TWI826683B - 形成膜時減少腔室殘留物的方法 - Google Patents
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Abstract
本揭示案相關於用於在處理腔室中的基板處理期間減少硬體殘留物的形成並最小化次級電漿形成的系統和方法。處理腔室可包含氣體分配構件，該氣體分配構件經配置以流動第一氣體進入處理空間並從其中產生電漿。供應第二氣體進入處理空間的下區域。此外，在下區域中設置有排氣端口，以在處理期間或處理之後從處理空間移除多餘的氣體或副產物。
Description
本揭示案的實施例一般相關於用於最小化在基板沉積處理期間在腔室壁和硬體部件上的殘留物的形成的方法和設備，例如在半導體基板上沉積薄膜期間的處理腔室的硬體部件。
可使用電漿增強化學氣相沉積(PECVD)以在用於半導體裝置製造的基板上形成一個或更多個薄膜。由於半導體裝置由於它們不斷減小的尺寸和多堆疊結構的利用而需要更高的記憶體密度，對半導體裝置的膜性質的控制日益受到關注。膜形成處理中缺陷的主要原因是在沉積腔室中存在殘留物，特別是在例如腔室底部和狹縫閥區域的不期望的區域中沉積的殘留物。腔室中該等殘留物的存在不僅導致半導體裝置的缺陷，還增加了沉積循環之間的清潔時間，從而減少了整體良率產量並增加了製造成本。導致腔室殘留物堆積的因素包含整個腔室中電漿的錯誤分散及不期望的寄生電漿的形成。
據此，在本領域中需要用於最小化殘留物在腔室部件上的沉積和堆積的改進的方法和設備。
在一個實施例中，一種用於形成膜的方法包括以下步驟：以第一流率引導第一氣體進入處理腔室的處理空間；從該第一氣體產生電漿以在設置於基板支撐組件上的基板上形成膜；及以第二流率引導第二氣體進入該處理空間。經由氣體引導端口引導該第二氣體進入該處理空間的下區域，該氣體引導端口設置於該基板支撐組件下方。該第一流率對該第二流率的比率為約0.5及約3之間。
在一個實施例中，一種用於形成膜的方法包括以下步驟：以第一流率引導第一氣體進入處理腔室的處理空間；從該第一氣體產生電漿以在設置於基板支撐組件上的基板上形成膜；及以第二流率引導第二氣體進入該處理空間，該第二流率佔該處理腔室內的總流量的40%。經由氣體引導端口引導該第二氣體進入該處理空間的下區域，該氣體引導端口設置於該基板支撐組件下方。
在一個實施例中，一種用於形成膜的方法包括以下步驟：以第一流率引導第一處理氣體進入處理腔室的處理空間；從該第一處理氣體產生電漿以在設置於基板支撐組件上的基板上形成膜；及以第二流率引導氧氣進入該處理空間，該第二流率佔該處理腔室中的總流量的至少40%。該第一流率對該第二流率的比率為約0.5及約3之間。經由氣體引導端口引導該氧氣進入該處理空間的下區域，該氣體引導端口設置於該基板支撐組件下方，且該氧氣有助於自燃反應，以消耗該基板支撐組件下方的該電漿的未反應的物種。
本揭示案相關於用於在處理腔室中的基板處理期間減少硬體殘留物的形成並最小化次級電漿形成的系統和方法。處理腔室可包含氣體分配構件，該氣體分配構件經配置以流動第一氣體進入處理空間並從其中產生電漿。供應第二氣體進入處理空間的下區域，以減少電漿的錯誤分散，減少晶圓平面下方的活性自由基物種的存在，並主動清潔下區域。此外，在下區域中設置有排氣端口，以在處理期間或處理之後從處理空間移除多餘的氣體或副產物。
圖1A是根據一個實施例的處理腔室100的示意性橫截面圖。處理腔室100可為電漿增強化學氣相沉積(PECVD)腔室，適於在基板(例如基板154)上沉積化學氣相沉積膜(CVD)膜。可經適用以如本文所述受益的處理腔室的範例包含可從加利福尼亞州聖塔克拉拉市的Applied Materials公司商業購買的PRODUCER® CVD處理設備和PRECISIONTM
處理設備。根據本文描述的實施例，也可使用其他適當配置的處理腔室，包含來自其他製造商或用於其他應用的處理腔室。例如，本文所述的實施例可用於使蝕刻腔室、離子注入腔室和剝離腔室等受益。
處理腔室100可使用於各種電漿處理，包含沉積和移除處理。在一個態樣中，使用處理腔室100以使用具有或不具有射頻(RF)電源的一種或更多種前驅物氣體來執行CVD。在另一實施例中，處理腔室100使用於PECVD處理。
處理腔室包含腔室主體102，腔室主體102具有至少部分地界定處理空間120的側壁106和腔室底部108。處理腔室100進一步包含蓋組件110和基板支撐組件104。基板支撐組件104設置於處理空間120中且經配置以在處理期間在其上支撐基板154。蓋組件110在其上端處耦合至腔室主體102，從而將基板支撐組件104封閉在處理空間120內。通過在側壁106中形成的狹縫閥開口126傳送基板154至處理空間120。選擇性地打開和關閉狹縫閥開口126以使得能夠由基板傳送機械手(未展示)存取處理空間120以進行基板傳送。在一些實施例中，可經由狹縫閥開口126引導一種或更多種處理氣體和清潔氣體進入處理空間。
電極109設置相鄰於腔室主體102並將腔室主體102與蓋組件110的其他部件分離。電極109可為蓋組件110的部分，或可為單獨的側壁電極。可由例如陶瓷材料或金屬氧化物材料(例如，氧化鋁及/或氮化鋁)的介電材料形成的隔離器107接觸電極109，且將電極109與蓋組件110的其他部件及與腔室主體102電熱分離。在一個實施例中，電極109被夾在相對的隔離器107之間，使得隔離器107與側壁106和蓋組件110接觸。
蓋組件110包含氣體分配構件112，具有複數個開口118以用於流動一種或更多種處理氣體、前驅物、或清潔氣體進入處理空間120。從第一氣體源111經由導管114供應氣體至處理腔室100，且在經由開口118流動進入處理空間120之前，流動氣體進入混合氣室116。在一個範例中，一種或更多種惰性氣體可在沉積或清潔處理期間流動進入處理空間120，例如氬、氮、氧、氦等。在沉積期間可流動進入處理空間120的前驅物氣體的其他合適範例包含丙烯、氨、原矽酸四乙酯、矽烷等。以約每分鐘1000標準立方釐米(sccm)及約20000 sccm之間的總流率引導一種或更多種氣體進入處理空間120，例如約5000 sccm及約15000 sccm之間，例如約10000 sccm。
氣體分配構件112進一步耦合至電源142，例如射頻(RF)電源，經配置以提供功率至氣體分配構件112。在一個實施例中，利用連續或脈衝RF功率以在處理空間120中形成電漿。在其他實施例中，利用連續或脈衝DC功率在處理空間120中形成電漿。電源142以約50 kHz及約13.6 MHz之間的頻率提供約100瓦及約3000瓦之間的功率。
在操作中，從第一氣體源111供應處理氣體或前驅物至處理空間120，並且處理氣體或前驅物流經氣體分配構件112中的複數個開口118。藉由電源142供應給氣體分配構件112的RF功率激發處理氣體或前驅物而在處理空間120中形成電漿。電漿在由基板支撐組件104支撐的基板154上形成膜或從中蝕刻膜。
由金屬或陶瓷材料形成基板支撐組件104，例如金屬氧化物材料、金屬氮化物材料、金屬氧氮化物材料、或其任意組合。例如，由含鋁材料、含氮化鋁的材料、含氧化鋁的材料、或含氧氮化鋁的材料形成基板支撐組件104。基板支撐組件104包含設置於基板支撐組件104的第一表面上的基板支撐表面180，基板支撐表面180平行於基板支撐組件104的第二表面且面對蓋組件110。基板支撐表面180經配置以在處理期間直接支撐基板154。基板支撐組件104通過軸件144耦合至升降機構147，軸件144延伸穿過腔室底部108中的開口146。升降機構147使基板支撐表面180能夠在下傳送位置和一個或更多個升高處理位置之間垂直移動穿過處理空間120。
靜電吸盤(ESC)130設置於基板支撐組件104中。靜電吸盤130包含一個或更多個電極122。電極可為板、穿孔板、網、絲網或任何其他分佈式佈置。一個或更多個電極122耦合到電極電源124以提供功率至電極122並在處理基板154期間有助於將基板154吸至基板支撐表面180。在一個實施例中，電極電源124將DC電壓施加到電極122以進行吸附。電極電源124能夠產生連續或脈衝功率之其中一者或兩者。
在可與其他實施例組合的一些實施例中，基板支撐組件104包含附加電極(未展示)以用於與電極109組合以在基板154的處理期間產生電漿。電極109和設置在基板支撐組件104中或鄰近基板支撐組件104以產生電漿的附加電極可具有多種實施例。例如，可藉由使用驅動信號來驅動電極109和附加電極之其中至少一者來產生RF場，以助於在處理空間120內形成電容性電漿。在一個實施例中，附加電極與電極109組合使用以在處理空間120中偏壓電漿。電極電源124以約13.56 MHz的頻率提供高至約1000 W的RF功率至電極122或附加電極。然而，可預期的是，可根據應用提供其他頻率和功率。例如，電極電源124可提供多個頻率，例如13.56 MHz和2 MHz。
基板支撐組件104進一步包含設置在基板支撐組件104中並耦合到加熱器電源148的加熱器設備140。使用加熱器設備140以加熱基板154，且可在基板154的處理期間入射地加熱處理空間120。在一個實施例中，加熱器設備140是電阻加熱器。在另一實施例中，加熱器設備140是經適用以接收加熱或冷卻流體的流動的通道，例如空氣、氮、氦、水、乙二醇等，通過該流體的流動以將熱傳導到基板154。
設置一個或更多個氣體引導端口162穿過基板支撐組件104下方的腔室主體102且耦合至第二氣體源113。在一個實施例中，穿過側壁106相鄰於處理空間120的下區域150形成一個或更多個氣體引導端口162。在另一實施例中，穿過腔室底部108與開口146分開形成一個或更多個氣體引導端口162，如圖1A中所描繪。在又一實施例中，開口146本身用作氣體引導端口，可利用以替代一個或更多個氣體引導端口162或與一個或更多個氣體引導端口162組合。
第二氣體源113經由氣體引導端口162及/或開口146供應一種或更多種處理氣體、前驅物、清潔氣體、或障礙氣體進入處理空間120的下區域150。替代地或額外地，可經由狹縫閥開口126供應一種或更多種氣體進入下區域150。第二氣體源113控制氣體的種類和氣體進入處理空間120的流率，且更特定地，氣體至下區域150的流率。在一個實施例中，第二氣體源113供應沖洗氣體進入下區域150。沖洗氣體可為惰性氣體。另外，可由相對於由第一氣體源111供應的氣體具有相對低的反應性且具有大於雙原子氬的解離能的物種(例如，非反應性物種)來形成沖洗氣體。例如，可由具有大於約4.73 kJmol-1
的解離能的物種形成沖洗氣體。例如，可由氦、氬、氧、氮、氫、氨或其任意組合之其中任一者形成沖洗氣體。在該範例中，減輕或防止了下區域150中的第二氣體的離子化。
排氣端口152與處理空間120流體連通並延伸穿過腔室主體102。在一個實施例中，設置排氣端口152穿過側壁106。可預期的是，排氣端口152可為圍繞處理空間120的環形泵送通道，或相鄰於處理空間120的非環形泵送端口。在另一實施例中，設置排氣端口152穿過腔室底部108。排氣端口152耦合到真空泵156以在基板154的處理期間或之後，從處理空間120移除多餘的處理氣體或副產物。
在操作中，經由氣體引導端口162、開口146及/或狹縫閥開口126從第二氣體源113供應處理氣體或沖洗氣體至基板支撐組件104下方的下區域150。當在基板支撐組件104上方形成電漿以在基板154上沉積一個或更多個膜時，由第二氣體源113供應處理氣體或沖洗氣體至下區域150。因此，第一氣體源111及第二氣體源113同時供應氣體至處理空間120，儘管從處理腔室100的不同區域供應。
在可與其他實施例組合的某些實施例中，由第二氣體源113供應的氣體物種與激發的電漿物種反應以形成通過排氣端口152排出的副產物。這可能例如在以下情況下發生：若激發的電漿物種擴散進入下區域150，或若第二氣體擴散進入處理區域150的上區域。在某些實施例中，由第二氣體源113供應的氣體物種與激發的電漿物種沒有(或有最小)反應性，但在經由排氣端口152排出之前稀釋了處理空間120(或下區域150)中的激發電漿物種。在該範例中，稀釋減輕了下區域150中不需要的沉積。
圖1B是根據另一實施例的處理腔室100的示意性橫截面圖。圖1B中描繪的處理腔室100與上述實施例實質相似，但進一步包含設置在基板支撐組件104下方的輻射屏蔽182。利用輻射屏蔽182以調節基板支撐組件104的底部表面處的輻射熱損失，以補償基板支撐組件104及因此放置其上的基板154的任何溫度非均勻性。
輻射屏蔽182包含輻射軸件184和輻射板186。輻射軸件184是圍繞軸件144的管狀或圓柱形構件。在輻射軸件184和軸件144之間形成空間176，通過空間176可流動從第二氣體源113供應的一種或更多種氣體。輻射軸件184進一步支撐輻射板186，且由適用於基板處理的任何材料形成，例如石英材料。
輻射板186是具有與基板支撐組件104實質相似的側向尺寸的平面及盤狀板。例如，輻射板186具有與基板支撐組件104的直徑實質相似的直徑。輻射板包含中心孔，軸件144穿過該中心孔延伸。輻射板186可進一步包含徑向朝軸件144外設置的一個或更多個孔，以使升降銷(未展示)能夠從中致動。在一個實施例中，由氧化鋁或氮化鋁材料形成輻射板186。
在操作中，輻射屏蔽182可導引從第二氣體源113供應的一種或更多種氣體穿過空間176，沿著基板支撐組件104的底部表面，並朝向側壁106。例如，輻射屏蔽182可控制一種或更多種氣體的流動，使得氣體在與基板支撐組件104實質平行的流動路徑中沿著基板支撐組件104的底部表面徑向向外流動並朝向側壁106。因此，徑向向外流動的氣體可在下區域150和處理空間120的其餘部分之間形成實質平行於基板支撐組件104的氣體簾。輻射屏蔽182可替代地或與氣體引導端口162及/或狹縫閥開口126組合使用以引導氣體進入處理空間120，例如下區域150。
如本文所論述，膜沉積操作可包含在放置於基板支撐組件104上的基板154上形成一個或更多個膜。圖2根據一個或更多個實施例圖示了用於處理基板的方法200的流程圖。可施用方法200以在基板154上形成一個或更多個膜。
在操作210中，在處理腔室100的處理空間120中產生電漿。例如，經由導管114從第一氣體源111引導第一氣體至處理空間120。以約1000 sccm及約20000 sccm之間(例如約8000 sccm及約12000 sccm之間)的流率引導第一氣體進入處理空間。第一氣體至少包含在處理空間120中被激發以形成電漿的處理氣體、前驅物氣體、可離子化氣體、或載體氣體。例如，電源142提供RF功率(例如連續或脈衝RF功率)至氣體分配構件112，以激發第一氣體成為電漿。此外，在電漿存在下，利用第一氣體在基板154上形成膜。
在操作220中，隨著在基板支撐組件104上方產生電漿，引導第二氣體進入基板支撐組件104下方的下區域150。例如，引導第二氣體從第二氣體源113經由在側壁106及/或腔室底部108中形成的一個或更多個氣體引導端口162進入下區域150。在另一範例中，引導第二氣體經由軸件144和腔室底部108之間的開口146進入下區域150。在又一範例中，引導第二氣體經由輻射軸件184和軸件144之間的空間176進入下區域150。第二氣體為非反應性氣體或具有相對低反應性的氣體，且可由具有大於雙原子氬的解離能的物種形成。例如，第二氣體為氧。替代地或額外地，第二氣體可為氫、氦、氬或氨之其中任一者。
第二氣體可與第一氣體同時被引導進入處理空間120，並起到障礙簾的作用，減少了整個處理腔室100中電漿和未反應物種的錯誤分散量，特別是進入下區域150。例如，第二氣體(例如氬或氮)用作分散陷阱，將電漿和未反應的物種定位在基板支撐組件104上方並減少其他地方的擴散(例如，遷移)。錯誤分散的減少繼而減少了腔室部件上殘留物的形成，例如下區域150中的該等部件(例如，在基板支撐組件104下方)。在某些實施例中，第二氣體的低反應性使得第二氣體能夠在不與電漿相互作用或混合的情況下用作陷阱。此外，第二氣體的低反應性有助於減少下區域150中存在的活性電漿物種，從而減少由基板支撐組件104下方的寄生電漿形成的腔室殘留物的沉積。
在另一能力中，第二氣體可用作沖洗或清潔氣體，輔助在處理期間或之後經由排氣端口152從處理空間120移除多餘的處理氣體或副產物。例如，第二氣體可有助於在基板支撐組件104下方遷移的未反應的處理氣體的自燃。例如，在利用氧作為第二氣體的實施例中，氧氣可有助於消耗在基板支撐組件104下方分散的未反應的碳氫化合物(例如C3
H6
)的自燃反應，導致可接著經由排氣端口152移除CO2
和H2
O氣體。因此，當膜同時沉積在上文的基板154上時，第二氣體可主動清潔處理空間120的下區域。
在可與其他實施例組合的某些實施例中，提供第二氣體至下處理區域150，以主動引起第二氣體及下處理區域150中的任何第一氣體(例如，激發的物種)之間的反應，同時提供用於第一氣體進入下區域150的障礙。第一氣體和第二氣體可反應以形成從處理腔室100排出的氣態副產物，從而減輕或避免了材料沉積在處理空間120的下區域150中。在該範例中，第二氣體可為反應性氣體(例如，與多餘前驅物材料反應的氣體)。例如，第一氣體處理可為碳氫化合物，而第二氣體可為氧或臭氧。在該範例中，第一氣體和第二氣體之間的反應是燃燒反應。燃燒反應可在下處理區域150中發生。在一個範例中，燃燒反應在基板154上方的處理空間120中不會發生或很少發生。
第二氣體的流率和種類可基於第一氣體的流率、第一氣體的物種、要產生的電漿量、沉積膜的特性、第一氣體欲與第二氣體反應的量、及/或欲防止的電漿分散的量。例如，流動第二氣體進入處理空間120，使得第二氣體佔處理空間120中的總氣體流量的大於約25%以稀釋第一氣體。例如，第二氣體佔處理空間120中的總流量的大於約30%，例如總流量的約40%。在某些實施例中，基於沉積膜中第二氣體物種(例如，氮或氧)的濃度來決定第二氣體的流率。在一些實施例中，第二氣體的流率不同於第一氣體的流率。例如，第一氣體的流率對第二氣體的流率之比率為約0.5及約3之間。例如，第一氣體的流率對第二氣體的流率之比率為約1及約2之間。在一個實施例中，以約每分鐘50標準立方釐米及約5000 sccm之間的流率流動第二氣體進入處理空間120，例如約500 sccm及約4000 sccm之間。例如，以約1000 sccm及約3000 sccm之間的流率流動第二氣體進入處理空間120，例如約2000 sccm。
在操作230中，電漿和第二氣體經由排氣端口152從處理腔室100排出。例如，排氣端口152可耦合至真空泵156，且真空泵156可在基板154的處理期間或之後從處理空間120移除多餘的處理氣體或副產物。
利用上述系統和方法在基板處理操作中提供了許多改進。特定地，上述方法提供了一種主動方法以藉由減少電漿和活性電漿物種在基板支撐件下方的錯誤分散來減少或消除處理腔室部件上不期望的殘留物形成和堆積。這樣，減少了由電漿處理形成的膜中的缺陷的發生以及電漿處理操作之間的清潔時間，導致了改進的總體良率產量並降低了製造成本。本文揭示的方法在碳或碳基硬遮罩的沉積中特別有利。本文方法提供了用於減少不需要的沉積的多個優點，包含在基板支撐平面處的氣體/激發物種界面處提供用於減輕處理腔室的下區域中的激發前驅物物種的氣體障礙。另外，本文方法藉由引起燃燒反應而有助於不需要的沉積。此外，本文方法藉由稀釋處理腔室的下區域中的反應性物種而有助於不需要的沉積。
儘管前述內容針對本揭示案的實施例，在不脫離本揭示案的基本範圍的情況下，可設計本揭示案的其他和進一步的實施例，且本揭示案的範圍由隨後的請求項來決定。
100:處理腔室
102:腔室主體
104:基板支撐組件
106:側壁
107:隔離器
108:腔室底部
109:電極
110:蓋組件
111:第一氣體源
112:氣體分配構件
113:第二氣體源
114:導管
116:混合氣室
118:開口
120:處理空間
122:電極
124:電極電源
126:狹縫閥開口
130:靜電吸盤
140:加熱器設備
142:電源
144:軸件
146:開口
147:升降機構
148:加熱器電源
150:下區域
152:排氣端口
154:基板
156:真空泵
162:氣體引導端口
176:空間
180:基板支撐表面
182:輻射屏蔽
184:輻射軸件
186:輻射板
200:方法
210~230:操作
因此，為了可詳細地理解本揭示案的上述特徵的方式，可藉由參考實施例來對本揭示案進行更特定的描述(簡要概述如上)，其中一些實施例圖示於附圖中。然而，應注意，附圖僅圖示示例性實施例，因此不應被認為是對其範圍的限制，且可允許其他等效實施例。
圖1A圖示了根據本揭示案的一個實施例的示例性處理腔室的橫截面示意圖。
圖1B圖示了根據本揭示案的一個實施例的示例性處理腔室的橫截面示意圖。
圖2圖示了根據本文所述的一個實施例的方法的流程圖。
為了便於理解，盡可能地使用相同的元件符號來標示圖式共有的相同元件。可預期的是，一個實施例的元件和特徵可被有益地併入其他實施例中，而無需進一步敘述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
100:處理腔室
102:腔室主體
104:基板支撐組件
106:側壁
107:隔離器
108:腔室底部
109:電極
110:蓋組件
111:第一氣體源
112:氣體分配構件
113:第二氣體源
114:導管
116:混合氣室
118:開口
120:處理空間
122:電極
124:電極電源
126:狹縫閥開口
130:靜電吸盤
140:加熱器設備
142:電源
144:軸件
146:開口
147:升降機構
148:加熱器電源
150:下區域
152:排氣端口
154:基板
156:真空泵
162:氣體引導端口
Claims (16)
- 一種用於形成一膜的方法，該方法包括以下步驟：通過一處理腔室的一狹縫閥開口傳送一基板進入該處理腔室的一處理空間，該基板被傳送至一基板支撐組件上；通過該處理腔室的一蓋組件以一第一流率引導一第一氣體進入該處理腔室的該處理空間，該蓋組件包含具有複數個開口的一氣體分配構件；從該第一氣體產生一電漿以在設置於該基板支撐組件上的該基板上形成一膜；及以一第二流率引導一第二氣體進入該處理空間，經由與該狹縫閥開口分離的一氣體引導端口引導該第二氣體進入該處理空間的一下區域，該氣體引導端口設置於該處理腔室的一側壁且該基板支撐組件下方，該第二氣體與該第一氣體同時被引導進入該處理空間，其中該第一流率對該第二流率的一比率為約0.5及約3之間。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二氣體不與該電漿反應。
- 如請求項1所述之方法，其中由具有等於或大於雙原子氬的解離能的一解離能的物種來形成該第二氣體。
- 如請求項3所述之方法，其中從由氬、氨、氦、氫、及氧組成的群組來選擇該第二氣體。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二氣體提供用於防止該基板支撐組件下方的該電漿分散的一障礙。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二氣體與該處理空間的一下區域中的該第一氣體反應以形成一反應副產物，且從該處理腔室排出該反應副產物。
- 如請求項6所述之方法，其中引導該第一氣體進入該處理腔室的該處理空間且從該第一氣體產生該電漿的步驟造成該基板支撐組件下方的未反應的C3H6的分散，且其中該第二氣體有助於一自燃反應，以消耗該基板支撐組件下方分散的未反應的C3H6。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二氣體佔該處理空間中的一總氣體流量大於25%。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二氣體以約500sccm及約4000sccm之間的一流率流動進入該處理空間。
- 一種用於形成一膜的方法，該方法包括以下步驟：通過一處理腔室的一狹縫閥開口傳送一基板進入該處理腔室的一處理空間，該基板通過該處理腔室的一腔室底部中的一第一開口被傳送至一基板支撐組件上；通過該處理腔室的一蓋組件以一第一流率引導一第一氣體進入該處理腔室的該處理空間，該蓋組件包含具有複數個開口的一氣體分配構件； 從該第一氣體產生一電漿以在設置於粵基板支撐組件上的該基板上形成一膜；及以一第二流率引導一第二氣體進入該處理空間，經由該處理腔室的一側壁中的一開口從該基板支撐組件與一輻射屏蔽之間的一空間引導該第二氣體進入該處理空間的一下區域，該輻射屏蔽設置於該基板支撐組件下方，該第二氣體與該第一氣體同時被引導進入該處理空間，其中該第二流率佔該處理腔室中的一總流量約40%。
- 如請求項10所述之方法，其中該第二氣體為具有等於或大於4.73kJmol-1的一解離能的一非反應性氣體。
- 如請求項11所述之方法，其中從由氬、氨、氦、氫、及氧組成的群組來選擇該第二氣體。
- 如請求項10所述之方法，其中亦從該腔室底部中的一第二開口引導該第二氣體進入該處理空間。
- 如請求項10所述之方法，其中該第一氣體的一流率對該第二氣體的一流率的一比率為約1及約2之間。
- 如請求項10所述之方法，其中引導該第一氣體進入該處理腔室的該處理空間且從該第一氣體產生該電漿的步驟造成該基板支撐組件下方的未反應的C3H6的分散，且其中該第二氣體有助於一自燃反應，以消耗該基板支撐組件下方分散的未反應的C3H6。
- 一種用於形成一膜的方法，該方法包括以下 步驟：通過一處理腔室的一狹縫閥開口傳送一基板進入該處理腔室的一處理空間，該基板被傳送至一基板支撐組件上；通過該處理腔室的一蓋組件以一第一流率引導一第一處理氣體進入該處理腔室的該處理空間，該蓋組件包含具有複數個開口的一氣體分配構件；從該第一氣體產生一電漿以在設置於該基板支撐組件上的該基板上形成一膜；以一第二流率引導氧進入該處理空間，經由該處理腔室的一側壁中的一開口從該基板支撐組件與一輻射屏蔽之間的一空間引導該氧進入該處理空間的一下區域，該輻射屏蔽設置於該基板支撐組件下方，該氧與該第一氣體同時被引導進入該處理空間，其中該第一流率對該第二流率的一比率為約0.5及約3之間，該第二流率佔該處理腔室中的一總流量至少40%，該氧有助於一自燃反應，以消耗該基板支撐組件下方的該電漿的未反應的前驅物物種；及經由該處理腔室的一環形泵送通道對該處理空間進行排氣。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201962848337P | 2019-05-15 | 2019-05-15 | |
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|---|---|
| TW202108808A TW202108808A (zh) | 2021-03-01 |
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