JP2005328081A - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板搬入出口への反応副生成物の付着を防止し、パーティクル汚染等を防止でき
る半導体ウエハ等の基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】シャワープレート７０、基板処理位置、排気口６７、半導体ウエハ搬入出口
６６をこの順で設ける。チャンバ上側壁６１に排気口６７を設け、チャンバ下側壁６２に
半導体ウエハ搬入出口６６を設ける。チャンバ下側壁６２の内壁６４の方をチャンバ上側
壁６１の内壁６３よりもチャンバ２の内側に設け、チャンバ下側壁６２の上面がチャンバ
上側壁６１の内壁よりも内側に突出する部分を段差部６５とする。このようにしてチャン
バ下側壁６２の内壁６４と基板移動機構３の側壁外面５６との間の空間を狭くすることに
より、半導体ウエハ１０の処理中、段差部６５よりも下のチャンバ下空間６９への処理ガ
スの回り込みを防止する。
【選択図】 図１

Description

本発明は基板処理装置及び基板処理方法に関し、特に、半導体ウエハ処理装置および半
導体ウエハ処理方法に関する。

従来の半導体ウエハ処理装置は、例えば特開平１０−５５９６８に公開されているよう
に、半導体ウエハ投入位置が半導体ウエハ処理位置や排気口位置よりも上方に有るため、
処理後の反応副生成物が基板投入口付近に付着しパーティクルの原因となり易く、また付
着を防止するために加熱機構を具備する必要もあった。
特開平１０−５５９６８号公報

本発明の目的は、従来技術の問題点の反応副生成物の付着を防止し、それによるパーテ
ィクル汚染等を防止できる半導体ウエハ等の基板処理装置を提供することにある。

本発明によれば、チャンバと、ガス導入部と、ガス排気口と、基板搬入出口と、前記チ
ャンバ内の基板搬入出位置であって、前記基板搬入出口から前記チャンバ内に搬入された
前記基板が位置すると共に、前記チャンバ内から前記基板搬入出口を経由して前記基板が
搬出される際に前記基板が位置する前記基板搬入出位置と、前記チャンバ内で基板を処理
する基板処理位置との間で前記基板を移動する基板移動手段と、を備えた基板処置装置で
あって、前記ガス導入部と、前記基板処理位置、前記ガス排気口および前記基板搬入出口
がこの順に配置され、前記ガス排気口と前記基板搬入出口との間に、前記基板を処理する
処理ガスが前記基板搬入出口に流れるのを規制するガス規制手段を設け、前記チャンバは
第１のチャンバ部と第２のチャンバ部とを備え、前記チャンバの側壁のうち前記第１のチ
ャンバ部の前記側壁を第１の側壁とし、前記第２のチャンバ部の前記側壁を第２の側壁と
し、前記基板搬入出口は前記第２の側壁に開口し、前記ガス排気口は前記第１側壁に開口
し、前記第２の側壁の内壁の方が前記第１の側壁の内壁よりも前記チャンバの内側に設け
られており、前記チャンバは、前記第２の側壁の上面が前記第１の側壁の内壁よりも内側
に平面的に見て略環状に突出することによって形成される段差部を備え、前記ガス規制手
段は、少なくとも前記基板移動手段と前記第２の側壁と前記段差部とから構成され、前記
ガス排気口へのガス通路が、前記第1の側壁の内壁面と前記第２の側壁の上面と前記基板
移動手段の側壁を含み構成されていることを特徴とする基板処理装置が提供される。

また、本発明によれば、チャンバと、ガス導入部と、ガス排気口と、半導体ウエハ搬入出
口と、前記チャンバ内の半導体ウエハ搬入出位置であって、前記半導体ウエハ搬入出口か
ら前記チャンバ内に搬入された前記半導体ウエハが位置すると共に、前記チャンバ内から
前記半導体ウエハ搬入出口を経由して前記半導体ウエハが搬出される際に前記半導体ウエ
ハが位置する前記半導体ウエハ搬入出位置と、前記チャンバ内で前記半導体ウエハを処理
する半導体ウエハ処理位置との間で前記半導体ウエハを移動する半導体ウエハ移動手段と
を備え、前記ガス導入部、前記半導体ウエハ処理位置、前記ガス排気口および前記半導体
ウエハ搬入出口がこの順に配置され、前記ガス排気口と前記半導体ウエハ搬入出口との間
に、前記半導体ウエハを処理する処理ガスが前記半導体ウエハ搬入出口に流れるのを規制
するガス規制手段を設け、前記チャンバは第１のチャンバ部と第２のチャンバ部とを備え
、前記チャンバの側壁のうち前記第１のチャンバ部の前記側壁を第１の側壁とし、前記第
２のチャンバ部の前記側壁を第２の側壁とし、前記半導体ウエハ搬入出口は前記第２の側
壁に開口し、前記ガス排気口は前記第１側壁に開口し、前記第２の側壁の内壁の方が前記
第１の側壁の内壁よりも前記チャンバの内側に設けられており、前記チャンバは、前記第
２の側壁の上面が前記第１の側壁の内壁よりも内側に平面的に見て略環状に突出すること
によって形成される段差部を備え、前記ガス規制手段は、少なくとも前記半導体ウエハ移
動手段と前記第２の側壁と前記段差部とから構成され、前記ガス排気口へのガス通路が、
前記第1の側壁の内壁面と前記第２の側壁の上面と前記半導体ウエハ移動手段の側壁を含
み構成される半導体ウエハ処理装置を用いて半導体ウエハを処理する工程であって、前記
半導体ウエハ処理位置に前記半導体ウエハを前記半導体ウエハ移動手段によって位置せし
めた状態で前記ガス導入部より前記半導体ウエハ上に前記処理ガスを導入し前記半導体ウ
エハ上を流れたガスを前記ガス通路を経て前記ガス排気口より排気して前記半導体ウエハ
を処理する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

また、本発明によれば、チャンバと、ガス導入部と、ガス排気口と、基板搬入出口と、前
記チャンバ内の基板搬入出位置であって、前記基板搬入出口から前記チャンバ内に搬入さ
れた前記基板が位置すると共に、前記チャンバ内から前記基板搬入出口を経由して前記基
板が搬出される際に前記基板が位置する前記基板搬入出位置と、前記チャンバ内で基板を
処理する基板処理位置との間で前記基板を移動する基板移動手段と、を備えた基板処置装
置であって、前記ガス導入部、前記基板処理位置、前記ガス排気口および前記基板搬入出
口がこの順に配置され、前記チャンバは、少なくとも第１の内側壁と、前記第１の内側壁
よりも前記基板移動手段に近接する様に前記チャンバの内側に平面的に見て略環状に突出
して設けられる第２の内側壁とを有し、前記ガス排気口は前記第１の内側壁に開口し、前
記ガス排気口と前記基板搬入出口との間に、前記基板を処理する処理ガスが前記基板搬入
出口に流れるのを規制するガス規制手段であって、少なくとも前記基板移動手段と前記第
２の内側壁とから構成される前記ガス規制手段を設け、前記ガス排気口へのガス通路が、
前記第１の内側壁と前記第２の内側壁の上面と前記基板移動手段の側壁を含み構成される
ことを特徴とする基板処理装置が提供される。

また、本発明によれば、チャンバと、ガス導入部と、ガス排気口と、半導体ウエハ搬入出
口と、前記チャンバ内の半導体ウエハ搬入出位置であって、前記半導体ウエハ搬入出口か
ら前記チャンバ内に搬入された前記半導体ウエハが位置すると共に、前記チャンバ内から
前記半導体ウエハ搬入出口を経由して前記半導体ウエハが搬出される際に前記半導体ウエ
ハが位置する前記半導体ウエハ搬入出位置と、前記チャンバ内で前記半導体ウエハを処理
する半導体ウエハ処理位置との間で前記半導体ウエハを移動する半導体ウエハ移動手段と
、を備え、前記ガス導入部、前記半導体ウエハ処理位置、前記ガス排気口および前記半導
体ウエハ搬入出口がこの順に配置され、前記チャンバは、少なくとも第１の内側壁と、前
記第１の内側壁よりも前記半導体ウエハ移動手段に近接する様に前記チャンバの内側に平
面的に見て略環状に突出して設けられる第２の内側壁とを有し、前記ガス排気口は前記第
１の内側壁に開口し、前記ガス排気口と前記半導体ウエハ搬入出口との間に、前記半導体
ウエハを処理する処理ガスが前記半導体ウエハ搬入出口に流れるのを規制するガス規制手
段であって、少なくとも前記半導体ウエハ移動手段と前記第２の内側壁とから構成される
前記ガス規制手段を設け、前記ガス排気口へのガス通路が、前記第１の内側壁と前記第２
の内側壁の上面と前記半導体ウエハ移動手段の側壁を含み構成される半導体ウエハ処理装
置を用いて半導体ウエハを処理する工程であって、前記半導体ウエハ処理位置に前記半導
体ウエハを前記半導体ウエハ移動手段によって位置せしめた状態で前記ガス導入部より前
記半導体ウエハ上に前記処理ガスを導入し前記半導体ウエハ上を流れたガスを前記ガス通
路を経て前記ガス排気口より排気して前記半導体ウエハを処理する工程を備えることを特
徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

基板処理装置および半導体装置の製造方法によれば、基板搬入出口への反応副生成物の
付着を防止し、それによるパーティクル汚染等を防止できる。
（発明を実施するための最良の形態）
次に、本発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。

図１は、本発明の一実施の形態の基板処理装置および基板処理方法を説明するための図で
あり、図１Ａは概略縦断面図、図１Ｂは図１ＡのＡＡ線横断面図である。図２は、図１の
サセプタおよび半導体ウエハ近傍の部分拡大縦断面図である。図３は、図２のＣ部の部分
拡大縦断面図である。図４は、本発明の一実施の形態の基板処理装置および基板処理方法
におけるガスの流れを説明するための概略縦断面図である。図５は、本発明の一実施の形
態の基板処理装置および基板処理方法における半導体ウエハの搬入出を説明するための概
略縦断面図である。

図１Ａ、１Ｂ、２、３、４、５に示すように、本実施の形態の基板処理装置１は、チャン
バ２と、基板移動機構３と、カバープレート３０とを備えている。チャンバ２は、チャン
バ側壁６０と、底板７６と、チャンバ蓋７２と上蓋７３とを備えている。チャンバ蓋７２
の内側にはシャワープレート７０が設けられている。上蓋７３は、シャワープレート７０
を覆って設けられている。上蓋７３にはガス導入管７５が取り付けられており、ガス導入
管７５は、上蓋７３とシャワープレート７０との間の空間７４に連通している。シャワー
プレート７０には複数の貫通孔７１が設けられている。底板７６の中央部には、貫通孔７
７が設けられている。底板７６には昇降動作用の真空隔壁ベローズ７８が取り付けられて
おり、真空隔壁ベローズ７８は貫通孔７７を介してチャンバ２の内部と連通している。

チャンバ２は上チャンバ部４と下チャンバ部５とにより構成されている。それに対応して
チャンバ側壁６０も上チャンバ部４のチャンバ上側壁６１と下チャンバ部５のチャンバ下
側壁６２とから構成されている。チャンバ上側壁６１には排気口６７が設けられており、
下チャンバ６２には半導体ウエハ搬入出口６６が設けられている。チャンバ下側壁６２の
内壁６４の方がチャンバ上側壁６１の内壁６３よりもチャンバ２の内側に設けられており
、チャンバ下側壁６２の上面がチャンバ上側壁６１の内壁よりも内側に突出する部分が段
差部６５となっている。段差部６５は平面図的にみた場合には略環状となっている。チャ
ンバ下側壁６２の内壁６４とチャンバ上側壁６１の内壁６３とは共に上下方向に連続して
延在している。なお、半導体ウエハ搬入出口６６には図４に示すように、パージ管７９が
連通して設けられており、窒素パージができるようになっている。

基板移動機構３は、半導体ウエハ１０を搭載するサセプタ２０と、サセプタ支持部材５０
と、半導体ウエハを持ち上げるピン４０と、サセプタ支持部材５０を支持する中空シャフ
ト５５とを備えている。中空シャフト５５は、チャンバ２の底板７６の貫通孔７７および
真空隔壁ベローズ７８内に設けられている。また、中空シャフト５５を昇降させる昇降機
構（図示せず。）も設けられている。サセプタ２０の下にはヒータ５８が設けられており
、サセプタ２０を介して半導体ウエハ１０を加熱できるようになっている。サセプタ支持
部材５０は、側壁５２と底板５３とを備えており、側壁５２によってサセプタ２０が支持
されている。側壁５２は上下方向に連続して延在して設けられている。サセプタ２０の上
面には凹部２４が設けられており、その内部に半導体ウエハ１０を収容して搭載する。ピ
ン４０は、サセプタ２０に設けられた貫通孔２３と、ヒータ５８に設けられた貫通孔５９
と底板５３に設けられた貫通孔５４内を貫通して設けられている。また、ピン４０にはそ
の途中にストッパ４１が設けられている。

次に、上記基板処理装置１を用いて半導体ウエハ１０を処理する方法について説明する。

まず、図５に示すように、カバープレート３０を段差部６５上に搭載しておく。そして、
基板移動機構３を昇降機構（図示せず。）によって下降させておく。この際には、ピン４
０の底部４３はチャンバ２の底板７６に接し、底板７６によって突き上げられることによ
ってピン４０の頂部４２はサセプタ２０の上に突き出ることになる。そしてこのピン４０
の頂部４２の位置が半導体ウエハが搬入出される半導体ウエハ搬入出位置となる。半導体
ウエハ１０は、チャンバ２のチャンバ下側壁６２に開口した半導体ウエハ搬入出口６６を
介して基板移載機構（図示せず。）によりチャンバ２内に搬入され、サセプタ２０の上に
突き出たピン４０の頂部４２上に搭載される。

その後、基板移動機構３を昇降機構（図示せず。）により上昇すると、図１Ａに示すよう
に、ピン４０のサセプタ２０に対する高さが下がり、ストッパ４１が基板移動機構３の底
板５３に接した時点で、図２、３に示すように、ピン４０の頂部４２がサセプタ２０の凹
部２４の上面２５よりも下側に位置することになり、半導体ウエハ１０がサセプタ２０の
凹部２４に搭載されるようになる。

その後、さらに基板移動機構３を上昇させると、段差部６５に搭載されていたカバープレ
ート３０をサセプタ２０上に搭載させることになる。図２、図３に示すように、サセプタ
２０の周囲部２１は、中央よりも肉厚となっており、周囲部２１の表面は凹部２４の表面
２５よりも高くなっているので、カバープレート３０はサセプタ２０のこの周囲部２１上
に搭載されることになる。

図１Ｂに示すように、カバープレート３０は、平面図的にみて環状となっている。そして
、図３に示すように、カバープレート３０の本体３３がサセプタ２０の周囲部２１上に搭
載されている。カバープレート３０の内側は薄肉部３２となっており、サセプタ２０の周
囲部２１との間で隙間３５を形成する。カバープレート３０の内側先端部３１は、半導体
ウエハ１０の周辺部１２を覆っている。このように覆うことによって半導体ウエハ１０の
周辺部１２上に成膜されることを防止している。また、内側先端部３１は、半導体ウエハ
１０の周辺部１２とは接していなく、これらの間には隙間が存在する。サセプタ２０の周
囲部２１には貫通孔２２が形成されており、サセプタ２０の下側から不活性ガス（例えば
窒素ガス）が、貫通孔２２およびカバープレート３０の内側の薄肉部３２とサセプタ２０
の周囲部２１との間の隙間３５を介して半導体ウエハ１０の周辺部１２上に供給される。
これによって、半導体ウエハ１０の周辺部１２上に成膜されることをより確実に防止して
いる。

上記のようにして半導体ウエハ１０およびカバープレート３０を搭載した基板移動機構３
をさらに上昇させると、図１Ａに示すように、半導体ウエハ１０が半導体ウエハ処理位置
まで移動する。そして、この位置で半導体ウエハ１０には、膜１１を形成する等の処理が
行われる。

この場合に、反応に寄与する処理ガスは、ガス導入管７５より供給され、空間７４を経由
してシャワープレート７０に設けた多数の貫通口７１を通じて半導体ウエハ１０上に供給
される。

カバープレート３０と上側壁内壁６３との間には環状隙間３４が形成されており、半導体
ウエハ１０上を流れた処理ガスは、カバープレート３０上を流れた後、この隙間３４を経
由して排気口３０に流れる。そして、この隙間３４が排気口６７へのガスの整流手段とな
る。

半導体ウエハ１０は、サセプタ２０の下方に配置されたヒータ５８により加熱され、処理
ガスと反応し、半導体ウエハ１０上に成膜処理される。成膜に寄与しなかったガスや反応
生成物は図４に示す通り、カバープレート３０上のガスの流れに従い環状隙間３４を通り
排気口６７よりチャンバ２の外部へと排気される。その際、排気口６７は半導体ウエハ１
０の処理位置よりも下方となりかつ半導体ウエハ投入出口６６よりも上方となる位置関係
で構成されているため、半導体ウエハ搬入出口６６への処理ガスの回り込みが防止され、
パーティクルの原因となる反応生成物の付着を防止することができる。

パージ管７９より半導体ウエハ投入出口６６を経由して不活性ガス（たとえばＮ２）を導
入することでさらに反応生成物の付着を防止できる。また、基板移動機構３の内部にもＮ
２を導入し、図３に示すように、サセプタ２０とカバープレート３０の間から半導体ウエ
ハエッジ方向にＮ２を流しているが、これは、ウエハエッジ部への膜生成を防ぐことを目
的としている。

同様に排気口６７より下方に有る下チャンバ部５のチャンバ下空間６９への反応生成物の
付着の可能性も低く、不活性ガス（たとえばＮ２）を真空隔壁ベローズ７８から貫通孔７
７を介して導入することでさらに防止できる。

半導体ウエハ処理位置において、半導体ウエハの処理が終了した後、基板移動機構は下降
し、その途中で、カバープレート３０を段差部６５に搭載し、引き続き半導体ウエハ１０
を搭載した基板移動機構３は下降を続け、図５に示すように、ピン４０の底部４３はチャ
ンバ２の底板７６に接し、底板７６によって突き上げられることによってピン４０の頂部
４２はサセプタ２０の上に突き出ることになり、半導体ウエハ１０は、この突き出たピン
４０の頂部４２上に搭載された状態となる。そしてこのピン４０の頂部４２の位置が半導
体ウエハが搬入出される半導体ウエハ搬入出位置となり、チャンバ１のチャンバ下側壁６
２に開口した半導体ウエハ搬入出口６６を介して基板移載機構（図示せず。）によりチャ
ンバ１外に搬出される。

なお、本実施の形態において、チャンバ下側壁６２の内壁６４の方をチャンバ上側壁６１
の内壁６３よりもチャンバ２の内側に設けて、チャンバ下側壁６２の上面がチャンバ上側
壁６１の内壁よりも内側に突出させて段差部６５を形成しているのは、次の理由による。

すなわち、排気量を調整するため、カバープレート３０の周辺部とチャンバ２の上側壁内
壁６３との環状隙間３４を調整し排気量を絞っているが、絞った排気流を均一に排気する
ためには、その後にバッファ的な空間を設けることが好ましい。そして、この段差部６５
と、上側壁内壁６３と、カバープレート３０と、基板移動機構３の側壁５２の側壁外面５
６によって、排気バッファ空間６８を確保している。

また、半導体ウエハ１０の処理中、段差部６５よりも下のチャンバ下空間６９への処理ガ
スの回り込みを防止するために、チャンバ下側壁６２の内壁６４の方をチャンバ上側壁６
１の内壁６３よりもチャンバ２の内側に設けて、チャンバ下側壁６２の内壁６４と基板移
動機構３の側壁外面５６との間の空間を狭くしている。なお、チャンバ下側壁６２の内壁
６４と基板移動機構３の側壁外面５６とは共に下側に向かって連続して延在している。

このように、チャンバ下側壁６２の内壁６４の方をチャンバ上側壁６１の内壁６３よりも
チャンバ２の内側に設けて、チャンバ下側壁６２の上面がチャンバ上側壁６１の内壁より
も内側に突出させて段差部６５を形成しているので、段差部の上側には排気バッファ空間
を確保する一方、その下側のチャンバ下空間６９へにガスの回り込みを防止している。

また、上述のように、カバープレート３０は半導体ウエハ周辺の一部を上から覆うように
載置されるので、カバープレート３０を外さないと半導体ウエハ１０をサセプタ２０から
離脱できないが、この段差部６５を設けることによって、基板を下側に移動途中でカバー
プレート３０を保持することができ、その結果、カバープレート３０をサセプタ２０から
取り除いた後、ウエハをサセプタから持ち上げることができるようになる。

また、上記において、カバープレート３０はチャンバ２に固定されているのではなく、カ
バープレート３０を段差部６５上に搭載しておき、その後基板移動機構３によって上側に
運ばれるのものなので、カバープレート３０の取り外しが容易である。従って、カバープ
レート３０の形状を変えることも容易であり、それによって上記隙間３４をカバープレー
ト３０の周囲にわたって調整して、隙間３４による排気量分布をカバープレート３０の周
囲にわたって調整することにより、半導体ウエハ１０上を流れる反応ガスの流れの分布を
調整することができる。例えば、均一排気するために、排気口６７側の隙間３４を小とし
、排気口６７とは反対側の隙間３４を大としたり等の調整が容易に行える。また、処理圧
力等の処理条件に応じてこの隙間３４のカバープレート周囲にわたる形状を調整すること
も容易に行える。さらに、このようにカバープレート３０の取り外しが容易であるので、
その洗浄も容易に行える。

また、半導体ウエハ１０に処理を行う場合には、シャワープレート７０と半導体ウエハ１
０との距離やシャワープレート７０とカバープレート３０との間の距離（ギャップ）Ｇを
、各プロセスの成膜条件等の処理条件に応じ、また、各々の装置が含む製造誤差（固体差
）等に応じて調整する必要があるが、この調整も、サセプタ２０、半導体ウエハ１０およ
びカバープレート３０を搭載した基板移動機構３の上下により容易に行うことができる。
さらに、プロセス結果に伴うギャップの微調整も容易である。

なお、カバープレート３０が固定の場合、下方からカバープレート３０へ半導体ウエハ１
０を近づけることになるが、この際、カバープレート３０と半導体ウエハの隙間（０．８
ｍｍ程度）が基板移動機構の昇降機構の精度の問題で正確にできない可能性がある。それ
に対して、本実施の形態では、基板移動機構が上昇する途中でサセプタ２０の周囲部２１
上にカバープレート３０を搭載するので、サセプタ２０およびカバープレート３０の形状
のみでカバープレート３０と半導体ウエハの隙間が決まるので、その精度が高いものとな
る。

さらに、本実施の形態の装置は、半導体ウエハ上昇動作の途中でカバープレート３０を拾
い上げる方式であるので、駆動源が一つですむ。これに対して、カバープレート３０を上
から降ろす形態も考えられるが、この場合には、カバープレート駆動源とウエハ上昇駆動
源が別々に必要でコストアップとなる。

本発明の一実施の形態の基板処理装置および基板処理方法を説明するための図であり、図１Ａは概略縦断面図、図１Ｂは図１ＡのＡＡ線横断面図である。 図１のサセプタおよび半導体ウエハ近傍の部分拡大縦断面図である。 図２のＣ部の部分拡大縦断面図である。 本発明の一実施の形態の基板処理装置および基板処理方法におけるガスの流れを説明するための概略縦断面図である。 本発明の一実施の形態の基板処理装置および基板処理方法における半導体ウエハの搬入出を説明するための概略縦断面図である。

符号の説明

１…基板処理装置
２…チャンバ
３…基板移動機構
４…上チャンバ部
５…下チャンバ部
１０…半導体ウエハ
１２…周辺部
２０…サセプタ
２１…周囲部
２４…凹部
３０…カバープレート
３１…内側先端部
３２…薄肉部
３３…本体
３４…環状隙間
４０…ピン
４１…ストッパー
５０…サセプタ支持部材
５２…側壁
５６…側壁外面
５８…ヒータ
６０…チャンバ側壁
６１…チャンバ上側壁
６２…チャンバ下側壁
６３…上側壁内壁
６４…下側壁内壁
６５…段差部
６６…半導体ウエハ搬入出口
６７…排気口
６８…排気バッファ空間
６９…チャンバ下空間
７０…シャワープレート
７１…貫通孔
７５…ガス導入管
Ｇ…ギャップ

Claims (4)

1. チャンバと、
   ガス導入部と、
   ガス排気口と、
   基板搬入出口と、
   前記チャンバ内の基板搬入出位置であって、前記基板搬入出口から前記チャンバ内に搬
   入された前記基板が位置すると共に、前記チャンバ内から前記基板搬入出口を経由して前
   記基板が搬出される際に前記基板が位置する前記基板搬入出位置と、前記チャンバ内で基
   板を処理する基板処理位置との間で前記基板を移動する基板移動手段と、を備えた基板処
   置装置であって、
   前記ガス導入部と、前記基板処理位置、前記ガス排気口および前記基板搬入出口がこの
   順に配置され、
   前記ガス排気口と前記基板搬入出口との間に、前記基板を処理する処理ガスが前記基板
   搬入出口に流れるのを規制するガス規制手段を設け、
   前記チャンバは第１のチャンバ部と第２のチャンバ部とを備え、
   前記チャンバの側壁のうち前記第１のチャンバ部の前記側壁を第１の側壁とし、前記第
   ２のチャンバ部の前記側壁を第２の側壁とし、
   前記基板搬入出口は前記第２の側壁に開口し、
   前記ガス排気口は前記第１側壁に開口し、
   前記第２の側壁の内壁の方が前記第１の側壁の内壁よりも前記チャンバの内側に設けら
   れており、
   前記チャンバは、前記第２の側壁の上面が前記第１の側壁の内壁よりも内側に平面的に
   見て略環状に突出することによって形成される段差部を備え、
   前記ガス規制手段は、少なくとも前記基板移動手段と前記第２の側壁と前記段差部とか
   ら構成され、前記ガス排気口へのガス通路が、前記第1の側壁の内壁面と前記第２の側壁
   の上面と前記基板移動手段の側壁を含み構成されていることを特徴とする基板処理装置。
2. チャンバと、
   ガス導入部と、
   ガス排気口と、
   半導体ウエハ搬入出口と、
   前記チャンバ内の半導体ウエハ搬入出位置であって、前記半導体ウエハ搬入出口から前
   記チャンバ内に搬入された前記半導体ウエハが位置すると共に、前記チャンバ内から前記
   半導体ウエハ搬入出口を経由して前記半導体ウエハが搬出される際に前記半導体ウエハが
   位置する前記半導体ウエハ搬入出位置と、前記チャンバ内で前記半導体ウエハを処理する
   半導体ウエハ処理位置との間で前記半導体ウエハを移動する半導体ウエハ移動手段とを備
   え、
   前記ガス導入部、前記半導体ウエハ処理位置、前記ガス排気口および前記半導体ウエハ
   搬入出口がこの順に配置され、
   前記ガス排気口と前記半導体ウエハ搬入出口との間に、前記半導体ウエハを処理する処
   理ガスが前記半導体ウエハ搬入出口に流れるのを規制するガス規制手段を設け、
   前記チャンバは第１のチャンバ部と第２のチャンバ部とを備え、
   前記チャンバの側壁のうち前記第１のチャンバ部の前記側壁を第１の側壁とし、前記第
   ２のチャンバ部の前記側壁を第２の側壁とし、
   前記半導体ウエハ搬入出口は前記第２の側壁に開口し、
   前記ガス排気口は前記第１側壁に開口し、
   前記第２の側壁の内壁の方が前記第１の側壁の内壁よりも前記チャンバの内側に設けら
   れており、
   前記チャンバは、前記第２の側壁の上面が前記第１の側壁の内壁よりも内側に平面的に
   見て略環状に突出することによって形成される段差部を備え、
   前記ガス規制手段は、少なくとも前記半導体ウエハ移動手段と前記第２の側壁と前記段
   差部とから構成され、前記ガス排気口へのガス通路が、前記第1の側壁の内壁面と前記第
   ２の側壁の上面と前記半導体ウエハ移動手段の側壁を含み構成される半導体ウエハ処理装
   置を用いて半導体ウエハを処理する工程であって、
   前記半導体ウエハ処理位置に前記半導体ウエハを前記半導体ウエハ移動手段によって位
   置せしめた状態で前記ガス導入部より前記半導体ウエハ上に前記処理ガスを導入し前記半
   導体ウエハ上を流れたガスを前記ガス通路を経て前記ガス排気口より排気して前記半導体
   ウエハを処理する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. チャンバと、
   ガス導入部と、
   ガス排気口と、
   基板搬入出口と、
   前記チャンバ内の基板搬入出位置であって、前記基板搬入出口から前記チャンバ内に搬
   入された前記基板が位置すると共に、前記チャンバ内から前記基板搬入出口を経由して前
   記基板が搬出される際に前記基板が位置する前記基板搬入出位置と、前記チャンバ内で基
   板を処理する基板処理位置との間で前記基板を移動する基板移動手段と、を備えた基板処
   置装置であって、
   前記ガス導入部、前記基板処理位置、前記ガス排気口および前記基板搬入出口がこの順
   に配置され、
   前記チャンバは、少なくとも第１の内側壁と、前記第１の内側壁よりも前記基板移動手
   段に近接する様に前記チャンバの内側に平面的に見て略環状に突出して設けられる第２の
   内側壁とを有し、
   前記ガス排気口は前記第１の内側壁に開口し、
   前記ガス排気口と前記基板搬入出口との間に、前記基板を処理する処理ガスが前記基板
   搬入出口に流れるのを規制するガス規制手段であって、少なくとも前記基板移動手段と前
   記第２の内側壁とから構成される前記ガス規制手段を設け、
   前記ガス排気口へのガス通路が、前記第１の内側壁と前記第２の内側壁の上面と前記基
   板移動手段の側壁を含み構成されることを特徴とする基板処理装置。
4. チャンバと、
   ガス導入部と、
   ガス排気口と、
   半導体ウエハ搬入出口と、
   前記チャンバ内の半導体ウエハ搬入出位置であって、前記半導体ウエハ搬入出口から前
   記チャンバ内に搬入された前記半導体ウエハが位置すると共に、前記チャンバ内から前記
   半導体ウエハ搬入出口を経由して前記半導体ウエハが搬出される際に前記半導体ウエハが
   位置する前記半導体ウエハ搬入出位置と、前記チャンバ内で前記半導体ウエハを処理する
   半導体ウエハ処理位置との間で前記半導体ウエハを移動する半導体ウエハ移動手段と、を
   備え、
   前記ガス導入部、前記半導体ウエハ処理位置、前記ガス排気口および前記半導体ウエハ
   搬入出口がこの順に配置され、
   前記チャンバは、少なくとも第１の内側壁と、前記第１の内側壁よりも前記半導体ウエ
   ハ移動手段に近接する様に前記チャンバの内側に平面的に見て略環状に突出して設けられ
   る第２の内側壁とを有し、
   前記ガス排気口は前記第１の内側壁に開口し、
   前記ガス排気口と前記半導体ウエハ搬入出口との間に、前記半導体ウエハを処理する処
   理ガスが前記半導体ウエハ搬入出口に流れるのを規制するガス規制手段であって、少なく
   とも前記半導体ウエハ移動手段と前記第２の内側壁とから構成される前記ガス規制手段を
   設け、
   前記ガス排気口へのガス通路が、前記第１の内側壁と前記第２の内側壁の上面と前記半
   導体ウエハ移動手段の側壁を含み構成される半導体ウエハ処理装置を用いて半導体ウエハ
   を処理する工程であって、
   前記半導体ウエハ処理位置に前記半導体ウエハを前記半導体ウエハ移動手段によって位
   置せしめた状態で前記ガス導入部より前記半導体ウエハ上に前記処理ガスを導入し前記半
   導体ウエハ上を流れたガスを前記ガス通路を経て前記ガス排気口より排気して前記半導体
   ウエハを処理する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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