JPH11214317A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法Info
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- JPH11214317A JPH11214317A JP2919998A JP2919998A JPH11214317A JP H11214317 A JPH11214317 A JP H11214317A JP 2919998 A JP2919998 A JP 2919998A JP 2919998 A JP2919998 A JP 2919998A JP H11214317 A JPH11214317 A JP H11214317A
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- substrate
- reaction chamber
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- process gas
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プロセスガスの回り込みによる反応副生成物の
析出を抑え、メンテナンスの回数や作業時間を低減可能
な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。 【解決手段】枚葉コールドウォール方式半導体製造装置
１００において、ターボ分子ポンプ接続フランジ２１、
インターフェースフランジ２２及びベローズ２３とそれ
ぞれ接続されるＮ2 パージライン６１、６２、６３を設
ける。成膜時においては、半導体ウェーハ３２をプレー
トヒータ３１で加熱しつつ、プロセスガス４１の流れに
対し、Ｎ2 パージライン６１、６２、６３よりＮ2 パー
ジを行い、プロセスガス４１の回り込みを防ぎ、プロセ
スガス４１の滞留により析出する反応副生成物の付着を
防止する。
析出を抑え、メンテナンスの回数や作業時間を低減可能
な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。 【解決手段】枚葉コールドウォール方式半導体製造装置
１００において、ターボ分子ポンプ接続フランジ２１、
インターフェースフランジ２２及びベローズ２３とそれ
ぞれ接続されるＮ2 パージライン６１、６２、６３を設
ける。成膜時においては、半導体ウェーハ３２をプレー
トヒータ３１で加熱しつつ、プロセスガス４１の流れに
対し、Ｎ2 パージライン６１、６２、６３よりＮ2 パー
ジを行い、プロセスガス４１の回り込みを防ぎ、プロセ
スガス４１の滞留により析出する反応副生成物の付着を
防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板処理装置および
基板処理方法に関し、特に、枚葉コールドウォール方式
半導体製造装置およびそれを使用した成膜方法に関す
る。
基板処理方法に関し、特に、枚葉コールドウォール方式
半導体製造装置およびそれを使用した成膜方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の枚葉コールドウォール方式半導体
製造装置は、例えば図２のような構造であり、この様な
装置は、プレートヒータ３１の周辺のみが高温でありそ
れ以外の領域の温度は低い、いわゆるコールドウォール
炉である。従って、そのような温度の低い領域には反応
副生成物が付着し易く、プロセス時には、以下の様な問
題があった。
製造装置は、例えば図２のような構造であり、この様な
装置は、プレートヒータ３１の周辺のみが高温でありそ
れ以外の領域の温度は低い、いわゆるコールドウォール
炉である。従って、そのような温度の低い領域には反応
副生成物が付着し易く、プロセス時には、以下の様な問
題があった。
【０００３】（１）プレートヒータ３１などを昇降する
昇降機構の軸３３とベローズ２３との間に隙間があり、
その隙間に反応室１０からプロセスガス４１が流れ込み
やすく、又抜けにくいため、反応副生成物８２が析出す
る。
昇降機構の軸３３とベローズ２３との間に隙間があり、
その隙間に反応室１０からプロセスガス４１が流れ込み
やすく、又抜けにくいため、反応副生成物８２が析出す
る。
【０００４】（２）搬送室２７と反応室１０を接続する
インターフェースフランジ２２においては、ゲートバル
ブ２６が閉状態のとき、プロセスガス４１が溜り、反応
副生成物８３が析出する。
インターフェースフランジ２２においては、ゲートバル
ブ２６が閉状態のとき、プロセスガス４１が溜り、反応
副生成物８３が析出する。
【０００５】（３）ターボ分子ポンプ接続フランジ８１
においても、（２）と同様、ゲートバルブ２４が閉状態
のとき、反応副生成物８１が析出する。
においても、（２）と同様、ゲートバルブ２４が閉状態
のとき、反応副生成物８１が析出する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の問題点のプロセスガスの回り込みによる反応副生
成物の析出を抑え、メンテナンス回数及び、メンテナン
ス時の作業時間を低減することのできる基板処理装置お
よび基板処理方法を提供することにある。
技術の問題点のプロセスガスの回り込みによる反応副生
成物の析出を抑え、メンテナンス回数及び、メンテナン
ス時の作業時間を低減することのできる基板処理装置お
よび基板処理方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、電子
部品製造用基板に成膜を行う反応室と、前記反応室に連
通する空間をその内部に備える部材と、前記反応室にお
ける前記電子部品製造用基板への成膜中に、前記部材内
の前記空間に不活性ガスを流入する不活性ガス流入手段
と、を備えることを特徴とする基板処理装置が提供され
る。
部品製造用基板に成膜を行う反応室と、前記反応室に連
通する空間をその内部に備える部材と、前記反応室にお
ける前記電子部品製造用基板への成膜中に、前記部材内
の前記空間に不活性ガスを流入する不活性ガス流入手段
と、を備えることを特徴とする基板処理装置が提供され
る。
【０００８】請求項２によれば、電子部品製造用基板に
成膜を行う反応室と、前記反応室に連通する空間をその
内部に備える部材と、前記部材内の前記空間に不活性ガ
スを流入可能な不活性ガス流入手段とを備える基板処理
装置を使用して、前記反応室における前記電子部品製造
用基板への成膜中に、前記不活性ガス流入手段により前
記部材内の前記空間に不活性ガスを流入させることを特
徴とする基板処理方法が提供される。
成膜を行う反応室と、前記反応室に連通する空間をその
内部に備える部材と、前記部材内の前記空間に不活性ガ
スを流入可能な不活性ガス流入手段とを備える基板処理
装置を使用して、前記反応室における前記電子部品製造
用基板への成膜中に、前記不活性ガス流入手段により前
記部材内の前記空間に不活性ガスを流入させることを特
徴とする基板処理方法が提供される。
【０００９】不活性ガスとしては好ましくはＮ2 ガスが
使用される。
使用される。
【００１０】本発明が適用される好適な電子部品製造用
基板としては、半導体ウェーハ、特にシリコンウェーハ
が挙げられる。また液晶表示素子製造用ガラス基板にも
本発明は好適に適用される。
基板としては、半導体ウェーハ、特にシリコンウェーハ
が挙げられる。また液晶表示素子製造用ガラス基板にも
本発明は好適に適用される。
【００１１】本発明の基板処理装置としては、被処理基
板を加熱するプレートヒータ等の加熱手段およびその周
辺のみが高温でありそれ以外の領域の温度は低い、いわ
ゆるコールドウォール型の基板処理装置が好適に使用さ
れる。
板を加熱するプレートヒータ等の加熱手段およびその周
辺のみが高温でありそれ以外の領域の温度は低い、いわ
ゆるコールドウォール型の基板処理装置が好適に使用さ
れる。
【００１２】また、本発明の基板処理装置としては、枚
葉式または２枚あるいは少数枚数の基板を同時処理する
装置が好適に使用される。
葉式または２枚あるいは少数枚数の基板を同時処理する
装置が好適に使用される。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態を図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【００１４】図１は、本発明の一実施の形態の半導体製
造装置およびそれを用いた半導体基板処理方法を説明す
るための概略断面図である。
造装置およびそれを用いた半導体基板処理方法を説明す
るための概略断面図である。
【００１５】この枚葉コールドウォール方式半導体製造
装置１００は、反応室１０と搬送室２７とを備えてい
る。
装置１００は、反応室１０と搬送室２７とを備えてい
る。
【００１６】反応室１０と搬送室２７との間にはこれら
を接続するインターフェースフランジ２２が設けられて
いる。インターフェースフランジ２２はその一端におい
て反応室１０の側壁１３の開口部１６を介して反応室１
０と連通し、他端において搬送室２７に連通している。
搬送室２７側にはゲートバルブ２６が設けられ、搬送室
２７とインターフェースフランジ２２との間を連通し、
また遮断することができるようになっている。
を接続するインターフェースフランジ２２が設けられて
いる。インターフェースフランジ２２はその一端におい
て反応室１０の側壁１３の開口部１６を介して反応室１
０と連通し、他端において搬送室２７に連通している。
搬送室２７側にはゲートバルブ２６が設けられ、搬送室
２７とインターフェースフランジ２２との間を連通し、
また遮断することができるようになっている。
【００１７】反応室１０内には、半導体ウェーハ３２を
搭載可能なプレートヒータ３１が設けられている。この
半導体製造装置１００は、プレートヒータ３１およびお
よびその周辺のみが加熱され、それ以外の領域の温度は
低い、いわゆるコールドウォール型の成膜装置である。
搭載可能なプレートヒータ３１が設けられている。この
半導体製造装置１００は、プレートヒータ３１およびお
よびその周辺のみが加熱され、それ以外の領域の温度は
低い、いわゆるコールドウォール型の成膜装置である。
【００１８】反応室１０の天井部１１側からプロセスガ
スが導入され、上部シャワーヘッド（図示せず。）を介
してプロセスガス４１が均一に分散してプレートヒータ
３１上の半導体ウェーハに向かって流れるように構成さ
れている。
スが導入され、上部シャワーヘッド（図示せず。）を介
してプロセスガス４１が均一に分散してプレートヒータ
３１上の半導体ウェーハに向かって流れるように構成さ
れている。
【００１９】プレートヒータ３１の下部には昇降可能な
軸３３が結合されており、軸３３を昇降させることによ
ってプレートヒータ３１を昇降させることができる。反
応室１０の底板１４の開口部１７を貫通して軸３３が昇
降可能となっており、軸３３の下側はベローズ２３内に
収容され、軸３３の下端はベローズ２３の下端に接続さ
れている。ベローズ２３内の空間は開口１７を介して反
応室１０内と連通している。
軸３３が結合されており、軸３３を昇降させることによ
ってプレートヒータ３１を昇降させることができる。反
応室１０の底板１４の開口部１７を貫通して軸３３が昇
降可能となっており、軸３３の下側はベローズ２３内に
収容され、軸３３の下端はベローズ２３の下端に接続さ
れている。ベローズ２３内の空間は開口１７を介して反
応室１０内と連通している。
【００２０】ターボ分子ポンプ接続フランジ２１が、反
応室１０の側壁１２の開口部１５を介して、反応室１０
内と連通して設けられている。ターボ分子ポンプ接続フ
ランジ２１の下端には、ゲートバルブ２４を介してパー
ジ用ターボ分子ポンプ２５が接続されている。
応室１０の側壁１２の開口部１５を介して、反応室１０
内と連通して設けられている。ターボ分子ポンプ接続フ
ランジ２１の下端には、ゲートバルブ２４を介してパー
ジ用ターボ分子ポンプ２５が接続されている。
【００２１】さらに、この枚葉コールドウォール方式半
導体製造装置１００は、Ｎ2 ライン５０を備えている。
Ｎ2 ライン５０はマスフローコントローラ５１を備えて
おり、Ｎ2 ライン５０全体の流量を調整できるようにな
っている。また、マスフローコントローラ５１の下流側
にはエアバルブ５２を備えている。
導体製造装置１００は、Ｎ2 ライン５０を備えている。
Ｎ2 ライン５０はマスフローコントローラ５１を備えて
おり、Ｎ2 ライン５０全体の流量を調整できるようにな
っている。また、マスフローコントローラ５１の下流側
にはエアバルブ５２を備えている。
【００２２】Ｎ2 ライン５０は、エアバルブ５２の下流
側において、３本のＮ2 パージライン６１、６２、６３
に分岐している。Ｎ2 パージライン６１、６２、６３
は、ニードルバルブ７１、７２、７３をそれぞれ備えて
おり、Ｎ2 パージライン６１、６２、６３のそれぞれの
Ｎ2 ガス流量を調整できるようになっている。Ｎ2 パー
ジライン６１はパージポート６４を介してターボ分子ポ
ンプ接続フランジ２１に接続され、Ｎ2 パージライン６
２はパージポート６５を介してインターフェースフラン
ジ２２と接続され、Ｎ2 パージライン６３はパージポー
ト６６を介してベローズ２３と接続されている。
側において、３本のＮ2 パージライン６１、６２、６３
に分岐している。Ｎ2 パージライン６１、６２、６３
は、ニードルバルブ７１、７２、７３をそれぞれ備えて
おり、Ｎ2 パージライン６１、６２、６３のそれぞれの
Ｎ2 ガス流量を調整できるようになっている。Ｎ2 パー
ジライン６１はパージポート６４を介してターボ分子ポ
ンプ接続フランジ２１に接続され、Ｎ2 パージライン６
２はパージポート６５を介してインターフェースフラン
ジ２２と接続され、Ｎ2 パージライン６３はパージポー
ト６６を介してベローズ２３と接続されている。
【００２３】なお、このコールドウォール方式半導体製
造装置１００は、半導体ウェーハ１枚毎に成膜を行うい
わゆる枚葉式の成膜装置である。
造装置１００は、半導体ウェーハ１枚毎に成膜を行うい
わゆる枚葉式の成膜装置である。
【００２４】成膜時においては、半導体ウェーハ３２を
プレートヒータ３１で加熱しつつ、上部シャワーヘッド
（図示せず。）より放出されるプロセスガス４１の流れ
に対し、Ｎ2 パージライン６１、６２、６３よりＮ2 パ
ージを行い、プロセスガスの回り込みを防ぎ、プロセス
ガスの滞留により析出する反応副生成物の付着をＮ2パ
ージにより防止する。
プレートヒータ３１で加熱しつつ、上部シャワーヘッド
（図示せず。）より放出されるプロセスガス４１の流れ
に対し、Ｎ2 パージライン６１、６２、６３よりＮ2 パ
ージを行い、プロセスガスの回り込みを防ぎ、プロセス
ガスの滞留により析出する反応副生成物の付着をＮ2パ
ージにより防止する。
【００２５】すなわち、Ｎ2 パージライン６１によりタ
ーボ分子ポンプ接続フランジ８１にＮ2 パージを行うこ
とにより、ターボ分子ポンプ接続フランジ８１内に反応
副生成物が析出するのを防止し、Ｎ2 パージライン６２
によりインターフェースフランジ２２にＮ2 パージを行
うことにより、プロセスガス４１が溜ってインターフェ
ースフランジ２２内に反応副生成物が析出するのを防止
し、また、Ｎ2 パージライン６３によりベローズ２３内
にＮ2 パージを行うことにより、軸３３とベローズ２３
との間の反応室１０からプロセスガス４１が流れ込んで
反応副生成物が析出するのを防止する。
ーボ分子ポンプ接続フランジ８１にＮ2 パージを行うこ
とにより、ターボ分子ポンプ接続フランジ８１内に反応
副生成物が析出するのを防止し、Ｎ2 パージライン６２
によりインターフェースフランジ２２にＮ2 パージを行
うことにより、プロセスガス４１が溜ってインターフェ
ースフランジ２２内に反応副生成物が析出するのを防止
し、また、Ｎ2 パージライン６３によりベローズ２３内
にＮ2 パージを行うことにより、軸３３とベローズ２３
との間の反応室１０からプロセスガス４１が流れ込んで
反応副生成物が析出するのを防止する。
【００２６】このように、Ｎ2 パージをプロセス時に反
応炉壁面に対して行うことにより、次の作用・効果が得
られる。
応炉壁面に対して行うことにより、次の作用・効果が得
られる。
【００２７】（１）自然にプロセスガスが流れにくい部
分にＮ2 パージを行うことによって、ガス溜りを防止す
ることができる。
分にＮ2 パージを行うことによって、ガス溜りを防止す
ることができる。
【００２８】（２）壁面にパージを行うことで、プロセ
スガスが付着することを防ぎ、反応副生成物の析出を抑
えることができる。
スガスが付着することを防ぎ、反応副生成物の析出を抑
えることができる。
【００２９】（３）反応副生成物の析出の低下により、
メンテナンス回数の低減及びメンテナンス作業時間の短
縮を図ることができる。
メンテナンス回数の低減及びメンテナンス作業時間の短
縮を図ることができる。
【００３０】（４）反応副生成物の析出の低下により、
パーティクルの発生を抑えることができ、歩留まりを良
くすることができる。
パーティクルの発生を抑えることができ、歩留まりを良
くすることができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の基板処理装置および基板処理方
法において、不活性ガスを成膜中に流入させることによ
る効果として、以下の点が挙げられる。
法において、不活性ガスを成膜中に流入させることによ
る効果として、以下の点が挙げられる。
【００３２】（１）自然にプロセスガスが流れにくい部
分に不活性ガスによるパージを行うことによって、ガス
溜りを防止することができる。
分に不活性ガスによるパージを行うことによって、ガス
溜りを防止することができる。
【００３３】（２）不活性ガスによるパージを行うこと
で、プロセスガスが付着することを防ぎ、反応副生成物
の析出を抑えることができる。
で、プロセスガスが付着することを防ぎ、反応副生成物
の析出を抑えることができる。
【００３４】（３）反応副生成物の析出の低下により、
メンテナンス回数の低減及びメンテナンス作業時間の短
縮を図ることができる。
メンテナンス回数の低減及びメンテナンス作業時間の短
縮を図ることができる。
【００３５】（４）反応副生成物の析出の低下により、
パーティクルの発生を抑えることができ、歩留まりを良
くすることができる。
パーティクルの発生を抑えることができ、歩留まりを良
くすることができる。
【図１】本発明の一実施の形態の半導体製造装置および
それを用いた半導体基板処理方法を説明するための概略
断面図である。
それを用いた半導体基板処理方法を説明するための概略
断面図である。
【図２】従来の半導体製造装置およびそれを用いた半導
体基板処理方法を説明するための概略断面図である。
体基板処理方法を説明するための概略断面図である。
１０…反応室 １５、１６、１７…開口部 ２１…ターボ分子ポンプ接続フランジ ２２…インターフェースフランジ ２３…ベローズ ２４、２６…ゲートバルブ ２５…パージ用ターボ分子ポンプ ２７…搬送室 ３１…プレートヒータ ３２…半導体ウェーハ ３３…軸 ４１…プロセスガス ４２、４３、４４…Ｎ2 ガス ５０…Ｎ2 ライン ５１…マスフローコントローラ ５２…エアバルブ ６１、６２、６３…Ｎ2 パージライン ６４、６５、６６…パージポート ７１、７２、７３…ニードルバルブ １００、２００…枚葉コールドウォール方式半導体製造
装置
装置
Claims (2)
- 【請求項１】電子部品製造用基板に成膜を行う反応室
と、 前記反応室に連通する空間をその内部に備える部材と、 前記反応室における前記電子部品製造用基板への成膜中
に、前記部材内の前記空間に不活性ガスを流入する不活
性ガス流入手段と、 を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】電子部品製造用基板に成膜を行う反応室
と、前記反応室に連通する空間をその内部に備える部材
と、前記部材内の前記空間に不活性ガスを流入可能な不
活性ガス流入手段とを備える基板処理装置を使用して、 前記反応室における前記電子部品製造用基板への成膜中
に、前記不活性ガス流入手段により前記部材内の前記空
間に不活性ガスを流入させることを特徴とする基板処理
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2919998A JPH11214317A (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2919998A JPH11214317A (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214317A true JPH11214317A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=12269539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2919998A Pending JPH11214317A (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214317A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005004219A1 (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-13 | Tokyo Electron Limited | 減圧処理装置及び減圧処理方法並びに圧力調整バルブ |
| JP2005340784A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-12-08 | Sumco Corp | エピタキシャル成長装置 |
| JP2010272889A (ja) * | 2004-04-27 | 2010-12-02 | Sumco Corp | エピタキシャル成長装置 |
| US7980003B2 (en) * | 2006-01-25 | 2011-07-19 | Tokyo Electron Limited | Heat processing apparatus and heat processing method |
| WO2014178160A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
-
1998
- 1998-01-27 JP JP2919998A patent/JPH11214317A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005004219A1 (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-13 | Tokyo Electron Limited | 減圧処理装置及び減圧処理方法並びに圧力調整バルブ |
| US8051870B2 (en) | 2003-07-03 | 2011-11-08 | Tokyo Electron Limited | Pressure reduction process device, pressure reduction process method, and pressure regulation valve |
| JP2005340784A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-12-08 | Sumco Corp | エピタキシャル成長装置 |
| JP2010272889A (ja) * | 2004-04-27 | 2010-12-02 | Sumco Corp | エピタキシャル成長装置 |
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| KR101176238B1 (ko) * | 2006-01-25 | 2012-08-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 가열 처리 장치, 가열 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한기억 매체 |
| WO2014178160A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| JPWO2014178160A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2017-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| TWI612178B (zh) * | 2013-04-30 | 2018-01-21 | Tokyo Electron Ltd | 成膜裝置 |
| US10221478B2 (en) | 2013-04-30 | 2019-03-05 | Tokyo Electron Limited | Film formation device |
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