TWI612178B - 成膜裝置 - Google Patents

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Kentaro Asakura
Seishi Murakami
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Description

成膜裝置
本發明係關於一種抑制反應氣體到達至進行基板之成膜的處理容器下部所設置的波紋管之技術。
作為在為基板的例如半導體晶圓(以下稱為「晶圓」)上進行成膜之手法，已知有所謂配置晶圓至已形成真空氛圍的處理容器內，在其表面使反應氣體反應並使沉積物沉積之CVD(Chemical Vapor Deposition)法，或者將會相互反應的複數種反應氣體依序對晶圓供給而使該等氣體吸附於晶圓表面並使沉積物沉積之ALD(Atomic Layer Deposition)法或MLD(Multi Layer Deposition)法(以下，將該等統稱為ALD法)等方法。
實施該等成膜處理的成膜裝置之中，在將處理對象之晶圓一片片地載置至載置台上而進行成膜處理的枚葉式成膜裝置中，有一種會因應操作內容(例如在成膜裝置或外部搬送機構間收授晶圓)來使載置台的高度位置上下移動者。此時，從處理容器內防止揚塵等觀點而言，載置台之升降機構便有配置在處理容器外部的情形，載置台係透過通過處理容器所設置的貫通口而突出至處理容器外部的升降軸連接至升降機構。然後，於貫通口的邊緣部與升降機構間會藉由設置伸縮自如的波紋管來保持處理容器之氣密，並將內部維持在真空氛圍。
於是，當上述貫通口預先形成為例如具有較升降軸直徑要大十幾mm~數十mm程度的直徑者時，則會避開升降軸或處理容器本體等機器彼此的接觸，而可容易組裝或維護。另一方面，當升降軸與貫通口之間隔擴大時，反應氣體會從處理容器進入至波紋管內，而使得反應生成物會容易沉積在波紋管內表面。由於波紋管會配合其伸縮而變形，此時，反應生成物便會 剝離而產生塵粒，便有變成晶圓污染源之虞。
關於此點，例如引用文獻1係記載有具備了將成膜對象之被處理基板繞鉛直軸旋轉自如，以及上下自如地保持之基板保持台的成膜裝置。此成膜裝置係構成為藉由波紋管等間隔壁來密閉基板保持台所連接的旋轉軸的上下的空間。然而，該引用文獻1並未揭示旋轉自如並上下自如地保持基板保持台，並將處理容器內之空間與波紋管內之空間加以隔離的間隔壁之具體構成。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2002-151489號公報：段落0100、圖19
本發明係在此般緣由下而進行者，其目的係提供一種容易組裝或維護，又可抑制反應氣體進入至波紋管內的成膜裝置。
本發明之成膜裝置係具備有：處理容器，係具備真空排氣部，並在真空氛圍下供給反應氣體至基板表面而進行成膜處理；載置台，係設置於該處理容器內，並用以載置基板；升降軸，係以從下面側支撐該載置台的狀態下而延伸於上下方向之方式加以設置，並通過該處理容器上所設置的貫通口而連接至外部的升降機構；波紋管，係設置於該處理容器與該升降機構之間，並從側方包覆該升降軸之周圍；蓋構件，係於該升降軸側周面之間以透過間隙來包圍該升降軸之方式加以配置，且以其下方側空間與上方側空間之連通會在該間隙以外的部位中被加以阻擋之方式橫跨於全周而安裝在處理容器上；以及吹淨氣體供給部，係為了透過該升降軸與蓋構件間的間隙來形成從該波紋管流動至處理容器的氣體流，而供給吹淨氣體至該波紋管內。
該成膜裝置亦可具備以下之構成。
(a)透過該間隙而包圍升降軸的蓋構件之內周面高度尺寸係較該貫通口之內周面高度尺寸更大。
(b)該蓋構件係設置有用以擴大包圍該升降軸之內周面高度尺寸的套 筒。
(c)該載置台係具備有用以加熱基板的加熱部，該蓋構件上面係為了抑制因為來自該加熱部之放熱使得蓋構件之溫度上升而形成有擴大該等加熱部與蓋構件間之距離的凹部。
(d)具備有配置於該蓋構件外周面與波紋管內周面之間，並較該蓋構件下端部更伸出至下方側之筒狀構件。該筒狀構件係以於其外周面與波紋管內周面之間會形成有間隙之方式加以配置，且該吹淨氣體供給部係從該筒狀構件與波紋管之間隙內的上方位置供給吹淨氣體至波紋管內。
(e)具備有於為進行該成膜處理之位置的載置台側周面之間以透過間隙來包圍該載置台之方式加以配置，並將該處理容器內部區分成被供給該反應氣體之上部側的處理空間與下部側空間之包圍構件；以及從該處理空間側進行該處理容器內之真空排氣的真空排氣部；其中流過該升降軸與蓋構件間之間隙的吹淨氣體係流入至該下部側空間。
(f)該處理容器係具備有在與該載置台之間形成用以使反應氣體擴散而進行成膜處理的處理空間，並具有供給該反應氣體的氣體供給孔之頂板部；該升降機構係透過該升降軸使該載置台升降於形成該處理空間的處理位置與較該處理位置更下方側之位置之間；並具備有用以供給潔淨氣體至該載置台上面側的第1潔淨氣體供給部；以及用以沿著該升降軸而供給潔淨氣體至該載置台下面側的第2潔淨氣體供給部。
(g)具備有在使該載置台下降至較該處理位置更下方側的狀態下，以從該第2潔淨氣體供給部進行潔淨氣體之供給的方式而輸出控制訊號之控制部。進一步地，該控制部以使該載置台上升至處理位置而從該第2潔淨氣體供給部進行潔淨氣體之供給的方式而輸出控制訊號。具備有上部側非活性氣體供給部，係供給非活性氣體至設置於該頂板部的氣體供給孔，該控制部係以於從該第2潔淨氣體供給部 供給潔淨氣體時，從該上部側非活性氣體供給部透過氣體供給孔來供給非活性氣體至該處理容器內的方式而輸出控制訊號。
(h)具備有在使該載置台下降至較該處理位置更下方側的狀態下，以從該第1潔淨氣體供給部進行潔淨氣體之供給的方式而輸出控制訊號之控制部。進一步地，該控制部以使該載置台上升至處理位置而從該第1潔淨氣體供給部進行潔淨氣體之供給的方式而輸出控制訊號。該吹淨氣體供給部係構成為可供給非活性氣體，且該控制部係以於從該第1潔淨氣體供給部供給潔淨氣體時，從該吹淨氣體供給部供給非活性氣體至該處理容器內的方式而輸出控制訊號。
(i)該第2潔淨氣體供給部係將由吹淨氣體供給部所供給的吹淨氣體利用為擴散氣體，並於該載置台下面側配合該擴散氣體的流動而供給潔淨氣體至使潔淨氣體擴散的位置。
(j)該第1潔淨氣體供給部係透過該頂板部的氣體供給孔來供給潔淨氣體至處理容器內。
(k)該載置台係具備有以此載置台上面側邊緣部加以卡固，並於與該載置台之間透過間隙而從側方包圍該載置台側周面之環狀罩構件，此罩構件與該載置台上面側邊緣部之接觸部係設置有用以使潔淨氣體進入的溝部。
(l)具備有該潔淨氣體之供給會在藉由該真空排氣部所真空排氣的處理容器內加以進行，且從該第2潔淨氣體供給部之潔淨氣體的供給係較從該第1潔淨氣體供給部供給潔淨氣體時要更高壓之氛圍下加以進行之方式而輸出控制訊號之控制部。
(m)該真空排氣部係將氣體從該處理空間透過該載置台與頂板部間的間隙排氣至側方。
本發明由於係使用蓋構件來封閉處理容器所設置之貫通口與載置台的升降軸之間，故可成為改等貫通口與升降軸會保有充分的間隔而組裝及維修容易之成膜裝置。又，成膜裝置之使用時，係一邊使得該蓋構件與升降軸之間形成間隙，一邊封閉貫通口與升降軸之間的開口，而形成從下側之波紋管朝處理容器流動之吹淨氣體流。因此，反應氣體難以進入至波紋管 內側之空間，可抑制反應氣體朝波紋管內表面之沉積而抑制塵粒之發生。
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧處理容器
15‧‧‧貫通口
2‧‧‧載置台
31‧‧‧頂板部
141‧‧‧氮氣供給路
23‧‧‧升降軸
231‧‧‧波紋管
232‧‧‧升降板
41、41a、41b‧‧‧蓋構件
412‧‧‧凹部
417‧‧‧套筒
42‧‧‧筒狀構件
43‧‧‧環構件
63a、63b‧‧‧氮氣供給源
[圖1]本發明實施形態相關的成膜裝置之縱剖側面圖。
[圖2]該成膜裝置內所設置的載置台之放大縱剖面圖。
[圖3]於構成該成膜裝置之處理容器底部所設置的蓋構件等之立體圖。
[圖4]該波紋管與處理容器之連接部中的縱剖面圖。
[圖5]供給吹淨氣體至波紋管內的環構件之底面圖。
[圖6]該成膜裝置之第1作用的說明圖。
[圖7]該成膜裝置之第2作用的說明圖。
[圖8]顯示該蓋構件之其他範例的說明圖。
[圖9]顯示該蓋構件之再一其他範例的說明圖。
[圖10]該成膜裝置之潔淨動作的第1作用的說明圖。
[圖11]該成膜裝置之潔淨動作的第2作用的說明圖。
[圖12]該成膜裝置之潔淨動作的第3作用的說明圖。
[圖13]該成膜裝置之潔淨動作的第4作用的說明圖。
就本發明實施形態相關的成膜裝置之構成係參照圖1來加以說明。本成膜裝置係構成為交互地供給為會相互反應之反應氣體的四氯化鈦(TiCl4)氣體(原料氣體)與氨(NH3)氣體(氮化氣體)至為成膜對象之例如直徑為300mm的圓形晶圓W(基板)的表面上而藉由ALD法來成膜氮化鈦(TiN)膜之裝置。
圖1所示之成膜裝置係具備有：由鋁等金屬所構成，且平面形狀為約略圓形的真空容器，並對晶圓W進行成膜處理的處理容器1；設置於此處理容器1內並載置有晶圓W的載置台2；以及以與載置台2對向之方式加以設置並用以與載置台2之間形成處理空間312的頂板部31。處理容器1側面係設置有在與載置台2之間進行晶圓W之收授時，用以使外部真空搬送室所設置的晶圓搬送機構進入處理容器1內的搬出入口11，以及開閉此 搬出入口11的閘閥12。
較該搬出入口11更上部側的位置係以會重疊在構成處理容器1本體的側壁上之方式而設置有由鋁等金屬所構成並使縱剖面形狀為將角形的管路圓環狀地彎曲而加以構成的排氣管路13。排氣管路13之內周面係沿著圓周方向而朝處理容器1內開口，從處理空間312流出的氣體係透過此開口排氣至排氣管路13內。排氣管路13之外壁面係形成有排氣口132，此排氣口132係連接有由真空幫浦等所構成的排氣部65。排氣部65係與處理容器1所設置之未圖示的壓力計連接，並可藉由基於壓力計之指示結果而增減排氣量，來進行處理容器內之壓力調節。排氣口132或排氣部65係相當於進行處理空間312內之真空排氣的真空排氣部。
處理容器1係於該排氣管路13的內側位置配置有載置台2。載置台2係由較晶圓W大上一圈的圓板所構成，並且係由陶瓷或金屬所構成。載置台2內部係埋設有用以將晶圓W加熱至例如350℃~450℃成膜溫度之為加熱部的加熱器21。又，因應必要，亦可設置用以將晶圓W固定在該載置台2上面側之載置區域內之未圖示的靜電吸盤。
載置台2係具備有於與該載置台2側周面之間透過間隙而從側方包圍此側周面之環狀載置台罩構件22。載置台罩構件22係例如由鋁等所構成，並具備有上下端分別開口之扁平圓筒形狀的筒狀部221，且筒狀部221上端部係形成橫跨於圓周方向朝內側彎曲的彎曲部222(圖2)。此彎曲部222係卡固於載置台2之上面側邊緣部，該彎曲部222之厚度尺寸係較晶圓W之厚度尺寸要厚。
進一步地，此載置台罩構件22係為了提高因後述的潔淨氣體之載置台2潔淨效果，便於與載置台2邊緣部接觸的彎曲部222的下面側沿著圓周方向而設置有用來使潔淨氣體進入、擴散的溝部223。
如圖1所示，該排氣管路13之開口部下端位置係設置有以填滿該排氣管路13與載置台2間之間隙的方式來包圍載置台2，而將處理容器1內部區分成上部側空間(處理空間312)與下部側空間(底部區域10)之為包圍構件的內環131。此內環131係例如由鋁所形成的環狀構件，並具備以透過間隙包圍該載置台罩構件22側周面之方式所配置的筒狀部131a。內環131亦可 藉由例如石英製的環罩來覆蓋其上面側。
載置台2下面側中央部係連接有貫通處理容器1底面而延伸於上下方向的棒狀升降軸23。此升降軸23下端部係透過水平配置於處理容器1下方側的板狀升降板232、圓柱桿233而連接至使此圓柱桿233伸縮的馬達部24。升降板232或圓柱桿233、馬達部24係構成升降軸23之升降機構。升降機構係藉由使升降軸23上下移動，使得載置台2會於對晶圓W進行成膜的處理位置，與為此處理位置的下方側而與從搬出入口11進入的晶圓搬送機構間收授晶圓W的收授位置(圖1中以一點鏈線加以記載)之間升降。
如圖1、圖4所示，處理容器1底面係設置有用以讓升降軸23穿過的貫通口15，且升降軸23係通過此貫通口15之內側而於處理容器1下方位置連接至升降板232。貫通口15之開口徑係例如可將升降軸23側周面配置於從貫通口15內周面起10~50mm左右內側位置之程度的大小。為了將設置有貫通口15的處理容器1內保持在真空氛圍，貫通口15邊緣部與升降板232之間便會以從側方包覆升降軸23周圍之方式設置有將處理容器1內之氛圍與外部區分且伴隨升降板232升降動作而伸縮的波紋管231。
載置台2下方側係設置有在與外部的晶圓搬送機構之晶圓W收授時，從下面側支撐而舉起晶圓W的例如3條支撐銷25。支撐銷25係連接於升降機構26而升降自如，並藉由透過上下方向上貫通載置台2的貫通孔201而使支撐銷25從載置台2上面伸縮來與晶圓搬送機構之間進行晶圓W之收授。
排氣管路13上面側係以堵塞圓形開口之方式而設置有圓板狀支撐板32，該等排氣管路13與支撐板32之間係設置有用以將處理容器1內保持氣密的O型環133。支撐板32下面側係設置有具備用以供給反應氣體或置換氣體至處理空間312之開口部315的頂板部31，且頂板部31係藉由螺絲323而支撐固定於支撐板32。
頂板部31下面側係形成有凹部，且此凹部係形成有從中央側朝外周側逐漸展開形狀的傾斜面。此傾斜面之更外側係設置有環狀平坦的前端部314。
使載置台2上升至處理位置時，頂板部31係以載置台2所設置的載置 台罩構件22上面與前端部314下面會相互對向之方式來加以配置。由頂板部31之凹部與載置台2上面所包圍的空間係成為對晶圓W進行成膜的處理空間312。
又，如圖1所示，頂板部31之前端部314下面與載置台罩構件22之彎曲部上面之間係以形成有間隙的方式來設定載置台2之處理位置的高度。該排氣管路13係朝向此間隙而開口，而將供給至處理空間312之反應氣體朝側方排氣。
頂板部31之該凹部的中央部係形成有用以供給反應氣體至處理空間312內的氣體供給路311。氣體供給路311係在上下方向上貫通頂板部31中央部，而其下端部係形成有朝向載置台2而於下方側開口的開口部315(氣體供給孔)。此開口部315下方側係設置有用以使從氣體供給路311所供給的反應氣體衝撞並分散於處理空間312內之分散板33。
分散板33係例如由圓形板材構成，而其上面側中央部係藉由從支撐板32下面伸出的支撐棒311來加以支撐。氣體供給路311之開口部315從正下方觀之時，分散板33係以包覆此開口部315之方式而配置在該開口部315的下方側。
另一方面，氣體供給路311上游側係分岔為用以供給氨氣與置換用氮氣至氣體供給路311之氨供給路321，以及用以供給四氯化鈦氣體與置換用氮氣至氣體供給路311之四氯化鈦供給路322。
氨供給路321與四氯化鈦供給路322係透過配管而連接至氨氣供給源62與四氯化鈦氣體供給源64，且該等配管係分別於中途分岔而連接至共通的氮氣供給源63a。各配管係設置有進行氣體之供給阻斷的開閉閥602，以及進行氣體供給量之調整的流量調整部601。
上述之成膜裝置係為了除去附著於處理容器1內之機器的反應生成物而從載置台2上面側及下面側之分別相異位置具備有供給潔淨氣體的機構。
本範例之成膜裝置中，係透過上述之氣體供給路311來供給潔淨氣體至載置台2上面側。
詳細而言，成膜時進行氨氣或四氯化鈦氣體等供給之氨供給路321、四氯化鈦供給路322之配管會分別分岔而連接至共通的氮氣供給源61a。本範 例中，係顯示使用三氟化氯(ClF3)來作為潔淨氣體之例子。各配管係設置有進行氣體之供給阻斷的開閉閥602，以及進行氣體供給量之調整的流量調整部601。就所謂從載置台2上面側供給潔淨氣體至處理容器1內的觀點而言，氣體供給路311、氨供給路321、四氯化鈦供給路322、潔淨氣體供給源61a等係相當於本實施形態中第1潔淨氣體供給部。
具備上述構成之成膜裝置係設置有抑制因為供給至處理容器1內的反應氣體通過貫通口15與升降軸23之間而到達至波紋管231內表面所致反應生成物之沉積的機構。
以下，就該機構之構成加以說明。
為了抑制反應氣體到達至波紋管231，貫通口15係設置有插入於處理容器1本體與升降軸23之間而堵塞貫通口15的蓋構件41、配置於此蓋構件41與波紋管之間的筒狀構件42，以及配置於處理容器1底面而支撐該等蓋構件41、筒狀構件42的環構件43(圖3、圖4)。
蓋構件41係將處理容器1底面所設置的貫通口15與升降軸23之間的空間堵塞的筒狀構件。成為蓋構件41本體之圓筒部414的上端係形成有凸緣部411，蓋構件41係使此凸緣部411下面卡固於環構件43而被配置於該貫通口15與升降軸23之間。
如圖4所示，蓋構件41係以升降軸23側周面與圓筒部414內周面之間會形成有間隙之方式加以配置，升降軸23係可讓蓋構件41內側在上下方向上自由移動。當以不同描述來說明升降軸23與蓋構件41之配置狀態時，蓋構件41可謂為以與升降軸23側周面之間透過間隙來包圍升降軸23之方式加以配置，並以其下方側空間(波紋管231內的空間)與上方側空間(處理容器1內的空間)之連通會在上述間隙以外的部位中被加以阻擋之方式橫跨於全周而安裝在處理容器1上。
又，蓋構件41係為了抑制因為從具備了加熱器21之載置台2的放熱(熱輻射或後述之透過氮氣來熱傳遞等)而使得溫度上升，故藉由使圓筒狀414之凸緣部411側的內周面擴大口徑而形成有凹部412。藉由設置此凹部412來擴大載置台2與蓋構件41表面之距離，便可抑制因為載置台2之放熱使得突緣部411之溫度上升。又，為了使得升降軸23側周面與圓筒部414內 周面透過間隙而將對向之區域的高度尺寸盡可能地擴大，並且不讓蓋構件41之累積熱量過大，圓筒部414下部側係形成有較圓筒部414本體厚度尺寸要小的套筒417。
升降軸23與蓋構件41(圓筒部414)間的間隙尺寸係例如為1~5mm。又，透過該間隙而對向於升降軸23之蓋構件41的高度尺寸(從凹部412底面至套筒417下端的距離)較佳是較貫通口15內周面的高度尺寸(處理容器1的厚度尺寸)更大。藉此，處理容器1內的反應氣體便會更難以進入至波紋管231內。
接著，如圖3所示，筒狀構件42為在圓筒狀本體部422上端設置了凸緣部421的構造，且筒狀構件42係藉由將此凸緣部421卡固於環構件43而配置於該蓋構件41與波紋管231之間。如圖4所示，筒狀構件42係在將蓋構件41、筒狀構件42配置在既定位置時，筒狀構件42下端部會成為位於較蓋構件41(套筒417)下端部更下方側的高度尺寸。藉此，便能擴大從升降軸23與蓋構件41間的間隙之出口至波紋管231內壁面之距離，而抑制進入的反應氣體到達至波紋管231內壁面。
環構件43係固定配置於處理容器1底面上之該貫通口15的周圍，並使蓋構件41與筒狀構件42之凸緣部411、421卡固而支撐該等構件41、42。環構件43上面側內周緣部係設置有用以將筒狀構件42之凸緣部421嵌入並固定在環構件43上面與蓋構件41之凸緣部411下面之間的段差部433。
如圖5所示，環構件43下面係形成有用以供給為吹淨氣體的非活性氣體，例如氮氣至波紋管231內側的溝部。藉由將形成有此溝部的環構件43固定在處理容器1底面上，由該等溝部與處理容器1所包圍的空間便會成為氮氣流路435。以下，為了說明簡便，便將此溝部本身亦稱為氮氣流路435。
設置於氮氣流路435基端側的埠部435a係連接至處理容器1所形成的氮氣供給路142，且此氮氣供給路142係透過配管而連接至氮氣供給源63b。就此配管係設置有氣體供給阻斷用的開閉閥602，以及進行流量調整的流量調整部601這點係與頂板部31側的氮氣供給源63a相同。另外，為了圖示或說明簡便，雖然本範例的成膜裝置中係就將氮氣供給源63a、63b構成為相異個體之情形而加以例示，然而因應需要當然亦可將該等共通化。
氮氣流路435末端係設置有朝向環構件43內周面開口的4個氮氣吐出孔432。該等氮氣吐出孔432係沿著環構件43內周面的圓周方向而幾乎等間隔地加以配置。於此，氮氣流路435係從埠部435a至各氮氣吐出孔432之流路長度會相互地約略相等，而流路的流導性會一致之方式加以分歧。
氮氣供給源63b或氮氣供給路411、氮氣流路435、氮氣吐出孔432等係相當於本實施形態的吹淨氣體供給部。
如圖4等所示，從氮氣吐出孔432吐出的氮氣係供給至處理容器1之貫通口15與筒狀構件42間之間隙的上部位置，並從上方側朝下方側流動於此間隙內。藉此，藉由形成沿著波紋管231流動的氮氣流亦可抑制反應氣體附著至波紋管231內壁面。
如以上說明般，蓋構件41或環構件43係用以抑制反應氣體進入至波紋管231內而加以設置。本範例之成膜裝置中，係利用該等蓋構件41、環構件43來進行潔淨氣體至載置台2下面側之供給。
關於潔淨氣體之供給，環構件43下面係形成有用以朝向載置台2下面側而供給潔淨氣體至處理容器1內的溝部。由此溝部與處理容器1所包圍的空間係成為潔淨氣體流路434(以下，該溝部亦稱為潔淨氣體流路434)。
設置於潔淨氣體流路434基端側的埠部434a係連接至處理容器1所形成的潔淨氣體供給路141，且此潔淨氣體供給路141係透過設置有開閉閥602以及流量調整部601的配管而連接至進行為潔淨氣體之三氟化氯之供給的潔淨氣體供給源61b。另外，為了圖示或說明簡便，雖然本範例的成膜裝置中係就將潔淨氣體供給源61a、61b構成為相異個體之情形加以例示，然而因應需要當然亦可將該等共通化。
與氮氣流路435之情形相同，潔淨氣體流路434亦是以使得流路長度會相互地約略相等且流路的流導性會一致之方式而分歧為4根，其末端部係聯繫至將形成於蓋構件41之凸緣部411內的潔淨氣體導入路415與潔淨氣體流路434加以連接之連接流路431。連接流路431末端部係於環構件43上面開口，並與蓋構件41之凸緣部411下面所開口的潔淨氣體導入路415連接。
潔淨氣體導入路415係於該凸緣部411內橫向地延伸至徑向內側，並朝 向位於擴徑部412上端部的傾斜面開口。此開口部係相當於吐出潔淨氣體至處理容器1內的潔淨氣體吐出孔413。潔淨氣體吐出孔413係沿著該擴徑部412傾斜面的圓周方向而幾乎等間隔地加以配置。
就所謂從載置台2下面側供給潔淨氣體至處理容器1內的觀點而言，潔淨氣體導入路415、連接流路431、潔淨氣體流路434、潔淨氣體供給路141，以及潔淨氣體供給源61b係相當於本實施形態中的第2潔淨氣體供給部。另外，為了圖示簡便，圖4以外的縱剖面圖中，潔淨氣體導入路415、連接流路431、潔淨氣體流路434、氮氣流路435、潔淨氣體供給路141，以及氮氣供給路142之記載係斟酌予以省略。
如圖3所示，蓋構件41係由沿著中心軸方向被一分為二的構件所構成。例如成膜裝置之組裝時，係在預先配置了筒狀構件42、環構件43之貫通口15將支撐有載置台2的升降軸23插入而進行與升降機構之連接。然後，以將升降軸23從側方側夾持之方式而配置構成蓋構件41之構件，並將該等構件以螺絲416等加以連結之後，便將蓋構件41配置於既定位置。藉由讓貫通口15與升降軸23之間隔保持餘裕來使得成膜裝置之組裝或其後的維護變得容易。
具備以上所說明之構成的成膜裝置係如圖1所示般與控制部7連接。控制部7係例如由具備了未圖示的CPU與記憶部之電腦所構成，且記憶部係儲存有關於成膜裝置之作用，亦即由使載置台2上所載置的晶圓W上升至處理位置、以預先決定的順序供給反應氣體與置換用氣體至處理空間312內來實行TiN之成膜、再使用潔淨氣體來進行處理容器1內之潔淨之動作的步驟(命令)群所組成的程式。此程式係儲存於例如硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡等記憶媒體，並由此安裝至電腦。
接著，就使用本成膜裝置來進行TiN成膜之作用，邊參照圖4、6、7邊加以說明。另外，圖6、圖7中，係省略潔淨氣體供給源61a、61b或連接至該等潔淨氣體供給源61a、61b之流路的記載。
首先，預先將處理容器1內減壓至真空氛圍之後，如圖6所示使載置台2下降至收授位置。然後，打開閘閥12，使得與搬出入口11連接的真空搬送室所設置的晶圓搬送機構之搬送臂進入，以進行與支撐銷25間的晶圓 W之收授。然後，使支撐銷25下降，而將晶圓W載置在藉由加熱器21而被加熱至上述成膜溫度的載置台2上。
此時，如圖4、圖6所示，從氮氣供給源63b會供給例如在100~5000sccm(0℃、1大氣壓基準)範圍內之1500sccm的氮氣至波紋管231內。從氮氣吐出孔432流入至波紋管231內的氮氣係從上往下流動在筒狀構件42外周面與波紋管231內周面間所形成的間隙內。氮氣係很快到達筒狀構件42下端部，並擴散至波紋管231內側的全體空間，且其一部分係流入至升降軸23與蓋構件41之間隙內。然後，氮氣係透過此間隙而流入至處理容器1之底部區域10，並上升處理容器1內而由排氣口132來加以排氣。
若晶圓W被載置在載置台2上，則關閉閘閥12，並使載置台2上升至處理位置來形成處理空間312，且進行處理容器1內的壓力調整。接著，在被加熱至既定溫度的晶圓W表面上透過氣體供給路311而依四氯化鈦氣體→氮氣→氨氣→氮氣之順序來反覆供給反應氣體(四氯化鈦氣體、氨氣)及置換用氣體(氮氣)(圖7)。此結果，吸附於晶圓W的反應氣體會相互反應而形成氮化鈦(TiN)分子層，此分子層會層積而將氮化鈦膜加以成膜。另外，圖7中係顯示供給四氯化鈦氣體至處理空間312之狀態。
於此，晶圓W成膜時，即使因加熱器21使載置台2之溫度上升，然而藉由在蓋構件41上面形成凹部412而擴大載置台2與蓋構件41之距離，便可抑制起因於從載置台2之放熱而使得蓋構件41之溫度上升。此結果，可抑制起因於構成蓋構件41之構件之溫度上升而發生的腐蝕。
晶圓W之成膜中亦會持續地從氮氣供給源63b供給氮氣至波紋管231內，此氮氣會通過升降軸23與蓋構件41之間隙而供給至底部區域10。然後，被上升至處理位置的載置台2周圍因為配置有內環131，故處理容器1內會被區劃成載置台2與內環131之上部側空間(處理空間312或排氣管路13內的空間)及下部側空間(底部區域10)之狀態。
流入至底部區域10的氮氣係透過載置台2與內環131之間隙而流入至排氣管路13內，並被排出至外部。如此般，藉由將氮氣流動至區劃載置台2之上下空間的載置台2與內環131之間，來抑制流動在處理空間312或排氣管路13內之反應氣體進入至底部區域10。
因此，從波紋管231側觀之時，本範例之成膜裝置係可謂為藉由流動在載置台2與內環131之間隙的氮氣流，以及流動在升降軸23與蓋構件41之間隙的氮氣流，來雙重地抑制反應氣體之進入。
進一步地，與該等氮氣流相反，即使一部分反應氣體進入至下方側，但是因為升降軸23與蓋構件41間的間隙之高度尺寸會在上下方向上擴展，故反應氣體會難以到達至波紋管231內。然後，若即使有一部分原料氣體進入至波紋管231內，則可藉由在波紋管231內側配置有筒狀構件42，來抑制反應氣體到達至具可動部之波紋管231，並抑制起因於反應生成物之附著而產生塵粒。又，流動在筒狀構件42與波紋管231之間隙的氮氣流亦有抑制反應氣體到達至波紋管231內壁面的效果。
如此一來，將上述之反應氣體或置換氣體之供給循環反覆操作數十次~數百次的程度，而一旦成膜出所欲膜厚之氮化鈦膜，便停止氣體之供給，停止處理容器1內之真空排氣並降下載置台2，並打開閘閥12而取出晶圓W。
根據本實施形態相關的成膜裝置會有以下的效果。成膜裝置使用時，以於蓋構件41與升降軸23間形成間隙之方式並堵塞貫通口15與升降軸23間的開口，來形成從下方側的波紋管231流動至處理容器1之氮氣(吹淨氣體)流。如此一來，反應氣體便會難以進入至波紋管231內側空間，而可抑制反應生成物沉積至波紋管231內表面而發生塵粒。
於此，於蓋構件41設置凹部412或套筒417，或於蓋構件41與波紋管231間設置筒狀構件42乃非必要的要件。例如，如圖8所示，亦可配置不具有凹部412或套筒417的蓋構件41a，又，省略筒狀構件42之配置。
又，圖9係顯示設置套筒417於圓板形狀的蓋構件41b上面側及下面側，且將此蓋構件41b藉由螺固等來安裝於貫通口15下面側的邊緣部的範例。此時，套筒417亦可僅設置於蓋構件41b上面側。又，亦可變更導入氮氣至波紋管231內之位置，且圖9係顯示從升降板232供給氮氣之範例。
接著，就進行處理容器1內之潔淨的作用邊參照圖1、2、4、10~13邊加以說明。
反覆進行先前說明的成膜動作時，會有起因於反應氣體之反應生成物 會沉積至處理容器1內壁或機器表面而成為塵粒發生之原因之虞。於是，便於每既定時間或每既定片數實行潔淨。
潔淨係在載置台2上未載置晶圓W之狀態下將處理容器1內真空排氣，例如進行壓力調節至例如66.7~666.6Pa(0.5~5Torr)範圍內的266.6Pa(2Torr)。然後，如圖10所示，使載置台2位於較處理位置更下方側的位置，來使得內環131更上方側的空間(使載置台2移動至處理位置時，成為處理空間312的空間或排氣管路13內的空間)與底部區域10連通。
接下來進行壓力調節，並以加熱器21來將載置台2調節至潔淨用溫度(例如180~300℃範圍內的200℃)，透過氣體供給路311以例如5~1000sccm(0℃、1大氣壓基準)範圍內的120sccm流量來供給潔淨氣體至處理容器1內。又，雖然圖10、圖11中未顯示，但潔淨氣體係被供給而混合有來自氮氣供給源63a而作為稀釋氣體之例如10~2000sccm範圍內之280sccm的氮氣。
於是，圖10、圖11中顯示為了亦進行氨供給路321、四氯化鈦供給路322內之潔淨，故透過該等供給路321、322雙方而朝向氣體供給路311供給潔淨氣體之範例。然而，朝向氣體供給路311之潔淨氣體之供給係不限於使用該等雙方的供給路321、322之情形。因應需要，可僅使用供給路321、322之任一者，亦可依序地切換而使用該等供給路321、322。
透過氣體供給路311，從移動於下方側的載置台2上面側供給潔淨氣體至處理容器1內時，潔淨氣體會通過內環131內側而擴散至處理容器1內全體。然後，潔淨氣體會接觸至處理容器1內壁或頂板部31、內環131、載置台2等各機器而除去反應生成物。
此時，處理容器1底面側中係從氮氣供給源63b供給例如100~5000sccm範圍內之1500sccm的氮氣來抑制潔淨氣體進入至非潔淨對象的波紋管231內。因此，從載置台2上面側供給潔淨氣體的期間中，升降軸23與蓋構件41之間隙係可謂為從吹淨氣體供給部(氮氣供給源63b或氮氣供給路141、氮氣流路435、氮氣吐出孔432等)供給有非活性氣體。
如此一來，若在圖10所示狀態下進行既定時間的潔淨，則會在處理容器1內之壓力設定以及潔淨氣體或稀釋氣體、從底面側之氮氣供給量未改 變下，使載置台2移動至處理位置(圖11)。藉此，潔淨氣體會直接吹拂至載置台2，而可細緻地潔淨會容易附著反應生成物的載置台2上面。另外，藉由使載置台2移動至處理位置，使得載置台2與內環131之間隙的流導性會下降，而在底部區域10之壓力會上升的情況下，亦可適當地減少從波紋管231側所供給的氮氣供給量。
若實施既定時間的從處理位置中之載置台2上面側的潔淨氣體供給，則停止從氣體供給路311之潔淨氣體供給，並再次使載置台2移動至較處理位置更下方側(圖12)。然後，將處理容器1內的壓力設定值設定成例如66.7~666.6Pa(0.5~5Torr)之範圍內，較從上面側供給潔淨氣體時之壓力更高的533.3Pa(4Torr)。
又，將從波紋管231側之氮氣供給調節成例如100~5000sccm範圍內之1900sccm，並從潔淨氣體供給源61b供給例如5~1000sccm範圍內之400sccm的潔淨氣體。如此般地同時供給氮氣、潔淨氣體雙方時，如圖4所示，從蓋構件41之潔淨氣體吐出孔413會朝升降軸23側吐出潔淨氣體至徑向內側。然後，潔淨氣體會透過升降軸23與蓋構件41之間隙而以鞘區狀包圍升降軸23側周面之方式匯流至所吐出的氮氣流，而沿著升降軸23延伸方向朝上面側擴散。
如此一來，沿著升降軸23上升的潔淨氣體會到達至藉由該升降軸23所支撐的載置台2下面，並沿著載置台2朝徑向外側擴展(圖12)。此結果，使得潔淨氣體可接觸至從上面側之供給中潔淨氣體無法充分遍及的載置台2下面側區域，而除去此區域的反應生成物。進行下面側之潔淨時的載置台2之高度位置係不限於圖1之一點鏈線所示之晶圓W的收授位置，而亦可鄰近於潔淨氣體吐出位置，於較收授位置更下方側的高度位置進行潔淨。
從載置台2下面側供給潔淨氣體期間中，升降軸23與蓋構件41之間隙係可謂為從吹淨氣體供給部(氮氣供給源63b或氮氣供給路141、氮氣流路435、氮氣吐出孔432等)供給有用以使潔淨氣體擴散的擴散氣體。又，此擴散用氮氣亦兼具有作為稀釋潔淨氣體之稀釋氣體的功效。
又，藉由將從載置台2下面側供給潔淨氣體時的處理容器1內之壓力設定成較從上面側供給時更高的壓力，可使潔淨氣體充分地進入至載置台2 與載置台罩構件22間而減少反應生成物之除去會不充分的區域。特別是如圖2所示，針對與載置台2接觸的彎曲部222之下面側的溝部223，藉由高壓下從下面側供給潔淨氣體，使得潔淨氣體便會容易進入至溝部223內。習知使用未具備有溝部223的載置台罩構件22之情形中，載置台2與彎曲部222之接觸區域的潔淨是困難的。相對於此，經實驗確認，藉由使用設置了溝部223的載置台罩構件22便可除去該區域所形成的反應生成物。
又，於此潔淨氣體與反應生成物之反應通常為放熱反應之情形居多，且潔淨時之反應壓力上升會關係到因為反應熱的增加而使得機器的溫度上升。因此，供給潔淨氣體至反應生成物會較多的載置台2上面側時係在較低壓的條件下進行，以抑制機器的溫度上升。在上面側之潔淨後，由於處理容器1內之反應生成物亦會某些程度地減少，故即使讓潔淨壓力上升，機器的溫度上升亦會較小。於是，在使潔淨氣體進入至反應生成物不容易除去的區域而供給潔淨氣體至載置台2的下面側的時點，可藉由提高潔淨壓力來實施有效的潔淨。
以上說明了從載置台2下面側供給潔淨氣體來進行潔淨的時點中，頂板部31側中係從氣體供給路311供給氮氣至處理容器內。這是因為防止處理容器內氣體(含有反應生成物之分解成分)進入至已經結束潔淨的氣體供給路311或氨供給路321、四氯化鈦供給路322內，而使得該等供給路311、321、322維持在清淨的狀態。因此，在此期間中，氣體供給路311或氨供給路321、四氯化鈦供給路322、氮氣供給源63a等係實現作為本實施形態之上部側非活性氣體供給部之效果。
如上述般若在圖12所示狀態下進行既定時間的潔淨，則在處理容器1內之壓力設定以及潔淨氣體或擴散氣體、從頂板部31之氮氣供給量係未改變下，使載置台2移動至處理位置(圖13)。藉此，移動至波紋管231側的升降軸23會露出於處理容器1內，而可進行該區域之潔淨。另外，此情形中亦可藉由使載置台2移動至處理位置，使得在載置台2與內環131之間隙的流導性下降，且底部區域10之壓力上升的情形下，適當地減少從波紋管231側所供給的氮氣供給量。又，亦可使載置台2移動至較處理位置更下方側來擴大與內環131之間隙。
根據本實施形態相關得成膜裝置會有以下效果。除了從載置有晶圓W的載置台2上面側供給潔淨氣體至處理容器1內之第1潔淨氣體供給部(氣體供給路311、氨供給路321、四氯化鈦供給路322、潔淨氣體供給源61a等)，還具備沿著從下面側支撐載置台2的升降軸23供給潔淨氣體至該載置台2下面側的第2潔淨氣體供給部(潔淨氣體導入路415、連接流路431、潔淨氣體流路434、潔淨氣體供給路141、潔淨氣體供給源61b等)。因此，可使得從第1潔淨氣體供給部所供給的潔淨氣體難以到達的載置台2下側面直接接觸潔淨氣體，而有效地潔淨該區域。
於此，來自第1、第2潔淨氣體供給部的潔淨氣體之供給順序，及潔淨時載置台2的位置係不限於以使用圖10~圖13所說明之順序來實施的情形，亦可適當地更換該等順序。又，並不一定要藉由如使用圖10~圖13所說明之範例般，依從第1、第2潔淨氣體供給部之順序供給潔淨氣體來進行潔淨。例如，亦可在將載置台2下降至處理位置下方側之狀態下，於從第1、第2潔淨氣體供給部同時地供給潔淨氣體後，使載置台2移動至處理位置，而接著同時地進行上面側、下面側之潔淨，以謀求潔淨時間之縮短。此時，可使處理容器1內的壓力在載置台2朝下方側下降時會較移動至處理位置時更高，使得透過載置台罩構件22之溝部223之載置台2邊緣部的潔淨容易進行。又進一步地，也不一定要總是使載置台2移動至處理位置下方側及處理位置而進行潔淨。例如，亦可使載置台2移動至較處理位置更下方側之狀態下加以固定，並從第1、第2潔淨氣體供給部依序或同時地供給潔淨氣體。
關於頂板部31之構成亦不限於如圖1等所示範例。例如可從不具備分散板33的開口部315直接供給反應氣體或置換氣體，亦可取代分散板33而以設置了多數氣體供給孔之扁平的碗狀構件來覆蓋開口部315。此外，亦可取代具備了凹部的頂板部31，對向於載置台2而配置將多數氣體供給孔分散配置於下面平坦的頂板部31整面上之噴頭式頂板部31。
接著，就第2潔淨氣體供給部之變形加以描述時，於載置台2下面側沿著支撐部23供給潔淨氣體之手法係不限於如圖4所示範例般，朝向沿著支撐部23側周面流動的擴散氣體而使潔淨氣體匯流、擴散之情形。例如， 亦可於支撐部23周圍之處理容器1底面設置吐出潔淨氣體的氣體吐出孔，並從此氣體吐出孔朝上方側而沿著支撐部23供給潔淨氣體。
關於處理容器1內的機器等，並不一定要設置內環131，亦可使較位於處理位置的載置台2更上方側空間(處理空間312等)與底部區域10連通。關於真空排氣部的排氣位置除了從頂板部31與載置台2之間隙的側面進行排氣之圖1等所示範例之外，亦可於頂部側設置排氣口132。又，在未使用內環131之情形中，亦可將排氣口132設置在位於較處在處理位置的載置台2更下方側之處理容器的側壁面上。
然後，作為吹淨氣體所使用的非活性氣體係不限於氮氣之範例，亦可使用氬氣或氦氣。
進一步地，本發明之成膜裝置中，除了上述TiN膜之成膜之外，亦可成膜含有金屬元素，例如為週期表第3週期元素之Al、Si等、為週期表第4週期元素之Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge等、為週期表第5週期元素之Zr、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag等、為週期表第6週期元素之Ba、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt等元素之膜。作為附著在晶圓W表面上的金屬原料者係列舉為將該等金屬元素之有機金屬化合物或無機金屬化合物等作為反應氣體(原料氣體)而加以使用的情形。作為金屬原料的具體例者除了上述之TiCl4之外，列舉為BTBAS(二(特丁胺基)矽烷)、DCS(二氯矽烷)、HCD(六氯二矽甲烷)、TMA(三甲基鋁)、3DMAS(三(二甲胺基)矽烷)等。
潔淨氣體之種類亦相應於被成膜的種類而適當地加以選擇，可使用F2等鹵素系氣體。
又，使晶圓W表面上所吸附的原料氣體反應，而得到所欲的膜之反應係可利用例如利用O2、O3、H2O等之氧化反應、利用H2、HCOOH、CH3COOH等有機酸、CH3OH、C2H5OH等醇類等之還原反應、利用CH4、C2H6、C2H4、C2H2等之碳化反應、利用NH3、NH2NH2、N2等之氮化反應等的各種反應。
進一步地，亦可使用3種類的反應氣體或4種類的反應氣體來作為反應氣體。
另一方面，於晶圓W表面進行成膜的手法係不限於ALD法。在實施例如將金屬源連續地供給至處理容器1內，並在被加熱的晶圓W表面使金屬 源分解而得到薄膜的熱CVD法，或使金屬源與反應氣體等在電漿存在下活性化而反應來進行連續的成膜之電漿CVD法等各種CVD法之成膜裝置中，亦可適用本發明。
1‧‧‧處理容器
2‧‧‧載置台
10‧‧‧底部區域
11‧‧‧搬出入口
12‧‧‧閘閥
13‧‧‧排氣管路
15‧‧‧貫通口
21‧‧‧加熱器
22‧‧‧載置台罩構件
23‧‧‧升降軸
24‧‧‧馬達部
25‧‧‧支撐銷
26‧‧‧升降機構
31‧‧‧頂板部
32‧‧‧支撐板
33‧‧‧分散板
42‧‧‧筒狀構件
43‧‧‧環構件
61a、61b‧‧‧潔淨氣體供給源
62‧‧‧氨氣供給源
63a、63b‧‧‧氮氣供給源
64‧‧‧四氯化鈦氣體供給源
65‧‧‧排氣部
131‧‧‧內環
131a‧‧‧筒狀部
132‧‧‧排氣口
133‧‧‧O型環
201‧‧‧貫通孔
231‧‧‧波紋管
232‧‧‧升降板
233‧‧‧圓柱桿
312‧‧‧處理空間
314‧‧‧前端部
315‧‧‧開口部
321‧‧‧氨供給路
323‧‧‧螺絲
601‧‧‧流量調整部
602‧‧‧開閉閥
W‧‧‧晶圓

Claims (18)

  1. 一種成膜裝置，係具備有：處理容器，係具備真空排氣部，並在真空氛圍下供給反應氣體至基板表面而進行成膜處理；載置台，係設置於該處理容器內，並用以載置基板；升降軸，係以從下面側支撐該載置台的狀態下而延伸於上下方向之方式加以設置，並通過該處理容器上所設置的貫通口而連接至外部的升降機構；波紋管，係設置於該處理容器與該升降機構之間，並從側方包覆該升降軸之周圍；蓋構件，係於該升降軸側周面之間以透過間隙來包圍該升降軸之方式加以配置，且以其下方側空間與上方側空間之連通會在該間隙以外的部位中被加以阻擋之方式橫跨於全周而安裝在處理容器上；吹淨氣體供給部，係為了透過該升降軸與蓋構件間的間隙來形成從該波紋管流動至處理容器的氣體流，而供給吹淨氣體至該波紋管內；以及筒狀構件，係配置於該蓋構件外周面與波紋管內周面之間，並較該蓋構件下端部更伸出至下方側。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中透過該間隙而包圍升降軸的蓋構件之內周面高度尺寸係較該貫通口之內周面高度尺寸更大。
  3. 如申請專利範圍第2項之成膜裝置，其中該蓋構件係設置有用以擴大包圍該升降軸之內周面高度尺寸的套筒。
  4. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中該載置台係具備有用以加熱基板的加熱部，該蓋構件上面係為了抑制因為來自該加熱部之放熱使得蓋構件之溫度上升而形成有擴大該等加熱部與蓋構件間之距離的凹部。
  5. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中該筒狀構件係以於其外周面與 波紋管內周面之間會形成有間隙之方式加以配置，且該吹淨氣體供給部係從該筒狀構件與波紋管之間隙內的上方位置供給吹淨氣體至波紋管內。
  6. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其具備有包圍構件，係於為進行該成膜處理之位置的載置台側周面之間以透過間隙來包圍該載置台之方式加以配置，並將該處理容器內部區分成被供給該反應氣體之上部側的處理空間與下部側空間；以及真空排氣部，係從該處理空間側進行該處理容器內之真空排氣；其中流過該升降軸與蓋構件間之間隙的吹淨氣體係流入至該下部側空間。
  7. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中該處理容器係具備有在與該載置台之間形成用以使反應氣體擴散而進行成膜處理的處理空間，並具有供給該反應氣體的氣體供給孔之頂板部；該升降機構係透過該升降軸使該載置台升降於形成該處理空間的處理位置與較該處理位置更下方側之位置之間；並具備有用以供給潔淨氣體至該載置台上面側的第1潔淨氣體供給部；以及用以沿著該升降軸而供給潔淨氣體至該載置台下面側的第2潔淨氣體供給部。
  8. 如申請專利範圍第7項之成膜裝置，其具備有控制部，係在使該載置台下降至較該處理位置更下方側的狀態下，以從該第2潔淨氣體供給部進行潔淨氣體之供給的方式而輸出控制訊號。
  9. 如申請專利範圍第8項之成膜裝置，其中該控制部進一步地以使該載置台上升至處理位置而從該第2潔淨氣體供給部進行潔淨氣體之供給的方式而輸出控制訊號。
  10. 如申請專利範圍第8項之成膜裝置，其具備有上部側非活性氣體供給部，係供給非活性氣體至設置於該頂板部的氣體供給孔，該控制部係以於從該第2潔淨氣體供給部供給潔淨氣體時，從該上部側非活性氣體供給部透過氣體供給孔來供給非活性氣體至該處理容器內的方式而輸出控制訊號。
  11. 如申請專利範圍第7項之成膜裝置，其具備有控制部，係在使該載置台下降至較該處理位置更下方側的狀態下，以從該第1潔淨氣體供給部進行潔淨氣體之供給的方式而輸出控制訊號。
  12. 如申請專利範圍第11項之成膜裝置，其中該控制部進一步地以使該載置台上升至處理位置而從該第1潔淨氣體供給部進行潔淨氣體之供給的方式而輸出控制訊號。
  13. 如申請專利範圍第11項之成膜裝置，其中該吹淨氣體供給部係構成為可供給非活性氣體，且該控制部係以於從該第1潔淨氣體供給部供給潔淨氣體時，從該吹淨氣體供給部供給非活性氣體至該處理容器內的方式而輸出控制訊號。
  14. 如申請專利範圍第7項之成膜裝置，其中該第2潔淨氣體供給部係將由吹淨氣體供給部所供給的吹淨氣體利用為擴散氣體，並於該載置台下面側配合該擴散氣體的流動而供給潔淨氣體至使潔淨氣體擴散的位置。
  15. 如申請專利範圍第7項之成膜裝置，其中該第1潔淨氣體供給部係透過該頂板部的氣體供給孔來供給潔淨氣體至處理容器內。
  16. 如申請專利範圍第7項之成膜裝置，其中該載置台係具備有以此載置台上面側邊緣部加以卡固，並於與該載置台之間透過間隙而從側方包圍該 載置台側周面之環狀罩構件，此罩構件與該載置台上面側邊緣部之接觸部係設置有用以使潔淨氣體進入的溝部。
  17. 如申請專利範圍第7項之成膜裝置，其具備有控制部，係以該潔淨氣體之供給會在藉由該真空排氣部所真空排氣的處理容器內加以進行，且從該第2潔淨氣體供給部之潔淨氣體的供給係較從該第1潔淨氣體供給部供給潔淨氣體時要更高壓之氛圍下加以進行之方式而輸出控制訊號。
  18. 如申請專利範圍第7項之成膜裝置，其中該真空排氣部係將氣體從該處理空間透過該載置台與頂板部間的間隙排氣至側方。
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