えた反応室を具備したことを特徴とするプラズマＣ
ＶＤ装置。 - 【請求項２】 非成膜ガスは、Ｎ2 、Ｈ2 、Ｈｅ、Ａｒ
のうち少なくともいずれか１つ、もしくは、いずれかを
主成分とする混合ガスであることを特徴とする請求項１
記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 ガス流出孔は、サセプタの側面に設けら
れていることを特徴とする請求項１または２記載のプラ
ズマＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 ガス流出孔は、サセプタより下側の部分
に設けられていることを特徴とする請求項１または２記
載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 ガス流出孔は、高周波電極の側面に設け
られていることを特徴とする請求項１または２記載のプ
ラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項６】 ガス流出孔は、高周波電極の上側の部分
に設けられていることを特徴とする請求項１または２記
載のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6721295A JPH08260155A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6721295A JPH08260155A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08260155A true JPH08260155A (ja) | 1996-10-08 |
Family
ID=13338387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6721295A Pending JPH08260155A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08260155A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020231621A1 (en) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing chamber residues |
-
1995
- 1995-03-27 JP JP6721295A patent/JPH08260155A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020231621A1 (en) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing chamber residues |
| US11560623B2 (en) | 2019-05-15 | 2023-01-24 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing chamber residues |
| TWI826683B (zh) * | 2019-05-15 | 2023-12-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成膜時減少腔室殘留物的方法 |
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